KR20170044708A - 금속 패턴의 형성 방법 및 도전체 - Google Patents

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다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 기재 상의 일부 또는 전부의 영역에 설정된 패턴 형성부에 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기재는, 적어도 상기 패턴 형성부를 포함하는 표면 위에 불소 함유 수지층을 구비하는 것이며, 상기 불소 함유 수지층 표면의 패턴 형성부에 자외선 조사 등의 처리에 의해 관능기를 형성한 후, 제1 보호제인 아민 화합물과, 제2 보호제인 지방산에 의해 보호된 금속 미립자가 용매에 분산하여 이루어지는 금속 미립자 분산액을 상기 기재 표면에 도포하고, 상기 금속 미립자를 상기 패턴 형성부에 고정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성 방법이다.

Description

금속 패턴의 형성 방법 및 도전체{METHOD FOR FORMING METAL PATTERN, AND ELECTRIC CONDUCTOR}
본 발명은, 임의의 기재 표면에 금속 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 상세하게는, 소정의 보호제로 보호된 금속 입자가 분산하는 분산액을 적용하고, 기재 위에 미세한 금속 패턴을 저온에서 고효율로 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 고밀도화나 디스플레이, 터치 패널의 대형 화면화에 수반하여, 이들 기기에서 사용되는 배선ㆍ전극 회로에는, 지금까지 이상으로 고정밀화된 패턴을 대면적에서 형성 가능한 프로세스가 요구되고 있다.
또한, 상기 기기에 대한 각종 요구 사항은, 적용 재료의 변경 필요성을 시사하는 정도까지 임박한 것이 되고 있다. 예를 들어, 터치 패널의 배선 패턴에는, ITO 등의 투명 전극 재료가 지금까지 적용되어 왔지만, 패널 대형화의 요구 등에 의해 ITO에서는 전부 대응할 수 없는 상황이 되고 있다. 즉, 패널 대형화를 위해서는, 배선 길이의 증대에 대응하기 위하여 배선의 저항값을 낮출 필요가 있다. ITO는, 본래, 전기 저항이 낮은 재료가 아니기 때문에, 저항값 저감을 위해서는 막 두께를 두껍게 할 필요가 있지만, 이에 의해 투명도를 상실할 가능성이 있어 투명 전극으로서 의미를 갖지 않게 된다. 또한, 패널이 대형화한 만큼, 단위 면적당 경량화의 필요성이 높아지고 있기 때문에, 기판 재료를 지금까지의 유리에서 수지로 변경하는 것이 검토된다. 그러나, ITO 전극의 형성 공정에서는, 기판 도포 후에 300℃ 정도에서 소성할 필요가 있고, 수지 기판은 이 소성 온도에 견딜 수는 없다. 따라서, 경량화의 관점에서도 ITO의 사용에는 한계가 있는 것이 지적되고 있다.
그리고, 상기 터치 패널의 예 등으로부터, 각종 전극ㆍ배선 재료로서 구리나 은 등의 금속을 포함하는 극세ㆍ고밀도의 고정밀 패턴의 적용이 검토되고 있다. 이들 금속은 양호한 도전성을 갖고 있으며, 배선 패턴의 대면적화에 의한 저항값에 대한 요구에 여유있게 대응할 수 있다. 또한, 이들 금속은 미립자화하여 적당한 용매에 분산시켜 도포함으로써, 자유로운 형상ㆍ패턴을 형성할 수 있고, 도포 후에 비교적 저온으로 가열함으로써 응집ㆍ소결하여 금속막을 형성할 수 있다. 그로 인해, 기판 재료도 광범위한 범위에서 선택할 수 있다. 또한, 이 금속은 투명하지 않지만, 인간의 가시 영역을 초과한 미크론 오더의 세선으로 함으로써, 투명 전극과 동등하게 투광성을 발휘한다.
여기서, 금속 패턴의 형성 방법으로는, 예를 들어 특허문헌 1과 특허문헌 2에 기재된 기술이 있다. 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 기능액이라고 칭하는 패턴을 구성하는 도전 재료를 포함하는 액상체를 이용하여 패턴 형성을 하는 것이다. 이 방법에서는, 기능액에 대해 친액부를 갖는 기판을 사용하고, 기능액에 대해 발액 재료가 되는 재료를 포함하는 액적을 기판에 토출하고 도포하여 발액부를 형성하고, 형성된 발액부 사이의 친액부에 기능액을 토출하고 도포함으로써 도전 재료의 패턴을 형성하는 것이다.
또한, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는, 귀금속 미립자를 함유하는 도전층 형성용 도액을 사용하여 패턴 형성을 하는 것이다. 이 방법에서는, 기판 위에 소정 패턴의 발수성 투명층을 형성하고, 발수성 투명층 사이의 공간에 도전층 형성용 도액을 도포ㆍ건조하여 패턴을 형성한다. 또한, 기판 위에 균일한 발수성 투명층을 형성하고, 이 발수성 투명층 표면에 소정의 패턴의 발수성 소실부를 형성한 후, 도전층 형성용 도액을 도포ㆍ건조하여 패턴을 형성한다. 이러한 기술에 있어서, 발수성 투명층이나 발수성 소실부를 형성할 때에, 레지스트가 되는 유기 고분자 수지를 원하는 패턴 형상으로 인쇄하고 에칭하여 형성할 수 있다.
일본 특허 공개 제2009-600호 공보 일본 특허 공개 제2003-123543호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술은, 발액부의 형성 및 기능액의 도포를 소위 잉크젯 방식으로 행하는 것이다. 잉크젯 방식은, 액상체를 노즐에서 토출하지만, 기능액과 같은 도전 재료 입자를 포함하는 액상체는 노즐 구멍의 눈막힘을 발생시킬 우려가 있어, 극세의 라인 패턴을 안정적으로 형성하기가 곤란하다. 또한, 잉크젯 방식은, 노즐의 이동ㆍ주사에 의해 원하는 패턴을 형성하는 것이며, 금속 패턴에 대해 미세화와 대면적화의 양립을 도모하는 것은 곤란하다.
또한, 특허문헌 2에 기재된 기술과 같은, 일반적으로 레지스트의 사용을 수반하는 포토리소그래피에 의한 패턴 형성법은, 레지스트의 처리 분만큼 공정이 많아져 효율적이지 않고 비용 증가의 요인이 된다.
또한, 기기 등의 경량화에 수반하여, 기재를 유리나 세라믹 등의 경질재에서 수지, 플라스틱 등의 연질재로 변경하는 경우, 기판의 변형에 따른 금속 패턴의 박리ㆍ손상이 염려된다. 따라서, 향후에는 기재와 금속 패턴의 결합력이 종래 이상으로 요구된다고 예측된다. 이 점, 상기한 종래의 금속 패턴 형성법에서는, 기재의 패턴 형성부를 친액성 혹은 친수성으로 하고 있지만, 이것은 도포하는 액체를 당해 부위에 체류시키기 위한 것으로, 액 중의 금속 성분과 기재의 결합성을 높일 때까지의 작용은 없다. 그로 인해, 상기 종래 기술에서는, 기재의 변형에 대해 추종성을 가질 정도의 강고한 결합을 얻는 것은 곤란하다고 생각된다.
따라서, 본 발명은, 기재 위에 금속 패턴을 형성하는 방법에 대해, 고정밀의 금속 패턴을 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제안한다. 이 과제에 있어서, 형성되는 금속 패턴은, 비교적 저온으로 형성 가능하며, 또한, 기재에 대해 강고하게 결합할 수 있는 것을 목표로 했다.
상기 종래 기술에서 적용되고 있는, 금속 미립자가 분산하는 분산액을 이용하는 점은 패턴 형성을 저온으로 실시하는 데 있어서 적합한 사항이며, 그러한 액체를 사용하는 것이면, 기재 표면의 패턴을 형성하지 않는 부분을 발수성으로 하는 것도 유용하다고 할 수 있다. 문제가 되는 것은, 분산액을 도포하고 금속 미립자를 고정하는 영역을 어떻게 간이하게 형성할지 및 금속 미립자와 기재의 결합력을 증대시키는 방법이다. 여기서 본 발명자들은, 기재에 대한 처리와 금속 미립자가 분산하는 분산액의 양쪽에 대해 개량을 행하는 것이 최적이라고 생각하고, 예의 검토를 행하여 본 발명에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 기재 위의 일부 또는 전부의 영역에 설정된 패턴 형성부에 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기재는, 적어도 상기 패턴 형성부를 포함하는 표면 위에 불소 함유 수지층을 구비하는 것이며, 상기 불소 함유 수지층 표면의 패턴 형성부에 관능기를 형성한 후, 제1 보호제인 아민 화합물과, 제2 보호제인 지방산에 의해 보호된 금속 미립자가 용매에 분산하여 이루어지는 금속 미립자 분산액을 상기 기재 표면에 도포하고, 상기 금속 미립자를 상기 패턴 형성부에 고정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성 방법이다.
본 발명에서는, 고정밀한 금속 패턴을 형성 가능하게 하기 위해, (1) 발액성이 있는 불소 함유 수지층을 갖는 기재를 선택하고, (2) 이 기재 표면에 대해 소정의 처리를 행하고, (3) 금속 입자를 기재에 고정하기 위한 처리액인 금속 미립자 분산액의 구성을 적합화한 것, 각각에 있어서 특징을 갖는다. 여기서, (2)의 기재 표면에 대한 소정의 처리란, 불소 함유 수지 표면의 금속 패턴 형성부를 변질시켜 관능기를 형성하는 것이다. 그리고, (3)에서 설명한 바와 같이, 소정의 보호제가 결합된 금속 입자를 포함하는 분산액을 접촉시킨다. 이에 의해, 금속 패턴 형성부에 있어서 금속 입자의 보호제와 기재 표면의 관능기의 치환 반응이 발생하고, 관능기를 통해 금속 입자가 기재 표면에 결합된다. 한편, 본 발명에서는, (1)에서 설명한 대로, 기재로서 불소 함유 수지층을 갖는 것이 적용되어 있다. 그로 인해, 관능기가 없는 기재 표면은 발액성이 잔존하고 있으므로 분산액이 튀게 된다.
본 발명에서는, 이상과 같은 관능기가 형성된 부위에 대한 금속 입자의 선택적 결합 작용에 의해, 금속 미립자 분산액을 기재 표면에 도포해 확장함으로써 금속 패턴의 형성이 가능해진다. 이 방법은, 잉크젯 방식과 같은 묘화에 의해 금속 패턴을 형성하는 방법보다도 효율적이다. 또한, 레지스트도 불필요하므로 공정수도 감소할 수 있다. 그리고, 후술하는 바와 같이, 관능기의 형성은 자외선 조사 등으로 가능하므로 미소 폭의 패턴 형성도 용이하다.
이하 본 발명의 각 특징에 대해 상세하게 설명한다. 본 발명에서는, 먼저, 기재로서 표면에 불소 함유 수지층을 갖는 것을 적용한다. 여기서, 기재의 구성 재료에 대해서는, 특별히 제한은 없다. 금속제의 기재나 유리제ㆍ세라믹제의 기재를 적용할 수 있고, 수지, 플라스틱제의 기재도 또한 적용 가능하다. 후술하는 바와 같이, 본 발명에서는 저온으로 금속 패턴을 형성할 수 있는 점에서, 수지나 플라스틱 등도 전혀 문제없이 적용할 수 있다. 또한, 기재 위에 금속 패턴을 형성하는 영역은, 기재의 전체면에 설정되어 있어도 되고, 일부로 해도 되고, 또한 기재 위에서 복수 개소에 설정되어 있어도 된다.
불소 수지층은, 상기 각종 기재에 미리 형성된 것을 대상으로 해도 된다. 또한, 금속 패턴 형성의 하나의 공정으로서, 불소 수지층이 없는 기재에 도포 등에 의해 형성해도 된다. 불소 수지층은, 패턴 형성부를 포함하고 있는 것이면, 기재 전체면에 형성되어 있어도 되고, 그 일부의 면에 형성되어 있어도 된다. 불소 함유 수지층의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없다. 일반적으로 0.01㎛ 이상의 도포로, 발액성을 발휘할 수 있다. 두께 상한도 특별히 제한은 되지 않지만, 투명성이 요구되는 경우에는, 5㎛ 정도를 상한으로 한다.
불소 함유 수지로서는, 불소 원자를 포함하는 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위를 1종 또는 2종 이상 갖는 중합체인 불소 함유 수지를 적용할 수 있다. 또한, 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위와, 불소 원자를 포함하지 않는 불소 비 함유 단량체에 기초하는 반복 단위를, 각각 1종 또는 2종 이상 갖는 중합체인 불소 함유 수지여도 된다. 또한, 본 발명에 있어서의 불소 함유 수지는, 그 일부에 산소, 질소, 염소 등의 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다.
이러한 불소 함유 수지의 구체예로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 폴리불화비닐리덴(PVDF), 폴리불화비닐(PVF), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체(ETFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(ECTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE/PDD), 환상 퍼플루오로알킬 구조 또는 환상 퍼플루오로알킬에테르 구조를 갖는 불소 함유 수지 등을 들 수 있다.
그리고, 발액성의 관점에서, 본 발명에서 사용하는 불소 함유 수지로서 바람직한 것은, 중합체를 구성하는 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위에 관해서, 불소 원자수와 탄소 원자수의 비(F/C)가 1.0 이상인 반복 단위를 적어도 1종 갖는 중합체를 포함하는 불소 함유 수지이다. 이 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위의 F/C는, 1.5 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, F/C의 상한에 대해서는, 발액성, 입수 용이성의 이유로 F/C는 2.0을 상한으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 요건에 관련하여 특히 바람직한 불소 함유 수지는, 퍼플루오로 화합물의 단량체에 기초하는 반복 단위를 갖는 퍼플루오로 수지이며, 당해 반복 단위에 있어서의 F/C가 1.5 이상인 퍼플루오로 수지이다.
또한, 발액성 외에도, 투명 기재의 적용이나 금속 패턴의 특성을 고려하여, 적합한 불소 함유 수지를 선택할 수 있다. 예를 들어, 불소 함유 수지층 형성을 위한 용매의 가용성을 고려하는 경우, 불소 함유 수지로서는, 주쇄에 환상 구조를 갖는 퍼플루오로 수지가 바람직하다. 또한, 불소 수지층에 투명성이 요구되는 경우에는, 비정질의 퍼플루오로 수지를 적용하는 것이 더 바람직하다. 이 특성을 고려한 바람직한 불소 함유 수지로서는, 퍼플루오로부테닐비닐에테르 중합체(사이톱(CYTOP)(등록 상표): 아사히 가라스 가부시키가이샤), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE-PDD), 테플론(등록 상표)AF: 미츠이ㆍ듀퐁 플루오로 케미컬 가부시키가이샤)을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 불소 수지층의 패턴 형성부에 관능기를 형성하는 것이 필요하지만, 후술하는 바와 같이, 관능기 형성을 위한 처리로서 자외선 조사 등을 들 수 있다. 이러한 빛에너지를 노광하는 조작에 있어서, 고정밀의 패턴을 형성하는 수단으로서 콘택트 노광을 들 수 있다. 본 발명자들에 의하면, 본 발명에 있어서 불소 함유 수지를 선택함으로써 콘택트 노광을 바람직하게 행할 수 있다. 구체적인 요건으로서, 그 중합체를 구성하는 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위에 적어도 하나의 산소 원자를 포함하는 불소 함유 수지가 바람직하다. 그 요인은 분명치는 않지만, 본 발명자들은, 산소를 함유하는 불소 함유 수지를 적용함으로써, 노광 과정에서 당해 산소가 라디칼로서 작용하고, 관능기 형성에 기여할 것으로 예측하고 있다. 이 산소를 포함하는 불소 함유 수지로서, 퍼플루오로부테닐비닐에테르 중합체(사이톱(CYTOP)(등록 상표): 아사히 가라스 가부시키가이샤), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로디옥솔 공중합체(TFE-PDD), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA)를 들 수 있다.
불소 수지층을 기재에 형성할 때에는, 불소 함유 수지를 적당한 용매에 용해시킨 것을 도포함으로써 대응할 수 있다. 도포 후는 소성함으로써 불소 함유 수지층이 형성된다. 불소 함유 수지의 도포 방법으로는, 디핑, 스핀 코팅, 롤 코터 등특별히 한정되지 않는다. 불소 함유 수지를 도포한 후는 수지의 종류에 따른 후처리(건조 처리, 소성 처리)를 행하고, 불소 함유 수지층을 형성한다.
다음에, 기재 상의 불소 함유 수지층 표면에 관능기를 형성한다. 이 관능기란, 불소 함유 수지의 CF 결합을 절단함으로써 형성되는 관능기이다. 구체적으로는, 카르복시기, 히드록시기, 카르보닐기가 형성된다.
불소 함유 수지층 표면에 관능기 형성의 처리 방법으로는, 자외선 조사, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 엑시머 레이저 조사에 따른다. 이러한 처리는, 불소 함유 수지 표면에 광화학 반응을 일으키게 해 CF 결합을 절단하는 것으로, 적당한 에너지의 인가 처리인 것이 필요하다. 패턴 형성부에 대한 인가 에너지량은, 1mJ/㎠ 이상 4000mJ/㎠ 이하를 목표로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 자외선 조사에 의한 경우, 파장이 10㎚ 이상 380㎚ 이하의 범위의 자외선 조사가 바람직하고, 특히 바람직하게는, 파장이 100㎚ 이상 200㎚ 이하의 범위의 자외선을 조사한다.
불소 함유 수지층 표면으로의 자외선 조사 등에 있어서는, 일반적으로 포토마스크(레티클)를 사용한 노광 처리가 이루어진다. 본 발명에서는 노광 방식에 관해서는, 비접촉의 노광 방식(프록시미티 노광, 프로젝션 노광)과 접촉의 노광 방식 (콘택트 노광) 중 어느 것을 적용할 수 있다. 프록시미티 노광에 있어서는, 마스크와 불소 함유 수지층 표면의 간격은, 10㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 3㎛ 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
이상과 같이 하여, 기재에 불소 함유 수지층 형성 및 패턴 형성부에 대한 관능기 형성 처리를 행하고, 이 기재를 금속 미립자 분산액에 접촉시킨다. 본 발명에서는, 금속 패턴 형성을 바람직하게 행하기 위하여 금속 미립자 분산액의 구성을 적합한 것으로 하고 있다. 본 발명에서 적용되는 금속 미립자 분산액은, 소정의 보호제가 결합하여 이루어지는 금속 미립자를 용매에 분산시킨 것이다.
금속 미립자는, 형성할 금속 패턴의 구성 재료에 해당한다. 이 금속 미립자는, 바람직하게는 은, 금, 백금, 팔라듐, 구리 및 이들 금속의 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어지는 것이다. 이들 금속은, 도전성이 우수해 전극 재료 등으로서 유용하다.
금속 미립자에 대해서는, 그 평균 입경이, 5㎚ 이상 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 미세한 배선 패턴을 형성하기 위해서는 30㎚ 이하의 입경으로 하는 것이 요구된다. 한편, 과도하게 미세한 금속 입자는 응집하기 쉬워서 취급성이 떨어지는 것이 된다.
보호제는, 금속 미립자가 응집ㆍ조대화하는 것을 억제하고, 분산 상태를 안정시키는 것이다. 금속 미립자의 응집ㆍ조대화는, 분산액의 보관이나 사용 시의 금속 침전의 요인이 될 뿐만 아니라, 기재에 결합시킨 후의 소결 특성에 영향을 미치기 때문에 회피되지 않으면 안된다. 또한, 본 발명에 있어서는, 보호제는, 기재(불소 함유 수지층) 표면의 관능기와 치환함으로써 금속을 고정하기 위한 마커로서의 작용도 갖는다. 본 발명에 있어서의 금속 입자의 보호제는, 제1 보호제로서 아민을, 제2 보호제로서 지방산을 적용한다. 즉, 본 발명에서는 기본 구조가 상위한 2계통의 화합물이 복합된 상태로 금속 입자를 보호한다.
제1 보호제인 아민 화합물은, 그 탄소수의 총합이 4 이상 12 이하인 것이 바람직하다. 이것은, 아민의 탄소수가 금속 입자의 안정성, 패턴 형성 시의 소결 특성에 영향을 미치기 때문이다. 탄소수 4 미만인 아민은 금속 미립자를 안정적으로 존재시키기 어려워서, 균일한 소결체를 형성시키는 것이 곤란해진다. 한편, 탄소수 12를 초과하는 아민은, 금속 입자의 안정성을 과도하게 증가시켜, 패턴 형성을 위하여 고온으로 가열할 필요가 발생한다. 이로부터, 본 발명의 보호제로서는 탄소수의 총합이 4 이상 12 이하인 아민 화합물이 바람직하다.
보호제인 아민 화합물 중의 아미노기의 수로서는, 아미노기가 하나인 (모노)아민이나, 아미노기를 두개 갖는 디아민을 적용할 수 있다. 또한, 아미노기에 결합하는 탄화수소기의 수는, 하나 또는 두개가 바람직하고, 즉, 1급 아민(RNH2), 또는 ２급 아민(R2NH)이 바람직하다. 그리고, 보호제로서 디아민을 적용하는 경우, 적어도 하나 이상의 아미노기가 1급 아민 또는 ２급 아민인 것이 바람직하다. 아미노기에 결합하는 탄화수소기는, 직쇄 구조 또는 분지 구조를 갖는 쇄식 탄화수소 외에, 환상 구조의 탄화수소기여도 된다. 또한, 일부에 산소를 포함하고 있어도 된다. 본 발명에서 적용하는 보호제의 적합한 구체예로서는, 하기의 아민 화합물을 들 수 있다. 또한, 제1 보호제인 아민 화합물은, 분산액 중에서의 금속 입자의 분산성이나 저온 소결성을 조절할 목적으로 복수종의 아민 화합물을 혼합ㆍ조합하여 사용해도 된다. 또한, 탄소수의 총합이 4 이상 12 이하인 아민 화합물을 적어도 1종 포함하고 있으면 되고, 그러면 당해 범위 밖의 탄소수의 아민 화합물이 존재하고 있어도 된다.
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제2 보호제로서 적용되는 지방산은, 분산액 중에서는 아민 화합물의 보조적인 보호제로서 작용해 금속 미립자의 안정성을 높인다. 그리고, 지방산의 작용이 명확하게 드러나는 것은, 금속 입자를 기재에 도포한 후이며, 지방산을 첨가함으로써 균일한 막 두께의 금속 패턴을 형성할 수 있다. 이 작용은 지방산이 없는 금속 미립자를 도포한 경우와 대비함으로써 현저하게 이해할 수 있고, 지방산이 없는 금속 미립자에서는 안정된 금속 패턴을 형성할 수 없다.
지방산은, 바람직하게는 탄소수 4 이상 20 이하의 불포화 지방산, 포화 지방산이 바람직하다. 탄소수가 3 이하의 불포화 지방산, 포화 지방산은, 금속 미립자의 분산매의 분산성을 저하시키기 때문에 금속 미립자의 응집이 일어나기 쉬워지고, 안정된 금속 패턴을 형성하는 것이 곤란해진다. 한편, 탄소수가 20을 초과하는 불포화 지방산, 포화 지방산은, 일반적으로 증기압이 낮고 증발하기 어려운 점으로부터, 금속 패턴을 형성할 때 금속 미립자로부터 충분히 제거할 수 없어, 금속 패턴의 저항값이 높아지는 경향이 있다.
바람직한 지방산으로서는, 구체적으로는, 부탄산(탄소수 4), 펜탄산(탄소수 5), 헥산산(탄소수 6), 헵탄산(탄소수 7), 옥탄산(탄소수 8), 노난산(탄소수 9), 데칸산(별칭: 카프르산, 탄소수 10), 운데칸산(별칭: 운데실산, 탄소수 11), 도데칸산산(별칭: 라우르산, 탄소수 12), 트리데칸산(별칭: 트리데실산, 탄소수 13), 테트라데칸산(별칭: 미리스트산, 탄소수 14), 펜타데칸산(별칭: 펜타데실산, 탄소수 15), 헥사데칸산(별칭: 팔미트산, 탄소수 16), 헵타데칸산(별칭: 마르가르산, 탄소수 17), 옥타데칸산(별칭: 스테아르산, 탄소수 18), 노나데칸산(별칭: 노나데실산, 탄소수 19), 에이코산산(별칭: 아라키드산, 탄소수 20) 등의 포화 지방산, 팔미톨레산(탄소수 16), 올레산(탄소수 18), 리놀산(탄소수 18), 리놀렌산(탄소수 18), 아라키돈산(탄소수 20) 등의 불포화 지방산을 들 수 있다. 특히 바람직한 것은, 올레산, 리놀산, 스테아르산, 라우르산, 부탄산이다. 또한, 이상 설명한 제2 보호제인 지방산에 관해서도, 복수종의 것을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 탄소수가 4 이상 20 이하의 불포화 지방산 또는 포화 지방산을 적어도 1종 포함하고 있으면 되고, 그렇다면 그 이외의 지방산이 존재하고 있어도 된다.
상기한 제1, 제2 보호제로 보호된 금속 미립자를 용매에 분산함으로써 금속 미립자 분산액을 구성한다. 여기에서 적용 가능한 용매는, 유기 용매이며, 예를 들어 알코올, 벤젠, 톨루엔, 알칸 등이다. 이들을 혼합해도 된다. 바람직한 용매는, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸 등의 알칸, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올 등의 알코올이며, 더 바람직하게는, 이들 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 알코올과 1종 또는 2종 이상의 알칸의 혼합 용매이다.
분산액의 금속 입자의 함유량은, 분산액 질량에 대한 금속 질량에서 20중량％ 이상 60중량％ 이하로 하는 것이 바람직하다. 분산액의 금속 미립자의 함유량이 20％ 미만인 경우는, 패턴 형성부에, 충분한 도전성을 확보하기 위한 균일한 막 두께의 금속 패턴을 형성할 수 없고, 금속 패턴의 저항값이 높아진다. 분산액의 금속 미립자의 함유량이 60％를 초과하는 경우는, 금속 미립자의 응집ㆍ비대화에 의해 안정된 금속 패턴을 형성하는 것이 곤란해진다. 이들로부터, 본 발명의 분산액 금속 입자의 함유량으로서는, 분산액 질량에 대한 금속 질량에서 20중량％ 이상 60중량％ 이하로 하는 것이 바람직하다.
분산액의 보호제 함유량은, 제1 보호제인 아민 화합물에 대해서는, 분산액 중의 금속의 몰수(molmetal)에 대한 아민의 몰수(mol아민)의 비(mol아민/molmetal)이고, 0.01 이상 0.32 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 보호제인 지방산의 함유량은, 금속의 몰수(molmetal)에 대한 지방산의 몰수(mol지방산)의 비(mol지방산/molmetal)이고, 0.001 이상 0.05 이하로 하는 것이 바람직하다. 분산액 중의 보호제의 함유량은, 상기 적합 범위를 초과해도 금속 입자의 분산성에는 영향이 발생하지 않지만, 과잉의 보호제는, 금속 입자의 저온 소결성이나 형성되는 금속 패턴의 저항값에 영향을 미치는 것으로부터 상기 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기한 보호제 몰수에 대해서는, 복수종의 아민 화합물, 지방산을 사용하는 경우에는, 각각 합계 몰수를 적용한다.
이상 설명한 금속 미립자 분산액을, 불소 함유 수지층을 갖는 기재에 도포한다. 금속 미립자 분산액의 도포에 대해서는, 디핑, 스핀 코팅, 롤 코터도 적용할 수 있지만, 블레이드, 스퀴지, 주걱과 같은 도포 부재를 이용하여, 금속 미립자 분산액을 적하하여 도포해 확장해도 된다. 본 발명은, 미리 패턴 형성부에 금속 입자를 선택적으로 고정하기 위한 관능기가 형성되어 있고, 단숨에 분산액을 도포해 확장함으로써 패턴 형성을 할 수 있어 효율적이다.
금속 미립자 분산액은, 관능기가 없는 불소 함유 수지의 소지면에서는 그 발액성에 의해 튀겨진다. 블레이드 등의 도포 부재를 사용한 경우, 튀겨진 분산액은 기재 표면으로부터 제거된다. 한편, 관능기가 형성된 패턴 형성부에서는, 금속 미립자의 보호제와 금속 입자의 치환 반응이 발생하고, 금속 미립자가 기재에 고정된다. 그 후, 분산액의 용제가 휘발함과 함께, 기재 상의 금속 미립자끼리 자기 소결하여 금속막이 되어 금속 패턴이 형성된다.
이 자기 소결은 실온이어도 발생되는 현상이므로, 금속 패턴 형성 시에 기재된 가열은 필수의 공정은 아니다. 단, 자기 소결 후의 금속 패턴을 소성함으로써, 금속막 중에 잔존하는 보호제(아민 화합물, 지방산)를 완전히 제거할 수 있고, 이에 의해 저항값의 저감을 도모할 수 있다. 이 소성 처리는, 40℃ 이상 250℃ 이하로 행하는 것이 바람직하다. 40℃ 미만이면 보호제의 탈리나 휘발에 장시간을 요하기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 250 ℃를 초과하면 수지 기재 등에 대해 변형의 요인이 된다. 소성 시간은, 10분 이상 120분 이하가 바람직하다. 또한, 소성 공정은, 대기 분위기에서 수행해도 되고, 진공 분위기에서도 된다.
이상의 금속 미립자 분산액의 도포, 금속 미립자의 자기 소결 및 필요에 따른 소성에 의해 금속을 포함하는 금속 패턴이 형성된다.
그리고, 본 발명에 따른 방법에 의해 형성되는 금속 패턴을 기판 위에 갖는 도전체는, 고정밀로 바람직한 전기 특성을 갖는 금속 패턴을 구비하는 것이 된다. 즉, 본 발명에 따른 도전체는, 그 일부 또는 전부의 영역에 패턴 형성부가 설정된 기재와, 상기 기재 중 적어도 상기 패턴 형성부를 포함하는 표면 위에 형성된 불소 수지층과, 상기 불소 수지층의 상기 패턴 형성부 위에 금속 미립자가 고정되는 것으로 형성된 금속 패턴을 포함하는 도전체이며, 상기 패턴 형성부 위에 관능기가 형성되어 있는 도전체이다.
특히, 기재가 투명체를 포함하는 경우, 고정밀의 금속 패턴을 갖는 본 발명에 따른 도전체는 투명 도전체로서 작용시킬 수 있고, 디스플레이, 터치 패널에의 응용을 기대할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 패턴 방법에 의하면, 고정밀의 금속 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. 이 금속 패턴은, 금속막으로 형성되어 있으므로 저항값도 낮고, 전극ㆍ배선으로서 적합하게 사용 가능하다. 본 발명은, 기재에 대해 관능기를 형성한 후, 금속 미립자 분산액을 도포ㆍ인쇄하는 비교적 간단하고 쉬운 공정으로 금속 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명은, 레지스트를 일반적으로 사용하는 포토리소그래피법보다도 간편하고, 또한, 잉크젯 방식보다도 효율적인 방법이다.
그리고, 본 발명에 따르면, 미세하고 고선명한 금속 패턴을 형성할 수 있다. 이 금속 패턴은, 투명 전극과 동등의 투광성을 발휘할 수 있다. 따라서, 투명한 기재 위에 본 발명에 관한 금속 패턴 형성법을 이용함으로써, 투명 도전체의 제조도 가능하다.
도 1은 제1 실시 형태에서 형성한 금속 패턴의 외관을 나타내는 사진.
도 2는 제1 실시 형태의 금속 패턴에 대하여 기판 이면에서 측정한 계면에 있어서의 라만 스펙트럼을 나타내는 도면.
도 3은 제2 실시 형태에 있어서, 각종 지방산을 보호제로 한 금속 입자(은 입자)에 의해 형성된 금속 패턴의 외관을 나타내는 사진.
제1 실시 형태: 이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는, 기재의 전처리로서 불소 함유 수지층 형성 및 관능기 형성을 행함과 함께, 금속 입자로서 은 미립자가 분산하는 분산액을 제조하고, 분산액의 도포, 금속 패턴 형성을 행했다.
[기재의 준비, 불소 함유 수지층의 형성]
기재로서 폴리에틸렌나프탈레이트를 포함하는 수지 기판(치수: 20㎜×20㎜)을 준비했다. 이 수지 기판에 불소 함유 수지로서 비정질성 퍼플루오로부테닐에테르 중합체(사이톱(CYTOP)(등록 상표): 아사히 가라스(주)제)를 스핀 코팅법(회전수 2000rpm, 20sec)으로 도포한 후, 50℃에서 10분, 계속해서 80℃에서 10분 가열하고, 또한 오븐에서 100℃에서 60분 가열하여 소성했다. 이에 의해 1㎛인 불소 함유 수지층이 형성되었다.
[기재 전처리]
다음에, 이 불소 함유 수지층이 형성된 기판에, 격자 패턴(선 폭 3㎛, 선 간격 50㎛)의 포토마스크를 밀착하고, 여기에 자외선(VUV 광)을 조사했다(마스크-기판간 거리 0인 콘택트 노광). VUV 광은, 파장 172㎚, 11mW/㎝-2로 20초 조사했다.
[은 미립자 분산액의 제조, 도포]
은 미립자 분산액의 제조에 대해, 은 입자는, 은 착체를 전구체로 하는 열 분해법에 의해 제조했다. 이 열 분해법은, 옥살산 은(Ag2C204) 등의 열 분해성을 갖는 은 화합물을 출발 원료로 하고, 은 화합물과 보호제를 반응시켜 은 착체를 형성하여, 이것을 전구체로서 가열해 분해함으로써 은 입자를 얻는 방법이다. 본 실시 형태에서는, 옥살산 은을 원료로 하여 은 입자를 제조했다. 미리 데칸으로 습윤된 옥살산 은에, 보호제가 되는 아민으로서 N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판을 혼련하고, 전구체가 되는 옥살산 은 아민 착체를 제조했다. N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판의 첨가량은, 은에 대해 0.76(mol/mol)으로 했다. 여기에 또한, 헥실아민 및 도데실아민에 2개의 아민 화합물을 첨가한 후, 제2 보호제로서 올레산을 첨가하여 혼련했다. 헥실아민의 첨가량은, 은에 대해 1.14(mol/mol), 도데실아민의 첨가량은, 은에 대해 0.095(mol/mol), 올레산의 첨가량은, 은에 대해 0.012(mol/mol)로 했다. 또한, N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판에 이어 헥실아민 및 도데실아민을 추가한 것은, N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판에 의한 은 입자의 보호 작용을 보완하여 응집을 억제하기 때문이다.
그 후, 혼련물을 110℃에서 가열 교반하여 착체를 분해했다. 이 가열 교반에 의해, 혼련물은 담황색으로부터 서서히 갈색이 되고, 최후는 흑색이 되었다. 또한, 가열 교반 중은 기포(이산화탄소)가 발생하지만, 기포 소실 시점에서 반응 종료로 했다.
반응 종료 후, 메탄올을 첨가하여 교반하고, 원심 분리를 행하여 상청액을 제거했다. 이 메탄올 세정을 행하고, 흑색의 은 미립자를 얻었다. 이 세정 및 원심 분리에 의해, 은 미립자로부터 과잉의 아민 화합물이 제거되어, 적합 범위의 보호제를 포함하는 은 입자를 얻을 수 있다.
그리고, 은 미립자에, 옥탄과 부탄올의 혼합 용매(옥탄:부탄올=4:1)를 첨가하여, 은 미립자 분산액을 얻었다. 이 은 미립자 분산액의 은 농도는 40중량％로 했다.
이상에서 제조한 은 미립자 분산액을 전처리한 기판에 도포했다. 도포는, 기판과 블레이드(유리제)의 접촉 부분에 미리 분산액을 번지게 한 후, 블레이드를 한 방향으로 스위프했다. 여기에서는, 스위프 속도를 2㎜/sec로 했다. 이 블레이드에 의한 도포에 의해, 기판의 자외선 조사부(관능기 형성부)에만 분산액이 부착되어 있는 것이 확인되었다. 이 분산액을 실온(25℃)에서 자연 건조시켜 금속 패턴을 형성했다.
형성한 금속 패턴에 대해, 그 외관 관찰을 행했다. 그 결과를 도 1에 도시하지만, 본 실시 형태에서는 명확한 선 폭 3㎛의 은 막을 포함하는 패턴이 형성되어 있는 것을 알 수 있다.
다음에, 현미 라만 분광 분석에 의해 기판 표면의 금속 패턴 형성부의 원소 결합 상태를 검토했다. 이 분석은, 기판 표면의 금속 패턴에 대해, 기판의 이면으로부터 레이저광(파장: 532㎚)을 조사하고, 은 입자층과 불소 함유 수지층의 계면에 관한 라만 스펙트럼을 측정ㆍ해석하여 계면에 있어서의 화학종을 검토하는 것이다. 도 2는, 기판 이면으로부터의 레이저 조사에 의한 계면에 있어서의 라만 스펙트럼을 나타낸다. 이 도면에 의하면, 이면으로부터의 조사로 측정되는 라만 스펙트럼에는, 미리 측정한 기판 표면으로부터 레이저 조사한 경우에는 보이지 않는 특이한 진동 구조로서, 1370㎝-1 부근 및 1570㎝-1 부근의 진동 구조가 보였다. 이 진동 구조는 COO 결합에서 유래한 것이라고 보여진다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 불소 함유 수지층 표면에 카르복시기가 관능기로서 형성되어 있던 것을 확인할 수 있었다.
그리고, 이 금속 패턴에 대해 저항값을 측정한 바, 면 저항 280Ω/□, 부피 저항 68μΩㆍ㎝였다. 이 저항값에 대해, 터치 패널 필름에 사용되는 투명 도전막에 일반적으로 구할 수 있는 저항값의 기준 범위(200Ω/□ 이상 400Ω/□ 이하)와 대비하면, 본 실시 형태는 전기 배선으로서 충분히 사용할 수 있는 값이다.
또한, 이 기판을 80℃에서 가열하여 금속 패턴을 소성했다. 그리고, 마찬가지로 저항값을 측정한 바, 면 저항 66Ω/□, 부피 저항 16μΩㆍ㎝이 되고, 저항값의 저하가 보이는 것이 확인되었다.
제2 실시 형태: 여기에서는, 다른 은 화합물을 출발 원료로서 열 분해법에 의해 은 입자를 제조하고, 그 분산액을 이용하여 금속 패턴을 형성했다. 은 입자의 제조는, 제1 실시 형태에 있어서 옥살산 은으로 바꾸어서 탄산 은을 사용했다. 건조 상태의 탄산 은에, 제1 실시 형태와 마찬가지로 N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판을 혼련하고, 전구체가 되는 탄산 은 아민 착체를 제조했다. 그 후, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 헥실아민 및 도데실아민과 올레산을 첨가ㆍ혼련했다. 각 아민 화합물, 올레산의 혼합량(혼합비)은 제1 실시 형태와 마찬가지로 했다. 그 후, 혼련물을 110℃에서 가열 교반하여 착체를 분해하고, 원심 분리ㆍ세정하여 은 미립자를 얻었다. 이 은 미립자에, 옥탄과 부탄올의 혼합 용매(옥탄:부탄올=4:1)를 첨가하여, 은 미립자 분산액을 얻었다. 이 은 미립자 분산액의 은 농도도 40중량％로 했다.
제조된 은 미립자 분산액을, 제1 실시 형태와 마찬가지로 전처리한 기판에 대해, 동일한 조건으로 도포하여 금속 패턴을 형성했다. 본 실시 형태에서 형성된금속 패턴에 관한 저항값은, 면 저항 300Ω/□, 부피 저항 80μΩㆍ㎝였다. 이 기판을 80℃에서 가열하여 금속 패턴을 소성한 경우의 저항값은, 면 저항 80Ω/□, 부피 저항 20μΩㆍ㎝였다. 따라서, 제2실시 형태에서 형성된 이 금속 패턴도 전기 배선으로서 유용한 것을 확인할 수 있었다.
제3 실시 형태: 본 실시 형태에서는, 은 미립자 분산액의 보호제에 대해, 아민과 함께 보호제를 구성하는 지방산의 기술적 의의에 대해 검토했다. 제1 실시 형태의 은 미립자 분산액의 제조 공정에 있어서, 올레산의 첨가를 대신해서 다른 지방산(스테아르산, 부탄산, 프로판 산)을 첨가, 또는 지방산을 첨가하지 않고 은 입자를 제조하고, 분산액을 제조했다. 그 후, 제1 실시 형태와 같은 전처리를 한 기판에 대해, 동일한 조작으로 은 미립자 분산액을 도포하고, 건조ㆍ소성하여 금속 패턴을 형성했다. 그 후 기판 표면을 관찰하고, 패턴 형성의 유무를 확인했다.
이 결과를 도 3에 도시한다. 도 3에서, 은 미립자의 보호제로서 지방산을 첨가하지 않은 경우, 원거리에서 일견하면 금속 패턴은 형성되어 있지만, 확대시 하면 은 입자의 응집이 보인다. 이러한 상태는 실질적으로 단선이 발생하고 있는 것과 마찬가지여서 저항값은 극대가 된다. 또한, 보호제로서 탄소수가 작은 지방산인 프로판산(탄소수 3)을 사용해도 마찬가지 현상이 보인다. 이에 비해, 지방산의 탄소수를 조정해 올레산, 스테아르산, 부탄산을 사용함으로써, 금속 패턴은 보다 선명해져, 안정된 은막을 형성한다. 따라서, 금속 패턴 형성이라고 하는 금속 미립자 분산액의 용도에 즈음하여, 은 미립자의 보호제로서 지방산의 적용이 필요하다는 것이 확인되었다.
제4 실시 형태:본 실시 형태에서는, 금속 패턴의 구성 재료로서 각종 금속을 적용한 금속 미립자 분산액을 제조하고, 이것을 기판에 도포하여 금속 패턴을 형성했다.
금속 미립자 분산액의 제조는, 백금, 팔라듐, 금, 구리의 금속염 원료를 준비하고, 원료를 용매(톨루엔 또는 에탄올)에 용해하여 제1 보호제로서 아민(헥실아민 또는 데실 아민)을 첨가하고, 또한 환원제(수소화붕소나트륨)를 첨가하여 금속 이온을 환원하여 아민 보호 금속 미립자가 분산하는 혼합 용액을 제조했다. 다음에, 이 혼합 용액으로부터 금속 미립자를 분리 회수하여 세정 후, 제2 보호제인 올레산을 미리 첨가한 톨루엔을 가하여 금속 미립자 분산액을 제조했다.
이 금속 미립자 분산액을, 기판에 도포했다. 기판의 구성, 전처리 내용, 도포 방법은 제1 실시 형태와 동일하다. 본 실시예에서도 분산액 도포에 의해, 기판의 관능기 형성부에만 분산액이 부착되어 있는 것이 확인되었다. 그리고, 이 분산액을 실온(25℃)에서 자연 건조시켜 금속 패턴을 형성했다. 형성된 금속 패턴에 대해, 그 외관 관찰을 행하여 패턴의 선 폭을 측정했다. 또한, 형성된 금속 패턴에 대해 저항값을 측정했다. 측정은 열 처리(80℃) 전후로 행하고, 400Ω/□ 이하를 합격 「○」으로 했다. 각 금속 미립자 분산액에 의해 형성된 금속 패턴에 따른 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
표 1에서, 백금, 팔라듐, 금, 구리의 금속 미립자 용액에서도, 은과 마찬가지의 바람직한 금속 패턴을 형성할 수 있는 것을 확인할 수 있다. 이 금속 패턴은, 선 폭도 충분히 작고, 저항값도 합격이었다.
<산업상 이용가능성>
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 매우 세밀한 금속 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. 본 발명은, 각종 반도체 디바이스의 전극ㆍ배선 형성에 유용한 것 외, 투광성이 요구되는 터치 패널의 패널면의 배선 형성에도 유효하게 적용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기재 상의 일부 또는 전부의 영역에 설정된 패턴 형성부에 금속 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    상기 기재는, 적어도 상기 패턴 형성부를 포함하는 표면 위에 불소 함유 수지층을 구비한 것이며,
    상기 불소 함유 수지층 표면의 패턴 형성부에 관능기를 형성한 후,
    제1 보호제인 아민 화합물과, 제2 보호제인 지방산에 의해 보호된 금속 미립자가 용매에 분산하여 이루어지는 금속 미립자 분산액을 상기 기재 표면에 도포하고,
    상기 금속 미립자를 상기 패턴 형성부에 고정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 불소 함유 수지층은, 그 중합체를 구성하는 불소 함유 단량체에 기초하는 반복 단위로서, 불소 원자수와 탄소 원자수의 비(F/C)가 1.0 이상의 반복 단위를 적어도 1종 갖는 중합체를 포함하는, 금속 패턴의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 불소 함유 수지층 표면에 관능기를 형성하는 공정은, 불소 함유 수지층 표면의 패턴 형성부에 1mJ/㎠ 이상 4000mJ/㎠ 이하의 에너지를 인가하는 것인, 금속 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 관능기로서, 카르복시기, 히드록시기, 카르보닐기 중 적어도 어느 하나가 형성되는, 금속 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 보호제인 아민 화합물은, 탄소수 4 이상 12 이하의 아민 화합물 중 적어도 1종을 포함하는 것인, 금속 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 보호제인 지방산은, 탄소수 4 이상 20 이하의 지방산 중 적어도 1종을 포함하는 것인, 금속 패턴의 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서 지방산은, 올레산, 스테아르산, 리놀산, 라우르산, 부탄산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 금속 패턴의 형성 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 미립자 분산액의 용매는, 탄소수 3 이상 8 이하의 알코올 용매, 탄소수 6 이상 10 이하의 탄화수소 용매, 또는 이들의 혼합 용매인, 금속 패턴의 형성 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 미립자를 패턴 형성부에 고정 후, 기재를 40℃ 이상 250℃ 이하로 가열하는 공정을 포함하는 금속 패턴의 형성 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 금속 미립자는, 은, 금, 백금, 팔라듐, 구리 및 이들 금속의 합금 중 적어도 어느 하나로 이루어지는, 금속 패턴의 형성 방법.
  11. 그 일부 또는 전부의 영역에 패턴 형성부가 설정된 기재와,
    상기 기재 중 적어도 상기 패턴 형성부를 포함하는 표면 위에 형성된 불소 수지층과,
    상기 불소 수지층의 상기 패턴 형성부 위에 금속 미립자가 고정되는 것으로 형성된 금속 패턴을 포함하는 도전체이며,
    상기 패턴 형성부 위에 관능기가 형성되어 있는, 도전체.
  12. 제11항에 있어서, 관능기로서, 카르복시기, 히드록시기, 카르보닐기 중 적어도 어느 하나가 형성되어 있는, 도전체.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 기재가 투명체를 포함하는, 도전체.
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