KR20200073261A - 칩 패키지 구조 및 칩 패키지 방법 - Google Patents

칩 패키지 구조 및 칩 패키지 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원의 실시예는 전자 기술 분야와 관련하여, 칩 패키징 동안에 일어나는 휨을 완화하기 위한 칩 패키지 구조(400) 및 칩 패키지 방법을 제공한다. 상기 칩 패키지 구조(400)는 다이(41) 및 다이(41) 주위에 배치된 패키지 기판(43)을 포함한다. 다이(41)의 제1 표면 상에 납땜 접합부(401)가 배치된다. 제2 표면(402) 이외의 상기 다이(41)의 나머지 표면은 사출 성형 재료(42)에 의해 둘러싸인다. 상기 패키지 기판(43)의 적어도 한 쌍의 대변은 사출 성형 재료(42)에 매립된다. 상기 적어도 한 쌍의 대변과 사출 성형 재료(42) 사이의 접촉 면적은 상기 적어도 한 쌍의 대변의 표면적의 절반 이상을 차지한다. 상기 제2 표면(402)은 다이(41)의 표면으로서 상기 제1 표면과 반대 측의 표면이다.

Description

칩 패키지 구조 및 칩 패키지 방법
본 출원의 실시예는 전자 기술 분야에 관한 것으로, 특히 칩 패키지 구조 및 칩 패키지 방법에 관한 것이다.
마이크로 회로(microcircuit), 마이크로 칩(microchip) 또는 집적 회로(integrated circuit, IC)로도 지칭되는 칩은 집적 회로를 포함하는 실리콘 칩이며, 일반적으로 이동 전화나 컴퓨터와 같은 단말기의 일부이다. 예를 들어, 지문 칩이 이동 전화에 배치되어 지문 이미지 수집, 지문 특징 추출 및 지문 특징 비교와 같은 지문 관련 기능을 구현하거나, 또는 디스플레이 칩이 배치되어 단말기의 디스플레이 스크린의 표시 기능을 구현할 수 있다.
일반적으로, 제조된 후, 다이(die)는 패키징 공정 후에만 칩으로서 정상적으로 사용될 수 있다. 그러나 사용자가 더 가볍고 더 얇은 단말기를 요구하기 때문에, 다이 패키징을 위한 패키지 두께의 요건이 점점 더 엄격해지고 있다. 지문 칩이 예로 사용된다. 현재, 지문 칩의 패키지 두께는 300㎛ 이하여야 한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 다이(11)는 관통 실리콘 비아(through silicon via, TSV) 패키징 프로세스를 사용하여 패키징될 수 있다. 패키지 두께를 감소시키기 위해, 사출 성형 재료(injection molding material)(12)가 일반적으로 다이(11)의 상부 표면 상에 성형(molding)되는 것이 아니라, 사용자에 의해 전기 신호를 송신하기 위한 납땜 접합부(solder joint)(13)가 다이(11)의 하부 표면 상에 배치된다. 다이(11)가 패키징될 때, 사출 성형 재료(12)가 다이(11) 주위 및 다이(11)의 하부 표면에 주입될 수 있고, 납땜 접합부(13)가 노출된다.
그러나 다이(11)의 상부 표면이 사출 성형 재료(12)로 감싸지지 않기 때문에, 지문 칩이 패키징될 때, 다이(11) 및 사출 성형 재료(12)는 고온 또는 다른 조건에서 수축되고, 상대적으로 낮은 강도를 갖는 사출 성형 재료(12)의 수축도(shrinkage degree)는 다이(11)의 수축도보다 크다. 결과적으로, 전체 다이(11)의 패키지 구조는 중간이 더 높고 주변이 더 낮은 휨(warpage) 현상을 보여, 지문 칩과 다른 구성요소 사이의 후속하는 부착 정도에 영향을 미친다.
본 출원의 실시예는 칩 패키징 동안에 일어나는 휨을 완화하기 위한 칩 패키지 구조 및 칩 패키지 방법을 제공한다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 다음의 기술적 방안이 본 출원의 실시예에서 사용된다.
제1 측면에 따르면, 본 출원의 실시예는 칩 패키지 구조를 제공한다. 상기 칩 패키지 구조는 다이 및 상기 다이 주위에 배치된 패키지 기판을 포함하며, 상기 다이의 제1 표면 상에 납땜 접합부(solder joint)가 배치되고; 상기 다이의 제2 표면(상기 제2 표면은 상기 다이의 표면으로서 상기 제1 표면의 반대 측의 표면임) 이외의 나머지 표면은 사출 성형 재료에 의해 둘러싸이고; 상기 패키지 기판의 대변(opposite sides) 중 적어도 한 쌍은 상기 사출 성형 재료에 매립되고; 상기 대변 중 적어도 한 쌍과 상기 사출 성형 재료 사이의 접촉 면적은 상기 대변 중 적어도 한 쌍의 표면적의 절반 이상을 차지한다.
이러한 방식으로, 사출 성형 재료에 매립된 패키지 기판이 다이 주위에 대칭 적으로 배치되기 때문에, 다이는 고정 및 강화될 수 있어, 다이가 패키징될 때 발생하는 휨을 완화시킨다.
또한, 패키지 기판이 매립된 형태로 사출 성형 재료에 삽입되기 때문에, 사출 성형 재료로 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조(buckle structure)가 형성될 수 있어, 패키지 기판이 사출 성형 재료로부터 분리되거나 떨어지는 문제를 피할 수 있다. 또한, 패키지 기판이 사출 성형 재료에 매립된 후, 패키지 기판과 사출 성형 재료 사이의 접촉 면적이 이에 상응하여 증가하고, 패키지 기판과 사출 성형 재료 사이의 접착력(adhesion)이 더 증가하여, 전체 칩 패키지 구조의 안정성 및 신뢰성을 향상시킨다.
가능한 설계 방법에서, 상기 패키지 기판은 제1 쌍의 대변 및 제2 쌍의 대변을 포함하고, 상기 제1 쌍의 대변의 길이는 상기 제2 쌍의 대변의 길이보다 길다. 상기 제2 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 상기 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제2 쌍의 대변이 상기 사출 성형 재료에 매립되어, 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성하여, 사출 성형 재료로부터 패키징 기판이 분리될 확률을 감소시킨다. 또한, 다이의 짧은 변 근처에서 휨이 발생할 확률이 비교적 높기 때문에, 다이의 짧은 변 근처에 있는 사출 성형 재료를 따라 제2 쌍의 대변을 매립하는 것은 휨이 발생할 확률을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
가능한 설계 방법에서, 상기 제1 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 상기 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제1 쌍의 대변이 또한 상기 사출 성형 재료에 매립된다. 이 경우에, 패키지 기판의 두 쌍의 대변이 사출 성형 재료에 매립되고 다이를 에워싸므로, 패키지 구조의 휨 및 분리가 최대로 완화될 수 있다.
가능한 설계 방법에서, 타깃 방향(상기 타깃 방향은 상기 다이의 제2 표면에 수직임)에서의 상기 제1 쌍의 대변의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제2 쌍의 대변의 높이보다 높다. 또한, 상기 제1 쌍의 대변의 제1 타깃 표면(상기 제1 타깃 표면은 상기 제1 쌍의 대변의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 사출 성형 재료와 접촉하지 않는 표면임)은 상기 다이의 제2 표면과 동일 평면이다. 이 경우, 상대적으로 짧은 패키지 기판의 한 쌍의 대변은 사출 성형 재료에 매립되고, 상대적으로 긴 패키지 기판의 한 쌍의 대변은 사출 성형 재료에 매립되는 것이 아니라, 제2 표면과 동일 평면인 제1 타깃 표면을 노출시킨다. 칩 패키지 구조가 제조될 때, 상대적으로 긴 한 쌍의 대변은 다이의 제2 표면 상에 패키징 필름의 배치를 용이하게 하여, 사출 성형 재료가 주입될 때에 사출 성형 재료가 다이의 제2 표면을 덮는 것을 방지한다.
가능한 설계 방법에서, 상기 패키지 기판은 제1 쌍의 대변 및 제2 쌍의 대변을 포함하고, 상기 제1 쌍의 대변의 길이는 상기 제2 쌍의 길이보다 길다. 상기 제1 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제1 쌍의 대변이 상기 사출 성형 재료에 매립되어, 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성하여, 사출 성형 재료로부터 패키징 기판이 분리될 확률을 감소시킨다.
가능한 설계 방법에서, 타깃 방향에서의 상기 제2 쌍의 대변의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제1 쌍의 대변의 높이보다 높고, 상기 제2 쌍의 대변의 제2 타깃 표면은 상기 다이의 제2 표면과 동일 평면이다. 상기 타깃 방향은 상기 다이의 제2 표면에 수직이고, 상기 제2 타깃 표면은 상기 제2 쌍의 대변의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 사출 성형 재료와 접촉하지 않는 표면이다.
가능한 설계 방법에서, 상기 패키지 기판과 상기 사출 성형 재료 사이의 접촉 면적과, 상기 패키지 기판의 표면적의 비는 2/3, 또는 3/4, 또는 4/5보다 크다.
가능한 설계 방법에서, 상기 패키지 기판은 통합된 성형 공정(integrated molding process)을 사용하여 생성된다.
제2 측면에 따르면, 본 출원의 일 실시예는 칩 패키지 방법을 제공하며, 상기 칩패키지 방법은 패키지 기판을 사용하여 다이를 패키징하는 공정에 적용된다. 상기 패키지 기판은 간격을 두고 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함한다. 타깃 방향에서의 상기 제1 기판의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제2 기판의 높이보다 높다. 상기 제2 기판 상에 상기 다이를 놓는 데 사용되는 관통 구멍이 배치된다. 상기 타깃 방향은 상기 관통 구멍의 구멍 깊이 방향과 동일하다.
상기 칩 패키지 방법은, 상기 다이의 제2 표면이 상기 제1 기판의 타깃 표면과 동일 평면이 되도록, 상기 다이를 상기 제2 기판의 관통 구멍 내에 놓는 단계 - 상기 제2 표면은 상기 다이의 표면으로서 납땜 접합부가 배치되는 제1 표면의 반대 측의 표면이고, 상기 타깃 표면은 상기 제1 기판의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 제2 기판보다 높은 표면임 -; 서로 동일 평면에 있는 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 패키징 필름을 형성하는 단계; 상기 제2 기판의 관통 구멍 내로 사출 성형 재료를 주입하여, 상기 사출 성형 재료가 패키징 필름, 상기 다이, 및 상기 패키징 기판 사이에 형성된 갭을 채우도록 하는 단계; 및 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계를 포함한다.
가능한 설계 방법에서, 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거한 후에, 상기 칩 패키지 방법은, 상기 관통 구멍 주위에 미리 설정된 절단 경계선을 따라 상기 패키징 기판을 절단하여, 상기 다이를 포함하는 패키징된 칩을 획득하는 단계를 더 포함한다.
가능한 설계 방법에서, 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계는, 가열 및 박리 공정(stripping process)을 사용하여, 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계를 포함한다.
가능한 설계 방법에서, 상기 타깃 방향에서의 상기 관통 구멍의 투영 면적은 상기 타깃 방향에서의 상기 다이의 투영 면적보다 크다.
가능한 설계 방법에서, 상기 다이의 납땜 접합부는 상기 사출 성형 재료의 외부에 노출된다.
제3 측면에 따르면, 본 출원의 일 실시예는 전술한 측면 중 어느 하나에 따른 칩 패키지 구조, 프로세서, 메모리, 버스 및 통신 인터페이스를 포함하는 단말기를 제공한다. 상기 메모리는 컴퓨터로 실행 가능한 명령어를 저장하도록 구성된다. 상기 프로세서와 상기 메모리는 버스를 사용하여 연결된다. 상기 단말기가 실행되는 경우, 상기 프로세서는 상기 메모리에 저장된, 컴퓨터로 실행 가능한 명령어를 실행할 수 있다.
본 출원의 실시예에서, 칩 패키지 구조의 구성요소의 명칭은 칩 패키지 구조를 한정하는 것은 아니다.
실제 구현 시에, 구성요소는 다른 이름을 가질 수 있다. 기능이 본 출원의 실시예에서의 기능과 유사한 임의의 구성요소는 본 출원의 청구범위 및 그 동등한 기술에 의해 정의되는 보호 범위 내에 속한다.
또한, 제2 측면 내지 제3 측면에서의 임의의 설계가 가져오는 기술적 효과에 대해서는 제1 측면에서의 상이한 설계 방법이 가져오는 기술적 효과를 참조한다. 세부사항은 여기서 설명하지 않는다.
도 1은 종래 기술에서의 다이의 패키지 구조의 개략도 1이다.
도 2는 종래 기술에서의 지문 모듈의 개략 구조도이다.
도 3은 종래 기술에서의 다이의 패키지 구조의 개략도 2이다.
도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 1이다.
도 5는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 2이다.
도 6은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 3이다.
도 7은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 4이다.
도 8은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 5이다.
도 9는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 6이다.
도 10은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 7이다.
도 11은 본 출원의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 개략 구조도 1이다.
도 12는 본 출원의 일 실시예에 따른 패키지 기판의 개략 구조도 2이다.
도 13은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 방법의 흐름도이다.
도 14는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 8이다.
도 15는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 9이다.
도 16은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 10이다.
도 17은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 11이다.
도 18은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 12이다.
도 19는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 13이다.
도 20은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 14이다.
도 21은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 15이다.
도 22는 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 16이다.
도 23은 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 구조의 개략도 17이다.
이하에서 언급되는 "제1" 및 "제2"라는 용어는 단지 설명을 위한 것이며, 기술적 특징의 수량의 암묵적 지시 또는 상대적 중요성의 지시 또는 암시 또는 암시로 이해되지 않아야 한다. 따라서, "제1" 또는 "제2"에 의해 한정되는 특징은 하나 이상의 특징을 명시적으로 또는 암시적으로 포함할 수 있다. 본 출원의 실시예의 설명에서, 달리 언급되지 않는 한, "복수의"는 둘 이상을 의미한다.
본 출원의 실시예들은 칩 패키지 방법 및 칩 패키지 구조를 제공하며, 이는 단말기 내의 다양한 칩의 제조 및 사용 프로세스에 적용될 수 있다. 지문 칩이 예로 사용된다. 도 2에 도시된 지문 모듈(200)의 단면도를 참조하면, 지문 칩(21)은 칩 패키지 구조(400)를 형성하도록 패키징된다. 플렉시블 플레이트(flexible plate)(22), 예를 들어, FPC 플렉시블 플레이트는 지문 칩(21)의 측이고 납땜 접합부(201)를 포함하는 측에 배치되고, 단말기 내의 메인보드와 통신하도록 구성된다. 지문 칩(21)의 타측(즉,도 2의 지문 칩(21)의 상부 표면)에 지문 센서(23)(예: 포토다이오드 또는 포토트라이오드(phototriode))가 배치되고, 사용자의 지문을 수집하도록 구성된다. 지문 센서(23)는 지문 센서(23)를 보호하기 위해 사용되는 커버(24)로 덮여있다.
지문 모듈(200)은 칩 패키지 구조(400), 플렉시블 플레이트(22), 지문 센서(23) 및 커버(24)를 포함한다. 사용자의 손가락이 커버(24)를 터치할 때, 지문 칩(21)은 지문 센서(23)를 사용하여 사용자의 지문을 수집할 수 있고, 수집된 지문에 대한 특징 추출 및 특징 비교를 수행한다. 마지막으로, 비교 결과는 플렉시블 플레이트(22)를 사용하여 메인보드의 프로세서와 같은 구성요소에 전송되어, 지문 잠금해제(fingerprint unlock) 및 지문 결제(fingerprint payment)와 같은 대응하는 지문 기능을 구현한다.
커버(24)는 구체적으로 유리, 세라믹, 사파이어 또는 스테인리스 스틸과 같은 재료로 제조될 수 있다. 본 출원의 이 실시예에서는 이를 한정하지 않는다.
단말기를 가능한 한 얇게 만들거나, 단말기에서 지문 모듈(200)이 다른 구성요소(예: 디스플레이 스크린의 구동 회로)의 공간을 차지하는 것을 방지하기 위해, 지문 칩(21)의 패키지 두께는 300㎛ 미만일 필요가 있다. 이 경우에, 지문 칩(21)과 패키지 재료의 강도 차이로 인해, 지문 칩(21)이 고온 또는 다른 조건에서 패키징되는 경우, 패키지 구조(400)에서 휨이 쉽게 발생한다.
이를 고려하여, 도 3의 (a)(도 3의 (a)는 지문 칩(21)의 패키지 구조의 평면도임)에 도시된 바와 같이, 지문 칩(21)이 패키징될 때, 기판(31)이 패키징된 지문 칩(21) 주위에 추가되어 전체 지문 칩(21)의 패키지 구조를 고정한다.
도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 도시된 지문 칩(21)의 패키지 구조의 AB 선을 따른 단면도이다. 구체적으로, 지문 칩(21)이 패키징될 때, 기판(31)에 의해 둘러싸인 공동 내, 지문 칩(21) 주위 및 납땜 접합부(32)가 배치된 지문 칩(21)의 하부 표면 상에 사출 성형 재료(33), 예를 들어 EMC(Epoxy Molding Compound, 에폭시 성형 컴파운드)가 채워져, 패키징된 지문 칩(21)을 획득한다.
기판(31)의 강도가 사출 성형 재료(33)의 강도보다 크기 때문에, 지문 칩(21) 주위에 배치된 기판(31)은 전체 패키지 구조의 강도를 증가시켜서, 사출 성형 재료(33)가 열에 의해 수축될 때에 지문 칩(21)이 휘어지도록 당기지 않는다.
그러나 기판(31)과 사출 성형 재료(33) 사이의 접촉 면적은 비교적 작고, 기판(31)과 사출 성형 재료(33) 사이의 재료 강도 차이는 비교적 크기 때문에, 기판(31)이 사출 성형 재료(33)로부터 분리 또는 떨어지기 쉬워, 지문 칩(21)의 전체 패키지 구조의 안정성 및 신뢰성을 감소시킨다.
이를 고려하여, 본 출원의 일 실시예는 칩 패키지 구조를 제공한다. 도 4는 칩 패키지 구조(400)의 평면도이다. 도 4의 CD 선을 따른 칩 패키지 구조(400)의 단면도에 대해서는 도 5를 참조한다.
구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 칩 패키지 구조(400)는 다이(41)를 포함한다. 납땜 접합부(401)는 다이(41)의 제1 표면 상에 배치된다. 다이(41)는 사출 성형 재료(42) 및 패키지 기판(43)의 적어도 한쌍의 대변에 의해 둘러싸이고, 기판(43)의 적어도 한 쌍의 대변은 다이(41) 주위를 둘러싸는 사출 성형 재료(42)에 매립된다.
본 출원의 이 실시예에서, "패키지 기판(43)의 적어도 한 쌍의 대변이 사출 성형 재료(42)에 매립된다"는 것은 적어도 한 쌍의 대변의 표면적의 적어도 절반 이상이 사출 성형 재료(42)와 접촉할 수 있는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, 패키지 기판(43)의 적어도 세 개의 표면이 사출 성형 재료(42)와 접촉한다. 다시 말해, 도 5에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(43)의 적어도 한 쌍의 대변이 사출 몰딩 재료(42)에 매립되어, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42)는 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성할 수 있다.
도 5에 여전히 도시된 바와 같이, 사출 성형 재료(42)에 매립된 패키지 기판(43)은 다이(41) 주위에 대칭으로 배치된다. 따라서, 다이(41)는 고정 및 강화될 수 있어, 다이(41)가 패키징될 때 발생하는 휨을 완화한다.
또한, 패키지 기판(43)이 매립된 형태로 사출 성형 재료(42) 내로 삽입되기 때문에, 사출 성형 재료(42)로 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조가 형성될 수 있어, 패키지 기판 사이의 분리 또는 떨어짐을 피할 수 있다. 또한, 패키지 기판(43)이 사출 성형 재료(42)에 매립된 후, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42) 사이의 접촉 면적은 그에 상응하여 증대되고, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42) 사이의 접착력이 더욱 증대되어, 칩 패키지 구조(400)의 안정성 및 신뢰성을 향상시킨다.
선택적으로, 도 5에 여전히 도시된 바와 같이, 사출 성형 재료(42)는 다이(41)의 제1 표면과 반대 측인 제2 표면(402) 상에 형성되지 않는다. 이러한 방식으로, 전체 칩 패키지 구조(400)의 두께를 감소시킬 수 있어, 더 가볍고 더 얇은 단말기의 설계 요건을 충족시킨다.
또한, 도 6은 도 4의 EF 선(EF 선은 CD 선에 수직임)을 따른 칩 패키지 구조(400)의 단면도이다. 도 5와 유사하게, 패키지 기판(43)은 사출 성형 재료(42)에 매립되어 사출 성형 재료(42)와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있고, 사출 성형 재료(42)와의 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조가 형성되어, 패키지 기판(43)와 사출 성형 재료(42) 사이의 분리 또는 떨어짐을 피할 수 있다.
대안으로, 도 7에 칩 패키지 구조(400)의 평면도가 도시될 수 있다. 패키지 기판(43)은 두 부분으로 나누어진다: 한 부분은 다이(41)의 제2 표면(402)과 동일 평면인 제1 기판(431)이고, 다른 부분은 제1 기판(431)보다 높이가 낮은 제2 기판(432)이다. 제1 기판(431)은 다이(41)의 한 쌍의 대변을 따라 배치되고, 제2 기판(432)은 다이(41)의 다른 한 쌍의 대변을 따라 배치된다.
제2 기판(432)은 다이(41)의 제2 표면(402)보다 낮기 때문에, 다이(41) 주위의, 제2 기판(432)에 가까운 영역에 갭이 형성된다. 사출 성형 재료(42)는 갭 내에 채워진다. 이 경우, 칩 패키지 구조(400)의 평면도는 도 8에 도시되어 있다. 다이(41)의 제2 표면(402)보다 낮은 부분은 사출 성형 재료(42)로 채워진다.
도 8에 도시된 칩 패키지 구조(400)에 기초하면, 도 8에서의 다이(41)의 더 긴 변(C'D' 선)을 따른 단면도는 도 5와 동일하다. 패키지 기판(43)의 제2 기판(432)은 다이(41) 주위를 둘러싸는 사출 성형 재료(42)에 매립되어, 사출 성형 재료(42)와 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성함으로써, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42) 사이의 분리 또는 떨어짐을 피한다.
이 경우, 도 8에서의 다이(41)의 더 짧은 변(E'F' 선)을 따른 단면도에 대해서는 도 9를 참조한다. 패키지 기판(43)에서 제1 기판(431)은 다이(41)의 제2 표면(402)과 동일 평면이기 때문에, 제1 기판(431)은 E'F' 선의 방향으로 사출 성형 재료(42)에 매립되는 것이 아니라, 제2 표면(402)과 동일 평면인 표면(431a)을 노출시킨다.
구체적으로, 도 7 ∼ 도 9에 도시된 칩 패키지 구조(400)에서, 제2 기판(432)은 C'D' 선의 방향으로 매립되어, 사출 성형 재료(42)와 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성함으로써, 패키지 구조(400)의 안정성을 향상시킬 수 있다. 제1 기판(431)은 E'F' 선의 방향으로 사출 성형 재료(42)에 매립되지 않지만, 다이(41)의 제2 표면(402)과 동일 평면이며, 이는 사출 성형 재료(42)가 다이(41)가 주입될 때 사출 성형 재료(42)가 다이(41)의 제2 표면(402)을 덮지 않도록, 칩 패키지 구조(400)를 제작할 때 다이(41)의 제1 기판(431) 및 제2 표면(402) 상에 패키징 필름을 배치하는 데 도움이 된다.
대안으로, 다이(41)의 제2 표면(402)과 동일 평면인 제1 기판(431)이 C'D' 선의 방향으로 배치될 수 있고, 사출 성형 재료(42)에 매립된 제2 기판(432)이 E'F' 선의 방향으로 배치되어, 사출 성형 재료(42)와 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조를 형성함으로써, 패키지 구조(400)의 안정성을 향상시킨다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
칩 패키지 구조(400)를 제작하는 방법은 후속 실시예에서 상세히 설명되며, 여기서는 세부사항을 다시 설명하지 않는다.
본 출원의 이 실시예에서, 패키지 기판(43)이 사출 성형 재료(42)에 매립되는 구체적인 위치 및 패키지 기판(43)이 사출 성형 재료(42)에 매립되는 깊이에 제한이 없음에 유의해야 한다. 패키지 기판(43)이 사출 성형 재료(42)에 깊게 매립될수록, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42) 사이의 접촉 면적과 패키지 기판(43)의 표면적의 비가 더 크다. 예를 들어, 그 비는 구체적으로 2/3, 3/4, 4/5 등보다 클 수 있다. 당업자라면 실제 경험 또는 실제 적용 시나리오에 기초하여 그 비를 적절히 설정할 수 있을 것이다. 예를 들어, 도 8 ∼ 도 9에 도시된 칩 패키지 구조(400)에 기초하면, 패키지 기판(43)의 주위에 사출 성형 재료(42)가 더 형성될 수 있다. 이 경우, 도 10의 (a)는 C'D' 선의 방향으로의 칩 패키지 구조(400)의 단면도이다. 패키지 기판(43)의 제2 기판(432)은 사출 성형 재료(42)에 완전히 둘러싸여 있음을 알 수 있다. 도 10의 (b)는 E'F' 선의 방향으로의 칩 패키지 구조(400)의 단면도이다. 이 경우, 패키지 기판(43)의 제1 기판(431)의 표면(431a)만이 사출 성형 재료(42)에 대해 노출되고, 다른 표면들은 사출 성형 재료(42)에 매립된다.
본 출원의 실시예에서 제공되는 칩 패키지 방법을 설명하기 전에, 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 패키지 기판(43)을 먼저 설명한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(43)을 사용하여 복수의 칩(예: 도 11에 도시된 지문 칩)을 한 번에 패키징할 수 있다. 패키징이 완료된 후, 패키지 기판(43)을 절단함으로써 각각의 개별 지문 칩(즉, 도 11에서 파선으로 형성된 폐쇄 패턴)이 획득될 수 있다.
구체적으로, 도 11은 본 출원의 일 실시예에 따른 패키지 기판(43)의 평면도이다. 패키지 기판(43)은 높이가 다른 두 부분, 즉 돌출된 제1 기판(431)과 오목한 제2 기판(432)을 포함할 수 있다. 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 관통 구멍(51)은 오목한 제2 기판(432) 상에 배치되고, 관통 구멍(51)의 면적은 다이(41)의 면적보다 크다.
도 12는 도 11의 MN 선을 따른 패키지 기판(43)의 단면도이다. 패키지 기판(43)의 제1 기판(431) 및 제2 기판(432)은 톱니 형상으로 배열된다. 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 관통 구멍(51)은 제2 기판(432) 상에 배치된다.
또한, 패키지 기판(43)은 구체적으로 종이 기판(예: 페놀 수지(phenolic resin) FR-1 또는 에폭시 수지(epoxy resin) FE-3), 유리 섬유 기판(예: 에폭시 수지 FR-4 또는 FR-5), 복합 기판(composite substrate) 등일 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
또한, 패키지 기판(43)을 형성하는 제1 기판(431) 및 제2 기판(432)은 복수의 기판을 스플라이싱(splicing)함으로써 형성될 수 있거나, 통합된 성형 공정을 사용하여 한 번에 제조될 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
패키지 기판(43)에 기초하여, 본 출원의 일 실시예에 따른 칩 패키지 방법이 제공된다. 도 13에 도시된 바와 같이, 이 칩 패키지 방법은 다음 단계들을 포함한다.
101. 제2 기판(432)의 관통 구멍(51)에 다이(41)를 놓으며, 여기서 제1 기판(431)은 다이(41)의 제2 표면과 동일 평면이고, 제2 표면은 다이(41)의 표면으로서 납땜 접합부가 배치되는 제1 표면과 반대 측의 표면이다.
구체적으로, 도 14는 다이(41)가 놓인 후의 패키지 기판(43)의 평면도이다. 관통 구멍(51)은 패키지 기판(43)의 제2 기판(432) 상에 배치되고, 관통 구멍(51)의 면적은 다이(41)의 면적보다 크다. 따라서, 다이(41)가 관통 구멍(51) 내에 놓일 수 있다. 다이(41)를 놓은 후, 다이(41)의 제2 표면(402)은 패키지 기판(43)의 보다 높은 제1 기판(431)과 동일 평면이고, 납땜 접합부가 배치되는, 다이(41)의 제1 표면은 패키지 기판(43)으로부터 돌출될 수 있다.
이 경우, 하나의 다이(41)가 예로서 사용된다. 도 15는 다이(41)가 놓인 후의 패키지 기판(43)의 3차원 구조도이다. 다이(41)의 제2 표면(402)은 패키지 기판(43)의 제1 기판(431)과 동일 평면이며, 제1 기판(431)의 높이는 제2 기판(432)의 높이보다 높다. 관통 구멍(51)의 면적인 다이(41)의 면적보다 크기 때문에, 다이(41)가 놓인 후, 다이(41)와 제1 기판(431) 사이 및 다이(41)와 제2 기판(432) 사이에 갭이 존재한다. 후속하는 성형 동안, 사출 성형 재료가 갭을 이용하여 다이(41) 주위에 채워질 수 있다.
하나의 다이(41)가 예로서 여전히 사용된다. 도 16은 도 14의 파선 1201을 따른 단면도이다. 다이(41)의 제2 표면(402)은 패키지 기판(43)의 제1 기판(431)과 동일 평면이어서, 후속하여 패키징 필름이 서로 동일 평면인 제1 기판(431)과 제2 표면 상에 형성됨으로써,주입된 패키징 재료가 다이(41)의 제2 표면(402)을 덮는 것을 방지한다.
102. 서로 동일 평면인 제1 기판(431)과 제2 표면 상에 패키징 필름을 형성한다.
패키징 필름은 구체적으로 테프론 또는 폴리이미드와 같은 재료로 이루어진 고온 내성 필름(high-temperature-resistant film)일 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
구체적으로, 도 17의 (a)는 패키징 필름이 형성된 후의 도 14의 파선 1201을 따른 단면도이다. 도 16에 기초하여, 제1 기판(431) 및 다이(41)의 제2 표면(402) 상에 평평한 패키징 필름(1401)이 형성된다. 이 경우에, 제1 기판(431)은 패키징 필름(1401)을 지지할 수 있어, 패키징 필름(1401)과 제2 표면(402)이 서로 접합될 수 있도록 하여, 후속하는 성형(molding) 동안에 사출 성형 재료가 제2 표면(402)에 대해 주입되는 것을 방지한다.
이 경우에, 도 17의 (b)는 패키징 필름이 형성된 후의 도 14의 파선 1202를 따른 단면도이다. 패키지 기판(43)에서, 제2 기판(432)의 높이는 제1 기판(431)의 높이보다 낮다. 따라서, 패키징 필름(1401)이 형성된 후, 패키징 필름(1401)과 다이(41)의 제2 표면(402)이 서로 접합되고, 패키징 필름(1401)과 제2 기판(432) 사이에 갭이 형성된다.
103. 사출 성형 재료를 제2 기판(432)의 관통 구멍(51)에 주입하며, 사출 성형 재료는 제2 표면을 제외한 다이(41)의 각 표면을 덮는다.
구체적으로, 도 18의 (a)는 도 14의 파선 1201을 따른 단면도이다. 사출 성형 재료가 주입된 후, 다이캐스팅 공정(diecasting process)을 사용하여 제2 기판(432)의 관통 구멍(51) 내로 사출 성형 재료(42)를 주입하여, 다이(41)와 제1 기판(431)의 갭을 채울 수 있다. 또한, 납땜 접합부(401)가 배치되는, 다이(41)의 제1 표면 상에 사출 성형 재료(42)가 형성되어, 공기 중에 노출된 다이(41)가 사출 성형 재료(42)에 의해 둘러싸인다. 따라서, 다이(41)는 보호되고 고정된다.
이 경우에, 도 18의 (b)는 사출 성형 재료가 주입된 후의 도 14의 파선 1202을 따른 단면도이다. 패키지 기판(43)에서, 제2 기판(432)의 높이는 제1 기판(431)의 높이보다 낮다. 따라서, 사출 성형 재료(42)가 주입될 때, 플라스틱 패키징 재료(42)는 제2 기판(432)과 패키징 필름(1401) 사이의 갭을 채워, 제2 기판(432)이 사출 성형 재료(42)에 매립되도록 한다.
이러한 방식으로, 사출 성형 재료(42)에 매립된 제2 기판(432)은 다이(41)의 한 쌍의 대변을 따라 배치되어, 다이(41)를 고정함으로써, 다이(41)가 패키징될 때 발생하는 휨을 완화시킨다.
또한, 제2 기판(432)이 매립된 형태로 사출 성형 재료(42)에 삽입되기 때문에, 사출 성형 재료(42)와의 접촉 면적이 증대될 수 있고, 비교적 높은 안정성을 갖는 버클 구조가 형성될 수 있어, 제2 기판(432)과 사출 성형 재료(42) 사이의 분리 또는 떨어짐을 피할 수 있다. 따라서, 전체 칩 패키지 구조의 안정성 및 신뢰성이 향상된다.
사출 성형 재료(42)는 구체적으로 에폭시 수지, 페놀 수지, 벤조옥사진 수지(benzoxazine resin), 시아네이트 수지(cyanate resin), 폴리이미드, 비스말레이미드(bismaleimide) 또는 폴리아닐린(polyaniline)과 같은 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 실리콘 다이옥사이드(silicon dioxide)와 같은 충전제(filling agent)가 사출 성형 재료(42)에 더 첨가될 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
사출 성형 재료(42)가 주입될 때, 다이(41)의 제1 표면 상의 납땜 접합부(401)가 노출되어, 다이(41)가 납땜 접합부(401)를 사용하여 단말기 내의 다른 구성요소(예: 메인보드 또는 프로세서)와 통신할 수 있음을 이해할 수 있다.
104. 제1 기판(431) 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거한다.
구체적으로, 단계 104에서, 제1 기판(431) 및 제2 표면(402) 상에 형성된 패키징 필름(1401)은 가열 또는 박리와 같은 공정을 사용하여 제거될 수 있다. 이 경우, 도 19에 도시된 바와 같이(도 19는 패키징 필름(1401)이 제거된 후의 패키지 기판(43)의 평면도임), 패키징 필름(1401)이 제거된 후, 제1 기판(431) 및 사출 성형 재료(42)는 각각의 다이(41)의 두 쌍의 대변을 둘러싸서, 패키징 기판(43)의 용이한 분리 및 휨을 완화시킨다.
105. 패키징된 패키지 기판(43)을 절단하여 패키징된 개별 칩을 획득한다.
단계 105에서, 패키지 기판(43)은 특정 크기 및 형상에 기초하여 그리고 패키지 기판(43) 상의 각각의 다이(41)의 위치를 중심으로 사용하여 실제 요건 또는 실제 적용 시나리오에 기초하여 절단될 수 있어, 각각의 다이(41)의 주위가 제1 기판(431) 및 사출 성형 재료(42)에 의해 둘러싸이도록 보장함으로써, 패키징된 개별 칩을 획득한다.
지문 칩이 예로서 사용된다. 도 19에 여전히 도시된 바와 같이, 패키지 기판(43)은 패키징된 지문 칩을 획득하기 위해, 도 19에서 파선으로 도시된 레이스트랙 형상(racetrack shape)을 따라 절단될 수 있다. 이어서, 패키징된 지문 칩은 도 2에 도시된 지문 모듈(200)로서 제조되고, 도 20에 도시된 단말기의 전면 패널에 통합되어, 단말기의 지문 인식 기능을 구현할 수 있다.
물론, 패키지 기판(43)은 대안으로 원형 또는 직사각형과 같은 형태로 절단될 수 있다. 이는 본 출원의 이 실시예에서 제한되지 않는다.
본 출원의 일부 다른 실시예에서, 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 패키지 기판은 도 21(도 21은 본 출원의 일 실시예에 따른 다른 패키지 기판(61)의 평면도임)에 추가로 도시될 수 있다. 패키지 기판(61)은 여전히 돌출된 제1 기판(431)과 오목한 제2 기판(432)를 여전히 포함하고, 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 관통 구멍(51)이 제2 기판(432) 상에 배치된다.
하지만, 도 14에 도시된 패키지 기판(43)과의 차이점은, 패키지 기판(61)이 후속하여 개별 칩으로 절단될 때, 절단 경계선(즉, 도 21에서 파선으로 형성된 폐쇄 패턴)은 더 낮은 높이를 갖는 제2 기판(432)을 포함한다는 점에 있다.
이러한 방식으로, 다이(41)는 단계 101 내지 105에서 설명한 칩 패키지 방법에 기초하여 여전히 패키징될 수 있다. 차이점은, 패키지 필름(1401)이 서로 동일 평면인 제1 기판(431)과 제2 표면 상에 형성된 후, 패키징 필름이 형성된 후의 도 21의 파선 1201을 따른 단면도인 도 22의 (a)에 도시된 바와 같이, 다이(41)가 더 낮은 높이의 제2 기판(432)에 의해 둘러싸여서, 형성된 패키징 필름(1401)이 다이(41)의 제2 표면(402)에 접합되지만, 형성된 패키징 필름(1401)과 제2 기판(432) 사이에 갭이 현성된다는 점이다.
유사하게, 도 22의 (b)는 패키징 필름이 형성된 후의 도 21의 파선 1202를 따른 단면도이다. 패키징 필름(1401)이 형성된 후, 패키징 필름(1401)과 다이(41)의 제2 표면(402)이 또한 서로 접합되고, 패키징 필름(1401)과 제2 기판(432) 사이에 갭이 또한 형성된다.
이 경우, 사출 성형 재료(42)가 후속하여 제2 기판(432)의 관통 구멍(51)에 주입될 때, 사출 성형 재료(42)는 도 22의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 패키징 필름(1401)과 제2 기판(432) 사이의 갭에 주입될 수 있다. 이러한 방식으로, 다이(41) 주위에 배치된 패키지 기판(43)의 네 변이 사출 성형 재료(42)에 매립되어, 최종적으로 도 4 ∼ 도 6에 도시된 패키지 구조(400)를 형성함으로써, 패키지 기판(43)과 사출 성형 재료(42) 사이의 안정성을 더욱 향상시킨다.
본 출원의 일부 다른 실시 형태에서, 도 21의 그것과 유사하게, 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 패키지 기판이 도 23(도 23은 본 출원의 실시예에 따른 다른 패키지 기판(71)의 평면도임)에 추가로 도시될 수 있다. 패키지 기판(71)은 돌출된 제1 기판(431) 및 오목한 제2 기판(432)을 여전히 포함하고, 다이(41)를 패키징하는 데 사용되는 관통 구멍(51)이 제2 기판(432) 상에 배치된다.
도 21에 도시된 패키지 기판(61)과는 달리, 더 낮은 높이의 제2 기판(432)이 다이가 절단될 때 절단 경계선(2201) 주위에 배치되고, 더 높은 높이의 제1 기판(431)은 나머지 영역에 배치될 수 있다.
이 경우, 다이(41)가 단계 101 내지 단계 105에서 설명한 칩 패키지 방법에 기초하여 패키징될 때, 도 22에서의 그것과 유사하게, 다이(41)는 더 낮은 높이의 제2 기판(432)에 의해 둘러싸여 있다. 따라서, 패키징된 후, 도 4 ∼ 도 6에 도시된 패키지 구조(400)가 최종적으로 형성되고, 칩 패키지 구조(400)의 안정성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 단계 101 내지 105에서 설명한 칩 패키지 방법은 사출 성형 기기에 의해 자동으로 완료될 수 있고, 작업자는 사출 성형 기기에서 구체적인 온도 및 사출 성형 재료 사용량과 같은 파라미터를 설정함으로써 칩 패키지 방법을 제어할 수 있다.
본 출원의 실시예에서 제공되는 칩 패키지 구조는 이동 전화, 웨어러블 기기, 증강 현실(augmented reality, AR)/가상 현실(virtual reality, VR) 기기, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터 및 울트라 모바일 개인용 컴퓨터(ultra-mobile personal computer, UMPC), 넷북(netbook) 또는 개인 휴대 정보 단말기(personal digital assistant. PDA)와 같은, 칩이 배치되는 임의의 단말기에 적용될 수 있다. 이는 본 출원의 실시예에서 제한되지 않는다.
이상의 설명은 본 출원의 구체적인 구현예일 뿐이며, 본 출원의 보호 범위를 한정하려는 것은 아니다. 본 출원에 개시된 기술 범위 내에서의 모든 변형 또는 대체는 본 출원의 보호 범위에 속한다. 따라서, 본 출원의 보호 범위는 청구 범위의 보호 범위에 따라야 한다.

Claims (13)

  1. 다이 및 상기 다이 주위에 배치된 패키지 기판을 포함하는 칩 패키지 구조로서,
    상기 다이의 제1 표면 상에 납땜 접합부(solder joint)가 배치되고; 상기 다이의 제2 표면 이외의 나머지 표면은 사출 성형 재료에 의해 둘러싸이고; 상기 패키지 기판의 대변(opposite sides) 중 적어도 한 쌍은 상기 사출 성형 재료에 매립되고; 상기 대변 중 적어도 한 쌍과 상기 사출 성형 재료 사이의 접촉 면적은 상기 대변 중 적어도 한 쌍의 표면적의 절반 이상을 차지하고; 상기 제2 표면은 상기 다이의 표면으로서 상기 제1 표면의 반대 측의 표면인,
    칩 패키지 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 제1 쌍의 대변 및 제2 쌍의 대변을 포함하고, 상기 제1 쌍의 대변의 길이는 상기 제2 쌍의 대변의 길이보다 길고;
    상기 제2 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 상기 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제2 쌍의 대변이 상기 사출 성형 재료에 매립되는, 칩 패키지 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 상기 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제1 쌍의 대변이 상기 사출 성형 재료에 매립되는, 칩 패키지 구조.
  4. 제2항에 있어서,
    타깃 방향에서의 상기 제1 쌍의 대변의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제2 쌍의 대변의 높이보다 높고, 상기 제1 쌍의 대변의 제1 타깃 표면은 상기 다이의 제2 표면과 동일 평면이며;
    상기 타깃 방향은 상기 다이의 제2 표면에 수직이고, 상기 제1 타깃 표면은 상기 제1 쌍의 대변의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 사출 성형 재료와 접촉하지 않는 표면인, 칩 패키지 구조.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 제1 쌍의 대변 및 제2 쌍의 대변을 포함하고, 상기 제1 쌍의 대변의 길이는 상기 제2 쌍의 길이보다 길며;
    상기 제1 쌍의 대변의 적어도 세 개의 표면이 사출 성형 재료와 접촉하도록, 상기 제1 쌍의 대변이 상기 사출 성형 재료에 매립되는, 칩 패키지 구조.
  6. 제5항에 있어서,
    타깃 방향에서의 상기 제2 쌍의 대변의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제1 쌍의 대변의 높이보다 높고, 상기 제2 쌍의 대변의 제2 타깃 표면은 상기 다이의 제2 표면과 동일 평면이며;
    상기 타깃 방향은 상기 다이의 제2 표면에 수직이고, 상기 제2 타깃 표면은 상기 제2 쌍의 대변의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 사출 성형 재료와 접촉하지 않는 표면인, 칩 패키지 구조.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 기판과 상기 사출 성형 재료 사이의 접촉 면적과, 상기 패키지 기판의 표면적의 비는 2/3, 또는 3/4, 또는 4/5보다 큰, 칩 패키지 구조.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지 기판은 통합된 성형 공정(integrated molding process)을 사용하여 생성되는, 칩 패키지 구조.
  9. 칩 패키지 방법으로서,
    패키지 기판을 사용하여 다이를 패키징하는 공정에 적용되며, 상기 패키지 기판은 간격을 두고 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함하고, 타깃 방향에서의 상기 제1 기판의 높이는 상기 타깃 방향에서의 상기 제2 기판의 높이보다 높고, 상기 제2 기판 상에 상기 다이를 놓는 데 사용되는 관통 구멍이 배치되고, 상기 타깃 방향은 상기 관통 구멍의 구멍 깊이 방향과 동일하며; 상기 칩 패키지 방법은,
    상기 다이의 제2 표면이 상기 제1 기판의 타깃 표면과 동일 평면이 되도록, 상기 다이를 상기 제2 기판의 관통 구멍 내에 놓는 단계 - 상기 제2 표면은 상기 다이의 표면으로서 납땜 접합부가 배치되는 제1 표면의 반대 측의 표면이고, 상기 타깃 표면은 상기 제1 기판의 표면으로서 상기 타깃 방향으로 상기 제2 기판보다 높은 표면임 -;
    서로 동일 평면에 있는 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 패키징 필름을 형성하는 단계;
    상기 제2 기판의 관통 구멍 내로 사출 성형 재료를 주입하여, 상기 사출 성형 재료가 패키징 필름, 상기 다이, 및 상기 패키지 기판 사이에 형성된 갭을 채우도록 하는 단계; 및
    상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계
    를 포함하는 칩 패키지 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거한 후에, 상기 칩 패키지 방법은,
    상기 관통 구멍 주위에 미리 설정된 절단 경계선을 따라 상기 패키지 기판을 절단하여, 상기 다이를 포함하는 패키징된 칩을 획득하는 단계를 더 포함하는 칩 패키지 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계는,
    가열 및 박리 공정(stripping process)을 사용하여, 상기 다이의 제1 기판 및 제2 표면 상에 형성된 패키징 필름을 제거하는 단계를 포함하는, 칩 패키지 방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 타깃 방향에서의 상기 관통 구멍의 투영 면적은 상기 타깃 방향에서의 상기 다이의 투영 면적보다 큰, 칩 패키지 방법.
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다이의 납땜 접합부는 상기 사출 성형 재료의 외부에 노출되는, 칩 패키지 방법.
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