TWI698507B - 改質的金屬奈米片及包括其之導電漿料 - Google Patents

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Abstract

本揭露內容的實施例提供一種改質的金屬奈米片及包含其之導電漿料。改質的金屬奈米片包含金屬奈米片、第一保護劑以及第二保護劑。金屬奈米片的平均寬度為0.3～20微米，且金屬奈米片的平均厚度為10～35奈米。第一保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第一保護劑包含含氧高分子。第二保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第二保護劑包含C6至C12的烷基胺。

Description

改質的金屬奈米片及包括其之導電漿料
本揭露內容是有關於一種改質的金屬奈米片及包含其之導電漿料，特別是有關於一種具有良好導電性的改質的金屬奈米片及包含其之導電漿料。
隨著消費型電子技術與印刷電子技術的發展，柔性印刷電路板、電磁波屏蔽、射頻識別技術(RFID)等應用對於由導電漿料所形成的線路及導電層的電性規格需求不斷提高。舉例而言，對於細線化線路、高頻電磁波遮蔽、超高頻(UHF)射頻識別技術等應用，需要採用具有極高導電性的導電漿料。然而，導電漿料中的導電介質通常是金屬材料，金屬材料的特性對於導電漿料所能提供的導電性具有關鍵的影響性。
在目前的技術中，經常採用平均粒徑小於50奈米的奈米金屬顆粒或金屬錯合物(例如是奈米銀顆粒或銀錯合物)作為導電漿料的主要原料。由於奈米金屬顆粒的量子效應，導致奈米金屬顆粒本身的導電性並不佳，即使奈米金屬顆粒本身的熔點較低，但包含奈米金屬顆粒的導電漿料仍必須經由進一步的高溫熱處理，藉由奈米金屬顆粒之間的燒結狀態來形成良好的導電通路，因此若是未經過高溫熱處理，則形成的導電薄膜無法具有高導電性。此外，以金屬錯合物作為導電漿料的主要原料時，金屬錯合物的熱裂解溫度雖然較低，但金屬錯合物中的大量螯合分子導致導電漿料中的金屬含量相對較低，這在熱裂解處理之後也可能對於導電薄膜的緻密性與導電性有不良的影響。
再者，在目前的技術中，在製作奈米金屬材料(例如是奈米銀材料)時，為了使奈米金屬沿特定晶面進行成長，使用了大量的例如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)等高分子材料作為保護劑以助於奈米金屬材料的分散，但此些含氧高分子基本上具有相當低的導電性(例如實質上不具有導電性)，並且與金屬的特定晶面之間具有較強的作用力，因此單純透過水洗及/或溶劑清洗的程序無法有效地將包覆奈米金屬表面的不導電含氧高分子完全移除，必須經由高熱裂解溫度(例如是大於300°C) 才能移除不導電的高分子材料，否則高分子材料存在於奈米金屬材料(例如是奈米銀顆粒)之間會阻礙奈米金屬材料之間的接觸與導電通路的形成，然而在許多應用中仍使用例如是聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚醯亞胺(PI)的塑膠基板來形成導電薄膜，塑膠基板的低耐熱特性限制了導電漿料的熱處理溫度。
因此，業界需要一種具有良好的成膜性與導電性的金屬材料及包含其之導電漿料。
本揭露內容是有關於一種改質的金屬奈米片及包含其之導電漿料。實施例中，改質的金屬奈米片包含相對較薄的金屬奈米片，且在金屬奈米片的表面上設置第一保護劑以及具有相對較低熱裂解溫度的第二保護劑，因此包含改質的金屬奈米片之導電漿料具有良好的成膜性，且所形成的導電薄膜不需要經過加壓或高溫熱處理便可具有可撓性及優異的導電性。
根據本揭露內容之一實施例，提出一種改質的金屬奈米片。改質的金屬奈米片包含金屬奈米片、第一保護劑以及第二保護劑。金屬奈米片的平均寬度為0.3～20微米，且金屬奈米片的平均厚度為10～35奈米。第一保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第一保護劑包含含氧高分子。第二保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第二保護劑包含C6至C12的烷基胺(alkylamine)。
根據本揭露內容之另一實施例，提出一種導電漿料。導電漿料包含前述之改質的金屬奈米片以及溶劑，改質的金屬奈米片分散於溶劑中。
本揭露內容之實施例中，改質的金屬奈米片包含相對較薄的金屬奈米片，且在金屬奈米片的表面上設置第一保護劑以及具有相對較低熱裂解溫度的第二保護劑，因此包含改質的金屬奈米片之導電漿料具有良好的成膜性，且所形成的導電薄膜不需要經過加壓或高溫熱處理便可具有可撓性及優異的導電性。以下詳細敘述本揭露內容之實施例。實施例所提出的細部組成為舉例說明之用，並非對本揭露內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些組成加以修飾或變化。
根據本揭露內容之實施例，以下提出一種改質的金屬奈米片。根據本揭露內容之實施例，包含此改質的金屬奈米片的導電漿料可應用於製作具有可撓性及良好導電性的導電薄膜。
本揭露內容之實施例中，改質的金屬奈米片包含金屬奈米片、第一保護劑以及第二保護劑。金屬奈米片的平均寬度為0.3～20微米，且金屬奈米片的平均厚度為10～35奈米。第一保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第一保護劑包含含氧高分子。第二保護劑設置於金屬奈米片的表面上，且第二保護劑包含C6至C12的烷基胺。
根據本揭露內容之實施例，改質的金屬奈米片中，金屬奈米片的平均寬度為0.3～20微米、且金屬奈米片的平均厚度僅為10～35奈米，使得改質的金屬奈米片在寬度(及/或長度)的維度具有較大的堆疊接觸面積，有利於使得多個改質的金屬奈米片之間經由堆疊接觸便可以形成良好的導電通路，而相當低的平均厚度使得改質的金屬奈米片具有可撓性，因而使得堆疊接觸的多個改質的金屬奈米片之間不易產生空隙，具有良好且穩定的堆疊緻密性，使得包含改質的金屬奈米片的導電漿料可以具有良好的加工特性，且所形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結便可具有優異且穩定的導電性。
當金屬奈米片的厚度過大時，例如大於35奈米，厚的金屬奈米片具有較強的剛性，特別是在未經外力加壓的濕式塗佈製程或印刷製程中，厚的金屬奈米片具有較差的堆疊特性，因此具有較差的成膜性，形成的導電薄膜也具有較差的可撓性。另一方面，若是當金屬奈米片的尺寸過小時，例如厚度小於10奈米及/或寬度小於0.3微米，則金屬奈米片之間較不易形成有效的電性連接。
相對而言，根據本揭露內容之實施例，金屬奈米片的平均寬度為0.3～20微米、且金屬奈米片的平均厚度為10～35奈米，則包含此改質的金屬奈米片的導電漿料具有良好的自堆疊成膜性，且所形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結便可具有優異且穩定的導電性。
根據本揭露內容之實施例，改質的金屬奈米片表面上的第一保護劑提供良好的保護與分散性，而包含C6至C12的烷基胺的第二保護劑，其結構均具有帶有孤對電子的氮原子，因此可以化學性吸附至金屬奈米片的表面上，提供穩定的保護與分散效果，且第二保護劑更具有相對較低的熱裂解溫度，使得由包含改質的金屬奈米片的導電漿料所形成的導電薄膜僅需要經過低溫熱處理(例如是小於200°C的熱處理)，便可以移除溶劑及大部分的第二保護劑，因此使得形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結的製程來移除導電性低的高分子材料便可具有優異的導電性，同時也不會因為必須進行高溫製程而對導電薄膜下方的塑膠基板造成損傷。
一些實施例中，相對於100重量份的金屬奈米片，改質的金屬奈米片包含0.1～5.0重量份的第一保護劑。
當第一保護劑的含量大於5.0重量份時，不具導電性的第一保護劑在低溫熱處理下無法被有效地移除，存留在導電薄膜中的過多的第一保護劑會嚴重影響導電薄膜的導電性。當第一保護劑的含量小於0.1重量份時，第一保護劑無法為金屬奈米片提供足夠的保護與分散效果，金屬奈米片之間的強凡得瓦力會使得多個金屬奈米片發生自聚行為而形成微米尺寸的金屬團聚物，如此一來，即使透過後續添加額外的分散劑也無法進行有效的分散，由包含微米尺寸金屬團聚物之導電漿料所形成的導電薄膜會發生外型平整性差、結構中形成空隙、堆疊緻密性不佳、且不具有可撓性的問題，因此無法形成具有良好的成膜性與導電性的導電薄膜。相對而言，根據本揭露內容之一些實施例，當第一保護劑的含量是0.1～5.0重量份時，可提供足夠的保護與分散效果，同時可有助於提供良好的成膜性。
一些實施例中，相對於100重量份的金屬奈米片，改質的金屬奈米片包含例如0.01～5.0重量份的第二保護劑。
一些實施例中，第二保護劑的重量例如是第一保護劑的重量的1至100 wt%。
當第二保護劑的重量是第一保護劑的重量的小於1 wt%時，第二保護劑的含量過低，則改質的金屬奈米片中幾乎只包含具有較高熱裂解溫度的第一保護劑，則無法避免後續的高溫熱裂解製程。當第二保護劑的重量是第一保護劑的重量的大於100 wt%時，第二保護劑的含量過高，使得第一保護劑的含量比例相對下降而導致無法為金屬奈米片提供足夠的保護與分散效果，對於所形成的導電薄膜的導電性有不良的影響。相對而言，根據本揭露內容之一些實施例，當第二保護劑的重量例如是第一保護劑的重量的1至100 wt%時，可提供足夠的保護與分散效果，同時可有助於僅經過低溫熱處理便可形成具有良好的成膜性與導電性的導電薄膜。
一些實施例中，含氧高分子包含聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、或上述的任意組合。一些實施例中，含氧高分子例如是平均重量分子量為約4萬至約130萬的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。
一些實施例中，第二保護劑包含C6至C12的烷基胺。
當烷基胺的碳數少於6個時，其化學吸附力太強，導致第一保護劑的含氧高分子的化學吸附力相對太差，而在與金屬奈米片結合的競爭反應之中發生第一保護劑的吸附量過少的情形，造成第一保護劑無法發揮預定的保護與分散效果，導致金屬奈米片發生團聚，進而導致成膜後的導電性不佳。當烷基胺的碳數多於12個時，則具有較高的熱裂解溫度，導致需要經過較高溫的熱處理(例如是大於200°C的熱處理)才能夠移除第二保護劑。相對而言，根據本揭露內容之實施例，第二保護劑例如是C6至C12的烷基胺，則可以對導電漿料中的金屬奈米片提供穩定的保護與分散效果，並且還能在成膜時以低溫熱處理有效移除第二保護劑，使得所形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結便可具有優異且穩定的導電性。
一些實施例中，C6至C12的烷基胺包含正己胺、正辛胺、異辛胺、正十胺、正十二胺、或上述的任意組合。
一些實施例中，金屬奈米片包含銀、銀合金、銅、銅合金、或上述的任意組合。
一些實施例中，金屬奈米片的平均長度例如是0.3～20微米，其中平均長度的延伸方向垂直於平均厚度的延伸方向、且平均長度的延伸方向垂直於平均寬度的延伸方向。
根據本揭露內容之實施例，改質的金屬奈米片中，金屬奈米片的平均寬度與平均長度例如均是0.3～20微米，而平均厚度例如是10～35奈米，使得金屬奈米片整體具有類似紙張的柔軟薄片結構，因而使得堆疊接觸的多個改質的金屬奈米片之間不易產生空隙，具有高度的自堆疊成膜性以及良好且穩定的堆疊緻密性，使得包含改質的金屬奈米片的導電漿料可以具有良好的加工特性，且所形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結便可具有優異且穩定的導電性。
一些實施例中，金屬奈米片的平均寬度例如是1～10微米。
一些實施例中，金屬奈米片的平均厚度例如是15～30奈米。
根據本揭露內容之實施例，以下更提出一種導電漿料。根據本揭露內容之實施例，導電漿料包含前述之改質的金屬奈米片以及溶劑，改質的金屬奈米片分散於溶劑中。
一些實施例中，導電漿料例如可不包含用於提供保護及/或分散效果的非揮發性保護劑、非揮發性分散劑、黏著劑、或上述的任意組合。舉例而言，一些實施例中，導電漿料可不包含脂肪酸、壓克力酸酯、或其組合。
根據本揭露內容之實施例，在金屬奈米片的表面上設置的第一保護劑以及具有相對較低熱裂解溫度的第二保護劑可提供穩定的保護與分散效果，且改質的金屬奈米片的柔軟薄片結構具有高度的自堆疊成膜性以及良好且穩定的堆疊緻密性，因此在導電漿料中無須添加額外的分散劑及/或保護劑(例如是具有高熱裂解溫度的脂肪酸及/或壓克力酸酯)，如此一來，不包含額外的分散劑及/或保護劑的導電漿料所形成的導電薄膜不需要經過高溫燒結便可具有優異且穩定的導電性。
一些實施例中，溶劑包含異丙醇、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚醋酸酯、或上述的任意組合。
根據本揭露內容之實施例，導電漿的固含量可依據所需使用的塗佈、印刷製程以及目標塗層厚度任意於5~80 wt%進行調整。一些實施例中，導電漿料的固含量例如是5～80 wt%。一些實施例中，導電漿料的固含量例如是20～30 wt%。
以下就本揭露內容的實施例作進一步說明。以下列出數個實施例與比較例之改質的金屬奈米片的組成以及以包含其之導電漿料所形成的導電銀膜的電性量測結果，以說明應用本揭露內容所製得之改質的金屬奈米片及導電漿料的特性。以下實施例與比較例中，以銀奈米片作為金屬奈米片的範例，然而以下之實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本揭露內容實施之限制。
實施例1～10之改質的銀奈米片的製作流程如下：
參考中國專利102133645，使用硝酸銀為銀前驅物(購自治冠科技，純度＞99.0%)，將1.5克的硝酸銀溶於40毫升的去離子水中配製成硝酸銀水溶液備用；將3.0克的聚乙烯吡咯烷酮和1.67克的葡萄糖溶解於另一份40毫升的去離子水作為還原溶液。於室溫下於攪拌狀態下將硝酸銀水溶液定速滴加至還原溶液中，滴加完後繼續攪拌30分鐘，得到一黃色溶液。將所得的混合溶液於80°C下進行恆溫72小時，溶液顏色轉為偏銀灰色，即為含有銀奈米片以及球形銀奈米粒子的懸浮液。
接著，待懸浮液冷卻至室溫後，以離心轉速為5000 rpm/10分鐘的離心條件進行處理，將上層含較高比例球形銀奈米粒子的上層液進行傾倒後，再加入去離子水後進行攪拌後，再度進行離心處理，並將前述步驟共重覆兩次，則可得到固含量約為50 wt%的高濃度銀奈米片濃縮液。至此則合成出銀奈米片。利用掃描式電子顯微鏡(JEOL/JSM6500F)對所製備的銀奈米片的表面形貌進行分析，銀奈米片的平均寬度是利用光學顯微鏡之影像、並取樣超過100片後統計而得，而銀奈米片的厚度則是利用掃描式電子顯微鏡的影像進行分析。
表1列示使用第二保護劑對第一保護劑進行置換程序以製作出實施例1～10之改質的銀奈米片之組成、添加量及反應條件。將高濃度銀奈米片濃縮液加入異丙醇進行稀釋，並分別加入不同含量的正己胺、正辛胺、異辛胺或正十二胺(第二保護劑)(各個實施例的詳細組成添加量請參照表1)，於30～80°C進行反應2小時以進行聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(第一保護劑)的置換，再同樣利用離心分離以及溶劑進行清洗2次，可得到具有不同表面特性之改質的銀奈米片。實施例之改質的銀奈米片的表面組成則利用熱重分析儀進行分析，其中因聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的熱裂解溫度達300 oC，故以275～550 oC溫度區間的重量損失視為聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(第一保護劑)的含量，而低溫溫度區間的重量損失則可視為具有較低熱裂解溫度之第二保護劑的含量，並可進一步利用大量溶劑清洗後，利用液相層析(LC)或是氣相層析(GC)進行有機分子之含量測定。
表1
Figure 107143841-A0305-0001
表1(續)
Figure 107143841-A0305-0002
比較例1～2之改質的銀奈米片為市售商品，比較例3～18之改質的銀奈米片的製作流程類似上述流程，而使用第二保護劑進行第一保護劑的置換程序則為使第二保護劑添加量固定為3.0重量份，以反應溫度80 oC及反應時間2小時的條件進行置換程序。此些銀奈米片的主要差別在於第一保護劑與第二保護劑的成分，請參照本文後段之表3，其中比較例1～6和8中僅包含一種保護劑，而比較例7和9～18的第二保護劑類型則如表3所示。
實施例1～10及比較例1～18之導電銀漿料及其導電銀膜的製作流程如下：
將上述改質的銀奈米片加入適量的異丙醇或二乙二醇乙醚，並調整固含量為20～30 wt%，再利用機械攪拌混合分散3分鐘～1小時，則製作出包含改質的銀奈米片的導電銀漿料。將少量的導電銀漿料設置於厚度為25微米(μm)的黑色聚醯亞胺(PI)薄膜上，並以7號RDS線棒進行塗佈，塗佈速率為25毫米(mm)/秒(s)，之後再將塗層設置於溫度為100 oC或180 oC的熱風循環式烘箱中進行熱處理30分鐘。乾燥後的導電銀膜的厚度約為200～350奈米。完成熱處理後，將表面具導電銀膜的聚醯亞胺(PI)薄膜取出並冷卻至室溫，再利用四點探針進行面電阻量測，並透過固含量與厚度換算即可計算導電銀膜的電阻率。
以實施例1為例，銀奈米片的平均寬度為3.2微米、厚度為15～30奈米，經由正己胺處理後，改質後的銀奈米片包含聚乙烯吡咯烷酮(PVP)以及正己胺兩種保護劑。
第1圖是根據本揭露內容之實施例1的改質的金屬奈米片的掃描式電子顯微鏡上視照片，第2圖是根據本揭露內容之實施例1的由導電漿料形成的薄膜的掃描式電子顯微鏡剖面照片。
如第1圖所示，改質的金屬奈米片(銀奈米片)100具有如同紙張一樣的薄片結構，且多個改質的金屬奈米片100緻密地堆疊。如第1圖所示，由於改質的金屬奈米片100具有不規則的上視形狀，因此在垂直於厚度的平面上取兩個彼此垂直的延伸方向上的延伸距離定義為改質的金屬奈米片100的寬度與長度，而本文所述的平均寬度與平均長度則是基於以此定義的寬度與長度而得。如第1圖所示，改質的金屬奈米片100的寬度W1的延伸方向與長度L1的延伸方向彼此垂直。
如第2圖所示，以100 oC熱處理30分鐘乾燥後的導電銀膜200的厚度T1大約為200奈米。如第2圖所示的剖面圖可看出，導電銀膜200具有緻密的堆疊結構。
實施例1～10及比較例1～18之改質的銀奈米片的組成以及以包含其之導電銀漿料形成的導電銀膜的電性量測結果如表2～表3所示。表2～表3中的「PVP」表示聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，銀奈米片的含量均為100重量份，「平均寬度(μm)」表示銀奈米片的平均寬度，「厚度範圍(nm)」表示該實施例或該比較例中的導電漿料中的銀奈米片的厚度範圍，「2 nd/1 st保護劑比例」表示第二保護劑的重量相對於第一保護劑的重量的比例，「面電阻(Ω/□)@100 oC/30分鐘」表示將塗層經過100 oC熱處理30分鐘之後所形成的導電銀膜的面電阻，「電阻率 (Ω-cm) @100 oC/30分鐘」表示將塗層經過100 oC熱處理30分鐘之後所形成的導電銀膜的電阻率，「電阻率 (Ω-cm) @180 oC/30分鐘」表示將塗層經過180 oC熱處理30分鐘之後所形成的導電銀膜的電阻率。
表2
Figure AA2
Figure AA2-1
表2(續)
Figure AA2-2
表3
Figure AA3
Figure AA3-1
[1]：銀奈米片為購自Tokusen、型號N300的市售商品。 [2]：銀奈米片為購自Tokusen、型號M13的市售商品。
表3(續)
Figure AA3-2
Figure AA3-3
表3(續)
Figure AA3-4
Figure AA3-5
如表2～表3的結果所示，經過100 oC的低溫熱處理後，實施例1～10的導電銀膜的電阻率均可達到小於1 x10 -6Ω-cm，明顯小於所有比較例的電阻率。
如表3的結果所示，比較例1～6和8均僅包含一種保護劑，且硬脂酸與聚乙烯吡咯烷酮(PVP)均具有350°C以上的熱裂解溫度，因此比較例1～6和8的僅經低溫熱處理的導電銀膜的電阻率均明顯高於1 x10 -6Ω-cm，無法提供良好的導電性。再者，比較例1～2的銀奈米片的厚度過大(例如是40奈米以上)，導致堆疊性不佳，因此即使銀奈米片的寬度達到1微米以上，仍無法提供良好的低溫成膜性與導電性。
請同時參照第3圖，第3圖是根據本揭露內容之比較例1的改質的金屬奈米片的掃描式電子顯微鏡上視照片。如第3圖所示，由於比較例1的保護劑具有高熱裂解溫度，因此僅經過100 oC的低溫熱處理不僅無法將保護劑去除而提供良好的導電性，且比較例1的銀奈米片無法形成緻密平整的導電膜層。
如表3的結果所示，比較例7和9～15並不包含C6至C12的烷基胺，而比較例7和9～15所包含的第二保護劑具有其結構的碳數太少(例如是二乙胺、正丁胺、乙醇胺)、熱裂解溫度過高(例如是異辛酸、硬脂酸)、或其結構的碳數過多(例如是十二硫醇、十八胺)等疑慮，因此比較例7和9～15的導電銀膜的電阻率均明顯高於1 x10 -6Ω-cm，無法提供良好的導電性。
如表3的結果所示，比較例16和18中的銀奈米片的厚度太大，比較例17中的第二保護劑相對於第一保護劑的重量比例大於100%，使得成膜性不佳，因此比較例16～18的導電銀膜的電阻率均明顯高於1 x10 -6Ω-cm，無法提供良好的導電性。
此外，將包含奈米銀顆粒的導電銀漿料塗層經過高溫熱裂解處理後形成的導電銀膜(比較例19)進行耐彎折測試，將乾燥後的導電銀膜彎折180°(彎折半徑為0.2毫米)，共進行50次的彎折後，觀察導電銀膜的外型以及測量電阻率的改變量。比較例19的導電銀膜的外型產生少許裂紋，而電阻率大幅上升為原始電阻率的2.7倍，顯示導電性經過彎折之後受嚴重破壞。對實施例1的導電銀膜也進行同樣的耐彎折測試後，實施例1的導電銀膜的外型幾乎沒有任何龜裂，且電阻率的數值並未產生變化，顯示實施例的導電銀膜具有良好且穩定的導電性。
雖然本揭露內容以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容。本揭露內容所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可做些許之更動與潤飾。因此本揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100~改質的金屬奈米片； 200~導電銀膜； L1~長度； T1~厚度； W1~寬度。
為讓本揭露內容之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉不同實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下： 第1圖是根據本揭露內容之實施例的改質的金屬奈米片的掃描式電子顯微鏡上視照片。 第2圖是根據本揭露內容之實施例的由導電漿料形成的薄膜的掃描式電子顯微鏡剖面照片。 第3圖是根據本揭露內容之比較例的改質的金屬奈米片的掃描式電子顯微鏡上視照片。
100~改質的金屬奈米片； L1~長度； W1~寬度。

Claims (10)

  1. 一種改質的金屬奈米片，包括：一金屬奈米片，其中該金屬奈米片的一平均寬度為0.3~20微米，且該金屬奈米片的一平均厚度為10~35奈米，其中該金屬奈米片包括銀、銀合金、銅、銅合金、或上述的任意組合；一第一保護劑，設置於該金屬奈米片的一表面上，該第一保護劑包括一含氧高分子，其中該含氧高分子包括聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、或上述的任意組合；以及一第二保護劑，設置於該金屬奈米片的該表面上，該第二保護劑包括一C6至C12的烷基胺，其中該第二保護劑的重量是該第一保護劑的重量的1至100wt%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中相對於100重量份的該金屬奈米片，該改質的金屬奈米片包括0.1~5.0重量份的該第一保護劑。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中相對於100重量份的該金屬奈米片，該改質的金屬奈米片包括0.01~5.0重量份的該第二保護劑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中該C6至C12的烷基胺包括正己胺、正辛胺、異辛胺、正十胺、正十二胺、或上述的任意組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中該金屬奈米片的該平均寬度為1~10微米。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中該金屬奈米片的一平均長度為0.3~20微米，其中該平均長度的延伸方向垂直於該平均厚度的延伸方向、且垂直於該平均寬度的延伸方向。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之改質的金屬奈米片，其中該金屬奈米片的該平均厚度為15~30奈米。
  8. 一種導電漿料，包括：複數個如申請專利範圍第1~7項之任一項所述之改質的金屬奈米片；以及一溶劑，該些改質的金屬奈米片分散於該溶劑中。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之導電漿料，其中該溶劑包括異丙醇、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚醋酸酯、或上述的任意組合。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之導電漿料，其中該導電漿料的固含量為5~80wt%。
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