KR20230153338A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR20230153338A
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KR
South Korea
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area
display unit
semiconductor device
scan line
unit
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KR1020230144478A
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Inventor
고우헤이 도요타카
유지 이와키
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Publication date
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Abstract

본 발명은 소비 전력이 저감된 반도체 장치를 제공한다.
상기 반도체 장치는 가동부, 복수의 주사선 구동 회로, 및 제어부를 구비하고, 가동부는 복수의 주사선 구동 회로 각각에 의하여 구동되는 복수의 영역을 구비하고, 복수의 주사선 구동 회로의 하나와, 이와 인접하여 배치된 복수의 주사선 구동 회로의 다른 하나는 스위치를 통하여 전기적으로 접속되고, 제어부는 복수의 주사선 구동 회로 중에서 선택되는 하나의 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급할 수 있는 기능을 갖고, 가동부는 복수의 영역 각각의 사이에서 접을 수 있는 반도체 장치이다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명의 일 형태는 물건, 공정(방법 및 제조 방법을 포함함), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 특히 본 발명의 일 형태는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 이들의 구동 방법, 이들의 제어 방법(프로그램을 포함함), 또는 이들의 제조 방법 등에 관한 것이다.
또한, 본 명세서에서 반도체 장치의 범주에는, 반도체의 전자 공학적 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 모두가 포함된다. 예를 들어, 반도체 회로는 반도체 장치에 포함된다. 또한, 전기 광학 장치, 표시 장치, 전기 기기 등은 반도체 장치를 갖는 경우가 있다.
정보 전달 수단과 관련된 사회 기반이 충실해지고 있다. 이에 따라, 직장이나 집에서뿐만 아니라 밖에 나가서도 정보 처리 장치를 이용하여 다양하고 윤택한 정보를 취득, 가공, 또는 발신할 수 있게 되었다.
이러한 배경에서 휴대 가능한 정보 처리 장치가 활발히 개발되고 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는 휴대할 때는 접을 수 있고 사용할 때는 크게 펼칠 수 있는 반도체 장치가 개시(開示)되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는 표시부를 접을 수 있는 표시 장치가 개시되어 있다.
일본국 특개2003-195973호 공보 일본국 특개2014-035496호 공보
반도체 장치의 성능을 평가하는 데에 소비 전력이 낮은 것은 중요한 요소 중 하나이다. 특히 휴대용 전자 기기 등의 반도체 장치는 소비 전력이 높을수록 연속 사용 가능 시간이 짧아지기 때문에, 소비 전력의 저감이 요구된다. 그래서, 본 발명의 일 형태는 소비 전력이 저감된 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또는, 휴대성(portability)이 우수한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는, 신규 반도체 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
다만, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 이러한 과제의 모두를 해결할 필요는 없다. 또한, 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 특허청구범위 등('명세서 등'이라고도 표기함)의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서 등의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치는 접을 수 있는 가동부를 구비하고, 가동부의 하나의 영역을 동작시키고 다른 하나의 영역의 동작을 선택적으로 정지할 수 있는 기능을 갖는다. 선택적으로 동작을 정지하는 영역은 대표적으로는, 반도체 장치를 접은 상태에서 사용자가 시인할 수 없는 영역으로 할 수 있다. 가동부의 하나의 영역의 동작을 선택적으로 정지함으로써, 소비 전력을 저감할 수 있다. 더 구체적으로는, 예를 들어 아래의 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 가동부, 복수의 주사선 구동 회로, 및 제어부를 구비하고, 가동부는 복수의 주사선 구동 회로에 의하여 각각 구동되는 복수의 영역을 구비하고, 복수의 주사선 구동 회로의 하나와, 이와 인접하여 배치된 복수의 주사선 구동 회로의 다른 하나는 스위치를 통하여 전기적으로 접속되고, 제어부는 복수의 주사선 구동 회로 중에서 선택되는 하나의 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급할 수 있는 기능을 갖고, 가동부는 복수의 영역 각각의 사이에서 접을 수 있는, 반도체 장치이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 가동부, 제 1 주사선 구동 회로, 제 2 주사선 구동 회로, 및 제어부를 구비하고, 가동부는 제 1 영역 및 제 2 영역을 구비하고, 제 1 영역은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비하고, 제 2 영역은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비하고, 제 1 주사선 구동 회로는 제 1 단~제 k 단(k는 2 이상의 정수)의 시프트 레지스터를 구비하고, 제 2 주사선 구동 회로는 제 (k+1) 단~제 h 단(h는 4 이상의 정수. 다만, (k+1)<h)의 시프트 레지스터를 구비하고, 제 k 단의 시프트 레지스터와 제 (k+1) 단의 시프트 레지스터는 스위치를 통하여 접속되고, 제 1 주사선 구동 회로는 제 1 영역에 포함되는 복수의 트랜지스터를 구동할 수 있는 기능을 갖고, 제 2 주사선 구동 회로는 제 2 영역에 포함되는 복수의 트랜지스터를 구동할 수 있는 기능을 갖고, 제어부는 제 1 주사선 구동 회로 및 제 2 주사선 구동 회로 중 어느 하나에 스타트 펄스를 공급할 수 있는 기능을 갖고, 가동부는 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 접을 수 있는, 반도체 장치이다.
상기 반도체 장치에 있어서, 제어부는 스위치를 온 상태로 하여 제 1 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급하는 기능과, 스위치를 오프 상태로 하여 제 2 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급하는 기능을 가지면 좋다.
또한, 상기 반도체 장치에서, 제어부는 스위치를 온 상태로 하여 제 (k+2) 단~제 (h-1) 단의 시프트 레지스터 중 어느 하나에 리셋 신호를 공급할 수 있는 기능을 가져도 좋다.
또한, 본 발명의 일 형태는 가동부, 제 1 주사선 구동 회로, 제 2 주사선 구동 회로, 제 3 주사선 구동 회로, 및 제어부를 구비하고, 가동부는 제 1 영역, 제 2 영역, 및 제 3 영역을 구비하고, 제 1 영역은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비하고, 제 2 영역은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비하고, 제 3 영역은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비하고, 제 1 주사선 구동 회로는 제 1 단~제 k 단(k는 2 이상의 정수)의 시프트 레지스터를 구비하고, 제 2 주사선 구동 회로는 제 (k+1) 단~제 h 단(h는 4 이상의 정수. 다만, (k+1)<h)의 시프트 레지스터를 구비하고, 제 3 주사선 구동 회로는 제 (h+1) 단~제 t 단(t는 6 이상의 정수. 다만, (h+1)<t)의 시프트 레지스터를 구비하고, 제 k 단의 시프트 레지스터와 제 (k+1) 단의 시프트 레지스터는 제 1 스위치를 통하여 접속되고, 제 h 단의 시프트 레지스터와 제 (h+1) 단의 시프트 레지스터는 제 2 스위치를 통하여 접속되고, 제 1 주사선 구동 회로는 제 1 영역에 포함되는 복수의 트랜지스터를 구동할 수 있는 기능을 갖고, 제 2 주사선 구동 회로는 제 2 영역에 포함되는 복수의 트랜지스터를 구동할 수 있는 기능을 갖고, 제 3 주사선 구동 회로는 제 3 영역에 포함되는 복수의 트랜지스터를 구동할 수 있는 기능을 갖고, 제어부는 제 1 스위치를 온 상태로 하여 제 1 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급하는 기능과, 제 1 스위치를 오프 상태로 하고 제 2 스위치를 온 상태로 하여 제 2 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급하는 기능과, 제 1 스위치 및 제 2 스위치를 오프 상태로 하여 제 3 주사선 구동 회로에 스타트 펄스를 공급하는 기능을 갖고, 가동부는 제 1 영역과 제 2 영역 사이에서 접을 수 있고, 제 2 영역과 제 3 영역 사이에서 접을 수 있는, 반도체 장치이다.
또한, 상기 반도체 장치에 있어서, 프로그램을 실행하는 연산부를 구비하고 프로그램은 가동부의 하나의 영역이 가동부의 다른 영역에 접촉하는 것을 검지하는 단계와, 가동부가 접촉하는 영역의 형상에 따라, 가동부가 펼쳐진 상태인지 또는 접힌 상태인지를 판정하는 단계와, 가동부가 접힌 상태이면 제어부에 스타트 펄스의 공급을 명령하는 단계를 가져도 좋다.
또한, 상기 반도체 장치에 있어서, 가동부에 표시부, 및/또는 터치 센서의 검지부를 구비하여도 좋다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 소비 전력이 저감된 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에 따라, 휴대성이 우수한 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 발명의 일 형태에 따라, 신규 반도체 장치를 제공할 수 있다.
다만, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 반드시 상술한 모든 효과를 가질 필요는 없다. 또한, 이들 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 및 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 효과를 추출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 블록도 및 외형 모식도.
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 일 형태에 따른 프로그램의 흐름을 설명하기 위한 도면.
도 8은 실시형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 투영도.
도 9는 실시형태에 따른 반도체 장치의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 10은 전자 기기의 일 형태를 설명하기 위한 도면.
본 발명의 실시형태의 일례에 대하여 도면을 참조하여 아래에서 설명한다. 다만, 본 발명은 아래의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 아래에 기재하는 실시형태의 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한, 도면 등에서 나타낸 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은 이해하기 쉽게 하기 위하여 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않는 경우가 있다. 그러므로, 본 명세서 등에서 개시하는 발명은 반드시 도면 등에 나타낸 위치, 크기, 범위 등에 제한되지 않는다.
또한, 아래에서 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면 간에서 공통으로 이용하고, 그 반복 설명은 생략한다.
또한, 본 명세서 등에서 '제 1', '제 2' 등의 서수사는 구성 요소의 혼동을 피하기 위하여 붙인 것이며, 수(數)적으로 한정하는 것이 아님을 부기한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성에 대하여 도 1~도 5를 참조하여 설명한다.
본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성을 도시한 블록도의 일례를 도 1의 (A)에 도시하였다. 또한, 본 명세서 등에서는, 블록도에서 회로를 기능마다 분류하고 서로 독립적인 블록으로 하였지만, 실제의 회로는 기능마다 분류하기 어렵고, 하나의 회로가 복수의 기능을 갖는 경우도 있다. 또한, 각 회로의 배치는 도 1의 (A)에 도시된 구성에 제한되지 않으며, 적절히 설정할 수 있다.
도 1의 (A)에 도시된 반도체 장치(200)는 접고 펼칠 수 있는 가동부(230), 가동부(230)를 구동하는 구동 회로부(232), 구동 회로부(232)의 제어 신호를 공급하는 제어부(210), 및 가동부(230)가 접힌 상태인지 또는 펼쳐진 상태인지를 검지하는 검지부(240)를 구비한다.
가동부(230)는 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))을 구비하고, 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이에서 접을 수 있다. 도 1의 (A)에서는 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이의 경계(280)에서 가동부(230)를 접을 수 있는 예를 도시하였다. 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))은 각각 매트릭스 형태로 배치된 복수의 트랜지스터를 구비한다. 복수의 트랜지스터의 각각은 표시 소자, 포토다이오드, 또는 수동 소자(예를 들어 용량 소자 등) 등과 전기적으로 접속된다. 바꿔 말하면, 가동부(230)는 액티브 매트릭스 구조를 갖는다. 본 명세서 등에서는 매트릭스 형태로 배치된 트랜지스터의 하나와, 상기 트랜지스터의 하나와 전기적으로 접속된 수동 소자 또는 표시 소자를 구비하는 유닛을 유닛 회로라고도 표기한다.
복수의 트랜지스터의 각각을 매트릭스 형태로 배치된 복수의 표시 소자(예를 들어 발광 소자나 액정 소자 등)와 전기적으로 접속시켜, 트랜지스터에 의하여 각 표시 소자의 동작을 제어함으로써, 가동부(230)를 반도체 장치(200)의 표시부로서 기능시킬 수 있다. 이 경우, 유닛 회로 하나가 하나의 화소에 상당한다. 또는, 복수의 트랜지스터의 각각을 매트릭스 형태로 배치된 복수의 용량 소자와 전기적으로 접속시켜, 액티브 매트릭스형 터치 센서를 구성함으로써, 가동부(230)를 반도체 장치(200)의 터치 센서의 검지부(센싱부)로서 기능시킬 수 있다.
가동부(230)에서, 제 1 영역(230(1))에서의 유닛 회로의 간격과, 제 2 영역(230(2))에서의 유닛 회로의 간격은 실질적으로 같은 간격으로 하는 것이 바람직하다. 특히 가동부(230)를 표시부로서 기능시키는 경우에는 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))에 걸쳐 하나의 화상이 표시되도록 유닛 회로(바꿔 말하면, 화소)를 배치하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 사용자가 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이의 경계(280)를 식별하지 못하도록, 제 1 영역(230(1))으로부터 제 2 영역(230(2))에 걸쳐 같은 간격으로 유닛 회로를 배치하면 좋다.
접을 수 있는 가동부(230)에 적용 가능한 액티브 매트릭스 구조를 갖는 패널은 예를 들어, 가요성을 갖는 기판과, 상기 기판 위의 복수의 유닛 회로를 구비한다. 예를 들어, 가동부(230)는 표시 또는 센싱할 수 있는 하나의 면을 내측 및 외측 중 어느 쪽으로 하여도 1mm 이상 100mm 이하의 곡률 반경으로 휘어질 수 있다.
구동 회로부(232)는 신호선 제어 회로(232S) 및 복수의 주사선 구동 회로를 구비한다. 신호선 제어 회로(232S)는 가동부(230)가 구비하는 액티브 매트릭스형 유닛 회로 중 선택된 하나의 유닛 회로에 포함되는 표시 소자 또는 수동 소자에 대한 신호의 입력 또는 판독을 제어하는 기능을 갖는다. 복수의 주사선 구동 회로들은 스위치를 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 도 1의 (A)에서는 주사선 구동 회로(232G1) 및 주사선 구동 회로(232G2)를 구비하는 경우를 예로 도시하였다. 주사선 구동 회로(232G1)는 가동부(230)의 제 1 영역(230(1))에 포함되는 복수의 트랜지스터의 스위칭을 제어하는 신호를 공급하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(232G2)는 가동부(230)의 제 2 영역(230(2))에 포함되는 복수의 트랜지스터의 스위칭을 제어하는 신호를 공급하는 기능을 갖는다. 그리고, 주사선 구동 회로(232G1)와 주사선 구동 회로(232G2)는 스위치(미도시)에 의하여 전기적으로 접속된다. 또한, 주사선 구동 회로의 개수는 도 1의 (A)의 구성에 한정되지 않으며, 가동부(230)가 접히는 수에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 가동부(230)를 두 번 접을 수 있는 구성으로 하는 경우에는 3개의 주사선 구동 회로를 제공하고 각 주사선 구동 회로를 스위치를 통하여 전기적으로 접속시킨다.
검지부(240)는 가동부(230)의 접힌 상태를 검지, 더 구체적으로는 접힌 상태에서의 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))의 위치 관계를 검지하여, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS(Fold Sensing Signal)를 공급하는 기능을 갖는다. 접힌 상태의 검지에는 센서(예를 들어 가속도 센서, 자기 센서 등. 비접촉 센서를 포함함)를 이용할 수 있다.
일례로서는, 검지부(240)를 가동부(230)에서의 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 하나 또는 그 근방(예를 들어 상기 영역을 지탱하는 하우징 위 등)에 제공하고, 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 다른 하나 또는 그 근방에 표지를 제공한다. 이러한 구성으로 하면, 가동부(230)가 접힌 상태에서는 검지부(240)와 표지가 근접하거나 접촉하는 상태가 된다. 따라서, 검지부(240)가 갖는 센서에 의하여 표지를 검지함으로써, 검지부(240)는 가동부(230)의 접힌 상태를 검지 및 접힌 상태에서의 영역들의 위치 관계를 검지할 수 있게 되어, 접힌 상태 검지 신호 FSS를 제어부(210)에 공급할 수 있다.
또한, 본 명세서 등에서, 반도체 장치 또는 가동부가 접힌 상태라는 것은 가동부의 하나의 영역과 가동부의 다른 영역이 접촉하는 경우뿐만 아니라, 가동부의 하나의 영역과 가동부의 다른 영역이 근접하고, 그 최단 거리가 검지부(240)가 구비하는 센서에 의하여 검지될 수 있는 거리 이하인 경우를 포함한다.
검지부(240)가 구비하는 센서로서는 표지를 식별할 수 있는 것을 선택하여 사용할 수 있다. 구체적으로는, 표지에 빛을 이용하는 경우에는 광전 변환 소자 등을 센서로서 사용할 수 있다. 또는, 표지에 전파를 이용하는 경우에는 안테나 등을 센서로서 사용할 수 있다. 또는, 표지에 자석을 이용하는 경우에는 자기 센서 등을 센서로서 사용할 수 있다.
제어부(210)는 구동 회로부(232)가 구비하는 신호선 제어 회로(232S), 주사선 구동 회로(232G1), 및 주사선 구동 회로(232G2)에 대한 데이터 신호, 구동 신호, 및 전원 전위 등의 공급을 제어하는 기능을 갖는다. 또한, 구동 신호는 펄스에 의하여 구동 회로부(232)의 동작을 제어하기 위한 신호이지만, 구동 회로부(232)의 구성에 따라 그 동작에 필요한 구동 신호의 종류는 달라진다. 예를 들어, 구동 신호의 예로서는 시프트 레지스터의 동작을 제어하는 데에 사용되는 스타트 펄스 및 클럭 신호, 및 기억 회로에서 데이터 유지의 타이밍을 제어하는 데에 사용되는 래치(latch) 신호 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치(200)에서 제어부(210)는 검지부(240)로부터 공급되는 접힌 상태 검지 신호 FSS에 따른 구동 신호를, 주사선 구동 회로(232G1) 및 주사선 구동 회로(232G2)에 공급하는 기능을 갖는다. 구체적으로는, 가동부(230)가 펼쳐진 상태인 경우(바꿔 말하면, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되지 않는 경우)에는 주사선 구동 회로(232G1) 및 주사선 구동 회로(232G2)의 양쪽 모두가 구동하도록 구동 신호를 공급한다. 이로써, 가동부(230)의 전체 면(즉, 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)))에서 표시 또는 센싱 등의 동작이 수행된다. 한편, 가동부(230)가 접힌 상태인 경우(바꿔 말하면, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되는 경우)에는 주사선 구동 회로(232G1) 및 주사선 구동 회로(232G2) 중 하나가 구동하도록 구동 신호를 공급한다. 이로써, 가동부(230) 중 접히고 시인되지 않는 영역에서의 동작을 정지할 수 있게 된다. 따라서, 상기 시인되지 않는 영역을 구동하기 위한 전력을 저감할 수 있게 되므로, 반도체 장치(200)의 소비 전력을 저감할 수 있다.
도 1의 (B1)은 반도체 장치(200)의 가동부(230)의 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))이 동일 평면상에 펼쳐진 상태를 도시한 것이다. 이 경우, 가동부(230)의 전체 면에서 동작이 수행된다. 도 1의 (B2) 및 (B3)은 반도체 장치(200)의 가동부(230)가 경계(280)에서 접힌 상태를 도시한 것이다. 이 경우, 가동부(230) 중 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 하나에서 동작이 수행되고 다른 하나에서는 동작이 정지된다. 예를 들어, 도 1의 (B2)는 제 1 영역(230(1))에서 동작하고 제 2 영역(230(2))에서는 동작이 정지된 상태를 도시한 것이다. 또한, 도 1의 (B3)은 제 2 영역(230(2))에서 동작하고 제 1 영역(230(1))에서는 동작이 정지된 상태를 도시한 것이다.
구동 회로부(232) 및 가동부(230)의 더 구체적인 동작 방법을 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2의 (A)는 도 1의 (A)에 도시된 주사선 구동 회로(232G1), 주사선 구동 회로(232G2), 신호선 제어 회로(232S), 제 1 영역(230(1)), 및 제 2 영역(230(2))의 부분 확대도이다.
가동부(230)는 복수의 유닛 회로(100), 및 상기 유닛 회로(100)와 전기적으로 접속된 배선을 구비한다. 각 유닛 회로(100)는 적어도 하나의 주사선 및 하나의 신호선과 전기적으로 접속된다.
도 2의 (A)에서는 가동부(230)에서 h행(h는 4 이상의 정수. 다만, (k+1)<h)×x열(x는 1 이상의 정수)의 유닛 회로(100)가 매트릭스 형태로 배치되고, 신호선 S1~Sx와, 주사선 G1~Gh가 가동부(230) 내에 배치된다. 또한, 주사선 G1~Gh 중 주사선 G1~Gk(k는 2 이상의 정수)는 제 1 영역(230(1))에 배치되고 주사선 G(k+1)~Gh는 제 2 영역(230(2))에 배치된다.
주사선 구동 회로(232G1)는 제 1 단~제 k 단의 시프트 레지스터 GSR1~GSRk를 구비한다. 시프트 레지스터 GSR은 클록 신호와 스타트 펄스에 따라 제 1 단으로부터 다음 단으로 순차적으로 펄스 신호를 출력하는 기능과, 게이트 신호를 생성하기 위한 펄스 신호를 주사선에 출력하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(232G1)는 제 1 단~제 k 단의 시프트 레지스터와 전기적으로 접속된 주사선 G1~Gk에 펄스 신호를 출력하는 기능을 갖는다. 즉, 주사선 구동 회로(232G1)는 제 1 영역(230(1))이 구비하는 유닛 회로를 구동하는 기능을 갖는다.
또한, 주사선 구동 회로(232G2)는 제 (k+1) 단~제 h 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)~GSRh를 구비하고, 제 (k+1) 단~제 h 단의 시프트 레지스터와 전기적으로 접속된 주사선 G(k+1)~Gh에 펄스 신호를 출력하는 기능을 갖는다. 즉, 주사선 구동 회로(232G2)는 제 2 영역(230(2))이 구비하는 유닛 회로를 구동하는 기능을 갖는다.
제어부(210)는 주사선 구동 회로(232G1)와 전기적으로 접속되고, 스위치(262)를 통하여 주사선 구동 회로(232G2)와 전기적으로 접속된다. 또한, 주사선 구동 회로(232G1)와 주사선 구동 회로(232G2)는 스위치(260)를 통하여 전기적으로 접속된다. 그리고, 제어부(210)는 검지부(240)로부터 공급되는 접힌 상태 검지 신호 FSS에 따라, 주사선 구동 회로(232G1) 및 주사선 구동 회로(232G2) 중 어느 하나에 스타트 펄스를 공급하는 기능을 갖는다.
제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되지 않는 경우, 제어부(210)는 스위치(260)를 온 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 스타트 펄스 SP1을 공급한다. 이 경우, 주사선 구동 회로(232G2)가 구비하는 시프트 레지스터 중 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)에는 주사선 구동 회로(232G1)가 구비하는 시프트 레지스터 중 마지막 단의 시프트 레지스터 GSRk로부터 펄스 신호가 공급된다. 이로써, 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2))이 구비하는 유닛 회로가 구동되어 가동부(230) 전체 면에서 동작이 수행된다.
제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되는 경우, 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 하나에서 동작이 수행되고 다른 하나에서는 동작이 정지된다. 예를 들어, 제 1 영역(230(1))에서 동작이 수행되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(260)를 오프 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 스타트 펄스 SP1을 공급한다. 이 경우, 주사선 구동 회로(232G2)가 구비하는 시프트 레지스터에는 스타트 펄스가 공급되지 않기 때문에, 제 1 영역(230(1))에서만 동작이 수행되고 제 2 영역(230(2))에서는 동작이 정지된다. 이로써, 가동부(230) 전체 면을 동작시키는 경우에 비하여 소비 전력을 저감할 수 있다.
또한, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되어, 제 2 영역(230(2))에서 동작이 수행되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(260)를 오프 상태로 하고 스위치(262)를 온 상태로 하여 제 (k+1) 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)에 스타트 펄스 SP2를 공급한다. 이 경우, 주사선 구동 회로(232G1)가 구비하는 시프트 레지스터에는 스타트 펄스가 공급되지 않기 때문에, 제 2 영역(230(2))에서만 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1))에서는 동작이 정지된다. 이로써, 가동부(230)의 전체 면을 동작시키는 경우에 비하여 소비 전력을 저감할 수 있다.
또한, 접은 상태에서 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 동작시키는 영역은 임의로 선택할 수 있다. 예를 들어, 검지부(240)에 의하여 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2)) 중 더 위에 있는 영역을 검지하여, 더 위에 있는 상기 영역을 동작시키는 영역으로서 선택할 수 있다. 또한, 동작시키는 영역의 선택은 이에 한정되지 않는다.
가동부(230)가 구비하는 유닛 회로(100)의 구성예를 도 2의 (B1) 및 (B2)에 도시하였다. 도 2의 (B1)은 유닛 회로가 발광 소자를 구비하고 가동부(230)를 표시부로서 사용하는 경우의 구성예이다. 도 2의 (B2)는 유닛 회로가 용량 소자를 구비하고, 가동부(230)를 터치 센서의 센싱부로서 사용하는 경우의 구성예이다.
도 2의 (B1)의 유닛 회로는 화소 회로로서 기능하며, 트랜지스터(634t_1), 트랜지스터(634t_2), EL 소자(635EL), 및 용량 소자(634c)를 구비한다. 트랜지스터(634t_1)의 게이트는 주사선 G와 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 하나는 신호선 S와 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 하나는 용량 소자(634c)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(634t_2)의 게이트는 용량 소자(634c)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 하나는 용량 소자(634c)의 다른 쪽 전극과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 하나는 EL 소자(635EL)의 한쪽 전극과 전기적으로 접속된다. EL 소자(635EL)는 한 쌍의 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 함유한 층을 구비한다.
도 2의 (B1)에서, 용량 소자(634c)의 다른 쪽 전극과, 제 2 트랜지스터(634t_2)의 소스 및 드레인 중 하나는 전원 전위나 EL 소자(635EL)를 발광시키기 위하여 필요한 전위를 공급할 수 있는 배선 A와 전기적으로 접속된다. 또한, 배선 A의 전위는 일정하여도 좋고, 소정의 기간마다 펄스 형태로 변화되어도 좋다. EL 소자(635EL)의 다른 쪽 전극은 공통 전위를 공급할 수 있는 배선 C와 전기적으로 접속된다. 또한, 전원 전위와 공통 전위의 전위차는 EL 소자(635EL)의 발광 시작 전압보다 크다.
도 2의 (B2)에 도시된 유닛 회로는 액티브 터치 센서의 센서 회로로서 기능하고, 용량 소자(503), 트랜지스터(511), 트랜지스터(512), 및 트랜지스터(513)를 구비한다. 트랜지스터(513)의 게이트는 배선 RES와 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 하나는 VRES가 공급되는 배선과 전기적으로 접속되고, 다른 하나는 용량 소자(503)의 한쪽 전극 및 트랜지스터(511)의 게이트와 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(511)의 소스 및 드레인 중 하나는 트랜지스터(512)의 소스 및 드레인 중 하나와 전기적으로 접속되고, 다른 하나는 전압 VSS가 공급되는 배선과 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(512)의 게이트는 주사선 G와 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 하나가 신호선 S와 전기적으로 접속된다. 용량 소자(503)의 다른 쪽 전극은 전압 VSS가 공급되는 배선과 전기적으로 접속된다.
도 2의 (B2)에 도시된 센서 회로의 동작에 대하여 설명한다. 배선 RES에 트랜지스터(513)를 온 상태로 하는 전위가 공급되어, 트랜지스터(511)의 게이트가 접속되는 노드 n에 전압 VRES에 기초하는 전위가 공급된다. 다음에, 배선 RES에 트랜지스터(513)를 오프 상태로 하는 전위가 공급되어 노드 n의 전위가 유지된다. 이어서 손가락 등 피검지체의 근접 또는 접촉으로 용량 소자(503)의 상호 용량이 변화됨에 따라 노드 n의 전위가 VRES로부터 변화된다.
판독 동작 시에는 주사선 G에 트랜지스터(512)를 온 상태로 하는 전위를 공급한다. 노드 n의 전위에 따라, 트랜지스터(511)에 흐르는 전류, 즉 신호선 S에 흐르는 전류가 변화된다. 이 전류를 검출함으로써 피검지체의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 제시되는 반도체 장치는 복수의 가동부를 구비하여도 좋다. 예를 들어, 도 3에 2개의 가동부를 구비하는 반도체 장치(250)를 도시하였다.
반도체 장치(250)는 제 1 가동부인 표시부(630), 제 2 가동부인 센싱부(530), 표시부(630)를 구동하기 위한 구동 회로부(632), 센싱부(530)를 구동하기 위한 구동 회로부(532), 검지부(240), 및 제어부(210)를 구비한다.
표시부(630)는 제 1 영역(630(1)) 및 제 2 영역(630(2))을 구비하고, 제 1 영역(630(1))과 제 2 영역(630(2)) 사이의 경계(680)에서 접을 수 있다. 표시부(630)는 유닛 회로로서 화소 회로를 구비한다. 또한, 센싱부(530)는 제 1 영역(530(1)) 및 제 2 영역(530(2))을 구비하고, 제 1 영역(530(1))과 제 2 영역(530(2)) 사이의 경계(580)에서 접을 수 있다. 센싱부(530)는 유닛 회로로서 센서 회로를 구비한다. 센싱부(530)와 표시부(630)는 적어도 일부가 중첩되도록 제공된다. 또한, 표시부(630)에서의 경계(680)와 센싱부(530)에서의 경계(580)는 중첩된다.
구동 회로부(632)는 신호선 제어 회로(632S), 주사선 구동 회로(632G1), 및 주사선 구동 회로(632G2)를 구비한다. 주사선 구동 회로(632G1)는 표시부(630)의 제 1 영역(630(1))의 구동을 제어하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(632G2)는 표시부(630)의 제 2 영역(630(2))의 구동을 제어할 수 있다. 자세한 동작에 대해서는 상기 가동부(230)의 구동과 마찬가지이므로 상술한 설명을 참조할 수 있다.
구동 회로부(532)는 신호선 제어 회로(532S), 주사선 구동 회로(532G1), 및 주사선 구동 회로(532G2)를 구비한다. 주사선 구동 회로(532G1)는 센싱부(530)의 제 1 영역(530(1))의 구동을 제어하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(532G2)는 센싱부(530)의 제 2 영역(530(2))의 구동을 제어하는 기능을 갖는다. 자세한 동작에 대해서는 상기 가동부(230)의 구동과 마찬가지이므로 상술한 설명을 참조할 수 있다.
제어부(210)는 구동 회로부(632) 및 구동 회로부(532)에 대한 데이터 신호, 구동 신호, 및 전원 전위의 공급을 제어하는 기능을 갖는다. 구동 회로부(632)에 대한 데이터 신호, 구동 신호, 및 전원 전위의 공급을 제어하는 제어부와, 구동 회로부(532)에 대한 데이터 신호, 구동 신호, 및 전원 전위의 공급을 제어하는 제어부를 따로따로 제공하는 구성으로 하여도 좋다.
반도체 장치(250)는 검지부(240)로부터 공급되는 접힌 상태 검지 신호 FSS에 따라, 표시부(630)의 하나의 영역 및 센싱부(530)의 하나의 영역의 동작을 정지할 수 있다. 따라서, 소비 전력이 저감된 반도체 장치로 할 수 있다.
또한, 접은 상태에서, 표시부(630)에서 동작이 정지되는 영역과, 센싱부(530)에서 동작이 정지되는 영역은 적어도 일부가 중첩된다. 대표적으로는, 표시부(630) 및 센싱부(530) 중 양쪽에서, 접어서 시인되지 않는 영역에서의 동작을 정지하는 것으로 한다.
또한, 상기에는 반도체 장치의 가동부(230), 표시부(630), 또는 센싱부(530)가 한 번 접히는 구성을 예시하였지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 구체적으로는, 가동부(230), 표시부(630), 또는 센싱부(530)는 두 번 이상 접히는 구성이어도 좋다. 접히는 수가 많을수록 접힌 상태의 외형을 작게 할 수 있으므로 휴대성을 높일 수 있다.
도 4에, 두 번 접히는 가동부(230)를 구동하는 구동 회로의 구성예를 도시하였다. 도 4는 가동부(230)가 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이의 경계(280a)와, 제 2 영역(230(2))과 제 3 영역(230(3)) 사이의 경계(280b)에서 접을 수 있는 예를 도시한 것이다. 도 4의 가동부(230)에서는 t행(t는 6 이상의 정수. 다만, (h+1)<t)×x열의 유닛 회로(100)가 매트릭스 형태로 배치되고, 신호선 S1~Sx와, 주사선 G1~Gt가 가동부(230) 내에 배치된다. 또한, 주사선 G1~Gt 중 주사선 G1~Gk는 제 1 영역(230(1))에 배치되고 주사선 G(k+1)~Gh는 제 2 영역(230(2))에 배치되고, 주사선 G(h+1)~Gt는 제 3 영역(230(3))에 배치된다.
가동부(230)를 두 번 접히는 구성으로 한 경우에도, 상술한 한 번 접히는 구성과 같은 구동 방법을 적용할 수 있다. 즉, 복수의 주사선 구동 회로 중에서 선택되는 하나의 주사선 구동 회로에 선택적으로 스타트 펄스를 공급함으로써, 가동부(230)에서의 임의의 영역을 동작시키고, 나머지 영역의 동작을 정지할 수 있다. 가동부(230)의 일부의 동작을 정지함으로써, 반도체 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다. 더 구체적인 구동 방법을 아래에서 제시한다.
주사선 구동 회로(232G1)는 제 1 단~제 k 단의 시프트 레지스터 GSR1~GSRk를 구비하고, 제 1 단~제 k 단의 시프트 레지스터와 전기적으로 접속된 주사선 G1~Gk에 펄스 신호를 출력하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(232G2)는 제 (k+1) 단~제 h 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)~GSRh를 구비하고, 제 (k+1) 단~제 h 단의 시프트 레지스터와 전기적으로 접속된 주사선 G(k+1)~Gh에 펄스 신호를 출력하는 기능을 갖는다. 주사선 구동 회로(232G3)는 제 (h+1) 단~제 t 단의 시프트 레지스터 GSR(h+1)~GSRt를 구비하고, 제 (h+1) 단~제 t 단의 시프트 레지스터와 전기적으로 접속된 주사선 G(h+1)~Gt에 펄스 신호를 출력하는 기능을 갖는다.
제어부(210)는 주사선 구동 회로(232G1)와 전기적으로 접속되고, 스위치(262)를 통하여 주사선 구동 회로(232G2)와 전기적으로 접속되고, 스위치(266)를 통하여 주사선 구동 회로(232G3)와 전기적으로 접속된다. 또한, 주사선 구동 회로(232G1)와 주사선 구동 회로(232G2)는 스위치(260)를 통하여 서로 전기적으로 접속되고, 주사선 구동 회로(232G2)와 주사선 구동 회로(232G3)는 스위치(264)를 통하여 서로 전기적으로 접속된다. 그리고, 제어부(210)는 검지부(240)로부터 공급되는 접힌 상태 검지 신호 FSS에 따라, 주사선 구동 회로(232G1), 주사선 구동 회로(232G2), 및 주사선 구동 회로(232G3) 중에서 선택되는 어느 하나에 스타트 펄스를 공급하는 기능을 갖는다.
제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되지 않는 경우, 제어부(210)는 스위치(260) 및 스위치(264)를 온 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 스타트 펄스 SP1을 공급한다. 이로써, 제 1 영역(230(1))~제 3 영역(230(3))이 구비하는 유닛 회로가 구동되어 가동부(230) 전체 면에서 동작이 수행된다.
제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되는 경우, 제 1 영역(230(1))~제 3 영역(230(3)) 중 어느 하나 또는 2개의 영역에서 동작이 수행되고 적어도 하나의 영역에서는 동작이 정지된다. 예를 들어, 제 1 영역(230(1))에서 동작이 수행되고 제 2 영역(230(2)) 및 제 3 영역(230(3))에서 동작이 정지되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(260)를 오프 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 선택적으로 스타트 펄스 SP1을 공급한다. 또한, 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2))에서 동작이 수행되고 제 3 영역(230(3))에서 동작이 정지되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(260)를 온 상태로 하고 스위치(262) 및 스위치(264)를 오프 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 선택적으로 스타트 펄스 SP1을 공급한다.
또한, 제 2 영역(230(2))에서 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1)) 및 제 3 영역(230(3))에서 동작이 정지되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(262)를 온 상태로 하고 스위치(264)를 오프 상태로 하여 제 (k+1) 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)에 선택적으로 스타트 펄스 SP2를 공급한다. 또한, 제 2 영역(230(2)) 및 제 3 영역(230(3))에서 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1))에서 동작이 정지되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(262) 및 스위치(264)를 온 상태로 하여 제 (k+1) 단의 시프트 레지스터 GSR(k+1)에 선택적으로 스타트 펄스 SP2를 공급한다. 또한, 제 3 영역(230(3))에서 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2))에서 동작이 정지되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(266)를 온 상태로 하여 제 (h+1) 단의 시프트 레지스터 GSR(h+1)에 선택적으로 스타트 펄스 SP3을 공급한다.
이와 같이 함으로써, 두 번 접히는 가동부(230)를 구비하는 반도체 장치의 소비 전력의 저감을 실현할 수 있다.
도 5에, 두 번 접히는 가동부(230)를 구비하는 반도체 장치(300)의 사시도를 도시하였다. 도 5의 (A)는 펼쳐진 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (B1)은 제 1 영역(230(1))을 최상면으로 하도록 접힌 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이고, 도 5의 (C1)은 도 5의 (B1)의 상태를 거쳐 접힌 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (B2)는 제 3 영역(230(3))을 최상면으로 하도록 접힌 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이고, 도 5의 (C2)는 도 5의 (B2)의 상태를 거쳐 접힌 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (D)는 제 1 영역(230(1))이 제 2 영역(230(2))과 중첩되도록 제 2 영역(230(2))의 아래로 접힌 상태의 반도체 장치(300)를 설명하기 위한 도면이다.
반도체 장치(300)는 하우징(15a), 하우징(15b), 및 하우징(15a)과 하우징(15b) 사이의 가동부(230)를 구비하는 패널을 구비한다. 하우징(15a)은 2개소의 간극(間隙)을 포함하고, 간극 부분에는 접속 부재(13a)가 제공된다. 하우징(15b)은 하우징(15a)의 간극과 중첩되는 위치에 간극을 구비한다. 접속 부재(13a)는 접은 상태에서 힌지로서 기능하고, 가동부(230)가 접히는 부분(제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이의 경계, 제 2 영역(230(2))과 제 3 영역(230(3)) 사이의 경계)에 대응하는 위치에 제공된다. 또한, 접속 부재(13a)는 하우징(15b) 측에 제공되어도 좋고, 하우징(15a) 및 하우징(15b)의 양쪽에 제공되어도 좋다.
하우징(15a) 및 하우징(15b)은 가동부(230)를 구비하는 패널을 지탱하여 패널의 기계적 강도를 높이는 효과를 갖는다. 하우징(15a) 및 하우징(15b)에 의하여 가동부(230)를 구비하는 패널을 지탱함으로써, 상기 패널의 파손을 방지 또는 억제할 수 있다. 또한, 하우징(15a) 및/또는 하우징(15b)은 주사선 구동 회로(232G1)~주사선 구동 회로(232G3) 및 신호선 제어 회로(232S)를 지탱하는 구성으로 하여도 좋다. 이러한 구성으로 함으로써, 구동 회로를 외부로부터 가해지는 응력으로부터 보호할 수 있다. 또한, 하우징(15a) 및/또는 하우징(15b)은 검지부 및/또는 제어부를 지탱하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 가동부(230)를 구비하는 패널을 지탱하는 하우징은 상기 패널의 동작 면 측 또는 이에 대향하는 면 측의 한쪽에만 배치하여도 좋다. 하우징(15a) 및 하우징(15b) 중 하나에만 패널을 지탱하는 구성으로 하여도 좋다. 이러한 구성으로 함으로써, 반도체 장치의 소형화 또는 경량화가 가능하다.
하우징(15a), 하우징(15b), 및 접속 부재(13a)에는 플라스틱, 금속, 합금, 또는/및 고무 등을 사용할 수 있다. 플라스틱이나 고무 등을 사용함으로써, 가볍고 파손하기 어려운 반도체 장치를 구현할 수 있어 바람직하다. 예를 들어, 접속 부재(13a)로서 실리콘(silicone) 고무, 하우징(15a), 하우징(15b)으로서 스테인리스나 알루미늄을 사용하면 좋다. 또한, 접속 부재(13a)는 하우징(15a) 및 하우징(15b)보다 가요성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 가동부(230)를 표시부로 하고 표시면 측에 접속 부재나 하우징을 배치하는 경우에는 표시 영역과 중첩되는 영역에는 투광성을 갖는 재료를 적용하기로 한다.
접속 부재와 하우징의 고정 방법, 접속 부재와 가동부(230)를 구비하는 패널의 고정 방법, 또는 하우징과 가동부(230)를 구비하는 패널의 고정 방법으로서는 예를 들어 접착제, 나사나 핀, 클립 등을 이용할 수 있다.
반도체 장치(300)는 도 5의 (A)와 같이 펼쳐진 상태에서는 검지부로부터 제어부에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되지 않고 제 1 영역(230(1))~제 3 영역(230(3))이 구비하는 유닛 회로가 구동되어 가동부(230) 전체 면에서 동작이 수행된다. 이 경우, 이음매가 없는 넓은 영역에서 동작할 수 있다. 이로써, 일람성(一覽性)이 우수한 동작이 가능하다. 한편, 도 5의 (C1), (C2), 및 (D)와 같이 접은 상태에서는 제 1 영역(230(1))~제 3 영역(230(3)) 중 적어도 하나의 영역이 동작을 정지함으로써 소비 전력을 저감할 수 있다. 예를 들어, 도 5의 (C1)과 같이 제 1 영역(230(1))을 최상면으로 하여 반도체 장치(300)를 두 번 접는 경우에는 제 1 영역(230(1))에서는 동작이 수행되고 제 2 영역(230(2)) 및 제 3 영역(230(3))에서는 동작을 정지할 수 있다. 또한, 도 5의 (C2)와 같이 제 3 영역(230(3))을 최상면으로 하여 반도체 장치(300)를 두 번 접는 경우에는 제 3 영역(230(3))에서는 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2))에서는 동작을 정지할 수 있다. 또는, 도 5의 (D)와 같이 제 1 영역(230(1))이 제 2 영역(230(2))과 중첩되도록 제 2 영역(230(2))의 아래로 접는 경우에는 제 2 영역(230(2)) 및 제 3 영역(230(3))에서 동작이 수행되고 제 1 영역(230(1))에서는 동작을 정지할 수 있다. 또한, 반도체 장치(300)를 접는 방법은 도 5에 도시된 구성에 한정되지 않으며, 사용 형태에 따라 적절히 설정할 수 있다.
도 5와 같이 접은 상태에서 사용자가 시인하지 못하는 영역의 동작을 정지함으로써 반도체 장치(300)의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 가동부(230)의 일부의 영역을 내측으로 하도록 접음으로써, 상기 영역에 흠이 생기거나 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이 본 실시형태의 반도체 장치는 접을 수 있는 가동부를 구비하고, 접은 상태에서 가동부의 하나의 영역의 동작을 선택적으로 정지함으로써 저소비 전력화를 달성한 반도체 장치로 할 수 있다. 또한, 휴대성이 우수한 반도체 장치로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서 제시한 구성예의 하나와 다른 하나는 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 구성이나 방법 등은 다른 실시형태의 구성이나 방법 등과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 실시형태 1과 다른 반도체 장치의 구동 방법의 일 형태에 대하여 도 6을 참조하여 설명한다. 구체적으로는, 하나 또는 복수의 주사선이 가동부의 접히는 부분에 위치하는 경우의 반도체 장치의 구동 방법에 대하여 설명한다. 또한, 실시형태 1과 같은 기능 또는 같은 구성을 갖는 부분은 실시형태 1을 참조할 수 있으며, 반복 설명을 생략하는 경우가 있다.
도 6의 (A)에, 본 실시형태에 제시되는 반도체 장치가 구비하는 제어부(210), 주사선 구동 회로(232G1), 주사선 구동 회로(232G2), 신호선 제어 회로(232S), 및 가동부(230)의 구성예를 도시하였다.
가동부(230)는 제 1 영역(230(1)) 및 제 2 영역(230(2))을 구비하고, 경계(282a)로부터 경계(282b)까지의 영역이 곡률을 갖도록 접을 수 있다. 경계(282a)는 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 사이에 위치한다. 경계(282b)는 제 2 영역(230(2)) 내에 위치한다. 또한, 제 2 영역(230(2))에 배치되는 주사선 G(k+1)~Gh 중 주사선 G(k+1)~Gm(다만, m은 (k+2) 이상 (h-1) 이하의 정수)은 경계(282a)와 경계(282b) 사이에 배치된다.
경계(282a)로부터 경계(282b)까지의 영역이 곡률을 갖도록 가동부(230)를 접은 경우, 상기 영역은 접힌 가동부(230)의 측면에 위치하는 영역이다. 예를 들어, 도 6의 (B1)에 도시된 바와 같이 제 1 영역(230(1))이 위에 위치하도록 가동부(230)를 접으면, 제 1 영역(230(1))과, 제 2 영역(230(2))의 일부인 경계(282a)와 경계(282b) 사이의 영역이 사용자에 의하여 시인된다. 또는, 도 6의 (B2)에 도시된 바와 같이, 제 2 영역(230(2))이 위에 위치하도록 가동부(230)를 접으면, 제 2 영역(230(2))의 전체 면이 시인되고, 제 1 영역(230(1))은 시인되지 않는다.
본 실시형태에 제시된 반도체 장치에서는 제어부(210)가 주사선 구동 회로(232G2)에 구비되는 제 m 단의 시프트 레지스터 GSRm에 리셋 신호 RES를 공급하는 기능을 갖는다. 리셋 신호를 공급받은 제 m 단의 시프트 레지스터 GSRm은 주사선 Gm에 펄스 신호를 출력하고, 제 (m+1) 단의 시프트 레지스터 GSR(m+1)에 대한 펄스 신호의 출력을 정지한다. 주사선 Gm은 경계(282a)와 경계(282b) 사이에 배치된 주사선 중 마지막 단의 주사선이다. 제어부(210)로부터 제 m 단의 시프트 레지스터 GSRm에 리셋 신호를 공급함으로써, 제 2 영역(230(2)) 중 경계(282a)와 경계(282b) 사이의 영역(바꿔 말하면, 주사선 G(k+1)~Gm을 구비하는 영역)은 동작이 수행되는 상태로 하고, 다른 영역(바꿔 말하면, 주사선 G(m+1)~Gh를 구비하는 영역)에서는 동작을 정지할 수 있다.
예를 들어, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되고, 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2))의 일부에서 동작이 수행되는 경우에는 제어부(210)는 스위치(260)를 온 상태로 하여 제 1 단의 시프트 레지스터 GSR1에 스타트 펄스 SP1을 공급한다. 또한, 제어부(210)는 주사선 구동 회로(232G2)가 구비하는 제 m 단의 시프트 레지스터 GSRm에 리셋 신호 RES를 공급한다. 이 경우, 주사선 구동 회로(232G2)가 구비하는 제 (m+1) 단 이후의 시프트 레지스터에는 펄스 신호가 공급되지 않기 때문에, 제 1 영역(230(1))과 제 2 영역(230(2)) 중 주사선 G(k+1)~Gm을 구비하는 영역에서만 동작이 수행되고 제 2 영역(230(2)) 중 주사선 G(m+1)~Gh를 구비하는 영역에서는 동작이 정지된다. 이로써, 도 6의 (B1)에 도시된 바와 같이 반도체 장치에서의 상면(제 1 영역(230(1))에 상당함)과 측면(경계(282a)와 경계(282b) 사이의 영역에 상당함)을 동작시키고, 하면(제 2 영역(230(2))의 다른 영역에 상당함)에서의 동작을 정지할 수 있다. 이로써, 가동부(230) 전체 면을 동작시키는 경우에 비하여 소비 전력을 저감할 수 있다.
또한, 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되지 않는 경우, 또는 제어부(210)에 접힌 상태 검지 신호 FSS가 공급되어 제 1 영역(230(1))의 동작을 정지시키고 제 2 영역(230(2))의 전체 영역을 동작시키는 경우에는 실시형태 1에 제시된 방법과 마찬가지로 수행할 수 있다.
본 실시형태에 제시된 반도체 장치는 접은 상태에서 일부의 동작을 정지함으로써, 소비 전력의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 주사선 구동 회로에 포함되는 시프트 레지스터 중 하나에 리셋 신호를 공급함으로써, 하나의 주사선 구동 회로에 접속된 가동부를, 동작시키는 영역과 동작을 정지시키는 영역으로 나눌 수 있다. 이에 의하여, 다양한 사용 형태에 맞는 구동 방법이 실현된 반도체 장치를 제공할 수 있다. 예를 들어, 접은 상태에서 상면과 측면에 위치하는 가동부를 동작시키고 하면에 위치하는 가동부의 동작을 정지할 수 있다.
본 실시형태의 구성이나 방법 등은 다른 실시형태의 구성이나 방법 등과 적절히 조합할 수 있다.
*(실시형태 3)
본 실시형태에서는 반도체 장치의 검지부에서의 접은 상태 검지 방법의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 반도체 장치의 가동부로서, 액티브 터치 센서의 센싱부를 구비하는 경우를 예로 들어 설명한다.
접을 수 있는 가동부를 구비하는 반도체 장치를 접은 상태로 한 경우, 가동부의 일부가 가동부의 다른 일부와 접촉하거나 근접하는 형태가 된다. 도 5에 있어서, 도 5의 (A)와 같이 반도체 장치(300)가 펼쳐진 상태에서는 가동부(230)의 모든 영역이 서로 접촉하지 않는다. 도 5의 (C1)에 도시된 바와 같이 반도체 장치(300)를 제 1 영역(230(1))이 최상면이 되도록 두 번 접은 상태로 하면, 제 2 영역(230(2))의 적어도 일부와 제 3 영역(230(3))의 적어도 일부가 접촉하는 구성으로 할 수 있다. 예를 들어, 제 3 영역(230(3))의 단부의 한 변이 제 1 영역(230(1))과의 경계 근방의 제 2 영역(230(2))과 선형(라인형)으로 접촉하는 구성으로 할 수 있다. 또는, 도 5의 (C2)에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(300)를 제 3 영역(230(3))이 최상면이 되도록 두 번 접은 상태로 하면, 제 1 영역(230(1))의 적어도 일부와 제 2 영역(230(2))의 적어도 일부가 접촉하는 구성으로 할 수 있다. 예를 들어, 제 1 영역(230(1))의 단부의 한 변이 제 3 영역(230(3))과의 경계 근방의 제 2 영역(230(2))과 선형(라인형)으로 접촉하는 구성으로 할 수 있다. 즉, 반도체 장치(300)가 접히는 방향을 다르게 함으로써, 가동부에서의 접촉 영역(또는 근접 영역)이 다르게 된다. 따라서, 가동부(230)가 구비하는 액티브 터치 센서의 센싱 회로에 의하여 상기 접촉 영역(또는 근접 영역)을 검지함으로써, 반도체 장치(300)의 접힌 상태 및 제 1 영역(230(1))~제 3 영역(230(3))의 위치 관계를 검지할 수 있다.
액티브 터치 센서를 사용하여 반도체 장치의 접은 상태를 검지하는 경우, 가동부는 검지부로서도 기능할 수 있다. 또한, 반도체 장치는 연산부를 구비하고, 연산부는 기억된 프로그램에 따라 접힌 상태 검지 신호 FSS를 제어부에 공급하는 구성으로 할 수 있다.
도 7은 본 실시형태에 제시되는 반도체 장치에서, 연산부에 기억된 프로그램의 일례를 설명하는 흐름도이다.
우선, 유닛 회로마다 전위 분포를 나타내는 센서 이미지를 취득한다(S1). 전위 분포는 화상의 계조 분포로 나타내고 있다. 다음에, 얻어진 전위 분포에 대하여 문턱값을 설정함으로써 화상의 2치화를 수행한다(S2). 문턱값은 반도체 장치의 사용자가 결정하여도 좋고, 연산부에서 결정되어도 좋다.
다음에, 2치화된 화상에 기초하여 레이블링 데이터를 생성한다(S3). 이에 의하여 터치를 검출하고 그 위치를 결정한다(S4).
레이블링하는 방법으로서는 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 인접하는 유닛 회로들의 값을 비교하여 같은 값인 경우에, 같은 레이블을 부여하는 단계를 각 유닛 회로에서 수행한다. 이로써, 동일한 레이블이 부여된 영역마다 위치 정보를 특정할 수 있다. 일례로서는 동일한 레이블이 부여된 영역의 중심을 상기 영역의 위치 정보로 할 수 있다.
본 실시형태에서 터치가 검출된 경우에, 그 영역(레이블링된 윤곽)이 선형인지 여부를 판정한다(S5). 선형의 윤곽이 얻어진 경우에는 접은 상태라고 판정한다(S6). 또한, 접는 방향, 즉 터치 센서가 동작될 영역이 결정된다. 또한, 반도체 장치가 액티브 터치 센서와 중첩되는 액티브 매트릭스 디스플레이를 구비하는 경우에는 디스플레이에서의 동작(표시)될 영역도 동시에 결정된다. 그리고, 터치 센서의 주사선 구동 회로의 스캔 시작 위치(바꿔 말하면, 스타트 펄스 입력 위치)를 지정하고 스타트 펄스와 리셋 신호를 주사선 구동 회로로 송신하는 명령을 제어부에 공급한다(S7). 이 때, 디스플레이에서 동작시키려는 영역 이외의 영역에서, 스타트 펄스를 공급하지 않거나, 또는 리셋 신호의 공급 대신에 통상 동작보다 주파수가 낮은 클록 신호를 공급하여도 좋다. 상기 명령이 접힌 상태 검지 신호 FSS에 상당한다. 이 후, 디스플레이 표시를 변경한다(S10).
한편, 터치가 검출되고 그 윤곽이 선형이 아닌 경우에는 터치 좌표의 이력을 참조하고(S8), 이력과의 관계로부터 상기 터치가 입력 동작(예를 들어, 탭, 드래그, 스와이프, 또는 핀치인 등)에 상당할지 여부를 판정한다(S9). 입력 동작이라고 판정된 경우에는 입력 동작에 따른 표시 변경을 수행한다(S10).
상술한 바와 같은 프로그램을 사용함으로써, 액티브 터치 센서를 구비하는 가동부가, 접은 상태의 검지부로서도 기능하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 접은 상태의 판정은 선형의 윤곽에 한정되지 않고, 사용 형태 또는 반도체 장치의 형상 등에 따라 적절히 설정할 수 있다.
본 실시형태의 구성이나 방법 등은 다른 실시형태의 구성이나 방법 등과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치의 구성에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치(400)의 구성을 설명하기 위한 투영도이다. 본 실시형태에 제시되는 반도체 장치(400)는 액티브 매트릭스형 표시부와, 액티브 터치 센서를 구비하는 센싱부를 구비한다. 표시부 및 센싱부는 접을 수 있다. 또한, 설명의 편의상 센싱부의 유닛 회로에 상당하는 검지 유닛(522)의 일부 및 표시부의 화소(622)의 일부를 확대하여 도시하였다.
도 9의 (A)는 도 8에 도시된 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치(400)의 Z1-Z2에서의 단면의 구조를 도시한 단면도이고, 도 9의 (B) 및 (C)는 도 9의 (A)에 도시된 구조의 일부를 변형한 예의 단면도이다.
본 실시형태에서 설명하는 반도체 장치(400)는 표시부(650) 및 표시부(650)와 중첩되는 센싱부(550)를 구비한다(도 8 참조).
센싱부(550)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 검지 유닛(522)을 구비한다. 또한, 행 방향(도면에서 화살표 R로 나타냄)으로 배치되는 복수의 검지 유닛(522)이 전기적으로 접속되는 주사선 G 또는 제어선 RES 등을 구비한다. 또한, 열 방향(도면에서 화살표 C로 나타냄)으로 배치되는 복수의 검지 유닛(522)이 전기적으로 접속되는 신호선 S 등을 구비한다.
검지 유닛(522)은 센서 회로를 구비한다. 센서 회로는 적어도 트랜지스터를 구비한다. 구체적으로는, 예를 들어 도 2의 (B2)에 도시된 구성으로 할 수 있다. 각 센서 회로는 주사선 G, 제어선 RES, 또는 신호선 S 등에 전기적으로 접속된다.
본 실시형태에 있어서, 반도체 장치(400)는 절연층(566) 및 절연층(566)을 개재(介在)하여 대향하는 제 1 전극(562) 및 제 2 전극(564)을 구비하는 용량 소자(560)와, 트랜지스터를 구비하는 구성으로 한다(도 9의 (A) 참조).
또한, 검지 유닛은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 창문부(568)를 구비한다. 창문부(568)는 가시광이 투과되고, 복수의 창문부(568) 사이에 차광성을 갖는 층 BM을 배치하여도 좋다.
창문부(568)와 중첩되는 위치에 착색층을 구비한다. 착색층은 소정의 색의 빛이 투과된다. 또한, 착색층은 컬러 필터라고 할 수 있다. 예를 들어, 청색 빛이 투과되는 착색층 CFB, 녹색 빛이 투과되는 착색층 CFG, 또는 적색 빛이 투과되는 착색층 CFR을 사용할 수 있다. 또한, 황색 빛이 투과되는 착색층이나 백색 빛이 투과되는 착색층을 사용하여도 좋다.
표시부(650)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소(622)를 구비한다. 화소(622)는 센싱부(550)의 창문부(568)와 중첩되도록 배치된다. 또한, 화소(622)는 검지 유닛(522)에 비하여 높은 집적도로 배치되어도 좋다.
본 실시형태에 제시되는 반도체 장치(400)는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 검지 유닛(522)을 구비하는 센싱부(550)와, 복수의 화소(622)를 구비하는 표시부(650)를 구비한다. 복수의 검지 유닛의 각각은 가시광이 투과되는 창문부(568)를 구비한다. 또한, 화소(622)의 각각은 창문부(568)와 중첩되도록 배치되고, 창문부(568)와 화소(622) 사이에 착색층을 포함하여 구성된다. 또한, 각 검지 유닛에 다른 검지 유닛에 대한 간섭을 저감할 수 있는 스위치가 배치된다.
이러한 구성으로 함으로써, 각 검지 유닛이 검지하는 정보(검지 정보)를 검지 유닛의 위치 정보와 함께 공급할 수 있다. 또한, 화상을 표시하는 화소의 위치 정보에 관련지어 검지 정보를 공급할 수 있다. 이로써, 편리성 또는 신뢰성이 우수한 신규 반도체 장치를 제공할 수 있다.
예를 들어, 반도체 장치(400)의 센싱부(550)는 검지 정보를 검지하여 위치 정보와 함께 공급할 수 있다. 구체적으로는, 반도체 장치(400)의 사용자는 센싱부(550)에 터치한 손가락 등을 피검지체(바꿔 말하면, 입력 동작의 조작체)로서 사용하여 다양한 입력 동작(탭, 드래그, 스와이프, 또는 핀치인 등)을 할 수 있다.
센싱부(550)는 센싱부(550)에 근접 또는 접촉하는 손가락 등을 검지하고, 검지한 위치 또는 궤적 등을 포함한 검지 정보를 연산부에 공급할 수 있다. 연산부는 공급받은 정보가 소정의 조건을 만족한지 여부를 프로그램 등에 기초하여 판단하고, 접힌 상태 검지 신호 FSS의 공급에 관련지은 명령, 또는 소정의 입력 동작에 관련지은 명령을 실행한다. 이로써, 반도체 장치(400)의 사용자는 손가락 등을 사용하여 소정의 입력 동작을 공급하고, 소정의 입력 동작에 관련지은 명령을 연산부가 실행할 수 있다. 또한, 반도체 장치(400)의 소비 전력의 저감을 실현할 수 있다.
상술한 구성에 더하여, 반도체 장치(400)는 아래의 구성을 가질 수도 있다.
반도체 장치(400)의 센싱부(550)는 복수의 주사선 구동 회로, 및 신호선 제어 회로(524S)와 전기적으로 접속된다. 본 실시형태에서 센싱부(550)는 한 번 접히는 구성으로 하고, 주사선 구동 회로(524G1) 및 주사선 구동 회로(524G2)와 각각 전기적으로 접속된다. 또한, 이들 구동 회로를 센싱부(550) 내부에 구비하여도 좋다. 또한, 센싱부(550)는 두 번 이상 접을 수 있는 구성으로 하여도 좋고, 이 경우에는 접히는 영역의 수에 따라 주사선 구동 회로의 개수를 설정하면 좋다. 또한, 연성 회로 기판 FPC1과 전기적으로 접속되어도 좋다.
또한, 반도체 장치(400)의 표시부(650)도 마찬가지로 복수의 주사선 구동 회로와 전기적으로 접속된다. 표시부(650)는 센싱부(550)와 중첩되도록 접을 수 있다. 상술한 바와 같이 본 실시형태에서는 센싱부(550)를 한 번 접히는 구성으로 하기 때문에, 표시부(650)도 한 번 접힌다. 따라서, 표시부(650)는 2개의 주사선 구동 회로(주사선 구동 회로(624G1) 및 주사선 구동 회로(624G2))와 전기적으로 접속된다. 또한, 표시부(650)의 접히는 영역의 수가 증가되는 경우, 주사선 구동 회로의 개수도 증가할 수 있다.
주사선 구동 회로는 표시부(650)의 내부에 제공되어도 좋다. 또한, 배선(611) 또는 단자(619)는 표시부(650)의 내부에 제공되어도 좋다. 또한, 표시부(650)는 연성 회로 기판 FPC2와 전기적으로 접속되어도 좋다.
반도체 장치(400)를 보호하여 흠의 발생을 방지하는 보호층(570)을 구비하여도 좋다. 예를 들어, 세라믹 코팅층 또는 하드 코팅층을 보호층(570)에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 산화 알루미늄을 함유한 층 또는 UV 경화 수지를 사용할 수 있다. 또한, 반도체 장치(400)가 반사하는 외광의 강도를 약하게 하는 반사 방지층(570p)을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 원 편광판 등을 사용할 수 있다.
아래에서, 반도체 장치(400)의 각 구성 요소에 대하여 설명한다. 또한, 이들 구성 요소는 명확하게 분리할 수 없고, 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소의 기능을 갖는 경우나 다른 구성 요소의 일부를 포함하는 경우가 있다. 예를 들어, 복수의 창문부(568)와 중첩되는 위치에 착색층을 구비하는 센싱부(550)는 센싱부(550)이기도 하고 컬러 필터이기도 하다.
본 실시형태에서 설명하는 반도체 장치(400)는 센싱부(550) 및 표시부(650)를 구비한다.
센싱부(550)는 검지 유닛(522), 주사선 G, 신호선 S, 및 기재(520)를 구비한다. 또한, 기재(520)에 센싱부(550)를 형성하기 위한 막을 성막하고 상기 막을 가공하는 방법을 이용하여 센싱부(550)를 형성하여도 좋다. 또는, 센싱부(550)의 일부를 다른 기재에 형성하고 상기 일부를 기재(520)에 전치하는 방법을 이용하여 센싱부(550)를 형성하여도 좋다.
검지 유닛(522)은 근접 또는 접촉하는 물체를 검지하여 검지 신호를 공급한다. 예를 들어, 정전 용량, 조도, 자력, 전파, 또는 압력 등을 검지하고, 검지된 물리량에 기초한 정보를 공급한다. 구체적으로는, 용량 소자, 광전 변환 소자, 자기 검지 소자, 압전 소자, 또는 공진기 등을 검지 소자로서 사용할 수 있다.
검지 유닛(522)은 예를 들어, 근접 또는 접촉하는 물체와의 사이의 정전 용량의 변화를 검지한다. 구체적으로는, 도전막, 및 도전막과 전기적으로 접속된 검지 회로를 사용하여도 좋다.
또한, 대기 중에서 손가락 등 대기보다 큰 유전율을 갖는 물체가 도전막에 근접하면, 손가락과 도전막 사이의 정전 용량이 변화된다. 이 정전 용량의 변화를 검지하여 검지 정보를 공급할 수 있다. 구체적으로는, 도전막 및 상기 도전막에 한쪽 전극이 접속된 용량 소자를 포함한 검지 회로를 검지 유닛(522)에 사용할 수 있다.
*예를 들어, 정전 용량의 변화에 따라 용량 소자와의 사이에서 전하가 분배되어 용량 소자의 양쪽 전극 사이의 전압이 변화된다. 이 전압의 변화를 검지 신호로서 사용할 수 있다. 구체적으로는, 용량 소자(560)의 전극 사이의 전압은 한쪽 전극에 전기적으로 접속된 도전막에 물체가 근접됨으로써 변화된다(도 9의 (A) 참조).
검지 유닛(522)은 제어 신호에 기초하여 온 상태 또는 오프 상태로 할 수 있는 스위치를 구비한다. 예를 들어, 스위치로서 트랜지스터 M12를 사용할 수 있다.
또한, 검지 신호를 증폭하는 트랜지스터를 검지 유닛(522)에 사용할 수 있다.
서로 동일한 공정으로 제작할 수 있는 트랜지스터를 검지 신호를 증폭하는 트랜지스터 및 스위치로서 사용할 수 있다. 이로써, 제작 공정이 간략화된 센싱부(550)를 제공할 수 있다.
트랜지스터는 반도체층을 구비한다. 예를 들어, 4족 원소, 화합물 반도체, 또는 산화물 반도체를 반도체층에 사용할 수 있다. 구체적으로는, 실리콘을 함유한 반도체, 갈륨 비소를 함유한 반도체, 또는 인듐을 함유한 산화물 반도체 등을 반도체층에 적용할 수 있다.
다양한 결정성을 갖는 반도체층을 트랜지스터에 사용할 수 있다. 예를 들어, 비결정을 포함하는 반도체층, 미결정을 포함하는 반도체층, 다결정을 포함하는 반도체층, 또는 단결정을 포함하는 반도체층 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 비정질 실리콘, 레이저 어닐링 등의 처리에 의하여 결정화된 폴리실리콘, 또는 SOI(Silicon On Insulator) 기술을 이용하여 형성된 반도체층 등을 사용할 수 있다.
반도체층에 사용하는 산화물 반도체는 예를 들어, 적어도 인듐(In), 아연(Zn), 및 M(Al, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, 또는 Hf 등의 금속)을 함유한 In-M-Zn 산화물로 표기되는 막을 포함하는 것이 바람직하다. 또는 In과 Zn의 양쪽을 함유하는 것이 바람직하다.
스테빌라이저로서는 갈륨(Ga), 주석(Sn), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 또는 지르코늄(Zr) 등이 있다. 또한, 이들 외의 스테빌라이저로서는, 란타노이드인, 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu) 등이 있다.
산화물 반도체막을 구성하는 산화물 반도체로서, 예를 들어 In-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Zn계 산화물, In-Hf-Zn계 산화물, In-La-Zn계 산화물, In-Ce-Zn계 산화물, In-Pr-Zn계 산화물, In-Nd-Zn계 산화물, In-Sm-Zn계 산화물, In-Eu-Zn계 산화물, In-Gd-Zn계 산화물, In-Tb-Zn계 산화물, In-Dy-Zn계 산화물, In-Ho-Zn계 산화물, In-Er-Zn계 산화물, In-Tm-Zn계 산화물, In-Yb-Zn계 산화물, In-Lu-Zn계 산화물, In-Sn-Ga-Zn계 산화물, In-Hf-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Ga-Zn계 산화물, In-Sn-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Hf-Zn계 산화물, In-Hf-Al-Zn계 산화물, In-Ga계 산화물을 사용할 수 있다.
여기서는, In-Ga-Zn계 산화물이란, In, Ga, 및 Zn을 주성분으로 함유한 산화물을 뜻하며, In, Ga, 및 Zn의 비율은 불문한다. 또한, In과 Ga와 Zn 이외의 금속 원소가 함유되어 있어도 좋다.
주사선 G, 제어선 RES, 또는 신호선 S 등의 배선에는 도전성을 갖는 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 무기 도전성 재료, 유기 도전성 재료, 금속, 또는 도전성 세라믹 등을 배선에 사용할 수 있다.
구체적으로는 알루미늄, 금, 백금, 은, 크로뮴, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐, 니켈, 철, 코발트, 이트륨, 지르코늄, 팔라듐, 및 망가니즈 중에서 선택된 금속 원소, 상술한 금속 원소를 함유한 합금, 또는 상술한 금속 원소를 조합한 합금 등을 배선 등에 사용할 수 있다. 알루미늄, 크로뮴, 구리, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐 중에서 선택되는 하나 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 특히 구리와 망가니즈의 합금이 습식에칭법을 이용한 미세 가공에 적합하다.
또는, 알루미늄막 위에 타이타늄막을 적층한 2층 구조, 질화 타이타늄막 위에 타이타늄막을 적층한 2층 구조, 질화 타이타늄막 위에 텅스텐막을 적층한 2층 구조, 질화 탄탈럼막 또는 질화 텅스텐막 위에 텅스텐막을 적층한 2층 구조, 타이타늄막 위에 알루미늄막을 적층하고 그 위에 타이타늄막을 형성한 3층 구조 등을 사용할 수 있다.
또는, 알루미늄막 위에 타이타늄, 탄탈럼, 텅스텐, 몰리브데넘, 크로뮴, 네오디뮴, 스칸듐 중에서 선택된 하나 또는 복수를 조합한 합금막, 또는 질화막을 적층하는 적층 구조를 사용할 수 있다.
또는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 첨가한 산화 아연 등 도전성 산화물을 사용할 수 있다.
또는, 그래핀 또는 그래파이트를 사용할 수 있다. 그래핀을 함유한 막은 예를 들어, 막 형태로 형성된 산화 그래핀을 함유한 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원 방법으로서는 열을 가하는 방법이나 환원제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다.
또는, 도전성 고분자를 사용할 수 있다.
기재(520)는 가요성을 갖고, 제조 공정에 견딜 수 있을 정도의 내열성 및 제조 장치에 적용 가능한 두께 및 크기를 갖는 것이라면, 특별한 제한은 없다. 또한, 표시부(650)가 표시를 하는 측에 센싱부(550)를 배치하는 경우에는 투광성을 갖는 재료를 기재(520)에 사용한다.
무기 재료, 유기 재료, 또는 유기 재료와 무기 재료 등의 복합 재료 등을 기재(520)에 사용할 수 있다.
무기 재료로서는 예를 들어, 유리(더 구체적으로는 무알칼리 유리, 소다 석회 유리, 칼리 유리, 또는 크리스털 유리 등), 세라믹, 금속 산화물막, 금속 질화물막, 또는 금속 산화질화물막 등을 기재(520)에 사용할 수 있다. 금속 산화물막의 예로서는 산화 실리콘막, 알루미나막 등을 들 수 있다. 금속 질화물막의 예로서는 질화 실리콘막 등을 들 수 있다. 금속 산화질화물막의 예로서는 산화질화 실리콘막 등을 들 수 있다.
유기 재료로서는 수지, 수지 필름, 또는 플라스틱을 기재(520)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 수지 등의 수지 필름 또는 수지판을 기재(520)에 사용할 수 있다.
복합 재료로서는 박판 유리 또는 무기 재료 등의 막을 수지 필름 등에 접합한 복합 재료, 섬유형 또는 입자형 금속, 유리, 또는 무기 재료 등을 수지 필름에 분산한 복합 재료, 섬유형 또는 입자형의 수지, 또는 유기 재료 등을 무기 재료에 분산한 복합 재료 등을 기재(520)에 사용할 수 있다.
또한, 단층의 재료 또는 복수의 층이 적층된 적층 재료를 기재(520)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재와 기재에 포함되는 불순물의 확산을 방지하는 절연층 등이 적층된 적층 재료를 기재(520)에 사용할 수 있다.
적층 재료의 구체적인 예로서는 유리와, 유리에 함유되는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막과, 질화 실리콘막 또는 산화질화 실리콘막 등 중에서 선택된 하나 또는 복수의 막이 적층된 적층 재료, 수지와, 수지를 투과하는 불순물의 확산을 방지하는 산화 실리콘막과, 질화 실리콘막 또는 산화질화 실리콘막 등이 적층된 적층 재료 등을 기재(520)에 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는 가요성을 갖는 기재(520b)와, 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(520a)과, 이들을 접합하는 수지층(520c)의 적층 재료를 기재(520)에 적용한다(도 9의 (A) 참조).
연성 회로 기판 FPC1은 타이밍 신호나 전원 전위 등을 공급하고 접힌 상태 검지 신호 FSS 등 검지 신호를 공급받는다.
표시부(650)는 화소(622), 주사선, 신호선, 또는 기재(620)를 구비한다(도 8 참조).
또한, 기재(620)에 표시부(650)를 형성하기 위한 막을 성막하고, 상기 막을 가공하여 표시부(650)를 형성하여도 좋다.
또는, 표시부(650)의 일부를 다른 기재에 형성하고, 상기 일부를 기재(620)에 전치하여 표시부(650)를 형성하여도 좋다.
화소(622)는 부화소(602B), 부화소(602G), 및 부화소(602R)를 구비하고, 각 부화소는 표시 소자와 표시 소자를 구동하는 화소 회로를 구비한다.
화소 회로는 예를 들어, 트랜지스터(622t)를 구비한다.
표시부(650)는 트랜지스터(622t)를 덮는 절연막(641)을 구비한다. 절연막(641)은 화소 회로에 기인한 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 확산을 억제할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(641)에 적용할 수 있다. 이로써, 불순물 확산으로 인한 트랜지스터(622t) 등의 신뢰성 저하를 억제할 수 있다.
표시부(650)에 사용할 수 있는 표시 소자로서는, 예를 들어 전기 영동 방식이나 전자 분류체(電子粉流體, Electronic Liquid Powder(등록상표)) 방식이나 전기습윤 방식 등으로 표시가 수행되는 표시 소자(전자 잉크라고도 함), 셔터 방식의 MEMS 표시 소자, 광 간섭 방식의 MEMS 표시 소자, 액정 소자 등을 사용할 수 있다.
또한, 투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이 등에 사용할 수 있는 표시 소자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 사출하는 빛의 색이 다른 유기 일렉트로루미네선스 소자를 부화소마다 적용하여도 좋다. 예를 들어, 백색 빛을 사출하는 유기 일렉트로루미네선스 소자를 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는 표시 소자로서 발광 소자(640R)를 사용한다. 발광 소자(640R)는 하부 전극, 상부 전극, 및 하부 전극과 상부 전극 사이의 발광성 유기 화합물을 함유한 층을 구비한다.
부화소(602R)는 발광 모듈(660R)을 구비한다. 부화소(602R)는 발광 소자(640R)와, 발광 소자(640R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(622t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다. 또한, 발광 모듈(660R)은 발광 소자(640R)와 광학 소자(예를 들어 착색층 CFR)를 구비한다.
또한, 특정한 파장의 빛을 효율적으로 추출할 수 있도록 발광 모듈(660R)에 미소 공진기 구조를 배치할 수 있다. 구체적으로는, 특정한 빛을 효율적으로 추출할 수 있도록 배치된 가시광을 반사하는 막 및 반반사·반투과하는 막 사이에 발광성 유기 화합물을 함유한 층을 배치하여도 좋다.
발광 모듈(660R)은 빛을 추출하는 방향으로 착색층 CFR을 구비한다. 착색층은 특정한 파장의 빛을 투과시키는 것이라면 좋고, 예를 들어 적색, 녹색, 또는 청색 등의 빛을 선택적으로 투과시키는 것을 사용할 수 있다. 또한, 다른 부화소를 착색층이 제공되지 않은 창문부와 중첩되도록 배치하고, 착색층을 투과하지 않고 발광 소자가 발하는 빛을 사출하여도 좋다.
착색층 CFR은 발광 소자(640R)와 중첩되는 위치에 있다. 이로써, 발광 소자(640R)가 발하는 빛의 일부는 착색층 CFR을 투과하고, 도면 중 화살표 방향으로 발광 모듈(660R) 외부로 사출된다.
착색층(예를 들어, 착색층 CFR)을 둘러싸도록 차광층 BM이 있다.
*또한, 빛을 추출하는 측에 밀봉재(644)가 제공되어 있는 경우, 밀봉재(644)는 발광 소자(640R)와 착색층 CFR에 접촉하여도 좋다.
하부 전극은 절연막(641) 위에 배치된다. 또한, 하부 전극과 중첩되는 개구부가 제공된 격벽(528)을 구비한다. 격벽(528)의 일부는 하부 전극의 단부와 중첩된다.
하부 전극은 상부 전극과의 사이에 발광성 유기 화합물을 함유한 층을 끼워 발광 소자(예를 들어, 발광 소자(640R))를 구성한다. 화소 회로는 발광 소자에 전력을 공급한다.
또한, 격벽(528) 위에 기재(520)와 기재(620) 사이의 간격을 제어하는 스페이서를 구비한다.
또한, 반투과형 액정 디스플레이나 반사형 액정 디스플레이를 실현하기 위해서는, 화소 전극의 일부 또는 전체가 반사 전극으로서의 기능을 가지도록 하면 좋다. 예를 들어, 화소 전극의 일부 또는 전체가 알루미늄, 은 등을 함유하면 좋다.
또한, 반사 전극 아래에 SRAM 등 기억 회로를 제공할 수도 있다. 이로써, 소비 전력을 더 저감할 수 있다. 또한, 적용하는 표시 소자에 적합한 구성을 다양한 화소 회로의 구성 중에서 선택하여 사용할 수 있다.
가요성을 갖는 재료를 기재(620)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 기재(520)에 사용할 수 있는 재료와 같은 재료를 기재(620)에 적용할 수 있다.
또한, 기재(620)가 투광성을 가질 필요가 없는 경우에는, 예를 들어 투광성을 갖지 않는 재료, 구체적으로는 SUS 또는 알루미늄 등을 사용할 수 있다.
예를 들어, 가요성을 갖는 기재(620b), 불순물의 확산을 방지하는 배리어막(620a), 및 기재(620b)와 배리어막(620a)을 접합하는 수지층(620c)이 적층된 적층 구조를 기재(620)에 바람직하게 사용할 수 있다(도 9의 (A) 참조).
밀봉재(644)에 의하여 기재(520)와 기재(620)가 접합된다. 밀봉재(644)는 공기보다 큰 굴절률을 갖는다. 또한, 밀봉재(644) 측에 빛을 추출하는 경우에는 밀봉재(644)와 접촉하는 층(예를 들어, 착색층 CFR)과의 굴절률의 차이를 작게 함으로써, 효율적으로 빛을 추출할 수 있다.
또한, 화소 회로 또는 발광 소자(예를 들어, 발광 소자(640R))는 기재(620)와 기재(520) 사이에 있다.
주사선 구동 회로(624G1)는 선택 신호를 공급한다. 또한, 트랜지스터(624t) 및 용량 소자(624c)를 포함한다. 또한, 화소 회로와 동일한 공정으로 동일한 기판 위에 형성할 수 있는 트랜지스터를 구동 회로에 사용할 수 있다. 주사선 구동 회로에 대해서는 앞의 실시형태에서 자세히 설명하였다.
표시부(650)는 주사선, 신호선, 및 전원선 등의 배선을 구비한다. 배선의 재료로서는 예를 들어, 센싱부(550)에 사용할 수 있는 도전막과 같은 재료를 사용할 수 있다.
표시부(650)는 신호를 공급할 수 있는 배선(611)을 구비하고, 단자(619)가 배선(611)에 제공된다. 또한, 화상 신호 및 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 연성 회로 기판 FPC2가 단자(619)에 전기적으로 접속된다.
또한, 연성 회로 기판 FPC2에는 프린트 배선판 PWB가 장착되어도 좋다.
센싱부(550) 및/또는 표시부(650)에 적용 가능한 트랜지스터의 구성에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 보텀 게이트형 트랜지스터를 센싱부(550)에 적용하는 경우의 구성을 도 9의 (A)에 도시하였다.
또한, 예를 들어, 보텀 게이트형 트랜지스터를 표시부(650)에 적용하는 경우의 구성을 도 9의 (A) 및 (B)에 도시하였다.
트랜지스터에 적용할 수 있는 반도체 재료에도 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 함유한 반도체층을 도 9의 (A)에 도시된 트랜지스터(622t) 및 트랜지스터(624t)에 적용할 수 있다. 또는, 예를 들어, 레이저 어닐링 등의 처리에 의하여 결정화시킨 다결정 실리콘을 포함하는 반도체층을 도 9의 (B)의 트랜지스터(622t) 및 트랜지스터(624t)에 적용할 수 있다.
톱 게이트형 트랜지스터를 표시부(650)에 적용하는 경우의 구성을 도 9의 (C)에 도시하였다. 예를 들어, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 기판 등으로부터 전치된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을 도 9의 (C)의 트랜지스터(622t) 및 트랜지스터(624t)에 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 기기의 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
접고 펼칠 수 있는 형상을 갖는 반도체 장치를 갖는 전자 기기로서, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 대형 게임기 등을 들 수 있다.
도 10의 (A), (B1), 및 (B2)는 한 번 접히는 태블릿 단말(9600)을 도시한 것이다. 또한, 여기서는 한 번 접히는 태블릿 단말의 예를 도시하였지만, 두 번이나 세 번 등 여러 번 접히는 표시 장치도 구현할 수 있다. 도 10의 (A)는 태블릿 단말(9600)을 펼친 상태이며, 태블릿 단말(9600)은 하우징(9630), 표시부(9631), 터치 센서의 센싱부(9632), 전원 스위치(9627), 후크(9629)를 구비한다.
하우징(9630)은 하우징(9630a)과 하우징(9630b)을 구비하고, 하우징(9630a)과 하우징(9630b)은 접속 부재(9639)로 연결된다. 접속 부재(9639)는 하우징(9630)을 한 번 접을 때, 힌지로서 기능한다.
또한, 하우징(9630a)과 하우징(9630b)에 의하여 지탱된 접을 수 있는 표시 패널로 표시부(9631)가 구성된다. 또한, 표시 패널 위에 중첩되도록 액티브 터치 센서를 갖는 패널이 제공되고, 터치 센서의 센싱부(9632)와 표시부(9631)는 적어도 일부가 중첩된다.
도 10의 (B1)은 태블릿 단말(9600)을 표시부(9631) 및 센싱부(9632)를 외측으로 하여 닫은 상태이다. 이 경우, 태블릿 단말(9600)의 사용자가 시인하지 못하는 영역(예를 들어, 하우징(9630b)에 의하여 지탱되는 영역)의 표시부 및/또는 센싱부의 동작을 정지함으로써, 태블릿 단말(9600)의 소비 전력을 저감할 수 있다.
도 10의 (B2)는 태블릿 단말(9600)을 표시부(9631) 및 센싱부(9632)를 내측으로 하여 닫은 상태이다. 태블릿 단말(9600)은 하우징(9630), 태양 전지(9633), 충방전 제어 회로(9634)를 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 도 10의 (B2)는 충방전 제어 회로(9634)의 일례로서 전지(9635), DC-DC 컨버터(9636)를 구비하는 구성을 도시한 것이다.
태블릿 단말(9600)은 접을 수 있기 때문에 사용하지 않을 때는 하우징(9630)을 닫은 상태로 할 수 있다. 따라서, 휴대성이 우수하며 하우징(9630)을 닫음으로써 표시부(9631)를 보호할 수 있기 때문에, 내구성이 우수하고 장기 사용의 관점에서 봐도 신뢰성이 우수한 태블릿 단말을 구현할 수 있다. 또한, 태블릿 단말(9600)을 펼친 상태로 함으로써, 표시의 일람성이 우수하고 대화면의 표시부 및/또는 센싱부를 구비하는 태블릿 단말로 할 수 있다.
또한, 도 10의 (A), (B1), 및 (B2)에 도시된 태블릿 단말은 이 외에도 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시하는 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시부에 표시하는 기능, 표시부에 표시한 정보를 터치 입력 조작 또는 편집하는 터치 입력 기능, 각종 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능 등을 가질 수 있다.
태블릿 단말의 표면에 장착된 태양 전지(9633)에 의하여, 전력을 터치 패널, 표시부, 센싱부, 또는 영상 신호 처리부 등에 공급할 수 있다. 또한, 태양 전지(9633)를 하우징(9630)의 한 면 또는 양면에 제공할 수 있고, 전지(9635)를 효율적으로 충전할 수 있는 구성으로 할 수 있다. 또한, 전지(9635)로서 리튬 이온 전지를 사용하면, 소형화를 도모할 수 있는 등의 장점이 있다.
또한, 도 10의 (B2)에 도시된 충방전 제어 회로(9634)의 구성 및 동작에 대하여 도 10의 (C)의 블록도를 참조하여 설명한다. 도 10의 (C)는 태양 전지(9633), 전지(9635), DC-DC 컨버터(9636), 컨버터(9637), 스위치 SW1~SW3, 및 표시부(9631)를 도시한 것이다. 전지(9635), DC-DC 컨버터(9636), 컨버터(9637), 및 스위치 SW1~SW3은 도 10의 (B2)에 도시된 충방전 제어 회로(9634)에 대응한다.
우선, 외광을 이용하여 태양 전지(9633)로 발전되는 경우의 동작 예에 대하여 설명한다. 태양 전지로 발전된 전력은 전지(9635)를 충전하기 위한 전압이 되도록 DC-DC 컨버터(9636)에 의하여 승압 또는 강압된다. 그리고, 표시부(9631)의 동작에 태양 전지(9633)로부터의 전력이 사용될 때는 스위치 SW1을 온 상태로 하여 컨버터(9637)에 의하여 표시부(9631)에 필요한 전압으로 승압 또는 강압한다. 또한, 표시부(9631)에 표시를 수행하지 않을 때는 스위치 SW1을 오프 상태로 하고 스위치 SW2를 온 상태로 함으로써 전지(9635)를 충전하는 구성으로 하면 좋다.
또한, 발전 수단의 일례로서 태양 전지(9633)를 사용하는 경우를 제시하였지만, 이에 특별히 제한되지 않고 압전 소자(피에조 소자)나 열전 변환 소자(펠티어 소자) 등 다른 발전 수단에 의하여 전지(9635)를 충전하는 구성이라도 좋다. 예를 들어 무선(비접촉)으로 전력을 송수신하여 충전하는 무접점 전력 전송 모듈이나 다른 충전 수단을 조합하여 충전하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 반도체 장치를 구비하기만 하면, 상술한 전자 기기에 특별히 제한되지 않는다.
본 실시형태의 구성이나 방법 등은 다른 실시형태의 구성이나 방법 등과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
13a: 접속 부재
15a: 하우징
15b: 하우징
100: 유닛 회로
200: 반도체 장치
210: 제어부
230: 가동부
230(1): 제 1 영역
230(2): 제 2 영역
230(3): 제 3 영역
232: 구동 회로부
232G1: 주사선 구동 회로
232G2: 주사선 구동 회로
232G3: 주사선 구동 회로
232S: 신호선 제어 회로
240: 검지부
250: 반도체 장치
260: 스위치
262: 스위치
264: 스위치
266: 스위치
280: 경계
280a: 경계
280b: 경계
282a: 경계
282b: 경계
300: 반도체 장치
400: 반도체 장치
503: 용량 소자
511: 트랜지스터
512: 트랜지스터
513: 트랜지스터
520: 기재
520a: 배리어막
520b: 기재
520c: 수지층
522: 검지 유닛
524G1: 주사선 구동 회로
524G2: 주사선 구동 회로
524S: 신호선 제어 회로
528: 격벽
530: 센싱부
530(1): 제 1 영역
530(2): 제 2 영역
532: 구동 회로부
532G1: 주사선 구동 회로
532G2: 주사선 구동 회로
532S: 신호선 제어 회로
580: 경계
550: 센싱부
560: 용량 소자
562: 전극
564: 전극
566: 절연층
568: 창문부
570: 보호층
570p: 반사 방지층
602B: 부화소
602G: 부화소
602R: 부화소
611: 배선
619: 단자
620: 기재
620a: 배리어막
620b: 기재
620c: 수지층
622: 화소
622t: 트랜지스터
624c: 용량 소자
624G: 주사선 구동 회로
624G1: 주사선 구동 회로
624t: 트랜지스터
630: 표시부
630(1): 제 1 영역
630(2): 제 2 영역
632: 구동 회로부
632G1: 주사선 구동 회로
632G2: 주사선 구동 회로
632S: 신호선 제어 회로
634c: 용량 소자
634t_1: 트랜지스터
634t_2: 트랜지스터
635EL: EL 소자
640R: 발광 소자
641: 절연막
644: 밀봉재
650: 표시부
660R: 발광 모듈
680: 경계
9600: 태블릿 단말
9627: 전원 스위치
9629: 후크
9630: 하우징
9630a: 하우징
9630b: 하우징
9631: 표시부
9632: 센싱부
9633: 태양 전지
9634: 충방전 제어 회로
9635: 전지
9636: DC-DC 컨버터
9637: 컨버터
9639: 접속 부재

Claims (5)

  1. 반도체 장치에 있어서,
    발광 소자와 전기적으로 접속된 제 1 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터 위의 제 2 트랜지스터;
    제 1 하우징과 중첩하는 제 1 표시부;
    가동부와 중첩하는 제 2 표시부; 및
    제 2 하우징과 중첩하는 제 3 표시부를 포함하고,
    열린 상태에서, 상기 가동부가 노출되고,
    접힌 상태에서, 상기 제 3 표시부는 가시적이고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이지 않고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부와 상기 제 3 표시부는 서로 중첩하고,
    상기 열린 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이고,
    상기 제 2 트랜지스터는 반도체 층에 산화물 반도체를 포함하는, 반도체 장치.
  2. 반도체 장치에 있어서,
    발광 소자와 전기적으로 접속된 제 1 트랜지스터;
    제 1 하우징과 중첩하는 제 1 표시부;
    가동부와 중첩하는 제 2 표시부;
    제 2 하우징과 중첩하는 제 3 표시부;
    상기 제 1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 소스 구동 회로;
    상기 제 1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 게이트 구동 회로; 및
    상기 제 3 표시부와 전기적으로 접속된 제 2 게이트 구동 회로를 포함하고,
    열린 상태에서, 상기 가동부가 노출되고,
    접힌 상태에서, 상기 제 3 표시부는 가시적이고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이지 않고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부와 상기 제 3 표시부는 서로 중첩하고,
    상기 열린 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이고,
    상기 제 1 표시부는 상기 제 2 표시부와 연속적으로 접속된, 반도체 장치.
  3. 반도체 장치에 있어서,
    발광 소자와 전기적으로 접속된 제 1 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터 위의 제 2 트랜지스터;
    제 1 하우징과 중첩하는 제 1 표시부;
    가동부와 중첩하는 제 2 표시부;
    제 2 하우징과 중첩하는 제 3 표시부;
    상기 제 1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 소스 구동 회로;
    상기 제 1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 게이트 구동 회로; 및
    상기 제 3 표시부와 전기적으로 접속된 제 2 게이트 구동 회로를 포함하고,
    열린 상태에서, 상기 가동부가 노출되고,
    접힌 상태에서, 상기 제 3 표시부는 가시적이고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이지 않고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부와 상기 제 3 표시부는 서로 중첩하고,
    상기 열린 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이고,
    상기 제 1 표시부는 상기 제 2 표시부와 연속적으로 접속되고,
    상기 제 1 트랜지스터는 기재 위에 제공되고,
    상기 기재는 가요성을 갖는 기재, 수지층, 및 배리어막을 포함하는 적층 구조를 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는, 반도체 장치.
  4. 반도체 장치에 있어서,
    발광 소자와 전기적으로 접속된 제 1 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터 위의 제 2 트랜지스터;
    제 1 하우징과 중첩하는 제 1 표시부;
    가동부와 중첩하는 제 2 표시부;
    제 2 하우징과 중첩하는 제 3 표시부;
    상기 제 1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 소스 구동 회로;
    상기 제1 표시부와 전기적으로 접속된 제 1 게이트 구동 회로; 및
    상기 제 3 표시부와 전기적으로 접속된 제 2 게이트 구동 회로를 포함하고,
    열린 상태에서, 상기 가동부는 제 3 하우징과 제 4 하우징 사이에서 노출되고,
    접힌 상태에서, 상기 제 3 표시부는 가시적이고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이지 않고,
    상기 접힌 상태에서, 상기 제 1 표시부와 상기 제 3 표시부는 서로 중첩하고,
    상기 열린 상태에서, 상기 제 1 표시부 및 상기 제 2 표시부는 가시적이고,
    상기 제 1 표시부는 상기 제 2 표시부와 연속적으로 접속되고,
    상기 제 1 트랜지스터는 기재 위에 제공되고,
    상기 기재는 가요성을 갖는 기재, 수지층, 및 배리어막을 포함하는 적층 구조를 갖고,
    상기 제 2 트랜지스터는 반도체층에 산화물 반도체를 포함하는, 반도체 장치.
  5. 반도체 장치에 있어서,
    발광 소자와 전기적으로 접속된 제 1 트랜지스터;
    제 1 하우징과 중첩하는 제 1 표시부;
    가동부와 중첩하는 제 2 표시부; 및
    제 2 하우징과 중첩하는 제 3 표시부를 포함하는, 반도체 장치.

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