TWI590262B - 金屬圖案的形成方法及導電體 - Google Patents

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田中貴金屬工業股份有限公司
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Description

金屬圖案的形成方法及導電體
本發明係關於一種於任意基材表面形成金屬圖案的方法。詳細而言，係關於一種使用一分散有以既定保護劑保護之金屬粒子的分散液於低溫下在基材上高效率地形成細微金屬圖案的方法。
隨著半導體裝置的高密度化，以及顯示器、觸控面板的大屏幕化，對於這些設備中所使用的配線。電極電路，需要可大面積地形成比以往更高精細化之圖案的製程。
又，對上述設備的各種要求，迫切地暗示著變更應用材料的必要性。例如，觸控面板的配線圖案目前係使用ITO等透明電極材料，但因面板大型化的要求等而出現ITO無法因應的情況。亦即，為了使面板大型化，必須降低配線的電阻值來以因應配線長度的增加。ITO原本並非低電阻的材料，因此，為了降低電阻值，必須使膜厚增加，但可能因此失去透明度而喪失作為透明電極的意義。又，面板越大型化，則每單位面積輕量化的必要性越高，因此，有人研究將基板材料從以往的玻璃變更為樹脂。然而，在ITO電極的形成步驟中，在基板塗布後必須在300℃左右進行燒結，樹脂基板無法承受此燒結溫度。因此，從輕量化的觀點來看，亦指出ITO的使用有其極限。
其後，由於上述觸控面板的例子等，有人研究應用由銅或銀等金屬所構成之極細‧高密度的高精細圖案來作為各種電極‧配線材料。這些金屬具有良好的導電性，可輕鬆地因應配線圖案的大面積化對電阻值的要求。又，藉由使該等金屬微粒子化以分散於適當溶劑中並進行塗布，可形成任意的形狀‧圖案，塗布後可用較低溫度加熱而凝聚‧燒結，進而形成金屬膜。因此，亦可自廣泛的範圍選擇基板材料。再者，該等金屬雖不透明，但可藉由使其成為超過人類可視區域的微米級細線，而發揮與透明電極同等級的透光性。
在此，金屬圖案的形成方法可見於如專利文獻1及專利文獻2所記載的技術。專利文獻1所記載的方法係使用包含構成圖案之導電材料而被稱為功能液的液體而形成圖案。該方法中，使用具有相對於功能液為親液部的基板，將包含相對於該功能液為撥液性材料之材料的液滴吐出至基板，進行塗布，以形成撥液部，再將功能液吐出至所形成之撥液部之間的親液部，進行塗布，藉此形成導電材料的圖案。
又，在專利文獻2記載的方法中，係使用含有貴金屬微粒子的導電層形成用塗液來形成圖案。該方法係於基板上形成既定圖案的撥水性透明層，將導電層形成用塗液在撥水性透明層之間的空間當中塗布‧乾燥，以形成圖案。又，於基板上形成均勻的撥水性透明層，並於該撥水性透明層表面形成既定圖案的撥水性消失部後，將導電層形成用塗液塗布‧乾燥，以形成圖案。該等技術中，在形成撥水性透明層或撥水性消失部時，可將作為光阻的有機高分子樹脂印刷成預期的圖案形狀並進行蝕刻而形成。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-600號公報
[專利文獻2]日本特開2003-123543號公報
然而，專利文獻1所記載的技術係以所謂的噴墨方式形成撥液部及塗布功能液。噴墨方式係以噴嘴吐出液體，但包含功能液這種導電材料粒子的液體可能會使噴嘴孔堵塞，而難以穩定地形成極細的線狀圖案。又，噴墨方式係藉由噴嘴的移動。掃描來形成預期的圖案，對於金屬圖案，難以達到兼具細微化與大面積化的目的。
又，如專利文獻2記載的技術，一般係以伴隨光阻使用的微影法來形成圖案，僅處理光阻的部分就步驟繁多而無效率，這會成為成本增加的主要原因。
再者，隨著設備等的輕量化，將基材從玻璃或陶瓷等的硬材質變更為樹脂、塑膠等的軟材質，會產生因基板變形而導致金屬圖案剝離‧損傷的疑慮。因此，預期今後會比以往更加要求基材與金屬圖案的結合力。在這一點上，上述以往的金屬圖案形成法雖使基材的圖案形成部成為親液性或親水性，但這是為了使塗布的液體滯留於該部位，並沒有提高液體中的金屬成分與基材之結合性的作用。因此，我們認為，上述以往技術難以得到對於基材的變形具有隨動性這種程度的強固結合。
於是，本發明針對於基材上形成金屬圖案的方法提出了一種 可有效率地製造高精細金屬圖案的方法。此課題的目標係為可在較低的溫度形成金屬圖案，且可與基材強固結合。
在上述以往技術中，使用分散有金屬微粒子的分散液這一點對在低溫實施圖案形成而言是合適的，也可以說，只要使用這種液體，就有助於使基材表面上未形成圖案的部分成為撥水性。問題在於，如何簡單地形成塗布分散液以固定金屬微粒子的區域，以及如何使金屬微粒子與基材的結合力增加大。在此，本案發明人等認為最佳方式係對於基材的處理與分散有金屬微粒子之分散液進行雙向改良，而進行深入研究，進而完成本發明。
亦即，本發明係一種金屬圖案的形成方法，其係在設置於基材上之一部分或整個區域的圖案形成部中形成金屬圖案的方法，其特徵為：該基材係為至少於包含該圖案形成部的表面上具備含氟樹脂層的材料；且該方法包含下述步驟：在該含氟樹脂層表面的圖案形成部形成官能基；將一金屬微粒子分散液塗布於該基材表面；及將該金屬微粒子固定於該圖案形成部的步驟；其中該金屬微粒子分散液係使以第一保護劑之胺化合物與第二保護劑之脂肪酸加以保護的金屬微粒子分散於溶劑而成。
在本發明中，為了可形成高精細的金屬圖案，係具有下述各種特徵：(1)選擇包含具有撥液性之含氟樹脂層的基材；(2)對該基材表面進行既定的處理；(3)使用以將金屬粒子固定於基材的處理液(即金屬微粒子分散液)的構成最佳化。在此，(2)對基材表面進行既定的處理係指使含氟樹脂表面的金屬圖案形成部變質，以形成官能基。接著，如(3)所述，使其 與一包含與既定保護劑結合之金屬粒子的分散液接觸。藉此，金屬粒子之保護劑與基材表面之官能基會在金屬圖案形成部中發生取代反應，金屬粒子會透過官能基而與基材表面結合。另一方面，在本發明中，如(1)說明，係應用具有含氟樹脂層的材料作為基材。因此，無官能基的基材表面會殘留撥液性，故分散液會被彈開。
在本發明中，係藉由金屬粒子對於有以上官能基形成之部位的選擇性鍵結作用，將金屬微粒子分散液塗布展開於基材表面，藉此可形成金屬圖案。相較於噴墨方式這種藉由繪圖形成金屬圖案的方法，這個方法更有效率。又，由於不用光阻，亦可減少步驟。接著，如下所述，可以紫外線照射等形成官能基，故亦容易形成細微的圖案。
以下對本發明的各特徵進行詳細說明。在本發明中，首先，應用表面具有含氟樹脂層的材料作為基材。在此，基材的構成材料並無特別限制。可應用金屬製的基材、或玻璃製、陶瓷製的基材，再者，亦可應用樹脂、塑膠製的基材。如下所述，在本發明中可以在低溫形成金屬圖案，故應用樹脂或塑膠等亦完全無礙。此外，基材上形成金屬圖案的區域，可設置於整個基材，亦可設置於其中一部分，再者，亦可於基材上多處設置。
氟樹脂層也可以是以預先形成於上述各種基材者為對象。又，亦可藉由塗布等方法於無氟樹脂層的基材上形成金屬圖案，來作為金屬圖案形成當中的一個步驟。只要包含圖案形成部，可於整個基材、亦可於其中一部分的面上形成氟樹脂層。含氟樹脂層的厚度並無特別限制。一般來說，0.01μm以上的塗布即可發揮撥液性。厚度上限亦無特別限定，但在要求透明性的情況下，其上限值為5μm左右。
作為含氟樹脂，當含氟樹脂為具有1種或2種以上以含有氟原子之含氟單體為基礎的重複單元的聚合物，是可適用的。又，當含氟樹脂為分別具有1種或2種以上以含氟單體為基礎的重複單元與以不含氟原子之不含氟單體為基礎的重複單元的聚合物，亦是可適用的。再者，本發明之含氟樹脂的其中一部分亦可含有氧、氮、氯等的雜原子。
作為這種含氟樹脂的具體例，可列舉：聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)、四氟乙烯-全氟間二氧雜環戊烯共聚物(TFE/PDD)、具有環狀全氟烷基結構或環狀全氟烷基醚結構的含氟樹脂等。
接著，從撥液性的觀點來看，本發明所使用之含氟樹脂較佳為由下述聚合物所構成的含氟樹脂：關於以構成聚合物之含氟單體為基礎的重複單元，係至少具有1種氟原子數與碳原子數比值(F/C)為1.0以上之重複單元的聚合物。該以含氟單體為基礎之重複單元的F/C值較佳為1.5以上。此外，關於F/C值的上限，從撥液性、取得簡易度的理由來看，F/C值之上限較佳為2.0。又，與此要件相關的含氟樹脂特佳為具有以全氟化合物之單體為基礎的重複單元的全氟樹脂，且為該重複單元之F/C值為1.5以上的全氟樹脂。
又，除了撥液性，亦可考量透明基材的應用及金屬圖案的特性來選擇適當的含氟樹脂。例如，在考慮對用以形成含氟樹脂層之溶劑的可溶性的情況下，較佳係以主鏈具有環狀結構的全氟樹脂來作為含氟樹 脂。又，在要求氟樹脂層具有透明性的情況下，較佳係應用非晶質的全氟樹脂。考量該等特性的較佳含氟樹脂可列舉如：全氟丁烯基乙烯基醚聚合物(CYTOP(註冊商標)：旭硝子股份有限公司)、四氟乙烯-全氟間二氧雜環戊烯共聚物(TFE-PDD)、TEFLON((註冊商標)AF：Du Pont-Mitsui Fluorochemicals股份有限公司)。
再者，在本發明中，需要在氟樹脂層的圖案形成部形成官能基，如下所述，可列舉紫外線照射等來作為用以形成官能基的處理。在這種光能量曝光的操作中，可列舉如以接觸式曝光(contact exposure)作為形成高精細圖案的方法。根據本案發明人等的研究，在本發明中，可藉由選擇含氟樹脂而適當地進行接觸式曝光。其具體要件較佳為於以構成該聚合物之含氟單體為基礎的重複單元中至少包含1個氧原子的含氟樹脂。雖尚未確定其主要原因，但本案發明人等推測，藉由應用含有氧的含氟樹脂，這個氧在曝光過程中會發揮自由基的作用，而有助於官能基形成。該含氧的含氟樹脂可列舉如：全氟丁烯基乙烯基醚聚合物(CYTOP(註冊商標)：旭硝子股份有限公司)、四氟乙烯-全氟間二氧雜環戊烯共聚物(TFE-PDD)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)。
在將氟樹脂層形成於基材時，可對應塗布將含氟樹脂溶解於適當溶劑後所得之物。塗布後可藉由燒結形成含氟樹脂層。含氟樹脂的塗布方法有浸漬、旋轉塗布、滾筒塗布法等，並無特別限定。塗布含氟樹脂後，進行對應樹脂種類的後處理(乾燥處理、燒結處理)，以形成含氟樹脂層。
接著，於基材上的含氟樹脂層表面形成官能基。該官能基係 藉由切斷含氟樹脂的CF鍵所形成的官能基。具體而言，其係形成羧基、羥基、羰基。
在含氟樹脂層表面形成官能基的處理方法有紫外線照射、電暈放電處理、電漿放電處理、準分子雷射照射。該等處理係使含氟樹脂表面發生光化學反應以切斷CF鍵，必須施加適度的能量來處理。對圖案形成部施加的能量較佳約為1mJ/cm2以上4000mJ/cm2以下。例如，若以紫外線照射，較佳為照射波長為10nm以上380nm以下之範圍的紫外線，特佳為照射波長為100nm以上200nm以下之範圍的紫外線。
在含氟樹脂層表面的紫外線照射等之中，一般係進行使用光罩(標線(reticle))的曝光處理。在本發明中的曝光方式可應用非接觸式曝光方式(近接式曝光、投影曝光)與接觸式曝光方式(接觸式曝光)中任一種。在近接式曝光中，遮罩與含氟樹脂層表面的間隔較佳為10μm以下，較佳為3μm以下。
以上述方式，於基材上形成含氟樹脂層以及對圖案形成部進行形成官能基的處理，並使該基材與金屬微粒子分散液接觸。在本發明中，為了適當地形成金屬圖案，而使金屬微粒子分散液的構成為較佳構成。本發明所應用之金屬微粒子分散液，係將結合了既定保護劑而成的金屬微粒子分散於溶劑中。
金屬微粒子相當於所形成之金屬圖案的構成材料。該金屬微粒子較佳為由銀、金、鉑、鈀、銅及該等金屬之合金中至少一種所構成。該等金屬因導電性優異而可用作電極材料。
關於金屬微粒子，其平均粒徑宜為5nm以上100nm以下。為 了形成細微的配線圖案，所要求的粒徑為30nm以下。另一方面，過度細微的金屬粒子因容易凝聚故使用性不佳。
保護劑係一種可抑制金屬微粒子之凝聚‧粗大化而使分散狀態穩定的化學藥劑。金屬微粒子的凝聚‧粗大化不僅是分散液在保存及使用時產生金屬沉澱的主要原因，更不可避免地會影響與基材結合後的燒結特性。又，在本發明中，保護劑亦具有作為標記(marker)的作用，其藉由取代基材(含氟樹脂層)表面的官能基來固定金屬。本發明之金屬粒子的保護劑係用胺作為第一保護劑、並用脂肪酸作為第二保護劑。亦即，在本發明中，係在基本結構不同之2種系統的化合物複合的狀態下保護金屬粒子。
第一保護劑之胺化合物，其碳數的總和較佳為4以上12以下。這是因為胺的碳數會影響金屬粒子的穩定性、形成圖案時的燒結特性。碳數小於4的胺難以使金屬微粒子穩定地存在，進而難以形成均勻的燒結體。另一方面，碳數超過12的胺會過度增加金屬粒子的穩定性，為了形成圖案必須以高溫進行加熱。由此，本發明的保護劑較佳為碳數總和為4以上12以下的胺化合物。
關於作為保護劑之胺化合物當中的胺基數量，可應用具有一個胺基的(單)胺，或具有兩個胺基的二胺。又，與胺基鍵結之烴基的數量較佳為1個或2個，亦即，較佳為1級胺(RNH2)或2級胺(R2NH)。接著，在應用二胺作為保護劑的情況下，較佳為至少1個以上的胺基為1級胺或2級胺。與胺基鍵結的烴基除了是具有直鏈結構或分枝結構的鏈狀烴以外，亦可為環狀結構的烴基。又，其中一部分亦可包含氧。本發明所應用之保護 劑的較佳具體例可列舉如下列胺化合物。此外，第一保護劑之胺化合物亦以調節分散液中金屬粒子的分散性及低溫燒結性為目的而混合‧組合多種胺化合物來加以使用。又，只要是至少包含1種碳數總和為4以上12以下的胺化合物即可，在這種情況下，亦可存在碳數在該範圍以外的胺化合物。
用作第二保護劑之脂肪酸係在分散液中作為胺化合物的輔助性保護劑，以提高金屬微粒子的穩定性。接著，將金屬粒子塗布於基材後，可藉由添加脂肪酸形成均勻膜厚的金屬圖案，這明確地顯現了脂肪酸的作用。藉由與塗布無脂肪酸之金屬微粒子的情況相比較，可明顯地理解該作用，無脂肪酸的金屬微粒子無法形成穩定的金屬圖案。
脂肪酸較佳為碳數4以上20以下的不飽和脂肪酸、飽和脂肪酸。碳數為3以下的不飽和脂肪酸、飽和脂肪酸會使金屬微粒子在分散介質中的分散性降低，故金屬微粒子容易產生凝聚，而難以形成穩定的金屬圖案。另外，在碳數超過20的不飽和脂肪酸、飽和脂肪酸方面，由於一般蒸氣壓較低而難以蒸發，故在形成金屬圖案時無法將其從金屬微粒子充分去除，而會有使金屬圖案的電阻值變高的傾向。
較佳脂肪酸具體可列舉如：丁酸(碳數4)、戊酸(碳數5)、己酸(碳數6)、庚酸(碳數7)、辛酸(碳數8)、壬酸(碳數9)、癸酸(decanoic acid)(別名：十碳酸(capric acid)，碳數10)、十一酸(undecanoic acid)(別名：十一烷酸(undecylic acid)，碳數11)、十二酸(dodecanoic acid)(別名：月桂酸(undecanoic acid)，碳數12)、十三酸(tridecanoic acid)(別名：十三烷酸(tridecylic acid)，碳數13)、十四酸(tetradecanoic acid)(別名：肉豆蔻酸(myristic acid)，碳數14)、十五酸(pentadecanoic acid)(別名：十五烷酸(pentadecylic acid)，碳數15)、十六酸(hexadecanoic acid)(別名：棕櫚酸(palmitic acid)，碳數16)、十七酸(heptadecanoic acid)(別名：珠光脂酸(margaric acid)，碳數17)、十八酸(octadecanoic acid)(別名：硬脂酸(stearic acid)，碳數18)、十九酸(nonadecanoic acid)(別名：十九烷酸(nonadecylic acid)，碳數19)、二十酸(eicosanoic acid)(別名：花生酸(arachidic acid)，碳數20)等的飽和脂肪酸；棕櫚油酸(palitoleic acid)(碳數16)、油酸(oleic acid)(碳數18)、亞麻油酸(linoleic acid)(碳數18)、次亞麻油酸(linolenic acid)(碳數18)、二十碳四烯酸(arachidonic acid)(碳數20)等的不飽和脂肪酸。特別宜為油酸、亞麻油酸、硬脂酸、月桂酸、丁酸。此外，以上所說明的第二保護劑之脂肪酸亦可組合多種來加以使用。又，只要至少包含1種碳數為4以上20以下的不飽和脂肪酸或飽和脂肪酸即可，在這種情況下，亦可有除此以外的脂肪酸存在。
藉由使以上述第一、第二保護劑所保護之金屬微粒子分散於溶劑中，來構成金屬微粒子分散液。在此，可應用的溶劑為有機溶劑，例如醇、苯、甲苯、烷烴等。可混合該等溶劑。溶劑較佳為己烷、庚烷、辛 烷、壬烷、癸烷等的烷烴；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇等的醇；更佳為選自該等溶劑中的1種或2種以上之醇與1種或2種以上之烷烴的混合溶劑。
分散液之金屬粒子的含量較佳為金屬質量相對於分散液質量為20重量%以上60重量%以下。在分散液之金屬微粒子的含量小於20%的情況下，無法於圖案形成部形成可確保充分導電性之均勻膜厚的金屬圖案，則金屬圖案的電阻值會變高。在分散液之金屬微粒子的含量超過60%的情況下，因金屬微粒子的凝聚‧粗大化而難以形成穩定的金屬圖案。由此，本發明之分散液的金屬粒子的含量較佳為金屬質量相對於分散液質量為20重量%以上60重量%以下。
關於分散液中保護劑的含量，在第一保護劑之胺化合物方面，分散液中胺之莫耳數(mol胺)相對於金屬之莫耳數(mol金屬)的比(mol胺/mol金屬)較佳為0.01以上0.32以下。又，在第二保護劑之脂肪酸的含量方面，脂肪酸之莫耳數(mol脂肪酸)相對於金屬之莫耳數(mol金屬)的比(mol脂肪酸/mol金屬)較佳為0.001以上0.05以下。分散液中保護劑的含量即使超過上述較佳範圍，亦不會對金屬粒子的分散性產生影響，但過剩的保護劑會影響金屬粒子的低溫燒結製程及所形成之金屬圖案的電阻值，故較佳為上述範圍。此外，關於上述保護劑的莫耳數，在使用多種胺化合物、脂肪酸的情況下，分別使用總莫耳數。
將以上所說明之金屬微粒子分散液塗布於具有含氟樹脂層的基材上。金屬微粒子分散液的塗布可應用浸漬、旋轉塗布、滾筒塗布法，亦可使用刀片、刮刀、刮勺等塗布構件在將金屬微粒子分散液滴下後將其 塗布展開。本發明預先於圖案形成部形成了用以選擇性固定金屬粒子的官能基，並迅速地塗布展開分散液，藉此可有效率地形成圖案。
在無官能基之含氟樹脂的材料表面，金屬微粒子分散液會因其具有撥液性而被彈開。在使用刀片等塗布構件的情況下，會從基材表面去除被彈開的分散液。另一方面，在形成有官能基的圖案形成部中，會發生金屬微粒子的保護劑與金屬粒子的取代反應，使金屬微粒子被固定於基材上。之後，分散液的溶劑揮發，同時基材上的金屬微粒子彼此自我燒結而成為金屬膜，進而形成金屬圖案。
該自我燒結係在室溫亦會發生的現象，故在形成金屬圖案時，加熱基材並非必要步驟。然而，可透過對自我燒結後的金屬圖案進行燒結，而將殘留於金屬膜中的保護劑(胺化合物、脂肪酸)完全去除，藉此達到降低電阻值的目的。較佳為以40℃以上250℃進行該燒結處理。若小於40℃，則保護劑的脫離或揮發需要花費較長時間，故不佳。又，若超過250℃，則成為樹脂基材等變形的主要原因。燒結時間較佳為10分鐘以上120分鐘以下。此外，燒結步驟可在大氣環境下進行，亦可在真空環境下進行。
藉由前述金屬微粒子分散液的塗布、金屬微粒子的自我燒結、及因應需求進行的燒結，形成了由金屬所構成的金屬圖案。
接著，於基板上具有藉由本發明之方法所形成之金屬圖案的導電體係成為具備高精細度且具有較佳電特性的金屬圖案。亦即，本發明之導電體係包含：基材，於其一部分或整個區域設置有圖案形成部；氟樹脂層，其係形成於該基材中至少包含該圖案形成部的表面上；及金屬圖案，其係藉由將金屬微粒子固定於該氟樹脂層的該圖案形成部上而形成，且該 圖案形成部上形成有官能基。
特別是在基材由透明體所構成的情況下，具有高精細度之金屬圖案的本發明之導電體可作為透明導電體，而可期待應用於顯示器、觸控面板。
根據本發明之金屬圖案形成方法，可有效率地形成高精細的金屬圖案。該金屬圖案係以金屬膜所形成，故電阻值亦較低，適合用作電極‧配線。在本發明中，對基材形成官能基後，可用塗布‧印刷這類較簡易的步驟讓金屬微粒子分散液形成金屬圖案。本發明的方法比一般使用光阻的微影法更加簡便、又比噴墨方式更有效率。
接著，根據本發明，可形成細微且具高解析度的金屬圖案。該金屬圖案可發揮與透明電極同等級的透光性。於是，亦可在透明基材上應用本發明之金屬圖案形成方法來製造透明導電體。
第一圖係顯示第一實施型態所形成之金屬圖案的外觀的圖像。
第二圖係顯示從基板背面測定關於第一實施型態之金屬圖案時其界面中的拉曼光譜(raman spectrum)的圖。
第三圖係顯示在第二實施型態中，藉由以各種脂肪酸作為保護劑之金屬粒子(銀粒子)所形成之金屬圖案的外觀的圖像。
第一實施型態：以下說明本發明之較佳實施型態。本實施型 態中，進行含氟樹脂層形成及官能基形成作為基材的前處理，同時製造分散有銀微粒子作為金屬粒子的分散液，並塗布分散液，形成金屬圖案。
[基材的準備、含氟樹脂層的形成]
準備由聚萘二甲酸乙二酯所構成的樹脂基板(尺寸：20mm×20mm)作為基材。將作為含氟樹脂之非晶質性全氟丁烯基乙烯基醚聚合物(CYTOP(註冊商標)：旭硝子股份有限公司製)以旋轉塗布法(旋轉數2000rpm，20sec)塗布於該樹脂基板後，於50℃加熱10分鐘，接著於80℃加熱10分鐘，更進一步以烘箱於100℃加熱60分鐘進行燒結。藉此形成1μm的含氟樹脂層。
[基材前處理]
接著，使格狀圖案(線寬3μm、線間隔50μm)的光罩與形成有該含氟樹脂層的基板密合，並對其照射紫外線(VUV光)(遮罩-基板間零距離的接觸式曝光)。以波長172nm、11mW/cm-2的條件照射VUV光20秒。
[銀微粒子分散液的製造、塗布]
關於銀微粒子分散液的製造，銀粒子係藉由以銀錯合物為前驅物的熱分解法所製造。該熱分解法係以草酸銀(Ag2C2O4)等具有熱分解性的銀化合物為初始原料，使銀化合物與保護劑進行反應而形成銀錯合物，並將其作為前驅物進行加熱以使其分解，藉此得到銀粒子。
在本實施型態中，係以草酸銀為原料來製造銀粒子。將N,N-二甲基-1,3-二胺基丙烷作為保護劑的胺揉合至預先以癸烷濕潤的草酸銀中，製造作為前驅物的草酸銀胺錯合物。相對於銀，N,N-二甲基-1,3-二胺 基丙烷的添加量為0.76(mol/mol)。在此，再添加己胺及十二胺兩種胺化合物後，添加油酸作為第二保護劑並進行揉合。相對於銀，己胺的添加量為1.14(mol/mol)；相對於銀，十二胺的添加量為0.095(mol/mol)；相對於銀，油酸的添加量為0.012(mol/mol)。此外，在N,N-二甲基-1,3-二胺基丙烷之後追加己胺及十二胺，係為了補強N,N-二甲基-1,3-二胺基丙烷對銀粒子的保護作用以抑制凝聚。
之後，於110℃加熱攪拌揉合物以分解錯合物。藉由該加熱攪拌，揉合物逐漸從奶油色變成褐色，最後變成黑色。又，加熱攪拌中產生氣泡(二氧化碳)，在氣泡消失的時間點反應結束。
反應結束後，加入甲醇進行攪拌，進行離心分離並去除上清液。對該甲醇進行清洗，得到黑色的銀微粒子。藉由該清洗及離心分離，可從銀微粒子去除過剩的胺化合物，得到包含較佳範圍之保護劑的銀粒子。
接著，於銀微粒子中添加辛烷與丁醇的混合溶劑(辛烷：丁醇=4：1)，得到銀微粒子分散液。使該銀微粒子分散液的銀濃度為40重量%。
將以上所製造之銀微粒子分散液塗布於經前處理之基板上。塗布係預先使分散液在基板與刀片(玻璃製)的接觸部分暈開後，使刀片在一方向上進行刮掃。在此，使刮掃速度為2mm/sec。藉由該刀片所進行的塗布，確認分散液僅附著於基板的紫外線照射部(官能基形成部)。使該分散液於室溫(25℃)下自然乾燥以形成金屬圖案。
觀察所形成之金屬圖案的外觀。其結果顯示於第一圖，可知本實施型態中形成由線寬明確為3μm的銀膜所構成的圖案。
接著，藉由顯微拉曼光譜分析研究基板表面之金屬圖案形成部的元素鍵結狀態。此分析係從基板的背面對基板表面的金屬圖案照射雷射光(波長：532nm)，來測定‧解析銀粒子層與含氟樹脂層之界面的拉曼光譜，以研究界面中的化學物種。第二圖係顯示從基板背面照射雷射所顯示之界面的拉曼光譜。根據該圖，從背面照射所測定的拉曼光譜中，可觀察到在1370cm-1附近及1570cm-1附近的振動結構，這是在預先測定從基板表面進行雷射照射的情況中未曾觀察到的特殊振動結構。我們認為該振動結構係源自COO鍵。因此，在本實施型態中，可確認於含氟樹脂層表面形成了羧基作為官能基。
接著，測定該金屬圖案的電阻值，面電阻為280Ω/□、體積電阻為68μΩ．cm。關於該電阻值，相較於觸控面板屏膜所使用的之透明導電膜一般要求的電阻值基準範圍(200Ω/□以上400Ω/□以下)，本實施型態係可充分作為電氣配線使用的值。
又，於80℃加熱該基板以燒結金屬圖案。接著，同樣測定電阻值，面電阻為66Ω/□，體積電阻為16μΩ．cm，可確認電阻值有降低。
第二實施型態：在此，以其他銀化合物為初始原料並藉由熱分解法製造銀粒子，使用其分散液形成金屬圖案。銀粒子的製造，使用碳酸銀代替第一實施型態中的草酸銀。與第一實施型態同樣地將N,N-二甲基-1,3-二胺基丙烷揉合至乾燥狀態的碳酸銀中，製造作為前驅物的碳酸銀胺錯合物。之後，與第一實施型態同樣地添加己胺及十二胺與油酸並進行揉合。各胺化合物、油酸的混合量(混合比)與第一實施型態相同。之後，於110℃加熱攪拌揉合物以分解錯合物，進行離心分離‧洗淨以得到銀微粒 子。於該銀微粒子中添加辛烷與丁醇的混合溶劑(辛烷：丁醇=4：1)，得到銀微粒子分散液。亦使該銀微粒子分散液的銀濃度為40重量%。
對於進行與第一實施型態相同前處理的基板，以相同的條件塗布所製造之銀微粒子分散液，以形成金屬圖案。關於本實施型態所形成之金屬圖案的電阻值，面電阻為300Ω/□，體積電阻為80μΩ．cm。於80℃加熱該基板以燒結金屬圖案時的電阻值，面電阻為80Ω/□，體積電阻為20μΩ．cm。因此，確認第二實施型態所形成之該等金屬圖案亦可用作電氣配線。
第三實施型態：在本實施型態中，係針對銀微粒子分散液的保護劑，而對與胺一同構成保護劑的脂肪酸的技術意義進行研究。在第一實施型態的銀微粒子分散液的製造步驟中，添加其他脂肪酸(硬脂酸、丁酸、丙酸)來代替油酸的添加、或不添加脂肪酸而製造銀粒子，進而製造分散液。之後，對於進行與第一實施型態相同前處理的基板，以相同的操作塗布銀微粒子分散液，並進行乾燥‧燒結以形成金屬圖案。之後觀察基板表面，確認有無形成圖案。
該結果顯示於第三圖。由第三圖可知，不添加脂肪酸作為銀微粒子之保護劑的情況，雖從遠距離來看有形成金屬圖案，但放大來看則可見銀粒子的凝聚。此狀態實質上相當於產生斷線，電阻值會變得極大。又，即使使用碳數小的脂肪酸即丙酸(碳數3)作為保護劑，亦會出現相同的現象。相對於此，藉由調整脂肪酸的碳數而使用油酸、硬脂酸、丁酸，會使金屬圖案變得更鮮明，而進行形成穩定的銀膜。因此，在形成金屬圖案這種金屬微粒子分散液之用途時，確定必須應用脂肪酸來作為銀微粒子的保護劑。
第四實施型態：在本實施型態中，製造應用各種金屬作為金屬圖案之構成材料的金屬微粒子分散液，並將其塗布於基板，以形成金屬圖案。
金屬微粒子分散液的製造，係準備鉑、鈀、金、銅的金屬鹽原料，使原料溶解於溶劑(甲苯或乙醇)並添加胺(己胺或癸胺)作為第一保護劑，再者，添加還原劑(氫硼化鈉)以還原金屬離子，製造分散有胺保護金屬微粒子的混合溶液。接著，從該混合溶液分離回收金屬微粒子並清洗後，加入預先添加第二保護劑(即油酸)的甲苯，以製作金屬微粒子分散液。
將該金屬微粒子分散液塗布於基板。基板的構成、前處理內容、塗布方法係與第一實施型態相同。在本實施型態中，亦藉由分散液的塗布來確認分散液僅附著於基板的官能基形成部。接著，使該分散液在室溫(25℃)下自然乾燥以形成金屬圖案。對於所形成之金屬圖案進行其外觀的觀察並測定圖案的線寬。又，測定所形成之金屬圖案的電阻值。在熱處理(80℃)前後進行測定，400Ω/□以下為合格「○」。關於藉由各金屬微粒子分散液所形成之金屬圖案的結果顯示於表2。
由表1可確認，亦可從鉑、鈀、金、銅的金屬微粒子溶液形 成與銀相同的較佳金屬圖案。該等金屬圖案的線寬亦夠小，電阻值亦為合格。
[產業上的可利用性]
如以上所說明，根據本發明，可有效率地形成極精細的金屬圖案。本發明，除了可用於各種半導體元件的電極‧配線形成以外，亦可有效應用於要求透光性的觸控面板之面板表面的配線形成。

Claims (8)

  1. 一種金屬圖案的形成方法，其係在設置於基材上之一部分或整個區域的圖案形成部中形成金屬圖案的方法，其特徵為：該基材係為至少於包含該圖案形成部的表面上具備含氟樹脂層的材料；且該方法包含下述步驟：在該含氟樹脂層表面的圖案形成部形成羧基、羥基、羰基中至少一種的官能基；將一金屬微粒子分散液塗布於該基材表面，其中該金屬微粒子分散液係使以第一保護劑之至少包含1種碳數4以上12以下的胺化合物與第二保護劑之脂肪酸加以保護的金屬微粒子分散於溶劑而成；其中第二保護劑之脂肪酸的含量係脂肪酸之莫耳數(mol脂肪酸)相對於金屬之莫耳數(mol金屬)的比(mol脂肪酸/mol金屬)為0.001以上0.05以下；及將該金屬微粒子固定於該圖案形成部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬圖案的形成方法，其中，該含氟樹脂層係至少具有1種氟原子數與碳原子數比值(F/C)為1.0以上之重複單元的聚合物所構成，其係以前述重複單元作為一種以構成該聚合物之含氟單體為基礎的重複單元。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之金屬圖案的形成方法，其中於該在該含氟樹脂層表面形成官能基的步驟中，係對該含氟樹脂層表面的圖案形成部施加1mJ/cm2以上4000mJ/cm2以下的能量。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之金屬圖案的形成方法，其中該第二保護劑之脂肪酸係至少包含1種碳數4以上20以下的脂肪酸。
  5. 如申請專利範圍第6項所述之金屬圖案的形成方法，其中該脂肪酸係包含油酸、硬脂酸、亞麻油酸、月桂酸、丁酸中至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1或2項中任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中該金屬微粒子分散液的溶劑係為碳數3以上8以下的醇溶劑、碳數6以上10以下的烴溶劑或該等的混合溶劑。
  7. 如申請專利範圍第1或2項中任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中更包含下列步驟：將該金屬微粒子固定於該圖案形成部後，將該基材加熱至40℃以上250℃以下。
  8. 如申請專利範圍第1或27項中任一項所述之金屬圖案的形成方法，其中該金屬微粒子係由銀、金、鉑、鈀、銅及該等金屬的合金中至少一種所構成。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018181436A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 株式会社タッチパネル研究所 導電性フィルムの製造方法および導電性フィルム
CN110832660B (zh) 2017-05-17 2023-07-28 Oti照明公司 在图案化涂层上选择性沉积传导性涂层的方法和包括传导性涂层的装置
JP6496775B2 (ja) * 2017-05-18 2019-04-03 田中貴金属工業株式会社 金属配線を備える導電基板、及び、該導電基板の製造方法
EP3663087A4 (en) 2017-08-04 2021-04-21 Daikin Industries, Ltd. SUBSTRATE INTENDED FOR PATTERN FORMATION
JP6530019B2 (ja) 2017-08-08 2019-06-12 田中貴金属工業株式会社 金属インク
JP6496784B2 (ja) * 2017-08-08 2019-04-03 田中貴金属工業株式会社 導電シート及び該導電シートの製造方法
WO2019131290A1 (ja) * 2017-12-25 2019-07-04 Ａｇｃ株式会社 金属パターン付き基材の製造方法
WO2020027166A1 (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 旭化成株式会社 導電性フィルム、並びに、それを用いた導電性フィルムロール、電子ペーパー、タッチパネル及びフラットパネルディスプレイ
JP7320515B2 (ja) * 2018-08-30 2023-08-03 田中貴金属工業株式会社 低温焼成用の銀インク
JP7120890B2 (ja) * 2018-11-16 2022-08-17 田中貴金属工業株式会社 金属配線を備える導電基板及び該導電基板の製造方法、並びに金属配線形成用の金属インク
TWI698507B (zh) 2018-12-06 2020-07-11 財團法人工業技術研究院 改質的金屬奈米片及包括其之導電漿料
JP7291553B2 (ja) 2019-06-20 2023-06-15 田中貴金属工業株式会社 金属パターンの形成方法
JP7365491B2 (ja) 2020-03-24 2023-10-19 富士フイルム株式会社 金属パターンの形成方法
TWI774439B (zh) 2020-07-03 2022-08-11 日商田中貴金屬工業股份有限公司 耐彎折性優異之金屬配線及導電薄片以及為形成該金屬配線之金屬糊
JP2023093144A (ja) * 2021-12-22 2023-07-04 田中貴金属工業株式会社 導電性積層体及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07207450A (ja) * 1994-01-13 1995-08-08 Nitto Denko Corp フッ素樹脂製部分メッキ多孔質シートの製法
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
JP3864211B2 (ja) * 2000-11-07 2006-12-27 独立行政法人産業技術総合研究所 真空紫外レーザーを用いたフッ素系高分子成型品の表面改質方法
JP2003123543A (ja) 2001-10-11 2003-04-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材及びその製造方法
US6967159B2 (en) 2002-08-28 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines
JP2004296424A (ja) * 2003-03-11 2004-10-21 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 金属層の形成方法、金属層、及び金属層を用いた表示装置
JP2005227718A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Daikin Ind Ltd 微細パターン形成方法
JP2009000600A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Seiko Epson Corp パターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法
CN102019267B (zh) * 2010-11-15 2013-04-17 北京二七轨道交通装备有限责任公司 金属表面防护处理方法和系统
JP5850320B2 (ja) * 2011-12-26 2016-02-03 株式会社豊田中央研究所 表面被覆金属ナノ粒子およびその製造方法

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