JPH0376678A - ページ・プリンタおよびその制御装置 - Google Patents
ページ・プリンタおよびその制御装置Info
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- JPH0376678A JPH0376678A JP2190889A JP19088990A JPH0376678A JP H0376678 A JPH0376678 A JP H0376678A JP 2190889 A JP2190889 A JP 2190889A JP 19088990 A JP19088990 A JP 19088990A JP H0376678 A JPH0376678 A JP H0376678A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
- G11C29/765—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications in solid state disks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Storing Facsimile Image Data (AREA)
- Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は一般に非揮発性メモリ装置、特に前記メモリを
有効に利用するシステムに関する６本発明は非揮発性メ
モリがユーザ及びプリンタのパラメータ並びに印刷され
たページ・カウンタを維持する電子写真式ページ・プリ
ンタに関して開示するものである。
有効に利用するシステムに関する６本発明は非揮発性メ
モリがユーザ及びプリンタのパラメータ並びに印刷され
たページ・カウンタを維持する電子写真式ページ・プリ
ンタに関して開示するものである。
Ｂ、従来技術
種々のタイプの電子システムでは、電力周期を横切る、
即ち該システムへの電力の中断期間中の幾つかの情報を
保持する必要がある。電子データ処理装置では、この目
的のために非揮発性メモリがよく用いられる。非揮発性
メモリは非揮発性ランダム・アクセス・メモリ （ＮＶ
ＲＡＭ）の形式−通常は消去可能電子式プログラマブル
・リード・オンリ・メモリ （ＥＥＰＲＯＭ）を含む−
をトルコとがある。ＥＥＰＲＯＭはＮＶＲＡＭチップに
含まれる。ＮＶＲＡＭチップはＥＥＰＲＯＭへ（から）
のデータ転送に用いるＲＡＭチップも含む、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ＥＥＰＲＯＭに記憶されたデータの変更を必要と
するデータ記憶動作の回数に制限がある。
即ち該システムへの電力の中断期間中の幾つかの情報を
保持する必要がある。電子データ処理装置では、この目
的のために非揮発性メモリがよく用いられる。非揮発性
メモリは非揮発性ランダム・アクセス・メモリ （ＮＶ
ＲＡＭ）の形式−通常は消去可能電子式プログラマブル
・リード・オンリ・メモリ （ＥＥＰＲＯＭ）を含む−
をトルコとがある。ＥＥＰＲＯＭはＮＶＲＡＭチップに
含まれる。ＮＶＲＡＭチップはＥＥＰＲＯＭへ（から）
のデータ転送に用いるＲＡＭチップも含む、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ＥＥＰＲＯＭに記憶されたデータの変更を必要と
するデータ記憶動作の回数に制限がある。
ＮＶＲＡＭチップは複数ビットの記憶セルを含み、各ビ
ットの変更動作の回数は制限される０例えば、ＮＶＲＡ
Ｍチップは各々のビット位置毎に５０００回の変更動作
が可能なように設計されることがある。
ットの変更動作の回数は制限される０例えば、ＮＶＲＡ
Ｍチップは各々のビット位置毎に５０００回の変更動作
が可能なように設計されることがある。
電子写真式ページ・プリンタの場合には、該プリンタ上
に印刷されたページの番号を表わすページ・カウントを
維持することが望ましい、この情報は、例えば、該プリ
ンタをサービスする際に役立つことがある。
に印刷されたページの番号を表わすページ・カウントを
維持することが望ましい、この情報は、例えば、該プリ
ンタをサービスする際に役立つことがある。
プリンタのページ・カウンタの最下位桁は頻繁に変化す
る。このビットはＮＶＲＡＭで用いられ、前記最下位桁
の迅速な変化を保持する。ゆえに、ＮＶＲＡＭ記憶位置
の変化回数の寿命が５０００回の場合、数十万ページを
カウントできるページ・カウンタは直に実現することは
不可能である。
る。このビットはＮＶＲＡＭで用いられ、前記最下位桁
の迅速な変化を保持する。ゆえに、ＮＶＲＡＭ記憶位置
の変化回数の寿命が５０００回の場合、数十万ページを
カウントできるページ・カウンタは直に実現することは
不可能である。
このカウント制約問題を解決する方法の１つは。
より多くの変化動作回数が可能なＮＶＲＡＭを用いるこ
とであるが、前記ＮＶＲＡＭは手ごろな価格で容易に入
手することはできない、もう１つの方法はＮＶＲＡＭチ
ップをその定格寿命の終りで交換することであるが、こ
れは前記交換に要する費用と不便さにより非実際的であ
る。
とであるが、前記ＮＶＲＡＭは手ごろな価格で容易に入
手することはできない、もう１つの方法はＮＶＲＡＭチ
ップをその定格寿命の終りで交換することであるが、こ
れは前記交換に要する費用と不便さにより非実際的であ
る。
もう１つの手法は、保管すべきデータの記憶に必要とす
る記憶位置の数倍の記憶位置数を有するＮＶＲＡＭを用
いることである。そうすると、例えば、カウンタの場合
、ビット記憶位置がそれぞれの変化動作の定格限界回数
に達すると、該ＮＶＲＡＭを用いるシステムはデータを
該ＮＶＲＡＭ内の新しい記憶位置に移すことができる。
る記憶位置の数倍の記憶位置数を有するＮＶＲＡＭを用
いることである。そうすると、例えば、カウンタの場合
、ビット記憶位置がそれぞれの変化動作の定格限界回数
に達すると、該ＮＶＲＡＭを用いるシステムはデータを
該ＮＶＲＡＭ内の新しい記憶位置に移すことができる。
このアプローチは米国特許第４８０３７０７号に記載さ
れた電子オドメータ （ｏｄｏｍｅｔｅｒ）で実現され
る。
れた電子オドメータ （ｏｄｏｍｅｔｅｒ）で実現され
る。
この方法をＮＶＲＡＭの寿命問題に用いるには、ＮＶＲ
ＡＭを用いる回路が本質的に上位の桁におけるカウント
に基づいて下位の桁の変更回数を決定できるように、関
連するデータはあるタイプのカウンタの下位の桁とする
アプリケーションを必要とする。この方法はＮＶＲＡＭ
記憶位置が定格よりも多くの又は少ないデータ変更動作
を認める可能性も無視する。
ＡＭを用いる回路が本質的に上位の桁におけるカウント
に基づいて下位の桁の変更回数を決定できるように、関
連するデータはあるタイプのカウンタの下位の桁とする
アプリケーションを必要とする。この方法はＮＶＲＡＭ
記憶位置が定格よりも多くの又は少ないデータ変更動作
を認める可能性も無視する。
Ｃ６発明が解決しようとする課題
本発明の目的は前記のタイプのシステムに前述の不利点
を解決する改良された非揮発性メモリ管理システムを提
供することである。
を解決する改良された非揮発性メモリ管理システムを提
供することである。
後に説明する実施例に関して記述されるように。
本発明は、プリンタ情報並びに印刷されたページのカウ
ントが非揮発性メモリに保持される電子写真式ページ・
プリンタでうまく利用される。
ントが非揮発性メモリに保持される電子写真式ページ・
プリンタでうまく利用される。
０９課題を解決するための手段
本発明の１つの実施例では、改良された非揮発性メモリ
処理システムは、制御ブロック部及びデータ部を持つよ
うに割振られた非揮発性メモリを含むページ・プリンタ
制御装置の形式をとる。この制御装置は非揮発性メモリ
内のデータ部にある、非揮発性メモリの制御ブロック部
に含まれたポインタによって指示された位置にデータを
記憶する。
処理システムは、制御ブロック部及びデータ部を持つよ
うに割振られた非揮発性メモリを含むページ・プリンタ
制御装置の形式をとる。この制御装置は非揮発性メモリ
内のデータ部にある、非揮発性メモリの制御ブロック部
に含まれたポインタによって指示された位置にデータを
記憶する。
もしデータ記憶誤りが起きれば、制御装置は、非揮発性
メモリのデータ部に新しいデータ記憶位置を指示するた
めに、関連した制御ブロック・ポインタを変更し、そし
てこの新しい位置にデータを書込む。
メモリのデータ部に新しいデータ記憶位置を指示するた
めに、関連した制御ブロック・ポインタを変更し、そし
てこの新しい位置にデータを書込む。
本発明の利点は、操作員の介入、即ち制御装置の電気的
接続又は構成要素の交換なしに、データ記憶誤りから回
復することである。
接続又は構成要素の交換なしに、データ記憶誤りから回
復することである。
Ｅ、実施例
第１図で、レーザー・ページ・プリンタはプリンタ制御
装置１１を含み、プリンタ制御装置１１はマイクロプロ
セッサ１２．関連するリード・オンリ・メモリ （ＲＯ
Ｍ）１３及びランダム・アクセス・メモリ （ＲＡＭ）
１４を含む、ホスト・コンピュータから受取ったコマン
ド及びデータに応答してページ・プリンタのプリント・
エンジン１５を制御するために、優位の制御装置１１と
協同するマイクロプロセッサ１２によって実行される命
令がＲＯＭ１３に含まれる。プリント・エンジン１５は
ページ・プリンタの制御装置以外の部分であり、本例で
は、制御装置１１によって開動されるレーザー・プリン
トヘッド、光導電体、顕色剤、邸動モータ、等を含む、
マイクロプロセッサ１２は、図示のプリンタでは、モト
ローラ ６８０００である。
装置１１を含み、プリンタ制御装置１１はマイクロプロ
セッサ１２．関連するリード・オンリ・メモリ （ＲＯ
Ｍ）１３及びランダム・アクセス・メモリ （ＲＡＭ）
１４を含む、ホスト・コンピュータから受取ったコマン
ド及びデータに応答してページ・プリンタのプリント・
エンジン１５を制御するために、優位の制御装置１１と
協同するマイクロプロセッサ１２によって実行される命
令がＲＯＭ１３に含まれる。プリント・エンジン１５は
ページ・プリンタの制御装置以外の部分であり、本例で
は、制御装置１１によって開動されるレーザー・プリン
トヘッド、光導電体、顕色剤、邸動モータ、等を含む、
マイクロプロセッサ１２は、図示のプリンタでは、モト
ローラ ６８０００である。
制御装置１１内のＲＡＭ１４はユーザとプリント・エン
ジンの情報、及びプリント・エンジンによる印刷を実行
するためのページ・バッファとビット・マツプの情報を
記憶する。ユーザ情報は用紙ソースのユーザ設定省略値
及び各ソースの用紙サイズを含む、ユーザ情報はプリン
タが用いる省略時フォントの名称も含む、プリント・エ
ンジン情報、又はパラメータはページ上に印刷のマージ
ンを設定するための値を含む、使用可能な一定の情報を
保存するには、その都度、制御装置１１の電源が投入さ
れ、チップＮＶＲＡＭ１６が制御装置に結合される。チ
ップＮＶＲＡＭＩ ６はＥＥＰＲＯＭＩ７及びチップＲ
ＡＭ１８を含む。
ジンの情報、及びプリント・エンジンによる印刷を実行
するためのページ・バッファとビット・マツプの情報を
記憶する。ユーザ情報は用紙ソースのユーザ設定省略値
及び各ソースの用紙サイズを含む、ユーザ情報はプリン
タが用いる省略時フォントの名称も含む、プリント・エ
ンジン情報、又はパラメータはページ上に印刷のマージ
ンを設定するための値を含む、使用可能な一定の情報を
保存するには、その都度、制御装置１１の電源が投入さ
れ、チップＮＶＲＡＭ１６が制御装置に結合される。チ
ップＮＶＲＡＭＩ ６はＥＥＰＲＯＭＩ７及びチップＲ
ＡＭ１８を含む。
マイクロプロセッサ１２はＲＡＭ１４をアドレス指定す
るのと同じ方法でチップＲＡＭ１８をアドレス指定する
ことが可能である。制御装置１１の電源が投入されると
、ＥＥＰＲＯＭＩ７に永続的に記憶された情報は、マイ
クロプロセッサ１２からＮＶＲＡＭ１６へのライン１９
上のストローブ呼戻し信号に応答して、ＥＥＰＲＯＭＩ
７からチップＲＡＭ１８に書込むことができる。同様に
。
るのと同じ方法でチップＲＡＭ１８をアドレス指定する
ことが可能である。制御装置１１の電源が投入されると
、ＥＥＰＲＯＭＩ７に永続的に記憶された情報は、マイ
クロプロセッサ１２からＮＶＲＡＭ１６へのライン１９
上のストローブ呼戻し信号に応答して、ＥＥＰＲＯＭＩ
７からチップＲＡＭ１８に書込むことができる。同様に
。
チップＲＡＭ１８内の情報は、マイクロプロセッサ１２
によるライン２０上のストローブ記憶信号の活動化に応
答して、ＥＥＰＲＯＭＩ ７に書込むことができる。
によるライン２０上のストローブ記憶信号の活動化に応
答して、ＥＥＰＲＯＭＩ ７に書込むことができる。
第２図で、ＮＶＲＡＭ内（７）ＥＥＰＲＯＭ、 及びそ
れと同じ広がりを占めるチップＲＡＭは複数の２進桁、
即ちビットの記憶セルから構成される。
れと同じ広がりを占めるチップＲＡＭは複数の２進桁、
即ちビットの記憶セルから構成される。
図示のＮＶＲＡＭチップには、１０２４ビツトがある。
ＮＶＲＡＭメモリ（ＥＥＰＲＯＭ及びチップＲＡＭの両
者）はメモリ・セルで構築される。
者）はメモリ・セルで構築される。
図示のＮＶＲＡＭには、２５６のメモリ・セルがあり、
各セルは４ビツト幅である。このＥＥＰＲＯＭでは、任
意の所与のビットの、不良ビット発生前の変更動作回数
の定格は５０００回である。
各セルは４ビツト幅である。このＥＥＰＲＯＭでは、任
意の所与のビットの、不良ビット発生前の変更動作回数
の定格は５０００回である。
第３図及び第４図では１本発明に従って、ＮＶＲＡＭメ
モリは制御ブロック部及びデータ部に分割される。この
ＮＶＲＡＭ内の制御ブロックは該メモリの上部に位置し
、それに続いて該メモリ内に保持される追加の情報ブロ
ックがあり、更にそれに続いて未使用のメモリ・セルが
ある。このＮＶＲＡＭでは、メモリ・セルは４ビツト・
ニブル（ｎｙｂｂｌｅ）であり、メモリ・ブロックは１
又はそれ以上のニブルを含む、第３図のＮＶＲＡＭ配列
はＥＥＰＲＯＭ１７のメモリ構造であり、チップＲＡＭ
も同様に配列される。この構造では、ＥＥＰＲＯＭは制
御ブロック３１．４つのページ・カウント （Ｐ、ＣＴ
、）・ブロック３２〜３５、ユーザ設定省略値ブロック
３６、プリント・エンジン・パラメータ・ブロック３７
及び未使用ニブル３８．３９に分割される。
モリは制御ブロック部及びデータ部に分割される。この
ＮＶＲＡＭ内の制御ブロックは該メモリの上部に位置し
、それに続いて該メモリ内に保持される追加の情報ブロ
ックがあり、更にそれに続いて未使用のメモリ・セルが
ある。このＮＶＲＡＭでは、メモリ・セルは４ビツト・
ニブル（ｎｙｂｂｌｅ）であり、メモリ・ブロックは１
又はそれ以上のニブルを含む、第３図のＮＶＲＡＭ配列
はＥＥＰＲＯＭ１７のメモリ構造であり、チップＲＡＭ
も同様に配列される。この構造では、ＥＥＰＲＯＭは制
御ブロック３１．４つのページ・カウント （Ｐ、ＣＴ
、）・ブロック３２〜３５、ユーザ設定省略値ブロック
３６、プリント・エンジン・パラメータ・ブロック３７
及び未使用ニブル３８．３９に分割される。
この制御ブロックは９バイトで構成され、そのうち、７
バイトはＥＥＰＲＯＭ１７の情報領域内のブロックを指
すポインタ （Ｐ Ｔ Ｒ、）を含む、Ｐ。
バイトはＥＥＰＲＯＭ１７の情報領域内のブロックを指
すポインタ （Ｐ Ｔ Ｒ、）を含む、Ｐ。
ＣＴ、ブロック３２は最下位Ｐ、ＣＴ、ニブルを含み、
メモリ・ブロック３３及び３４は、順次に、次に最下位
のＰ、ＣＴ、ニブルを含み、ブロック３５は２つの最上
位Ｐ、ＣＴ、ニブルを含む、ブロック３６はユーザ設定
省略値パラメータを含み、ブロック３７はプリント・エ
ンジン・パラメータを含む、ブロック３８は最初の未使
用のニブルであり、ブロック３９は未使用メモリ・セル
のバランス（ｂａｌａｎｃｅ）である。
メモリ・ブロック３３及び３４は、順次に、次に最下位
のＰ、ＣＴ、ニブルを含み、ブロック３５は２つの最上
位Ｐ、ＣＴ、ニブルを含む、ブロック３６はユーザ設定
省略値パラメータを含み、ブロック３７はプリント・エ
ンジン・パラメータを含む、ブロック３８は最初の未使
用のニブルであり、ブロック３９は未使用メモリ・セル
のバランス（ｂａｌａｎｃｅ）である。
制御ブロック３１は、それぞれが２ニブル（ｌバイト）
を含む９つの記憶領域を含む、制御ブロック内の最初の
７バイトは、ＥＥＰＲＯＭ１７にあるブロック３２〜３
８を指すポインタを含む。
を含む９つの記憶領域を含む、制御ブロック内の最初の
７バイトは、ＥＥＰＲＯＭ１７にあるブロック３２〜３
８を指すポインタを含む。
バイト４１〜４４はそれぞれＰ、ＣＴ、ブロック３２〜
３５を指す、バイト４５．４６及び４７は。
３５を指す、バイト４５．４６及び４７は。
それぞれ、ユーザ設定省略値ブロック３６、プリント・
エンジン・パラメータ・ブロック３７、及びＥＥＰＲＯ
Ｍ内の最初の未使用のニブル３８を指すポインタ （Ｐ
Ｔ Ｒ、）を含む、もし必要なら、ＥＥＰＲＯＭ１７
内の他のメモリ領域を指す他のポインタを制御ブロック
３１に追加することができる。
エンジン・パラメータ・ブロック３７、及びＥＥＰＲＯ
Ｍ内の最初の未使用のニブル３８を指すポインタ （Ｐ
Ｔ Ｒ、）を含む、もし必要なら、ＥＥＰＲＯＭ１７
内の他のメモリ領域を指す他のポインタを制御ブロック
３１に追加することができる。
制御ブロック３１は、有効データを含む制御ブロックを
マイクロプロセッサが識別するのを容易にする一定の定
数を含む有効マーカ・バイト４８も含む、制御ブロック
はデータの完全性を保証するための検査合計バイト４９
も含む、この検査合計は制御ブロック内の全てのデータ
の算術合計に基づいて行なわれるので、検査合計は制御
ブロック情報の変化につれて変化する。
マイクロプロセッサが識別するのを容易にする一定の定
数を含む有効マーカ・バイト４８も含む、制御ブロック
はデータの完全性を保証するための検査合計バイト４９
も含む、この検査合計は制御ブロック内の全てのデータ
の算術合計に基づいて行なわれるので、検査合計は制御
ブロック情報の変化につれて変化する。
前記プリンタによって印刷されるページ番号のカウント
を記憶するためにＮＶＲＡＭを用いる際には、もしマイ
クロプロセッサがページの印刷毎にＲＡＭ内のページ・
カウントは更新するが、ＮＶＲＡＭのあらゆる次のペー
ジでカウント変更を記憶するだけなら、任意のビット位
置でＮＶＲＡＭの変更回数の定格が５０００の場合には
、僅かに１０，０００ページがカウントされた後に、最
下位のＰ、ＣＴ、ニブルにプルＯ）に障害が生じ易い、
これは、たぶん３００，０００ペ一ジ程度のプリンタの
寿命よりもずっと短い１本発明は、Ｐ、ＣＴ、ニブルＯ
（並びに他のデータ・ブロック）を未使用のメモリ領域
３８．３９に動的に再配置することにより、最初のビッ
ト障害を起こす：［’（７１ＮＶＲＡＭのページ・カウ
ンタ使用回数を増す能力を提供する。
を記憶するためにＮＶＲＡＭを用いる際には、もしマイ
クロプロセッサがページの印刷毎にＲＡＭ内のページ・
カウントは更新するが、ＮＶＲＡＭのあらゆる次のペー
ジでカウント変更を記憶するだけなら、任意のビット位
置でＮＶＲＡＭの変更回数の定格が５０００の場合には
、僅かに１０，０００ページがカウントされた後に、最
下位のＰ、ＣＴ、ニブルにプルＯ）に障害が生じ易い、
これは、たぶん３００，０００ペ一ジ程度のプリンタの
寿命よりもずっと短い１本発明は、Ｐ、ＣＴ、ニブルＯ
（並びに他のデータ・ブロック）を未使用のメモリ領域
３８．３９に動的に再配置することにより、最初のビッ
ト障害を起こす：［’（７１ＮＶＲＡＭのページ・カウ
ンタ使用回数を増す能力を提供する。
次に、第４図で、もしメモリ・ブロック３２で障害が検
出されれば、Ｐ、ＣＴ、ニブルＯに関連したデータは次
に使用可能なメモリ・ブロック、この場合はメモリ・ブ
ロック３８、に移される。
出されれば、Ｐ、ＣＴ、ニブルＯに関連したデータは次
に使用可能なメモリ・ブロック、この場合はメモリ・ブ
ロック３８、に移される。
制御ブロック３１の一定の変更はＰ、ＣＴ、ニブルＯを
メモリ・ブロック３８に移す動作も必要とする。第Ｉに
、制御ブロックのバイト４１内のＰ、ＣＴ、ニブル０の
ＰＴＲ，の情報は新しいブロック３８ （Ｐ、ＣＴ、ニ
ブルＯ）を指すように変更される。第２に、空きスペー
スＰＴＲ，４７の情報はＥＥＰＲＯＭ１７の未使用領域
３９の最上部を指すように変更される。最後に、制御ブ
ロック・データは変更されているから、新しい検査合計
を計算して検査合計バイト４９に入れなければならない
。
メモリ・ブロック３８に移す動作も必要とする。第Ｉに
、制御ブロックのバイト４１内のＰ、ＣＴ、ニブル０の
ＰＴＲ，の情報は新しいブロック３８ （Ｐ、ＣＴ、ニ
ブルＯ）を指すように変更される。第２に、空きスペー
スＰＴＲ，４７の情報はＥＥＰＲＯＭ１７の未使用領域
３９の最上部を指すように変更される。最後に、制御ブ
ロック・データは変更されているから、新しい検査合計
を計算して検査合計バイト４９に入れなければならない
。
ＥＥＰＲＯＭ１７内のデータ・ブロックの内容は、欠陥
のあるメモリ・セルが次に検出されるまで、制御ブロッ
クに影響を及ぼさずにマイクロプロセッサの要求に従っ
て変更することができる。
のあるメモリ・セルが次に検出されるまで、制御ブロッ
クに影響を及ぼさずにマイクロプロセッサの要求に従っ
て変更することができる。
欠陥のあるメモリ位置は、ＥＥＰＲＯＭ内のページ・カ
ウント・ニブル又はほかの場所で見つかることがある。
ウント・ニブル又はほかの場所で見つかることがある。
障害が検出されて影響を受けたデータ・ブロックの再配
置を可能にする空きセルの数が不十分になるまで、欠陥
のあるメモリ・セルの誤り回復は続く、制御ブロック３
１は再配置動作毎に一回変更されるだけであるから、十
分にＮＶＲＡＭの範囲内にあり、再配置する必要は決し
てない。
置を可能にする空きセルの数が不十分になるまで、欠陥
のあるメモリ・セルの誤り回復は続く、制御ブロック３
１は再配置動作毎に一回変更されるだけであるから、十
分にＮＶＲＡＭの範囲内にあり、再配置する必要は決し
てない。
次に、ＮＶＲＡＭを管理する方法の理解を容易にするた
めに、プログラム制御によるマイクロプロセッサ１２の
動作を第５図〜第１０図によって説明する。第５図で、
ページ・プリンタの電源がオンになると、マイクロプロ
セッサはＮＶＲＡＭに関する初期化ルーチンを実行する
。最初のステップとして、第６図の″ＥＥＰＲＯＭ読取
り”ルーチンが実行される。ＥＥＰＲＯＭ１７の内容は
マイクロプロセッサからＮＶＲＡＭ１６への呼戻しスト
ローブ部に応答してチップＲＡＭ１８（第１図）に読込
まれる。これは、電源がオフの間にＥＥＰＲＯＭに記憶
された情報を、もしプリンタが予めオンになっているな
らばチップＲＡＭに書込む、従って、プロセッサは、こ
うしてＥＥＰＲＯＭ情報の複写を含むチップＲＡＭをア
クセスすることにより、ＥＥＰＲＯＭ１７の内容を読取
ることができる１次に、プロセッサはチップＲＡＭから
プロセッサＲＡＭ−流れ図では”ソース”ＲＡＭと呼ば
れるーに制御ブロック情報を書込む、そしてプロセッサ
は、制御ブロック内の有効マーカがＲＯＭ１３に記憶さ
れた事前設定値と一致するかどうかを判定する。プロセ
ッサは制御ブロックの検査合計も計算し、それを制御ブ
ロック検査合計バイト内の値と比較する。そしてルーチ
ンは、これらの検査の結果とともに第５図の初期化ルー
チンにリターンする。
めに、プログラム制御によるマイクロプロセッサ１２の
動作を第５図〜第１０図によって説明する。第５図で、
ページ・プリンタの電源がオンになると、マイクロプロ
セッサはＮＶＲＡＭに関する初期化ルーチンを実行する
。最初のステップとして、第６図の″ＥＥＰＲＯＭ読取
り”ルーチンが実行される。ＥＥＰＲＯＭ１７の内容は
マイクロプロセッサからＮＶＲＡＭ１６への呼戻しスト
ローブ部に応答してチップＲＡＭ１８（第１図）に読込
まれる。これは、電源がオフの間にＥＥＰＲＯＭに記憶
された情報を、もしプリンタが予めオンになっているな
らばチップＲＡＭに書込む、従って、プロセッサは、こ
うしてＥＥＰＲＯＭ情報の複写を含むチップＲＡＭをア
クセスすることにより、ＥＥＰＲＯＭ１７の内容を読取
ることができる１次に、プロセッサはチップＲＡＭから
プロセッサＲＡＭ−流れ図では”ソース”ＲＡＭと呼ば
れるーに制御ブロック情報を書込む、そしてプロセッサ
は、制御ブロック内の有効マーカがＲＯＭ１３に記憶さ
れた事前設定値と一致するかどうかを判定する。プロセ
ッサは制御ブロックの検査合計も計算し、それを制御ブ
ロック検査合計バイト内の値と比較する。そしてルーチ
ンは、これらの検査の結果とともに第５図の初期化ルー
チンにリターンする。
もし有効マーカ及び検査合計が誤りを表わすならば、プ
ロセッサはソースＲＡＭ内の制御ブロック及び他のデー
タ値を工場設定省略値にセットする。制御ブロック工場
設定省略値のセツティングはＲＯＭ１３から複写される
。ユーザ設定省略値及びプリント・エンジン・パラメー
タのような、ソースＲＡＭ内のデータ・レジスタもＲＯ
Ｍ１３から得られる。
ロセッサはソースＲＡＭ内の制御ブロック及び他のデー
タ値を工場設定省略値にセットする。制御ブロック工場
設定省略値のセツティングはＲＯＭ１３から複写される
。ユーザ設定省略値及びプリント・エンジン・パラメー
タのような、ソースＲＡＭ内のデータ・レジスタもＲＯ
Ｍ１３から得られる。
次に、プロセッサは制御ブロックをチップＲＡＭに複写
し、更に他のブロック（例えば、第３図のブロック３２
〜３７）を複写する。このデータをチップＲＡＭに複写
するために、プロセッサは第７図に示す”複写”ルーチ
ンを用いる。もしチップＲＡＭがソースＲＡＭと同じデ
ータを含むならば、複写ルーチンは単にリターンする。
し、更に他のブロック（例えば、第３図のブロック３２
〜３７）を複写する。このデータをチップＲＡＭに複写
するために、プロセッサは第７図に示す”複写”ルーチ
ンを用いる。もしチップＲＡＭがソースＲＡＭと同じデ
ータを含むならば、複写ルーチンは単にリターンする。
もしチップＲＡＭデータがソースＲＡＭデータと異なる
ならば、ソース・データはチップＲＡＭに書込まれ、ル
ーチンは、変更が行なわれたという表示とともにリター
ンする。そしてプロセッサは、チップＲＡＭ１８にある
情報をＥＥＰＲＯＭ１７に転送するために、ライン２ｏ
に”記憶”ストローブを出す、これはＥＥＰＲＯＭへの
１つの書込みを指示する。初期化中のこの特定の書込み
は、プリンタの組立後の最初の電源オンの時にだけ行な
われる。ＥＥＰＲＯＭへの書込みの際には、書込まれた
データがＥＥＰＲＯＭ内の所定の位置に正確に配置され
且つセルの障害が起きないことを保証する追加のステッ
プが必要である。ＥＥＰＲＯＭへの書込み動作の詳細は
、後にＮＶＲＡＭメモリ管理プロセスの主要な動作と関
連して説明する。
ならば、ソース・データはチップＲＡＭに書込まれ、ル
ーチンは、変更が行なわれたという表示とともにリター
ンする。そしてプロセッサは、チップＲＡＭ１８にある
情報をＥＥＰＲＯＭ１７に転送するために、ライン２ｏ
に”記憶”ストローブを出す、これはＥＥＰＲＯＭへの
１つの書込みを指示する。初期化中のこの特定の書込み
は、プリンタの組立後の最初の電源オンの時にだけ行な
われる。ＥＥＰＲＯＭへの書込みの際には、書込まれた
データがＥＥＰＲＯＭ内の所定の位置に正確に配置され
且つセルの障害が起きないことを保証する追加のステッ
プが必要である。ＥＥＰＲＯＭへの書込み動作の詳細は
、後にＮＶＲＡＭメモリ管理プロセスの主要な動作と関
連して説明する。
もし、通常の場合のように、ＥＥＦＲＯＭ読取り後にチ
ップＲＡＭ内の制御ブロック情報に誤りがなければ、チ
ップＲＡＭからのデータはマイクロプロセッサＲＡＭメ
モリ１４内の適切な位置に書込まれる。この時点で、該
データの追加の検査が必要に応じて実行されることもあ
り、実行されないこともある。そして初期化は終了する
。
ップＲＡＭ内の制御ブロック情報に誤りがなければ、チ
ップＲＡＭからのデータはマイクロプロセッサＲＡＭメ
モリ１４内の適切な位置に書込まれる。この時点で、該
データの追加の検査が必要に応じて実行されることもあ
り、実行されないこともある。そして初期化は終了する
。
第９図のメインＮＶＲＡＭ管理ルーチンでは。
該ルーチンは、データをチップＲＡＭに書込むために、
もし必要なら、データをＥＥＰＲＯＭに書込むために実
行される。該メイン・ルーチンはページ・カウンタ情報
の更新、又は、頻度は少ないが、ユーザ設定省略値ない
しはプリント・エンジン・パラメータの変更を要求され
る。
もし必要なら、データをＥＥＰＲＯＭに書込むために実
行される。該メイン・ルーチンはページ・カウンタ情報
の更新、又は、頻度は少ないが、ユーザ設定省略値ない
しはプリント・エンジン・パラメータの変更を要求され
る。
もしページ・カウンタ情報を記憶するためにメイン・ル
ーチンが呼出されているならば、プロセッサは、第１０
図に示すように、”ページ・カウンタ複写”サブルーチ
ンを実行する。この動作のために、プロセッサは、ペー
ジ・カウント・データの各ニブルを、ＲＡＭ１４の制御
ブロック領域からチップＲＡＭ１８内の制御ブロック領
域に複写する。そしてサブルーチンはメイン・ルーチン
にリターンし、不一致があったかどうかを表示する。
ーチンが呼出されているならば、プロセッサは、第１０
図に示すように、”ページ・カウンタ複写”サブルーチ
ンを実行する。この動作のために、プロセッサは、ペー
ジ・カウント・データの各ニブルを、ＲＡＭ１４の制御
ブロック領域からチップＲＡＭ１８内の制御ブロック領
域に複写する。そしてサブルーチンはメイン・ルーチン
にリターンし、不一致があったかどうかを表示する。
もし不一致があったならば、ＥＥＰＲＯＭへの″書込み
”が要求される。これは一般にページ・カウンタが更新
される場合である。
”が要求される。これは一般にページ・カウンタが更新
される場合である。
もしメイン・ルーチンがページ・カウンタの更新を要求
されていなければ、プロセッサは次にユーザ設定省略値
の記憶が要求されているかどうかを判定する。もしそう
なら、ユーザ設定省略値情報がチップＲＡＭに複写され
、どんなデータの不一致も表示される。もしメイン・ル
ーチンがプリント・エンジン設定省略値の記憶を要求さ
れていれば、エンジン・パラメータがチップＲＡＭに複
写され、もしソース・データがチップＲＡＭデータに等
しくなければ、不一致が表示される。
されていなければ、プロセッサは次にユーザ設定省略値
の記憶が要求されているかどうかを判定する。もしそう
なら、ユーザ設定省略値情報がチップＲＡＭに複写され
、どんなデータの不一致も表示される。もしメイン・ル
ーチンがプリント・エンジン設定省略値の記憶を要求さ
れていれば、エンジン・パラメータがチップＲＡＭに複
写され、もしソース・データがチップＲＡＭデータに等
しくなければ、不一致が表示される。
どのデータが要求され、チップＲＡＭに書込まれた後で
も、プロセッサは不一致が表示されているかどうかを判
定する。もし不一致が表示されていなければ、ＥＥＰＲ
ＯＭには何も書込まれず、ルーチンはリターンする。も
し変更が行なわれているならば、第８図（第８ａ図及び
第８ｂ図から成る）のルーチンを用いて、ＥＥＰＲＯＭ
にデータが書込まれなければならない。
も、プロセッサは不一致が表示されているかどうかを判
定する。もし不一致が表示されていなければ、ＥＥＰＲ
ＯＭには何も書込まれず、ルーチンはリターンする。も
し変更が行なわれているならば、第８図（第８ａ図及び
第８ｂ図から成る）のルーチンを用いて、ＥＥＰＲＯＭ
にデータが書込まれなければならない。
Ｅ Ｅ Ｐ ＲＯＭにデータを書込むとき、プロセッサ
は先ずライン２０に”記憶”ストローブを生成し、チッ
プＲＡＭの内容のＥＥＰＲＯＭへの転送を可能にする適
当な遅延時間を生じさせる。そしてプロセッサは第６図
のルーチンを用いてＥＥＰＲＯＭを読取り、ＥＥＰＲＯ
ＭデータをチップＲＡＭに転送する。第６図のルーチン
で、プロセッサはチップＲＡＭからの制御ブロックもソ
ースＲＡＭ１４に書込むとともに、検査合計及び有効マ
ーカも検査する。これらの検査の結果は第８図のルーチ
ンに戻される。
は先ずライン２０に”記憶”ストローブを生成し、チッ
プＲＡＭの内容のＥＥＰＲＯＭへの転送を可能にする適
当な遅延時間を生じさせる。そしてプロセッサは第６図
のルーチンを用いてＥＥＰＲＯＭを読取り、ＥＥＰＲＯ
ＭデータをチップＲＡＭに転送する。第６図のルーチン
で、プロセッサはチップＲＡＭからの制御ブロックもソ
ースＲＡＭ１４に書込むとともに、検査合計及び有効マ
ーカも検査する。これらの検査の結果は第８図のルーチ
ンに戻される。
もしこれらの検査の結果のどちらかが不一致ならば、Ｎ
ＶＲＡＭには回復不能な誤りが生じている。この状況は
ＮＶＲＡＭメモリが十分な変更を許されない時にだけ生
じることがある。制御ブロックの変更回数は典型的なＮ
ＶＲＡＭの変更回数の定格５ｏｏｏ回（又はそれ以上）
よりもずっと少ないので、回復不能な誤りは欠陥のある
ＮＶＲＡＭチップの場合に起こるだけである。
ＶＲＡＭには回復不能な誤りが生じている。この状況は
ＮＶＲＡＭメモリが十分な変更を許されない時にだけ生
じることがある。制御ブロックの変更回数は典型的なＮ
ＶＲＡＭの変更回数の定格５ｏｏｏ回（又はそれ以上）
よりもずっと少ないので、回復不能な誤りは欠陥のある
ＮＶＲＡＭチップの場合に起こるだけである。
十分な制御ブロック情報がある典型的な状況では、プロ
セッサは次に第７図の複写ルーチンを用いてチップＲＡ
Ｍ内の各データ領域を検査し、それがＲＡＭ１４内のソ
ース・データと一致することを確かめる。これはＥＥＰ
ＲＯＭへの書込みがうまく行なわれた場合である。各デ
ータ領域を検査している時、もしデータの不一致がなけ
れば。
セッサは次に第７図の複写ルーチンを用いてチップＲＡ
Ｍ内の各データ領域を検査し、それがＲＡＭ１４内のソ
ース・データと一致することを確かめる。これはＥＥＰ
ＲＯＭへの書込みがうまく行なわれた場合である。各デ
ータ領域を検査している時、もしデータの不一致がなけ
れば。
最後のデータ領域に達するまでプロセッサは検査ループ
を反復する。もし不一致が生じなければ。
を反復する。もし不一致が生じなければ。
ルーチンはリターンする。
このループの実行中に、もし不一致が表示されれば、プ
ロセッサはＥＥＰＲＯＭ内に該不一致のブロックの再配
置に使用可能なメモリがあるかどうかを判定する。もし
使用可能なメモリがなければ、重大な誤りがある。この
誤りはプリンタで表示される。
ロセッサはＥＥＰＲＯＭ内に該不一致のブロックの再配
置に使用可能なメモリがあるかどうかを判定する。もし
使用可能なメモリがなければ、重大な誤りがある。この
誤りはプリンタで表示される。
もし不一致のデータの再配置に使用可能なメモリがあれ
ば、プロセッサは不一致のブロックの制御ブロック・ポ
インタを空きポインタの値に変更する。そして空きポイ
ンタは、再配置されるブロツクに必要なメモリの量だけ
前の値からオフセットされた、残りの空き領域の最初に
増分される。
ば、プロセッサは不一致のブロックの制御ブロック・ポ
インタを空きポインタの値に変更する。そして空きポイ
ンタは、再配置されるブロツクに必要なメモリの量だけ
前の値からオフセットされた、残りの空き領域の最初に
増分される。
そして第７図の複写サブルーチンは不一致のデータ・ブ
ロックのソースＲＡＭデータをチップＲＡＭ内の新しい
位置に書込むのに用いられる。
ロックのソースＲＡＭデータをチップＲＡＭ内の新しい
位置に書込むのに用いられる。
最後のデータが検査された後、もし１又はそれ以上のデ
ータ・ブロックの不一致があったならば。
ータ・ブロックの不一致があったならば。
プロセッサは更新されたチップＲＡＭ情報のＥＥＰＲＯ
Ｍへの書込みを開始する。最初、プロセッサは、ＲＡＭ
内の該変更された制御ブロックの正しい検査合計を得る
ように、制御ブロック検査合計を再計算する。そしてプ
ロセッサは第７図の複写サブルーチンを用いて制御ブロ
ック情報をチップＲＡＭに移す。
Ｍへの書込みを開始する。最初、プロセッサは、ＲＡＭ
内の該変更された制御ブロックの正しい検査合計を得る
ように、制御ブロック検査合計を再計算する。そしてプ
ロセッサは第７図の複写サブルーチンを用いて制御ブロ
ック情報をチップＲＡＭに移す。
次に、プロセッサは”ＥＥＰＲＯＭ書込み”ルーチンを
再実行する。このルーチンにより、正しい情報がＥＥＰ
ＲＯＭに書込まれる。しかしながら、もし別の不一致が
起きれば、該ルーチンが再び実行される。前述のように
、不一致が起きない時は、ルーチンは、この場合には第
９図のメイン・ルーチンに、リターンする。そしてメイ
ン・ルーチンは終了し、該ルーチンを呼出した機能にリ
ターンする。
再実行する。このルーチンにより、正しい情報がＥＥＰ
ＲＯＭに書込まれる。しかしながら、もし別の不一致が
起きれば、該ルーチンが再び実行される。前述のように
、不一致が起きない時は、ルーチンは、この場合には第
９図のメイン・ルーチンに、リターンする。そしてメイ
ン・ルーチンは終了し、該ルーチンを呼出した機能にリ
ターンする。
Ｆ０発明の効果
本発明の非揮発性メモリ処理システムは、制御ブロック
部及びデータ部を持つように割振られた非揮発性メモリ
を含むページ・プリンタ制御装置の形式をとる。この制
御装置は非揮発性メモリ内のデータ部にある、非揮発性
メモリの制御ブロック部に含まれたポインタによって指
示された位置にデータを記憶する。もしデータ記憶誤り
が起きれば、制御装置は、非揮発性メモリのデータ部に
新しいデータ記憶位置を指示するために、関連した制御
ブロック・ポインタを変更し、そしてこの新しい位置に
データを書込む、このようにして本発明では、操作員の
介入、即ち制御装置の電気的接続又は構成要素の交換な
しに、データ記憶誤りから回復することができる。
部及びデータ部を持つように割振られた非揮発性メモリ
を含むページ・プリンタ制御装置の形式をとる。この制
御装置は非揮発性メモリ内のデータ部にある、非揮発性
メモリの制御ブロック部に含まれたポインタによって指
示された位置にデータを記憶する。もしデータ記憶誤り
が起きれば、制御装置は、非揮発性メモリのデータ部に
新しいデータ記憶位置を指示するために、関連した制御
ブロック・ポインタを変更し、そしてこの新しい位置に
データを書込む、このようにして本発明では、操作員の
介入、即ち制御装置の電気的接続又は構成要素の交換な
しに、データ記憶誤りから回復することができる。
第１図は本発明を実現するページ・プリンタ・エンジン
及び制御装置の概要ブロック図である。 第２図は第１図の制御装置のＮＶＲＡＭ内のメモリ・セ
ル構成を示す図である。 第３図は第１図のＮＶＲＡＭ内の制御ブロック及びＮＶ
ＲＡＭ内のデータ領域を指す、制御ブロック内のポイン
タを示す図である。 第４図は第３図に類似の、制御ブロック・ポインタ情報
が変更されている図である。 第５図は第１図のマイクロプロセッサによって実行され
るＮＶＲＡＭ初期化ルーチンの流れ図である。 第６図は第５図の動作で用いる。ＮＶＲＡＭのＥＥＰＲ
ＯＭから情報を読取るルーチンの流れ図である。 第７図は第５図の動作で用いる、ＮＶＲＡＭに情報を複
写するルーチンの流れ図である。 第８ａ図及び第８ｂ図 ゛ は第５図の動作で
用いる、ＮＶＲＡＭ（７）ＥＥＰＲＯＭ４．−データを
書込むルーチンの流れ図である。 第９図は第１図のマイクロプロセッサによって実行され
るメインＮＶＲＡＭ管理ルーチンの流れ図である。 第１０図は第９図のルーチンによって用いられる。ＮＶ
ＲＡＭにページ・カウント情報を複写するルーチンの流
れ図である。 １１・・・・プリンタ制御装置、１２・・・・マイクロ
プロセッサ、１３・・・・ＲＯＭ、１４・・・・ＲＡＭ
、１５・・・−プリント・エンジン、１６・・・・チッ
プＮＶＲＡＭ、１７−−−・ＥＥＰＲＯＭ、１８−−−
−チップＲＡＭ。
及び制御装置の概要ブロック図である。 第２図は第１図の制御装置のＮＶＲＡＭ内のメモリ・セ
ル構成を示す図である。 第３図は第１図のＮＶＲＡＭ内の制御ブロック及びＮＶ
ＲＡＭ内のデータ領域を指す、制御ブロック内のポイン
タを示す図である。 第４図は第３図に類似の、制御ブロック・ポインタ情報
が変更されている図である。 第５図は第１図のマイクロプロセッサによって実行され
るＮＶＲＡＭ初期化ルーチンの流れ図である。 第６図は第５図の動作で用いる。ＮＶＲＡＭのＥＥＰＲ
ＯＭから情報を読取るルーチンの流れ図である。 第７図は第５図の動作で用いる、ＮＶＲＡＭに情報を複
写するルーチンの流れ図である。 第８ａ図及び第８ｂ図 ゛ は第５図の動作で
用いる、ＮＶＲＡＭ（７）ＥＥＰＲＯＭ４．−データを
書込むルーチンの流れ図である。 第９図は第１図のマイクロプロセッサによって実行され
るメインＮＶＲＡＭ管理ルーチンの流れ図である。 第１０図は第９図のルーチンによって用いられる。ＮＶ
ＲＡＭにページ・カウント情報を複写するルーチンの流
れ図である。 １１・・・・プリンタ制御装置、１２・・・・マイクロ
プロセッサ、１３・・・・ＲＯＭ、１４・・・・ＲＡＭ
、１５・・・−プリント・エンジン、１６・・・・チッ
プＮＶＲＡＭ、１７−−−・ＥＥＰＲＯＭ、１８−−−
−チップＲＡＭ。
Claims (5)
- （１）制御ブロック部及びデータ部を含む非揮発性メモ
リ、 非揮発性メモリのデータ部において非揮発性メモリの制
御ブロック部にあるポインタの値によって指示された位
置にデータを記憶する手段、非揮発性メモリに正確にデ
ータが記憶されていないかどうかを判定する手段、及び もし非揮発性メモリにデータが正確に記憶されていない
ならば、非揮発性メモリの制御ブロック部にあるポイン
タの値を変更し、それによって非揮発性メモリのデータ
部にある位置を制御ブロック部にあるポインタによって
指示された位置に変更し、前記データを記憶する手段は
、前記正確に記憶されなかったデータを、非揮発性メモ
リの制御ブロック部にある該変更されたポインタの値に
よって指示された位置に記憶するように作動させる手段
を含むページ・プリンタ制御装置。 - （２）特許請求の範囲第（１）項記載のページ・プリン
タ制御装置であって、前記データを記憶する手段は、非
揮発性メモリの制御ブロック部にある複数のポインタの
値によって指示された複数の、非揮発性メモリのデータ
部にある位置にデータを記憶する手段を含み、もし当該
ポインタによって指示された位置のデータが非揮発性メ
モリに正確に記憶されないならば、前記ポインタの値を
変更する手段は非揮発性メモリの制御ブロック部にある
ポインタの値をどれでも変更する手段を含むページ・プ
リンタ制御装置。 - （３）プリント・エンジン及びプリンタ制御装置を含む
ページ・プリンタであって、該プリンタ制御装置には 制御ブロック部及びデータ部を含む非揮発性メモリ、 非揮発性メモリのデータ部において非揮発性メモリの制
御ブロック部にあるポインタの値によって指示された位
置にデータを記憶する手段、非揮発性メモリに正確にデ
ータが記憶されていないかどうかを判定する手段、及び もし非揮発性メモリにデータが正確に記憶されていなけ
れば、非揮発性メモリの制御ブロック部にあるポインタ
の値を変更し、それによって非揮発性メモリのデータ部
内の位置を制御ブロック部にあるポインタによって指示
された位置に変更し、前記データを記憶する手段は、前
記正確に記憶されなかったデータを、非揮発性メモリの
制御ブロック部にある該変更されたポインタの値によっ
て指示された位置に記憶するように作動させる手段を含
むページ・プリンタ。 - （４）特許請求の範囲第（３）項記載のページ・プリン
タであって、前記データを記憶する手段は、非揮発性メ
モリの制御ブロック部にある複数のポインタの値によっ
て指示された複数の、非揮発性メモリのデータ部にある
位置にデータを記憶する手段を含み、もし当該ポインタ
によって指示された位置のデータが非揮発性メモリに正
確に記憶されないならば、前記ポインタの値を変更する
手段は非揮発性メモリの制御ブロック部にあるポインタ
の値をどれでも変更する手段を含むページ・プリンタ。 - （５）特許請求の範囲第（４）項記載のページ・プリン
タであって、前記データを記憶する手段は印刷されたペ
ージをカウントするデータを記憶する手段を含むページ
・プリンタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/389,028 US5023813A (en) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | Non-volatile memory usage |
| US389028 | 1989-08-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376678A true JPH0376678A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=23536533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2190889A Pending JPH0376678A (ja) | 1989-08-03 | 1990-07-20 | ページ・プリンタおよびその制御装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5023813A (ja) |
| EP (1) | EP0412039A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0376678A (ja) |
| CA (1) | CA2021274C (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0779000B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1995-08-23 | 沖電気工業株式会社 | 計数装置 |
| JP3485938B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2004-01-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
| KR0121800B1 (ko) * | 1992-05-08 | 1997-11-22 | 사또오 후미오 | 메모리 카드장치 |
| JP2611623B2 (ja) * | 1993-06-08 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | 自動周波数制御装置 |
| US5682517A (en) * | 1994-06-21 | 1997-10-28 | Pitney Bowes Inc. | Method of transferring data to a memory medium in a mailing machine |
| DE4427108A1 (de) * | 1994-07-30 | 1996-02-01 | Bosch Gmbh Robert | Kraftfahrzeug-Steuergerät |
| EP1093080B1 (en) * | 1995-09-22 | 2003-11-26 | Lexmark International, Inc. | Printer with high bandwidth compression architecture |
| US5704022A (en) * | 1995-09-22 | 1997-12-30 | Lexmark International, Inc. | Printer with high bandwidth compression architecture |
| US5791790A (en) * | 1996-03-13 | 1998-08-11 | Lexmark International, Inc. | Method and apparatus for providing print job buffering for a printer on a fast data path |
| NL1003338C2 (nl) * | 1996-06-13 | 1997-12-17 | Nederland Ptt | Methode en besturingsmiddelen voor het beschrijven van een geheugen. |
| US6449735B1 (en) * | 1996-07-01 | 2002-09-10 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing improved diagnostic functions in a computer system |
| US5835788A (en) * | 1996-09-18 | 1998-11-10 | Electronics For Imaging | System for transferring input/output data independently through an input/output bus interface in response to programmable instructions stored in a program memory |
| TW388832B (en) * | 1997-11-26 | 2000-05-01 | Seiko Epson Corp | Printing apparatus and its control method |
| JP4135220B2 (ja) * | 1998-07-01 | 2008-08-20 | 株式会社デンソー | 車両用電子制御装置 |
| US6429949B1 (en) | 1998-10-15 | 2002-08-06 | Electronics For Imaging, Inc. | Low memory printer controller |
| US6641312B1 (en) * | 2000-10-31 | 2003-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Printer and method for executing a print job and storing print usage information |
| US20040184059A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Dennis Chun | Printer language and program for generating same |
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| WO2006093201A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | メモリモジュール、メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びメモリの読み書き方法 |
| US7426613B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-09-16 | Lexmark International, Inc. | Addressing, command protocol, and electrical interface for non-volatile memories utilized in recording usage counts |
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| US9245591B2 (en) | 2005-06-16 | 2016-01-26 | Lexmark International, Inc. | Addressing, command protocol, and electrical interface for non-volatile memories utilized in recording usage counts |
| ATE517372T1 (de) | 2007-01-24 | 2011-08-15 | Oce Tech Bv | Bilderzeugungsvorrichtung mit funktion zum zählen der von der vorrichtung angezeigten bilder |
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| EP0412039A3 (en) | 1992-05-27 |
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| EP0412039A2 (en) | 1991-02-06 |
| CA2021274C (en) | 1995-08-15 |
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