JPWO2019039083A1 - 含フッ素化合物、組成物、コーティング液、および含フッ素化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

新規含フッ素化合物とその製造方法の提供。下式１で表される含フッ素化合物。［化１］ただし、Ｒ１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、Ｙ１は、加水分解性基またはＺであり、Ｒ４は、単結合、または、炭素数１〜６の直鎖あるいは分岐のアルキレン基であり、ｍは、１〜３の整数であり、Ｚは−Ｒ５ＳｉＲ２３−ｎＹ２ｎであり、Ｒ２は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、Ｙ２は、加水分解性基であり、Ｒ５は炭素数１〜６のアルキレン基であり、ｎは、１〜３の整数であり、Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、複数ある場合のＲ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｙ１、Ｙ２、ｍ、ｎおよびＲｆはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

Description

本発明は、含フッ素化合物、該含フッ素化合物を含有する組成物、該含フッ素化合物を含有するコーティング液、および該含フッ素化合物の製造方法に関する。

含フッ素化合物は、低摩擦性、撥水撥油性、低屈折率、低誘電率等を有するため、各種基材の表面に上記性質を付与するコーティング液に好適に用いられる。

このような含フッ素化合物としては、例えば、非特許文献１に記載されるＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｎＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３（ｎ＝３、５、７、９）のような、ペルフルオロアルキル基と加水分解性シリル基をそれぞれ１つずつ有する含フッ素シラン化合物が知られている。

また、上記含フッ素シラン化合物においてペルフルオロアルキル基に代えてペルフルオロポリエーテル基を有する化合物が知られている。ペルフルオロポリエーテル基を有する化合物としては、例えば、特許文献１に記載のＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＲ_３−ｎＸ_ｎ（Ｒはアルキル基、Ｘは加水分解可能な基、ｎは１、２、３を表す。）や、特許文献２に記載のＦ[ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２Ｏ]_ａ（ＣＦ_２）_ｂＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＲ_{（３−ｃ）}Ｃｌ_ｃ（Ｒは炭素原子数１〜６のアルキル基、ａは１〜７の整数、ｂは２〜８の整数、ｃは１〜３の整数を表す。）等が知られている。

特開平４−２３５９３４号公報 特開平５−１１２５８１号公報

Bulletin Chem.Soc.Jpn.66.1754-1758[Vol.66,No6 June,1993]

特許文献１、２および非特許文献１に記載の含フッ素化合物は加水分解性シリル基を１個有する化合物である。これらの技術では、含フッ素化合物と基材との密着性が不足となる場合があった。基材との密着性の向上のためには分子内の加水分解性シリル基の数を増やすことが考えられるが、合成が煩雑となりやすかった。
本発明は、基材との密着性の向上が期待できる、加水分解性シリル基を２個以上有する新規含フッ素化合物とその簡便な製造方法の提供を目的とする。

本発明は、以下の構成を要旨とする。
［１］下式１で表される含フッ素化合物。

ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
Ｙ^１は、加水分解性基またはＺであり、
Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
ｍは、１〜３の整数であり、
Ｚは−Ｒ^５ＳｉＲ^２ _３−ｎＹ^２ _ｎであり、
Ｒ^２は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
Ｙ^２は、加水分解性基であり、
Ｒ^５は、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
複数ある場合のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｙ^１、Ｙ^２、ｍ、ｎおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。

［２］前記Ｒｆが、エーテル性酸素原子を有していてもよいペルフルオロアルキル基である、［１］の含フッ素化合物。
［３］前記Ｒｆが下式２で表される基である、［１］の含フッ素化合物。
Ｒ^Ｆ１−（ＯＲ^ｆ１）_ｊ− ２
ただし、Ｒ^Ｆ１は、炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、
ｊは、２〜５００の整数であり、
複数の（ＯＲ^ｆ１）は、炭素数の異なる２種以上の（ＯＲ^ｆ１）からなるものであってもよい。
［４］前記Ｒ^ｆ１がペルフルオロアルキレン基である、［３］の含フッ素化合物。
［５］前記Ｙ^１が加水分解性基であり、前記Ｒ^４が単結合である、［１］〜［３］のいずれかの含フッ素化合物。

［６］前記［１］〜［５］のいずれかの含フッ素化合物を、組成物全量に対して、該化合物のガスクロマトグラフ法による純度が６０％以上となる割合で含む組成物。
［７］前記組成物が下式９で表される化合物を含む、［６］の組成物。

ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
ｍは、１〜３の整数であり、
Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
複数ある場合のＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、ｍおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
［８］前記［１］〜［５］のいずれかの含フッ素化合物または［６］もしくは［７］の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
［９］前記［１］〜［５］のいずれかの含フッ素化合物または［６］もしくは［７］の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
［１０］タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、［９］の物品。

［１１］前記［１］〜［５］のいずれかの含フッ素化合物または［６］もしくは［７］の組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、表面層を前記基材の表面に形成する、物品の製造方法。
［１２］ウェットコーティング法によって［８］のコーティング液を基材の表面に塗布し、液状媒体を除去して、表面層を前記基材の表面に形成する、物品の製造方法。
［１３］下式３で表される含ヨウ素化合物をカップリング反応させる、下式１１で表される含フッ素化合物の製造方法。

ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
ｍは、１〜３の整数であり、
Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
複数ある場合のＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、ｍおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
［１４］前記カップリング反応が、有機過酸化物および含水素有機化合物を用いるカップリング反応である、［１３］の製造方法。
［１５］ラジカル開始剤の存在下、下式４で表される含ヨウ素化合物と、下式５で表される含ケイ素化合物とを反応させる、下式３で表される含ヨウ素化合物の製造方法。

ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
ｍは、１〜３の整数であり、
Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
複数ある場合のＲ^１およびＹ^１１は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。

本発明によれば、新規含フッ素化合物およびその製造方法が提供される。

本発明における表現や用語の定義は、以下のとおりである。
式で表される化合物または基は、その式の番号を付した化合物または基として表記し、例えば、式１で表される化合物は、「化合物１」と記す。
「含フッ素化合物」とは、炭素原子に結合するフッ素原子を有する化合物を意味する。
「含ヨウ素化合物」とは、炭素原子に結合するヨウ素原子を有する化合物を意味する。
「含水素有機化合物」とは、炭素原子に結合する水素原子を有する化合物を意味する。
「含フッ素基」とは、炭素原子に結合するフッ素原子を有する基を意味する。

「エーテル性酸素原子」とは、炭素−炭素原子間においてエーテル結合を形成する酸素原子である。
「ポリフルオロ（ポリ）エーテル基」とは、ポリフルオロアルキル基において、エーテル性酸素原子を１つ有するポリフルオロエーテル基と、エーテル性酸素原子を複数有するポリフルオロポリエーテル基の総称である。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応することによってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基である。例えば、化合物１の−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１ _ｍである。
ラジカル開始剤の「１０時間半減期温度」とは、ベンゼン中０．１モル／リットルの濃度で１０時間後にラジカル開始剤の濃度が半分となる温度を意味し、ラジカル開始剤の適用温度を決めるための指標の１つである。
有機過酸化物の「１０時間半減期温度」とは、ベンゼン中０．１モル／リットルの濃度で１０時間後に有機過酸化物の濃度が半分となる温度を意味し、有機過酸化物の適用温度を決めるための指標の１つである。
「ガスクロマトグラフ法による純度」とは、ＦＩＤ検出器を備えたガスクロマトグラフで分析して得られたガスクロマトグラムのピーク面積から求めた純度［％］を意味する。

［含フッ素化合物］
本発明の含フッ素化合物は、化合物１である。化合物１は、隣接する２個の炭素原子（Ｃ−Ｃ）のそれぞれに、１個の水素原子が直接結合し、１個の加水分解性シリル基がＲ^４を介して結合し、さらに１個のＲｆで表される含フッ素基がメチレン基を介して、結合した構造を有する。

ただし、Ｒ^１は炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、Ｙ^１は加水分解性基またはＺであり、Ｒ^４は単結合または炭素数１〜６のアルキレン基であり、ｍは１〜３の整数であり、Ｚは−Ｒ^５ＳｉＲ^２ _３−ｎＹ^２ _ｎであり、Ｒ^２は炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、Ｙ^２は、加水分解性基であり、Ｒ^５は、炭素数１〜６のアルキレン基であり、ｎは１〜３の整数であり、Ｒｆは式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、複数ある場合のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｙ^１、Ｙ^２、ｍ、ｎおよびＲｆはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

化合物１は対称な構造を有することが好ましい。すなわち複数あるＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１、ｍおよびＲｆはそれぞれ同じであることが好ましい。特に複数あるシリル基は、製造の容易性、加水分解・縮合反応の均一性の観点から、同じであることが好ましい。
化合物１が有する含フッ素基（Ｒｆ）は、後述するシラノール基が関与する加水分解・縮合反応に関与せず表面層の表面（基材とは反対側の面）に存在する。これにより表面層の表面は、撥水性、撥油性、防汚性、低指紋付着性、指紋除去性、低摩擦性等の特性を有する。また化合物１はフッ素含有量が多いため、表面層が低屈折率、低誘電率となりやすく、反射防止材料や、電子部品、電子デバイスまたは電線被覆における絶縁材料として使用できる。

化合物１においては、加水分解性シリル基が隣接する２個の炭素原子にそれぞれ結合しているため、化合物１が基材に強固に密着しやすい。また化合物１は、２個の含フッ素基を有することから、表面層に含フッ素基が緻密に配向される。

化合物１、組成物またはコーティング液による表面処理においては、化合物１中の加水分解性シリル基が加水分解反応することによってシラノール基が形成され、該シラノール基が分子間で反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が形成され、または該シラノール基が基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）が形成される。すなわち、本発明における表面層は、化合物１を、化合物１の加水分解性シリル基の一部または全部が加水分解反応し、かつ脱水縮合反応した状態で含む。

Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基である。炭化水素基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、フェニル基が挙げられる。Ｒ^１としては、合成が簡便である点から、１価のアルキル基が好ましく、その炭素数は１〜３が好ましく、１〜２がより好ましい。

Ｙ^１は、加水分解性基またはＺである。Ｙ^１が加水分解性基の場合、加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、化合物１のＳｉ−Ｙ^１は、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）を形成する。

加水分解性基であるＹ^１としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基、イソシアナート基（−ＮＣＯ）が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、塩素原子が特に好ましい。

加水分解性基であるＹ^１としては、化合物１の製造をしやすい点から、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましい。加水分解性基であるＹ^１としては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物１の保存安定性に優れる点から、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、化合物１の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、塗布後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。

Ｚは−Ｒ^５ＳｉＲ^２ _３−ｎＹ^２ _ｎである。
Ｒ^２は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基である。Ｒ^２の好ましい形態は、Ｒ^１の好ましい形態と同様である。
Ｙ^２は、加水分解性基である。Ｙ^２の好ましい形態は、Ｙ^１が加水分解性基の場合の好ましい形態と同様である。
Ｒ^５は、炭素数１〜６のアルキレン基である。Ｒ^２としては、合成が簡便である点から、直鎖のアルキレン基が好ましく、その炭素数は２〜４が好ましく、３が特に好ましい。

ｍは１〜３の整数である。ｍは２または３が好ましく、３がより好ましい。基（−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１ _ｍ）中にＹ^１が複数存在することによって、基材の表面との結合がより強固になりやすい。ｍが２以上である場合、１分子中に存在する複数のＹ^１は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。原料を入手しやすく、製造が容易であるため、互いに同じであることが好ましい。

ｎは１〜３の整数である。ｎは２または３が好ましく、３がより好ましい。加水分解性シリル基（−ＳｉＲ^２ _３−ｎＹ^２ _ｎ）中にＹ^２が複数存在することによって、基材の表面との結合がより強固になりやすい。ｎが２以上である場合、１分子中に存在する複数のＹ^２は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。原料を入手しやすく、製造が容易であるため、互いに同じであることが好ましい。

基（−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１ _ｍ）が加水分解性シリル基である場合（Ｙ^１が加水分解性基である場合）、該基としては、−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、−ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２、−Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、−ＳｉＣｌ_３、−Ｓｉ（ＯＣ（Ｏ）ＣＨ_３）_３、−Ｓｉ（ＮＣＯ）_３が好ましい。工業的な製造における取扱いやすさの点から、−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３が特に好ましい。

基（−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１ _ｍ）においてＹ^１がＺである場合、−ＳｉＣＨ_３（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）_２、−ＳｉＣＨ_３（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２）_２、−Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）_３、−Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２）_３、−Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３）_３が好ましい。

Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基である。Ｒ^４としては、後述するカップリング反応の観点から、単結合または直鎖のアルキレン基が好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有してもよいポリフルオロアルキル基である。すなわちＲｆは、所定の式量を有するポリフルオロアルキル基またはポリフルオロ（ポリ）エーテル基である。化合物１における２個のＲｆは、同じであっても異なってもよい。製造の容易性、および後述する表面層の均一性の観点から、同じであることが好ましい。
Ｒｆの式量は、５１〜６０００が好ましく、６９〜１０００がより好ましい。Ｒｆの結合末端（メチレン基と結合する部位。すなわちシリル基側の結合部位。）は、ジフルオロメチレン基（−Ｆ_２Ｃ−）、または、トリフルオロメチルフルオロメチレン基（−（ＣＦ_３）ＦＣ−）であることが好ましい。
Ｒｆは、化学的な耐久性から、エーテル性酸素原子を有してもよいペルフルオロアルキル基であることが好ましい。Ｒｆが（エーテル性酸素原子を有しない）ペルフルオロアルキル基である場合、下記Ｒ^Ｆ１で表される炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基であることが好ましい。

Ｒｆは、化学的な耐久性、製造の容易さから、基２（ポリフルオロ（ポリ）エーテル基）であることが好ましい。
Ｒ^Ｆ１−（ＯＲ^ｆ１）_ｊ− ２
ただし、Ｒ^Ｆ１は、炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基であり、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、ｊは、２〜５００の整数であり、複数の（ＯＲ^ｆ１）は、炭素数の異なる２種以上の（ＯＲ^ｆ１）からなるものであってもよい。

Ｒ^Ｆ１は、炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基は直鎖が好ましい。表面層における潤滑性および耐摩擦性がさらに優れる点からは、炭素数１〜１０のペルフルオロアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基が特に好ましい。

具体的なＲ^Ｆ１としては、ＣＦ_３−、ＣＦ_３ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）−等が挙げられる。表面層における初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ＣＦ_３−、ＣＦ_３ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２−が好ましい。

Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基である。Ｒ^ｆ１の炭素数は、表面層の耐摩擦性および指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１〜６が好ましい。Ｒ^ｆ１としては、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましく、直鎖のペルフルオロアルキレン基がより好ましい。
全Ｒ^ｆ１のうちのペルフルオロアルキレン基の割合は、表面層の耐摩擦性および潤滑性がさらに優れる点から、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。

ｊは、２〜２００の整数が好ましく、５〜１５０の整数がより好ましく、１０〜１００の整数が特に好ましい。ｊが前記範囲の下限値以上であれば、表面層の撥水撥油性がさらに優れる。ｊが前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐摩擦性がさらに優れる。すなわち、化合物１の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量あたりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、表面層の耐摩擦性が低下する。

（ＯＲ^ｆ１）_ｊにおいて、２種以上のＯＲ^ｆ１が存在する場合、各ＯＲ^ｆ１の結合順序は限定されない。例えば、ＯＣＦ_２とＯＣＦ_２ＣＦ_２が存在する場合、ＯＣＦ_２とＯＣＦ_２ＣＦ_２がランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
２種以上のＯＲ^ｆ１が存在するとは、炭素数の異なる２種以上のＯＲ^ｆ１が存在すること、水素原子数が異なる２種以上のＯＲ^ｆ１が存在すること、水素原子の位置が異なる２種以上のＯＲ^ｆ１が存在すること、および炭素数が同一であっても側鎖の有無や側鎖の種類（側鎖の数や側鎖の炭素数等）が異なる２種以上のＯＲ^ｆ１が存在することをいう。
２種以上のＯＲ^ｆ１の配置については、例えば、｛（ＯＣＦ_２）_ｊ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ２｝で表される構造は、ｊ１個の（ＯＣＦ_２）とｊ２個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ３で表される構造は、ｊ３個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）とｊ３個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）とが交互に配置されていることを表す。

（ＯＲ^ｆ１）_ｊとしては、（ＯＲ^ｆ１）_ｊの少なくとも一部に下記の構造を有するものが好ましい。
｛（ＯＣＦ_２）_ｊ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ２｝、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ３、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ４、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ５、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ６（ＯＣＦ_２）_ｊ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ６（ＯＣＦ_２）_ｊ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８。
ただし、ｊ１は１以上の整数であり、ｊ２は１以上の整数であり、ｊ１＋ｊ２は２〜５００の整数であり、ｊ３およびｊ４は、それぞれ、２〜５００の整数であり、ｊ５は、１〜２５０の整数であり、ｊ６およびｊ７は、それぞれ１以上の整数であり、ｊ６＋ｊ７は、２〜５００の整数であり、ｊ８は、１〜２５０の整数である。

（ＯＲ^ｆ１）_ｊとしては、化合物１を製造しやすい点から、下記のものが好ましい。
｛（ＯＣＦ_２）_ｊ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ２｝、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_２｛（ＯＣＦ_２）_ｊ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ２−２｝、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ４、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ５−１ＯＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｊ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８−１ＯＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ８−１ＯＣＦ_２ＣＦ_２。
ただし、ｊ２−２、ｊ５−１およびｊ８−１が１以上の整数となるように、ｊ２、ｊ５およびｊ８の数は選択される。

Ｒｆは、炭素原子に結合した水素原子を有するポリフルオロアルキル基であってもよい。該ポリフルオロアルキル基としては、基６、基７が例示できる。
Ｒ^Ｆ２−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_ｒ１− ６
ただし、Ｒ^Ｆ２は、炭素数ｐ１の直鎖状のペルフルオロアルキル基であり、ｐ１は２〜６の整数であり、ｒ１は１以上の整数であり、ｐ１＋ｒ１は６以上の整数である。

基６として、具体的には、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_６−、ＣＦ_３ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_６−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_６−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_２−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＨ_２−（ＣＦ_２）_４−が挙げられる。

Ｒ^Ｆ３−（ＣＨ_２ＣＦ_２）_ｓ−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｔ− ７
ただし、Ｒ^Ｆ３は、炭素数ｐ２の直鎖状のペルフルオロアルキル基であり、ｐ２は２〜６の整数であり、−（ＣＨ_２ＣＦ_２）_ｓ−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｔ−は、ｓ個の−（ＣＨ_２ＣＦ_２）−単位と、ｔ個の−（ＣＦ_２ＣＦ_２）−単位が、記載された順序で連なった構造であり、ｓは１〜２０の整数であり、ｔは１〜１０の整数であり、ｐ２＋２ｓ＋２ｔは８以上の整数である。

基７として、具体的には、ＣＦ_３ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＦ_２−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_２−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＦ_２−ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−ＣＨ_２ＣＦ_２−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_３−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−（ＣＨ_２ＣＦ_２）_３−ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３−（ＣＨ_２ＣＦ_２）_３−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_３−、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５−ＣＨ_２ＣＦ_２−ＣＦ_２ＣＦ_２−が挙げられる。

化合物１の好ましい態様としては、−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１ _ｍが、−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３であり、Ｒ^４が、単結合であり、Ｒｆが、基２であって式量が５０〜１００００である態様が挙げられる。ただし、Ｒ^３は炭素数１〜４の直鎖アルキル基または炭素数３または４の分岐を有するアルキル基であり、炭素数１〜２の直鎖アルキル基が好ましい。

［化合物１１の製造方法］
本発明の製造方法は、含ヨウ素化合物３をカップリング反応させる、含フッ素化合物１１の製造方法である。
なお化合物１においてＹ^１が加水分解性基である場合には、化合物１１の製造方法は化合物１の製造方法となる。また化合物１においてＹ^１がＺである場合には、後述するように化合物１１をさらに反応させることにより化合物１が得られる。

ただし、Ｒ^１、Ｒ^４、ｍおよびＲｆは前述の通りであり、Ｙ^１１は、加水分解性基である。複数ある場合のＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、ｍおよびＲｆはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

カップリング反応は、脱ヨウ素カップリング反応である。このカップリング反応の方法は特に制限されない。例えば、有機過酸化物および含水素有機化合物を用いる方法、銅化合物を用いる方法等が挙げられる。
カップリング反応としては、有機過酸化物および含水素有機化合物を用いるカップリング反応（以下、「カップリング反応Ａ」ともいう。）が遷移金属類を用いることなく安価に反応できる点で好ましい。含水素有機化合物としては、基８を有する化合物（以下、「化合物８１」という。）が好ましい。
−ＣＨＲ^１１−ＣＨＲ^１２−ＣＨＲ^１３− ８
ただし、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を示す。

カップリング反応Ａは、以下のように進行すると想定される。まず、有機過酸化物が含水素有機化合物から水素原子を引き抜いてラジカルを生成する。次いで、含水素有機化合物由来のラジカルが化合物３からヨウ素原子を引き抜いて化合物３由来のラジカルを生成する。そして、化合物３由来のラジカル２分子が結合して化合物１１を生成する。
化合物３として、１種の化合物を用いると、対称な化合物１１（２つずつあるＲｆ、Ｒ^４、および−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１１ _ｍがそれぞれ同じ化合物）が得られる。化合物３として２種以上の化合物を用いると、非対称な化合物１１が得られる。
なおカップリング反応Ａにおいては、化合物３由来のラジカルに水素ラジカルが付加することにより、化合物９が副生する副反応が存在するので、該副反応を抑制することが好ましい。ただし、Ｒ^１、Ｒ^４、ｍ、ＲｆおよびＹ^１１は前述の通りである。

なお、カップリング反応において、得られる中間物質や副生物、目的物質は、^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^１９Ｆ−ＮＭＲの測定、ＦＴ−ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ、元素分析等の、一般的な方法により同定、確認できる。

含ヨウ素化合物３の製造方法は特に制限されない。例えば、ラジカル開始剤の存在下、含ヨウ素化合物４と含ケイ素化合物５とを反応させて含ヨウ素化合物３が製造できる。
Ｒｆ−Ｉ ４
ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ^４−ＳｉＲ^１ _３−ｍＹ^１１ _ｍ ５
ただし、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、Ｒｆおよびｍは前述の通りである。

化合物４と化合物５とを反応させる割合は、化合物４の１モルに対して、化合物５が０．８〜１０モルとなる割合が好ましく、１〜５モルとなる割合がより好ましい。上記割合とすることで、化合物４の反応率を高め、未反応の化合物５の量を抑制しやすいため好ましい。

ラジカル開始剤としては、例えば、過酸化物、アゾ化合物が挙げられる。過酸化物としては、例えば、ペルオキシケタール、ジアシルペルオキサイド、ペルオキシジカーボネート、ペルオキシエステル、ハイドロペルオキサイド、ジアルキルペルオキサイド、ケトンペルオキサイド、無機過酸化物、含フッ素過酸化物が挙げられる。アゾ化合物としては、例えば、アゾニトリル、アゾアミド、アゾアミジン、アゾイミダゾリンが挙げられる。

ラジカル開始剤の１０時間半減期温度は０〜１５０℃であることが好ましく、２０〜１００℃がより好ましく、３０〜８０℃がさらに好ましい。上記半減期温度が上記範囲内であれば、反応速度を制御しやすい。
ラジカル開始剤の添加量は、化合物４の１００モル％に対して０．００１〜２モル％が好ましく、０．０１〜１モル％がより好ましい。

含ヨウ素化合物３の製造の反応においては溶媒を用いることが好ましい。溶媒としては、有機溶媒が好ましく、含フッ素有機溶媒がより好ましい。含フッ素有機溶媒としては、以下に説明するカップリング反応Ａで用いられる溶媒と同様の溶媒を使用できる。溶媒量は、反応液の全量に対して、０〜９９．９質量％が好ましい。

含ヨウ素化合物３の製造の反応においては、ラジカル開始剤の分解温度を勘案して、効率的に反応させるために加熱することが好ましい。加熱温度としては、ラジカル開始剤の１０時間半減期温度をＴ^１℃とするとき、（Ｔ^１−１０）〜（Ｔ^１＋５０）℃が好ましく、Ｔ^１〜（Ｔ^１＋３０）℃がさらに好ましく、操作上の観点から、４０〜１２０℃が好ましい。上記温度範囲内であれば、化合物３の収率が高くなりやすい。
また、加熱時間は、１〜２４時間が好ましい。急激なラジカル開始剤の分解を避けるため、１時間以上であることが好ましく、生産性の観点から、２４時間以内であることが好ましい。

含ヨウ素化合物３の製造において、化合物４と化合物５を反応させて得られる反応液から、化合物３を通常の方法で精製して、カップリング反応に供することができる。化合物４と化合物５の反応率が高い場合には、精製せずにカップリング反応に供しても良い。この場合、化合物４と化合物５の反応率は、８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。

必要に応じて、得られた化合物３のＹ^１１を、異なる種類のＹ^１１に変換してから、カップリング反応に供してもよい。例えば、Ｙ^１１が、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである化合物４を用いて、Ｙ^１１が、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである化合物３を得た後、カップリング反応の前に化合物３のＹ^１１をＯＲ^３（Ｒ^３は上記のとおりである。）に変換した化合物３を得てからカップリング反応を行ってもよい。これにより、Ｙ^１１がＯＲ^３である化合物１１が得られる。

また、化合物３をカップリング反応に供し、化合物１１を得た後で、化合物１１のＹ^１１を、化合物３のＹ^１１と異なる種類のＹ^１１に変換してもよい。例えば、Ｙ^１１が、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである化合物４を用いて、Ｙ^１１がＣｌ、ＢｒまたはＩである化合物３を得て、次いでカップリング反応を行い、Ｙ^１１がＣｌ、ＢｒまたはＩである化合物１１を得た後、化合物１１のＹ^１１をＯＲ^３に変換して、Ｙ^１１がＯＲ^３である化合物１１を得てもよい。これにより、Ｙ^１１がＯＲ^３である化合物１１が得られる。

（有機過酸化物）
カップリング反応Ａに用いる有機過酸化物としては、例えば、ジアルキルペルオキサイド、ペルオキシケタール、ジアシルペルオキサイド、ジアルキルペルオキシジカーボネート、ペルオキシエステル、ペルオキシモノカーボネート、ビス（フルオロアシル）ペルオキシド、ビス（クロロフルオロアシル）ペルオキシド、ペルオキシエステルが挙げられる。

これらの有機過酸化物の具体例としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキサイド、ペルフルオロジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルペルオキサイド、ジクミルペルオキサイドなどのジアルキルペルオキサイド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシシクロヘキシル）プロパン、２，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）ブタンなどのペルオキシケタール、イソブチリルペルオキサイド、アセチルペルオキサイド、３，３，５−トリメチルヘキサノイルペルオキサイド、ラウロイルペルオキサイド、ベンゾイルペルオキサイド、（Ｑ（ＣＦ_２）_ｐＣＯＯ）_２（ここで、Ｑは水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、ｐは１〜１０の整数である。）などの含フッ素ジアシルペルオキサイド、ペルフルオロプロピルジアシルペルオキサイド、などのジアシルペルオキサイド、ジ−ｎ−プロピルペルオキシジカーボネート、ジイソプロピルペルオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルペルオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルペルオキシジカーボネート、ジ−メトキシブチルペルオキシジカーボネートなどのジアルキルペルオキシジカーボネート、クミルペルオキシネオデカネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシネオデカネート、ｔｅｒｔ−ヘキシルペルオキシネオデカネート、ｔｅｒｔ−アミルペルオキシネオデカネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシネオデカネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシネオオクタネ−ト、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシネオヘキサネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレ−ト、ｔｅｒｔ−ブチル−２−エチルヘキサネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシラウレート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキサネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシアセテートなどのペルオキシエステル、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシソプロピルモノカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシアリルモノカーボネートなどのペルオキシモノカーボネートが挙げられる。

有機過酸化物の１０時間半減期温度は、１０〜１５０℃が好ましく、１５〜１２０℃がより好ましく、２０〜８０℃がさらに好ましい。上記半減期温度が上記範囲内であれば、反応速度を制御しやすい。
有機過酸化物は、反応温度を制御しやすいため、ジイソプロピルペルオキシジカーボネートやｔｅｒｔ−ブチルペルオキシピバレ−トが好ましい。

カップリング反応Ａに用いる有機過酸化物の全モル数は、化合物３のヨウ素原子の全モル数に対して、０．０００５〜５倍であることが好ましい。上記範囲内であると、反応の転化率を調整しやすい。０．００５〜３倍がより好ましく、０．０５〜２倍がさらに好ましく、０．１〜１倍が特に好ましい。また、有機過酸化物の反応液中の濃度は、適度な反応速度に調整しやすいため、５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。有機過酸化物の添加量が多いほど、副反応を抑制しやすい。化合物３に由来するラジカルが速やかに発生し、化合物３に由来するラジカル同士の反応が促進され、副反応が抑制されやすいためと推定される。有機過酸化物の添加量は、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。

（含水素有機化合物８１）
含水素有機化合物８１は、基８を有する含水素有機化合物である。Ｒ^１１、Ｒ^１２およびＲ^１３はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基またはエチル基がより好ましい。

含水素有機化合物８１は基８を有する化合物であれば特に制限されず、エーテル性酸素原子や他の官能基を有する化合物であってもよい。含水素有機化合物８１としては、直鎖または分岐の鎖式飽和炭化水素（アルカン）、または置換基を有してもよい飽和の脂環式炭化水素が、取り扱いが容易で反応活性が高く、副反応を起こしにくい点で好ましい。含水素有機化合物８１の炭素数は、反応性が良好である点から、３〜１６が好ましく、４〜１２がより好ましい。

上記アルカンとしては、例えば、ｎ−ペンタン、２−メチルブタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルペンタン、２−メチルヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−ノナン、２，２，５−トリメチルヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、が挙げられる。

上記置換基を有してもよい飽和の脂環式炭化水素としては、例えば、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサンが挙げられる。

カップリング反応Ａに用いる含水素有機化合物８１の全モル数は、化合物３中の全ヨウ素原子の全モル数に対して、２〜５００倍であることが好ましい。含水素有機化合物８１の量が２倍以上であると化合物３におけるヨウ素を引き抜きやすく化合物１１の反応収率が向上しやすい。また含水素有機化合物８１の量が５００倍以下であるとフッ素含有の化合物３を溶解しやすく、化合物３の濃度が薄くなりにくい。５〜３００倍がより好ましく、１０〜１００倍がさらに好ましい。
（溶媒）
カップリング反応Ａにおいて、化合物３は、溶媒に溶解または分散させて処理されることが好ましい。溶媒としては、有機溶媒が挙げられ、含フッ素有機溶媒が好ましい。

含フッ素有機溶媒としては、例えば、ペルフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテルが挙げられる。
ペルフルオロカーボンとしては、例えば、ｎ−ペルフルオロヘキサン、ｎ−ペルフルオロヘプタン、ペルフルオロシクロブタン、ペルフルオロシクロヘキサン、ペルフルオロベンゼンが挙げられる。

ハイドロクロロフルオロカーボンとしては、例えば、２，２−ジクロロ−１，１，１−トリフルオロエタン、１，１−ジクロロ−１−フルオロエタン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパンが挙げられる。

ハイドロフルオロカーボンとしては、例えば、１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_３、ＣＦ_３ＣＨＦ（ＣＦ_２）_３Ｆ、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_４Ｈ、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＨＦ（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＦ_３（ＣＨＦ）_２（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＨＦ_２ＣＨＦ（ＣＦ_２）_３Ｆ、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_５Ｈ、ＣＦ_３ＣＨ（ＣＦ_３）（ＣＦ_２）_３Ｆ、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＨＦ（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）（ＣＨＦ）_２ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＨ（ＣＦ_３）ＣＨＦ（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＦ_３（ＣＦ_２）_３（ＣＨ_２）_２Ｈが挙げられる。

ハイドロフルオロエーテルとしては、例えば、ＣＦ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_２Ｈ、ＣＨＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_２Ｈ、ＣＨ_３Ｏ（ＣＦ_２）_４Ｈ、ＣＨ_３ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_３が挙げられる。

これらの中で反応基質であるフッ素含有の化合物３と添加する含水素有機化合物８１の両方が相溶する溶媒が好ましく、そのような溶媒としては、ハイドロクロロフルオロカーボンが好ましく、例えば、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパンが挙げられる。

（処理条件）
カップリング反応Ａにおいて、溶媒を用いる場合の化合物３の濃度は、反応液の全量に対して、０．１〜５０質量％が好ましい。生産性の観点から０．１質量％以上が好ましく、反応開始時の急激な発熱を防止する観点から５０質量％以下が好ましい。１〜３０質量％がより好ましい。化合物３の濃度が高いほうが化合物８の生成を抑制しやすい。化合物８の生成を抑制しやすいため、化合物３の濃度は、０．５質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましい。

溶媒を用いる場合の含水素有機化合物８１の濃度は、反応液の全量に対して、０．１〜５０質量％であることが好ましい。０．１質量％以上であると、適度な反応速度となりやすい。化合物３が含水素有機化合物８１と自由に混合可能な場合は、含水素有機化合物８１を、溶媒を兼ねて用いることも可能である。化合物３との相溶性を確保するという観点から含水素有機化合物８１の濃度は、５０質量％以下が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。

カップリング反応Ａは、有機過酸化物の分解温度を勘案して、効率的に処理するために加熱するのが好ましい。この際の加熱温度としては、有機過酸化物の１０時間半減期温度をＴ^２℃とするとき、Ｔ^２〜（Ｔ^２＋８０）℃が好ましく、（Ｔ^２＋１０）〜（Ｔ^２＋５０）℃がさらに好ましく、操作上の観点から、５０〜１５０℃が好ましい。加熱温度が高いほうが、副生成物の生成を抑制しやすい。有機過酸化物の分解が速やかに起こり、化合物３に由来するラジカルが発生しやすく、化合物３に由来するラジカル同士の反応が起こりやすくなるためと推定される。副生成物の生成を抑制しやすいため、加熱温度は５０℃以上が好ましく、５５℃以上がより好ましい。また、加熱時間は、１〜２４時間が好ましい。急激な有機過酸化物の分解を避けるため、１時間以上が好ましい。また、生産性の観点から、２４時間以内であることが好ましい。

有機過酸化物および含水素有機化合物を用いるカップリング反応Ａは、金属触媒を必要としない。したがって、この方法で得られた化合物１１は、ハイドロシリレーション反応に通常用いられる白金のような金属触媒を用いることなく安価に製造できる。
カップリング反応Ａにおいて、得られる化合物１１を含む反応液を、通常の方法で精製することで化合物１１を得てもよい。

化合物１においてＹ^１がＺである場合、化合物１１を得た後、Ｙ１１をさらに反応させることにより、Ｙ^１がＺである化合物１が得られる。例えばＺが−ＳｉＣＨ_３（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＣＨ_３（ＯＣＨ_３）_２）_２（化合物１−Ａ１）および−Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）_３（化合物１−Ｂ１）は、下記ルートで合成できる。

例えば具体的には、化合物１として化合物１−Ａを得る。これにグリニヤール試薬を反応させ、続いてヒドロシリル化を行えば化合物１−Ａ１が得られる。
化合物１−Ａとしてはアルキルジアルコキシシリル基（具体的にはメチルジメトキシシリル基）の代わりにアルキルジハロゲノシリル基（具体的にはメチルジクロロシリル基）であってもよい。また化合物１−Ｂとしてはトリアルコキシシリル基（具体的にはトリメトキシシリル基）の代わりにトリハロゲノシリル基（具体的にはトリクロロシリル基）であってもよい。
グリニヤール試薬としては、アリルマグネシウムクロリドやアリルマグネシウムブロミドが挙げられる。
ヒドロシリル化は、例えば塩化白金酸等の白金化合物触媒を用い、トリアルコキシシラン（上記の例ではトリメトキシシラン）を反応させればよい。
これらの反応は、例えば国際公開ＷＯ２０１４／０６９５９２、日本特許第６２９６２００号等に記載されている。

［組成物］
本発明の組成物は、化合物１を含む。なお、本発明の組成物は液状媒体を含有しない。
組成物は、化合物１以外の含フッ素化合物を含んでいてもよい。他の含フッ素化合物とは、化合物１の製造工程で副生する含フッ素化合物（以下、「副生含フッ素化合物」という。）、化合物１と同様の用途に用いられる公知の含フッ素化合物、未反応の原料などの製造上不可避の化合物が挙げられる。他の含フッ素化合物としては、化合物１の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。副生含フッ素化合物としては、前記化合物９が挙げられる。

また組成物は、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の、上記含フッ素化合物以外の公知の添加剤を含んでいてもよい。酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
上記添加剤の含有量は、本組成物のうち、０〜１０質量％が好ましく、０〜１質量％が特に好ましい。

カラム精製、高真空条件下での蒸留などの公知の精製方法で精製し、組成物における化合物１の含有量を上げられる。
上記組成物中の化合物１の含有量は、組成物全量に対する化合物１のガスクロマトグラフ法による純度として６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。上記組成物中の化合物１の含有量が上記範囲であれば、上記組成物を基材のコーティングに用いたときに撥水撥油性、低屈折率等の化合物１の特性が十分に発揮されやすい。

［コーティング液］
本発明のコーティング液は、化合物１または本発明の組成物と液状媒体とを含む。液状媒体とは、溶媒や分散媒を意味する。
上記コーティング液は、溶液でもよく分散液でもよい。均一な表面層が得られるため、溶液が好ましい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素有機溶媒であってもよく、非フッ素有機溶媒であってもよく、両方の溶媒を含んでもよい。

含フッ素有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４〜８の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣ_６Ｆ_１３Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、例えばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。

フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４〜１２の化合物が好ましい。市販品としては、例えばＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（旭硝子社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、例えばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、例えば２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
含フッ素有機溶媒としては、上記カップリング反応Ａで用いられる含フッ素有機溶媒を用いてもよい。

非フッ素有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素有機溶媒、アルコール、ケトン、エーテル、エステルが挙げられる。

炭化水素有機溶媒としては、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサン、トルエン、キシレンが好ましい。アルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノールが好ましい。ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンが好ましい。エーテルとしては、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテルが好ましい。エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチルが好ましい。非フッ素有機溶媒としては、化合物１の溶解性の点で、ケトンが好ましい。

化合物１または本発明の組成物の含有量は、本コーティング液のうち、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。
液状媒体の含有量は、本コーティング液のうち、９０〜９９．９９９質量％が好ましく、９９〜９９．９９質量％が特に好ましい。

［物品］
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、化合物１または本発明の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。
表面層は、化合物１を、化合物１の加水分解性シリル基の一部または全部が加水分解反応し、かつ脱水縮合反応した状態で含む。

表面層の厚さは、１〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ−Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、該干渉パターンの振動周期から算出できる。

基材は、撥水撥油性の付与が求められている基材であれば特に限定されない。基材の材料としては、ガラス、プラスチック、セラミック、石英、サファイヤ、金属、金属酸化物、紙、布、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ_２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材が好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。すなわち物品としては、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に表面層を有する物品が好ましい。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。

［物品の製造方法］
本物品は、例えば、下記の方法で製造できる。
・化合物１または本発明の組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、化合物１または本発明の組成物からなる表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によってコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、化合物１または本発明の組成物からなる表面層を基材の表面に形成する方法。

ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。化合物１の分解を抑える点、および装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄や鋼等の金属多孔体に化合物１または本発明の組成物を含浸させたペレット状物質を使用してもよい。

ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。例１〜８は実施例である。
実施例に用いた化合物の略号は以下のとおりである。また、ガスクロマトグラフィー分析は、以下の方法で行った。

（Ｒｆ基）

なお、（ＨＦＰＯ）_３−の式量は４５１であり、ＰＨＶＥ−の式量は４５１である。

（有機過酸化物）
ＩＰＰ：ジイソプロピルペルオキシジカーボネート
（ラジカル開始剤）
ＡＩＢＮ：２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）
（溶媒）
ＡＫ２２５Ｇ：１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＣｌＦ_２ＣＦ_２ＣＨＣｌＦ、アサヒクリンＡＫ２２５Ｇ（旭硝子社登録商標））

（ガスクロマトグラフ法（ＧＣ）分析）
ＦＩＤ検出器を備えたガスクロマトグラフ（ＧＣ−２０１０Ｐｌｕｓ、島津製作所）を用いた。試料注入部温度は１７０℃、ＦＩＤ検出器の温度は２５０℃で、カラムはＤＢ−１３０１、長さ６０ｍ、内径０．２５μｍ、膜厚１μｍ（アジレント・テクノロジー）を使用した。試料注入後、４０℃で５分保持した後、１０℃／分で昇温し、２４０℃で２５分保持した。ただし、例７においては、カラムにＤＢ−１、長さ６０ｍ、内径０．２５μｍ、膜厚１μｍ（アジレント・テクノロジー）を使用した。

［例１：化合物１−１の製造］

式中、Ｍｅは−ＣＨ_３を示す(以下同様。)。ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−基の式量は、２１９（小数点以下第一位を四捨五入、以下同様。）である。

以下に説明するとおり、化合物３−１を合成し、得られた化合物３−１を用いて化合物１−１を製造した。
ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−ＣＨ_２−ＣＨＩ−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ３−１

（化合物３−１の合成）
オートクレーブにｎ−Ｃ_４Ｆ_９−Ｉの９．００ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）、ビニルトリメトキシシラン（ＣＨ_２＝ＣＨＳｉ（ＯＣＨ_３）_３）の３．８６ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮの０．２１４ｇ（１．３０ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの４．９３ｇを仕込み、得られた反応前の混合液をＧＣ分析にかけた後、速やかにオートクレーブを密閉した。液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃として、窒素ガスを内圧が０．１ＭＰａＧ（Ｇはゲージ圧を表す。以下同様である。）になるように導入した。
次いで、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７５℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して一晩静置して、化合物３−１を含む反応液ａを得た。

ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−Ｉおよびビニルトリメトキシシランの反応率は、ＧＣを用いた分析により、反応後のそれぞれの化合物の面積のＡＫ２２５Ｇの面積に対する比率の、反応前のそれぞれの化合物の面積のＡＫ２２５Ｇの面積に対する比率に対する割合として算出した。ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−Ｉの反応率は９６．３％であり、ビニルトリメトキシシランの反応率は９８．７％であった。反応液ａの^１Ｈ−ＮＭＲを測定したところ、化合物３−１のピークが次のように現れた。^１Ｈ−ＮＭＲ：２．３４〜２．６１ｐｐｍ（ｍ）：１Ｈ、２．７５〜２．９８（ｍ）：１Ｈ、３．０４ｐｐｍ（ｓ）と３．０７ｐｐｍ（ｓ）の合計として１Ｈ、３．５７ｐｐｍ（ｓ）：９Ｈ。

（化合物１−１の製造）
オートクレーブに、反応液ａの６．００ｇ、ＩＰＰの１．７９ｇ（８．６７ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサンの１４．９５ｇ（１７３ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの３７．２７ｇを仕込んだ。上記反応において化合物３−１の収率が１００％であったと仮定したときの反応液ａ中の化合物３−１の濃度は、７．１４質量％であった。

反応前の混合液をＧＣ分析にかけた後、速やかにオートクレーブを密閉した。液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃として、窒素ガスを内圧が０．３ＭＰａＧになるように導入した。その後、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７０℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して一晩静置して化合物１−１を含む反応液Ａを得た。反応液ＡをＧＣ分析したところ、化合物３−１のピークは消失しており、後述の方法で化合物１−１と同定された生成物Ａと化合物９−１が含まれることが確認された。反応液Ａ中の生成物Ａ（化合物１−１）と化合物９−１の面積の比率は６４．６：３５．４であった。
ｎ−Ｃ_４Ｆ_９−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ９−１

ナスフラスコに、得られた反応液Ａと撹拌子を入れ、減圧下において４０℃で１時間、溶媒等の低沸点成分を留去した。ナスフラスコに残った成分（組成物Ａ）は２．４１ｇであった。組成物Ａにおける生成物Ａ（化合物１−１）のＧＣ純度は７５％であり、ＧＣ面積％を質量％と仮定して求めた生成物Ａ（化合物１−１）の収率は６０％であった。

組成物Ａから生成物Ａを分離し構造の特定を行った。生成物Ａについて、ＣＩ法によるマススペクトル測定では[Ｍ-ＯＣＨ_３]^＋に由来するｍ／ｚ＝７０３の明瞭なピークが観測され、ＣＩ法、ＥＩ法のマススペクトル測定及びＮＭＲ測定により、上記式１−１に示す構造であることが確認された。ＮＭＲ測定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^１Ｈ−^１３Ｃ ＨＭＱＣ法、^１Ｈ−^１３Ｃ ＨＭＢＣ法、および^１３Ｃ ＤＥＰＴ法を組み合わせて解析した。

^１Ｈ−ＮＭＲ：１．８４〜１．９８ｐｐｍ（ｍ）：２Ｈ、２．０６〜２．８０ｐｐｍ（ｍ）：４Ｈ、３．６９ｐｐｍ（ｓ）：１８Ｈ。

［例２］
例１においてＩＰＰ添加量を上記の３割（０．５３６ｇ）とし、添加するＡＫ２２５Ｇを３８．５２ｇに変えた以外は例１と同様に反応したところ、化合物３−１の反応率は６１．２％であった。反応により化合物１−１および含フッ素化合物９−１を得た。

［例３：化合物１−２の製造］

以下に説明するとおり、下記方法で、化合物３−２を合成し、得られた化合物３−２を用いて化合物１−２を製造した。
（ＨＦＰＯ）_３−ＣＨ_２−ＣＨＩ−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ３−２

（化合物３−２の合成）
オートクレーブに、Ｒｕｓｓｉａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｇｅｎｅｒａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，８１（９），１８２９−１８３３，（２０１１）に記載の方法で合成された（ＨＦＰＯ）_３−Ｉの９．００ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、ビニルトリメトキシシランの２．３１ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮの０．１２８ｇ（０．７７９ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの６．５６ｇを仕込み、得られた混合液をＧＣで分析した後、速やかにオートクレーブを密閉し、液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃として、窒素ガスを内圧が０．２ＭＰａＧになるように導入した。

次いで、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７５℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して一晩静置して、化合物３−２を含む反応液ｂを得た。例１と同様に反応率を算出した。（ＨＦＰＯ）_３−Ｉの反応率は、９８．２％であり、ビニルトリメトキシシランの反応率は、９７．９％であった。反応液ｂの^１Ｈ−ＮＭＲを測定したところ、化合物３−２のピークが次のように現れた。^１Ｈ−ＮＭＲ：２．５０〜２．７８ｐｐｍ（ｍ）：１Ｈ、２．８０〜３．１３（ｍ）：２Ｈ、３．６２ｐｐｎ（ｓ）：９Ｈ。

（化合物１−２の製造）
オートクレーブに、６．００ｇの反応液ｂ、ＩＰＰの１．０７ｇ（５．１９ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサンの８．９５（１０４ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの４３．９９ｇを仕込んだ。化合物３−２の収率が１００％と仮定したときの反応液ｂ中の化合物３−２の濃度は、６．２８質量％であった。

反応前の混合液をＧＣで分析した後、速やかにオートクレーブを密閉した。液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃として、窒素ガスを内圧が０．３ＭＰａＧになるように導入した。その後、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７０℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して一晩静置して化合物１−２を含む反応液Ｂを得た。得られた反応液ＢをＧＣで分析したところ、化合物３−２のピークは消失しており、後述の方法で化合物１−２と同定された生成物Ｂと化合物９−２が含まれることが確認された。反応液Ｂ中の生成物Ｂ（化合物１−２）と化合物９−２のＧＣ面積の比率は６９．９：３０．１であった。
（ＨＦＰＯ）_３−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ９−２

ナスフラスコに、得られた反応液Ｂと撹拌子を入れ、減圧下で４７℃、２時間、次いで７０℃、６時間、次いで１００℃、６時間加熱して、溶媒等の低沸点成分を留去し、化合物１−２を含む組成物Ｂを得た。ナスフラスコ中に得られた組成物Ｂは２．５１ｇであった。組成物Ｂにおける生成物Ｂ（化合物１−２）のＧＣ純度は８７％であり、ＧＣ面積％を質量％と仮定して求めた生成物Ｂ（化合物１−２）の収率は７０％であった。

組成物Ｂから生成物Ｂを分離し構造の特定を行った。生成物Ｂについて、ＣＩ法によるマススペクトル測定では[Ｍ-ＯＣＨ_３]^＋に由来するｍ／ｚ＝１１６７の明瞭なピークが観測され、ＣＩ法、ＥＩ法のマススペクトル測定及びＮＭＲ測定により、上記式１−２に示す構造であることが確認された。ＮＭＲ測定は、^１Ｈ−ＮＭＲ、^１３Ｃ−ＮＭＲ、^１Ｈ−^１３Ｃ ＨＭＱＣ法、^１Ｈ−^１３Ｃ ＨＭＢＣ法、および^１３Ｃ ＤＥＰＴ法を組み合わせて解析した。
^１Ｈ−ＮＭＲ：１．７８〜２．１２ｐｐｍ（ｍ）：２Ｈ、２．２１〜３．２４ｐｐｍ（ｍ）：４Ｈ、３．８５ｐｐｍと３．８７ｐｐｍのピークの合計：１８Ｈ。

［例４：化合物１−３の製造］

以下に説明するとおり、下記の方法で、化合物３−３を合成し、得られた化合物３−３を用いて化合物１−３を製造した。
ＰＨＶＥ−ＣＨ_２−ＣＨＩ−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ３−３

（化合物３−３の合成）
オートクレーブに、特開平４−２３５９３４に記載の方法で合成されたＰＨＶＥ−Ｉの０．９００ｇ（１．５６ｍｍｏｌ）、ビニルトリメトキシシランの０．２３１ｇ（１．５６ｍｍｏｌ）、ＩＰＰの０．０６４２ｇ（０．３１１ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの１６．８１ｇを仕込み、得られた混合液をＧＣで分析した後、速やかにオートクレーブを密閉し、液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃とし、窒素ガスを内圧が０．１ＭＰａＧになるように導入した。

次いで、オートクレーブを水浴中で、内温４５℃で１時間、５０℃で２時間、６０℃で２時間、撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して、常温とした後開封し、一晩静置して、化合物３−３を含む反応液ｃを得た。例１と同様にして、各成分の反応率を算出した。ＰＨＶＥ−Ｉの反応率は９７．８％であり、ビニルトリメトキシシランの反応率は９７．３％であった。反応液ｃの^１Ｈ−ＮＭＲを測定したところ、化合物３−３のピークが次のように現れた。^１Ｈ−ＮＭＲ：２．３５〜２．６４ｐｐｍ（ｍ）：１Ｈ、２．７９〜３．０２（ｍ）：１Ｈ、３．１１ｐｐｍ（ｓ）と３．１４ｐｐｍ（ｓ）の合計として１Ｈ、３．６５ｐｐｍ（ｓ）：９Ｈ。

（化合物１−３の製造）
オートクレーブに、反応液ｃの１０．８ｇ、ＩＰＰの０．１９３ｇ（０．９３４ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサンの１．６１ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの５．４０ｇを仕込んだ。化合物３−３の収率が１００％と仮定したときの反応液ｃ中の化合物３−３の濃度は、３．７７質量％であった。

反応前の混合液をＧＣで分析した後、速やかにオートクレーブを密閉した。液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃とし、窒素ガスを内圧が０．３ＭＰａＧになるように導入した。次いで、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７０℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して、化合物１−３を含む反応液Ｃを得た。

得られた反応液ＣをＧＣ分析したところ、化合物３−３のピークは消失しており、後述の方法で化合物１−３と同定された生成物Ｃと化合物９−３が含まれることが確認された。反応液Ｃ中の生成物Ｃ（化合物１−３）と化合物９−３のＧＣ面積の比率は７５．１：２４．９であった。
ＰＨＶＥ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３ ９−３
反応液Ｃから生成物Ｃを分離し構造の特定を行った。生成物Ｃについて、ＣＩ法によるマススペクトル測定では[Ｍ-ＯＣＨ_３]^＋に由来するｍ／ｚ＝１１６７の明瞭なピークと［Ｍ−Ｆ］^＋に由来するｍ／ｚ＝１１７９の弱いピークが観測され、マススペクトルにより、上記式１−３に示す構造であることが確認された。

［例５］
下記条件とする他は例４と同様にして、下記の方法で、化合物３−３を合成し、得られた化合物３−３を用いて化合物１−３を製造した。

（化合物３−３の合成）
オートクレーブにＰＨＶＥ−Ｉの１．８０ｇ（３．１１ｍｍｏｌ）、ビニルトリメトキシシランの０．４６２ｇ（３．１１ｍｍｏｌ）、ＩＰＰの０．０６４２ｇ（０．３１１ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの３３．６７ｇを仕込み、得られた混合液をＧＣ分析にかけた後、速やかにオートクレーブを密閉し、液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃とし、窒素ガスを内圧が０．１ＭＰａＧになるように導入した。

次いで、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温５０℃で２時間、６０℃で２時間、７０℃で２時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して常温に戻した後、化合物３−３を含む反応液ｄを得た。反応液ｄをＧＣで分析して例１と同様にして反応率を算出した。ＰＨＶＥ−Ｉの反応率は９３．３％であり、ビニルトリメトキシシランの反応率は、９９．６％であった。反応液ｄのＧＣ分析において、化合物３−３のピークが例４と同じ保持時間のところに現れた。

（化合物１−３の製造）
オートクレーブに、反応液ｄの１．８０ｇ、ＩＰＰの０．０３２１ｇ（０．１５６ｍｍｏｌ）、ｎ−ヘキサンの０．２６８ｇ（３．１１ｍｍｏｌ）、ＡＫ２２５Ｇの１５．９０ｇを仕込んだ。化合物３−３の収率が１００％と仮定したときの反応液ｄにおける化合物３−３の濃度は、０．６３質量％であった。同様の仮定をしたときの化合物３−３／ＩＰＰ／ｎ−ヘキサンのモル比は１／１／２０であった。反応前の混合液をＧＣ分析にかけた後、速やかにオートクレーブを密閉した。液体窒素を用いて凍結脱気を２回繰り返した。オートクレーブの内温を約０℃として、窒素ガスを内圧が０．３ＭＰａＧになるように導入した。

その後、オートクレーブを水浴中で昇温し、内温７０℃で７時間撹拌した。オートクレーブを水浴から取り出して常温として化合物１−３を含む反応液Ｄを得た。反応液ＤをＧＣで分析して、例１と同様にして反応率を算出した。化合物３−３の反応率は、８９．９％であり、化合物１−３と化合物９−３のＧＣ面積の比率は６５．６：３４．４であった。

［例６］
例５で得られた反応液ｄを用いた。例５と同様の仮定をしたときの化合物３−３／ＩＰＰ／ｎ−ヘキサンのモル比を１／０．２／２０に変更した以外は例５と同様に反応を行った。化合物３−３の反応率は、１０．４％であった。化合物１−３化合物９−３のＧＣ面積の比率は５３．２：４６．８であった。

［例７］
例５において、ｎ−ヘキサンをイソヘキサンに変更した以外は同様にして反応を行ったところ、化合物３−３の反応率は、８３．３％であり、化合物１−３と化合物９−３のＧＣ面積の比率は６６．０：３４．０であった。

［例８］
例５において、反応温度と時間を５０℃、２時間、次いで６０℃、２時間、次いで７０℃、２時間に変更した以外は例５と同様にして反応を行ったところ、化合物３−３の反応率は、９６．４％であり、化合物１−３と化合物９−３のＧＣ面積の比率は５６．８：４３．２であった。

以上のように簡便に１分子あたり加水分解性シリル基を２個以上有する含フッ素化合物を合成できた。

本発明の含フッ素化合物は、潤滑性や撥水撥油性の付与が求められている各種の用途に用いることができる。例えばタッチパネル等の表示入力装置、透明なガラス製または透明なプラスチック製部材の表面保護コート、メガネレンズ、カメラレンズ、胃カメラ等の医療機器、複写機、キッチン用防汚コート、電子機器、熱交換器、電池等の撥水防湿コートや防汚コート、トイレタリー用防汚コート、導通しながら撥液が必要な部材へのコート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート等に用いることができる。より具体的な使用例としては、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ等の前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの、カーナビゲーション、カーオーディオ、タブレットＰＣ、スマートフォン、ウェアラブル端末、デジタルカメラ、ポータブルオーディオプレーヤー、携帯電話、携帯情報端末等の機器のタッチパネルシートやタッチパネルディスプレイ等人の指あるいは手のひらで画面上の操作を行う表示入力装置を有する各種機器、トイレ、風呂、洗面所、キッチン等の水周りの装飾建材、配線板用防水コーティング熱交換機の撥水・防水コート、太陽電池の撥水コート、プリント配線板の防水・撥水コート、電子機器筐体や電子部品用の防水・撥水コート、送電線の絶縁性向上コート、各種フィルタの防水・撥水コート、電波吸収材や吸音材の防水性コート、風呂、厨房機器、トイレタリー用防汚コート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート、機械部品、真空機器部品、ベアリング部品、自動車部品、工具等の表面保護コート等が挙げられる。
なお、２０１７年０８月２２日に出願された日本特許出願２０１７−１５９２２５号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (15)

1. 下式１で表される含フッ素化合物。
   

   

   ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
   Ｙ^１は、加水分解性基またはＺであり、
   Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
   ｍは、１〜３の整数であり、
   Ｚは−Ｒ^５ＳｉＲ^２ _３−ｎＹ^２ _ｎであり、
   Ｒ^２は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
   Ｙ^２は、加水分解性基であり、
   Ｒ^５は、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
   ｎは、１〜３の整数であり、
   Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
   複数ある場合のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｙ^１、Ｙ^２、ｍ、ｎおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
2. 前記Ｒｆが、エーテル性酸素原子を有していてもよいペルフルオロアルキル基である、請求項１に記載の含フッ素化合物。
3. 前記Ｒｆが下式２で表される基である、請求項１に記載の含フッ素化合物。
   Ｒ^Ｆ１−（ＯＲ^ｆ１）_ｊ− ２
   ただし、Ｒ^Ｆ１は、炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基であり、
   Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、
   ｊは、２〜５００の整数であり、
   複数の（ＯＲ^ｆ１）は、炭素数の異なる２種以上の（ＯＲ^ｆ１）からなるものであってもよい。
4. 前記Ｒ^ｆ１がペルフルオロアルキレン基である、請求項３に記載の含フッ素化合物。
5. 前記Ｙ^１が加水分解性基であり、前記Ｒ^４が単結合である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の含フッ素化合物。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の含フッ素化合物を、組成物全量に対して、該化合物のガスクロマトグラフ法による純度が６０％以上となる割合で含む組成物。
7. 前記組成物が下式９で表される化合物を含む、請求項６に記載の組成物。
   

   

   ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
   Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
   Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
   ｍは、１〜３の整数であり、
   Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
   複数ある場合のＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、ｍおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
8. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の含フッ素化合物または請求項６もしくは７に記載の組成物と、液状媒体とを含む、コーティング液。
9. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の含フッ素化合物または請求項６もしくは７に記載の組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
10. タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、請求項９に記載の物品。
11. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の含フッ素化合物または請求項６もしくは７に記載の組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、表面層を前記基材の表面に形成する、物品の製造方法。
12. ウェットコーティング法によって請求項８に記載のコーティング液を基材の表面に塗布し、液状媒体を除去して、表面層を前記基材の表面に形成する、物品の製造方法。
13. 下式３で表される含ヨウ素化合物をカップリング反応させる、下式１１で表される含フッ素化合物の製造方法。
    

    

    ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
    Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
    Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
    ｍは、１〜３の整数であり、
    Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
    複数ある場合のＲ^１、Ｒ^４、Ｙ^１１、ｍおよびＲｆは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
14. 前記カップリング反応が、有機過酸化物および含水素有機化合物を用いるカップリング反応である、請求項１３に記載の製造方法。
15. ラジカル開始剤の存在下、下式４で表される含ヨウ素化合物と、下式５で表される含ケイ素化合物とを反応させる、下式３で表される含ヨウ素化合物の製造方法。
    

    

    ただし、Ｒ^１は、炭素数１〜６の１価の炭化水素基であり、
    Ｙ^１１は、加水分解性基であり、
    Ｒ^４は、単結合、または、炭素数１〜６のアルキレン基であり、
    ｍは、１〜３の整数であり、
    Ｒｆは、式量５０〜１００００のエーテル性酸素原子を有していてもよいポリフルオロアルキル基であり、
    複数ある場合のＲ^１およびＹ^１１は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。