KR20240031417A - 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품 - Google Patents

함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품 Download PDF

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기요타카 다카오
가즈에 도다
겐지 이시제키
아키라 이소베
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성 및 외관이 우수한 표면층을 형성할 수 있는 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물 및 코팅액, 그리고 표면층을 갖는 물품의 제공. A1-O-(Rf1O)m1-Q1-[C(O)N(R1)]p1-R11-C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 으로 나타내는 함불소 에테르 화합물. 단, A1:탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기, Rf1:분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, m1:2 ∼ 210 의 정수, Q1:단결합 또는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, R1:수소 원자 등, p1:0 또는 1, R11:단결합, 알킬렌기 등, R12:알킬렌기 등, R13:1 가의 탄화수소기 등, X1:가수 분해성기, n1:0 ∼ 2 의 정수.

Description

함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품 {FLUORINE-CONTAINING ETHER COMPOUND, FLUORINE-CONTAINING ETHER COMPOSITION, COATING SOLUTION AND PART}
본 발명은 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품에 관한 것이다.
함불소 화합물은, 높은 윤활성, 발수발유성 등을 나타내기 때문에, 표면 처리제에 적합하게 사용된다. 그 표면 처리제에 의해 기재의 표면에 발수발유성을 부여하면, 기재 표면의 오염을 닦아내기 쉬워져, 오염 제거성이 향상된다. 그 함불소 화합물 중에서도, 퍼플루오로알킬 사슬의 중간에 에테르 결합 (-O-) 이 존재하는 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬을 갖는 함불소 에테르 화합물은, 특히 유지 (油脂) 등의 오염 제거성이 우수하다.
그 함불소 에테르 화합물을 포함하는 표면 처리제는, 손가락으로 반복해서 마찰되어도 발수발유성이 잘 저하되지 않는 성능 (내마찰성) 및 닦아내기에 의해 표면에 부착된 지문을 용이하게 제거할 수 있는 성능 (지문 오염 제거성) 이 장기간 유지되는 것이 요구되는 용도, 예를 들어, 터치 패널의, 손가락으로 만지는 면을 구성하는 부재의 표면 처리제로서 사용된다.
기재의 표면에 형성되는 표면층에 내마찰성을 부여하기 위해서는, 예를 들어, 함불소 에테르 화합물의 말단에 가수 분해성 실릴기를 도입하고, 함불소 에테르 화합물과 기재를 화학 결합시키면 된다. 내마찰성이 우수한 표면층을 형성하는 것을 목적으로 한 함불소 에테르 화합물로는, 함불소 에테르 화합물의 양말단의 각각에, 펜타에리트리톨에 의한 분기 구조를 개재하여 3 개의 가수 분해성 실릴기를 도입한 함불소 에테르 화합물이 제안되어 있다 (특허문헌 1).
일본 공개특허공보 2014-070163호
본 발명자들의 지견에 의하면, 특허문헌 1 에 기재된 함불소 에테르 화합물에는, 하기의 문제가 있다.
·함불소 에테르 화합물의 양말단의 가수 분해성 실릴기가 기재와 반응하거나, 분자간에서 반응하거나 함으로써, 함불소 에테르 화합물의 양말단이 고정화된다. 그 때문에, 표면층의 윤활성 (표면층을 손가락으로 만졌을 때의 매끄러움) 및 내마찰성이 불충분해진다.
·폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이 분기 구조를 갖고 있기 때문에, 표면층의 지문 오염 제거성 및 윤활성이 불충분해진다.
·말단의 비불소 부분 (펜타에리트리톨에 의한 분기 구조 및 3 개의 가수 분해성 실릴기) 의 함유량이 많기 때문에, 표면층의 외관이 나빠지기 쉽다. 그 이유는, 함불소 에테르 화합물 분자간에서 가수 분해성 실릴기끼리가 응집하기 쉽고, 코팅액 중에 있어서, 또는 코팅액을 기재의 표면에 도포한 후, 건조시키는 도중에, 가수 분해성 실릴기끼리가 응집하고 반응하여 불균일한 층을 형성하기 때문인 것으로 생각된다.
본 발명은, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성 및 외관이 우수한 표면층을 형성할 수 있는 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물 및 코팅액, 그리고 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성 및 외관이 우수한 표면층을 갖는 물품의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은, 하기 [1] ∼ [14] 의 구성을 갖는 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물, 코팅액 및 물품을 제공한다.
[1] 하기 식 (1) 로 나타내는, 함불소 에테르 화합물.
단,
A1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기이고,
Rf1 은, 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고,
m1 은, 2 ∼ 210 의 정수이고,
(Rf1O)m1 은, 2 종 이상의 Rf1O 로 이루어지는 것이어도 되고,
Q1 은, 단결합 또는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고,
R1 은, 수소 원자 또는 알킬기이고,
p1 은, 0 또는 1 이고,
R11 은, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,
R12 는, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,
R13 은, 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,
X1 은, 가수 분해성기이고,
n1 은, 0 ∼ 2 의 정수이고,
3 개의 [-R12-SiR13 n1X1 3-n1] 은, 전부 동일한 기가 아니어도 된다.
[2] 상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물이, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물인, [1] 의 함불소 에테르 화합물.
단,
A1, Q1, R1, p1, R11, R12, R13, X1 및 n1 은, 상기 식 (1) 과 동일하고,
RF1 은, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고, m10 은 2 이상의 정수이고, (RF1O)m10 은, 2 종 이상의 RF1O 로 이루어지는 것이어도 되고,
Rf5 는, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m5 는 0 ∼ 4 의 정수이고, m5 가 2 ∼ 4 의 정수인 경우 (Rf5O)m5 는 2 종 이상의 Rf5O 로 이루어지는 것이어도 되고,
Rf6 은, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m6 은 0 ∼ 4 의 정수이고, m6 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우 (Rf6O)m6 은 2 종 이상의 Rf6O 로 이루어지는 것이어도 되고,
m10+m5+m6=m1 이다.
[3] 상기 RF1 이, 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬렌기이고, Rf5, Rf6 이, 각각 독립적으로, 탄소수 2 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기인, [2] 의 함불소 에테르 화합물.
[4] Rf5, Rf6 이, 각각 독립적으로, 수소 원자 수가 1 또는 2 의 플루오로알킬렌기인, [2] 또는 [3] 의 함불소 에테르 화합물.
[5] 상기 p1 이 0 인 경우, m6 은 1 또는 2 이고 또한 Q1 은 단결합이고, R11 에 결합하는 (Rf6O) 는 (Rf7CH2O) 로 나타내는 기이고,
상기 p1 이 1 인 경우, m6 은 0 이고 또한 Q1 은 플루오로알킬렌기인,
[2] ∼ [4] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[6] 상기 m10 이 5 이상인, [2] ∼ [5] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[7] 상기 Q1 이 플루오로알킬렌기인 경우, 그 플루오로알킬렌기가 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬렌기인, [1] ∼ [6] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[8] 상기 p1 이 0 인 경우, 상기 R11 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기이고, 상기 p1 이 1 인 경우, 상기 R11 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기인, [1] ∼ [7] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[9] 상기 R12 가, 탄소수 2 ∼ 6 의 알킬렌기 또는 탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 탄소수 3 ∼ 8 의 알킬렌기인, [1] ∼ [8] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[10] 수 평균 분자량이 500 ∼ 20,000 인, [1] ∼ [9] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물.
[11] 상기 [1] ∼ [10] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물과, 상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 이외의 함불소 에테르 화합물을 포함하는 함불소 에테르 조성물로서,
상기 함불소 에테르 조성물 중의 상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계의 비율이, 함불소 에테르 조성물에 대하여 80 ∼ 100 질량% 이고,
상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계에 대한 상기 다른 함불소 에테르 화합물의 비율이, 0 질량% 초과 40 질량% 미만인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.
[12] 상기 다른 함불소 에테르 화합물이, 하기 함불소 에테르 화합물 (2), 하기 함불소 에테르 화합물 (3) 및 하기 함불소 에테르 화합물 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, [11] 의 함불소 에테르 조성물.
함불소 에테르 화합물 (2):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는, 함불소 에테르 화합물.
함불소 에테르 화합물 (3):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 A1 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는, 함불소 에테르 화합물.
함불소 에테르 화합물 (4):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 이 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 로 치환되어 있는 (단, R15 는, HSiR13 n1X1 3-n1 을 부가하면 -R12-SiR13 n1X1 3-n1 이 되는 불포화 결합 함유기, 또는 그 불포화 결합 함유기의 이성체 기, t 는 1 ∼ 3 의 정수.), 함불소 에테르 화합물.
[13] 상기 [1] ∼ [10] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물, 또는 [11] 또는 [12] 의 함불소 에테르 조성물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.
[14] 상기 [1] ∼ [10] 중 어느 하나의 함불소 에테르 화합물, 또는 [11] 또는 [12] 의 함불소 에테르 조성물로부터 형성되는 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.
본 발명의 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 조성물 및 코팅액에 의하면, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성 및 외관이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
본 발명의 물품은, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성 및 외관이 우수한 표면층을 갖는다.
본 명세서에 있어서, 식 (1) 로 나타내는 화합물을 화합물 (1) 이라고 기재한다. 다른 식으로 나타내는 화합물도 동일하게 기재한다.
본 명세서의 이하의 용어의 의미는, 이하와 같다.
「퍼플루오로알킬기」 란, 알킬기의 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 기를 의미한다.
「플루오로알킬렌기」 란, 알킬렌기의 수소 원자의 1 개 이상이 불소 원자로 치환된 기를 의미한다.
「퍼플루오로알킬렌기」 란, 알킬렌기의 수소 원자 전부가 불소 원자로 치환된 기를 의미한다.
옥시퍼플루오로알킬렌기의 화학식은, 그 산소 원자를 퍼플루오로알킬렌기의 우측에 기재하여 나타내는 것으로 한다.
「에테르성 산소 원자」 란, 탄소-탄소 원자간에 있어서 에테르 결합 (-O-) 을 형성하는 산소 원자를 의미한다.
「가수 분해성 실릴기」 란, 가수 분해 반응함으로써 실란올기 (Si-OH) 를 형성할 수 있는 기를 의미한다. 예를 들어, 식 (1) 중의 SiR13 n1X1 3-n1 이다.
「표면층」 이란, 기재의 표면에 형성되는 층을 의미한다.
함불소 에테르 화합물의 「수 평균 분자량」 은, NMR 분석법을 이용하고, 하기 방법으로 산출된다.
1H-NMR 및 19F-NMR 에 의해, 말단기를 기준으로 하여 옥시퍼플루오로알킬렌기의 수 (평균값) 를 구함으로써 산출된다. 말단기는, 예를 들어 식 (1) 중의 A1 또는 SiR13 n1X1 3-n1 이다.
[함불소 에테르 화합물]
본 발명의 함불소 에테르 화합물 (이하, 본 화합물이라고도 기재한다.) 은, 화합물 (1) 이다.
Figure pat00003
단, A1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기이고;Rf1 은, 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고;m1 은, 2 ∼ 210 의 정수이고;(Rf1O)m1 은, 2 종 이상의 Rf1O 로 이루어지는 것이어도 되고;Q1 은, 단결합 또는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고;R1 은, 수소 원자 또는 알킬기이고;p1 은, 0 또는 1 이고;R11 은, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고;R12 는, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고;R13 은, 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고;X1 은, 가수 분해성기이고;n1 은, 0 ∼ 2 의 정수이고;3 개의 [-R12-SiR13 n1X1 3-n1] 은, 전부 동일한 기가 아니어도 된다.
(A1 기)
A1 로는, 표면층의 윤활성 및 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 10 의 퍼플루오로알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 의 퍼플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 퍼플루오로알킬기가 특히 바람직하다.
A1 이 말단에 CF3- 를 갖기 때문에, 화합물 (1) 의 일방의 말단이 CF3- 가 되고, 타방의 말단이 가수 분해성 실릴기가 된다. 그 구조의 화합물 (1) 에 의하면, 저표면 에너지의 표면층을 형성할 수 있기 때문에, 그 표면층은 윤활성 및 내마찰성이 우수하다. 한편, 양말단에 가수 분해성 실릴기를 갖는 종래의 함불소 에테르 화합물에서는, 표면층의 윤활성 및 내마찰성이 불충분하다.
((Rf1O)m1)
Rf1 은, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기여도 되고, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기여도 된다.
Rf1 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 6 의 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 의 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기가 보다 바람직하고, 표면층의 윤활성이 더욱 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 2 의 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.
화합물 (1) 은, (Rf1O)m1 을 갖기 때문에, 불소 원자의 함유량이 많다. 그 때문에, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
또, Rf1 이 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이기 때문에, (Rf1O)m1 이 직사슬 구조가 된다. 그 구조의 화합물 (1) 에 의하면, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 우수하다. 한편, 폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이 분기 구조를 갖는 종래의 함불소 에테르 화합물에서는, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 불충분하다.
m1 은, 2 ∼ 210 의 정수이고, 5 ∼ 160 의 정수가 바람직하고, 10 ∼ 110 의 정수가 특히 바람직하다. m1 이 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 발수발유성이 우수하다. m1 이 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 내마찰성이 우수하다. 즉, 화합물 (1) 의 수 평균 분자량이 지나치게 크면, 단위 분자량당 존재하는 가수 분해성 실릴기의 수가 감소하고, 내마찰성이 저하된다.
(Rf1O)m1 에 있어서, 2 종 이상의 Rf1O 가 존재하는 경우, 각 Rf1O 의 결합 순서는 한정되지 않는다. 예를 들어, 2 종의 Rf1O 가 존재하는 경우, 2 종의 Rf1O 가 랜덤, 교호, 블록으로 배치되어도 된다.
2 종 이상의 Rf1O 가 존재한다는 것은, Rf1 이 퍼플루오로알킬렌기인 경우에는 탄소수가 상이한 2 종 이상의 Rf1O 가 존재하는 것을 말한다. Rf1 이 수소 원자를 갖는 플루오로알킬렌기인 경우에는, 탄소수, 수소 원자의 수 및 수소 원자의 결합 위치 중 어느 적어도 1 개가 상이하거나 또는 2 종 이상의 Rf1O 가 존재하는 것을 말한다.
2 종 이상의 Rf1O 의 배치에 대해서는, 예를 들어 실시예의 함불소 에테르 화합물의 경우, {(CF2O)x1(CF2CF2O)x2} 로 나타내는 구조는, x1 개의 (CF2O) 와 x2 개의 (CF2CF2O) 가 랜덤하게 배치되어 있는 것을 나타낸다. 또, (CF2CF2O-CF2CF2CF2CF2O)x3 으로 나타내는 구조는, x3 개의 (CF2CF2O) 와 x3 개의 (CF2CF2CF2CF2O) 가 번갈아 배치되어 있는 것을 나타낸다.
(Q1 기)
Q1 은, 단결합이어도 되고, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기여도 되고, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기여도 된다. Q1 이 분기 구조를 갖지 않는 화합물 (1) 에 의하면, 내마찰성 및 윤활성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
Q1 은, Rf1 에서 유래하는 플루오로알킬렌기이거나, 화합물 (1) 을 제조할 때에 사용한 아미드기 및 가수 분해성 실릴기를 갖는 화합물 (예를 들어, 후술하는 화합물 (30)) 에서 유래하는 플루오로알킬렌기이거나 한다.
Q1 이 단결합이 아닌 경우, 그 탄소수는, 1 ∼ 10 이 바람직하다.
([C(O)N(R1)]p1 기)
p1 이 0 과 1 인 경우에서, 함불소 에테르 화합물의 특성은 거의 변하지 않는다. p 가 1 인 경우에는 아미드 결합을 갖지만, Q1 의 [C(O)N(R1)] 과 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에 적어도 1 개의 불소 원자가 결합하고 있음으로써, 아미드 결합의 극성은 작아지고, 표면층의 발수발유성이 잘 저하되지 않는다. p1 이 0 인지 1 인지는, 제조하기 쉽다는 점에서 선택할 수 있다.
[C(O)N(R1)]p1 기 중의 R1 로는, 화합물 (1) 의 제조의 용이성의 점에서, 수소 원자가 바람직하다.
R1 이 알킬기인 경우, 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하다.
(R11 기)
R11 로는, 단결합, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 ∼ 10 의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 ∼ 10 의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기가 바람직하다.
p1 이 0 인 경우, R11 로는, 화합물 (1) 의 제조의 용이성의 점에서, 단결합 및 탄소수 4 이하의 알킬렌기가 바람직하고, 단결합, 메틸렌기 및 디메틸렌기가 보다 바람직하다. 에테르성 산소 원자를 갖는 기로는, -CH2CH2O-, -CH2CH2OCH2- 등을 들 수 있다.
p1 이 1 인 경우, R11 로는, 화합물 (1) 의 제조의 용이성 점에서, 단결합 및 탄소수 4 이하의 알킬렌기가 바람직하고, 단결합, 메틸렌기 및 디메틸렌기가 보다 바람직하다.
(R12 기)
R12 로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 ∼ 10 의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기가 바람직하다. 화합물 (1) 의 제조의 용이성 점에서는, -CH2CH2-, -CH2CH2CH2-, -CH2OCH2CH2CH2-, -CH2OCH2CH2CH2CH2CH2-, -OCH2CH2CH2- 로 이루어지는 군에서 선택되는 기 (단, 우측이 Si 에 결합한다.) 가 바람직하다.
R12 로는, 표면층의 내광성이 우수한 점에서, 에테르성 산소 원자를 갖지 않는 것이 특히 바람직하다. 옥외 사용의 터치 패널 (자동 판매기, 안내판 등의 디지털 사이니지), 차재 터치 패널 등에 있어서는, 표면층에 내광성이 요구된다.
화합물 (1) 중의 3 개의 R12 는, 전부 동일한 기여도 되고, 전부 동일한 기가 아니어도 된다.
(SiR13 n1X1 3-n1 기)
SiR13 n1X1 3-n1 은, 가수 분해성 실릴기이다.
화합물 (1) 은, 말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는다. 그 구조의 화합물 (1) 은 기재와 강고하게 화학 결합하기 때문에, 표면층은 내마찰성이 우수하다.
또, 화합물 (1) 은, 일방의 말단에만 가수 분해성 실릴기를 갖는다. 그 구조의 화합물 (1) 은 잘 응집하지 않기 때문에, 표면층은 외관이 우수하다.
X1 은, 가수 분해성기이다. 가수 분해성기는, 가수 분해 반응에 의해 수산기가 되는 기이다. 즉, 화합물 (1) 의 말단의 Si-X1 은, 가수 분해 반응에 의해 실란올기 (Si-OH) 가 된다. 실란올기는, 또한 분자간에서 반응하여 Si-O-Si 결합을 형성한다. 또, 실란올기는, 기재의 표면의 수산기 (기재-OH) 와 탈수 축합 반응하여, 화학 결합 (기재-O-Si) 을 형성한다.
X1 로는, 알콕시기, 할로겐 원자, 아실기, 이소시아네이트기 (-NCO) 등을 들 수 있다. 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하다.
X1 로는, 화합물 (1) 의 제조의 용이성의 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다. 할로겐 원자로는, 염소 원자가 특히 바람직하다. X1 로는, 도포시의 아웃 가스가 적고, 화합물 (1) 의 보존 안정성이 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하고, 화합물 (1) 의 장기의 보존 안정성이 필요한 경우에는 에톡시기가 특히 바람직하고, 도포 후의 반응 시간을 단시간으로 하는 경우에는 메톡시기가 특히 바람직하다.
R13 은, 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이다. 1 가의 탄화수소기로는, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알릴기 등을 들 수 있다.
R13 으로는, 1 가의 탄화수소기가 바람직하고, 1 가의 포화 탄화수소기가 특히 바람직하다. 1 가의 포화 탄화수소기의 탄소수는, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 2 가 특히 바람직하다. R13 의 탄소수가 이 범위이면, 화합물 (1) 의 제조가 하기 쉽다.
n1 은, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 특히 바람직하다. 1 개의 가수 분해성 실릴기에 X1 이 복수 존재함으로써, 기재와의 밀착성이 보다 강고해진다.
SiR13 n1X1 3-n1 로는, Si(OCH3)3, SiCH3(OCH3)2, Si(OCH2CH3)3, SiCl3, Si(OCOCH3)3, Si(NCO)3 이 바람직하다. 공업적인 제조에 있어서의 취급하기 쉽다는 점에서, Si(OCH3)3 이 특히 바람직하다.
화합물 (1) 중의 3 개의 SiR13 n1X1 3-n1 은, 전부 동일한 기여도 되고, 전부 동일한 기가 아니어도 된다. 화합물 (1) 의 제조의 용이성의 점에서, 전부 동일한 기인 것이 바람직하다.
(화합물 (1) 의 바람직한 형태)
화합물 (1) 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 화합물 (1-1) 이 바람직하다.
단,
A1, Q1, R1, p1, R11, R12, R13, X1 및 n1 은, 상기 식 (1) 과 동일하고,
RF1 은, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고, m10 은 2 이상의 정수이고, (RF1O)m10 은, 2 종 이상의 RF1O 로 이루어지는 것이어도 되고,
Rf5 는, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m5 는 0 ∼ 4 의 정수이고, m5 가 2 ∼ 4 의 정수인 경우 (Rf5O)m5 는 2 종 이상의 Rf5O 로 이루어지는 것이어도 되고,
Rf6 은, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m6 은 0 ∼ 4 의 정수이고, m6 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우 (Rf6O)m6 은 2 종 이상의 Rf6O 로 이루어지는 것이어도 되고,
m10+m5+m6=m1 이다.
((Rf5O)m5)
Rf5 는, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, 탄소수 2 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기가 바람직하고, 특히 탄소수 2 의 플루오로알킬렌기가 바람직하다. 수소 원자의 수는, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 특히 1 또는 2 인 것이 바람직하다. (Rf5O) 로는, (CHFCF2O) 및 (CH2CF2O) 가 바람직하다.
m5 는 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 0 이거나 2 인 것이 보다 바람직하다. m 이 2 인 경우, (Rf5O)2 로는, (CHFCF2O)-(CH2CF2O) 인 것이 바람직하다.
((RF1O)m10)
RF1 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 6 의 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 의 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기가 보다 바람직하고, 표면층의 윤활성이 더욱 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 2 의 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기가 특히 바람직하다.
화합물 (1-1) 은, (RF1O)m10 을 갖기 때문에, 불소 원자의 함유량이 더 많다. 그 때문에, 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
또, RF1 이 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이기 때문에, (RF1O)m10 이 직사슬 구조가 된다. 그 구조의 화합물 (1-1) 에 의하면, 표면층의 내마찰성 및 윤활성이 우수하다.
(RF1O)m10 에 있어서, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 RF1O 가 존재하는 경우, 각 RF1O 의 결합 순서는 한정되지 않는다. 예를 들어, CF2O 와 CF2CF2O 가 존재하는 경우, CF2O 와 CF2CF2O 가 랜덤, 교호, 블록으로 배치되어도 된다.
(RF1O)m10 으로는, 표면층의 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성이 더욱 우수한 점에서, (CF2O)m11(CF2CF2O)m12, (CF2CF2O)m13, (CF2CF2CF2O)m14, (CF2CF2O-CF2CF2CF2CF2O)m15 가 바람직하고, (CF2O)m11(CF2CF2O)m12 가 특히 바람직하다.
단, m11 은 1 이상의 정수이고, m12 는 1 이상의 정수이고, m11 개의 CF2O 및 m12 개의 CF2CF2O 의 결합 순서는 한정되지 않는다. 바람직하게는, {(CF2O)m11(CF2CF2O)m12} 로 나타내는 랜덤하게 배치한 구조이다. m13 및 m14 는, 2 ∼ 200 의 정수이고, m15 는, 1 ∼ 100 의 정수이다.
((Rf6O)m6)
Rf6 은, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, 탄소수 2 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기가 바람직하다. 수소 원자의 수는, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 특히 1 또는 2 인 것이 바람직하다. m6 은 0 ∼ 2 가 바람직하다.
p1 이 0 인 경우, Q1 이 단결합인 것이 바람직하다. 이 경우 (즉, (Rf6O)m6 과 R11 이 직접 결합하고 있는 경우), (Rf6O)m6 중의 R11 과 결합하는 (Rf6O) 는 (Rf7CH2O) 로 나타내는 기인 것이 바람직하다. Rf7 은, Rf6 보다 탄소수가 1 개 적은 기로서, 퍼플루오로알킬렌기 또는 수소 원자를 갖는 플루오로알킬렌기이다. Rf7 은 퍼플루오로알킬렌기인 것이 바람직하다. 구체적인 (Rf7CH2O) 로는, (CF2CH2O), (CF2CF2CH2O), (CF2CF2CF2CH2O), (CF2CF2CF2CF2CH2O) 등이 바람직하다. 이 경우, m6 은 1 이 바람직하다.
p1 이 1 인 경우, m6 은 0 ∼ 2 이고 또한 Q1 은 플루오로알킬렌기인 것이 바람직하다. 이 경우, Q1 은 퍼플루오로알킬렌기인 것이 바람직하다. 퍼플루오로알킬렌기인 Q1 의 탄소수는, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하다.
m10+m5+m6 은, 2 ∼ 200 의 정수이고, 5 ∼ 150 의 정수가 바람직하고, 10 ∼ 110 의 정수가 특히 바람직하다. m10+m5+m6 이 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 발수발유성이 우수하다. m10+m5+m6 이 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 내마찰성이 우수하다. 즉, 화합물 (1-1) 의 수 평균 분자량이 지나치게 크면, 단위 분자량당 존재하는 가수 분해성 실릴기의 수가 감소하고, 내마찰성이 저하된다.
m10 은 5 이상의 정수인 것이 보다 바람직하고, 10 이상이 특히 바람직하다.
(화합물 (1-1) 의 바람직한 형태)
화합물 (1-1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다. 그 화합물은, 공업적으로 제조하기 쉽고, 취급하기 쉽고, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 더욱 우수한 점에서 바람직하다.
·Q1 이 단결합이고 또한 p1 = 0 인 화합물 (1-1).
또한, 하기 식에 있어서의 「PFPE-CH2O-」 및 그 이외의 「PFPE-」 는, A1-O-(Rf5O)m5(RF1O)m10(Rf6O)m6- 를 나타낸다.
[화학식 1]
·Q1 이 퍼플루오로알킬렌기이고 또한 p1 = 1 인 화합물 (1-1).
또한, 하기 식에 있어서의 「PFPE-RF-」 는, A1-O-(Rf5O)m5(RF1O)m10(Rf6O)m6-Q1- 를 나타낸다.
[화학식 2]
(화합물 (1) 의 제조 방법)
p1 이 0 인 경우, 화합물 (1) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 하기의 방법 (10) ∼ (15) 를 들 수 있다.
p1 이 1 인 경우, 화합물 (1) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 하기의 방법 (20) ∼ (25) 를 들 수 있다.
<방법 (10)>
출발 물질로서 시판되는 화합물 (10) 을 사용한다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (10) 에 A1-O-CF=CF2 를 반응시켜, 화합물 (11), 화합물 (3A) 및 미반응의 화합물 (10) 의 혼합물을 얻는다.
혼합물로부터 화합물 (11) 을 단리하고, 화합물 (11) 과 CF3CF2CF2OCF(CF3)C(O)F 의 에스테르화 반응에 의해, 화합물 (12) 를 얻는다. 그 에스테르화 반응은, 화합물 (11) 과, 다른 산 플루오라이드, 산 클로라이드, 산 브로마이드, 산 무수물 등과의 반응이어도 된다.
Figure pat00009
불소 가스를 사용하여 화합물 (12) 의 수소 원자를 불소 원자로 치환함으로써, 화합물 (13) 을 얻는다. 그 불소화 공정은, 예를 들어, 국제 공개 제2000/56694호에 기재된 방법 등에 따라서 실시할 수 있다.
화합물 (13) 에 알코올 (메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올 등. 이하, R10OH 라고 기재한다. R10 은 알킬기이다.) 을 작용시킴으로써, 화합물 (14) 를 얻는다.
화합물 (14) 를, 환원제 (수소화붕소나트륨, 수소화리튬알루미늄 등) 를 사용하여 수소 환원함으로써, 화합물 (15) 를 얻는다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15) 에 CF3SO2Cl 을 반응시켜, 화합물 (16) 을 얻는다.
Figure pat00013
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (16) 에 HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17) 을 얻는다.
화합물 (17) 과 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1A) 를 얻는다. 하이드로실릴화 반응은, 백금 등의 천이 금속 촉매 또는 유기 과산화물 등의 라디칼 발생제를 사용하여 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1A) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (11)>
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (11) 을 사용한다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (11) 에 CF3SO2Cl 을 반응시켜, 화합물 (16B) 를 얻는다.
Figure pat00018
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (16B) 에 HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17B) 를 얻는다.
화합물 (17B) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1B) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1B) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (12)>
출발 물질로서 국제 공개 제2013/121984호에 기재된 방법으로 얻어진 화합물 (15C) 를 사용한다.
단, Q12 는, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15C) 에 CF3SO2Cl 을 반응시켜, 화합물 (16C) 를 얻는다.
Figure pat00023
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (16C) 에 HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17C) 를 얻는다.
화합물 (17C) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1C) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1C) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (13)>
HOCH2C(CH2CH=CH2)3 과 (CF3SO2)2O 를 반응시켜, 화합물 (20) 을 얻는다.
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (15) 를 사용한다.
Figure pat00028
단, x 는, 1 ∼ 198 의 정수이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15) 에 화합물 (20) 을 반응시켜, 화합물 (17D) 를 얻는다.
화합물 (17D) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1D) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1D) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (14)>
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (11) 을 사용한다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (11) 에 방법 (13) 에 있어서 얻어진 화합물 (20) 을 반응시켜, 화합물 (17E) 를 얻는다.
Figure pat00033
화합물 (17E) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1E) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1E) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (15)>
출발 물질로서 국제 공개 제2013/121984호에 기재된 방법으로 얻어진 화합물 (15C) 를 사용한다.
단, Q12 는, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15C) 에 방법 (13) 에 있어서 얻어진 화합물 (20) 을 반응시켜, 화합물 (17F) 를 얻는다.
화합물 (17F) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1F) 를 얻는다.
Figure pat00038
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1F) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (20)>
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (14) 를 사용한다.
화합물 (14) 에 H2N-R11-C(CH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17G) 를 얻는다.
화합물 (17G) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1G) 를 얻는다.
<방법 (21)>
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (11) 을 사용한다.
Figure pat00043
J. Org. Chem., 제 64 권, 1999년, p. 2564-2566 에 기재된 방법에 따라서, 화합물 (11) 을 산화하여, 화합물 (13H) 를 얻는다.
화합물 (13H) 에 R10OH 를 작용시킴으로써, 화합물 (14H) 를 얻는다.
화합물 (14H) 에 H2N-R11-C(CH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17H) 를 얻는다.
화합물 (17H) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1H) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1H) 는 하기로 나타내어진다.
Figure pat00048
<방법 (22)>
출발 물질로서 국제 공개 제2013/121984호에 기재된 방법으로 얻어진 화합물 (14I) 를 사용한다.
단, Q12 는, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이다.
화합물 (14I) 에 H2N-R11-C(CH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (17I) 를 얻는다.
화합물 (17I) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1I) 를 얻는다.
<방법 (23)>
CF2=CFOCF2CF2CF2-C(O)OCH3 과 H2N-R11-C(CH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (30) 을 얻는다.
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (15) 를 사용한다.
Figure pat00053
단, x 는, 1 ∼ 198 의 정수이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15) 에 화합물 (30) 을 반응시켜, 화합물 (17J) 를 얻는다.
화합물 (17J) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1J) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1J) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (24)>
출발 물질로서 방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (11) 을 사용한다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (11) 에 방법 (23) 에 있어서 얻어진 화합물 (30) 을 반응시켜, 화합물 (17K) 를 얻는다.
Figure pat00058
화합물 (17K) 와 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1K) 를 얻는다.
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1K) 는 하기로 나타내어진다.
<방법 (25)>
출발 물질로서 국제 공개 제2013/121984호에 기재된 방법으로 얻어진 화합물 (15C) 를 사용한다.
단, x 는, 1 ∼ 200 의 정수이고, RF 는 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (15C) 에 방법 (23) 에 있어서 얻어진 화합물 (30) 을 반응시켜, 화합물 (17L) 을 얻는다.
화합물 (17L) 과 HSiR13 n1X1 3-n1 을 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (1L) 을 얻는다.
Figure pat00063
또한, 상기 식을 옥시플루오로알킬렌 단위마다 정리하여 나타내면, 화합물 (1L) 은 하기로 나타내어진다.
(본 화합물)
본 화합물은, 1 종의 화합물 (1) 로 이루어지는 단일 화합물이어도 되고, A1, (Rf1O)m1, Q1, R1, p1, R11, R12, SiR13 n1X1 3-n1 등이 상이한 2 종류 이상의 화합물 (1) 로 이루어지는 혼합물이어도 된다.
본 발명에 있어서 단일 화합물인 화합물 (1) 이란, m1 의 수에 분포를 갖는 것 이외에는 동일한 화합물군을 의미한다. 예를 들어 화합물 (1-1) 의 경우, (RF1O)m10 이 {(CF2O)m11(CF2CF2O)m12} 인 경우, m11 과 m12 에 분포를 갖는 것 이외에는 동일한 화합물군 및 {(CF2O)m11/m10(CF2CF2O)m12/m10}m10 으로 나타낸 경우에 m10 의 수에 분포를 갖는 것 이외에는 동일한 화합물군을 의미한다. 시판되는 화합물 (10) 은 통상적으로 상기의 의미로 단일 화합물로 간주할 수 있는 화합물임으로써, 그 (RF1O)x 부분에 변화를 발생하지 않은 유도체는, 다른 부분 (A1, Q11, Q12, R1, p1, R11, R12, SiR13 n1X1 3-n1 등) 이 동일한 한, 단일 화합물로 간주할 수 있다.
본 화합물의 수 평균 분자량은, 500 ∼ 20,000 이 바람직하고, 800 ∼ 10,000 이 보다 바람직하고, 1,000 ∼ 8,000 이 특히 바람직하다. 수 평균 분자량이 그 범위 내이면, 내마찰성이 우수하다.
[함불소 에테르 조성물]
본 발명의 함불소 에테르 조성물 (이하, 본 조성물이라고도 기재한다.) 은, 화합물 (1) 과, 화합물 (1) 이외의 함불소 에테르 화합물을 포함하는 조성물이다. 화합물 (1) 이외의 함불소 에테르 화합물 (이하, 다른 함불소 에테르 화합물이라고도 기재한다.) 로는, 화합물 (1) 의 제조 과정에서 부생하는 함불소 에테르 화합물, 화합물 (1) 과 동일한 용도에 사용되는 공지된 (특히 시판되는) 함불소 에테르 화합물 등을 들 수 있다. 다른 함불소 에테르 화합물은, 화합물 (1) 의 특성을 저하시킬 우려가 적은 화합물로서, 또한 본 조성물 중의 화합물 (1) 에 대한 상대적인 함유량이 화합물 (1) 의 특성을 저하시킬 우려가 적은 양인 것이 바람직하다.
다른 함불소 에테르 화합물이 화합물 (1) 의 제조 과정에서 부생하는 함불소 에테르 화합물인 경우, 화합물 (1) 제조에 있어서의 화합물 (1) 의 정제가 용이해지고, 또 정제 공정을 간략화할 수 있다. 다른 함불소 에테르 화합물이 화합물 (1) 과 동일한 용도에 사용되는 공지된 함불소 에테르 화합물인 경우, 화합물 (1) 의 특성을 보충하는 등의 새로운 작용 효과가 발휘되는 경우가 있다.
상기 다른 함불소 에테르 화합물로는, 하기 함불소 에테르 화합물 (2), 하기 함불소 에테르 화합물 (3) 및 하기 함불소 에테르 화합물 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
함불소 에테르 화합물 (2):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는, 함불소 에테르 화합물.
함불소 에테르 화합물 (3):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 A1 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는, 함불소 에테르 화합물.
함불소 에테르 화합물 (4):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 이 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 로 치환되어 있는 (단, R15 는, HSiR13 n1X1 3-n1 을 부가하면 -R12-SiR13 n1X1 3-n1 이 되는 불포화 결합 함유기, 또는 그 불포화 결합 함유기의 이성체 기, t 는 1 ∼ 3 의 정수.), 함불소 에테르 화합물.
화합물 (1) 의 특성을 저하시킬 우려가 적은 점에서, 함불소 에테르 화합물 (2) 로는 후술하는 화합물 (2) 가 바람직하고, 함불소 에테르 화합물 (3) 으로는 후술하는 화합물 (3) 이 바람직하고, 함불소 에테르 화합물 (4) 로는 후술하는 화합물 (4) 가 바람직하다.
(화합물 (2))
화합물 (2) 는, 하기 식 (2) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물이다.
단, Rf2 는, 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고;m2 는, 2 ∼ 210 의 정수이고;(Rf2O)m2 는, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 Rf2O 로 이루어지는 것이어도 되고;Q2 는, 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고;R2 는, 수소 원자 또는 알킬기이고;p2 는, 0 또는 1 이고, 2 개의 p2 는, 동일한 수가 아니어도 되고;R21 은, 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, [X2 3-n2R23 n2Si-R22-]3C 와 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, [X2 3-n2R23 n2Si-R22-]3C 와 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고, 2 개의 R21 은, 동일한 기가 아니어도 되고;R22 는, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고;R23 은, 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고;X2 는, 가수 분해성기이고;n2 는, 0 ∼ 2 의 정수이고;6 개의 [-R22-SiR23 n2X2 3-n2] 는, 전부 동일한 기가 아니어도 된다.
(Rf2O)m2, Q2, R2, p2, R21, R22, SiR23 n2X2 3-n2 로는, 각각 화합물 (1) 에 있어서의 (Rf1O)m1, Q1, R1, p1, R11, R12, SiR13 n1X1 3-n1 과 동일한 것을 들 수 있으며, 바람직한 형태도 동일하다.
p2 가 0 인 경우이고, 또한 Rf2 가 2 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기인 경우이고, 또한 R21 의 Rf2 와 결합하는 측의 말단에 에테르성 산소 원자가 존재하지 않는 경우에는, Rf2 의 R21 과 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다.
p2 가 0 인 경우이고, 또한 Q2 가 2 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기인 경우이고, 또한 R21 의 Q2 와 결합하는 측의 말단에 에테르성 산소 원자가 존재하지 않는 경우에는, Q2 의 R21 과 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다.
(화합물 (2) 의 바람직한 형태)
화합물 (2) 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 화합물 (2-1) 이 바람직하다.
단, R2, p2, R21, R22, R23, X2 및 n2 는, 상기 식 (2) 와 동일하고;Q21 은, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기의 말단 (단, C(O) 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 말단 (단, C(O) 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고 (단, 산소수는 10 이하이다.);RF2 는, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고;m20 은, 2 ∼ 200 의 정수이고;(RF2O)m20 은, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 RF2O 로 이루어지는 것이어도 되고;Q22 는, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이다.
Q21, (RF2O)m20, Q22 로는, 각각 화합물 (1-1) 에 있어서의 Q11, (RF1O)m10, Q12 와 동일한 것을 들 수 있으며, 바람직한 형태도 동일하다.
Q21 이, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기인 경우이고, 또한 Q21 의 (RF2O)m20 과 결합하는 측의 말단에 에테르성 산소 원자가 존재하지 않는 경우에는, Q21 의 (RF2O)m20 과 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 수소 원자가 결합한다.
(화합물 (2) 의 제조 방법)
p2 가 0 인 경우, 화합물 (2) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 하기의 방법 (30) 과 (31) 을 들 수 있다.
p2 가 1 인 경우, 화합물 (2) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 하기의 방법 (40) 과 (41) 을 들 수 있다.
<방법 (30)>
출발 물질로서 시판되는 화합물 (10) 을 사용한다.
단, x 는, 1 ∼ 199 의 정수이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (10) 에 CF3SO2Cl 을 반응시켜, 화합물 (18) 을 얻는다.
Figure pat00068
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (18) 에 HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (19) 를 얻는다.
화합물 (19) 와 HSiR23 n2X2 3-n2 를 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (2A) 를 얻는다.
<방법 (31)>
출발 물질로서 시판되는 화합물 (10) 을 사용한다.
단, x 는, 1 ∼ 199 의 정수이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (10) 에 방법 (13) 에 있어서 얻어진 화합물 (20) 을 반응시켜, 화합물 (19B) 를 얻는다.
화합물 (19B) 와 HSiR23 n2X2 3-n2 를 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (2B) 를 얻는다.
Figure pat00073
<방법 (40)>
출발 물질로서 시판되는 화합물 (10) 을 사용한다.
단, x 는, 1 ∼ 199 의 정수이다.
J. Org. Chem., 제 64 권, 1999년, p. 2564-2566 에 기재된 방법에 따라서, 화합물 (10) 을 산화하여, 화합물 (25) 를 얻는다.
화합물 (25) 에 R10OH 를 작용시킴으로써, 화합물 (26) 을 얻는다.
화합물 (26) 에 H2N-R21-C(CH2CH=CH2)3 을 반응시켜, 화합물 (27) 을 얻는다.
화합물 (27) 과 HSiR23 n2X2 3-n2 를 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (2C) 를 얻는다.
Figure pat00078
<방법 (41)>
출발 물질로서 시판되는 화합물 (10) 을 사용한다.
단, x 는, 1 ∼ 199 의 정수이다.
염기성 화합물의 존재하, 화합물 (10) 에 방법 (23) 에 있어서 얻어진 화합물 (30) 을 반응시켜, 화합물 (27D) 를 얻는다.
화합물 (27D) 와 HSiR23 n2X2 3-n2 를 하이드로실릴화 반응하여, 화합물 (2D) 를 얻는다.
(화합물 (3))
화합물 (3) 은, 하기 식 (3) 으로 나타내는 함불소 에테르 화합물이다.
단, A31 및 A32 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기이고;Rf3 은, 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고;m3 은, 2 ∼ 210 의 정수이고; (Rf3O)m3 은, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 Rf3O 로 이루어지는 것이어도 된다.
A31, (Rf3O)m3, A32 로는, 각각 화합물 (1) 에 있어서의 A1, (Rf1O)m1, A1 과 동일한 것을 들 수 있으며, 바람직한 형태도 동일하다. 화합물 (1) 의 제조시에 부생하는 화합물을 유효하게 이용할 수 있는 점에서, 각각 화합물 (1) 에 있어서의 A1, (Rf1O)m1, A1 과 동일한 것이 바람직하다.
(화합물 (3) 의 바람직한 형태)
화합물 (3) 으로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 화합물 (3-1) 이 바람직하다.
Figure pat00083
단, A31 및 A32 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 퍼플루오로알킬기이고;Q31 은, 단결합, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기의 말단 (단, A31-O 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 말단 (단, A31-O 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고 (단, 산소수는 10 이하이다.);Q32 는, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고 (단, 산소수는 10 이하이다.);RF3 은, 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고;m30 은, 2 ∼ 200 의 정수이고;(RF3O)m30 은, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 RF3O 로 이루어지는 것이어도 되고;p3 은, Q31 이 단결합인 경우에는 0 이고, Q31 이 단결합 이외인 경우에는 1 이다.
A31, Q31, (RF3O)m30, Q32, A32 로는, 각각 화합물 (1-1) 에 있어서의 A1, Q11, (RF1O)m10, Q11 (단, 단결합을 제외한다.), A1 과 동일한 것을 들 수 있으며, 바람직한 형태도 동일하다. 화합물 (1-1) 의 제조시에 부생하는 화합물을 유효하게 이용할 수 있는 점에서, 각각 화합물 (1-1) 에 있어서의 A1, Q11, (RF1O)m10, Q11 (단, 단결합을 제외한다.), A1 과 동일한 것이 바람직하다.
Q31 이, 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기, 또는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기인 경우이고, 또한 Q31 의 (RF3O)m30 과 결합하는 측의 말단에 에테르성 산소 원자가 존재하지 않는 경우에는, Q31 의 (RF3O)m30 과 결합하는 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 수소 원자가 결합한다.
(화합물 (3) 의 제조 방법)
화합물 (3) 의 제조 방법으로는, 예를 들어 하기의 방법 (50) 과 (51) 을 들 수 있다.
<방법 (50)>
방법 (10) 에 있어서 얻어진 화합물 (11), 화합물 (3A) 및 미반응의 화합물 (10) 의 혼합물로부터, 화합물 (3A) 를 단리한다.
<방법 (51)>
화합물 (3A) 를 불소 가스로 불소화하여 화합물 (3B) 를 얻는다.
Q31 이 단결합이고, p3 이 0 인 화합물 (3) 으로는, 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로는, FOMBLIN (등록상표) M, FOMBLIN (등록상표) Y, FOMBLIN (등록상표) Z (이상, 솔베이소렉스사 제조), Krytox (등록상표) (듀퐁사 제조), 뎀넘 (등록상표) (다이킨 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
화합물 (4) 로는, 화합물 (1) 에 있어서의 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 이 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 로 치환되어 있는 화합물이며, -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 이외의 부분은 화합물 (1) 과 동일한 화합물이다. R15 는 하이드로실릴화 반응에 의해 [-R12-SiR13 n1X1 3-n1] 이 되는 기 또는 그 이성체 기이고, t 는 1 ∼ 3 의 정수이다.
상기와 같이, 말단에 불포화기를 갖는 알케닐기 부분에 HSiR13 n1X1 3-n1 을 부가시키는 하이드로실릴화 반응에 의해 [-R12-SiR13 n1X1 3-n1] 이 생성된다. 예를 들어, -C(CH2CH=CH2)3 에 HSiR13 n1X1 3-n1 을 부가시킴으로써 -C[-CH2CH2CH2-SiR13 n1X1 3-n1]3 이 된다. 이 경우의 (CH2CH=CH2) 가 R15 이다. 하이드로실릴화 반응에 있어서는, R15 의 말단 불포화기가 비말단 위치에 이성화한, 이너 올레핀이라고 불리는 알케닐기가 생성하는 부반응이 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, -CH2CH=CH2 가 -CH=CHCH3 으로 이성화한다. 비말단 위치에 불포화기를 갖는 알케닐기 부분은 HSiR13 n1X1 3-n1 과 반응하지 않고 잔존한다.
화합물 (1) 의 제조에 있어서의 하이드로실릴화 반응에 있어서, R15 가 미반응으로 잔존한 경우나 R15 가 이성화한 경우에는, 말단이 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 인 화합물이 부생하고, 이 화합물이 화합물 (4) 이다.
(본 조성물의 조성)
본 조성물 중의 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계의 비율은, 80 ∼ 100 질량% 가 바람직하고, 85 ∼ 100 질량% 가 특히 바람직하다. 즉 불순물의 비율은, 20 질량% 이하가 바람직하고, 15 질량% 이하가 특히 바람직하다. 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 비율이 상기 범위 내이면, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 우수하다.
본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계에 대한 다른 함불소 에테르 화합물의 비율은, 0 질량% 초과 40 질량% 미만이 바람직하고, 0 질량% 초과 30 질량% 이하가 보다 바람직하고, 0 질량% 초과 20 질량% 이하가 특히 바람직하다. 즉 본 화합물의 비율은, 60 질량% 초과 100 질량% 미만이 바람직하고, 70 질량% 이상 100 질량% 미만이 보다 바람직하고, 80 질량% 이상 100 질량% 미만이 특히 바람직하다. 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 비율이 상기 범위 내이면, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 우수하다.
또한, 다른 함불소 에테르 화합물로서 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 중 적어도 1 종을 포함하는 경우, 본 조성물의 조성은 이하와 같이 된다.
본 에테르 조성물 중의 본 화합물, 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 의 합계의 비율은, 60 질량% 초과 100 질량% 이하가 바람직하고, 70 ∼ 100 질량% 가 보다 바람직하고, 80 ∼ 100 질량% 가 특히 바람직하다. 즉 본 화합물, 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 이외의 함불소 에테르 화합물과 불순물의 합계의 비율은, 40 질량% 미만이 바람직하고, 30 질량% 이하가 보다 바람직하고, 20 질량% 이하가 특히 바람직하다.
본 화합물, 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 의 합계에 대한, 화합물 (2) 의 비율은, 0 질량% 이상 40 질량% 미만이 바람직하고, 0 ∼ 30 질량% 가 보다 바람직하고, 0 ∼ 20 질량% 가 특히 바람직하다. 화합물 (3) 및 화합물 (4) 의 비율도, 화합물 (2) 의 비율과 동일하다.
단, 본 화합물, 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 의 합계에 대한, 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 의 합계의 비율은, 0 질량% 초과 40 질량% 미만이 바람직하고, 0 질량% 초과 30 질량% 이하가 특히 바람직하다.
다른 함불소 에테르 화합물로서 화합물 (2), 화합물 (3) 및 화합물 (4) 중 적어도 1 종을 포함하는 경우, 본 조성물의 조성이 상기 범위 내이면, 표면층의 발수발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 윤활성, 외관이 우수하다.
본 조성물은, 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물 이외의 불순물을 포함하고 있어도 된다. 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물 이외의 불순물로는, 본 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 제조상 불가피한 화합물 등을 들 수 있다. 본 조성물은, 후술하는 액상의 액상 매체를 포함하지 않는다.
[코팅액]
본 발명의 코팅액 (이하, 본 코팅액이라고도 기재한다.) 은, 본 화합물 또는 본 조성물과 액상 매체를 포함한다. 본 코팅액은, 액상이면 되고, 용액이어도 되고, 분산액이어도 된다.
본 코팅액은, 본 화합물 또는 본 조성물을 포함하고 있으면 되고, 본 화합물의 제조 공정에서 생성된 부생성물 등의 불순물을 포함해도 된다.
본 화합물 또는 본 조성물의 농도는, 본 코팅액 중, 0.001 ∼ 10 질량% 가 바람직하고, 0.1 ∼ 1 질량% 가 특히 바람직하다.
액상 매체로는, 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매는, 불소계 유기 용매여도 되고, 비불소계 유기 용매여도 되며, 양쪽 용매를 포함해도 된다.
불소계 유기 용매로는, 불소화 알칸, 불소화 방향족 화합물, 플루오로알킬에테르, 불소화 알킬아민, 플루오로알코올 등을 들 수 있다.
불소화 알칸으로는, 탄소수 4 ∼ 8 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, 예를 들어 C6F13H (아사히 가라스사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-2000), C6F13C2H5 (아사히 가라스사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-6000), C2F5CHFCHFCF3 (케마즈사 제조, 버트렐 (등록상표) XF) 등을 들 수 있다.
불소화 방향족 화합물로는, 예를 들어 헥사플루오로벤젠, 트리플루오로메틸벤젠, 퍼플루오로톨루엔, 비스(트리플루오로메틸)벤젠 등을 들 수 있다.
플루오로알킬에테르로는, 탄소수 4 ∼ 12 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, 예를 들어 CF3CH2OCF2CF2H (아사히 가라스사 제조, 아사히클린 (등록상표) AE-3000), C4F9OCH3 (3M 사 제조, 노벡크 (등록상표) 7100), C4F9OC2H5 (3M 사 제조, 노벡크 (등록상표) 7200), C2F5CF(OCH3)C3F7 (3M 사 제조, 노벡크 (등록상표) 7300) 등을 들 수 있다.
불소화 알킬아민으로는, 예를 들어 퍼플루오로트리프로필아민, 퍼플루오로트리부틸아민 등을 들 수 있다.
플루오로알코올로는, 예를 들어 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올, 2,2,2-트리플루오로에탄올, 헥사플루오로이소프로판올 등을 들 수 있다.
비불소계 유기 용매로는, 수소 원자 및 탄소 원자만으로 이루어지는 화합물과, 수소 원자, 탄소 원자 및 산소 원자만으로 이루어지는 화합물이 바람직하고, 탄화수소계 유기 용매, 알코올계 유기 용매, 케톤계 유기 용매, 에테르계 유기 용매, 에스테르계 유기 용매를 들 수 있다.
본 코팅액은, 액상 매체를 90 ∼ 99.999 질량% 포함하는 것이 바람직하고, 99 ∼ 99.9 질량% 포함하는 것이 특히 바람직하다.
본 코팅액은, 본 화합물 및 액상 매체 외에, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 다른 성분을 포함하고 있어도 된다.
다른 성분으로는, 예를 들어, 가수 분해성 실릴기의 가수 분해와 축합 반응을 촉진하는 산 촉매나 염기성 촉매 등의 공지된 첨가제를 들 수 있다.
본 코팅액에 있어서의, 다른 성분의 비율은, 10 질량% 이하가 바람직하고, 1 질량% 이하가 특히 바람직하다.
본 코팅액의 고형분 농도는, 0.001 ∼ 10 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 1 질량% 가 특히 바람직하다. 코팅액의 고형분 농도는, 가열 전의 코팅액의 질량과, 120 ℃ 의 대류식 건조기로 4 시간 가열한 후의 질량으로부터 산출하는 값이다. 또, 본 조성물의 농도는, 고형분 농도와, 본 조성물 및 용매 등의 투입량으로부터 산출 가능하다.
[물품]
본 발명의 물품은, 본 화합물 또는 본 조성물로부터 형성되는 표면층을 기재의 표면에 갖는다.
(표면층)
본 화합물 또는 본 조성물에 있어서는, 본 화합물 중의 가수 분해성 실릴기 (SiR13 n1X1 3-n1) 가 가수 분해 반응함으로써 실란올기 (Si-OH) 가 형성되고, 그 실란올기는 분자간에서 반응하여 Si-O-Si 결합이 형성되고, 또는 그 실란올기가 기재의 표면의 수산기 (기재-OH) 와 탈수 축합 반응하여 화학 결합 (기재-O-Si) 이 형성된다. 즉, 본 발명에 있어서의 표면층은, 본 화합물을, 본 화합물의 가수 분해성 실릴기의 일부 또는 전부가 가수 분해 반응한 상태로 포함한다.
표면층의 두께는, 1 ∼ 100 ㎚ 가 바람직하고, 1 ∼ 50 ㎚ 가 특히 바람직하다. 표면층의 두께가 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면 처리에 의한 효과가 충분히 얻어지기 쉽다. 표면층의 두께가 상기 범위의 상한값 이하이면, 이용 효율이 높다. 표면층의 두께는, 박막 해석용 X 선 회절계 (RIGAKU 사 제조, ATX-G) 를 사용하여, X 선 반사율법에 의해 반사 X 선의 간섭 패턴을 얻어, 그 간섭 패턴의 진동 주기부터 산출할 수 있다.
(기재)
본 발명에 있어서의 기재는, 발수발유성의 부여가 요구되고 있는 기재이면 특별히 한정되지 않는다. 기재의 재료로는, 금속, 수지, 유리, 사파이어, 세라믹, 돌, 이들의 복합 재료를 들 수 있다. 유리는 화학 강화되어 있어도 된다. 기재는, SiO2 등으로 표면 처리되어 있어도 된다.
기재로는, 터치 패널용 기재, 디스플레이용 기재가 적합하고, 터치 패널용 기재가 특히 적합하다. 터치 패널용 기재는, 투광성을 갖는다. 「투광성을 갖는다」 는 것은, JIS R 3106:1998 (ISO 9050:1990) 에 준한 수직 입사형 가시광 투과율이 25 % 이상인 것을 의미한다. 터치 패널용 기재의 재료로는, 유리 또는 투명 수지가 바람직하다.
(물품의 제조 방법)
본 발명의 물품은, 예를 들어, 하기 방법으로 제조할 수 있다.
·본 화합물 또는 본 조성물을 사용한 드라이 코팅법에 의해 기재의 표면을 처리하여, 본 발명의 물품을 얻는 방법.
·웨트 코팅법에 의해 본 코팅액을 기재의 표면에 도포하고, 건조시켜, 본 발명의 물품을 얻는 방법.
<드라이 코팅법>
본 화합물 및 본 조성물은, 드라이 코팅법에 그대로 사용할 수 있다. 본 화합물 및 본 조성물은, 드라이 코팅법에 의해 밀착성이 우수한 표면층을 형성하는 데에 적합하다. 드라이 코팅법으로는, 진공 증착, CVD, 스퍼터링 등의 수법을 들 수 있다. 본 화합물의 분해를 억제하는 점 및 장치의 간편함의 점에서, 진공 증착법을 적합하게 이용할 수 있다.
<웨트 코팅법>
웨트 코팅법으로는, 스핀 코트법, 와이프 코트법, 스프레이 코트법, 스퀴지 코트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 플로우 코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 랭뮤어·블로젯법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.
<후 처리>
표면층의 내마찰성을 향상시키기 위해서, 필요에 따라, 본 화합물과 기재의 반응을 촉진하기 위한 조작을 실시해도 된다. 그 조작으로는, 가열, 가습, 광 조사 등을 들 수 있다. 예를 들어, 수분을 갖는 대기 중에서 표면층이 형성된 기재를 가열하여, 가수 분해성 실릴기의 실란올기에 대한 가수 분해 반응, 기재의 표면의 수산기 등과 실란올기의 반응, 실란올기의 축합 반응에 의한 실록산 결합의 생성, 등의 반응을 촉진할 수 있다.
표면 처리 후, 표면층 중의 화합물로서 다른 화합물이나 기재와 화학 결합하고 있지 않은 화합물은, 필요에 따라 제거해도 된다. 구체적인 방법으로는, 예를 들어, 표면층에 용매를 뿌려 씻어내는 방법, 용매를 배어들게 한 천으로 닦아내는 방법 등을 들 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 이용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
이하, 「%」 는 특별히 언급이 없는 한 「질량%」 이다. 또, 2 종 이상의 화합물 (1) 로 이루어지는 혼합물을 「화합물」, 화합물 (1) 과 다른 함불소 에테르 화합물로 이루어지는 것을 「조성물」 이라고 기재한다.
예 1 ∼ 6, 11 ∼ 16, 17 ∼ 22, 27 ∼ 36, 38 ∼ 41, 43 ∼ 45 및 48 ∼ 53 은 실시예, 예 7 ∼ 10, 23 ∼ 26, 37, 42, 46 및 47 은 비교예이다.
[예 1:화합물 (1A-1), 화합물 (3A-1) 의 제조]
(예 1-1)
300 ㎖ 의 3 구 플라스크에, 24 % KOH 수용액 24.4 g, tert-부틸알코올 33 g, 화합물 (10-1) (솔베이소렉스사 제조, FLUOROLINK (등록상표) D4000) 220 g 을 넣고, CF3CF2CF2-O-CF=CF2 (토쿄 화성 공업사 제조) 19.4 g 을 첨가하였다. 질소 분위기하, 60 ℃ 에서 8 시간 교반하였다. 희염산 수용액으로 1 회 세정하고, 유기상을 회수하고, 이배퍼레이터로 농축함으로써, 미정제 생성물 (a) 233 g 을 얻었다. 미정제 생성물 (a) 를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 전개하여 분취하였다. 전개 용매로는, C6F13CH2CH3 (아사히 가라스사 제조, AC-6000), AC-6000/CF3CH2OCF2CF2H (아사히 가라스사 제조, AE-3000) = 1/2 (질량비), AE-3000/아세트산에틸 = 9/1 (질량비) 을 순서로 사용하였다. 각 프랙션에 대해서, 말단기의 구조 및 구성 단위의 단위수 (x1, x2) 의 평균값을 1H-NMR 및 19F-NMR 의 적분값으로부터 구하였다. 미정제 생성물 (a) 중에는 화합물 (11-1), 화합물 (3A-1) 및 화합물 (10-1) 이 각각, 42 몰%, 49 몰% 및 9 몰% 포함되어 있던 것을 알 수 있었다. 화합물 (11-1) 98.6 g (수율:44.8 %) 및 화합물 (3A-1) 51.9 g (수율:23.6 %) 이 얻어졌다.
화합물 (11-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (11-1) 의 수 평균 분자량:4,150.
화합물 (3A-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00088
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (3A-1) 의 수 평균 분자량:4,420.
(예 1-2)
100 ㎖ 의 가지형 플라스크에, 화합물 (11-1) 30.0 g, 불화나트륨 분말 0.9 g, 디클로로펜타플루오로프로판 (아사히 가라스사 제조, AK-225) 30 g 을 넣고, CF3CF2CF2OCF(CF3)C(O)F 3.5 g 을 첨가하였다. 질소 분위기하, 50 ℃ 에서 24 시간 교반하였다. 가압 여과기로 불화나트륨 분말을 제거한 후, 과잉의 CF3CF2CF2OCF(CF3)C(O)F 및 AK-225 를 감압 증류 제거하였다. 얻어진 미정제 생성물을 C6F13H (아사히 가라스사 제조, AC-2000) 로 희석하고, 실리카 겔 칼럼에 통과시키고, 회수한 용액을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (12-1) 31.8 g (수율 98.8 %) 을 얻었다.
화합물 (12-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (12-1) 의 수 평균 분자량:4,460.
(예 1-3)
1 ℓ 의 니켈제 오토클레이브의 가스 출구에, 20 ℃ 로 유지한 냉각기, NaF 펠릿 충전층 및 0 ℃ 로 유지한 냉각기를 직렬로 설치하였다. 0 ℃ 로 유지한 냉각기로부터 응집한 액을 오토클레이브로 되돌리는 액체 반송 라인을 설치하였다.
오토클레이브에 ClCF2CFClCF2OCF2CF2Cl (이하, CFE-419 라고도 기재한다.) 750 g 을 넣고, 25 ℃ 로 유지하면서 교반하였다. 오토클레이브에 질소 가스를 25 ℃ 에서 1 시간 불어넣은 후, 20 % 불소 가스를, 25 ℃, 유속 2.0 ℓ/시간으로 1 시간 불어넣었다. 20 % 불소 가스를 동일한 유속으로 불어넣으면서, 오토클레이브에, 화합물 (12-1) 31.0 g 을 CFE-419 124 g 에 용해한 용액을, 4.3 시간 걸쳐 주입하였다. 20 % 불소 가스를 동일한 유속으로 불어넣으면서, 오토클레이브의 내압을 0.15 ㎫ (게이지압) 까지 가압하였다. 오토클레이브 내에, CFE-419 중에 0.05 g/㎖ 의 벤젠을 포함하는 벤젠 용액 4 ㎖ 를, 25 ℃ 에서 40 ℃ 까지 가열하면서 주입하고, 오토클레이브의 벤젠 용액 주입구를 닫았다. 15 분간 교반한 후, 다시 벤젠 용액 4 ㎖ 를, 40 ℃ 를 유지하면서 주입하고, 주입구를 닫았다. 동일한 조작을 추가로 3 회 반복하였다. 벤젠의 주입 총량은 0.17 g 이었다. 20 % 불소 가스를 동일한 유속으로 불어넣으면서, 1 시간 교반을 계속하였다. 오토클레이브 내의 압력을 대기압으로 하여, 질소 가스를 1 시간 불어넣었다. 오토클레이브의 내용물을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (13-1) 31.1 g (수율 98.5 %) 을 얻었다.
화합물 (13-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (13-1) 의 수 평균 분자량:4,550.
(예 1-4)
테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로(알콕시비닐에테르) 공중합체 (이하, PFA 라고도 기재한다.) 제 둥근 바닥 플라스크에, 화합물 (13-1) 30.0 g 및 AK-225 60 g 을 넣었다. 빙욕에서 냉각시키면서 교반하고, 질소 분위기하, 메탄올 2.0 g 을 적하 깔때기로부터 천천히 적하하였다. 질소로 버블링하면서 12 시간 교반하였다. 반응 혼합물을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (14-1) 27.6 g (수율 98.8 %) 을 얻었다.
Figure pat00093
화합물 (14-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (14-1) 의 수 평균 분자량:4,230.
(예 1-5)
100 ㎖ 의 3 구 가지형 플라스크 내에서, 염화리튬 0.18 g 을 에탄올 18.3 g 에 용해시켰다. 이것에 화합물 (14-1) 25.0 g 을 첨가하여 빙욕에서 냉각시키면서, 수소화붕소나트륨 0.75 g 을 에탄올 22.5 g 에 용해한 용액을 천천히 적하하였다. 빙욕을 떼어내고, 실온까지 천천히 승온하면서 교반을 계속하였다. 실온에서 12 시간 교반 후, 액성이 산성이 될 때까지 염산 수용액을 적하하였다. AC-2000 20 ㎖ 를 첨가하고, 물로 1 회, 포화 식염수로 1 회 세정하고, 유기상을 회수하였다. 회수한 유기상을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (15-1) 24.6 g (수율 99.0 %) 을 얻었다.
화합물 (15-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (15-1) 의 수 평균 분자량:4,200.
(예 1-6)
100 ㎖ 의 2 구 가지형 플라스크에, 화합물 (15-1) 20.0 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 20.0 g, CF3SO2Cl (와코 쥰야큐 공업사 제조) 1.01 g 및 트리에틸아민 1.00 g 을 넣고, 질소 분위기하, 실온에서 4 시간 교반하였다. 반응 종료 후, AK-225 15 g 을 첨가하고, 물 및 포화 식염수로 각 1 회 세정하고, 유기상을 회수하였다. 회수한 유기상을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (16-1) 20.3 g (수율 99 %) 을 얻었다.
화합물 (16-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00098
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (16-1) 의 수 평균 분자량:4,340.
(예 1-7)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크 내에서, 수소화나트륨 (55 %/파라핀) 0.13 g 을 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 5.0 g 에 현탁시키고, 실온에서 화합물 (16-1) 10.0 g 을 적하하였다. 이것에 HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 (다이소사 제조, 네오알릴 (등록상표) P-30M 의 정제물) 0.91 g 을 첨가하고, 70 ℃ 로 승온하여 12 시간 교반하였다. 반응 종료 후, AK-225 15 g 을 첨가하고, 수세하여 유기상을 회수하고, 이배퍼레이터로 농축하였다. 이것을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:AE-3000/아세트산에틸 = 99/1 (질량비)) 로 정제하여 화합물 (17-1) 2.6 g (수율 26 %) 을 얻었다.
화합물 (17-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17-1) 의 수 평균 분자량:4,450.
(예 1-8)
10 ㎖ 의 PFA 제 용기에, 화합물 (17-1) 2.0 g, 백금/1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물의 자일렌 용액 (백금 함유량:2 %) 0.002 g, HSi(OCH3)3 0.24 g, 디메틸술폭시드 0.003 g 및 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 0.15 g 을 넣고, 40 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용매 등을 감압 증류 제거하고, 공경 (孔徑) 0.2 ㎛ 의 멤브레인 필터로 여과하고,화합물 (17-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1A-1) 및 화합물 (17-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (1) 1.9 g (수율 92 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 85 % 였다.
화합물 (1A-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1A-1) 의 수 평균 분자량:4,810.
[예 2:화합물 (1B-1) 의 제조]
(예 2-1)
화합물 (15-1) 을 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 30.0 g 로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 30.0 g 으로, CF3SO2Cl (와코 쥰야큐 공업사 제조) 의 양을 1.44 g 으로, 트리에틸아민의 양을 1.45 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-6 과 동일하게 하여, 화합물 (16B-1) 30.6 g (수율 99 %) 을 얻었다.
Figure pat00103
화합물 (16B-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (16B-1) 의 수 평균 분자량:4,280.
(예 2-2)
화합물 (16-1) 을 화합물 (16B-1) 로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 의 양을 0.92 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (17B-1) 2.4 g (수율 24 %) 을 얻었다.
화합물 (17B-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17B-1) 의 수 평균 분자량:4,390.
(예 2-3)
화합물 (17-1) 을 예 2-2 에서 얻은 화합물 (17B-1) 1.8 g 에, HSi(OCH3)3 의 양을 0.22 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17B-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1B-1) 및 화합물 (17B-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (2) 1.7 g (수율 87 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17B-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 87 % 였다.
화합물 (1B-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00108
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1B-1) 의 수 평균 분자량:4,760.
[예 3:화합물 (1C-1) 의 제조]
(예 3-1)
국제 공개 제2013/121984호의 실시예 7 에 기재된 방법에 따라서, 화합물 (15C-1) 을 얻었다.
화합물 (15C-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (15C-1) 의 수 평균 분자량:4,700.
(예 3-2)
화합물 (15-1) 을 예 3-1 에서 얻은 화합물 (15C-1) 로, CF3SO2Cl (와코 쥰야큐 공업사 제조) 의 양을 0.86 g 으로, 트리에틸아민의 양을 1.02 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-6 과 동일하게 하여, 화합물 (16C-1) 30.6 g (수율 99 %) 을 얻었다.
화합물 (16C-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (16C-1) 의 수 평균 분자량:4,830.
(예 3-3)
수소화나트륨 (55 %/파라핀) 의 양을 0.14 g 으로, 화합물 (16-1) 을 예 3-2 에서 얻은 화합물 (16C-1) 로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 의 양을 0.95 g 으로 변경하고, 반응 종료 후에 AK-225 로 희석하지 않는 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (17C-1) 3.9 g (수율 38 %) 을 얻었다.
Figure pat00113
화합물 (17C-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (17C-1) 의 수 평균 분자량:4,940.
(예 3-4)
화합물 (17-1) 을 예 3-3 에서 얻은 화합물 (17C-1) 3.0 g 으로, 백금 착물 용액의 양을 0.004 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.40 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.006 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 0.30 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17C-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1C-1) 및 화합물 (17C-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (3) 3.0 g (수율 93 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17C-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 85 % 였다.
화합물 (1C-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (1C-1) 의 수 평균 분자량:5,300.
[예 4:화합물 (1D-1) 의 제조]
(예 4-1)
200 ㎖ 의 가지형 플라스크 내에, HOCH2C(CH2CH=CH2)3 10 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 20.0 g 및 (CF3SO2)2O 25.5 g 을 넣고, 질소 분위기하, 0 ℃ 에서 2,6-루티딘 19.3 g 을 적하하였다. 실온까지 승온하여 1 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 수세하여 유기상을 회수하고, 이배퍼레이터로 농축하였다. 이것을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:헥산/아세트산에틸 = 85/15 (질량비)) 로 정제하여 화합물 (20) 15.1 g (수율 85 %) 을 얻었다.
화합물 (20) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00118
(예 4-2)
화합물 (16-1) 을 예 4-1 에서 얻은 화합물 (20) 0.70 g 으로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 예 1-5 에서 얻은 화합물 (15-1) 10.0 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (17D-1) 5.1 g (수율 51 %) 을 얻었다.
화합물 (17D-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17D-1) 의 수 평균 분자량:4,350.
(예 4-3)
화합물 (17-1) 을 예 4-2 에서 얻은 화합물 (17D-1) 로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.25 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17D-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1D-1) 1.9 g (수율 90 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17D-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17D-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
화합물 (1D-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1D-1) 의 수 평균 분자량:4,710.
[예 5:화합물 (1E-1) 의 제조]
(예 5-1)
화합물 (16-1) 을 예 4-1 에서 얻은 화합물 (20) 0.72 g 으로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 10.0 g 으로 변경하고, 반응 종료 후에 AK-225 로 희석하지 않는 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (17E-1) 5.0 g (수율 50 %) 을 얻었다.
Figure pat00123
화합물 (17E-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17E-1) 의 수 평균 분자량:4,300.
(예 5-2)
화합물 (17-1) 을 예 5-1 에서 얻은 화합물 (17E-1) 1.8 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.23 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17E-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1E-1) 1.7 g (수율 87 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17E-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17E-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
화합물 (1E-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1E-1) 의 수 평균 분자량:4,660.
[예 6:화합물 (1F-1) 의 제조]
(예 6-1)
화합물 (16-1) 을 예 4-1 에서 얻은 화합물 (20) 0.64 g 으로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 을 예 3-1 에서 얻은 화합물 (15C-1) 10.0 g 으로 변경하고, 반응 종료 후에 AK-225 로 희석하지 않는 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (17F-1) 4.9 g (수율 48 %) 을 얻었다.
화합물 (17F-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00128
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (17F-1) 의 수 평균 분자량:4,850.
(예 6-2)
화합물 (17-1) 을 예 6-1 에서 얻은 화합물 (17F-1) 로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.23 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17F-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (1F-1) 1.9 g (수율 90 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17F-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17F-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH2) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
화합물 (1F-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (1F-1) 의 수 평균 분자량:5210.
[예 7:화합물 (2A-1) 의 제조]
(예 7-1)
화합물 (15-1) 을 화합물 (10-1) 30.0 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 30.0 g 으로, CF2SO2Cl (와코 쥰야큐 공업사 제조) 의 양을 2.9 g 으로, 트리에틸아민의 양을 3.0 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-6 과 동일하게 하여, 화합물 (18-1) 31.0 g (수율 97 %) 을 얻었다.
화합물 (18-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (18-1) 의 수 평균 분자량:4,150.
(예 7-2)
수소화나트륨 (55 %/파라핀) 의 양을 0.25 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 10.0 g 으로, 화합물 (16-1) 을 예 7-1 에서 얻은 화합물 (18-1) 로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 의 양을 1.6 g 으로 변경하고, 반응 종료 후에 AK-225 로 희석하지 않는 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (19-1) 1.5 g (수율 14 %) 을 얻었다.
Figure pat00133
화합물 (19-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (19-1) 의 수 평균 분자량:4,360.
(예 7-3)
화합물 (17-1) 을 예 7-2 에서 얻은 화합물 (19-1) 1.0 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.40 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (19-1) 의 6 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (2A-1) 및 화합물 (19-1) 의 6 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (7) 1.1 g (수율 96 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (19-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 84 % 였다.
화합물 (2A-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (2A-1) 의 수 평균 분자량:5,010.
[예 8:화합물 (4-1) 의 제조]
(예 8-1)
화합물 (15-1) 을 화합물 (21-1) (싱크퀘스트 래버러토리즈 제조) 로, CF3SO2Cl (와코 쥰야큐 공업사 제조) 의 양을 4.0 g 으로, 트리에틸아민의 양을 4.5 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-6 과 동일하게 하여, 화합물 (22-1) 21.5 g (수율 98 %) 을 얻었다.
화합물 (22-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00138
단위수 x4 의 평균값:6, 화합물 (22-1) 의 수 평균 분자량:1,440.
(예 8-2)
수소화나트륨 (55 %/파라핀) 의 양을 0.05 g 으로, 화합물 (16-1) 을 예 8-1 에서 얻은 화합물 (22-1) 로, HOCH2C(CH2OCH2CH=CH2)3 의 양을 0.31 g 으로 변경하고, 반응 종료 후에 AK-225 로 희석하지 않는 것 이외에는 예 1-7 과 동일하게 하여, 화합물 (23-1) 2.1 g (수율 20 %) 을 얻었다.
화합물 (23-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x4 의 평균값:6, 화합물 (23-1) 의 수 평균 분자량:1,550.
(예 8-3)
화합물 (17-1) 을 예 8-2 에서 얻은 화합물 (23-1) 로, 백금 착물 용액의 양을 0.006 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.66 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.01 g 으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (23-1) 의 3 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (4-1) 및 화합물 (23-1) 의 3 개의 알릴기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (8) 2.1 g (수율 85 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (23-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 85 % 였다.
화합물 (4-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x4 의 평균값:6, 화합물 (4-1) 의 수 평균 분자량:1,920.
[예 9:화합물 (5-1) 의 제조]
(예 9-1)
100 ㎖ 의 2 구 가지형 플라스크에, 예 1-5 에서 얻은 화합물 (15-1) 20.0 g, 황산수소테트라부틸암모늄 0.21 g, BrCH2CH=CH2 1.76 g 및 30 % 수산화나트륨 수용액 2.6 g 을 첨가하고, 60 ℃ 에서 8 시간 교반하였다. 반응 종료 후, AC-2000 20 g 을 첨가하고, 희염산 수용액으로 1 회 세정하고, 유기상을 회수하였다. 회수한 유기상을 실리카 겔 칼럼에 통과시키고, 회수한 용액을 이배퍼레이터로 농축하고, 화합물 (24-1) 19.8 g (수율 98.2 %) 을 얻었다.
Figure pat00143
화합물 (24-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (24-1) 의 수 평균 분자량:4,250.
(예 9-2)
화합물 (17-1) 을 예 9-1 에서 얻은 화합물 (24-1) 5.0 g 으로, 백금 착물 용액의 양을 0.005 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.25 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.005 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 0.20 g 으로, 반응 시간을 4 시간으로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (24-1) 의 1 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (5-1) 및 화합물 (24-1) 의 1 개의 알릴기가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (9) 4.9 g (수율 95 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (24-1) 은 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 87 % 였다.
화합물 (5-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (5-1) 의 수 평균 분자량:4,370.
[예 10:화합물 (5-2) 의 제조]
(예 10-1)
화합물 (15-1) 을 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 52.0 g 으로, 황산수소테트라부틸암모늄의 양을 0.52 g 으로, BrCH2CH=CH2 의 양을 4.4 g 으로, 30 % 수산화나트륨 수용액의 양을 6.5 g 으로, AC-2000 의 양을 50 g 으로 변경한 것 이외에는 예 9-1 과 동일하게 하여, 화합물 (24-2) 52.4 g (수율 99.9 %) 을 얻었다.
화합물 (24-2) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00148
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (24-2) 의 수 평균 분자량:4,190.
(예 10-2)
화합물 (24-1) 을 예 10-1 에서 얻은 화합물 (24-2) 로 변경한 것 이외에는 예 9-2 와 동일하게 하여, 화합물 (24-2) 의 1 개의 알릴기가 하이드로실릴화된 화합물 (5-2) 및 화합물 (24-2) 의 1 개의 알릴기가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물로 이루어지는 조성물 (10) 4.8 g (수율 93 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (24-2) 는 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 85 % 였다.
화합물 (5-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (5-2) 의 수 평균 분자량:4,310.
[예 11:화합물 (1I-1) 의 제조]
(예 11-1)
국제 공개 제2013/121984호의 실시예 6 에 기재된 방법에 따라서, 화합물 (14I-1) 을 얻었다.
화합물 (14I-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (14I-1) 의 수 평균 분자량:4,700.
(예 11-2)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크에, 예 11-1 에서 얻은 화합물 (14I-1) 9.0 g 및 H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 0.45 g 을 넣고, 12 시간 교반하였다. NMR 로부터, 화합물 (14I-1) 이 모두 화합물 (17I-1) 로 변환되어 있는 것을 확인하였다. 또, 부생물인 메탄올이 생성되어 있었다. 얻어진 용액을 AE-3000 9.0 g 으로 희석하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:AE-3000) 로 정제하고, 화합물 (17I-1) 7.6 g (수율 84 %) 을 얻었다.
Figure pat00153
화합물 (17I-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (17I-1) 의 수 평균 분자량:4,800.
(예 11-3)
10 ㎖ 의 PFA 제 샘플관에, 예 11-2 에서 얻은 화합물 (17I-1) 6.0 g, 백금/1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물의 자일렌 용액 (백금 함유량:2 %) 0.07 g, HSi(OCH3)3 0.78 g, 디메틸술폭시드 0.02 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 0.49 g 을 넣고, 40 ℃ 에서 10 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용매 등을 감압 증류 제거하고, 1.0 ㎛ 공경의 멤브레인 필터로 여과하고, 화합물 (1I-1) 6.7 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (1I-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (1I-1) 의 수 평균 분자량:5,400.
[예 12:화합물 (1I-2) 의 제조]
(예 12-1)
H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 0.45 g 대신에, H2N-C(CH2CH=CH2)3 0.41 g 을 사용한 것 이외에는 예 11-2 와 동일하게 하여, 화합물 (17I-2) 7.5 g (수율 84 %) 을 얻었다.
화합물 (17I-2) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00158
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (17I-2) 의 수 평균 분자량:4,800.
(예 12-2)
화합물 (17I-1) 대신에, 예 12-1 에서 얻은 화합물 (17I-2) 를 사용한 것 이외에는 예 11-3 과 동일하게 하여, 화합물 (1I-2) 6.7 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (1I-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (1I-2) 의 수 평균 분자량:5,400.
[예 13:화합물 (1H-1) 의 제조]
(예 13-1)
J. Org. Chem., 제 64 권, 1999년, p. 2564-2566 에 기재된 방법에 따라서, 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 을 산화하여, 화합물 (13H-1) 을 얻었다.
화합물 (13H-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (13H-1) 의 수 평균 분자량:4,150.
(예 13-2)
50 ㎖ 가지형 플라스크에, 예 13-1 에서 얻은 화합물 (13H-1) 6.2 g 과 메탄올 20 ㎖ 를 넣고, 실온에서 12 시간 교반하였다. NMR 로부터, 화합물 (13H-1) 이 모두 화합물 (14H-1) 로 변환되어 있는 것을 확인하였다. 용매를 감압 증류 제거함으로써, 화합물 (14H-1) 6.2 g (수율 100 %) 을 얻었다.
Figure pat00163
화합물 (14H-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (14H-1) 의 수 평균 분자량:4,150.
(예 13-3)
화합물 (14I-1) 을 예 13-2 에서 얻은 화합물 (14H-1) 5.7 g 으로, H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 의 양을 0.26 g 으로 변경한 것 이외에는 예 11-2 와 동일하게 하여, 화합물 (17H-1) 4.8 g (수율 76 %) 을 얻었다.
화합물 (17H-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17H-1) 의 수 평균 분자량:4,250.
(예 13-4)
화합물 (17I-1) 을 예 13-3 에서 얻은 화합물 (17H-1) 3.5 g 으로, 백금 착물 용액의 양을 0.03 g 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.5 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.01 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 0.35 g 으로 변경한 것 이외에는 예 11-3 과 동일하게 하여, 화합물 (1H-1) 3.8 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (1H-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00168
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1H-1) 의 수 평균 분자량:4,600.
[예 14:화합물 (1H-2) 의 제조]
(예 14-1)
H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 0.26 g 대신에, H2N-C(CH2CH=CH2)3 0.24 g 을 사용한 것 이외에는 예 13-3 과 동일하게 하여, 화합물 (17H-2) 4.7 g (수율 80 %) 을 얻었다.
화합물 (17H-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17H-2) 의 수 평균 분자량:4,250.
(예 14-2)
화합물 (17H-1) 을 예 14-1 에서 얻은 화합물 (17H-2) 로 변경한 것 이외에는 예 13-4 와 동일하게 하여, 화합물 (1H-2) 3.8 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (1H-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1H-2) 의 수 평균 분자량:4,600.
[예 15:화합물 (1K-1) 의 제조]
(예 15-1)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크에, CF2=CFOCF2CF2CF2-C(O)OCH3 1.0 g 및 H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 0.55 g 을 넣고, 12 시간 교반하였다. NMR 로부터, CF2=CFOCF2CF2CF2-C(O)OCH3 이 모두 화합물 (30-1) 로 변환되어 있는 것을 확인하였다. 또, 부생물인 메탄올이 생성되어 있었다. 얻어진 용액을 AE-3000 6.0 g 으로 희석하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:AE-3000) 로 정제하고, 화합물 (30-1) 1.3 g (수율 84 %) 을 얻었다.
Figure pat00173
화합물 (30-1) 의 NMR 스펙트럼;
(예 15-2)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크에, 예 15-1 에서 얻은 화합물 (30-1) 1.0 g, 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 10 g, 48 질량% 수산화칼륨 수용액 2 g, (CH3)3COH 0.1 g 을 첨가하고, 60 ℃ 에서 5 시간 교반하였다. NMR 로 화합물 (11-1) 이 모두 화합물 (17K-1) 로 변환되어 있는 것을 확인하였다. 얻어진 용액에 1N 염산 20 g 을 첨가하고, 수층이 산성이 되어 있는 것을 확인한 후, 유기층을 분리하고, 용매를 증류 제거함으로써, 화합물 (17K-1) 11 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (17K-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17K-1) 의 수 평균 분자량:4,520.
(예 15-3)
화합물 (17I-1) 을 예 15-2 에서 얻은 화합물 (17K-1) 5 g 으로, 백금 착물 용액의 양을 0.5 ㎎ 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.5 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.01 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 0.2 g 으로 변경한 것 이외에는 예 11-3 과 동일하게 하여, 화합물 (1K-1) 5.4 g (수율 100 %) 을 얻었다.
화합물 (1K-1) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00178
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1K-1) 의 수 평균 분자량:4,950.
[예 16:화합물 (1G-1) 의 제조]
(예 16-1)
국제 공개 제2014/163004호의 실시예 4 에 기재된 방법에 따라서, 화합물 (14-1) 을 얻었다.
화합물 (14-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (14-1) 의 수 평균 분자량:4,230.
(예 16-2)
화합물 (14I-1) 을 예 16-1 에서 얻은 화합물 (14-1) 5.0 g 으로, H2N-CH2-C(CH2CH=CH2)3 의 양을 0.2 g 으로 변경한 것 이외에는 예 11-2 와 동일하게 하여, 화합물 (17G-1) 4.4 g (수율 85 %) 을 얻었다.
화합물 (17G-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17G-1) 의 수 평균 분자량:4,360.
(예 16-3)
화합물 (17I-1) 을 예 16-2 에서 얻은 화합물 (17G-1) 4 g 으로, 백금 착물 용액의 양을 0.4 ㎎ 으로, HSi(OCH3)3 의 양을 0.33 g 으로, 디메틸술폭시드의 양을 0.01 g 으로, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (토쿄 화성 공업사 제조) 의 양을 0.2 g 으로 변경한 것 이외에는 예 11-3 과 동일하게 하여, 화합물 (1G-1) 4.3 g (수율 100 %) 을 얻었다.
Figure pat00183
화합물 (1G-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1G-1) 의 수 평균 분자량:4,720.
[예 48:화합물 (1D-2) 의 제조]
(예 48-1)
50 ㎖ 의 3 구 플라스크 내에, 펜타에리트리톨 (칸토 화학사 제조) 3.0 g, 48 % NaOH 수용액 7.4 g, 디메틸술폭시드 10.8 g 을 넣었다. 60 ℃ 로 가열하고, 5-브로모-1-펜텐 (토쿄 화성 공업사 제조) 11.5 g 을 첨가하고, 4 시간 교반하였다. 희염산 수용액으로 1 회 세정하고, 시클로펜틸메틸에테르 (칸토 화학사 제조) 16 g 을 첨가하고, 유기상을 회수하였다. 회수한 용액을 이배퍼레이터로 농축하고, 미정제 생성물 6.1 g 을 얻었다. 미정제 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:헥산/아세트산에틸 = 90/10 (질량비)) 에 전개하여, HOCH2C(CH2OCH2CH2CH2CH=CH2)3 3.7 g (수율 49 %) 을 분취하였다.
(예 48-2)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크 내에, 예 48-1 에서 얻은 HOCH2C(CH2OCH2CH2CH2CH=CH2)3 3.0 g, AE-3000 9.0 g 및 2,6-루티딘 1.4 g 을 넣고, 질소 분위기하, 0 ℃ 에서 (CF3SO2)2O 3.8 g 을 적하하였다. 실온까지 승온하고 1 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 수세하여 유기상을 회수하고, 이배퍼레이터로 농축하였다. 이것을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:AE-3000) 로 정제하여 화합물 (20-2) 4.2 g (수율 99 %) 을 얻었다.
화합물 (20-2) 의 NMR 스펙트럼;
(예 48-3)
25 ㎖ 의 가지형 플라스크 내에, 예 1-5 에서 얻은 화합물 (15-1) 8.9 g, 예 48-2 에서 얻은 화합물 (20-2) 1.0 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 11 g 및 탄산세슘 1.4 g 을 넣고, 질소 분위기하, 80 ℃ 에서 8 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 수세하여 유기상을 회수하고, 이배퍼레이터로 농축하였다. 이것을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매:AE-3000, 이어서 AE-3000/아세트산에틸 = 9/1 (질량비)) 로 정제하여 화합물 (17D-2) 8.2 g (수율 85 %) 을 얻었다.
화합물 (17D-2) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00188
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17D-2) 의 수 평균 분자량:4,540.
(예 48-4)
화합물 (17-1) 을 예 48-3 에서 얻은 화합물 (17D-2) 로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17D-2) 의 3 개의 비닐기가 하이드로실릴화된 화합물 (1D-2) 2.1 g (수율 97 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17D-2) 는 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17D-2) 의 3 개의 비닐기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
화합물 (1D-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1D-2) 의 수 평균 분자량:4,900.
[예 49:화합물 (1E-2) 의 제조]
(예 49-1)
화합물 (15-1) 을 예 1-1 에서 얻은 화합물 (11-1) 8.8 g 으로 변경한 것 이외에는 예 48-3 과 동일하게 하여, 화합물 (17E-2) 7.9 g (수율 83 %) 을 얻었다.
화합물 (17E-1) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (17E-1) 의 수 평균 분자량:4,490.
(예 49-2)
화합물 (17D-2) 를 예 49-1 에서 얻은 화합물 (17E-2) 로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17E-2) 의 3 개의 비닐기가 하이드로실릴화된 화합물 (1E-2) 2.0 g (수율 92 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17E-2) 는 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17E-2) 의 3 개의 비닐기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
Figure pat00193
화합물 (1E-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x1 의 평균값:21, 단위수 x2 의 평균값:20, 화합물 (1E-2) 의 수 평균 분자량:4,850.
[예 50:화합물 (1F-2) 의 제조]
(예 50-1)
화합물 (15-1) 을 예 3-1 에서 얻은 화합물 (15C-1) 9.9 g 으로 변경한 것 이외에는 예 48-3 과 동일하게 하여, 화합물 (17F-2) 8.8 g (수율 83 %) 을 얻었다.
화합물 (17F-2) 의 NMR 스펙트럼;
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (17F-2) 의 수 평균 분자량:5,040.
(예 50-2)
화합물 (17D-2) 를 예 50-1 에서 얻은 화합물 (17F-2) 로 변경한 것 이외에는 예 1-8 과 동일하게 하여, 화합물 (17F-2) 의 3 개의 비닐기가 하이드로실릴화된 화합물 (1F-2) 2.1 (수율 98 %) 을 얻었다. 하이드로실릴화의 전화율은 100 % 이며, 화합물 (17F-2) 는 잔존하고 있지 않았다. 하이드로실릴화의 선택률은 100 % 이며, 화합물 (17F-2) 의 3 개의 비닐기의 일부 또는 전부가 이너 올레핀 (-CH=CHCH3) 으로 이성화한 부생물은 부생하지 않았다.
화합물 (1F-2) 의 NMR 스펙트럼;
Figure pat00198
단위수 x3 의 평균값:13, 화합물 (1F-1) 의 수 평균 분자량:5,400.
[예 17 ∼ 32 및 51 ∼ 53:물품의 제조 및 평가]
예 1 ∼ 16 및 48 ∼ 50 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물을 사용하여 기재의 표면 처리를 실시하고, 예 17 ∼ 32 및 51 ∼ 53 의 물품을 얻었다. 표면 처리 방법으로서, 각 예에 대해 하기의 드라이 코팅법 및 웨트 코팅법을 각각 이용하였다. 기재로는 화학 강화 유리를 사용하였다. 얻어진 물품에 대해서, 하기 방법으로 평가하였다. 결과를 표 1 ∼ 4 에 나타낸다.
(드라이 코팅법)
드라이 코팅은, 진공 증착 장치 (ULVAC 사 제조, VTR-350M) 를 사용하여 실시하였다 (진공 증착법). 예 1 ∼ 16 및 48 ∼ 50 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물의 0.5 g 을 진공 증착 장치 내의 몰리브덴제 보트에 충전하고, 진공 증착 장치 내를 1 × 10-3 ㎩ 이하로 배기하였다. 조성물을 배치한 보트를 승온 속도 10 ℃/분 이하의 속도로 가열하고, 수정 발진식 막두께계에 의한 증착 속도가 1 ㎚/초를 초과한 시점에서 셔터를 열어 기재의 표면에 대한 성막을 개시시켰다. 막두께가 약 50 ㎚ 가 된 시점에서 셔터를 닫아 기재의 표면에 대한 성막을 종료시켰다. 조성물이 퇴적된 기재를, 200 ℃ 에서 30 분간 가열 처리하고, AK-225 로 세정함으로써, 기재의 표면에 표면 처리층을 갖는 물품을 얻었다.
(웨트 코팅법)
예 1 ∼ 16 및 48 ∼ 50 에서 얻은 각 화합물 또는 조성물과, 액상 매체로서의 C4F9OC2H5 (3M 사 제조, 노벡크 (등록상표) 7200) 를 혼합하여, 고형분 농도 0.05 % 의 코팅액을 조제하였다. 코팅액에 기재를 딥핑하고, 30 분간 방치 후, 기재를 끌어올렸다 (딥 코트법). 도막을 200 ℃ 에서 30 분간 건조시키고, AK-225 로 세정함으로써, 기재의 표면에 표면 처리층을 갖는 물품을 얻었다.
(평가 방법)
<접촉각의 측정 방법>
표면층의 표면에 둔, 약 2 ㎕ 의 증류수 또는 n-헥사데칸의 접촉각을, 접촉각 측정 장치 (쿄와 계면 과학사 제조, DM-500) 를 사용하여 측정하였다. 표면층의 표면에 있어서의 상이한 5 개 지점에서 측정을 실시하고, 그 평균값을 산출하였다. 접촉각의 산출에는 2θ 법을 이용하였다.
<초기 접촉각>
표면층에 대해서, 초기 물 접촉각 및 초기 n-헥사데칸 접촉각을 상기 측정 방법으로 측정하였다. 평가 기준은 하기와 같다.
초기 물 접촉각:
◎ (우수):115 도 이상.
○ (양호):110 도 이상 115 도 미만.
△ (가능):100 도 이상 110 도 미만.
× (불가):100 도 미만.
초기 n-헥사데칸 접촉각:
◎ (우수):66 도 이상.
○ (양호):65 도 이상 66 도 미만.
△ (가능):63 도 이상 65 도 미만.
× (불가):63 도 미만.
<내마찰성>
표면층에 대해서, JIS L0849:2013 (ISO 105-X12:2001) 에 준거하여 왕복식 트래버스 시험기 (케이엔티사 제조) 를 사용하고, 스틸울 본스타 (#0000) 를 압력:98.07 ㎪, 속도:320 ㎝/분으로 1 만회 왕복시킨 후, 물 접촉각을 측정하였다. 마찰 후의 발수성 (물 접촉각) 의 저하가 작을수록 마찰에 의한 성능의 저하가 작고, 내마찰성이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우수):1 만회 왕복 후의 물 접촉각의 변화가 5 도 이하.
○ (양호):1 만회 왕복 후의 물 접촉각의 변화가 5 도 초과 10 도 이하.
△ (가능):1 만회 왕복 후의 물 접촉각의 변화가 10 도 초과 20 도 이하.
× (불가):1 만회 왕복 후의 물 접촉각의 변화가 20 도 초과.
<외관>
물품의 헤이즈를 헤이즈미터 (토요 정기사 제조) 로 측정하였다. 헤이즈가 작을수록 함불소 에테르 화합물이 균일하게 도포될 수 있어, 외관이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우수):헤이즈가 0.1 % 이하.
○ (양호):헤이즈가 0.1 % 초과 0.2 % 이하.
△ (가능):헤이즈가 0.2 % 초과 0.3 % 이하.
× (불가):헤이즈가 0.3 % 초과.
<지문 오염 제거성>
인공 지문액 (올레산과 스쿠알렌으로 이루어지는 액) 을, 실리콘 고무 마개의 평탄면에 부착시킨 후, 여분의 유분을 부직포 (아사히 화성사 제조, 벰코트 (등록상표) M-3) 로 닦아냄으로써, 지문의 스탬프를 준비하였다. 그 지문 스탬프를 표면층 상에 싣고, 하중:9.8 N 으로 10 초간 꽉 눌렀다. 지문이 부착된 지점의 헤이즈를 헤이즈미터로 측정하고, 초기값으로 하였다. 지문이 부착된 지점에 대해서, 티슈페이퍼를 장착한 왕복식 트래버스 시험기 (케이엔티사 제조) 를 사용하여, 하중:4.9 N 으로 닦아내기를 실시하였다. 닦아내기 1 왕복마다 헤이즈의 값을 측정하고, 헤이즈가 초기값으로부터 10 % 이하가 되는 닦아내기 횟수를 측정하였다. 닦아내기 횟수가 적을수록 지문 오염을 용이하게 제거할 수 있어, 지문 오염 닦아냄성이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우수):닦아내기 횟수가 3 회 이하.
○ (양호):닦아내기 횟수가 4 ∼ 5 회.
△ (가능):닦아내기 횟수가 6 ∼ 8 회.
× (불가):닦아내기 횟수가 9 회 이상.
<내광성>
표면층에 대하여, 탁상형 크세논 아크 램프식 촉진 내광성 시험기 (토요 정기사 제조, SUNTEST XLS+) 를 사용하여, 블랙 패널 온도:63 ℃ 에서, 광선 (650 W/㎡, 300 ∼ 700 ㎚) 을 500 시간 조사한 후, 물 접촉각을 측정하였다. 촉진 내광 시험 후의 물 접촉각의 저하가 작을수록 광에 의한 성능의 저하가 작고, 내광성이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우수):촉진 내광 시험 후의 물 접촉각의 변화가 5 도 이하.
○ (양호):촉진 내광 시험 후의 물 접촉각의 변화가 5 도 초과 10 도 이하.
△ (가능):촉진 내광 시험 후의 물 접촉각의 변화가 10 도 초과 20 도 이하.
× (불가):촉진 내광 시험 후의 물 접촉각의 변화가 20 도 초과.
<윤활성>
인공 피부 (이데미츠 테크노파인사 제조, PBZ13001) 에 대한 표면층의 동마찰 계수를, 하중 변동형 마찰 마모 시험 시스템 (신토 과학사 제조, HHS2000) 을 사용하여, 접촉 면적:3 ㎝ × 3 ㎝, 하중:0.98 N 의 조건으로 측정하였다. 동마찰 계수가 작을수록 윤활성이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우수):동마찰 계수가 0.3 이하.
○ (양호):동마찰 계수가 0.3 초과 0.4 이하.
△ (가능):동마찰 계수가 0.4 초과 0.5 이하.
× (불가):동마찰 계수가 0.5 초과.
일방의 말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 본 화합물 또는 본 화합물을 포함하는 조성물을 사용한 예 17 ∼ 22, 27 ∼ 32 및 51 ∼ 53 은, 발수발유성, 내마찰성, 외관, 지문 오염 제거성, 내광성 및 윤활성이 우수하였다.
양말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 화합물 (2A-1) 을 포함하는 조성물을 사용한 예 23 에서는, 내마찰성, 외관, 지문 오염 제거성 및 내광성이 떨어졌다. 지문 닦아냄성이 떨어지는 이유는, 미반응의 말단기가 표면 물성을 저하시키고 있기 때문인 것으로 생각된다. 외관 및 내마찰성이 떨어지는 이유는, 말단의 비불소 부분의 응집에 의한 균일성의 저하에 따른 것으로 생각된다. 내마찰성이 떨어지는 이유는, 양말단이 기재에 고정화되기 때문인 것으로 생각된다.
폴리(옥시퍼플루오로알킬렌) 사슬이 분기 구조를 갖는 화합물 (4-1) 을 포함하는 조성물을 사용한 예 24 에서는, 분기 구조를 갖는 것에 의한 분자 운동성의 저하에 의해 윤활성이 대폭 저하되고, 그것이 한 원인으로 내마찰성도 크게 저하된 것으로 생각된다.
일방의 말단에 가수 분해성 실릴기를 1 개 밖에 갖지 않는 화합물 (5-1) 또는 화합물 (5-2) 를 포함하는 조성물을 사용한 예 25, 26 에서는, 내마찰성 및 내광성이 떨어졌다.
[예 33 ∼ 47:물품의 제조 및 평가]
예 1-1 에서 단리된 화합물 (3A-1) 을 준비하였다.
예 2-3 에서 얻은 화합물 (1B-1) 을 포함하는 조성물을 정제하고, 화합물 (1B-1) 을 얻었다.
예 7-3 에서 얻은 화합물 (2A-1) 을 포함하는 조성물을 정제하고, 화합물 (2A-1) 을 얻었다.
표 5 에 나타내는 비율로 화합물 (1B-1), 화합물 (2A-1), 화합물 (3A-1) 을 혼합하여, 조성물을 조제하였다. 각 조성물을 사용하여, 상기 서술한 웨트 코팅법에 의해 물품을 제조하였다. 물품에 대해서, 접촉각의 측정, 그리고 내마찰성 및 윤활성의 평가를 실시하였다. 결과를 표 5 에 나타낸다.
Figure pat00203
예 33 ∼ 37 로부터, 일방의 말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 본 화합물에, 양말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 화합물 (2A-1) 을 첨가한 경우, 화합물 (2A-1) 의 비율이 40 질량% 미만이면, 표면층은 실용적인 성능을 갖는 것을 알 수 있었다. 화합물 (2A-1) 의 비율이 증가함에 따라서, 내마찰성 및 윤활성이 저하되는 경향이 보였다.
예 38 ∼ 42 로부터, 일방의 말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 본 화합물에, 양말단에 가수 분해성 실릴기를 갖지 않는 화합물 (3A-1) 을 첨가한 경우, 화합물 (3A-1) 의 비율이 40 질량% 미만이면, 표면층은 실용적인 성능을 갖는 것을 알 수 있었다. 화합물 (3A-1) 의 비율이 증가함에 따라서, 내마찰성이 저하되는 경향이 보였다.
예 43 ∼ 47 로부터, 일방의 말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 본 화합물에, 양말단에 가수 분해성 실릴기를 3 개 갖는 화합물 (2A-1) 및 양말단에 가수 분해성 실릴기를 갖지 않는 화합물 (3A-1) 을 동시에 첨가한 경우, 화합물 (2A-1) 및 화합물 (3A-1) 의 합계의 비율이 40 질량% 미만이면, 표면층은 실용적인 성능을 갖는 것을 알 수 있었다. 화합물 (2A-1) 및 화합물 (3A-1) 의 합계 비율이 증가함에 따라서, 내마찰성이 저하되는 경향이 보였다.
본 발명의 함불소 에테르 화합물은, 터치 패널의, 손가락으로 만지는 면을 구성하는 부재 등의 기재의 표면에 발수발유성을 부여하는 표면 처리에 적합하게 사용할 수 있다.
또한, 2015년 9월 1일에 출원된 일본 특허출원 2015-171986호의 명세서, 특허 청구의 범위 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.

Claims (19)

  1. 하기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물.
    A1-O-(Rf1O)m1-Q1-C(O)N(R1)-R11-C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 ⅴ…(1)
    단,
    A1 은 탄소수 1 ~ 20 의 퍼플루오로알킬기이고,
    Rf1 은 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고,
    m1 은 2 ~ 210 의 정수이고,
    (Rf1O)m1 은 2 종 이상의 Rf1O 로 이루어지는 것이어도 되고,
    Q1 은 단결합 또는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고,
    R1 은 수소 원자 또는 알킬기이고,
    R11 은 단결합, 알킬렌기, 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 말단 (단, C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 과 결합하는 측의 말단.) 및 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,
    R12 는 알킬렌기의 말단 (단, Si 와 결합하는 측의 말단을 제외한다.) 에 에테르성 산소 원자를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 기이고,
    R13 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기이고,
    X1 은, 알콕시기, 할로겐 원자, 아실기 또는 이소시아네이트기이고,
    n1 은 0 ~ 2 의 정수이고,
    3 개의 [-R12-SiR13 n1X1 3-n1] 은 전부 동일한 기가 아니어도 된다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물이, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물인 함불소 에테르 화합물.
    A1-O-(Rf5O)m5(RF1O)m10(Rf6O)m6-Q1-C(O)N(R1)-R11-C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 ⅴ…(1-1)
    단,
    A1, Q1, R1, R11, R12, R13, X1 및 n1 은, 상기 식 (1) 과 동일하고,
    RF1 은 분기 구조를 갖지 않는 퍼플루오로알킬렌기이고, m10 은 2 이상의 정수이고, (RF1O)m10 은 2 종 이상의 RF1O 로 이루어지는 것이어도 되고,
    Rf5 는 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m5 는 0 ~ 4 의 정수이고, m5 가 2 ~ 4 의 정수인 경우 (Rf5O)m5 는 2 종 이상의 Rf5O 로 이루어지는 것이어도 되고,
    Rf6 은 1 개 이상의 수소 원자를 포함하는 분기 구조를 갖지 않는 플루오로알킬렌기이고, m6 은 0 ~ 4 의 정수이고, m6 이 2 ~ 4 의 정수인 경우 (Rf6O)m6 은 2 종 이상의 Rf6O 로 이루어지는 것이어도 되고,
    m10+m5+m6=m1 이다.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 RF1 이 탄소수 1 ~ 6 의 퍼플루오로알킬렌기이고, Rf5, Rf6 이 각각 독립적으로, 탄소수 2 ~ 6 의 플루오로알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  4. 제 2 항에 있어서,
    Rf5, Rf6 이 각각 독립적으로, 수소 원자 수가 1 또는 2 의 플루오로알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 m6 은 0 이고 또한 Q1 은 플루오로알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 m10 이 5 이상인 함불소 에테르 화합물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 Q1 이 플루오로알킬렌기인 경우, 그 플루오로알킬렌기가 탄소수 1 ~ 6 의 퍼플루오로알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 R11 이, 단결합 또는 탄소수 1 ~ 4 의 알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 R11 이, 단결합 또는 탄소수 1 ~ 4 의 알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 R12 가 탄소 원자간에 에테르성 산소 원자를 갖는 탄소수 3 ~ 8 의 알킬렌기인 함불소 에테르 화합물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    수 평균 분자량이 500 ~ 20,000 인 함불소 에테르 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 함불소 에테르 화합물과,
    상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 이외의 함불소 에테르 화합물을 포함하는 함불소 에테르 조성물로서,
    상기 함불소 에테르 조성물 중의 상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계의 비율이, 함불소 에테르 조성물에 대하여 80 ~ 100 질량% 이고,
    상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물 및 다른 함불소 에테르 화합물의 합계에 대한 상기 다른 함불소 에테르 화합물의 비율이, 0 질량% 초과 40 질량% 미만인 것을 특징으로 하는 함불소 에테르 조성물.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 다른 함불소 에테르 화합물이, 하기 함불소 에테르 화합물 (2), 하기 함불소 에테르 화합물 (3) 및 하기 함불소 에테르 화합물 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 함불소 에테르 조성물.
    함불소 에테르 화합물 (2):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는 함불소 에테르 화합물.
    함불소 에테르 화합물 (3):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 A1 을 갖는 기가 상기 (Rf1O)m1 의 양측에 결합하고 있는 함불소 에테르 화합물.
    함불소 에테르 화합물 (4):상기 식 (1) 로 나타내는 함불소 에테르 화합물에 있어서, 상기 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3 이 -C[-R12-SiR13 n1X1 3-n1]3-t[-R15]t 로 치환되어 있는 (단, R15 는 HSiR13 n1X1 3-n1 을 부가하면 -R12-SiR13 n1X1 3-n1 이 되는 불포화 결합 함유기, 또는 그 불포화 결합 함유기의 이성체 기, t 는 1 ~ 3 의 정수.), 함불소 에테르 화합물.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 함불소 에테르 화합물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.
  15. 제 12 항에 기재된 함불소 에테르 조성물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.
  16. 제 13 항에 기재된 함불소 에테르 조성물과, 액상 매체를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액.
  17. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 함불소 에테르 화합물로부터 형성되는 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.
  18. 제 12 항에 기재된 함불소 에테르 조성물로부터 형성되는 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.
  19. 제 13 항에 기재된 함불소 에테르 조성물로부터 형성되는 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 물품.
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