KR20230061572A - Metal sheet, method for manufacturing metal sheet, and method for manufacturing vapor deposition mask using metal sheet - Google Patents
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Abstract
관통 구멍의 위치의 변동이 억제된 증착 마스크를 제작할 수 있는 금속판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 열처리 전의 샘플에 있어서의 2개의 측정점 간의 거리에 대한, 열처리 전후에서의 거리의 차의 백만분율을, 열 복원율로서 정의한다. 이 경우, 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 평균값이 -10ppm 이상 +10ppm 이하이고, 또한, 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 편차가 20ppm 이하이다.An object of the present invention is to provide a metal plate capable of fabricating a deposition mask in which fluctuations in positions of through holes are suppressed. A percentage per million of the difference in the distance before and after the heat treatment with respect to the distance between the two measurement points in the sample before the heat treatment is defined as the thermal recovery rate. In this case, the average value of the thermal recovery rate in each sample is -10 ppm or more and +10 ppm or less, and the variation in the thermal recovery rate in each sample is 20 ppm or less.
Description
본 발명은, 복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 금속판의 제조 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 복수의 관통 구멍이 형성된 마스크를, 금속판을 사용하여 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal plate used for manufacturing a deposition mask by forming a plurality of through holes. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of a metal plate. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a mask having a plurality of through holes using a metal plate.
최근 들어, 스마트폰이나 태블릿 PC 등의 운반 가능한 디바이스에서 사용되는 표시 장치에 대하여, 고정밀일 것, 예를 들어 화소 밀도가 300ppi 이상일 것이 요구되고 있다. 또한, 운반 가능한 디바이스에 있어서도, 풀 하이비전에 대응하는 것에 대한 수요가 높아지고 있으며, 이 경우, 표시 장치의 화소 밀도가, 예를 들어 450ppi 이상일 것이 요구된다.In recent years, display devices used in portable devices such as smartphones and tablet PCs are required to be highly precise, for example, to have a pixel density of 300 ppi or higher. In addition, even in a portable device, the demand for a device compatible with full high-vision is increasing, and in this case, the pixel density of the display device is required to be 450 ppi or more, for example.
응답성의 양호함이나 소비 전력의 낮음으로 인하여, 유기 EL 표시 장치가 주목받고 있다. 유기 EL 표시 장치의 화소를 형성하는 방법으로서, 원하는 패턴으로 배열된 관통 구멍을 포함하는 증착 마스크를 사용하여, 원하는 패턴으로 화소를 형성하는 방법이 알려져 있다. 구체적으로는, 처음에, 유기 EL 표시 장치용 기판에 대하여 증착 마스크를 밀착시키고, 이어서, 밀착시킨 증착 마스크 및 기판을 함께 증착 장치에 투입하여, 유기 재료 등의 증착을 행한다. 증착 마스크는 일반적으로, 포토리소그래피 기술을 사용한 에칭에 의하여 금속판에 관통 구멍을 형성함으로써, 제조될 수 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 예를 들어, 처음에, 금속판 상에 레지스트막을 형성하고, 이어서, 레지스트막에 노광 마스크를 밀착시킨 상태에서 레지스트막을 노광하여 레지스트 패턴을 형성하고, 그 후, 금속판 중 레지스트 패턴에 의하여 덮이지 않은 영역을 에칭함으로써, 관통 구멍이 형성된다.Due to good responsiveness and low power consumption, organic EL display devices are attracting attention. As a method of forming pixels of an organic EL display device, a method of forming pixels in a desired pattern using a deposition mask including through holes arranged in a desired pattern is known. Specifically, first, a deposition mask is brought into close contact with a substrate for an organic EL display device, and then, the adhered deposition mask and substrate are put together into a deposition apparatus to deposit an organic material or the like. A deposition mask can generally be manufactured by forming a through hole in a metal plate by etching using a photolithography technique (for example, Patent Document 1). For example, first, a resist film is formed on a metal plate, then the resist film is exposed in a state where an exposure mask is brought into close contact with the resist film to form a resist pattern, and then the area of the metal plate not covered by the resist pattern By etching, a through hole is formed.
(특허문헌 1) 일본 특허 공개 제2004-39319호 공보(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-39319
증착 마스크를 사용하여 증착 재료를 기판 상에 성막하는 경우, 기판뿐만 아니라 증착 마스크에도 증착 재료가 부착된다. 예를 들어, 증착 재료 중에는, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 크게 경사진 방향을 따라 기판을 향하는 것도 존재하는데, 그러한 증착 재료는, 기판에 도달하기보다도 전에 증착 마스크의 관통 구멍의 벽면에 도달하여 부착된다. 이 경우, 기판 중 증착 마스크의 관통 구멍의 벽면 근방에 위치하는 영역에는 증착 재료가 부착되기 어려워지고, 그 결과, 부착되는 증착 재료의 두께가 다른 부분에 비하여 작아져 버리거나, 증착 재료가 부착되지 않은 부분이 발생해 버리거나 하는 것이 생각된다. 즉, 증착 마스크의 관통 구멍의 벽면 근방에 있어서의 증착이 불안정해져 버리는 것이 생각된다. 따라서, 유기 EL 표시 장치의 화소를 형성하기 위하여 증착 마스크가 사용되는 경우, 화소의 치수 정밀도나 위치 정밀도가 저하되어 버리고, 그 결과, 유기 EL 표시 장치의 발광 효율이 저하되어 버리게 된다.When a deposition material is deposited on a substrate using a deposition mask, the deposition material is attached to the deposition mask as well as the substrate. For example, some evaporation materials are directed toward the substrate along a direction greatly inclined with respect to the normal direction of the deposition mask, but such evaporation materials reach the wall surface of the through hole of the deposition mask before reaching the substrate and adhere thereto. do. In this case, it is difficult for the evaporation material to adhere to a region of the substrate located near the wall surface of the through hole of the deposition mask. It is conceivable that a part may occur. That is, it is considered that vapor deposition in the vicinity of the wall surface of the through hole of the deposition mask becomes unstable. Therefore, when a deposition mask is used to form the pixels of the organic EL display device, the dimensional accuracy and positional accuracy of the pixels are lowered, and as a result, the luminous efficiency of the organic EL display device is lowered.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판의 두께를 작게 하는 것이 생각된다. 왜냐하면, 금속판의 두께를 작게 함으로써, 증착 마스크의 관통 구멍의 벽면의 높이를 작게 할 수 있고, 이것에 의하여, 증착 재료 중 관통 구멍의 벽면에 부착되는 것의 비율을 낮출 수 있기 때문이다. 그러나, 두께가 작은 금속판을 얻기 위해서는, 모재를 압연하여 금속판을 제조할 때의 압연율을 크게 할 필요가 있다. 여기서 압연율이란, (모재의 두께-금속판의 두께)/(모재의 두께)에 의하여 산출되는 값이다. 금속을 압연했을 경우, 금속 내부에는 변형이 발생한다. 압연 후에 어닐링 등의 열처리를 실시했을 경우에도, 이러한 변형을 단시간에 완전히 제거하는 것은 용이치 않다. 따라서, 증착 마스크를 제작하기 위하여 사용되는 금속판에는, 금속판 내부에 잔류하고 있는 변형, 즉, 잔류 변형이 통상은 존재하고 있다.In order to solve such a subject, it is considered to reduce the thickness of the metal plate used to manufacture the deposition mask. This is because, by reducing the thickness of the metal plate, the height of the wall surface of the through hole of the deposition mask can be reduced, thereby reducing the ratio of deposition materials adhering to the wall surface of the through hole. However, in order to obtain a metal sheet having a small thickness, it is necessary to increase the rolling ratio when manufacturing a metal sheet by rolling a base material. Here, the rolling ratio is a value calculated by (thickness of the base material-thickness of the metal plate)/(thickness of the base material). When a metal is rolled, deformation occurs inside the metal. Even when heat treatment such as annealing is performed after rolling, it is not easy to completely remove such strain in a short time. Therefore, in the metal plate used to fabricate the deposition mask, there is usually a strain remaining inside the metal plate, that is, a residual strain.
그런데, 금속판을 사용하여 증착 마스크를 제조하는 공정이나, 증착 마스크를 사용한 증착 공정은, 증착 마스크를 구성하는 금속판에 열을 가하는 공정을 포함하고 있다. 이때, 열에 기인하여 금속판 중의 잔류 응력이 제거되거나, 결정의 배열이 변화되거나 하는 경우가 있다. 잔류 응력이 제거되거나, 결정의 배열이 변화되거나 하면, 금속판의 치수가 짧아지는 경우가 있다. 예를 들어 잔류 응력이 제거되었을 경우에는, 잔류 응력으로 유지되고 있던 재료 형상이, 가능한 한 변형이 없어지도록 변화되기 때문에, 금속판의 치수가 짧아지는 경우가 있다. 또한 결정의 배열이 변화되었을 경우에는, 결정 밀도가, 보다 밀도가 높아지도록 변화되기 때문에, 금속판의 치수가 짧아지는 경우가 있다.By the way, a process of manufacturing a deposition mask using a metal plate or a deposition process using a deposition mask includes a process of applying heat to the metal plate constituting the deposition mask. At this time, there are cases where residual stress in the metal sheet is removed due to heat or the arrangement of crystals is changed. When the residual stress is removed or the arrangement of crystals is changed, the size of the metal sheet may be shortened. For example, when the residual stress is removed, the shape of the material held by the residual stress is changed so that deformation is eliminated as much as possible, so the dimension of the metal plate may be shortened. In addition, when the arrangement of the crystals is changed, the crystal density is changed so that the density becomes higher, so the size of the metal plate may be shortened.
증착 마스크를 구성하는 금속판의 치수가 열에 따라 변화될 수 있다는 것은, 증착 마스크에 형성된 관통 구멍의 위치가 열에 의하여 변화될 수 있음을 의미하고 있다. 또한, 금속판 내부의 잔류 변형의 정도가, 금속판의 폭 방향에 있어서 상이한 경우도 있을 수 있다. 이 경우, 관통 구멍의 위치가 열에 의하여 변화되는 정도가, 기본이 되는 긴 금속판에 있어서 증착 마스크를 구성하는 금속판이 차지하고 있었던 폭 방향에서의 위치에 따라 달라진다. 이는, 증착 마스크에 형성된 관통 구멍의 위치가 열에 의하여 변화될 뿐만 아니라, 그 변화의 정도가, 증착 마스크의 개체마다 다르다는 것을 의미한다. 따라서, 각 증착 마스크의 관통 구멍의 위치를 정밀하게 설정하기 위해서는, 기본이 되는 긴 금속판으로서, 잔류 변형의 정도 및 그 편차가 작은 것을 사용하는 것이 중요해진다. 이와 같은 과제는, 상술한 특허문헌 1에 있어서는 인식되지 못한 것이다.The fact that the size of the metal plate constituting the deposition mask can be changed by heat means that the position of the through hole formed in the deposition mask can be changed by heat. In addition, there may be cases where the degree of residual strain inside the metal plate differs in the width direction of the metal plate. In this case, the degree to which the positions of the through holes are changed by heat varies depending on the position in the width direction occupied by the metal plate constituting the deposition mask in the basic long metal plate. This means that not only the position of the through hole formed in the deposition mask is changed by heat, but also the degree of change is different for each individual deposition mask. Therefore, in order to precisely set the position of the through hole of each deposition mask, it is important to use a long metal plate that is the base and has a small degree of residual strain and a small variation thereof. Such a subject was not recognized in
본 발명은, 이와 같은 과제를 고려하여 이루어진 것이며, 높은 위치 정밀도로 형성된 관통 구멍을 구비한 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은, 금속판의 제조 방법 및 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such a subject, and an object of the present invention is to provide a metal plate used for manufacturing a deposition mask having through holes formed with high positional accuracy. Moreover, an object of this invention is to provide the manufacturing method of a metal plate, and the manufacturing method of a mask.
본 발명은, 복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판의 제조 방법이며,The present invention is a method for manufacturing a metal plate used for manufacturing a deposition mask by forming a plurality of through holes,
상기 증착 마스크의 상기 관통 구멍은, 상기 금속판을 에칭함으로써 형성되는 것이고,The through hole of the deposition mask is formed by etching the metal plate;
상기 금속판의 제조 방법은,The manufacturing method of the metal plate,
모재를 압연하여 상기 금속판을 얻는 압연 공정과,A rolling step of obtaining the metal sheet by rolling a base material;
상기 압연 공정에 의하여 얻어진 상기 금속판을 어닐링하는 어닐링 공정Annealing process of annealing the metal plate obtained by the rolling process
을 구비하고,to provide,
상기 금속판으로부터 취출한 복수의 샘플에 열처리를 실시하기 전후에 측정되는, 상기 각 샘플 상의 2개의 측정점 간에 있어서의 거리를 각각 L1 및 L2라 하고, 각 샘플의 열 복원율 F를 이하의 식The distance between two measurement points on each sample, measured before and after heat treatment on a plurality of samples taken out from the metal plate, is L1 and L2, respectively, and the heat recovery rate F of each sample is expressed by the following formula
F={(L1-L2)/L1}×106(ppm)F={(L1-L2)/L1}×10 6 (ppm)
에 의하여 정의하는 경우, 이하의 조건 (1), (2)가 만족되어 있으며,When defined by, the following conditions (1) and (2) are satisfied,
(1) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 평균값이 -10ppm 이상 +10ppm 이하일 것; 및,(1) that the average value of the thermal recovery rate in each of the above samples is -10 ppm or more and +10 ppm or less; and,
(2) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 편차가 20ppm 이하일 것;(2) Variation in thermal recovery rate in each of the above samples is 20 ppm or less;
상기 샘플은, 상기 금속판을 상기 금속판의 폭 방향을 따라 절단함으로써 얻은 적어도 하나의 샘플 금속판을, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 복수로 절단함으로써 얻어지는 것이고,The sample is obtained by cutting a plurality of at least one sample metal plate obtained by cutting the metal plate along the width direction of the metal plate along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 샘플 상의 상기 2개의 측정점은, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 배열되어 있으며,The two measuring points on the sample are arranged along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 열처리는, 상기 각 샘플의 온도를 25℃에서 300℃로 30분 동안에 승온시키는 제1 공정과, 5분간에 걸쳐 상기 각 샘플의 온도를 300℃로 유지하는 제2 공정과, 상기 각 샘플의 온도를 300℃에서 25℃로 60분 동안에 강온시키는 제3 공정을 포함하고,The heat treatment includes a first step of raising the temperature of each sample from 25 ° C to 300 ° C for 30 minutes, a second step of maintaining the temperature of each sample at 300 ° C for 5 minutes, and A third step of lowering the temperature from 300 ° C. to 25 ° C. for 60 minutes,
상기 열 복원율의 편차는, 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 표준 편차에 3을 곱함으로써 산출되는 값인, 금속판의 제조 방법이다.The variation of the heat recovery rate is a value calculated by multiplying the standard deviation of the heat recovery rate of each sample by 3, according to the manufacturing method of the metal plate.
본 발명에 의한 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 어닐링 공정은, 상기 압연된 모재를 길이 방향으로 잡아당기면서 실시되어도 된다. 또는, 상기 어닐링 공정은, 코어에 권취된 상태의 상기 금속판에 대하여 실시되어도 된다.In the method for manufacturing a metal sheet according to the present invention, the annealing step may be performed while pulling the rolled base material in the longitudinal direction. Alternatively, the annealing step may be performed on the metal sheet wound around a core.
본 발명에 의한 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 모재가, 인바재로 구성되어 있어도 된다.In the method for manufacturing a metal sheet according to the present invention, the base material may be composed of an invar material.
본 발명은 복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판이며,The present invention is a metal plate used to manufacture a deposition mask by forming a plurality of through holes,
상기 마스크의 상기 관통 구멍은, 상기 금속판을 에칭함으로써 형성되는 것이고,The through hole of the mask is formed by etching the metal plate,
상기 금속판으로부터 취출한 복수의 샘플에 열처리를 실시하기 전후에 측정되는, 상기 각 샘플 상의 2개의 측정점 간에 있어서의 거리를 각각 L1 및 L2라 하고, 각 샘플의 열 복원율 F를 이하의 식The distance between two measurement points on each sample, measured before and after heat treatment on a plurality of samples taken out from the metal plate, is L1 and L2, respectively, and the heat recovery rate F of each sample is expressed by the following formula
F={(L1-L2)/L1}×106 F={(L1-L2)/L1}×10 6
에 의하여 정의하는 경우, 이하의 조건 (1), (2)가 만족되어 있으며,When defined by, the following conditions (1) and (2) are satisfied,
(1) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 평균값이 -10ppm 이상 +10ppm 이하일 것; 및,(1) that the average value of the thermal recovery rate in each of the above samples is -10 ppm or more and +10 ppm or less; and,
(2) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 편차가 20ppm 이하일 것;(2) Variation in thermal recovery rate in each of the above samples is 20 ppm or less;
상기 샘플은, 상기 금속판을 상기 금속판의 폭 방향을 따라 절단함으로써 얻은 적어도 하나의 샘플 금속판을, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 복수로 절단함으로써 얻어지는 것이고,The sample is obtained by cutting a plurality of at least one sample metal plate obtained by cutting the metal plate along the width direction of the metal plate along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 샘플 상의 상기 2개의 측정점은, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 배열되어 있으며,The two measuring points on the sample are arranged along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 열처리는, 상기 각 샘플의 온도를 25℃에서 300℃로 30분 동안에 승온시키는 제1 공정과, 5분간에 걸쳐 상기 각 샘플의 온도를 300℃로 유지하는 제2 공정과, 상기 각 샘플의 온도를 300℃에서 25℃로 60분 동안에 강온시키는 제3 공정을 포함하고,The heat treatment includes a first step of raising the temperature of each sample from 25 ° C to 300 ° C for 30 minutes, a second step of maintaining the temperature of each sample at 300 ° C for 5 minutes, and A third step of lowering the temperature from 300 ° C. to 25 ° C. for 60 minutes,
상기 열 복원율의 편차는, 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 표준 편차에 3을 곱함으로써 산출되는 값인, 금속판이다.The variation of the heat recovery rate is a value calculated by multiplying the standard deviation of the heat recovery rate of each sample by 3, and is a metal plate.
본 발명에 의한 금속판은, 인바재로 구성되어 있어도 된다.The metal sheet according to the present invention may be composed of an invar material.
본 발명은 복수의 관통 구멍이 형성된 증착 마스크를 제조하는 방법이며,The present invention is a method for manufacturing a deposition mask having a plurality of through holes,
금속판을 준비하는 공정과,A process of preparing a metal plate;
상기 금속판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 형성 공정과,a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the metal plate;
상기 금속판 중 상기 레지스트 패턴에 의하여 덮이지 않은 영역을 에칭하여, 상기 금속판에, 상기 관통 구멍을 구획 형성하게 되는 오목부를 형성하는 에칭 공정을 구비하고,an etching step of etching a region of the metal plate not covered by the resist pattern to form a concave portion in the metal plate to define the through hole;
상기 금속판으로부터 취출한 복수의 샘플에 열처리를 실시하기 전후에 측정되는, 상기 각 샘플 상의 2개의 측정점 간에 있어서의 거리를 각각 L1 및 L2라 하고, 각 샘플의 열 복원율 F를 이하의 식The distance between two measurement points on each sample, measured before and after heat treatment on a plurality of samples taken out from the metal plate, is L1 and L2, respectively, and the heat recovery rate F of each sample is expressed by the following formula
F={(L1-L2)/L1}×106 F={(L1-L2)/L1}×10 6
에 의하여 정의하는 경우, 이하의 조건 (1), (2)가 만족되어 있으며,When defined by, the following conditions (1) and (2) are satisfied,
(1) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 평균값이 -10ppm 이상 +10ppm 이하일 것; 및,(1) that the average value of the thermal recovery rate in each of the above samples is -10 ppm or more and +10 ppm or less; and,
(2) 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 편차가 20ppm 이하일 것;(2) Variation in thermal recovery rate in each of the above samples is 20 ppm or less;
상기 샘플은, 상기 금속판을 상기 금속판의 폭 방향을 따라 절단함으로써 얻은 적어도 하나의 샘플 금속판을, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 복수로 절단함으로써 얻어지는 것이고,The sample is obtained by cutting a plurality of at least one sample metal plate obtained by cutting the metal plate along the width direction of the metal plate along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 샘플 상의 상기 2개의 측정점은, 상기 금속판의 길이 방향을 따라 배열되어 있으며,The two measuring points on the sample are arranged along the longitudinal direction of the metal plate,
상기 열처리는, 상기 각 샘플의 온도를 25℃에서 300℃로 30분 동안에 승온시키는 제1 공정과, 5분간에 걸쳐 상기 각 샘플의 온도를 300℃로 유지하는 제2 공정과, 상기 각 샘플의 온도를 300℃에서 25℃로 60분 동안에 강온시키는 제3 공정을 포함하고,The heat treatment includes a first step of raising the temperature of each sample from 25 ° C to 300 ° C for 30 minutes, a second step of maintaining the temperature of each sample at 300 ° C for 5 minutes, and A third step of lowering the temperature from 300 ° C. to 25 ° C. for 60 minutes,
상기 열 복원율의 편차는, 상기 각 샘플에 있어서의 열 복원율의 표준 편차에 3을 곱함으로써 산출되는 값인, 증착 마스크의 제조 방법이다.The deviation of the thermal recovery rate is a value calculated by multiplying the standard deviation of the thermal recovery rate of each sample by 3, according to the method for manufacturing a deposition mask.
본 발명에 의한 증착 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 레지스트 패턴 형성 공정은,In the method for manufacturing a deposition mask according to the present invention, the resist pattern forming step comprises:
상기 금속판 상에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막에 노광 마스크를 진공 밀착시키는 공정과, 상기 노광 마스크를 통하여 상기 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 공정과, 노광된 상기 레지스트막에 상을 형성하기 위한 현상 공정을 갖고, 상기 현상 공정은, 상기 레지스트막의 경도를 높이기 위한 레지스트 열처리 공정을 포함하고 있어도 된다.A step of forming a resist film on the metal plate, a step of bringing an exposure mask into vacuum contact with the resist film, a step of exposing the resist film in a predetermined pattern through the exposure mask, and forming an image on the exposed resist film. There is a developing step for doing so, and the developing step may include a resist heat treatment step for increasing the hardness of the resist film.
본 발명에 의한 증착 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 금속판이, 인바재로 구성되어 있어도 된다.In the method for manufacturing a deposition mask according to the present invention, the metal plate may be made of an invar material.
본 발명에 따르면, 관통 구멍의 위치의 변동이 억제된 증착 마스크를 얻을 수 있다. 이로 인하여, 기판 상에 부착되는 증착 재료의 위치 정밀도를 높일 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a deposition mask in which fluctuations in the positions of through holes are suppressed. Due to this, it is possible to increase the positional accuracy of the evaporation material deposited on the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태를 설명하기 위한 도면이며, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 증착 마스크 장치를 사용하여 증착하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 증착 마스크를 도시하는 부분 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따른 단면도이다.
도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따른 단면도이다.
도 6은 도 3의 Ⅵ-Ⅵ 선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 모재를 압연하여, 원하는 두께를 갖는 금속판을 얻는 공정을 도시하는 도면이고, 도 7의 (b)는 압연에 의하여 얻어진 금속판을 어닐링하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 8의 (a)는 긴 금속판을 도시하는 평면도이고, 도 8의 (b)는 긴 금속판으로부터 잘라내어진 샘플 금속판을 도시하는 평면도이며, 도 8의 (c)는 샘플 금속판으로부터 잘라내어진 샘플을 도시하는 평면도이다.
도 9a는 샘플에 대하여 실시되는 열처리를 나타내는 도면이다.
도 9b의 (a), (b)는 각각, 열처리가 실시되기 전 및 후에 있어서의 샘플을 도시하는 평면도이다.
도 10은 도 1에 도시하는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 전체적으로 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 금속판 상에 레지스트막을 형성하는 공정을 도시하는 단면도이다.
도 12는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 레지스트막에 노광 마스크를 밀착시키는 공정을 도시하는 단면도이다.
도 13은 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 14는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 15는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 16은 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 17은 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 18은 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 19는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 20은 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 21은 제1 내지 제10 권취체로부터 잘라내어진 제1 내지 제10 샘플에 있어서의 열 복원율의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 22는 제1 내지 제10 권취체로부터 얻어진 긴 금속판으로 제작된 증착 마스크에 있어서의, 1차 효과의 평가 결과를 나타내는 도면이다.
도 23은 제1 내지 제10 권취체로부터 얻어진 긴 금속판으로 제작된 증착 마스크에 있어서의, 2차 효과의 평가 결과를 나타내는 도면이다.1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention, and is a schematic plan view showing an example of a deposition mask device including a deposition mask.
FIG. 2 is a diagram for explaining a method of depositing using the deposition mask device shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a partial plan view illustrating the deposition mask shown in FIG. 1 .
4 is a cross-sectional view along line IV-IV of FIG. 3 .
FIG. 5 is a cross-sectional view along line V-V of FIG. 3 .
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI of FIG. 3 .
Fig. 7(a) is a diagram showing a step of rolling a base material to obtain a metal plate having a desired thickness, and Fig. 7(b) is a diagram showing a step of annealing the metal plate obtained by rolling.
Fig. 8 (a) is a plan view showing the elongated metal plate, Fig. 8 (b) is a plan view showing a sample metal plate cut out from the elongated metal plate, and Fig. 8 (c) shows a sample cut out from the sample metal plate. It is a plan view of
9A is a diagram showing heat treatment performed on a sample.
9B (a) and (b) are plan views showing samples before and after heat treatment, respectively.
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining an example of a manufacturing method of the deposition mask shown in FIG. 1 as a whole.
11 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a cross-sectional view showing a step of forming a resist film on a metal plate.
12 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a cross-sectional view showing a step of bringing an exposure mask into close contact with a resist film.
13 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
14 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
15 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
16 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
17 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
18 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
19 is a diagram for explaining an example of a method for manufacturing a deposition mask, and is a diagram showing an elongated metal plate in a cross section along a normal direction.
20 is a diagram showing a modified example of a deposition mask device including a deposition mask.
Fig. 21 is a diagram showing measurement results of heat recovery rates in
Fig. 22 is a diagram showing evaluation results of the first-order effect in the deposition mask made of the elongated metal plate obtained from the first to tenth winding bodies.
23 is a diagram showing evaluation results of the secondary effect in the deposition mask made of the elongated metal plate obtained from the first to tenth winding bodies.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본건 명세서에 첨부하는 도면에 있어서는, 도시와 이해의 용이성의 편의상, 적절히 축척 및 종횡의 치수비 등이, 실물의 축척 및 종횡의 치수비 등으로부터 변경하여 과장되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one embodiment of this invention is described with reference to drawings. In addition, in the drawings attached to this specification, for convenience of illustration and understanding, the scale and the size ratio of length and width are appropriately exaggerated by changing from the actual scale and size ratio of length and width.
도 1 내지 도 19는, 본 발명에 의한 일 실시 형태를 설명하기 위한 도면이다. 이하의 실시 형태 및 그 변형예에서는, 유기 EL 표시 장치를 제조할 때 유기 재료를 원하는 패턴으로 기판 상에 패터닝하기 위하여 이용되는 증착 마스크의 제조 방법을 예로 들어 설명한다. 단, 이러한 적용에 한정되지 않으며, 다양한 용도에 이용되는 증착 마스크의 제조 방법에 대하여 본 발명을 적용할 수 있다.1 to 19 are diagrams for explaining an embodiment according to the present invention. In the following embodiments and modifications thereof, a method for manufacturing a deposition mask used for patterning an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device will be described as an example. However, it is not limited to these applications, and the present invention can be applied to methods of manufacturing deposition masks used for various purposes.
또한, 본 명세서에 있어서, 「판」, 「시트」, 「필름」이란 용어는, 호칭의 차이만을 기초로 하여, 서로 구별되는 것은 아니다. 예를 들어, 「판」은 시트나 필름이라 불릴 수 있는 부재도 포함하는 개념이며, 따라서, 예를 들어 「금속판」은, 「금속 시트」나 「금속 필름」이라 불리는 부재와 호칭의 차이만으로 구별될 수는 없다.In addition, in this specification, the terms "plate", "sheet", and "film" are not distinguished from each other based only on differences in names. For example, a "plate" is a concept that includes members that can be called sheets and films, and therefore, for example, a "metal plate" can be distinguished from a member called a "metal sheet" or a "metal film" only by a difference in name. It can't be.
또한, 「판면(시트면, 필름면)」이란, 대상으로 되는 판형(시트형, 필름형)의 부재를 전체적이고 대국적으로 보았을 경우에 있어서 대상으로 되는 판형 부재(시트형 부재, 필름형 부재)의 평면 방향과 일치하는 면을 가리킨다. 또한, 판상(시트형, 필름형)의 부재에 대하여 이용하는 법선 방향이란, 당해 부재의 판면(시트면, 필름면)에 대한 법선 방향을 가리킨다.Further, "plate surface (sheet surface, film surface)" refers to the plane of the target plate-like member (sheet-like member, film-like member) when the target plate-like (sheet-like, film-like) member is viewed as a whole and as a whole. Points to the side that coincides with the direction. In addition, the normal direction used for a plate-shaped (sheet-like, film-like) member refers to the normal direction with respect to the plate surface (sheet surface, film surface) of the member.
또한, 본 명세서에 있어서 이용하는, 형상이나 기하학적 조건 및 물리적 특성, 그리고 그들의 정도를 특정하는, 예를 들어 「평행」, 「직교」, 「동일」, 「동등」 등의 용어나, 길이나 각도 및 물리적 특성의 값 등에 대해서는, 엄밀한 의미에 얽매이지 않고, 마찬가지의 기능을 기대할 수 있을 정도의 범위를 포함하여 해석하기로 한다.In addition, terms such as "parallel", "orthogonal", "equal", "equivalent", etc., lengths, angles, and Regarding the values of the physical characteristics, etc., analysis will be made including a range within which similar functions can be expected without being bound by strict meanings.
(증착 마스크 장치)(deposition mask device)
먼저, 제조 방법 대상으로 되는 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례에 대하여, 주로 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1은, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례를 도시하는 평면도이며, 도 2는, 도 1에 도시하는 증착 마스크 장치의 사용 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은, 증착 마스크를 제1 면측에서 도시하는 평면도이며, 도 4 내지 도 6은, 도 3의 각 위치에 있어서의 단면도이다.First, an example of a deposition mask device including a deposition mask to be manufactured will be described with reference to FIGS. 1 to 6 . Here, FIG. 1 is a plan view showing an example of a deposition mask device including a deposition mask, and FIG. 2 is a diagram for explaining a method of using the deposition mask device shown in FIG. 1 . 3 is a plan view showing the deposition mask from the first surface side, and FIGS. 4 to 6 are sectional views at respective positions in FIG. 3 .
도 1 및 도 2에 도시된 증착 마스크 장치(10)는, 대략 직사각형의 금속판(21)을 포함하는 복수의 증착 마스크(20)와, 복수의 증착 마스크(20)의 주연부에 설치된 프레임(15)을 구비하고 있다. 각 증착 마스크(20)에는, 서로 대향하는 제1 면(21a) 및 제2 면(21b)을 갖는 금속판(21)을 적어도 제1 면(21a)부터 에칭함으로써 형성된 관통 구멍(25)이 다수 형성되어 있다. 이 증착 마스크 장치(10)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 증착 마스크(20)가 증착 대상물인 기판, 예를 들어 유리 기판(92)의 하면에 대면하도록 하여 증착 장치(90) 내에 지지되며, 기판에의 증착 재료의 증착에 사용된다.The
증착 장치(90) 내에서는, 도시하지 않은 자석으로부터의 자력에 의하여, 증착 마스크(20)와 유리 기판(92)이 밀착되게 된다. 증착 장치(90) 내에는, 증착 마스크 장치(10)의 하방에, 증착 재료(일례로서, 유기 발광 재료)(98)를 수용하는 도가니(94)와, 도가니(94)를 가열하는 히터(96)가 배치되어 있다. 도가니(94) 내의 증착 재료(98)는, 히터(96)로부터의 가열에 의하여, 기화 또는 승화되어 유리 기판(92)의 표면에 부착되게 된다. 상술한 바와 같이, 증착 마스크(20)에는 다수의 관통 구멍(25)이 형성되어 있으며, 증착 재료(98)는 이 관통 구멍(25)을 통하여 유리 기판(92)에 부착된다. 그 결과, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치에 대응한 원하는 패턴으로, 증착 재료(98)가 유리 기판(92)의 표면에 성막된다.Inside the
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 관통 구멍(25)이 각 유효 영역(22)에 있어서 소정의 패턴으로 배치되어 있다. 또한, 컬러 표시를 행하고자 하는 경우에는, 관통 구멍(25)의 배열 방향(상술한 일 방향)을 따라 증착 마스크(20)(증착 마스크 장치(10))와 유리 기판(92)를 조금씩 상대 이동시켜, 적색용 유기 발광 재료, 녹색용 유기 발광 재료 및 청색용 유기 발광 재료를 순서대로 증착시켜 가도 된다.As described above, in this embodiment, the through
또한, 증착 마스크 장치(10)의 프레임(15)은, 직사각형의 증착 마스크(20)의 주연부에 설치되어 있다. 프레임(15)은, 증착 마스크(20)가 휘어 버리는 일이 없도록 증착 마스크를 부착한 상태로 유지한다. 증착 마스크(20)와 프레임(15)은, 예를 들어 스폿 용접에 의하여 서로에 대하여 고정되어 있다.Further, the
증착 처리는, 고온 분위기로 되는 증착 장치(90)의 내부에서 실시된다. 따라서, 증착 처리 동안, 증착 장치(90)의 내부에 보유 지지되는 증착 마스크(20), 프레임(15) 및 기판(92)도 가열된다. 이때, 증착 마스크, 프레임(15) 및 기판(92)은, 각각의 열팽창 계수에 기초한 치수 변화의 거동을 나타내게 된다. 이 경우, 증착 마스크(20)나 프레임(15)과 기판(92)의 열팽창 계수가 크게 상이하면, 그들의 치수 변화의 차이에 기인한 위치 어긋남이 발생하고, 그 결과, 기판(92) 상에 부착되는 증착 재료의 치수 정밀도나 위치 정밀도가 저하되어 버린다. 이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 증착 마스크(20) 및 프레임(15)의 열팽창 계수가, 기판(92)의 열팽창 계수와 동등한 값인 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판(92)으로서 유리 기판(92)이 사용되는 경우, 증착 마스크(20) 및 프레임(15)의 재료로서, 철에 소정량의 니켈을, 예를 들어 36질량%의 니켈을 첨가한 철 합금인 인바재를 사용할 수 있다.The vapor deposition process is performed inside the
(증착 마스크)(deposition mask)
다음으로, 증착 마스크(20)에 대하여 상세히 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 증착 마스크(20)는, 금속판(21)을 포함하고, 평면에서 보아 대략 사각형, 더 정확하게는 평면에서 보아 대략 직사각형의 윤곽을 갖고 있다. 증착 마스크(20)의 금속판(21)은, 규칙적인 배열로 관통 구멍(25)이 형성된 유효 영역(22)과, 유효 영역(22)을 둘러싸는 주위 영역(23)을 포함하고 있다. 주위 영역(23)은, 유효 영역(22)을 지지하기 위한 영역이며, 기판에 증착되는 것이 의도된 증착 재료가 통과하는 영역은 아니다. 예를 들어, 유기 EL 표시 장치용 유기 발광 재료의 증착에 사용되는 증착 마스크(20)에 있어서는, 유효 영역(22)은, 유기 발광 재료가 증착되어 화소를 형성하게 되는 기판(유리 기판(92)) 상의 구역, 즉, 제작된 유기 EL 표시 장치용 기판의 표시면을 이루게 되는 기판 상의 구역에 대면하는, 증착 마스크(20) 내의 영역이다. 단, 다양한 목적으로, 주위 영역(23)에 관통 구멍이나 오목부가 형성되어 있어도 된다. 도 1에 도시된 예에 있어서, 각 유효 영역(22)은, 평면에서 보아 대략 사각형, 또한 정확하게는 평면에서 보아 대략 직사각형의 윤곽을 갖고 있다.Next, the
도시된 예에 있어서, 증착 마스크(20)의 복수의 유효 영역(22)은, 증착 마스크(20)의 길이 방향과 평행인 일 방향을 따라 소정의 간격을 두고 일렬로 배열되어 있다. 도시된 예에서는, 하나의 유효 영역(22)이 하나의 유기 EL 표시 장치에 대응하도록 되어 있다. 즉, 도 1에 도시된 증착 마스크 장치(10)(증착 마스크(20))에 의하면, 다면취 증착이 가능하게 되어 있다.In the illustrated example, the plurality of
도 3에 도시한 바와 같이, 도시된 예에 있어서, 각 유효 영역(22)에 형성된 복수의 관통 구멍(25)은, 당해 유효 영역(22)에 있어서, 서로 직교하는 2방향을 따라 각각 소정의 피치로 배열되어 있다. 이 금속판(21)에 형성된 관통 구멍(25)의 일례에 대하여, 도 3 내지 도 6을 주로 참조하여 더 상세히 설명한다.As shown in FIG. 3 , in the illustrated example, a plurality of through
도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 복수의 관통 구멍(25)은, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 일방측으로 되는 제1 면(20a)과, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 타방측으로 되는 제2 면(20b) 사이에 뻗쳐, 증착 마스크(20)를 관통하고 있다. 도시된 예에서는, 나중에 상세히 설명하는 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향에 있어서의 일방측으로 되는 금속판(21)의 제1 면(21a)측으로부터 금속판(21)에 제1 오목부(30)가 에칭에 의하여 형성되고, 금속판(21)의 법선 방향에 있어서의 타방측으로 되는 제2 면(21b)측으로부터 금속판(21)에 제2 오목부(35)가 형성되며, 이 제1 오목부(30 및 제2 오목부(35)에 의하여 관통 구멍(25)이 형성되어 있다.As shown in FIGS. 4 to 6 , the plurality of through
도 3 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)측으로부터 제2 면(20b)측을 향하여, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 각 위치에 있어서의 증착 마스크(20)의 판면에 따른 단면에서의 각 제1 오목부(30)의 단면적은, 점차 작아져 간다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 오목부(30)의 벽면(31)은, 그 전체 영역에 있어서 증착 마스크(20)의 법선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되어 있으며, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 일방측을 향하여 노출되어 있다. 마찬가지로, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 각 위치에 있어서의 증착 마스크(20)의 판면에 따른 단면에서의 각 제2 오목부(35)의 단면적은, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)측으로부터 제1 면(20a)측을 향하여, 점차 작아지도록 되어 있어도 된다. 제2 오목부(35)의 벽면(36)은, 그 전체 영역에 있어서 증착 마스크(20)의 법선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되어 있으며, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 타방측을 향하여 노출되어 있다.3 to 6, at each position along the normal direction of the
또한, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 오목부(30)의 벽면(31)과, 제2 오목부(35)의 벽면(36)은, 둘레형 접속부(41)를 통하여 접속되어 있다. 접속부(41)는, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 경사진 제1 오목부(30)의 벽면(31)과, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 경사진 제2 오목부(35)의 벽면(36)이 합류하는 돌출부의 능선에 의하여, 구획 형성되어 있다. 그리고, 접속부(41)는, 증착 마스크(20)의 평면에서 보아 가장 관통 구멍(25)의 면적이 작아지는 관통부(42)를 구획 형성한다.4 to 6, the wall surface 31 of the first concave portion 30 and the
도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 타방측 면, 즉, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b) 상에 있어서, 인접하는 두 관통 구멍(25)은, 증착 마스크의 판면을 따라 서로 이격되어 있다. 즉, 후술하는 제조 방법과 같이, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)에 대응하게 되는 금속판(21)의 제2 면(21b) 측으로부터 당해 금속판(21)을 에칭하여 제2 오목부(35)를 제작하는 경우, 인접하는 두 제2 오목부(35) 사이에 금속판(21)의 제2 면(21b)이 잔존하게 된다.As shown in FIGS. 4 to 6, on the other surface along the normal direction of the deposition mask, that is, on the
한편, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 일방측, 즉, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)측에 있어서, 인접하는 두 제1 오목부(30)가 접속되어 있다. 즉, 후술하는 제조 방법과 같이, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)에 대응하게 되는 금속판(21)의 제1 면(21a) 측으로부터 당해 금속판(21)을 에칭하여 제1 오목부(30)를 형성하는 경우, 인접하는 두 제1 오목부(30) 사이에, 금속판(21)의 제1 면(21a)이 잔존하지 않게 된다. 즉, 금속판(21)의 제1 면(21a)은, 유효 영역(22)의 전체 영역에 걸쳐 에칭되어 있다. 이러한 제1 오목부(30)에 의하여 형성되는 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)에 의하면, 도 2에 도시한 바와 같이 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)이 증착 재료(98)에 대면하도록 하여 이 증착 마스크(20)를 사용했을 경우에, 증착 재료(98)의 이용 효율을 효과적으로 개선할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 4 to 6 , two first concave portions 30 adjacent to each other on one side along the normal direction of the deposition mask, that is, on the side of the
도 2에 도시한 바와 같이 하여 증착 마스크 장치(10)가 증착 장치(90)에 수용되었을 경우, 도 4에 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)이 증착 재료(98)를 보유 지지한 도가니(94)측에 위치하고, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)이 유리 기판(92)에 대면한다. 따라서, 증착 재료(98)는, 점차 단면적이 작아져 가는 제1 오목부(30)를 통과하여 유리 기판(92)에 부착된다. 도 4에 화살표로 나타낸 바와 같이, 증착 재료(98)는, 도가니(94)로부터 유리 기판(92)를 향하여 유리 기판(92)의 법선 방향을 따라 이동할 뿐만 아니라, 유리 기판(92)의 법선 방향에 대하여 크게 경사진 방향으로 이동하기도 한다. 이때, 증착 마스크(20)의 두께가 크면, 비스듬히 이동하는 증착 재료(98)의 대부분은, 관통 구멍(25)을 통하여 유리 기판(92)에 도달하기보다도 전에, 제1 오목부(30)의 벽면(31)에 도달하여 부착된다. 이 경우, 유리 기판(92) 상의 관통 구멍(25)에 대면하는 영역 내에는, 증착 재료(98)가 도달하기 쉬운 영역과 도달하기 어려운 부분이 발생해 버린다. 따라서, 증착 재료의 이용 효율(성막 효율: 유리 기판(92)에 부착되는 비율)을 높여 고가의 증착 재료를 절약하고, 또한, 고가의 증착 재료를 사용한 성막을 원하는 영역 내에 안정적으로 불균일 없이 실시하기 위해서는, 비스듬히 이동하는 증착 재료(98)를 가능한 한 유리 기판(92)에 도달시키도록 증착 마스크(20)를 구성하는 것이 중요해진다. 즉, 증착 마스크(20)의 시트면에 직교하는 도 4 내지 도 6의 단면에 있어서, 관통 구멍(25)의 최소 단면적을 갖는 부분으로 되는 접속부(41)와, 제1 오목부(30)의 벽면(31)의 다른 임의의 위치를 통과하는 직선 L1이, 증착 마스크(20)의 법선 방향에 대하여 이루는 최소 각도 θ1(도 4 참조)을 충분히 크게 하는 것이 유리해진다.When the
각도 θ1을 크게 하기 위한 방법의 하나로서, 증착 마스크(20)의 두께를 작게 하고, 이것에 의하여, 제1 오목부(30)의 벽면(31)이나 제2 오목부(35)의 벽면(36)의 높이를 작게 하는 것이 생각된다. 즉, 증착 마스크(20)를 구성하기 위한 금속판(21)으로서, 증착 마스크(20)의 강도를 확보할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 두께가 작은 금속판(21)을 사용하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.As one of the methods for increasing the angle θ1, the thickness of the
각도 θ1을 크게 하기 위한 그 외의 방법으로서, 제1 오목부(30)의 윤곽을 최적화하는 것도 생각된다. 예를 들어 본 실시 형태에 의하면, 인접하는 두 제1 오목부(30)의 벽면(31)이 합류함으로써, 다른 오목부와 합류하지 않는 점선으로 표시된 벽면(윤곽)을 갖는 오목부와 비교하여, 이 각도 θ1을 대폭 크게 할 수 있게 되어 있다(도 4 참조). 이하, 그 이유에 대하여 설명한다.As another method for increasing the angle θ1, optimizing the outline of the first concave portion 30 is also conceivable. For example, according to the present embodiment, when the wall surfaces 31 of the two adjacent first concave portions 30 join, compared to a concave portion having a wall surface (outline) indicated by a dotted line that does not join another concave portion, This angle θ1 can be greatly increased (see Fig. 4). The reason for this is explained below.
제1 오목부(30)는, 나중에 상세히 설명하는 바와 같이, 금속판(21)의 제1 면(21a)을 에칭함으로써 형성된다. 에칭에 의하여 형성되는 오목부의 벽면은, 일반적으로, 침식 방향을 향하여 볼록해지는 곡면형으로 된다. 따라서, 에칭에 의하여 형성된 오목부의 벽면(31)은, 에칭의 개시측으로 되는 영역에 있어서 우뚝 솟아 있고, 에칭의 개시측과는 반대측으로 되는 영역, 즉, 오목부의 가장 깊은 측에 있어서는, 금속판(21)의 법선 방향에 대하여 비교적 크게 경사지게 된다. 한편, 도시된 증착 마스크(20)에서는, 인접하는 두 제1 오목부(30)의 벽면(31)이, 에칭의 개시측에 있어서 합류하고 있으므로, 두 제1 오목부(30)의 벽면(31)의 선단부 테두리(32)가 합류하는 부분(43)의 외측 윤곽이, 우뚝 솟은 형상이 아니라, 모따기된 형상으로 되어 있다. 이 때문에, 관통 구멍(25)의 대부분을 이루는 제1 오목부(30)의 벽면(31)을, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 효과적으로 경사지게 할 수 있다. 즉, 각도 θ1을 크게 할 수 있다.The first concave portion 30 is formed by etching the
본 실시 형태에 의한 증착 마스크(20)에 의하면, 유효 영역(22)의 전체 영역에 있어서, 제1 오목부(30)의 벽면(31)이 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 이루는 경사 각도 θ1을 효과적으로 증대시킬 수 있다. 이것에 의하여, 증착 재료(98)의 이용 효율을 효과적으로 개선하면서, 원하는 패턴으로의 증착을 고정밀도로 안정적으로 실시할 수 있다.According to the
(재료)(ingredient)
이하, 상술한 증착 마스크(20)를 구성하기 위한 재료(금속판)에 대하여 설명한다. 두께가 작은 증착 마스크(20)를 얻기 위해서는, 모재를 압연하여 금속판을 제조할 때의 압연율을 크게 할 필요가 있다. 그러나, 압연율이 클수록, 금속판 내부에 잔류하고 있는 응력, 즉, 잔류 응력도 크게 되어 버린다. 이러한 잔류 응력을 제거하는 방법으로서, 금속판을 가열하는 방법이 알려져 있다. 그런데, 가열에 의하여 잔류 응력이 제거되면, 금속판의 외형의 치수가 변화되는 경우가 있다. 예를 들어, 금속판의 길이 방향에 있어서의 치수가, 금속판을 가열한 후에 짧아지는 경우가 있다. 왜냐하면, 금속판 내부의 잔류 응력이 제거되어 잔류 변형이 제거되거나, 결정의 배열이 변화되어 결정 밀도가 변화되거나 하는 것이 유도되기 때문이다. 이하의 설명에 있어서, 열에 기인하여 금속판의 외형의 치수가 변화되는 현상을 「열 복원」이라고도 칭한다.Hereinafter, a material (metal plate) for constituting the above-described
그런데, 금속판을 사용하여 증착 마스크(20)를 제조하는 공정은, 금속판에 열을 가하는 공정을 포함하고 있다. 예를 들어, 금속판 상에 레지스트막을 형성하는 공정에 있어서는, 처음에, 네가티브형 감광성 레지스트 재료를 포함하는 도포액을 금속판 상에 도포하고, 그 후, 열에 의하여 도포액을 건조시킨다. 이때, 금속판에 열이 가해지므로, 잔류 변형이 제거되는 경우가 있다. 또한, 레지스트막을 현상하는 공정에 있어서도, 레지스트막의 경도를 높이기 위하여 레지스트막을 가열하는 경우가 있다. 이때도 금속판에 열이 가해지므로, 잔류 변형이 제거되는 경우가 있다. 따라서, 증착 마스크의 제조 공정에 있어서, 상술한 금속판의 열 복원이 발생할 수 있다. 또한 증착 마스크(20)를 사용한 증착 공정에 있어서도, 증착 마스크(20)에 소정의 열이 가해지고, 이것에 의하여 열 복원이 발생하는 것이 생각된다.Incidentally, the process of manufacturing the
또한, 열에 기인하는 잔류 변형의 제거가 금속판(21) 상의 위치에 의존하지 않고 균일하게 발생하는 경우, 금속판(21)의 열 복원도, 금속판(21) 상의 위치에 의존하지 않고 균일하게 발생하게 된다. 즉, 금속판(21) 상의 임의의 2점의 표점 간의 거리의 변화율(수축률)이 표점의 위치와 동일한 값으로 된다. 한편, 열에 기인하는 잔류 변형의 제거가 금속판(21) 상의 위치에 의존하여 불균일하게 발생하는 경우, 금속판(21)의 열 복원도, 금속판(21) 상의 위치에 의존하여 불균일하게 발생하게 된다. 즉, 금속판(21) 상의 임의의 2점의 표점 간의 거리의 변화율(수축률)이 표점의 위치에 의존하여 상이한 값으로 된다. 이하의 설명에 있어서, 위치에 의존하지 않고 균일하게 발생하는 열 복원을, 「균일한 열 복원」이라 칭하고, 위치에 의존하여 불균일하게 발생하는 열 복원을, 「불균일한 열 복원」이라 칭한다.In addition, when the removal of residual strain due to heat occurs uniformly regardless of the position on the
이하, 금속판의 「불균일한 열 복원」에 의하여 발생할 수 있는 문제점에 대하여 생각한다.Hereinafter, problems that may occur due to "non-uniform heat recovery" of the metal plate will be considered.
증착 마스크(20)를 사용했을 경우에 증착 공정에 있어서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 증착 마스크(20)가 프레임(15)에 설치된다. 각 증착 마스크(20)는, 부착한 상태에서 프레임(15)에 보유 지지된다. 따라서, 길이 방향에 있어서의 금속판(21)의 열 복원이, 폭 방향에 있어서의 위치에 의존하지 않고 균등하게 발생하는 경우, 인장량을 조정함으로써, 설치될 때의, 프레임(15)에 대한 증착 마스크(20)의 길이를 조정할 수 있다. 즉, 프레임(15)에 대한 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치를 이상적으로 조정할 수 있다.In the deposition process when the
한편, 길이 방향에 있어서의 금속판(21)의 열 복원이 폭 방향으로 불균일하게 발생했을 경우, 복수의 증착 마스크(20)를 일률적으로 잡아당겼다고 하더라도, 각 증착 마스크(20)에 있어서의 관통 구멍(25)의 위치를 이상적으로 조정할 수는 없다. 또한, 각 증착 마스크(20)에 있어서의 금속판(21)의 열 복원의 정도의 차는, 육안으로는 확인 불가능할 정도의 작은 것이다. 따라서, 각 증착 마스크(20)에 있어서의 인장량을 개별적으로 조정함으로써 프레임(15)에 대한 각 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치를 이상적으로 조정하는 것은, 곤란하다. 이 때문에, 길이 방향에 있어서의 금속판(21)의 열 복원이 폭 방향으로 불균일하게 발생했을 경우, 증착 마스크(20)를 사용한 증착 공정에 의하여 제작되는 유기 EL 표시 장치의 발광층의 위치가, 증착 마스크(20)에 있어서 발생했던 열 복원의 편차의 정도에 따라 변동되게 된다. 이는, 유기 EL 표시 장치의 품질의 편차를 초래해 버린다.On the other hand, when the thermal recovery of the
이러한 배경 하에서, 폭 방향에 있어서의 열 복원의 양의 편차가 작은 금속판을 선별하여 사용하는 것이 중요해진다. 또한 상술한 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서의 열 복원은, 사용되는 금속판 내부의 잔류 변형에 기인하여 발생한다. 따라서, 폭 방향에 있어서의 열 복원의 양의 편차가 작은 금속판을 사용한다는 것은, 폭 방향에 있어서의 잔류 변형의 양의 편차가 작은 금속판을 사용하는 것에 대응하고 있다.Under such a background, it becomes important to select and use a metal plate with a small variation in the amount of thermal recovery in the width direction. As described above, heat recovery in the manufacturing process of the
다음으로, 이러한 구성을 포함하는 본 실시 형태와 그 작용 및 효과에 대하여 설명한다. 여기서는, 처음에, 증착 마스크를 제조하기 위하여 사용되는 금속판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 다음으로, 얻어진 금속판을 사용하여 증착 마스크를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. 그 후, 얻어진 증착 마스크를 사용하여 기판 상에 증착 재료를 증착시키는 방법에 대하여 설명한다.Next, the present embodiment including these configurations and its actions and effects will be described. Here, first, a method for manufacturing a metal plate used for manufacturing a deposition mask will be described. Next, a method for manufacturing a deposition mask using the obtained metal plate will be described. After that, a method of depositing an evaporation material on a substrate using the obtained evaporation mask will be described.
(금속판의 제조 방법)(Method of manufacturing metal plate)
처음에 도 7의 (a), (b), 도 8의 (a), (b), (c), 도 9a 및 도 9b의 (a), (b)를 참조하여, 금속판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 7의 (a)는 모재를 압연하여, 원하는 두께를 갖는 금속판을 얻는 공정을 도시하는 도면이고, 도 7의 (b)는 압연에 의하여 얻어진 금속판을 어닐링하는 공정을 도시하는 도면이다.First, referring to FIGS. 7 (a), (b), 8 (a), (b), (c), 9a and 9b (a), (b), the method for manufacturing a metal plate explain about. Fig. 7(a) is a diagram showing a step of rolling a base material to obtain a metal plate having a desired thickness, and Fig. 7(b) is a diagram showing a step of annealing the metal plate obtained by rolling.
〔압연 공정〕[rolling process]
처음에 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 인바재로 구성된 모재(55)를 준비하고, 이 모재(55)를 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)을 포함하는 압연 장치(56)를 향하여, 화살표 D1로 표시되는 반송 방향을 따라 반송한다. 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b) 사이에 도달한 모재(55)는, 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)에 의하여 압연되고, 그 결과, 모재(55)는, 그 두께가 저감됨과 함께, 반송 방향을 따라 늘어난다. 이것에 의하여, 두께 t0의 긴 금속판(64)을 얻을 수 있다. 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)을 코어(61)에 권취함으로써 권취체(62)를 형성해도 된다. 두께 t0의 구체적인 값은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 0.020㎜ 이상 0.100㎜ 이하로 되어 있다.First, as shown in Fig. 7 (a), a
또한 도 7의 (a)는, 압연 공정의 개략을 도시한 데 불과하며, 압연 공정을 실시하기 위한 구체적인 구성이나 수순이 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어 압연 공정은, 모재(55)를 구성하는 인바재의 결정 배열을 변화시키는 온도 이상의 온도에서 모재를 가공하는 열간 압연 공정이나, 인바재의 결정 배열을 변화시키는 온도 이하의 온도에서 모재를 가공하는 냉간 압연 공정을 포함하고 있어도 된다.7(a) merely shows an outline of the rolling process, and specific configurations and procedures for implementing the rolling process are not particularly limited. For example, the rolling process includes a hot rolling process in which the base material is processed at a temperature equal to or higher than the temperature at which the crystal arrangement of the invar material constituting the
〔슬릿 공정〕[Slit process]
그 후, 압연 공정에 의하여 얻어진 긴 금속판(64)의 폭 방향에 있어서의 양 단부를 각각 3㎜ 이상 5㎜ 이하의 범위에 걸쳐 잘라내는 슬릿 공정을 실시해도 된다. 이 슬릿 공정은, 압연에 기인하여 긴 금속판(64)의 양 단부에 발생할 수 있는 크랙을 제거하기 위하여 실시된다. 이러한 슬릿 공정을 실시함으로써, 긴 금속판(64)이 파단되어 버리는 현상, 소위 판 깨짐이, 크랙을 기점으로 하여 발생해 버리는 것을 방지할 수 있다.Then, you may perform the slit process of cutting out the both ends in the width direction of the
〔어닐링 공정〕[Annealing Step]
그 후, 압연에 의하여 긴 금속판(64) 중에 축적된 잔류 응력을 제거하기 위하여, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 어닐링 장치(57)를 사용하여 긴 금속판(64)을 어닐링한다. 어닐링 공정은, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)을 반송 방향(길이 방향)으로 잡아당기면서 실시되어도 된다. 즉, 어닐링 공정은, 소위 뱃치식 어닐링이 아니라, 반송하면서 행해지는 연속 어닐링으로서 실시되어도 된다. 어닐링 공정이 실시되는 기간은, 긴 금속판(64)의 두께나 압연율 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 500℃에서 60초에 걸쳐 어닐링 공정이 실시된다. 또한 상기 「60초」는, 어닐링 장치(57) 내의 500℃로 가열된 공간을 긴 금속판(64)이 통과하는 데 필요한 시간이 60초인 것을 의미하고 있다.After that, in order to remove the residual stress accumulated in the
어닐링 공정을 실시함으로써, 잔류 변형이 어느 정도 제거된, 두께 t0의 긴 금속판(64)을 얻을 수 있다. 또한 두께 t0은 통상, 증착 마스크(20)의 주위 영역(23) 내의 최대 두께 Tb와 동등해진다.By carrying out the annealing step, a
또한, 상술한 압연 공정, 슬릿 공정 및 어닐링 공정을 복수 회 반복함으로써, 두께 t0의 긴 금속판(64)을 제작해도 된다. 또한 도 7의 (b)에 있어서는, 어닐링 공정이, 긴 금속판(64)을 길이 방향으로 잡아당기면서 실시되는 예를 도시했지만, 이에 한정되지는 않으며, 어닐링 공정을, 긴 금속판(64)이 코어(61)에 권취된 상태에서 실시해도 된다. 즉, 뱃치식 어닐링이 실시되어도 된다. 또한, 긴 금속판(64)이 코어(61)에 권취된 상태에서 어닐링 공정을 실시하는 경우, 긴 금속판(64)에, 권취체(62)의 권취 직경에 따른 휘려는 성질이 생겨 버리는 경우가 있다. 따라서, 권취체(62)의 권취 직경이나 모재(55)를 구성하는 재료에 따라서는, 긴 금속판(64)을 길이 방향으로 잡아당기면서 어닐링 공정을 실시하는 것이 유리하다.Moreover, you may manufacture the
또한 상술한 연속 어닐링은, 뱃치식 어닐링에 비하여 공정의 스루풋을 높일 수 있다는 장점을 갖지만, 반면, 뱃치식 어닐링에 비하여 잔류 변형의 제거의 정도가 불충분해진다는 단점을 갖고 있다. 즉, 상술한 열 복원은, 뱃치식 어닐링이 실시되는 경우보다도, 연속 어닐링이 실시되는 경우에 발생하기 쉬울 것으로 생각된다.In addition, the continuous annealing described above has the advantage of increasing the throughput of the process compared to the batch annealing, but has the disadvantage that the degree of residual strain removal becomes insufficient compared to the batch annealing. That is, it is considered that the above-described heat recovery is more likely to occur when continuous annealing is performed than when batch type annealing is performed.
〔절단 공정〕[Cutting process]
그 후, 긴 금속판(64)의 폭 방향에 있어서의 양 단부를 각각 소정 범위에 걸쳐 잘라내고, 이것에 의하여, 긴 금속판(64)의 폭을 원하는 폭으로 조정하는 절단 공정을 실시한다. 이와 같이 하여, 원하는 두께 및 폭을 갖는 긴 금속판(64)을 얻을 수 있다.After that, a cutting step is performed in which both ends of the
〔검사 공정〕[Inspection process]
그 후, 얻어진 긴 금속판(64)으로부터 취출된 샘플에 열처리를 실시하기 전후에서의 열 복원의 정도를 검사하는 검사 공정을 실시한다. 도 8의 (a)는, 얻어진 긴 금속판(64)을 도시하는 평면도이다. 도 8의 (a)에 있어서, 길이 방향에 있어서의 긴 금속판(64)의 선단부가 도면 부호 (64c)로 표시되어 있고, 후단부가 도면 부호 (64d)로 표시되어 있다. 검사 공정에 있어서는, 처음에, 긴 금속판(64)을 긴 금속판(64)의 폭 방향을 따라 절단함으로써, 길이 방향에 있어서의 소정의 길이를 갖는 샘플 금속판(75)을 얻는다. 샘플 금속판(75)은, 하나의 권취체(62)를 구성하는 긴 금속판(64)으로부터 적어도 하나 잘라내어진다. 예를 들어 도 8의 (a)에 있어서 점선으로 표시한 바와 같이, 샘플 금속판(75)은, 긴 금속판(64)의 선단부(64c)에 있어서 2개 잘라내어지고, 긴 금속판(64)의 후단부(64d)에 있어서 2개 잘라내어진다. 도 8의 (b)에는, 하나의 긴 금속판(64)으로부터 잘라내어진 4개의 샘플 금속판(75)이 도시되어 있다.Thereafter, an inspection step of inspecting the degree of heat recovery before and after subjecting the sample taken out of the obtained
다음으로, 샘플 금속판(75)을 금속판의 길이 방향을 따라 복수로 절단함으로써, 복수의 샘플(76)을 얻는다. 예를 들어 도 8의 (b)에 있어서 점선으로 표시한 바와 같이, 샘플 금속판(75)이 폭 방향으로 10등분된다. 도 8의 (c)에는, 4개의 샘플 금속판(75)으로부터 잘라내어진, 합계 40개의 샘플(76)이 도시되어 있다.Next, a plurality of
그 후, 각 샘플(76)에 열처리를 실시하기 전후에 있어서, 각 샘플(76) 상의 2개의 측정점(76a) 간에 있어서의 거리를 25℃의 온도 조건 하에서 각각 측정한다. 열처리는, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 각 샘플(76)의 온도를 P1에서 P2로, 시간 Z1에 걸쳐 승온시키는 제1 공정 S1과, 시간 Z2에 걸쳐 각 샘플(76)의 온도를 온도 P1로 유지하는 제2 공정 S2와, 각 샘플(76)의 온도를 P2에서 P1로, 시간 Z3에 걸쳐 강온시키는 제3 공정 S3을 포함하고 있다. 시간 Z1, Z2, Z3 및 온도 P1, P2는, 증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서 금속판(21)에 가해지는 열을 모의할 수 있도록, 설정된다. 예를 들어 Z1, Z2, Z3은, 각각 30분간, 5분간, 60분간으로 설정되고, 온도 P1, P2는, 각각 상온(예를 들어 25℃), 300℃로 설정된다.After that, the distance between the two
제1 공정에 있어서, 샘플(76)은, 도 9a에 나타낸 바와 같이, 온도 P1(25℃)에서 온도 P2(300℃)까지 균일한 속도(승온 속도)로 승온되도록, 가열된다. 마찬가지로 제3 공정에 있어서, 샘플(76)은, 온도 P2(300℃)에서 온도 P1(25℃)까지 균일한 속도(강온 속도)로 강온되도록, 냉각된다.In the first step, as shown in FIG. 9A , the
도 9b의 (a)는, 열처리가 실시되기 전의 샘플(76)을 도시하는 평면도이고, 도 9b의 (b)는, 열처리가 실시된 후의 샘플(76)을 도시하는 평면도이다. 도 9b의 (a), (b)에 있어서, 샘플(76)에 열처리를 실시하기 전후에서의, 샘플(76)의 길이 방향, 즉, 긴 금속판(64)의 길이 방향에 있어서의 2개의 측정점(76a) 간의 거리가, 각각 도면 부호 L1 및 L2로 표시되어 있다. 2개의 측정점(76a)은, 예를 들어, 샘플(76)에 열처리를 실시하기 전에 있어서의 거리 L1이, 각 샘플(76)의 열 복원의 정도를 평가하는 데 있어서 적절한 거리, 예를 들어 약 500㎜로 되도록, 설정되어 있다. 또한 도 9b의 (a), (b)에 있어서는, 설명의 편의상, 거리 L1, L2의 차가 실제보다도 크게 표현되어 있다.Fig. 9B (a) is a plan view showing the
도 9b의 (a), (b)에 있어서는, 2개의 측정점(76a)이 샘플(76)의 길이 방향을 따라 배열되도록 설정되어 있다. 그러나, 샘플(76)의 열 복원을 적절히 관찰하는 것이 가능한 한, 측정점(76a)을 배열하는 방법이 특별히 한정되지는 않는다.In (a) and (b) of FIG. 9B , two
2개의 측정점(76a)을 샘플(76)에 각인하는 방법은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 측정점(76a)은, 샘플(76)에 형성된 상흔 등의 표시로서 샘플(76)에 각인되어 있다.The method of imprinting the two
열처리가 실시되기 전후에 있어서의, 샘플(76)의 길이 방향에 있어서의 2개의 측정점(76a) 간의 거리 L1, L2를 측정한 후, 이하의 식에 기초하여, 샘플(76)의 열 복원율 F를 산출한다.After measuring the distances L1 and L2 between the two
F={(L1-L2)/L1}×106(단위는 ppm)F={(L1-L2)/L1}×10 6 (unit: ppm)
이와 같이 열 복원율 F는, 열처리 전의 샘플(76)에 있어서의 2개의 측정점(76a) 간의 거리 L1에 대한, 열처리 전후에서의 거리 L1, L2의 차의 백만분율로서 정의된다. 예를 들어, L1이 500㎜이고, L2이 499.995㎜인 경우, 열 복원율 F는 +10ppm으로 된다. 거리 L1, L2의 측정은 모두, 온도 P1의 조건 하에서, 즉, 상온(25℃)에서 실시된다.In this way, the thermal recovery rate F is defined as a percentage of the difference between the distances L1 and L2 before and after the heat treatment relative to the distance L1 between the two
그런데, 상술한 긴 금속판(64)에는, 압연 공정 시의 긴 금속판(64)의 신장률이 폭 방향의 위치에 따라 상이한 것에 기인하는 물결 형상이 나타나는 경우가 있다. 이러한 물결 형상이 나타나 있는 경우, 상술한 거리 L1, L2는, 물결 형상을 따라 샘플(76)의 표면을 스캔함으로써 얻어지는, 물결 형상을 고려한 거리여도 되고, 또는, 물결 형상을 무시한 거리여도 된다. 어느 측정법에 있어서도, 샘플(76)에 발생하는 열 복원의 정도를 평가할 수 있다.By the way, the above-mentioned
예를 들어, 후술하는 실시예에 있어서는, 신토 S 프레시전 가부시키가이샤 제조의 자동 2차원 좌표 측정기 AMIC-710을 사용하여 샘플(76)의 거리 L1, L2를 측정한 결과를 나타내는데, 이 경우, 거리 L1, L2는, 샘플(76)의 물결 형상을 무시한, XY 좌표상의 거리로 되어 있다. 또한 AMIC-710은, 측정 대상의 환경 온도, 즉, 샘플(76)의 환경 온도를 일정하게 하는 기능도 포함하고 있다. 이 때문에, AMIC-710을 사용함으로써, 온도 변화의 영향을 받지 않는 안정된 측정이 가능해진다.For example, in the examples described later, the results of measuring the distances L1 and L2 of the
그 후, 얻어진 열 복원율 F의 값에 기초하여, 긴 금속판(64)의 선별을 실시한다. 여기서는, 이하의 조건 (1), (2)를 모두 만족시키는 긴 금속판(64)만을, 후술하는 증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서 사용한다는, 긴 금속판(64)의 선별을 실시한다.After that, based on the obtained value of the thermal recovery factor F, the
(1) 각 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 평균값 K1이 -10ppm 이상 +10ppm 이하일 것.(1) The average value K1 of the heat recovery rate F in each
(2) 각 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 편차 K2이 20ppm 이하일 것.(2) Variation K2 in thermal recovery rate F in each
각 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 편차 K2는, 소정의 개수의 샘플(76), 예를 들어 40개의 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 표준 편차 σ1에 3을 곱함으로써 산출되는 값이다. 즉, 편차 K2로서, 3σ1을 채용하고 있다.The variation K2 of the thermal recovery rate F in each
상기 조건 (1)은, 각 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 평균값 K1이, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)에 대하여 요구되는 위치 정밀도에 비하여 충분히 작은 것을 의미하고 있다. 따라서, 조건 (1)이 만족된 긴 금속판(64)을 사용함으로써, 증착 마스크(20)를 구성하는 금속판(21)의 치수가, 열 복원에 기인하여, 증착 마스크(20)의 제조 공정 동안에 증착 마스크(20)의 품질에 영향을 미칠 정도로 변화되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 금속판(21)에 형성하는 관통 구멍(25)의 위치를, 열 복원율을 고려하여 로트마다 조정한다는 작업이나, 복수의 증착 마스크(20)를 프레임(15)에 설치할 때의 인장량을, 열 복원율을 고려하여 로트마다 조정한다는 작업 등이 불필요해진다.The above condition (1) means that the average value K1 of the thermal recovery rate F in each
상기 조건 (2)는, 각 샘플(76)에 있어서의 열 복원율 F의 편차 K2가, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)에 대하여 요구되는 위치 정밀도의 정도에 비하여 충분히 작은 것을 의미하고 있다. 따라서, 조건 (2)가 만족된 긴 금속판(64)을 사용함으로써, 하나의 긴 금속판(64)으로부터 얻어지는 복수의 증착 마스크(20)에 있어서의 관통 구멍(25)의 위치의 편차를, 허용 범위 내의 것으로 할 수 있다. 이 때문에, 프레임(15)에 설치된 복수의 증착 마스크(20)를 사용한 증착 공정에 의하여 기판 상에 증착되는 증착 재료의 위치가 개체마다 변동되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 증착에 의하여 유기 EL 표시 장치의 화소를 형성하는 경우, 유기 EL 표시 장치의 화소 위치 정밀도를 높일 수 있다. 이로 인하여, 각 화소로부터 출사되는 광을 낭비 없이 취출할 수 있게 된다. 즉, 각 화소의 발광 효율을 높일 수 있다.The above condition (2) means that the variation K2 of the thermal recovery rate F in each
(증착 마스크의 제조 방법)(Manufacturing method of vapor deposition mask)
다음으로, 상술한 바와 같이 하여 선별된 긴 금속판(64)을 사용하여 증착 마스크(20)를 제조하는 방법에 대하여, 주로 도 10 내지 도 19를 참조하여 설명한다. 이하에 설명하는 증착 마스크(20)의 제조 방법에서는, 도 10에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)이 공급되고, 이 긴 금속판(64)에 관통 구멍(25)이 형성되며, 또한 긴 금속판(64)을 재단함으로써 낱장형의 금속판(21)을 포함하는 증착 마스크(20)가 얻어진다.Next, a method of manufacturing the
보다 구체적으로는, 증착 마스크(20)의 제조 방법, 띠형으로 연장되는 긴 금속판(64)을 공급하는 공정과, 포토리소그래피 기술을 사용한 에칭을 긴 금속판(64)에 실시하여, 긴 금속판(64)에 제1 면(64a)측으로부터 제1 오목부(30)를 형성하는 공정과, 포토리소그래피 기술을 사용한 에칭을 긴 금속판(64)에 실시하여, 긴 금속판(64)에 제2 면(64b)측으로부터 제2 오목부(35)를 형성하는 공정을 포함하고 있다. 그리고, 긴 금속판(64)에 형성된 제1 오목부(30)와 제2 오목부(35)가 서로 통함으로써, 긴 금속판(64)에 관통 구멍(25)이 제작된다. 도 11에 도시된 예에서는, 제2 오목부(35)의 형성 공정이, 제1 오목부(30)의 형성 공정 전에 실시되고, 또한, 제2 오목부(35)의 형성 공정과 제1 오목부(30)의 형성 공정 사이에, 제작된 제2 오목부(35)를 밀봉하는 공정이, 더 마련되어 있다. 이하에 있어서, 각 공정의 상세를 설명한다.More specifically, a method of manufacturing the
도 10에는, 증착 마스크(20)를 제작하기 위한 제조 장치(60)가 도시되어 있다. 도 10에 도시한 바와 같이, 먼저, 긴 금속판(64)을 코어(61)에 권취한 권취체(62)가 준비된다. 그리고, 이 코어(61)가 회전하여 권취체(62)가 권출됨으로써, 도 10에 도시한 바와 같이 띠형으로 연장되는 긴 금속판(64)이 공급된다. 또한, 긴 금속판(64)은 관통 구멍(25)이 형성되어 낱장형의 금속판(21), 나아가 증착 마스크(20)를 이루게 된다.10 shows a
공급된 긴 금속판(64)은, 반송 롤러(72)에 의하여, 에칭 장치(에칭 수단)(70)로 반송된다. 에칭 수단(70)에 의하여, 도 11 내지 도 19에 도시된 각 처리가 실시된다. 또한 본 실시 형태에 있어서는, 긴 금속판(64)의 폭 방향으로 복수의 증착 마스크(20)가 할당되는 것으로 한다. 즉, 복수의 증착 마스크(20)가, 길이 방향에 있어서 긴 금속판(64)의 소정의 위치를 차지하는 영역으로부터 제작된다. 이 경우, 긴 금속판(64)의 열 복원율이 폭 방향에 있어서 변동되어 있으면, 얻어지는 증착 마스크(20)의 길이나 후술하는 토탈 피치도 변동되게 된다.The supplied
먼저, 도 11에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상(도 11의 지면(紙面)에 있어서의 하측의 면 상) 및 제2 면(64b) 상에 네가티브형 감광성 레지스트 재료를 포함하는 도포액을 도포하여, 레지스트막(65c, 65d)을 형성한다.First, as shown in FIG. 11, on the
다음으로, 레지스트막(65c, 65d) 중 제거하고자 하는 영역에 광을 투과시키지 않도록 한 노광 마스크(85a, 85b)를 준비하고, 노광 마스크(85a, 85b)를 각각 도 12에 도시한 바와 같이 레지스트막(65c, 65d) 상에 배치한다. 노광 마스크(85a, 85b)로서는, 예를 들어 레지스트막(65c, 65d) 중의 제거하고자 하는 영역에 광을 투과시키지 않도록 한 유리 건판이 사용된다. 그 후, 진공 밀착에 의하여 노광 마스크(85a, 85b)를 레지스트막(65c, 65d)에 충분히 밀착시킨다.Next, exposure masks 85a and 85b are prepared so as not to transmit light to a region to be removed among the resist
또한 감광성 레지스트 재료로서, 포지티브형의 것이 사용되어도 된다. 이 경우, 노광 마스크로서, 레지스트막 중 제거하고자 하는 영역에 광을 투과시키도록 한 노광 마스크가 사용된다.Further, as the photosensitive resist material, a positive-type one may be used. In this case, as an exposure mask, an exposure mask that transmits light to a region to be removed in the resist film is used.
그 후, 레지스트막(65c, 65d)을 노광 마스크(85a, 85b) 너머로 노광한다. 추가로, 노광된 레지스트막(65c, 65d)에 상을 형성하기 위하여 레지스트막(65c, 65d)을 현상한다(현상 공정). 이상과 같이 하여, 도 13에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상에 레지스트 패턴(간단히, 레지스트라고도 칭함)(65a)을 형성하고, 긴 금속판(64)의 제2 면(64b) 상에 레지스트 패턴(간단히, 레지스트라고도 칭함)(65b)을 형성할 수 있다. 또한 현상 공정은, 레지스트막(65c, 65d)의 경도를 높이기 위한 레지스트 열처리 공정을 포함하고 있어도 된다. 레지스트 열처리 공정에 있어서는, 예를 들어, 300℃의 온도 조건 하에서 5분간의 가열 처리를 행한다.After that, the resist
다음으로, 도 14에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64) 상에 형성된 레지스트 패턴(65b)을 마스크로 하여, 에칭액(예를 들어 염화제이철 용액)을 사용하여, 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)측으로부터 에칭한다. 예를 들어, 에칭액이, 반송되는 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)에 대면하는 측에 배치된 노즐로부터, 레지스트 패턴(65b) 너머로 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)을 향하여 분사된다. 그 결과, 도 14에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64) 중 레지스트 패턴(65b)에 의하여 덮이지 않은 영역에서, 에칭액에 의한 침식이 진행된다. 이상과 같이 하여, 제2 면(64b)측으로부터 긴 금속판(64)에 다수의 제2 오목부(35)가 형성된다.Next, as shown in FIG. 14, using the resist
그 후, 도 15에 도시한 바와 같이, 에칭액에 대한 내성을 가진 수지(69)에 의하여, 형성된 제2 오목부(35)가 피복된다. 즉, 에칭액에 대한 내성을 가진 수지(69)에 의하여, 제2 오목부(35)가 밀봉된다. 도 15에 도시한 예에 있어서, 수지(69)의 막이, 형성된 제2 오목부(35)뿐만 아니라, 제2 면(64b)(레지스트 패턴(65b))도 덮도록 형성되어 있다.After that, as shown in Fig. 15, the formed second
다음으로, 도 16에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)에 대하여 제2회째의 에칭을 행한다. 제2회째의 에칭에 있어서, 긴 금속판(64)은 제1 면(64a)측으로부터만 에칭되어, 제1 면(64a)측으로부터 제1 오목부(30)의 형성이 진행되어 간다. 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)측에는, 에칭액에 대한 내성을 가진 수지(69)가 피복되어 있기 때문이다. 따라서, 제1회째의 에칭에 의하여 원하는 형상으로 형성된 제2 오목부(35)의 형상이 손상되어 버리는 일은 없다.Next, as shown in Fig. 16, the
에칭에 의한 침식은, 긴 금속판(64) 중 에칭액에 접촉하고 있는 부분에 있어서 행해져 간다. 따라서, 침식은, 긴 금속판(64)의 법선 방향(두께 방향)으로만 진행되는 것은 아니며, 긴 금속판(64)의 판면을 따른 방향으로도 진행되어 간다. 그 결과, 도 17에 도시한 바와 같이, 에칭이 긴 금속판(64)의 법선 방향으로 진행되어 제1 오목부(30)가 제2 오목부(35)와 접속할뿐만 아니라, 레지스트 패턴(65a)의 인접하는 두 구멍(66a)에 대면하는 위치에 각각 형성된 두 제1 오목부(30)가, 두 구멍(66a) 사이에 위치하는 브리지부(67a)의 이측에 있어서, 합류한다.Erosion by etching is performed in a part of the
도 18에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)측으로부터의 에칭이 더 진행된다. 도 18에 도시한 바와 같이, 인접하는 두 제1 오목부(30)가 합류하여 이루어지는 합류 부분(43)이 레지스트 패턴(65a)으로부터 이격되고, 레지스트 패턴(65a) 아래로 되는 당해 합류 부분(43)에 있어서, 에칭에 의한 침식이 금속판(64)의 법선 방향(두께 방향)으로도 진행된다. 이것에 의하여, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 일방측을 향하여 뾰족한 합류 부분(43)이, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 일방측으로부터 에칭되어, 도 18에 도시한 바와 같이 모따기된다. 이것에 의하여, 제1 오목부(30)의 벽면(31)이 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 이루는 경사 각도 θ1을 증대시킬 수 있다.As shown in Fig. 18, etching from the side of the
이와 같이 하여, 에칭에 의한 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 침식이, 긴 금속판(64)의 유효 영역(22)을 이루게 되는 전체 영역 내에 있어서, 진행된다. 이것에 의하여, 유효 영역(22)을 이루게 되는 영역 내에 있어서의 긴 금속판(64)의 법선 방향을 따른 최대 두께 Ta가, 에칭 전에 있어서의 긴 금속판(64)의 최대 두께 Tb보다 얇아진다.In this way, the erosion of the
이상과 같이 하여, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)측으로부터의 에칭이 미리 설정한 양만큼 진행되어, 긴 금속판(64)에 대한 제2회째의 에칭이 종료된다. 이때, 제1 오목부(30)는 긴 금속판(64)의 두께 방향을 따라 제2 오목부(35)에 도달하는 위치까지 뻗어 있으며, 이것에 의하여, 서로 통하고 있는 제1 오목부(30) 및 제2 오목부(35)에 의하여 관통 구멍(25)이 긴 금속판(64)에 형성된다.As described above, the etching from the side of the
그 후, 도 19에 도시한 바와 같이, 긴 금속판(64)으로부터 수지(69)가 제거된다. 수지(69)의 막은, 예를 들어 알칼리계 박리액을 사용함으로써, 제거할 수 있다. 알칼리계 박리액이 사용되는 경우, 도 19에 도시한 바와 같이, 수지(69)와 동시에 레지스트 패턴(65a, 65b)도 제거된다. 또한, 수지(69)를 제거한 후, 수지(69)와는 별도로 레지스트 패턴(65a, 65b)을 제거해도 된다.Then, as shown in Fig. 19, the
이와 같이 하여 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 긴 금속판(64)은, 당해 긴 금속판(64)을 끼움 지지한 상태에서 회전하는 반송 롤러(72, 72)에 의하여, 절단 장치(절단 수단)(73)로 반송된다. 또한, 이 반송 롤러(72, 72)의 회전에 의하여 긴 금속판(64)에 작용하는 텐션(인장 응력)을 통하여, 상술한 공급 코어(61)가 회전되어, 권취체(62)로부터 긴 금속판(64)이 공급되도록 되어 있다.The
그 후, 다수의 오목부(30, 35)가 형성된 긴 금속판(64)을 절단 장치(절단 수단)(73)에 의하여 소정의 길이 및 폭으로 절단함으로써, 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 낱장형의 금속판(21)이 얻어진다.Thereafter, the
이상과 같이 하여, 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 금속판(21)을 포함하는 증착 마스크(20)가 얻어진다. 여기서 본 실시 형태에 의하면, 금속판(21)의 제1 면(21a)은, 유효 영역(22)의 전체 영역에 걸쳐 에칭되어 있다. 이 때문에, 증착 마스크(20)의 유효 영역(22)의 두께를 작게 하고, 또한, 제1 면(21a) 측에 형성되는 두 제1 오목부(30)의 벽면(31)의 선단부 테두리(32)가 합류하는 부분(43)의 외측 윤곽을, 모따기된 형상으로 할 수 있다. 따라서, 상술한 각도 θ1을 크게 할 수 있으며, 이것에 의하여, 증착 재료의 이용 효율 및 증착의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, the
또한 본 실시 형태에 의하면, 상술한 조건 (1), (2)에 의하여, 폭 방향 D2의 각 위치에 있어서 측정되는 열 복원율의 평균값 및 변동이 억제된 긴 금속판(64)이 사용되고 있다. 이 때문에, 긴 금속판(64)으로부터 얻어지는 복수의 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치가 개체마다 변동되는 것을 억제할 수 있다.Moreover, according to this embodiment, the
(증착 방법)(deposition method)
다음으로, 얻어진 증착 마스크(20)를 사용하여 기판(92) 상에 증착 재료를 증착시키는 방법에 대하여 설명한다. 처음에 도 2에 도시한 바와 같이, 증착 마스크(20)를 기판(92)에 대하여 밀착시킨다. 이때, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 증착 마스크(20)를 프레임(15)에 장착 설치함으로써, 증착 마스크(20)의 면이 기판(92)의 면에 평행으로 되도록 한다. 여기서 본 실시 형태에 의하면, 긴 금속판(64)의 폭 방향에 있어서의 열 복원율의 평균값 및 편차에 기초하여 미리 선별된 긴 금속판(64)이 사용되고 있다. 이 때문에, 이러한 선별이 실시되지 않는 경우에 비하여, 증착 마스크(20)의 길이가 설계값과는 상이한 것, 및 복수의 증착 마스크(20)의 길이가 변동되는 것이 억제되어 있다. 따라서, 프레임(15)에 대한 각 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치의, 설계값으로부터의 어긋남을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 높은 위치 정밀도로 증착 재료를 기판(92)에 증착시킬 수 있다. 따라서, 증착에 의하여 유기 EL 표시 장치의 화소를 형성하는 경우, 유기 EL 표시 장치의 화소 위치 정밀도를 높일 수 있다. 이로 인하여, 각 화소로부터 출사되는 광을 낭비 없이 취출할 수 있게 된다. 즉, 각 화소의 발광 효율을 높일 수 있다.Next, a method of depositing an evaporation material on the
또한 본 실시 형태에 있어서, 금속판(21)의 제1 면(21a)이, 유효 영역(22)의 전체 영역에 걸쳐 에칭되는 예를 나타내었다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 유효 영역(22)의 일부에 있어서만 금속판(21)의 제1 면(21a)이 에칭되어도 된다.In this embodiment, an example in which the
또한 본 실시 형태에 있어서, 긴 금속판(64)의 폭 방향으로 복수의 증착 마스크(20)가 할당되는 예를 나타내었다. 또한, 증착 공정에 있어서, 복수의 증착 마스크(20)가 프레임(15)에 설치되는 예를 나타내었다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 도 20에 도시한 바와 같이, 금속판(21)의 폭 방향 및 길이 방향의 양쪽에 따라 격자형으로 배치된 복수의 유효 영역(22)을 갖는 증착 마스크(20)가 사용되어도 된다. 이 경우에도, 폭 방향에 있어서의 열 복원율의 편차가 저감된 긴 금속판(64)을 사용함으로써, 열에 기인하는 치수 변화의 정도가 증착 마스크(20)의 폭 방향의 위치에 의하여 변동되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의하여, 증착 공정에 있어서, 기판 상에 부착되는 증착 재료의 위치 정밀도를 높일 수 있다.Further, in this embodiment, an example in which a plurality of deposition masks 20 are allocated in the width direction of the
실시예Example
다음으로, 본 발명을 실시예에 의하여 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 뛰어넘지 않는 한, 이하의 실시예의 기재에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described more specifically by examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless the gist thereof is exceeded.
(제1 권취체 및 제1 샘플)(First winding body and first sample)
처음에, 인바재로 구성된 모재에 대하여 상술한 압연 공정, 슬릿 공정, 어닐링 공정 및 절단 공정을 실시함으로써, 긴 금속판이 권취된 권취체(제1 권취체)를 제조하였다.First, a winding body (first winding body) in which a long metal plate is wound was manufactured by performing the above-described rolling process, slit process, annealing process, and cutting process with respect to a base material composed of an invar material.
구체적으로는, 처음에, 제1 열간 압연 공정 및 제1 냉간 압연 공정을 이 순서대로 행하는 제1 압연 공정을 실시하고, 다음으로, 긴 금속판의 폭 방향에 있어서의 양 단부를 각각 3㎜ 이상 5㎜ 이하의 범위에 걸쳐 잘라내는 제1 슬릿 공정을 실시하고, 그 후, 500℃에서 60초에 걸쳐 긴 금속판을 연속 어닐링하는 제1 어닐링 공정을 실시하였다. 또한, 제1 어닐링 공정을 거친 긴 금속판에 대하여 제2 냉간 압연 공정을 포함하는 제2 압연 공정을 실시하고, 다음으로, 긴 금속판의 폭 방향에 있어서의 양 단부를 각각 3㎜ 이상 5㎜ 이하의 범위에 걸쳐 잘라내는 제2 슬릿 공정을 실시하고, 그 후, 500℃에서 60초에 걸쳐 긴 금속판을 연속 어닐링하는 제2 어닐링 공정을 실시하였다. 이것에 의하여, 원하는 두께를 갖는, 약 600㎜ 폭의 긴 금속판(64)을 얻었다. 그 후, 긴 금속판(64)의 폭 방향에 있어서의 양 단부를 각각 소정 범위에 걸쳐 잘라내고, 이것에 의하여, 긴 금속판(64)의 폭을 원하는 폭, 구체적으로는 500㎜ 폭으로 최종적으로 조정하는 절단 공정을 실시하였다.Specifically, first, the first rolling step of performing the first hot rolling step and the first cold rolling step in this order is performed, and then, both ends of the elongated metal sheet in the width direction are each 3 mm or more 5 The 1st slit process of cutting out over the range of mm or less was implemented, and the 1st annealing process of continuously annealing a long metal plate was implemented after that at 500 degreeC over 60 second. Further, the second rolling step including the second cold rolling step is performed on the elongated metal plate that has passed through the first annealing step, and then both ends of the elongated metal plate in the width direction are 3 mm or more and 5 mm or less, respectively. The 2nd slit process of cutting out over a range was implemented, and the 2nd annealing process of continuously annealing a long metal plate over 60 second at 500 degreeC was implemented after that. In this way, a
또한, 상술한 냉간 압연 공정에 있어서는, 백업 롤러를 사용한 압력 조정을 행하였다. 구체적으로는, 긴 금속판(64)의 형상이 좌우 대칭으로 되도록, 압연기의 백업 롤러 형상 및 압력을 조정하였다. 또한, 냉간 압연 공정은, 압연유, 예를 들어 등유를 사용하여 쿨링하면서 행하였다. 냉간 압연 공정 후에는, 탄화수소계의 세정제로 긴 금속판을 세정하는 세정 공정을 행하였다. 세정 공정 후에는, 상술한 슬릿 공정을 실시하였다.In addition, in the cold rolling process mentioned above, pressure adjustment using the backup roller was performed. Specifically, the shape and pressure of the back-up roller of the rolling mill were adjusted so that the shape of the
그 후, 전단기를 사용하여 긴 금속판(64)을 그 폭 방향을 따라 절단함으로써, 폭 500㎜, 투영 길이 700㎜의 금속판을 포함하는 제1 샘플 금속판을 얻었다. 여기서는, 긴 금속판(64)의 선단부에 있어서 2개의 제1 샘플 금속판을 잘라내고, 또한, 긴 금속판(64)의 후단부에 있어서 2개의 제1 샘플 금속판을 잘라내었다. 또한 「투영 길이」란, 금속판을 바로 위에서 보았을 경우, 즉, 금속판의 물결 형상을 무시했을 경우의 금속판 길이(압연 방향에 있어서의 치수)이다. 또한 제1 샘플 금속판의 폭이란, 폭 방향에 있어서의 제1 샘플 금속판의 한 쌍의 단부 간의 거리이다. 제1 샘플 금속판의 한 쌍의 단부는, 압연 공정 및 어닐링 공정에 의하여 얻어지는 금속판의 폭 방향에 있어서의 양단부를 소정 범위에 걸쳐 잘라내는 절단 공정을 거침으로써 형성되는 부분이며, 거의 똑바로 뻗어 있다.After that, the
다음으로, 4개의 제1 샘플 금속판을 각각 길이 방향을 따라 10등분하였다. 이것에 의하여, 폭 50㎜, 투영 길이 700㎜를 갖는 합계 40개의 제1 샘플을 얻었다. 그 후, 침을 사용하여 각 제1 샘플을 세게 긁음으로써, 각 제1 샘플 상에 2개의 측정점을 각인하였다. 2개의 측정점은, 2개의 측정점 간에 길이 방향에 있어서 약 500㎜의 간격이 생기도록, 각인하였다.Next, each of the four first sample metal plates was divided into 10 equal parts along the longitudinal direction. Thus, a total of 40 first samples having a width of 50 mm and a projected length of 700 mm were obtained. Thereafter, two measurement points were imprinted on each first sample by scratching each first sample vigorously with a needle. The two measurement points were engraved so that an interval of about 500 mm was formed between the two measurement points in the longitudinal direction.
다음으로, 각 제1 샘플에 대하여 열처리를 실시하였다. 또한, 열처리를 실시하기 전후에서의, 각 제1 샘플의 길이 방향에 있어서의 2개의 측정점 간의 거리 L1, L2를, 25℃의 온도 조건 하에서 측정하였다. 열처리에 있어서는, 처음에, 각 제1 샘플의 온도를 25℃에서 300℃로 30분에 걸쳐 승온시키고, 다음으로, 각 제1 샘플의 온도를 5분간에 걸쳐 300℃로 유지하고, 그 후, 각 제1 샘플의 온도를 300℃에서 25℃로 60분간에 걸쳐 강온시켰다. 여기서는, 각 제1 샘플에 열처리를 실시하고, 또한 각 제1 샘플의 2개의 측정점 간의 거리를 측정하기 위한 측정기로서, 신토 S 프레시전 가부시키가이샤 제조의 상술한 자동 2차원 좌표 측정기 AMIC-710을 사용하였다. 또한, 측정된 거리 L1, L2에 기초하여, 상술한 열 복원율 F를 산출하였다.Next, heat treatment was performed on each of the first samples. In addition, the distances L1 and L2 between the two measuring points in the longitudinal direction of each first sample before and after the heat treatment were measured under a temperature condition of 25°C. In the heat treatment, first, the temperature of each first sample was raised from 25 ° C to 300 ° C over 30 minutes, then the temperature of each first sample was maintained at 300 ° C over 5 minutes, and then, The temperature of each first sample was decreased from 300°C to 25°C over 60 minutes. Here, as a measuring machine for performing heat treatment on each first sample and measuring the distance between two measuring points of each first sample, the above-described automatic two-dimensional coordinate measuring machine AMIC-710 manufactured by Shinto S Precision Co., Ltd. used Further, based on the measured distances L1 and L2, the heat recovery rate F described above was calculated.
측정 결과, 각 제1 샘플에 있어서의 열 복원율 F의 평균값 K1은 -2ppm이고, 또한, 열 복원율의 편차 K2는 16ppm이었다. 이들 측정 결과와, 상술한 조건 (1), (2)를 대조한 바, 제1 샘플에 있어서는, 조건 (1), (2) 모두가 만족되어 있었다. 따라서 제1 샘플이 취출된 제1 권취체는, 증착 마스크를 제조하기 위한 소재로서 사용할 수 있는 것으로 판정된다.As a result of the measurement, the average value K1 of the thermal recovery rate F in each of the first samples was -2 ppm, and the variation K2 in the thermal recovery rate was 16 ppm. When these measurement results were compared with conditions (1) and (2) described above, both conditions (1) and (2) were satisfied in the first sample. Therefore, it is determined that the first winding body from which the first sample is taken out can be used as a material for manufacturing a deposition mask.
〔1차 효과의 평가〕[Evaluation of the primary effect]
상술한 제1 샘플이 얻어진 제1 권취체의 긴 금속판을 사용하여, 길이 방향을 따라 5개의 유효 영역이 형성된 증착 마스크를 다수 제조하였다. 각 증착 마스크의 각 유효 영역에는, 규칙적인 배열로 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 다음으로, 얻어진 증착 마스크의 위치 정밀도를 평가하기 위하여, 각 증착 마스크의 토탈 피치를 측정하고, 그리고 토탈 피치의 평균값 및 편차를 산출하였다.Using the elongated metal plate of the first winding body from which the above-described first sample was obtained, a large number of deposition masks having five effective regions formed along the longitudinal direction were manufactured. A large number of through holes are formed in a regular arrangement in each effective region of each deposition mask. Next, in order to evaluate the positional accuracy of the obtained deposition mask, the total pitch of each deposition mask was measured, and the average value and deviation of the total pitch were calculated.
여기서 토탈 피치란, 증착 마스크에 있어서의 소정의 2점 간의 거리이다. 증착 마스크의 위치 정밀도를 평가하는 것이 가능한 한, 2점의 설정 부위는 특별히 한정되지는 않지만, 여기서는, 증착 마스크의 일단부측에 위치하는 유효 영역의 근방에 형성되는 소정의 마크와, 증착 마스크의 타단부측에 위치하는 유효 영역의 근방에 형성되는 소정의 마크 간의 거리를, 토탈 피치로서 측정하였다. 이 경우의 토탈 피치는, 설계상으로는 약 600㎜로 된다.Here, the total pitch is the distance between two predetermined points in the deposition mask. As long as it is possible to evaluate the positional accuracy of the deposition mask, the two points are not particularly limited. Here, a predetermined mark formed in the vicinity of the effective area located on one end side of the deposition mask and the other of the deposition mask. The distance between predetermined marks formed in the vicinity of the effective area located on the end side was measured as a total pitch. The total pitch in this case is about 600 mm by design.
토탈 피치의 편차의 정도의 지표로서는, 열 복원율의 경우와 마찬가지로, 각 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 표준 편차(σ2)에 3을 곱한 값, 즉, 3σ2를 이용하였다.As an index of the degree of variation in total pitch, a value obtained by multiplying the standard deviation (σ 2 ) of measured values of the total pitch of each deposition mask by 3, ie, 3σ 2 , was used as in the case of the thermal recovery rate.
제1 권취체로부터 얻어진 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 평균값은 600.0018㎜이고, 편차(3σ2)는 9.3㎛였다. 또한 표준 편차(σ2)를 산출할 때의 n 수는, 후술하는 제2 권취체 내지 제10 권취체로부터 얻어진 증착 마스크와의 사이에서의 비교를 행하는 데 있어서 충분한 확실도를 표준 편차(σ2)의 값이 갖도록 설정하였다. 구체적으로는, 40개의 제1 샘플의 각각에 있어서 2군데에서 토탈 피치를 측정함으로써, n 수를 80으로 하였다. 또한, 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 평균값 및 편차의 허용 범위는, 증착 마스크를 사용함으로써 제작되는 유기 EL 표시 장치의 화소 밀도 등에 따라 정해진다. 예를 들어, 400ppi의 화소 밀도의 유기 EL 표시 장치를 제작하는 경우, 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 평균값이 설계값(예를 들어 600.0000㎜)±0.005㎜의 범위 내이고, 또한, 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 편차가 0.01㎜ 이하일 것이 요구된다. 이와 같이 설정함으로써, 얻어지는 증착 마스크의 토탈 피치를, 설계값(예를 들어 600.0000㎜)±0.015㎜의 범위 내, 즉, 허용값의 범위 내에 넣을 수 있다.The average value of the measured values of the total pitch of the deposition mask obtained from the first winding body was 600.0018 mm, and the variation (3σ 2 ) was 9.3 μm. In addition, the number of n at the time of calculating the standard deviation (σ 2 ) provides sufficient certainty in performing a comparison between deposition masks obtained from the second winding body to the tenth winding body described later. ) was set to have a value of Specifically, n number was set to 80 by measuring the total pitch at two places in each of the 40 first samples. In addition, the allowable range of the average value and deviation of the measured value of the total pitch of the deposition mask is determined according to the pixel density of the organic EL display device fabricated by using the deposition mask. For example, in the case of manufacturing an organic EL display device with a pixel density of 400 ppi, the average value of the measured values of the total pitch of the deposition mask is within the range of ±0.005 mm of the design value (eg 600.0000 mm), and the deposition mask It is required that the deviation of the measured value of the total pitch of 0.01 mm or less. By setting in this way, the total pitch of the obtained deposition mask can be placed within the range of the designed value (for example, 600.0000 mm) ± 0.015 mm, that is, within the range of the allowable value.
또한, 제1 권취체로부터 얻어진 증착 마스크의 토탈 피치를, 공정 능력 지수의 관점에서 평가하였다. 공정 능력 지수란, 공정이 갖는 품질 달성 능력(공정 능력)을 수치화한 것이다. 일반적으로는, 공정 능력 지수가 1.33 이상이면, 그 공정의 품질 달성 능력은 양호하다고 할 수 있다.In addition, the total pitch of the deposition mask obtained from the first winding body was evaluated from the viewpoint of the process capability index. A process capability index is a numerical value of the quality achievement capability (process capability) of a process. In general, if the process capability index is 1.33 or higher, the quality achievement capability of the process can be said to be good.
이하, 공정 능력 지수의 산출 방법에 대하여 설명한다. 공정 결과로서 제조되는 것의 특성값의 평균값이 조정될 수 있는 경우의 공정 능력 지수 Cp는, 이하의 식에 의하여 산출된다.Hereinafter, a method for calculating a process capability index will be described. The process capability index Cp in the case where the average value of the characteristic values of those manufactured as a result of the process can be adjusted is calculated by the following formula.
Cp=(USL-LSL)/(6×σ2)Cp=(USL-LSL)/(6×σ 2 )
여기서 USL 및 LSL은 각각, 상측 규격값 및 하측 규격값이다. 예를 들어 본 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 토탈 피치의 허용값이 600.0000㎜±0.015㎜이므로, USL은 600.015㎜이고, LSL은 599.985㎜이다. 또한, 「특성값의 평균값이 조정될 수 있다」는 것은, 공정의 조정에 의하여, 특성값의 평균값을 USL 및 LSL의 중간으로 할 수 있는 경우를 의미하고 있다.Here, USL and LSL are the upper standard value and the lower standard value, respectively. For example, in this embodiment, as described above, since the allowable value of the total pitch is 600.0000 mm±0.015 mm, the USL is 600.015 mm and the LSL is 599.985 mm. Further, "the average value of the characteristic values can be adjusted" means a case where the average value of the characteristic values can be made intermediate between USL and LSL by adjusting the process.
한편, 특성값의 평균값이 USL 및 LSL의 중간으로부터 벗어나는 것을 고려했을 경우의 공정 능력 지수 Cpk는, 이하의 식에 의하여 산출된다.On the other hand, the process capability index Cpk when considering that the average value of the characteristic values deviate from the middle of USL and LSL is calculated by the following formula.
Cpk=(1-k)×CpCpk=(1-k)×Cp
여기서 k는, 이하의 식에 의하여 산출된다.Here, k is computed by the following formula.
여기서 μ는, 제1 권취체로부터 얻어진 증착 마스크의 토탈 피치의 측정값의 평균값이다.Here, μ is an average value of measured values of the total pitch of the deposition mask obtained from the first winding body.
본 실시예에서는, 공정 능력 지수로서, 상술한 Cpk를 채용한다. 제1 권취체의 긴 금속판으로부터 얻어진 증착 마스크의 토탈 피치의 공정 능력 지수 Cpk는, 1.42였다.In this embodiment, the aforementioned Cpk is employed as the process capability index. The process capability index Cpk of the total pitch of the deposition mask obtained from the elongated metal plate of the first winding body was 1.42.
(2차 효과의 평가)(Evaluation of the secondary effect)
제1 권취체의 긴 금속판으로 제작된 증착 마스크를 사용하여, 기판 상에 증착 재료를 증착시켰다. 또한, 사용한 증착 마스크에 형성되어 있는 다수의 관통 구멍의 패턴은, 화소 밀도 300ppi에 대응한 스트라이프 패턴이었다. 또한 증착 재료로서는, 녹색의 광을 방사하는 녹색용 유기 발광 재료를 사용하였다. 그 후, 기판 상에 증착된, 녹색용 유기 발광 재료를 포함하는 복수의 녹색 발광층에 대하여, 그들의 중심 좌표 위치를 측정하였다. 중심 좌표 위치의 측정은, 증착 마스크의 하나의 유효 영역에 기초하여 형성되는 복수의 녹색 발광층 중 9개의 녹색 발광층에 대하여 실시하였다. 상술한 각 샘플의 평가의 경우와 마찬가지로 하여 하나의 긴 금속판으로부터 취출되는 10개의 증착 마스크에 대하여 평가했을 경우, 하나의 증착 마스크에 존재하는 유효 영역의 수가 5라고 하면, 측정 대상으로 되는 녹색 발광층의 수는, 10×5×9=450으로 된다.An evaporation material was deposited on the substrate using an evaporation mask made of a long metal plate of the first winding body. In addition, the pattern of many through holes formed in the used deposition mask was a stripe pattern corresponding to a pixel density of 300 ppi. Further, as the deposition material, a green organic light emitting material emitting green light was used. Thereafter, the center coordinate positions of the plurality of green light emitting layers including the green organic light emitting material deposited on the substrate were measured. The measurement of the central coordinate position was performed for nine green light-emitting layers among a plurality of green light-emitting layers formed based on one effective area of the deposition mask. In the case of evaluating 10 deposition masks taken out from one long metal plate in the same manner as in the case of evaluation of each sample described above, if the number of effective regions existing in one deposition mask is 5, the green light emitting layer to be measured The number becomes 10 × 5 × 9 = 450.
측정된 중심 좌표 위치의 각각에 대하여, 설계값으로부터의 어긋남양을 산출하였다. 또한, 어긋남양의 표준 편차 σ3을 산출하였다. 그리고, 어긋남양의 편차(3σ3)가 허용값 이하인지 여부를 판정하였다. 이때, 중심 좌표 위치의 어긋남양의 편차의 허용값은 10㎛로 하였다. 그 결과, 중심 좌표 위치의 어긋남양의 편차는 8.7㎛였다. 즉, 증착 재료의 위치 정밀도는 양호하였다.For each of the measured center coordinate positions, the amount of deviation from the design value was calculated. In addition, the standard deviation σ 3 of the shift amount was calculated. Then, it was determined whether the deviation (3σ 3 ) of the shift amount was equal to or less than the allowable value. At this time, the allowable value of the deviation of the deviation amount of the central coordinate position was 10 µm. As a result, the deviation of the deviation amount of the central coordinate position was 8.7 μm. That is, the positional accuracy of the evaporation material was good.
(제2 내지 제10 권취체 및 제2 내지 제10 샘플)(2nd to 10th winding bodies and 2nd to 10th samples)
제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 인바재로 구성된 모재로부터, 제2 권취체 내지 제10 권취체를 제조하였다. 또한, 제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 제2 권취체 내지 제10 권취체에 대하여, 각 권취체로부터 취출된 샘플의 열 복원율의 측정, 그리고 각 권취체의 긴 금속판으로 제작된 증착 마스크에 관한 상술한 1차 효과의 평가 및 2차 효과의 평가를 실시하였다.In the same manner as in the case of the first winding body, the second winding body to the tenth winding body were manufactured from the base material composed of the invar material. In addition, similarly to the case of the first winding body, for the second to tenth winding bodies, the measurement of the thermal recovery rate of the samples taken out from each winding body, and to the deposition mask made of the long metal plate of each winding body Evaluation of the above-mentioned primary effect and evaluation of the secondary effect were performed.
(각 샘플의 판정 결과의 정리)(Summary of judgment results of each sample)
제1 권취체 내지 제10 권취체로부터 취출된 각 샘플의 열 복원율의 측정 결과를, 도 21에 나타낸다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및 제5 샘플에서는, 판정 결과가 「○」로 되었다. 즉, 상술한 조건 (1), (2)가 모두 만족되어 있었다. 한편, 제4, 제6, 제7, 제8, 제9 및 제10 샘플에 있어서는, 판정 결과가 「×」로 되었다. 즉, 상술한 조건 (1) 또는 (2) 중 적어도 하나가 만족되어 있지 않았다. 구체적으로는, 제7, 제8 및 제9 샘플에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되어 있지 않았다. 또한, 제4 및 제6 샘플에 있어서는, 상술한 조건 (2)가 만족되어 있지 않았다. 또한 제10 샘플에 있어서는, 상술한 조건 (1), (2)가 모두 만족되어 있지 않았다.The measurement result of the heat recovery rate of each sample taken out from the 1st winding body - the 10th winding body is shown in FIG. As shown in Fig. 21, in the first, second, third and fifth samples, the judgment result was "○". That is, both conditions (1) and (2) described above were satisfied. On the other hand, in the 4th, 6th, 7th, 8th, 9th, and 10th samples, the judgment result was "x". That is, at least one of the above conditions (1) or (2) was not satisfied. Specifically, in the seventh, eighth, and ninth samples, the above-described condition (1) was not satisfied. In addition, in the fourth and sixth samples, the above condition (2) was not satisfied. In
(1차 효과 및 2차 효과의 평가 결과의 정리)(Summary of evaluation results of primary effect and secondary effect)
제1 권취체 내지 제10 권취체의 긴 금속판으로 제작된 증착 마스크에 관한 상술한 1차 효과의 평가 및 2차 효과의 평가 결과를, 각각 도 22 및 도 23에 나타낸다.The evaluation results of the above-described primary effect and secondary effect of the deposition mask made of the long metal plates of the first to tenth winding bodies are shown in FIGS. 22 and 23 , respectively.
도 22 및 도 23에 나타낸 바와 같이, 제1, 제2, 제3 및 제5 권취체로부터 얻어진 긴 금속판을 사용하여 제작한 증착 마스크에 대해서는, 1차 효과의 평가의 판정 결과 및 2차 효과의 평가의 판정 결과가 모두 「○」로 되었다. 구체적으로는, 1차 효과에 대해서는, 도 22에 나타낸 바와 같이, 토탈 피치(TP)의 평균값이 600.0000㎜±0.005㎜의 범위 내로 되고, TP의 편차가 0.01㎜ 이하로 되며, 또한, 공정 능력 지수 Cpk가 1.33 이상으로 되어 있었다. 또한, 2차 효과에 대해서는, 도 23에 나타낸 바와 같이, 제작된 녹색 발광층의 중심 좌표 위치의 어긋남양의 편차가 10㎛ 이하로 되어 있었다.As shown in Figs. 22 and 23, for the deposition mask produced using the elongated metal plates obtained from the first, second, third and fifth winding bodies, the determination result of the evaluation of the primary effect and the secondary effect The judgment results of evaluation were all "○". Specifically, for the first order effect, as shown in FIG. 22, the average value of the total pitch (TP) is within the range of 600.0000 mm ± 0.005 mm, the deviation of TP is 0.01 mm or less, and the process capability index Cpk was set to 1.33 or higher. Regarding the secondary effect, as shown in Fig. 23, the variation in the shift amount of the central coordinate position of the produced green light emitting layer was 10 µm or less.
한편, 제4, 제6, 제7, 제8, 제9 및 제10 권취체로부터 얻어진 긴 금속판을 사용하여 제작한 증착 마스크에 있어서는, 1차 효과의 평가의 판정 결과 및 2차 효과의 평가의 판정 결과가 모두 「×」로 되었다. 구체적으로는, 1차 효과에 대해서는, 공정 능력 지수 Cpk가 1.33 미만으로 되고, 2차 효과에 대해서는, 제작된 녹색 발광층의 중심 좌표 위치의 어긋남양의 편차가 10㎛를 초과하고 있었다. 또한, 제6 내지 제10 권취체로부터 얻어진 긴 금속판을 사용하여 제작한 증착 마스크에 있어서는, TP의 평균값이 600.0000㎜±0.005㎜의 범위 외로 되어 있었다. 또한, 제10 권취체로부터 얻어진 긴 금속판을 사용하여 제작한 증착 마스크에 있어서는, TP의 편차가 0.01㎜를 초과하고 있었다.On the other hand, in the deposition masks produced using the elongated metal plates obtained from the fourth, sixth, seventh, eighth, ninth, and tenth winding bodies, the determination result of the evaluation of the primary effect and the evaluation of the secondary effect The judgment results were all "x". Specifically, for the first-order effect, the process capability index Cpk was less than 1.33, and for the second-order effect, the deviation of the center coordinate position of the produced green light emitting layer exceeded 10 µm. Moreover, in the vapor deposition mask produced using the elongate metal plate obtained from the 6th - 10th winding bodies, the average value of TP was outside the range of 600.0000 mm +/-0.005 mm. Moreover, in the vapor deposition mask produced using the elongate metal plate obtained from the 10th winding body, the variance of TP exceeded 0.01 mm.
도 21, 도 22 및 도 23의 대비로부터 알 수 있는 바와 같이, 상술한 조건 (1), (2)에 기초하는 판정 결과와, 1차 효과 및 2차 효과에 기초하는 판정 결과는 완전히 일치하고 있었다. 즉, 상술한 조건 (1), (2)를 이용함으로써, 증착 마스크의 제조 공정에 있어서의 공정 능력 지수를 높일 수 있고, 또한, 발광층을 높은 위치 정밀도로 형성할 수 있는 긴 금속판(64)을 선별할 수 있다고 할 수 있다. 즉, 상술한 조건 (1), (2)는, 긴 금속판(64)을 선별하기 위한 유력한 판단 방법인 것으로 생각한다.21, 22, and 23, the judgment results based on the conditions (1) and (2) described above and the judgment results based on the first-order effect and the second-order effect are completely consistent. there was. That is, by using the conditions (1) and (2) described above, the process capability index in the manufacturing process of the deposition mask can be increased, and the
20: 증착 마스크
21: 금속판
21a: 금속판의 제1 면
21b: 금속판의 제2 면
22: 유효 영역
23: 주위 영역
25: 관통 구멍
30: 제1 오목부
31: 벽면
35: 제2 오목부
36: 벽면
55: 모재
56: 압연 장치
57: 어닐링 장치
61: 코어
62: 권취체
64: 긴 금속판
64a: 긴 금속판의 제1 면
64b: 긴 금속판의 제2 면
65a, 65b: 레지스트 패턴
65c, 65d: 레지스트막
85a, 85b: 노광 마스크20: deposition mask
21: metal plate
21a: first surface of metal plate
21b: second side of metal plate
22: effective area
23: surrounding area
25: through hole
30: first concave portion
31: wall
35: second recess
36: wall
55: parent material
56: rolling device
57: annealing device
61: core
62: winding body
64: long metal plate
64a: first side of long metal plate
64b: second side of long metal plate
65a, 65b: resist pattern
65c, 65d: resist film
85a, 85b: exposure mask
Claims (5)
제1 면 및 제2 면을 포함하는 금속판과,
상기 금속판을 관통하는 복수의 관통 구멍이 형성된 유효 영역과,
상기 유효 영역을 둘러싸는 주위 영역을 구비하고,
상기 복수의 관통 구멍은, 상기 유효 영역에서 서로 직교하는 2방향을 따라 각각 소정의 피치로 배열되어 있고,
상기 관통 구멍은, 상기 제1 면의 측에 위치하는 제1 오목부와, 상기 제2면의 측에 위치하고 상기 제1 오목부에 접속된 제2 오목부를 포함하고,
상기 유효 영역에서의 상기 금속판의 최대 두께가, 상기 주위 영역에서의 상기 금속판의 최대 두께보다 작은, 증착 마스크.It is a deposition mask,
A metal plate including a first surface and a second surface;
an effective area formed with a plurality of through holes penetrating the metal plate;
A peripheral area surrounding the effective area is provided;
the plurality of through holes are arranged at a predetermined pitch along two directions orthogonal to each other in the effective area;
The through hole includes a first concave portion located on a side of the first surface and a second concave portion located on a side of the second surface and connected to the first concave portion;
The deposition mask of claim 1 , wherein a maximum thickness of the metal plate in the effective region is smaller than a maximum thickness of the metal plate in the peripheral region.
상기 2방향을 따른 단면에서 상기 유효 영역의 최대 두께는 상기 2방향과는 다른 방향에서의 단면에서 상기 유효 영역의 최대 두께보다 작은, 증착 마스크.According to claim 1,
and a maximum thickness of the effective region in a cross section along the two directions is smaller than a maximum thickness of the effective region in a cross section in a direction different from the two directions.
상기 2방향 각각에 있어서, 인접하는 두 개의 상기 제1 오목부가 접속되어 있는, 증착 마스크.According to claim 2,
A deposition mask in which two adjacent first concave portions are connected in each of the two directions.
상기 2방향과는 다른 방향에서 두 개의 상기 관통 구멍의 코너가 대향하는, 증착 마스크.According to claim 2 or 3,
wherein corners of the two through holes face each other in a direction different from the two directions.
상기 2방향과는 다른 방향으로 인접하는 두 개의 상기 제1 오목부가 접속되어 있는, 증착 마스크.According to claim 4,
The deposition mask according to claim 1 , wherein two adjacent first concave portions are connected in directions different from the two directions.
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---|---|---|---|---|
JP5455099B1 (en) | 2013-09-13 | 2014-03-26 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, metal plate manufacturing method, and mask manufacturing method using metal plate |
JP5516816B1 (en) | 2013-10-15 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, method for producing metal plate, and method for producing vapor deposition mask using metal plate |
JP5641462B1 (en) | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, metal plate manufacturing method, and mask manufacturing method using metal plate |
CN107208250A (en) * | 2015-01-05 | 2017-09-26 | 夏普株式会社 | Mask, evaporation coating device and the manufacture method that mask is deposited is deposited |
DE202016008840U1 (en) | 2015-02-10 | 2020-02-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | metal sheet |
JP6935829B2 (en) * | 2016-02-19 | 2021-09-15 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of base material for metal mask, manufacturing method of metal mask for vapor deposition, manufacturing method of metal mask unit, and metal mask unit |
JP6724407B2 (en) * | 2016-02-19 | 2020-07-15 | 凸版印刷株式会社 | Base material for metal mask, metal mask for vapor deposition, and metal mask unit |
CN107849682B (en) | 2016-04-14 | 2019-04-19 | 凸版印刷株式会社 | The manufacturing method of deposition mask substrate, the manufacturing method of deposition mask substrate and deposition mask |
KR102640221B1 (en) * | 2016-09-22 | 2024-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method for fabricating division mask |
KR102333411B1 (en) * | 2017-01-10 | 2021-12-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask device, and method for manufacturing vapor deposition mask |
JP6376483B2 (en) * | 2017-01-10 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask manufacturing method, vapor deposition mask device manufacturing method, and vapor deposition mask quality determination method |
KR20220116074A (en) | 2017-01-17 | 2022-08-19 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor deposition mask and method for manufacturing vapor deposition mask |
JP6428903B2 (en) | 2017-01-17 | 2018-11-28 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask and vapor deposition mask manufacturing method |
US10557191B2 (en) * | 2017-01-31 | 2020-02-11 | Sakai Display Products Corporation | Method for producing deposition mask, deposition mask, and method for producing organic semiconductor device |
JP6471200B1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-02-13 | 株式会社アルバック | Mask plate and film forming method |
JP6319505B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-05-09 | 凸版印刷株式会社 | Vapor deposition mask substrate, vapor deposition mask substrate production method, vapor deposition mask production method, and display device production method |
JP6299922B1 (en) * | 2017-10-13 | 2018-03-28 | 凸版印刷株式会社 | Vapor deposition mask substrate, vapor deposition mask substrate production method, vapor deposition mask production method, and display device production method |
JP6299921B1 (en) | 2017-10-13 | 2018-03-28 | 凸版印刷株式会社 | Vapor deposition mask substrate, vapor deposition mask substrate production method, vapor deposition mask production method, and display device production method |
KR102479945B1 (en) * | 2017-12-08 | 2022-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask sheet and manufaturing method for the same |
JP7317816B2 (en) * | 2018-06-08 | 2023-07-31 | 大日本印刷株式会社 | Wound body of metal plate, package provided with wound body, method for packing wound body, method for storing wound body, method for manufacturing vapor deposition mask using wound metal plate, and metal plate |
KR20230051717A (en) | 2018-07-09 | 2023-04-18 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | Vapor-deposition mask manufacturing method and vapor-deposition mask device manufacturing method |
WO2020067537A1 (en) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Metal mask material, method for producing same, and metal mask |
CN110879916B (en) * | 2019-11-05 | 2023-07-11 | 中国石油集团科学技术研究院有限公司 | Ecology-based carbonate rock deposition numerical simulation method and system |
JP2021175824A (en) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | Evaluation method of vapor deposition chamber of manufacturing apparatus of organic device, standard mask device and standard substrate used for evaluation method, manufacturing method of standard mask device, manufacturing apparatus of organic device having vapor deposition chamber evaluated by evaluation method, organic device having vapor-deposited layer formed in vapor deposition chamber evaluated by evaluation method, and maintenance method of vapor deposition chamber in manufacturing apparatus of organic device |
JP7124941B2 (en) * | 2020-06-19 | 2022-08-24 | 凸版印刷株式会社 | METHOD FOR MANUFACTURING BASE MATERIAL FOR METAL MASK, METHOD FOR MANUFACTURING METAL MASK FOR EVAPORATION, AND SUBSTRATE FOR METAL MASK |
KR20220004893A (en) * | 2020-07-03 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus and method for manufacturing a display device |
KR20220056914A (en) * | 2020-10-28 | 2022-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask frame and deposition apparatus including the same |
KR102269904B1 (en) * | 2021-02-25 | 2021-06-28 | (주)세우인코퍼레이션 | Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition |
KR102405552B1 (en) * | 2021-11-16 | 2022-06-07 | (주)세우인코퍼레이션 | Method for manufacturing open metal mask of large area for oled deposition |
CN114959242A (en) * | 2022-05-27 | 2022-08-30 | 天津市新天钢冷轧薄板有限公司 | Method for preventing edge damage of supporting roller of continuous annealing unit |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1517633A (en) | 1920-06-28 | 1924-12-02 | Junkers Hugo | Corrugated sheet metal |
JPS5295410A (en) | 1976-02-04 | 1977-08-11 | Hitachi Ltd | Air spring height control device for vehicles |
JPS52144882A (en) | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Mitsuo Okamoto | Device for determining position in material working device |
JPS5374569A (en) | 1976-12-15 | 1978-07-03 | Kayaba Industry Co Ltd | Apparatus for compensating length of parison in hollow plastic molding machine |
JPS5641331A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-18 | Nec Corp | Manufacture of ferromagnetic, long continuous material having uniform initial magnetic permeability |
JPS57109512A (en) | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Nippon Steel Corp | Rolling method |
CA1204143A (en) * | 1982-08-27 | 1986-05-06 | Kanemitsu Sato | Textured shadow mask |
JPS59149635A (en) | 1983-01-31 | 1984-08-27 | Toshiba Corp | Manufacture of shadowmask |
JPS62139863A (en) * | 1985-12-12 | 1987-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate mask for sputtering apparatus |
US5200025A (en) | 1990-09-20 | 1993-04-06 | Dainippon Screen Manufacturing Co. Ltd. | Method of forming small through-holes in thin metal plate |
JP3149379B2 (en) | 1990-09-20 | 2001-03-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Method for forming fine holes in metal sheet |
JP3009076B2 (en) | 1990-09-20 | 2000-02-14 | 大日本スクリーン製造 株式会社 | Method for forming fine holes in metal sheet |
EP0561120B1 (en) * | 1992-01-24 | 1996-06-12 | Nkk Corporation | Thin Fe-Ni alloy sheet for shadow mask and method for manufacturing thereof |
JP2955420B2 (en) | 1992-01-31 | 1999-10-04 | 日新製鋼株式会社 | Method and apparatus for producing ultra-thin stainless steel strip |
JP3268369B2 (en) | 1993-02-23 | 2002-03-25 | 株式会社河合楽器製作所 | High precision rolled metal sheet manufacturing equipment |
JP2812869B2 (en) | 1994-02-18 | 1998-10-22 | 株式会社神戸製鋼所 | Plate material for electrical and electronic parts for half-etching and method for producing the same |
JPH0867914A (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Production of ic lead frame material |
JP3178266B2 (en) | 1994-09-28 | 2001-06-18 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of flat type shadow mask and sheet metal plate for flat type shadow mask |
JPH0987741A (en) | 1995-09-25 | 1997-03-31 | Nkk Corp | Production of iron-nickel base invar alloy thin sheet for shadow mask excellent in sheet shape and heat shrinkage resistance |
JP3379301B2 (en) | 1995-10-02 | 2003-02-24 | 日本鋼管株式会社 | Method for producing low thermal expansion alloy thin plate for shadow mask excellent in plate shape and heat shrink resistance |
JPH09123011A (en) | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Hitachi Metals Ltd | Fe-ni sheet and its manufacture |
US6042952A (en) | 1996-03-15 | 2000-03-28 | Kawasaki Steel Corporation | Extremely-thin steel sheets and method of producing the same |
JPH1053858A (en) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Best:Kk | Porous metallic sheet and its production |
JPH1060525A (en) | 1996-08-26 | 1998-03-03 | Nkk Corp | Production of low thermal expansion alloy thin sheet excellent in sheet shape and thermal shrinkage resistance |
JPH10214562A (en) | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacture of shadow mask |
JPH10263615A (en) | 1997-03-25 | 1998-10-06 | Kawasaki Steel Corp | Rolling method |
MY123398A (en) * | 1997-05-09 | 2006-05-31 | Toyo Kohan Co Ltd | Invar alloy steel sheet for shadow mask, method for producing same, shadow mask, and color picture tube |
JP4060407B2 (en) | 1997-08-22 | 2008-03-12 | 日新製鋼株式会社 | Method for producing soft magnetic stainless steel sheet for motor yoke |
JPH11229040A (en) * | 1998-02-16 | 1999-08-24 | Nkk Corp | Annealing method and apparatus correcting shape of fe-ni alloy steel strip |
KR100259300B1 (en) * | 1998-04-16 | 2000-06-15 | Lg Electronics Inc | Shadow mask for color cathode ray tube |
JP2000256800A (en) | 1999-03-05 | 2000-09-19 | Nkk Corp | Low thermal expansion alloy sheet and electronic parts |
JP2000319728A (en) | 1999-05-07 | 2000-11-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of metal sheet for shadow mask |
KR100443540B1 (en) | 1999-05-07 | 2004-08-09 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Stainless steel plate for shadow mask |
JP2000345242A (en) | 1999-05-31 | 2000-12-12 | Nkk Corp | Production of steel sheet for shadow mask excellent in precision of sheet thickness in longitudinal direction |
JP2001131707A (en) | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Shadow mask for color cathode-ray tube |
JP3573047B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-10-06 | 住友金属工業株式会社 | Manufacturing method of stainless steel sheet with excellent flatness after etching |
JP2001234385A (en) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tohoku Pioneer Corp | Metal mask and its producing method |
JP2001247939A (en) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Hitachi Metals Ltd | Thin alloy sheet for shadow mask, excellent in blackening treatability, and shadow mask using it |
JP3881493B2 (en) * | 2000-04-19 | 2007-02-14 | 日鉱金属株式会社 | Fe-Ni alloy shadow mask material excellent in etching perforation and manufacturing method thereof |
JP2001325881A (en) | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Toshiba Corp | Translucent hole forming method and translucent hole forming apparatus |
JP3557395B2 (en) * | 2000-12-27 | 2004-08-25 | 日鉱金属加工株式会社 | Method for producing Fe-Ni alloy material for press-molded flat mask |
JP2002237254A (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Extension type shadow mask and material for the same |
JP3651432B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | Mask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electroluminescence device |
TW529317B (en) | 2001-10-16 | 2003-04-21 | Chi Mei Electronic Corp | Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display |
JP2003272838A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Masking member |
JP2003272839A (en) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of masking member for evaporation treatment |
TW589919B (en) * | 2002-03-29 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Method for vapor deposition and method for making display device |
JP2003286527A (en) | 2002-03-29 | 2003-10-10 | Dowa Mining Co Ltd | Copper or copper alloy with low shrinkage percentage, and manufacturing method therefor |
JP4126648B2 (en) | 2002-07-01 | 2008-07-30 | 日立金属株式会社 | Method for manufacturing metal mask member |
JP2004063375A (en) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Toppan Printing Co Ltd | Overhung color-coding mask infinitesimal deformation evaluation method |
JP2004185890A (en) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Metals Ltd | Metal mask |
JP4170179B2 (en) | 2003-01-09 | 2008-10-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Organic EL panel manufacturing method and organic EL panel |
JP4471646B2 (en) * | 2003-01-15 | 2010-06-02 | 株式会社豊田自動織機 | Composite material and manufacturing method thereof |
EP1449596A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-25 | Corus Technology BV | A method for processing a steel product, and product produced using said method |
CN1874629A (en) | 2003-03-07 | 2006-12-06 | 精工爱普生株式会社 | Mask, method of manufacturing mask, device for manufacturing mask, and method of manufacturing film of luminescent material |
JP4089632B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | Mask manufacturing method, mask manufacturing apparatus, and film forming method of light emitting material |
JP4463492B2 (en) | 2003-04-10 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Manufacturing equipment |
US7524792B2 (en) | 2003-06-04 | 2009-04-28 | Basf Aktiengesellschaft | Preparation of catalytically active multielement oxide materials which contain at least one of the elements Nb and W and the elements Mo, V and Cu |
MY140438A (en) | 2003-06-04 | 2009-12-31 | Basf Ag | Preparation of catalytically active multielement oxide materials which contain at least one of the elements nb and w and the elements mo, v and cu |
JP2004362908A (en) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Hitachi Metals Ltd | Metal mask and manufacturing method thereof |
JP2005042147A (en) | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method of producing mask for vapor deposition, and mask for vapor deposition |
JP2005105406A (en) | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Nippon Seiki Co Ltd | Mask for vapor deposition |
JP2005154879A (en) | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Canon Components Inc | Metal mask for vapor deposition, and method of producing vapor deposition pattern using the same |
JP2005183153A (en) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Manufacturing method of mask for vapor deposition |
JP4708735B2 (en) | 2004-05-31 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | Method for manufacturing mask structure |
JP4164828B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-10-15 | 日立金属株式会社 | Method for producing Fe-Ni alloy sheet material |
KR100708654B1 (en) | 2004-11-18 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Mask assembly and mask frame assembly using the same |
JP5151004B2 (en) | 2004-12-09 | 2013-02-27 | 大日本印刷株式会社 | Metal mask unit and manufacturing method thereof |
JP2006247721A (en) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jfe Steel Kk | Method and apparatus for straightening shape of metallic sheet using roll having uneven cross-sectional shape for pinching metallic sheet |
KR100623419B1 (en) | 2005-06-29 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Shadow mask and method for manufacturing of the same |
JP4438710B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-03-24 | セイコーエプソン株式会社 | Mask, mask chip, mask manufacturing method, and mask chip manufacturing method |
JP2007095324A (en) | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Hitachi Displays Ltd | Method of manufacturing organic el display panel, and organic el display panel manufactured by this method |
JP2008041553A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sony Corp | Mask for vapor deposition, and manufacturing method of mask for vapor deposition |
CN200989993Y (en) | 2006-12-22 | 2007-12-12 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Long mask plate for double-exposure |
KR100796617B1 (en) | 2006-12-27 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Mask device and manufacturing thereof and organic light emitting display device comprising the same |
JP2008255449A (en) | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | Vapor deposition mask, and method for producing the same |
JP5081516B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-11-28 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | Vapor deposition method and vapor deposition apparatus |
JP5262226B2 (en) | 2007-08-24 | 2013-08-14 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask and method of manufacturing vapor deposition mask |
JP5251078B2 (en) | 2007-11-16 | 2013-07-31 | 新日鐵住金株式会社 | Steel plate for containers and manufacturing method thereof |
JP2009215625A (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Seiko Epson Corp | Mask member for vapor deposition, mask vapor deposition method, and method of manufacturing organic electroluminescence apparatus |
JP5294072B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-09-18 | 日立金属株式会社 | Etching material manufacturing method and etching material |
JP2011034681A (en) | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | Metal processing method, metal mask manufacturing method, and organic el display device manufacturing method |
US9325007B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Shadow mask alignment and management system |
JP5486951B2 (en) | 2010-02-12 | 2014-05-07 | 株式会社アルバック | Vapor deposition mask, vapor deposition apparatus, and thin film formation method |
JP5379717B2 (en) | 2010-02-24 | 2013-12-25 | 株式会社アルバック | Evaporation mask |
JP2011190509A (en) | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | Masking material, piezoelectric vibrator, method for manufacturing piezoelectric vibrator, oscillator, electronic equipment and radio wave clock |
JP2012059631A (en) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Displays Ltd | Mask for organic electroluminescence |
JP5751810B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-07-22 | 日立マクセル株式会社 | Metal mask manufacturing method, frame member, and manufacturing method thereof |
KR20120105292A (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Deposition mask and method for manufacturing the same |
JP5823741B2 (en) * | 2011-06-15 | 2015-11-25 | 中国電力株式会社 | Outlet adapter for testing |
JP2013002924A (en) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Hitachi Plant Technologies Ltd | Bridge type crane and method of disassembling nuclear power plant |
KR20130004830A (en) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Apparatus for thin layer deposition and method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same |
CN105331927B (en) | 2012-01-12 | 2018-09-11 | 大日本印刷株式会社 | Deposition mask prepares body |
CN202576545U (en) * | 2012-01-16 | 2012-12-05 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | Grooved mask plate for evaporation |
CN103205701A (en) | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | A vapor deposition mask plate and a production method thereof |
JP2013153920A (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Yasue Tsutsumi | Fastener opening/closing assisting apparatus |
JP5498517B2 (en) * | 2012-02-08 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | Server device, home appliance control method and program |
CN202786401U (en) | 2012-08-29 | 2013-03-13 | 四川虹视显示技术有限公司 | Mask plate for OLED evaporation |
CN104583440B (en) | 2012-09-04 | 2016-11-09 | 新日铁住金株式会社 | Corrosion resistant plate and manufacture method thereof |
JP5935628B2 (en) | 2012-09-24 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of vapor deposition mask |
CN103031578B (en) | 2012-11-29 | 2016-08-31 | 烟台晨煜电子有限公司 | A kind of electrolytic method producing nickel foil |
JP5459632B1 (en) | 2013-01-08 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask manufacturing method and vapor deposition mask |
JP5382259B1 (en) | 2013-01-10 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, method for producing metal plate, and method for producing vapor deposition mask using metal plate |
JP5382257B1 (en) | 2013-01-10 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, method for producing metal plate, and method for producing vapor deposition mask using metal plate |
JP6217197B2 (en) | 2013-07-11 | 2017-10-25 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, metal mask with resin layer, and method of manufacturing organic semiconductor element |
JP5455099B1 (en) | 2013-09-13 | 2014-03-26 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, metal plate manufacturing method, and mask manufacturing method using metal plate |
JP5516816B1 (en) | 2013-10-15 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, method for producing metal plate, and method for producing vapor deposition mask using metal plate |
JP5626491B1 (en) | 2014-03-06 | 2014-11-19 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, method for producing metal plate, and method for producing vapor deposition mask using metal plate |
JP5641462B1 (en) | 2014-05-13 | 2014-12-17 | 大日本印刷株式会社 | Metal plate, metal plate manufacturing method, and mask manufacturing method using metal plate |
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