KR20150032487A - 금속 산화물 에칭액 조성물 및 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
[과제] 반도체 소자나 평면 디스플레이(FPD)등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 에칭하기 위한 에칭액 조성물에서, 실용적인 에칭 속도로 제어 가능하며, 또한 Zn의 용해성이 높고, 사용 중의 조성 변동이 적기 때문에, 오랜 액 수명이 실현되는 에칭액 조성물을 제공한다.
[해결 수단] 반도체 소자나 FPD등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 미세 가공할 수 있고, 할로겐 수소산이나 과할로겐산 등을 제외하고, 그 해리단 중 어느 것에서의 25℃의 산해리정수 pKan이 2.15 이하인 염기산 중 적어도 1종과 물을 포함하고, 25℃의 pH가 4 이하인 에칭액 조성물 및 그 에칭액 조성물을 이용하는 에칭 방법.
[해결 수단] 반도체 소자나 FPD등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 미세 가공할 수 있고, 할로겐 수소산이나 과할로겐산 등을 제외하고, 그 해리단 중 어느 것에서의 25℃의 산해리정수 pKan이 2.15 이하인 염기산 중 적어도 1종과 물을 포함하고, 25℃의 pH가 4 이하인 에칭액 조성물 및 그 에칭액 조성물을 이용하는 에칭 방법.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 평판 패널 디스플레이(FPD) 등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 금속 산화물의 에칭액 조성물 및 그 에칭액 조성물을 이용하는 에칭 방법에 관한 것이다.
최근, 전자 기기의 소형화, 경량화 및 저소비 전력화가 진행되는 가운데 FPD의 분야에서는, 초박막 트랜지스터(TFT)의 채널 재료로서, 기존 대형 TV용 액정 패널(LCD) 등에 널리 이용되는 비결정질 실리콘(a-Si), 소형 고화질 LCD나 유기 EL 디스플레이(OELD) 등에서 사용되는 저온 폴리 실리콘(LT p-Si)에 대체되는 산화물 반도체의 도입이 검토되고 있다. 또, 이 산화물 반도체는 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)으로 구성되는 IGZO이 실용화되고 있다. IGZO는 저온에서 성막한 비결정 상태에서도 높은 전자 이동도(~10cm2/(V·s), 뛰어난 구동 안정성, 균일성을 나타낸다. 또, 200℃ 이하에서 성막을 할 수 있기 때문에, 플라스틱 기판상에 성막이 가능하고, OELD의 TFT의 채널 재료로 이용하여, 플렉시블 디스플레이의 실현이 가능한 것으로 비 특허 문헌 1에 나타나 있다.
또, LCD나 OELD의 투명 전극에는 기존 산화 인듐 주석(In-Sn-O)계의 ITO가 사용돼 왔고 FPD의 대형화와 시장 확대에 따라 수요가 늘고 있다. In은, Zn의 부산물이고 수요의 급증에 대응하기 어려우며 가격이 안정되지 않으므로, In을 함유하지 않거나 또는 함유량을 저하시킨 투명 전극의 개발도 진행되고 있고, Zn을 함유한 산화 인듐 아연(In-Zn-O)계 화합물(IZO), 산화 알루미늄 아연(Al-Zn-O)계 화합물(AZO), 산화 아연(Zn-O)화합물(ZnO)이 제안되고 있다.
또, 산화물 반도체는 특성에 따라 태양 전지의 재료 및 발광 다이오드 재료, 와이드 밴드 갭 재료, 저항 변화 메모리 재료에 대한 응용이 기대되고, IGZO 등의 Zn을 함유하는 산화물 반도체는 많은 용도가 있는 매우 주목되는 재료이다.
이들 금속 산화물을 전자 디바이스의 전극, 반도체 소자 등의 미세 전자 부품으로서 사용할 때는 유리와 플라스틱 기판상에 스퍼터 법에 의해 성막하고, 필요한 패턴을 형성할 필요가 있다. 특히 전자 디바이스의 미세화, 고성능화에 따라 형성하는 패턴 치수(Critical Dimension;CD)도 정밀하게 제어할 필요가 있으므로 미세 가공 기술이 매우 중요하다고 생각되고 있다.
미세 패턴을 형성하는 기술은 리액티브 이온 에칭(RIE) 등의 건식 에칭을 들 수 있고, 탄화 수소를 포함한 에칭 가스를 이용해 건식 에칭 찌꺼기를 발생시키지 않고 IGZO을 에칭하는 방법이 특허 문헌 1 및 2에 제안되고 있다. 건식 에칭은 플라스마 중에 생성되는 화학적으로 활성인 이온이 직진성을 가지고 있기 때문에, 피 가공물 표면에 대해 수직으로 입사하고 포토 레지스트 등의 마스크 패턴에 충실한 패턴 치수를 얻을 수 있기 때문, 미세 가공에 적합하다.
그러나, 건식 에칭은 비싼 진공 장치와 고주파 발생 장치가 필요하기 때문에 비용 면에서 불리하며 플라스마 상태의 이온이 기판 등에 타격을 줄 수가 있다. 또한, 가공 후의 패턴 단면이 기판에 대해 수직 또는 수직에 가까운 형상이므로 그 후 상층에 SiO2 등의 절연막으로 패턴을 피복할 때 절연 피막 간에 틈새의 발생 및 피복성 악화가 예상된다. 그래서 가공 후의 패턴 형태는 가급적 CD를 유지하고 어느 정도의 테이퍼 형상이 요구되는 경우가 많고 건식 에칭에서는 제어가 곤란하다.
또, 미리 레지스트 패턴을 형성하고, 그 위에 스퍼터 법으로 이들 산화물 반도체를 전면에 성막하고, 그 뒤 레지스트를 제거함으로써 개방된 부분의 재료를 남기는 리프트 오프 법에 의한 패턴을 형성하는 방법이 비 특허 문헌 2,3,4 및 5에 제안되고 있다.
그러나, 리프트 오프 법은 고온에서 포토 레지스트가 녹아 변형되어 버린다는 문제가 있다. 또, 포토 레지스트를 제거할 때 산화물 반도체 패턴 끝이 말려 올라가 그 후 패턴 끝에 이르는 배선이 단선되기 쉽고, 수율이 낮다는 문제도 있다. 게다가, 리프트 오프 이후에도 레지스트 조각이 잔류하고, 기판을 오염시키는 문제가 있다.
한편, 화학 물질의 함유 성분에 의해 산화 환원과 착 형성 등의 화학 반응을 이용한 습식 에칭은 에칭액과 피 가공물을 접촉시키기 위한 에칭 탱크나 샤워 에칭 장치 등의 비교적 저렴한 처리 장치로 패턴을 형성할 수 있고, 에칭액의 성분, 처리 조건(온도, 시간), 처리 방법(침지시의 에칭액의 유동, 기판의 요동, 샤워에 의한 분무 등)를 최적화하는 것으로, 건식 에칭과 비교해 쉽게 패턴을 형성할 수 있다.
또, 습식 에칭은, 대부분 건식 에칭과 달리 포토 레지스트 등의 마스크 패턴 하부에도 에칭액이 스며들면서 진행하는 등방성 에칭 때문에 에칭 후의 단면을 테이퍼 형상으로 할 수 있다.
기존 LCD나 OELD 등의 FPD의 TFT와 전극 형성에는 대부분의 경우 습식 에칭이 이용되며, ITO 등의 투명 전극이나 산화물 반도체의 패턴 형성에도 많은 에칭액이 사용되고 있다.
ITO의 에칭액으로서, 특허 문헌 3에는 발포성을 억제하여 에칭 잔사의 발생 억제를 목적으로, 옥살산에 폴리 술폰산 화합물 및/또는 폴리옥시에틸렌-폴리옥시 프로필렌 블록 혼성 중합체를 첨가한 에칭액이, 특허 문헌 4에는 옥살산과 알칼리성 화합물을 포함한 에칭액이, 특허 문헌 5에는 옥살산에 나프탈렌 술폰산 응축물과 모노 에탄올 아민 또는 황산을 포함한 에칭액이 기재되어 있다. 옥살산을 포함하지 않는 ITO 에칭액으로서, 특허 문헌 6에는 2-히드록시 에탄 술폰산과 불소 화합물을 포함한 에칭액이, 또 특허 문헌 7에는 황산과 질산과 에칭 조정제를 혼합한 에칭액이, 또 Zn과 In을 포함한 금속 산화물의 에칭액으로서, 특허 문헌 8에는 불산 염산 및 인산 중의 하나와 아세트산을 포함한 산화 아연계의 에칭액이 기재되어 있다.
또 산화 인듐, ITO 및 IZO 등의 에칭액으로서, 특허 문헌 9에는 옥살산과 황산염을 포함한 에칭액이 기재되어 있다. 특허 문헌 10에는 옥살산의 부분 중화물 또는 완전 중화물을 포함하는, 산화 아연계 재료를 대상으로 한 에칭액이 기재되어 있다. ITO 또는 IZO의 에칭액으로서, 특허 문헌 11에는 옥살산과 염산과 계면 활성제를 포함한 에칭액이 기재되어 있다.
또 ITO, IZO 등의 에칭액으로서, 특허 문헌 12에는 암모니아와 과산화 수소를 포함한 알칼리성 에칭액이 기재되어 있다. IGZO의 에칭액으로서는, 특허 문헌 13에 아세트산, 구연산, 염산 또는 과염소산 중 1종을 포함한 에칭액이 기재되어 있다.
三浦建太郞, 上田知正, 山口一, 東芝レビュ-, Vol.67, 1, 2012, p.34-37
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본 발명의 목적은 In을 포함한 금속 산화물 또는 In과 Zn을 포함한 금속 산화물에 미세 패턴을 형성할 때 사용할 수 있는 에칭액을 타깃으로 하여, 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있고, Zn의 용해성이 높고, 사용 중의 조성 변동이 적고, 긴 액 수명이 실현될 수 있는 새로운 장르의 에칭액을 제공하는 데 있지만, 이 목적은 상기의 기존 기술에서는 다음과 같은 여러 문제가 있기 때문에 도저히 달성할 수 없는 것을 본 발명자들은 인식했다.
예를 들면, 전술한 특허 문헌 3~5에는 피 가공물로 ITO만 대상으로 하고 있고 Zn을 포함한 금속 산화물의 에칭에 대해서도 게시하지 못하므로, 옥살산을 주성분으로 한 에칭액은, Zn의 용해성이 낮아, 일단 용해된 Zn이 일정 기간 방치 후에 애칭액 중에 다시 석출되는 현상이 발생하는 등의 문제가 있다. 대형 기판을 이용해 전자 기기를 제조하는 양산 공장에서는, 이러한 에칭액을 이용하는 경우 자주 액 교환이나 석출된 Zn의 제거 등의 정비가 필요해 작업성 악화와 함께 비용 면에서도 불리하게 된다.
또 옥살산을 포함하지 않는 ITO 에칭액을 게시하는 상기 특허 문헌 6은, 불소 화합물을 사용하기 때문에, 유리 기판을 이용한 디바이스에서는 유리에 타격이 우려된다. 또, 황산과 질산을 혼합한 에칭액을 기재하는 상기 특허 문헌 7에서는 Zn을 함유한 금속 산화물에 적용했을 경우, 에칭 속도가 너무 빨라 미세 패턴으로의 적용이 어려워진다.
한편, Zn과 In을 포함한 금속 산화물의 에칭액을 게시하는 상기 특허 문헌 8에는 불산 염산 및 인산 중의 하나와 아세트산을 포함한 산화 아연계의 에칭액이 기재되어 있지만 증기 압력이 높은 아세트산을 이용하고 있어 사용 중에 아세트산의 증발에 의해 조성 변동이 심해 에칭 특성을 유지하기 어렵다.
또 상기 특허 문헌 11에 표시되어 있는 옥살산과 염산과 계면 활성제를 포함한 에칭액은 염산을 포함하고 있기 때문에 Zn을 포함한 금속 산화물의 용해성이 현저히 향상되지만, 에칭 속도가 너무 빠르고 제어가 어려워져 미세 패턴으로의 적용이 어려워진다. 또, 염산은 염화 수소 가스를 발생하기 때문에 에칭 장치 등의 공장 내 설비의 에칭이 우려된다.
상기 특허 문헌 12에 표시되어 있는 알칼리성 에칭액에서는, 암모니아의 증발과 과산화수소수의 분해에 의해 조성이 변동되기 쉬우므로 잦은 액 교환이 필요하다.
IGZO에 대한 아세트 산, 구연산, 염산 또는 과염소산 중 1종을 포함한 에칭액를 게시하고 있는 상기 특허 문헌 13에서, 아세트산 또는 구연산 수용액에서는 IGZO의 에칭 속도가 지나치게 작은데 대해, 염산 또는 과염소산 수용액에서는 IGZO의 에칭 속도가 지나치게 커서 실용적이지 않다.
이런 기존 기술은 이에 도달하지 못한다는 것을 인식하기에 이르렀다. 따라서 본 발명의 목적은 반도체 소자 및 FPD 등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 이용되는, In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 에칭하기 위한 에칭액 조성물에서, 각 금속 산화물을 동일 조성으로, 실용적인 에칭 속도로 제어 가능하고, Zn의 용해성이 높고, 사용 중의 조성 변동이 적기 때문에, 긴 액체 수명을 가능하게 하는 에칭액 조성물을 새로 제공하는 데 있다.
전술한 과제를 해결하려고 열심히 연구하는 가운데, 본 발명자들은 할로겐 수소산 및 과할로겐산을 제외한 n(n은 1 이상의 수)가의 염기산에 대한 해리 단을 제n단으로 했을 때, 해리단의 산의 특정 pKan값과, 에칭액 조성물의 특정 pH값과의 조합이, 반도체 소자 및 FPD 등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 미세 가공하는데 최적화되고 액 수명의 장기화와 장치 등 주변 재료의 에칭을 방지할 수 있음을 발견하고 연구를 진행한 결과 이 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 다음 사항.
[1] 인듐(In)을 포함한 금속 산화물 또는 아연(Zn)과 In을 포함한 금속 산화물을 에칭하기 위한 에칭액 조성물에 있어서, 적어도 1종의 염기산 및 물을 포함하고, 염기산 해리단 중 어느 것에서의 25℃의 산해리 정수 pKa가 2.15 이하이며, 25℃의 수소 이온 농도 pH가 4이하인(단, 할로겐화 수소산과 과할로겐산, KNO3, CH3COOK, KHSO4, KH2PO4, K2SO4, K2HPO4 또는 K3PO4를 포함한 에칭액 조성물 및 염기산이 옥살산인 경우에, 폴리술폰산 화합물, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 혼성 중합체, 나프탈렌 술폰산 축합물, 수산화 사급 암모늄류, 알칼리 금속류의 수산화물, 알칸올 아민류(다만, 트리에탄올아민 제외), 히드록실 아민류, 황산 암모늄, 아미도 황산 암모늄 및 티오 황산 암모늄으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함한 에칭액 조성물을 제외) 에칭액 조성물.
[2] 금속 산화물이, 알루미늄, 갈륨 및 주석으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소를 더 포함하는,[1]에 기재된 에칭액 조성물.
[3] 염기산이 무기산, 술폰산염 또는 옥살산인, [1] 또는 [2]에 기재된 에칭액 조성물.
[4] 무기산이 황산, 아미도 황산, 과산화 황산, 인산, 아인산, 하이포 아인산 또는 질산인, [3]에 기재된 에칭액 조성물.
[5] 술폰산이 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 파라 톨루엔 술폰산, 캠퍼 술폰산 또는 나프탈렌 술폰산 포름 알데히드 축합물인, [3]에 기재된 에칭액 조성물.
[6] In을 포함한 금속 산화물로 이루어진 층 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물로 이루어진 층의 깊이 방향에 대한 에칭 속도가 모두 200nm/분 이하인[1]~[5]중 하나에 기재된 에칭액 조성물.
[7] 아세트산을 포함하지 않는, [1]~[6]의 하나에 기재된 에칭액 조성물.
[8] 수용성 유기 용제를 더 포함하는, [1]~[7]중 하나에 기재된 에칭액 조성물.
[9] [1]~[8]중 하나에 기재된 에칭액 조성물을 이용하여 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판을 에칭하는 방법.
[10] [9]에 기재된 방법으로 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판이 에칭되어 얻어진, 배선 기판.
[11] [1]~[8]중 하나에 기재된 에칭액 조성물을 이용하여 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판을 에칭하는 공정을 포함하는, 배선 기판의 제조 방법.
본 발명의 에칭액 조성물은 FPD등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을, 바람직하게는 동일 조성으로, 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있고, 고화질 디스플레이 제조에 필요한 미세 패턴 형성에 적합하며, In 및 Zn에 대한 용해성이 높고 에칭액 중에서 In 및 Zn의 재석출을 억제하여, 에칭 잔사가 발생하기 어렵기 때문에, 액 수명의 장기화가 가능하고, 반도체 소자와 FPD제조 업체의 비용 절감에도 기여할 수 있다.
도 1은 본 실시 예에서, (A) 유리 기판(1)과 그 표면에 형성된 IZO 또는 IGZO로 구성된 스퍼터링막(2)과 그 막의 표면에 레지스트 패터닝된 레지스트(3)로 구성되는 평가 기판(4), (B) 그 평가 기판(4)에 대해 본 발명에 관한 에칭액 조성물에 의해 처리해 얻어진 평가 기판(4a), (C) 그 평가 기판(4a)의 레지스트(3)를 박리한 평가 기판(4b) 각각의 종단면도를 모식적으로 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 대해 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따라 상세히 설명한다.
본 발명은, 한 예에서, 반도체 소자 및 FPD 등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극으로 사용되는 금속 산화물, 특히 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 에칭하기 위한 에칭액 조성물에 관한 것으로, 적어도 1종의 염기산 및 물을 포함하고, 염기산의 해리단의 하나의 25℃의 pKa가 2.15 이하이며, 25℃의 수소 이온 농도 pH가 4이하이다(할로겐화 수소산과 과할로겐산, KNO3, CH3COOK, KHSO4, KH2PO4, K2SO4, K2HPO4 또는 K3PO4를 포함한 에칭액 조성물 및 염기산이 옥살산인 경우에, 폴리술폰산 화합물, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 혼성 중합체, 나프탈렌 술폰산 축합물, 수산화 사급 암모늄류, 알칼리 금속류의 수산화물, 알칸올 아민류(다만, 트리에탄올아민 제외), 히드록실 아민류, 황산 암모늄, 아미도 황산 암모늄 및 티오 황산 암모늄으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함한 에칭액 조성물을 제외).
본 발명의 "In을 포함한 금속 산화물"은 In-O계 화합물을 비롯해, 바람직하게는 주석(Sn)을 더 포함하는 In-Sn-O(ITO) 등이 꼽힌다. 또"Zn과 In을 포함한 금속 산화물"은 In-Zn-O(IZO), 바람직하게는 갈륨(Ga)을 더 포함한 In-Ga-Zn-O(IGZO)등이 꼽힌다. 이들 금속 산화물은 알루미늄(Al)이 불순물로 소량 포함돼 있어도 좋다. 이들 금속 산화물은 통상 스퍼터링법에 의해 성막한 기판으로 사용된다.
본 발명에 이용되는 할로겐 수소산 및 과할로겐산을 제외한 n(n은 1 이상의 수)가의 염기산에 대한 해리단을 n단으로 했을 때, 어느 1단 이상의 25℃의 pKan이 2.15 이하의 산은, IZO, IGZO등의 용해에 작용한다. IZO나 IGZO는 산성 용액 중에서는 이온화(Zn2+) 되어 액 중에 용해되지만 산성도가 높을수록 이 반응이 신속히 진행된다고 생각한다. 그래서 수용액 중에서의 산성도를 나타내는 pKa는 가급적 작은 쪽이 ZnO, IZO, IGZO 등의 용해에 효과적이다.
다만, 염산과 불산 등의 할로겐 수소산은 전기 음성도가 높으므로, 다른 산보다 더 IZO나 IGZO의 이온화에 강한 작용을 주기 때문에, 에칭 속도가 너무 빨라 고화질 디스플레이의 미세한 반도체 소자나 전극에서는 패턴이 소실하는 경우도 있다. 또, 과할로겐산은 과염소산이 위험물 제6류로 지정되어 있고, 지정 수량이 있어 보관에 제한이 있다. 또, 과요오드산은 고가이고 불순물도 많아 청정한 표면이 요구되는 전자 기기 제조 공정에서 사용하는 약품으로 부적합하다.
본 발명에서 에칭액 조성물의 25℃의 pH는 4 이하, 바람직하게는 3 이하, 더 바람직하게는 -5~3, 더 바람직하게는 -2~3이다. 포함되는 pKan이 작은 염기산을 사용해도, 에칭액 조성물의 액성이 산성이 아니면, 상기한 바와 같이, IZO나 IGZO의 이온화에 의한 용해가 진행하기 어렵다. 실제의 에칭액 조성물의 pH는 염기산의 종류, 염기산의 함량 및 다른 성분의 종류, 함량에 따라 변화하지만, 4 이하가 정밀한 패턴을 형성할 수 있고 실용적으로 사용할 수 있는 범위이다.
금속 산화물이 IZO의 경우 에칭액 조성물의 25℃의 pH는 3 이하가 바람직하고, -5~3이 더 바람직하고, -3~3이 더 바람직하다. 해당 pH가 위 범위 내에 있으면, 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있다는 관점에서 바람직하다.
또 금속 산화물이 IGZO의 경우 에칭액 조성물의 25℃의 pH는 4 이하가 바람직하고, -5~3이 더 바람직하고, -3~3이 더 바람직하다. 해당 pH가 위 범위 내에 있으면, 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있다는 관점에서 바람직하다.
본 발명에 이용되는 염기산으로는 무기산, 술폰산염 또는 옥살산이 바람직하다.
무기산으로는 특히 국한되지 않지만, 예를 들면, 황산, 아미도 황산, 과산화 황산, 인산, 아인산, 하이포 아인산, 질산 등을 들 수 있고 그 중에서도 황산, 인산이 바람직하다.
또 술폰산으로는 특히 국한되지 않지만, 예를 들면, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 파라 톨루엔 술폰산, 캠퍼 술폰산, 나프탈렌 술폰산 포름알데히드 축합물 등을 들 수 있고 그 중에서도 메탄 술폰산, 나프탈렌 술폰산 포름알데히드 축합물이 바람직하다.
이들 염기산은 산화 인듐에 대한 용해성이 높고, 특히 옥살산은 인듐 이온(In3+)과 착 형성함으로써 특이적으로 높은 가용성을 가지고, 무기산이나 술폰산과 공존시킴으로써 In과 Zn을 포함한 금속 산화물에 대해 높은 가용성을 유지할 수 있다. Zn을 포함한 금속 산화물에 대해 에칭액 조성물로서 옥살산과 다른 염기산 1종 또는 2종 이상을 병용할 경우 옥살산을 단독으로 이용하는 경우와 비교해 Zn의 용해성이 더 높고 해당 용해성이 더 오랫동안 유지된다. 이런 관점에서 옥살산과 병용하는 다른 염기산으로는 인산, 질산, 메탄 술폰산이 바람직하다.
금속 산화물이 IZO인 경우 본 발명에 이용되는 염기산은 황산, 인산, 메탄 술폰산, 옥살산이 바람직하다. 이것에 의해 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있고, 사이드 에칭량을 억제할 수 있다는 효과를 얻는다.
또, 금속 산화물이 IGZO인 경우 본 발명에 이용되는 염기산은 황산, 인산, 질산, 메탄 술폰산, 옥살산이 바람직하다. 이것에 의해 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있고, 사이드 에칭량을 억제할 수 있다는 효과를 얻는다.
또, 본 발명에 이용되는 염기산의 함유량은 염기산의 종류와 다른 성분의 종류 그 함유량에 따라 변화하므로 특히 한정되는 것은 아니지만, 에칭액 조성물을 100중량%(wt%)로 할 때, 0.1wt%~70.0wt%가 바람직하고, 0.5wt%~50wt%가 더 바람직하고, 3.0wt%~40.0wt%가 더 바람직하다.
금속 산화물이 IZO인 경우, 염기산의 함유량은 에칭액 조성물을 100중량%(wt%)로 할 때 1.0~50.0wt%가 좋고, 2.0~45.0wt%가 더 좋고, 2.0~40.0wt%가 더 좋다. 염기산 함유량이 상기 범위 내에 있으면, 에칭 속도의 제어, 사이드 에칭량의 억제라는 관점에서 바람직하다.
또, 금속 산화물이 IGZO인 경우 염기산의 함유량은 에칭액 조성물을 100중량%(wt%)로 할 때, 0.1~70.0wt%가 좋고, 0.5~60.0wt%가 더 좋고, 1.0~60.0wt%가 더 좋다. 염기산 함유량이 상기 범위 내에 있으면, 에칭 속도의 제어, 사이드 에칭량의 억제라는 관점에서 바람직하다.
염기산 함유량이 0.1wt% 이상이면, Zn을 포함한 금속 산화물의 에칭 속도도, 에칭이 완료될 때까지의 시간도, 알맞은 범위로 되기 때문에, 생산성이 향상되어 더 사이드 에칭량이 작고 미세 패턴의 가공이 쉽게 된다. 또 함유량이 70.0wt% 이하이면, Zn을 포함한 금속 산화물의 에칭 속도가 빠르고 지나치지 않아, 에칭의 제어를 충분히 할 수 있고, 사이드 에칭량도 문제없는 범위로 억제할 수 있다.
상기 에칭 속도에 대해서는 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물로 이루어진 층(또는 막)을 그 표면에 가진 기판에 대해, 그 층(또는 그 막)의 두께 방향으로 10nm/분 이상 200nm/분 이하가 바람직하고, 20nm/분 이상 150nm/분 이하가 더 좋고, 30nm/분 이상 150nm/분 이하가 더 좋고, 50nm/분 이상 150nm/분 이하가 가장 바람직하다. 에칭 속도가 상기 범위 내에 있으면, 에칭이 완료할 때까지의 시간(예를 들면 1~60분)을 최단으로 하면서, 사이드 에칭량을 최소화하기 때문에 바람직하다. 사이드 에칭량은 도 1(B)의 사이드 에칭량(5)으로 정의할 경우 1.00μm 이하가 바람직하다.
나아가 본 발명의 에칭액 조성물은 바람직하게는 아세트산을 포함하지 않는다. 아세트산은 증기 압력이 높아 증발되기 쉬우므로 사용 중에 아세트산의 증발에 의해 조성 변화가 생기기 쉬워, 에칭 특성을 유지하기 위해, 자주 아세트산의 첨가나 액 교환을 행하는 경우가 있다.
또 본 발명의 에칭액 조성물은 더 수용성 유기 용제를 포함해도 좋다. 수용성 유기 용제는 염기산의 해리를 억제하고, In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물의 에칭 속도를 알맞게 제어할 경우에 사용한다. 수용성 유기 용제로는 특히 한정되지 않지만 마스크가 된 레지스트에 대한 타격을 고려해 예를 들어 알코올, 글리콜, 카르복실산 등이 꼽힌다.
알코올 및 글리콜은 1-부탄올, 2-메틸-2-프로판올, 디아세톤알코올 등의 1가의 지방족 사슬 모양 알코올; 1,2-에탄디올, 1,2-프로판 디올, 1,3-프로판 디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,5-펜탄 디올 등의 2가의 지방족 사슬 모양 알코올; 글리세린 등의 3가의 지방족 사슬 모양 알코올; 풀푸릴 알코올, 테트라히드로풀푸릴 알코올 등의 지방족 고리 알코올; 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노 프로필 에테르, 프로필렌 글리콜-n-부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜-n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 등의 글리콜; 및 그 유도체 등이 꼽힌다.
그 중에서도 비교적 입수가 하기 쉽고 값싸고 인체의 영향이 적은 1,2-에탄디올, 1,2-프로판 디올, 1,3-프로판 디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 글리세린, 디에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 트리 프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 디에틸렌글리콜-n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노 에틸 에테르가 좋으며, 그 중에서도 지방족 알코올, 지방족 글리콜 및 그 유도체인 1,2-에탄디올, 1,2-프로판 디올, 글리세린, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 테트라 히드로풀푸릴 알코올이 특히 좋다.
카르복실산으로는 증기 압력이 낮은 유산, 글리콜산, 메톡시 아세트산, 에톡 시 아세트산 등을 들 수 있고 젖산, 글리콜산이 바람직하다.
본 발명의 에칭액 조성물은 어떤 방법으로 제조하는 것이라도 좋다. 예컨대, 본 발명의 에칭액 조성물은 공지의 에칭액에 상기 염기산 등의 성분을 첨가해 만들 수 있으며 각 성분을 물에 혼합함으로써 만든다.
또 본 발명의 에칭액 조성물은 미리 조제되어 있을 필요는 없이, 예를 들면, 에칭 직전에 있어서, 전술한 방법에 의해 조제해도 좋다.
또 본 발명은, 일례에 있어서, 상기한 바와 같은 에칭액 조성물을 이용하여 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층 또는 막을 그 표면에 가진 기판을, 바람직하게는 동일 조성으로 에칭하는 방법에 관한 것이다.
에칭할 때의 온도, 시간, 침지시의 에칭액의 유동 조건 및 기판 요동 조건(에칭액 조성물을 샤워로 기판에 분무하는 조건도 포함)의 최적화는 당업자가 적절히 할 수 있지만, 특히 온도에 대해서는 30~50℃이 바람직하다. 온도가 상기 범위 안에 있으면, 에칭액 조성물에 포함된 물 등의 증발이 억제되고, 즉 염기산 등의 농도의 변경이 작아 바람직하다.
또, 본 발명은, 일례에 있어서, 상기의 에칭하는 방법에 의해, In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 각각 포함한 층을 그 표면에 가진 기판이 에칭되어 얻어지는, 배선 기판에 관한 것이다.
본 발명에서 "배선 기판"은 상기 "In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 각각 포함한 층을 그 표면에 가진 기판"중 "In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 각각 포함하는 층"에 대해 본 발명에 관한 에칭액 조성물을 이용하는 에칭에 의해 필요로 하는 패터닝이 시행된 기판을 말하고, 반도체 소자 및 평판 패널 디스플레이 등의 전자 디바이스의 산화물 반도체나 투명 전극도 포함하는 것이다.
얻을 수 있는 배선 기판은 평면 디스플레이 등의 용도에 맞는 패터닝, 치수, 구조를 가진 것이 좋다.
또한, 본 발명은 일례에 있어서, 상기 본 발명에 관한 에칭액 조성물, 바람직하게는 동일 조성의 해당 에칭액 조성물을 이용하여, In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 각각 포함한 층을 그 표면에 가진 기판을 에칭하는 공정을 포함하는, 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 제조 방법에 포함되는 에칭 공정에서는 전술의 에칭하는 방법과 같은 에칭 조건에서 에칭할 수 있다.
[실시 예]
다음에 본 발명의 에칭액 조성물에 대해 실시 예 및 비교 예에 따라 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시 예 등에 한정하는 것은 아니다.
<평가 1: 금속 산화물의 에칭속도 측정>
도 1(A)에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(1)의 표면에 스퍼터 법에 의한 IZO을 70nm 및 IGZO을 50nm 각각 성막하고, 얻어진 스퍼터링 막(2)의 표면에 레지스트 패터닝한 2종류의 평가 기판(4)을 제작하고, 또 표 1과 같은 염기산을 그 농도로 포함하는 에칭액 조성물을 각각 조제했다.
각 평가 기판(4)을 2.0cmx2.0cm로 절단하여, 각 에칭액 조성물 50mL가 든 폴리에틸렌 용기 중에 35℃, 10~60초간 교반 침지하고, 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4a)을 얻었다(도 1(B)).
이들 평가 기판(4a)을 레지스트 박리액 50mL가 든 유리 용기 중에 50℃, 5분간의 무교반 침지 후, 다시 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4b)을 얻었다(도 1(C)).
각 평가 기판(4b)에 대해 촉침식 단차계를 이용하여, 각종 금속 산화물의 에칭 양을 측정하고 침지 시간과 에칭 양으로 에칭 속도(E.R.)를 산출했다. 얻은 결과를, 에칭액 조성물에 포함된 염기산 및 그 농도와 함께 표 1에 나타낸다.
|
|
염기산 |
25℃의 pKa | 에칭액 조성물의 pH |
농도 (wt%) |
에칭 속도(nm/분) | ||
| IZO | IGZO | ||||||
| 실 시 예 |
1 | 황산 | -10 | 0.3 | 4.8 | 91 | 124 |
| 2 | 질산 | -1.8 | 0.4 | 3.1 | 60 | 92 | |
| 3 | 인산 | 1.83 | 1.1 | 4.8 | 57 | 95 | |
| 4 | 아미도황산 | 0.99 | 0.7 | 4.7 | 35 | 68 | |
| 5 | 메탄술폰산 | -2.0 | 0.4 | 4.7 | 29 | 52 | |
| 6 | 옥살산 | 1.27 | 0.9 | 4.4 | 98 | 138 | |
| 7 | 나프탈렌술폰산 포름알데히드 축합물 |
- | 1.4 | 2.0 | 23 | 50 | |
| 8 | 인산 글리콜산 |
1.83 3.83 |
1.0 | 5.0 9.0 |
51 | 90 | |
| 9 | 메탄술폰산 유산 |
-2.0 3.79 |
0.0 | 9.0 8.0 |
15 | 32 | |
| 비 교 예 |
1 | 염산 | -3.7 | 0.4 | 1.8 | 274 | 360 |
| 2 | 아세트산 | 4.75 | 2.5 | 3.0 | <10 | <10 | |
| 3 | 요오드산 | 0.75 | 0.7 | 8.2 | <10 | <10 | |
| 4 | 구연산 | 3.09 | 1.6 | 5.7 | <10 | <10 | |
| 5 | 불화수소산 | 2.67 | 2.3 | 1.0 | 1080 | 1200 | |
| 6 | 붕산 | 9.24 | 4.1 | 3.1 | <10 | <10 | |
| 7 | 암모니아수 | 9.10 | 11.4 | 0.9 | <10 | <10 | |
| 8 | 인산이수소칼륨 | 7.20 | 4.3 | 5.0 | <10 | <10 | |
| 9 | 아미도황산암모늄 | - | 5.0 | 5.0 | <10 | <10 | |
| 10 | 수산화칼륨 | 16 | 13.5 | 2.5 | <10 | <10 | |
| 11 | 수산화테트라메틸암모늄 | - | 13.2 | 2.0 | <10 | <10 | |
<평가 2: pH 변화에 따른 IGZO 에칭 특성>
<평가 1>과 마찬가지로 IGZO로 구성된 스퍼터링 막(2)을 가진 평가 기판(4)을 제작했다(도 1(A)).
각 에칭액 조성물로는 인산 수소 이암모늄(6.4wt%, 50mL) 수용액의 pH를 pH미터로 측정하고, 인산을 한 방울씩 떨어뜨림으로써, 소정의 pH로 조정한 것을 사용했다.
pH를 조정한 각 에칭액 조성물에, 평가 기판(4)을 35℃, 10~60초간 교반 치지하고, 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4a)을 얻었다(도 1(B)).
그 평가 기판(4a)을 레지스트 박리액 50mL가 든 유리 용기 중에 50℃, 5분간의 무교반 침지 후, 다시 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켰다(도 1(C)).
얻은 평가 기판(4b)에 대해 촉침식 단차계를 이용하여 IGZO의 에칭 양을 측정하고 침지 시간과 에칭 양에서 E.R.을 산출했다. 또, 얻은 E.R.로부터 50nm의 IGZO가 평가 기판 두께 방향으로 에칭되는 시간을 산출하여, 그 2.0배의 시간으로 평가 기판을 침지시켜 에칭 후의 형상 및 잔사를, 주사형 전자 현미경을 이용해 관찰했다. 표 2에, 각 에칭액 조성물의 pH 및 결과를 나타낸다. 에칭 후 잔사의 평가로는 잔사가 없는 상태를 "○"으로, 잔사가 있는 상태를 "×"로 했다. 사이드 에칭량은 도 1(B)의 5의 길이의 부분을 측정한 것이다.
| pH | 에칭 속도 (nm/분) |
사이드 에칭 양 (㎛) |
에칭 후의 잔사의 평가 |
||
| 실시예 |
10 | 1 | 150 | 0.09 | ○ |
| 11 | 2 | 68 | 0.09 | ○ | |
| 12 | 3 | 21 | 0.1 | ○ | |
| 13 | 4 | 12 | 0.09 | ○ | |
| 비교예 |
12 | 5 | <10 | - | - |
| 13 | 6 | <10 | - | - | |
| 14 | 8 | <10 | - | - |
표 중,"―"은 측정 불능 또는 평가 거부임을 나타낸다.
<평가 3: 염기산 농도 변동에 의한 IGZO 에칭 특성>
<평가 1>과 마찬가지로 평가 기판 4를 제작했다(도 1(A)).
각 평가 기판(4)을 2.0cmx2.0cm로 절단하여, 각 에칭액 조성물 50mL가 든 폴리에틸렌 용기 중에 35℃, 10~60초간 교반 침지하고, 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4a)을 얻었다(도 1(B)).
이들 평가 기판(4a)을 레지스트 박리액 50mL가 든 유리 용기 중에 50℃, 5분간의 무교반 침지 후, 다시 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4b)을 얻었다(도 1(C)).
얻은 평가 기판(4b)에 대해 촉침식 단차계를 이용하여 IGZO의 에칭 양을 측정하고 침지 시간과 에칭 양에서 E.R.을 산출했다. 또, 얻은 E.R.로부터 50nm의 IGZO가 평가 기판 두께 방향으로 에칭되는 시간을 산출하여, 그 2.0배의 시간으로 평가 기판을 침지시켜 에칭 후의 형상 및 잔사를 주사형 전자 현미경을 이용해 관찰했다. 표 3에 각 에칭액 조성물 및 결과를 나타낸다.
|
|
염기산 |
에칭액 조성물의 pH |
농도 (wt%) |
에칭 속도 (nm/분) |
사이드 에칭 양 (㎛) |
에칭 후의 잔사의 평가 |
|
| 실시예 |
14 | 메탄술폰산 |
0.4 | 4.7 | 52 | 0.09 | ○ |
| 15 | 0.0 | 9.3 | 65 | 0.10 | ○ | ||
| 16 | -0.5 | 26.3 | 68 | 0.10 | ○ | ||
| 17 | -0.9 | 41.5 | 49 | 0.09 | ○ | ||
| 18 | -1.3 | 58.2 | 28 | 0.09 | ○ | ||
| 비교예 | 15 | 불화수소산 |
2.3 | 0.1 | 600 | 0.28 | ○ |
| 16 | 2.3 | 1.0 | 3600 | 0.36 | ○ |
<평가 4: 염기산 조합에 의해 IGZO 에칭 특성>
<평가 1>과 마찬가지로 평가 기판 4를 제작했다(도 1(A)).
각 평가 기판(4)을 2.0cmx2.0cm로 절단하여, 각 에칭액 조성물 50mL가 든 폴리에틸렌 용기 중에 35℃, 10~60초간 교반 침지하고, 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4a)을 얻었다(도 1(B)).
이들 평가 기판(4a)을 레지스트 박리액 50mL가 든 유리 용기 중에 50℃, 5분간의 무교반 침지 후, 다시 초순수로 1분간 헹구고, 질소를 불어 건조시켜 평가 기판(4b)을 얻었다(도 1(C)).
얻은 평가 기판(4b)에 대해 촉침식 단차계를 이용하여 각종 금속 산화물의 에칭 양을 측정하고 침지 시간과 에칭 양에서 E.R.을 산출했다. 또, 얻은 E.R.로부터 50nm의 IGZO가 평가 기판 두께 방향으로 에칭되는 시간을 산출하여, 그 2.0배의 시간으로 평가 기판을 침지시켜 에칭 후의 형상 및 잔사를 주사형 전자 현미경을 이용해 관찰했다. 표 4에 각 에칭액 조성물 및 결과를 나타낸다. 메톡시 아세트산의 25℃의 pKa은 3.60이다.
|
|
염기산의 조합 |
에칭액 조성물의 pH |
농도 (wt%) |
에칭 속도 (nm/분) |
사이드 에칭 양 (㎛) |
에칭 후의 잔사의 평가 |
|
| 실시예 |
19 | 인산 글리콜산 |
0.9 | 6.0 10.0 |
85 | 0.09 | ○ |
| 20 | 인산 질산 |
0.2 | 9.4 3.0 |
135 | 0.09 | ○ | |
| 21 | 질산 메톡시아세트산 |
-0.2 | 6.0 21.2 |
25 | 0.14 | ○ | |
| 22 | 메탄술폰산 옥살산 |
-0.8 | 40.0 0.5 |
127 | 0.14 | ○ | |
| 23 | 메탄술폰산 황산 |
-0.1 | 9.1 4.6 |
150 | 0.15 | ○ | |
| 비교예 | 17 | 염산 질산 |
0.3 | 1.7 3.0 |
500 | 0.27 | ○ |
본 발명의 에칭액 조성물은 In을 포함한 금속 산화물 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 동일 조성에서, 실용적인 에칭 속도로 제어할 수 있어 휴대 전화 등에 사용되는 평판 패널 디스플레이 등을 싼값으로 대량 생산할 수 있다.
1....유리 기판
2....IZO 또는 IGZO로 구성된 스퍼터링막
2a··에칭 후 IZO 또는 IGZO로 구성된 스퍼터링막
3....레지스트 패터닝된 레지스트
4....평가 기판
4a··에칭 후의 평가 기판
4b...에칭된 후, 레지스트 박리된 평가 기판
5...사이드 에칭량
2....IZO 또는 IGZO로 구성된 스퍼터링막
2a··에칭 후 IZO 또는 IGZO로 구성된 스퍼터링막
3....레지스트 패터닝된 레지스트
4....평가 기판
4a··에칭 후의 평가 기판
4b...에칭된 후, 레지스트 박리된 평가 기판
5...사이드 에칭량
Claims (11)
- 인듐(In)을 포함한 금속 산화물 또는 아연(Zn)과 In을 포함한 금속 산화물을 에칭하기 위한 에칭액 조성물에 있어서,
적어도 1종의 염기산 및 물을 포함하고,
염기산의 해리단 중 어느 것에서의 25℃의 산해리 정수 pKa가 2.15 이하이고,
25℃의 수소 이온 농도 pH가 4이하인
(단, 할로겐화 수소산과 과할로겐산, KNO3, CH3COOK, KHSO4, KH2PO4, K2SO4, K2HPO4 또는 K3PO4를 포함한 에칭액 조성물 및 염기산이 옥살산인 경우에, 폴리술폰산 화합물, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 혼성 중합체, 나프탈렌 술폰산 축합물, 수산화 사급 암모늄류, 알칼리 금속류의 수산화물, 알칸올 아민류(다만, 트리에탄올아민 제외), 히드록실 아민류, 황산 암모늄, 아미도 황산 암모늄 및 티오 황산 암모늄으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함한 에칭액 조성물을 제외) 에칭액 조성물. - 제 1항에 있어서, 금속 산화물이 알루미늄, 갈륨 및 주석으로 구성된 군에서 선택될 적어도 1종의 원소를 더 포함하는 에칭액 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
염기산이 무기산, 술폰산염 또는 옥살산인 에칭액 조성물. - 제3항에 있어서,
무기산이 황산, 아미도 황산, 과산화 황산, 인산, 아인산, 하이포 아인산 또는 질산인 에칭액 조성물. - 제3항에 있어서,
술폰산이 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 파라 톨루엔 술폰산, 캠퍼 술폰산 또는 나프탈렌 술폰산, 포름 알데히드 응축물인 에칭액 조성물. - 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서,
In을 포함한 금속 산화물로 이루어진 층 및 Zn과 In을 포함한 금속 산화물로 이루어진 층의 두께 방향에 대한 에칭 속도가 10nm/min 이상 200nm/분 이하인 에칭액 조성물. - 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서,
아세트산을 포함하지 않는 에칭액 조성물. - 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서,
수용성 유기 용제를 더 포함하는 에칭액 조성물. - 제1항 내지 제8항 중의 어느 한항에 기재된 에칭액 조성물을 이용하여 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판을 에칭하는 방법.
- 제9항에 기재된 방법으로 In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판이 에칭되어 얻어지는, 배선 기판.
- 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 기재된 에칭액 조성물을 이용하여, In을 포함한 금속 산화물 또는 Zn과 In을 포함한 금속 산화물을 포함한 층을 그 표면에 가진 기판을 에칭하는 공정을 포함하는, 배선 기판의 제조 방법
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