KR890002885A - 샐프-리프레싱작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치 - Google Patents

샐프-리프레싱작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

셀프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액서스 메모리 장치
제 1도는 본 발명의 제 1실시예에 따른 다이나믹랜덤액세스 메모리의 샐프-리프레싱회로를 도시한 블록도. 제 2도는 제 1도내 샐브-리프레싱 클라크발생기의 구조를 도시한 블록도. 제 3도는 제 2도내분조비 제어회로의 회로도
본 건은 외부공개 건이므로 전문 내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 샐프-리프레싱작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치는 매트릭스형태내 배열된 다수의 메모리셀을 지닌 메모리셀 매트릭스와, 상기 메모리셀 매트릭스의 행과 열중 어느 하나를 선택하는 행선택 회로와 열 선택회로와, 리프레싱을 하기위해 상기 행 선택회로로 선택된 메모리셀 메트릭스내에서 메모리셀내의 데이타를 읽어내고 동일 메모리셀내에 다시 데이타를 기록하는 감지리프레싱증폭기와,상기 열선택회로로 선택된 메모리셀중의 메모리셀내 데이타의 오차를 검출하고 정정하는 오차정정회로와, 리프레싱과 정정되는 메모리셀의 행과 열의 어드레스를 저장하는 어드레스 계수기 수단과 가변클라크 주기를 지닌 샐프-리프레싱 클라크 발생기와 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기에서 샐프-리프레싱 를라크를 수용하고 일련의 제어 클라크펄스를 상기 어드레스 계수기수단. 행선택회로, 열선택회로, 감지러프레싱중폭기와 오차정정회로에 공급하는 제어클라크 발생기와, 상기 메모리셀의 중지시간에 대응하는 최대값의 근접을 유지하기 위하여. 상기 오차정정 회로가 오차를 정정할때 상기 오차 정정회로에서 인도된 오차검출신호로 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기의 를라크 주기를 제어하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹 랜덤액세스 메모리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 오차검출신호가 발생할때마다 샐프-리프레싱 클라크발생기의 클라크주기를 짧게하기위해 제어하고 소정주기동안 읽혀지는 데이타내 오차가 없을때 샐프-리프레싱 클라크 발생기의 클라크주기를 확장하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리 장치
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제어수단은 열어드레스를 저장하는 어드레스 계수기 수단에서 온 운반신호로 계수되고 오차정정회로에서의 오차검출신호로 리세트되는 계수회로를 포함하여, 샐프-리프레싱 클라크발생기의 클라크주기는 계수기회로의 출력신호와 오차검출신호에 의해 변하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기는 자려를 라크발생원, 클라크 발생원에서의 클라크 주파수를 분조하는 분조회로, 오차검출신호와 계수기회로의 출력신호로 분조회로의 분조비를 제어하는 분조비제어 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 멕모리장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기의 분조회로의 분조비는 오차 검출신호가 발생하는 때마다 증가하며. 상기 분조회로의 분조비는 상기 계수기회로의 출력에 의해 감소하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제어수단은 소정타이밍에서 출력을 발생하는 타이머회로를 포함하며, 샐프-리프레싱 클라크발생기의 를라크 주기는 오차검출신호와 타이머회로의 출력신호에 의해 변하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기는 자려클라크발생원, 클라크 발생원에서의 출력을 분조하는 분조회로와 오차검출신호와 타이머 회로의 출력 신호로 상기 분조회로의 분조비를 제어하는 분조비 제어 회로의 구성되는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 샐프-리프레싱 클라크발생기의 분조회로의 분조비는 상기 오차 검출신호가 발생할때마다 증가하며, 상기 분조회로의 분조비는 상기 타이머회로의 출력신호로 감소하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  9. 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치는, 메트릭스 형태내 배열한 다수의 메모리셀을 지닌 메모리셀 메트릭스와. 상기 메모리셀 매트릭스내 메모리셀의 데이타를 읽고 재기록하는 리프레싱수단과, 상기 리프레싱수단에 의한 리프레싱작동시 메모리셀내에 데이타내 오차를 검출하고 정정하는 오차 정정 수단과, 클라크펄스를 상기 리프레싱 수단과 오차정정 수단에 공급하는 가변클라크 주기를 지닌 클라크 발생 수단과, 상기 메모리셀의 중지시간에 대응하는 최대값의 근접을 유지하기위해 상기 오차정정 수단에 의한 오차정정시에 발생되는 오차검출신호로 상기 플라크발생 수단의 클라크주기를 제어하는 제어수단을 포함 하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  10. 제 9항에 있어서. 상기 제어수단은 오차검출신호가 발생할때마다 클라크발생수단의 클라크주기를 짧게 하기 위해 제어하며, 소정주기 동안 데이타내 읽혀지는 오차가 없을때 클라크발생 수단의 플라크주기를 과장 하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
  11. 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리는. 메트릭스 형태로 배열된 단수의 메모리셀을 지닌 메모리셀 메트릭스와, 메모리셀 메트릭스내 메모리셀의 데이타를 읽고 재기록하는 리프레싱 수단과, 리프레싱 수단에 의한 리프레싱작동시 메모리셀내 데이타의 오차를 검출하는 오차검출수단과, 리프레싱 수단과 오차검출수단에 클라크를 공급하는 가변클라크주기를 지닌 클라크발생 수단과 메모리셀의 중지시간에 대응하는 최대값의 근접을 유지하기 위해 오차검출 수단으로 발생된 오차검출신호로 상기 클라크 발생수단의 클라크주기를 제어하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리 장치.·
  12. 제11항에 있어서, 상기 제어수단은 오차검출신호가 발생할때마다 클라크 발생수단의 클라크주기를 짧게하기 위해 제어하며, 소정주기동안 데이타내 읽혀지는 오차가 없는 경우 클라크발생 수단의 클라크주기를 확장하는 것을 특징으로 하는 샐프-리프레싱 작동을 지닌 다이나믹랜덤액세스 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450070B1 (ko) * 2001-01-22 2004-09-30 엘피다 메모리, 아이엔씨. 셀프 리프레시 모드를 갖는 반도체 메모리 장치 및 방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2239539B (en) * 1989-11-18 1994-05-18 Active Book Co Ltd Method of refreshing memory devices
DE69128061T2 (de) * 1990-08-30 1998-03-26 Nec Corp Halbleiterspeicheranordnung
JP2856598B2 (ja) * 1992-06-04 1999-02-10 三菱電機株式会社 ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
JPH06124587A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
US5495491A (en) * 1993-03-05 1996-02-27 Motorola, Inc. System using a memory controller controlling an error correction means to detect and correct memory errors when and over a time interval indicated by registers in the memory controller
US5335202A (en) * 1993-06-29 1994-08-02 Micron Semiconductor, Inc. Verifying dynamic memory refresh
US5418751A (en) * 1993-09-29 1995-05-23 Texas Instruments Incorporated Variable frequency oscillator controlled EEPROM charge pump
US5446695A (en) * 1994-03-22 1995-08-29 International Business Machines Corporation Memory device with programmable self-refreshing and testing methods therefore
US5457659A (en) * 1994-07-19 1995-10-10 Micron Technology, Inc. Programmable dynamic random access memory (DRAM)
WO1996028825A1 (fr) * 1995-03-15 1996-09-19 Hitachi, Ltd. Memoire a semi-conducteur
JP3489906B2 (ja) * 1995-04-18 2004-01-26 松下電器産業株式会社 半導体メモリ装置
US6433607B2 (en) * 1998-01-21 2002-08-13 Fujitsu Limited Input circuit and semiconductor integrated circuit having the input circuit
JP3177207B2 (ja) 1998-01-27 2001-06-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション リフレッシュ間隔制御装置及び方法、並びにコンピュータ
JP2000048567A (ja) * 1998-05-22 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
US6292869B1 (en) 1998-08-31 2001-09-18 International Business Machines Corporation System and method for memory scrub during self timed refresh
JP4454083B2 (ja) 1999-11-29 2010-04-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
JP4707803B2 (ja) * 2000-07-10 2011-06-22 エルピーダメモリ株式会社 エラーレート判定方法と半導体集積回路装置
US7171605B2 (en) * 2002-02-01 2007-01-30 International Business Machines Corporation Check bit free error correction for sleep mode data retention
TWI249101B (en) * 2002-04-11 2006-02-11 Via Tech Inc Method and related apparatus for using a dynamic random access memory to substitute for a hard disk drive
JP4627411B2 (ja) * 2003-05-20 2011-02-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 メモリ装置及びメモリのエラー訂正方法
JP4608235B2 (ja) * 2004-04-14 2011-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置及び半導体記憶システム
JP4237109B2 (ja) 2004-06-18 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置及びリフレッシュ周期制御方法
US7894282B2 (en) * 2005-11-29 2011-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic random access memory device and method of determining refresh cycle thereof
JP5018783B2 (ja) * 2006-10-20 2012-09-05 富士通株式会社 メモリ装置及びリフレッシュ調整方法
US7975170B2 (en) * 2007-06-15 2011-07-05 Qimonda Ag Memory refresh system and method
US8255740B2 (en) 2010-09-27 2012-08-28 International Business Machines Corporation Multi-level DIMM error reduction
KR20170030207A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5148229A (ko) * 1974-10-23 1976-04-24 Hitachi Ltd
JPS5250648A (en) * 1975-10-22 1977-04-22 Hitachi Ltd Semi-conductor memory
JPS52137221A (en) * 1976-05-12 1977-11-16 Hitachi Ltd Memory device
US4333167A (en) * 1979-10-05 1982-06-01 Texas Instruments Incorporated Dynamic memory with on-chip refresh invisible to CPU
US4412314A (en) * 1980-06-02 1983-10-25 Mostek Corporation Semiconductor memory for use in conjunction with error detection and correction circuit
JPS5987695A (ja) * 1982-11-11 1984-05-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置
EP0116774B1 (en) * 1982-12-27 1991-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with a refresh mechanism
JPS6134793A (ja) * 1984-07-27 1986-02-19 Hitachi Ltd ダイナミツクメモリ装置における診断及びエラ−訂正装置
JPS6150287A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Toshiba Corp ダイナミツクメモリの自動リフレツシユ制御回路
JPS61214298A (ja) * 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 誤り訂正機能を備えた半導体記憶装置
JPH087995B2 (ja) * 1985-08-16 1996-01-29 富士通株式会社 ダイナミツク半導体記憶装置のリフレツシユ方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450070B1 (ko) * 2001-01-22 2004-09-30 엘피다 메모리, 아이엔씨. 셀프 리프레시 모드를 갖는 반도체 메모리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0301794B1 (en) 1991-07-10
US4935900A (en) 1990-06-19
JPS6432489A (en) 1989-02-02
KR910009440B1 (ko) 1991-11-16
DE3863604D1 (de) 1991-08-14
JPH0456396B2 (ko) 1992-09-08
EP0301794A1 (en) 1989-02-01

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