KR20180065033A - 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼의 장착 및 수용을 위한 수용 수단에 관한 것으로,
-장착 표면(1o),
-장착 표면(1o) 상에 웨이퍼를 장착하기 위한 장착 수단 및
-웨이퍼의 국부적인 및/또는 전체적인 뒤틀림의 능동, 특히 국부적으로 제어 가능한, 적어도 국부적인 교정을 위한 교정 수단(3, 4, 5, 6)을 포함한다. 게다가, 본 발명은 전술된 수용 수단을 사용하여 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 정렬하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
-장착 표면(1o),
-장착 표면(1o) 상에 웨이퍼를 장착하기 위한 장착 수단 및
-웨이퍼의 국부적인 및/또는 전체적인 뒤틀림의 능동, 특히 국부적으로 제어 가능한, 적어도 국부적인 교정을 위한 교정 수단(3, 4, 5, 6)을 포함한다. 게다가, 본 발명은 전술된 수용 수단을 사용하여 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 정렬하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 청구항 제1항에 따르는 웨이퍼를 수용 및 장착하기 위한 수용 장치 및 청구항 제1항에 따르는 수용 장치를 사용하여 청구항 제8항 및 제9항에 따라서 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 정렬하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
이들 수용 수단 또는 샘플 홀더 또는 척은 별개의 유형으로 입수가능하고, 평평한 수용 표면 또는 장착은 수용 수단에 대해 결정적이어서 더 좁아지고 더 작은 구조물이 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐서 더 넓어지고 더 넓은 웨이퍼 표면상에 정확히 정렬 및 결합될 수 있다. 이는 실제 결합 공정 이전에 분리가능한 상호연결부에 의해 웨이퍼를 서로 결합하는 소위 사전결합 단계가 수행될 때 특히 중요하다. 서로에 대한 웨이퍼의 고 정렬 정확도는 정렬 정확도 또는 특히 2 ㎛ 미만의 뒤틀림 값이 하나의 웨이퍼 또는 웨이퍼 양자 모두에 대해 구현되자마자 특히 중요하다. 정렬 마크의 주변에서, 지시된 수용 수단 및 소위 정렬기, 특히 결합 정렬기(bond aligner)로 불리는 정렬을 위한 장치에 특히 적합하게 적용된다. 정렬 마크로부터의 거리가 증가됨에 따라, 제어되고 완벽한 정렬이 구현되며, 정렬 정확도 또는 특히 2 ㎛보다 높고, 특히 1 ㎛ 및 심지어 더 바람직하게는 0.25 ㎛보다 높은 뒤틀림 값이 구현될 수 없다.
본 발명의 목적은 더욱 정확한 정렬이 이에 따라 구현될 수 있도록 일반적인 수용 수단을 향상시키는 데 있다.
이 목적은 청구항 제1항, 제8항 및 제9항의 특징에 따라 구현된다. 본 발명의 선호되는 이점이 종속항에 제시된다. 명세서, 청구항 및/또는 도면에 제시된 둘 이상의 특징의 모든 조합이 본 발명의 범위 내에 있다. 주어진 값의 범위에서, 제시된 한계점 내의 값들은 또한 경계값으로서 개시되고, 임의의 조합으로 청구될 것이다.
본 발명은 유럽 특허 출원 제EP 09012023호 및 제EP 10 015 569호에 따르는 출원인의 결과물을 기초로 하고, 전자의 출원의 경우, 전체 표면, 특히 웨이퍼의 위치 지도로서 각각의 웨이퍼의 표면상에서 구조물의 위치의 감지가 가능하다. 후자의 출원은 제1 웨이퍼가 제2 웨이퍼에 결합될 때, 제2 웨이퍼에 대한 제1 웨이퍼의 뒤틀림 및/또는 변형으로 인해 발생되는 국부적인 정렬 오차를 측정하기 위한 장치에 관한 것으로,
-제1 웨이퍼의 제1 접촉 표면을 따르는 변형 값의 제1 변형 지도 및/또는
-제2 접촉 표면을 따르는 변형 값의 제2 변형 지도 및
-국부적인 정렬 오차가 측정될 수 있는 제1 및/또는 제2 변형 지도를 평가하기 위한 평가 수단을 포함한다.
본 발명의 기본적인 사상은 서로 독립적인 몇몇의 능동 제어 요소로 구성되는 수용 수단을 제공하는 것이며, 이에 따라 수용 수단의 장착 표면은 특히 형태 및/또는 온도에 있어서 영향을 받을 수 있다. 여기서, 능동 제어 요소는 위치 지도 및/또는 변형 지도에 의해 알려진 국부적인 정렬 오차 또는 국부적인 뒤틀림이 상쇄되거나 또는 대부분이 최소화 또는 감소되도록 대응하는 활성화에 의해 사용된다. 여기서 국부적인 뒤틀림이 제거될 뿐만 아니라 전체적으로 이의 외측 치수에서 국부적인 뒤틀림으로부터 야기되는 웨이퍼의 육안으로 보이는 뒤틀림 또는 연신이 동시에 최소화 또는 교정된다.
따라서, 본 발명에 청구된 바와 같이, 특히 위치 지도, 변형 지도 및/또는 응력 지도 및 개시된 정렬 오차의 원 위치로의 교정에 관한 전술된 본 발명과 조합하여, 웨이퍼의 접촉-형성 및 결합 동안에 능동, 특히 웨이퍼의 뒤틀림에 대한 국부적인 작용에 의해 여전히 더 우수한 정렬 결과를 구현할 수 있다.
본 발명의 일 선호되는 실시예에 따라서, 장착 표면의 온도는 교정 수단에 국부적으로 영향을 받을 수 있다. 장착 표면의 국부적인 온도 증가에 따라 이 위치에서 장착 표면에 보유되는 웨이퍼의 국부적인 팽창이 야기된다. 온도 구배가 더 커질수록 이 위치에서 웨이퍼는 더욱더 팽창한다. 위치 지도 및/또는 변형 지도의 데이터, 특히 정렬 오차의 벡터 평가를 기준으로, 특히 위치 지도 및/또는 변형 지도의 각각의 위치에 대해, 제어된 방식으로 이들을 상쇄시키거나 또는 국부적인 웨이퍼 뒤틀림에 대해 작용할 수 있다.
이에 따라 벡터 평가는 뒤틀림 벡터를 갖는 벡터장으로서 형성되고, 특히, 이 벡터장은 후술된 본 발명의 2가지의 버전들 중 하나의 버전에 의해 결정된다.
제1 버전은 2개의 웨이퍼 중 단지 하나의 웨이퍼만이 구조화되는 응용에 관한 것이다. 이 경우에, 본 발명에 청구된 바와 같이, 구조물의 편차가 감지되고, 특히 원하는 형태로부터 기하학적 형태의 편차가 감지된다. 이 경우에, 통상적으로 직사각형인 정상적으로 예상된 형태로부터 노출장, 특히 스텝 앤드 리피트 노출 장치(step & repeat exposure device)의 노출장의 형태의 편차가 특히 관심이다. 이들 편차, 특히 이들 편차를 나타내는 벡터장은 EP 09012023에 따르는 노출장에 대응되는 개개의 정렬 마크의 위치 지도의 감지를 기준으로 수행된다. 대안적으로, 이 벡터장은 또한 EP 10 015 569.6에 의해 획득되는 응력 지도 및/또는 변형 지도를 기준으로 결정될 수 있다. 대안적으로, 그러나 이 벡터장은 본 발명에서 청구된 바와 같이 또한 임의의 그 외의 다른 적합한 측정 수단일 수 있으며, 판독될 수 있다. 특히 특정 테스트 마스크 및/또는 특정 테스트 루틴에 따라 이들 데이터를 획득하기 위해 작동되는 스텝 앤드 리피트 리소그래피 시스템(step & repeat lithography system)은 이 특정을 위해 적합할 수 있다.
제2 버전은 2개의 웨이퍼가 구조화되는 응용에 관한 것이다. 이 경우에, 본 발명에서 청구된 바와 같이 정렬 편차의 벡터장은 위치 지도, 특히 EP 09012023에 따르는 제1 및 제2 위치 지도의 모든 위치에 대해 연산된다. 이 벡터장은 특히 EP 10 015 569.6에서의 물질에 따르는 기술적 및/또는 경제적 기준에 따라 이상적인 것으로 고려되는 정렬 위치에 대해 결정된다.
본 발명의 또 다른 선호되는 실시예에서, 장착 표면의 변형은 교정 수단, 특히 장착 표면의 일 후방에 개별적으로 작용할 수 있는 압전 요소의 배열에 국부적으로 영향을 받을 수 있다. 연신 또는 수축, 이에 따라서 음의 연신에 의해, 또한 웨이퍼는 이에 따라 변형되고, 특히 웨이퍼 상의 장착 표면으로부터 작용하는 장착력에 의해 연신 또는 수축되고, 이에 따라 이 방식으로 웨이퍼는 이 웨이퍼에 대해 결정되는 변형 지도의 값을 기준으로 대응하는 제어 수단에 의해 제어된 방식으로 영향을 받을 수 있다. 장착 표면의 형태가 교정 수단, 특히 하나의 Z 방향으로 바람직하게는 기계적 작용에 의해 국부적으로 영향을 받을 수 있는 정도까지 장착 표면 상에서 웨이퍼의 뒤틀림을 상쇄하기 위한 또 다른 가능성이 있다. 또한 여기서 이는 교정 수단의 제어가 위치 지도 및/또는 변형 지도의 값을 기준으로 교정 수단의 이에 대응하는 국부적인 제어를 수행하는 제어 수단에 의해 구현되는데 적용된다.
특히, 제어 수단은 대응하는 루틴을 실시/연산하기 위한 소프트웨어를 포함한다.
본 발명의 또 다른 선호되는 실시예에 따라서, 장착 표면은 특히 유압식 및/또는 공압식으로 교정 수단에 의해 장착 표면의 후방으로부터의 압력에 국부적으로 노출될 수 있다. 이 방식으로 장착 표면의 형태에 영향을 미칠 수 있어서 전술된 효과가 유발된다. 게다가, 전술된 제어 수단을 이용하여 제어가 구현된다.
바람직하게는, 교정 수단은 특히 장착 표면 내에 일체구성된, 바람직하게는 이 내에 매립된 수용 수단 내의 복수의 능동 제어 요소로서 제공된다. 따라서, 수용 수단의 수용기는 공지된 수용 수단 내에서와 같이 일체형으로 형성될 수 있다.
여기서, 각각의 제어 요소 또는 제어 요소의 그룹이 개별적으로 활성화될 수 있는 것이 특히 선호된다. 따라서, 국부적인 활성화는 작은 적출부(extract), 특히 웨이퍼의 절반보다 더 작은 적출부, 바람직하게는 웨이퍼의 1/4 보다 작은, 바람직하게는 웨이퍼의 1/8보다 작은, 심지어 더 바람직하게는 웨이퍼의 1/16 보다 작은 적출부가 교정 수단에 의해 국부적으로 활성화될 수 있음을 의미한다. 특히, 교정 수단은 적어도 하나의 제어 요소를 포함하는 자체 구조물에 의해 점유된 웨이퍼의 각각의 영역에 작용할 수 있다.
본 발명에 청구된 장치는 바람직하게는 모든 제어 공정에 대해 신뢰성이 있는 중심 제어 유닛 내에서의 전술된 제어 수단을 포함한다. 그러나, 본 발명에서 청구된 바와 같이 특히 전체 장치의 모듈로서 수용 수단 내에 제어 수단을 제공할 수 있다.
본 발명에 청구된 바와 같이, 방법은 정렬 이후 제1 및/또는 제2 웨이퍼의 위치 지도 및/또는 변형 지도의 특히 반복적인 획득에 의해 추가로 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명에 청구된 바와 같이 정렬 완료 이후 정렬 성공의 체크가 있을 수 있다. 따라서, 예를 들어, 본 발명에 청구된 바와 같이 이를 정렬하거나 또는 이를 처리하기 위하여 지나치게 큰 정렬 오류가 있는 웨이퍼 쌍을 제거할 필요가 있을 수 있다. 동시에, 수득된 데이터는 특히 제어 수단에 의해 장치의 자가-교정을 위해 사용될 수 있다.
유럽 특허 출원 EP 09012023.9호 및/또는 유럽 특허 출원 EP 10 015 569.6호에 개시된 발명은 본 발명의 실시예와 동시에 개시되는 것으로 고려될 것이다.
본 발명의 그 외의 다른 이점, 특징 및 세부사항은 도면을 이용하여 선호되는 예시적인 실시예의 하기 기술내용으로부터 명확해질 것이다.
도 1a는 제1 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 1b는 도 1a의 절단선 A-A에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 2a는 제2 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 2b는 도 2a의 절단선 B-B에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 3a는 제3 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 3b는 도 3a의 절단선 C-C에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 4a는 제4 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 4b는 도 4a의 절단선 D-D에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 1b는 도 1a의 절단선 A-A에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 2a는 제2 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 2b는 도 2a의 절단선 B-B에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 3a는 제3 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 3b는 도 3a의 절단선 C-C에 따르는 수용 수단의 단면도.
도 4a는 제4 실시예에서 본 발명에 청구된 바와 같이 수용 수단의 평면도.
도 4b는 도 4a의 절단선 D-D에 따르는 수용 수단의 단면도.
동일한 부품/특징부 및 동일한 기능을 갖는 부품/특징부는 도면에서 동일한 도면부호로 표시된다.
모두 4가지의 실시예는 평평한, 바람직하게는 원형의 링-형태의 플레이트와 같이, 웨이퍼의 수용 및 장착을 위한 평평한 장착 표면(1o)이 제공되는 일체형 수용기(monolithic receiver, 1)를 예시한다. 수용기는 외측 주연부 상에 링-형태의 숄더(ring-shaped shoulder, 1a)를 갖는다.
장착 표면(1o)은 웨이퍼를 수용하기 위한 수용 평면을 형성하고, 이 평면은 X 및 Y 방향으로 신장된다. 물에 작용하는 장착력이 향하는 Z 방향은 이들에 대해 수직하게 이어진다. 웨이퍼의 장착은 음압을 개구(2)에 인가함으로써 장착 표면상에 웨이퍼를 고정시키기 위해 장착 표면(10)에 걸쳐 균일하게 분포되어 배열되는 개구(2)를 통해 수행된다. 개구(2)의 개수가 더 많아지고 개구(2)의 직경이 더 작아질수록, 웨이퍼를 장착하기 위한 개구(2) 상에 가해지는 음압이 더 작아져서 개구(2) 상에서 웨이퍼의 뒤틀림이 야기된다.
개구(2) 상의 음압은 장착 표면(1o)의 후방 측면에 배치된 내측 공간(1i)에 대해 음압을 인가하고 도시되지 않은 진공 수단에 의해 인가된다. 게다가, 내측 공간(1i)은 수용기(1)의 주변 벽(1w)에 의해 접하고, 주변에 대해 밀봉된다. 개구(2)는 내측 공간(1i)까지 장착 표면(1o)으로부터 연장되고, 따라서, 내측 공간(1i) 내에서의 음압에 대해 균일하게 노출될 수 있다.
게다가, 내측 공간(1i)은 도시되지 않은 내측 공간(1i)의 하부와 장착 표면(1o)에 마주보게 위치된 후방(1r)에 의해 접하고, 후방(1r)은 개구(2)에 의해 침투된다.
후방(1r)에서, 능동 제어 요소는 복수의 가열/냉각 요소, 특히 전적으로는 가열 요소(3)이다. 가열 요소(3)는 개별적으로 또는 무리를 이루어 각각 작동되고, 도시되지 않은 제어 수단에 의해 제어된다. 가열 요소(3) 중 하나의 가열 요소가 가열될 때, 장착 표면(1o)의 국부적인 섹션이 매우 우수한 열 전도체, 특히 수용기의 금속을 갖는 재료에 의해 가열된다. 이에 따라 이 영역에서 장착 표면(1o) 상에 배치된 웨이퍼가 국부적으로 팽창된다. 따라서, 수용 수단상에 정렬되어 보유되는 웨이퍼의 경우, 가능한 뒤틀림/변형의 알려진 위치에 따라 웨이퍼의 변형은 국부적인 뒤틀림을 교정하기 위해 개개의 또는 몇몇의 가열 요소(3)를 스위칭함으로써 제어 방식으로 수행될 수 있다. 특히, 복수의 국부적인 교정의 경우, 이는 또한 특히, X 및/또는 Y 방향으로 웨이퍼의 직경의 변화, 광범위한 뒤틀림의 광범위한 교정을 야기한다.
가열 및/또는 냉각 요소에 의한 웨이퍼 상에서의 뒤틀림에 영향을 미치는 일 특정 이점은 특히, 장착 표면의 변형 없이 및/또는 수직 방향 또는 Z 방향으로 웨이퍼의 변형 없이 최소의 변형으로 이를 구현할 수 있는 가능성에 있다. 이에 따라, 최소의 변형은 5 ㎛ 미만, 선호적으로는 2 ㎛ 미만, 바람직하게는 1 ㎛ 미만 및 심지어 더 바람직하게는 0.5 ㎛ 미만의 지지 표면에 대한 Z 방향 또는 수직 방향으로 장착 표면, 특히 웨이퍼의 변형이도록 고려되어야 한다.
이는 반-데르-발스 결합(van-der-Waals bond)을 기반으로 하는, 예를 들어, 사전결합과 같은 사전결합 상호연결부를 제조하는데 특히 선호된다. 여기서 장착 표면, 특히 웨이퍼가 평평하게 유지될 수 있음에 따라, 이들 사전결합 단계에서 통상적인 결합 웨이브(bond wave)는 비편평함(unevenness)으로 인해 이의 전파에 영향을 미치지 않는다. 따라서, 비결합 부위(소위 공극)가 잔류하는 위험성이 상당히 감소된다. 본 발명에서 청구된 바와 같이, 이들 사전결합 상호연결부를 제조하기 위해, 전체 웨이퍼 표면에 대한 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 2 ㎛ 미만, 바람직하게는 1 ㎛ 및 심지어 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 미만의 장착 표면의 편평함이 선호된다. 이들 편평함 값은 웨이퍼와 접촉하는 장착 표면의 일부분 내의 가장 높은 지점과 가장 낮은 지점 사이의 거리로서 정의된다.
가열 요소(3)는 수용 수단 내에 바람직하게는 장착 표면(1o) 아래에 균일하게 분포된다. 바람직하게는, 10개 초과의 가열 요소(3), 특히 50개 초과의 가열 요소(3), 바람직하게는 100개 초과의 가열 요소(3), 심지어 더 바람직하게는 500개 초과의 가열 요소(3)가 있다. 이들 가열 요소는 웨이퍼 상에서 국부적인 작동이 가능하고 장착 표면에서 개별적으로 작동될 수 있는 영역을 형성한다. 바람직하게는, 장착 표면의 개개의 영역은 적합한 수단을 이용하여 서로 단열된다. 특히, 영역은 개개의 세그먼트의 균일하고 제한된 배열을 허용하는 형태로 형성된다. 바람직하게는, 삼각형, 사각형 또는 6각형과 같은 세그먼트들의 배치가 이 목적에 대해 적합할 수 있다.
특히, 페티에(Peltier) 요소가 가열 요소로서 적합할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 제2 실시예에서, 가열 요소(3)는 도시되지 않고, 이들 대신에 또는 이와 조합하여 바람직하게는 장착 표면(1o)에 대한 거리보다 후방(1r)에 대하여 더 큰 거리로 장착 표면(1o) 상에 압전 요소(4)가 제공된다.
이 방식으로, 장착 표면(1o) 상에서 제어 작동이 가능하다. 압전 요소(4)는 작동 시에 나노미터 내지 미크론 범위의 변형을 야기할 수 있다.
압전 요소(4)의 개수는 전술된 가열 요소(3)의 개수와 일치될 수 있으며, 두 실시예의 조합이 본 명세서에서 청구된 것으로 인식될 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 본 발명의 제3 실시예에서, 가열 요소(3) 및/또는 압전 요소(4) 대신에 또는 이와 조합하여 특히, 뾰족한 핀 단부(5e)를 포함하는, 장착 표면(1o) 상에서 말단을 이루는 핀(5)이 제공된다. 핀(5)의 초기 위치에서, 핀 단부(5e)는 장착 표면(1o)과 동일한 높이이다. 왜곡 지도 또는 변형 지도(strain map)의 정보와 같이 특정 핀(5)의 영역에서 웨이퍼의 국부적인 뒤틀림이 있을 정도로, 제어 수단은 웨이퍼의 방향, Z 방향으로 이동하는 핀 단부(5e) 또는 핀(5)에 의해 개개 또는 몇몇의 핀(5)을 작동시킴으로써 웨이퍼 상에 국부적으로 작용할 수 있다. 따라서, 핀 단부(5e)는 이 지점에서 웨이퍼의 국부적인 부풀림 또는 편향을 위해 제공되는 압축력에 대해 웨이퍼를 국부적으로 노출시킨다. 핀(5)은 후방(1r)까지 장착 표면으로부터 연장되는 가이드 개구(7) 내에서 전체적으로 슬라이드하도록 안내될 수 있다. 대안적으로, 단지 핀 단부(5e)만이 핀(5) 내에서 이동할 수 있으며, 핀(5) 또는 핀의 하측 섹션은 가이드 개구(7)에 대해 고정된다. 이 방식으로, 핀(5) 또는 핀의 특정 밀봉이 내측 공간(1r)에 대해 보장된다.
핀(5)의 개수는 가열 요소(3) 또는 압전 요소(4)의 개수와 일치되며, 여기서 하나 이상의 전술된 실시예의 조합이 가능하다.
도 4에 도시된 실시예에서, 수용기(1)는 도 4b에 도시된 이의 상측 벽(6o)과 함께 장착 표면(1o)을 형성하는 복수의 압력 챔버(6)를 갖는다. 압력 챔버(6)는 내측 공간(1i)을 통해 연장되고, 이에 대해 밀봉된다. 각각의 압력 챔버(6) 또는 압력 챔버(6)의 그룹은 개별적으로 압축되고, 전술된 제어 수단에 의해 제어될 수 있다. 압력이 인가될 때, 압력 챔버(6)는 압력을 견디도록 적어도 상측 벽(6o) 상에 형성되며, 이에 따라 압력 챔버(6)의 그 외의 다른 경계 벽보다 더 얇아지고 및/또는 유연해진다. 개구(2)는 내측 공간(1i)에 연결된다.
본 발명에 청구된 바와 같이, 장착 표면(1o)의 최소의 국부적인 편향이 최대 3 ㎛, 특히, 최대 1 ㎛, 바람직하게는 최대 100 ㎛ 정도로 전술된 교정 수단(3, 4, 5)에 의해 수행된다.
전술된 하나 이상의 실시예에 따라 국부적인 뒤틀림을 상쇄시키기 위해, 전술된 바와 같이 제어 수단은 어디에, 어느 정도까지, 또는 웨이퍼 내에서의 뒤틀림이 있는 방향을 인지할 필요가 있다. 그 뒤, 단지 제어 작동 또는 뒤틀림의 상쇄 및 교정만이 가능하다. 각각의 웨이퍼의 변형 지도는 EP 10 015 569.6에 따르는 대응하는 측정 수단으로 측정되고, 웨이퍼에 걸쳐서 분포되는 스트레인 벡터의 형태의 정보를 산출한다. 대응하는 제어 데이터는 웨이퍼의 위치 맵에 의해 지시되는 위치에서 웨이퍼의 변형 지도에 따라 각각의 웨이퍼에 대해 개별적인 제어를 수행하기 위하여 제어 유닛 내에 기록되고 특히, 경험적으로 측정된다. 교정은 웨이퍼의 정렬 동안에 이 방식으로 자동적으로 수행될 수 있다. 능동 제어 요소(3, 4, 5, 6)는 도면에 실측으로 도시되지 않고 또한 상이한 크기와 형태를 가질 수 있다.
1
수용기
1a 링-형태의 숄더
1i 내측 공간
1o 장착 표면
1w 주변 벽
2 개구
3 가열/냉각 요소
4 압전 요소
5 핀
5e 핀 단부
6 압력 챔버
6o 상측 벽
7 가이드 개구
1a 링-형태의 숄더
1i 내측 공간
1o 장착 표면
1w 주변 벽
2 개구
3 가열/냉각 요소
4 압전 요소
5 핀
5e 핀 단부
6 압력 챔버
6o 상측 벽
7 가이드 개구
Claims (16)
- 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 정렬하기 위한 장치로서,
제1 웨이퍼 또는 제2 웨이퍼의 위치 또는 변형 지도를 감지하기 위한 수단,
웨이퍼의 수용 및 장착을 위한 수용 수단, 및
교정 수단에 의한 교정에 따라 웨이퍼를 정렬하기 위한 정렬 수단을 포함하고,
상기 웨이퍼의 수용 및 장착을 위한 상기 수용 수단은
a) 장착 표면(1o),
b) 장착 표면(1o) 상에 웨이퍼를 장착하기 위한 장착 수단 및
웨이퍼의 전체적인 뒤틀림의 능동적인 교정을 위한 교정 수단을 포함하고, 상기 교정은 유압식 또는 공압식으로 제어가능한 장치. - 제1항에 있어서, 장착 표면(1o)의 형태는 Z 방향으로의 작용을 통해 교정 수단에 의해 국부적으로 영향을 받을 수 있는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 교정 수단은 기계적으로 작용하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 장착 표면(1o)은 교정 수단에 의해 장착 표면(1o)의 후방(1r)으로부터의 압력에 국부적으로 노출될 수 있는 장치.
- 제2항에 있어서, 교정 수단은 수용 수단 내에서의 복수의 능동 제어 요소로서 제공되는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 교정 수단은 장착 표면(1o) 내로 일체구성되는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 장치는 제1 웨이퍼가 제2 웨이퍼에 결합될 때, 제2 웨이퍼에 대한 제1 웨이퍼의 뒤틀림 또는 변형으로 인해 발생되는 국부적인 정렬 오차를 측정하기 위한 수단을 포함하는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 교정 수단은 장착 표면(1o) 내에 매립되는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 각각의 교정 수단 또는 교정 수단의 그룹은 개별적으로 작동될 수 있는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 중에 수득된 데이터는 제어 수단에 의해 장치의 자가-교정을 위해 사용될 수 있는 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 수득된 데이터에 의해 장치의 자가-교정을 위한 수단 및 정렬 성공을 체크하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 제1 웨이퍼와 제2 웨이퍼를 정렬하기 위한 방법으로서,
제1 웨이퍼 또는 제2 웨이퍼의 위치 또는 변형 지도를 감지하는 단계,
제1항 또는 제2항에 따른 장치 상에 웨이퍼들 중 하나의 웨이퍼를 수용하는 단계, 및
교정 수단에 의한 교정에 따라 웨이퍼를 정렬하는 단계를 포함하는 방법. - 제12항에 있어서, 정렬 이후에 제1 또는 제2 웨이퍼의 위치 또는 변형 지도를 감지하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 제1 또는 제2 웨이퍼의 위치 또는 변형 지도를 감지한 이후 정렬 성공이 체크되는 방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서, 큰 정렬 오류가 있는 웨이퍼 쌍이 재차 정렬되는 방법.
- 제12항에 있어서, 수득된 데이터에 의해 장치의 자가-교정을 위해 정렬 성공을 체크하는 단계가 수행되는 방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2010/007793 WO2012083978A1 (de) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187004412A Division KR101866719B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180065033A true KR20180065033A (ko) | 2018-06-15 |
Family
ID=43982251
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157003905A KR101849443B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020157003904A KR101866622B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020127009080A KR101801409B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020187004412A KR101866719B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020187015660A KR20180065033A (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157003905A KR101849443B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020157003904A KR101866622B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020127009080A KR101801409B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
KR1020187004412A KR101866719B1 (ko) | 2010-12-20 | 2010-12-20 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9312161B2 (ko) |
EP (5) | EP2656378B1 (ko) |
JP (1) | JP6279324B2 (ko) |
KR (5) | KR101849443B1 (ko) |
CN (2) | CN106887399B (ko) |
SG (1) | SG187694A1 (ko) |
TW (4) | TWI563548B (ko) |
WO (1) | WO2012083978A1 (ko) |
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- 2010-12-20 KR KR1020157003905A patent/KR101849443B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-20 KR KR1020157003904A patent/KR101866622B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-20 EP EP10803232.7A patent/EP2656378B1/de active Active
- 2010-12-20 KR KR1020127009080A patent/KR101801409B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-20 SG SG2013008214A patent/SG187694A1/en unknown
- 2010-12-20 CN CN201610870884.5A patent/CN106887399B/zh active Active
- 2010-12-20 EP EP15150980.9A patent/EP2863421B1/de active Active
- 2010-12-20 CN CN201080070797.2A patent/CN103283000B/zh active Active
- 2010-12-20 EP EP23205746.3A patent/EP4290563A3/de active Pending
- 2010-12-20 KR KR1020187004412A patent/KR101866719B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-20 KR KR1020187015660A patent/KR20180065033A/ko active Search and Examination
- 2010-12-20 JP JP2013543539A patent/JP6279324B2/ja active Active
- 2010-12-20 US US13/994,183 patent/US9312161B2/en active Active
- 2010-12-20 EP EP18202622.9A patent/EP3460833B1/de active Active
- 2010-12-20 EP EP14199922.7A patent/EP2854157B1/de active Active
-
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- 2011-12-20 TW TW100147527A patent/TWI563548B/zh active
- 2011-12-20 TW TW104101544A patent/TWI563549B/zh active
- 2011-12-20 TW TW105130205A patent/TWI618130B/zh active
- 2011-12-20 TW TW106146307A patent/TWI680506B/zh active
-
2015
- 2015-04-22 US US14/693,074 patent/US10325798B2/en active Active
-
2019
- 2019-02-25 US US16/283,889 patent/US10886156B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-30 US US17/106,402 patent/US11355374B2/en active Active
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- 2022-05-03 US US17/735,239 patent/US11756818B2/en active Active
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A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment |