TWI451539B - 半導體封裝件及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體封裝件及其製造方法
本發明是有關於一種半導體封裝件及其製造方法，且特別是有關於一種具有纖維結構之半導體封裝件及其製造方法。
傳統的半導體封裝件至少包括基板、晶片、數個銲球及封膠等元件。晶片設於基板上。封膠以填充(灌膠)方式包覆晶片，封膠並具有數個貫孔(through hole)以露出基板上之接墊。銲球透過貫孔電性連接於基板上之接墊，而一外部電路可透過銲球電性連接於晶片。
一般而言，封膠之材料可包括酚醛基樹脂(Novolac-based resin)、環氧基樹脂(epoxy-based resin)、矽基樹脂(silicone-based resin)或其他適當之包覆劑。
封膠之貫孔一般都是以雷射加工成形。然而，上述封膠材料常加入加工性困難的添加物，導致封膠材料的質地變硬，使貫孔在製作上較困難，而所形成之貫孔的內側壁的斜度也較大。由於貫孔的內側壁的斜度較大，貫孔於封膠上的開口尺寸須夠大才能露出基板上之接墊，如此一來，貫孔的數量受到限制，使傳統半導體封裝件的輸出/入接點的數目無法進一步增加。
本發明係有關於一種半導體封裝件及其製造方法，半導體封裝件之封裝體的加工性較佳，因此可製作出較多數量的輸出/入接點。
根據本發明之第一方面，提出一種半導體封裝件。半導體封裝件包括一基板、一半導體元件、一封裝體(package body)及一導電部。基板具有一電性接點。半導體元件設於基板上。封裝體覆蓋半導體元件之至少一部分並定義一貫孔，貫孔露出電性接點。其中，封裝體包括一樹脂體及數層纖維層，纖維層設於樹脂體內並定義呈陣列型之數個纖維開孔。導電部透過貫孔電性連接於基板。
根據本發明之第二方面，提出一種半導體封裝件之製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一基板，基板具有一電性接點；設置一半導體元件於基板上；形成一導電部於電性接點上；疊合數層樹脂層及數層纖維層於基板上，樹脂層及纖維層露出半導體元件，纖維層定義呈陣列型之數個纖維開孔；施加壓力及熱量於樹脂層及纖維層，使樹脂層熔化，熔化之樹脂層於凝固後形成一樹脂體，樹脂體及纖維層形成一封裝體；形成一貫孔貫穿樹脂體與纖維層以露出電性接點；以及，切割基板及封裝體。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
第一實施例
請參照第1圖，其繪示依照本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視圖。半導體封裝件100包括基板102、半導體元件104、封裝體(package body)106、導電部108、金屬層134及數個銲球116。
金屬層134例如是銅箔(copper foil)，其厚度約介於3微米(μm)至72 μm之間，然此非用以限制本發明。金屬層134設於半導體封裝件100的最外層，可快速地將半導體封裝件100之產熱散逸至外界。此外，金屬層134亦可提升半導體封裝件100之結構強度。
半導體元件104可以是晶片，例如是覆晶(flip chip)。半導體元件104設於基板102之上表面142上並電性連接於基板102。
基板102具有數個電性接點112，電性接點112例如是接墊(pad)。銲球116設於基板102上，基板102可透過銲球116電性連接於一外部電路(未繪示)。銲球116可透過導通貫孔(未繪示)或透過基板102內的導電層(未繪示)電性連接於電性接點112。
封裝體106定義數個貫孔114，每個貫孔114露出對應之電性接點112及對應之導電部108。導電部108例如是銲球(solder ball)，其設於貫孔114內並電性連接於電性接點112。一外部電路(未繪示)可與導電部108對接，以電性連接於半導體元件104。此處的外部電路例如是電路板或其它半導體元件。
基板102的材質例如是環氧樹脂、聚酯樹脂等。封裝體106包括樹脂體118及數層纖維層120，如第1圖中局部A之放大圖所示。樹脂體118的材質亦可為環氧樹脂、聚酯樹脂等，而纖維層120的材質可為玻璃纖維、碳纖維、硼纖維、亦或是其他合成纖維。由於基板102與樹脂體118材質種類相似或相同，故基板102的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion,CTE)與封裝體106的熱膨脹係數相近，使整個半導體封裝件100之翹曲量較小。如此一來，即使基板102的厚度較薄，半導體封裝件100之翹曲量亦可控制在預設範圍內。
樹脂體118之一部分118a填充於半導體元件104與基板102之間且樹脂體118之一部分118b覆蓋半導體元件104之上表面144及側面110，即，整個半導體元件104被封裝體106包覆，然此非用以限制本發明。於一實施態樣中，半導體元件104之上表面144亦可不被封裝體106覆蓋而外露出來。
該些纖維層120設於樹脂體118內，每層纖維層120包括數個纖維結構。該些纖維結構係呈條狀之玻璃纖維，其由數條第一子纖維結構122及數條第二子纖維結構124所組成。請參照第2圖，其繪示第1圖之局部A之上視圖。該些第一子纖維結構122與該些第二子纖維結構124係彼此交織出呈陣列型之數個纖維開孔148
於一實施態樣中，第一子纖維結構122與第二子纖維結構124於交錯部位係彼此黏結固定；或者，於另一實施態樣中，請參照第3圖，其繪示本發明另一實施態樣之半導體封裝件之纖維結構的上視圖。第3圖中每層纖維層420係一片狀玻璃纖維層，其定義數個纖維結構422，該些纖維結構422圍繞出呈陣列型之數個纖維開孔448。另外一提的是，該些纖維結構422係連接在一起而成為一體成形之片狀玻璃纖維層。
由於封裝體106的加工性較佳，因此貫孔114之內側壁160(繪示於第1圖)的斜度較小。進一步地說，相較於傳統半導體封裝件之貫孔，本實施例第1圖中貫孔114之頂部開口126與底部開口128的尺寸差異較小(即貫孔114之內側壁160的斜度較小)。也就是說，在相同大小之底部開口128的比較基準下，本實施例之頂部開口126的尺寸係較小，因而可形成更多、更密集的貫孔114，露出更多導電部108，亦即增加更多輸出/入電性接點。
以下係以第4圖及第5A至5E圖說明第1圖之半導體封裝件100之製造方法。第4圖繪示依照本發明第一實施例之半導體封裝件之製造方法流程圖，第5A至5E圖繪示第1圖之半導體封裝件之製造示意圖。
於步驟S102中，提供如第5A圖所示之基板102，基板102具有數個電性接點112及112’。
然後，於步驟S104中，如第5A圖所示，設置數個半導體元件104於基板102之上表面142上。半導體元件104透過銲球電性連接於電性接點112’。
然後，於步驟S106中，如第5B圖所示，形成導電部108於對應之電性接點112上。第5B至5E圖僅繪示出單個半導體元件104的範圍。
本步驟S106中，可先執行植球步驟；之後，進行回焊(reflow)步驟，以形成如第5B圖所示之導電部108。回焊後之導電部108的外形近似於三分之二的球體，而其餘三分之一的球體係融接於電性接點112，使導電部108穩固地結合於電性接點112上。
然後，於步驟S108中，疊合數層如第5C圖所示之樹脂層132及纖維層120於基板102上，其中，該些樹脂層132及該些纖維層120係彼此上下交錯疊合。舉例來說，二層樹脂層132之間僅夾有單層纖維層120；或者，二層纖維層120之間僅夾有單層樹脂層132；或者，二層樹脂層132之間亦可夾有多層的纖維層120而不夾有樹脂層132；或者，二層纖維層120之間亦可夾有多層的樹脂層132而不夾有纖維層120。於其它實施態樣中，樹脂層132及纖維層120亦可任意交錯疊合。
於步驟S108前，可先於樹脂層132與纖維層120上製作出數個第一開孔130及數個第二開孔140。於步驟S108後，半導體元件104從第一開孔130露出，導電部108及電性接點112從第二開孔140露出。
此外，於步驟S108之後，可疊加如第5C圖所示之金屬層134於樹脂層132上及纖維層120上。
然後，於步驟S110中，如第5D圖所示，透過金屬層134，施加壓力P於樹脂層132及纖維層120上以壓縮樹脂層132及纖維層120，並施加熱量於樹脂層132及纖維層120，以熔化樹脂層132。熔化之樹脂層132之一部分132a填充於半導體元件104與基板102之間而形成底膠(underfill)，且熔化後之樹脂層132之一部分132b覆蓋半導體元件104之上表面144及側面110(側面110繪示於第1圖)。
進一步地說，於步驟S110中，係一次形成位於半導體元件104與基板102之間的填充層及包覆半導體元件104的包覆層。
此外，熔化後之樹脂層132包覆導電部108，且熔化後之樹脂層132之一部分132c填充於導電部108與電性接點112的交接處158。樹脂層132之一部分132c可緊抓導電部108，使導電部108更穩固地設於電性接點112上。熔化之樹脂層132於凝固後形成如第1圖所示之樹脂體118，樹脂體118與該些纖維層120成為封裝體106(封裝體106繪示於第1圖)。熔化之樹脂層132之該部分132a於冷卻凝固後形成第1圖中樹脂體118之該部分118a，而熔化之樹脂層132之該部分132b於冷卻凝固後形成第1圖中樹脂體118之該部分118b。
於一實施態樣中，亦可於步驟S104先形成一底膠於半導體元件104與基板102間，然後再繼續進行後續製程。
於一實施態樣中，第5C圖之金屬層134中對應導電部108的部位定義數個金屬層開孔(未繪示)。在透過金屬層134壓縮樹脂層132及纖維層120後，導電部108可透過該些金屬層開孔突出於金屬層134，使最終半導體封裝件100的導電部108突出於貫孔114之頂部開口126。如此一來，可增加導電部108與一電路元件的電性接觸面積，以提升導電部108與該電路元件間的電性連接品質。此處的電路元件可以是電路板、另一半導體封裝件或晶片，例如是覆晶。
然後，於步驟S112中，如第5E圖所示，以例如是機械或雷射加工的方式於第5D圖所示之封裝體106形成數個貫孔114。貫孔114貫穿金屬層134、樹脂體118及纖維層120，以露出對應之電性接點112及對應之導電部108。
由於貫孔114之頂部開口126的面積較小，故相鄰二貫孔114之間的距離拉近，因此可形成更多、更密集的貫孔114，露出更多的導電部108(輸出/入電性接點)。
由於貫孔114於導電部108形成之後再形成，故即使貫孔114之頂部開口126的面積較小亦不致影響導電部108之形成。如此一來，可先形成彼此緊密相鄰的數個導電部108，然後再形成對應之數個貫孔114以露出該些導電部108。由於該些導電部108係可緊密相鄰，因此可形成更多數量的導電部108，藉以增加半導體封裝件100之輸出/入電性接點的數量。
此外，由於封裝體106的加工性較佳，使雷射加工後之貫孔114的內側壁160的斜度較小，頂部開口126的面積因此可以更小，藉此可形成更多數量的貫孔114。
雖然第1圖之半導體封裝件100係以包括有金屬層134為例作說明，然此非用以限制本發明。於一實施態樣中，可於步驟S112之後，以例如是撕除或蝕刻方式移除金屬層134；或者，亦可於步驟S110與S112之間移除金屬層134。
然後，於步驟S114中，對應相鄰二半導體元件104之間的部分，切割第5E圖之基板102及封裝體106。
由於切割路徑(未繪示)通過重疊之基板102與封裝體106，因此基板102之外側面136及封裝體106之外側面138係切齊，如第1圖所示。
此外，於步驟S114之前或之後，可形成如第1圖所示之銲球116於基板102上，以形成數個如第1圖所示之半導體封裝件100。
雖然本實施例之導電部108係於貫孔114的形成步驟之前形成，然此非用以限制本發明。於另一實施例中，請參照第6圖，其繪示本發明另一實施例之半導體封裝件之導電部的示意圖。導電部208可於貫孔114之形成步驟之後才形成，在此情況下，貫孔214與電性接點112間的交接處158與導電部208之間定義一空間S，該空間未被熔化之樹脂層填滿，然此非用以限制本發明。
第二實施例
請參照第7圖，其繪示依照本發明第二實施例之半導體封裝件的剖視圖。第二實施例中與第一實施例相同之處沿用相同標號，在此不再贅述。第二實施例之半導體封裝件300與第一實施例之半導體封裝件100不同之處在於，半導體封裝件300之導電部308係導電柱(conductive pillar)，例如是銅柱。
半導體封裝件300包括基板102、半導體元件104、封裝體306、導電部308及銲球116。封裝體306的技術特徵相似於第1圖之封裝體106，在此不再重複贅述。
以下係以第4圖的流程圖來說明第6圖之半導體封裝件300的製造方法。於半導體封裝件300的製造方法中，步驟S106可延後至步驟S112之後完成，即，導電部308於封裝體306之貫孔314形成後才形成。此外，於步驟S106中，可應用例如是電鍍方式形成呈圓柱狀之導電部308，然此非用以限制本發明。在其它實施態樣中，可應用塗佈導電膏的方式形成呈柱狀且填滿整個貫孔314的導電部。此處的導電膏例如是銅膏亦或是錫膏。
雖然本實施例之半導體封裝件300省略第一實施例之金屬層134，然於一實施態樣中，半導體封裝件300亦可包括有金屬層，其結構及形成方法相似於第一實施例之金屬層134，在此不再重複贅述。
第三實施例
請參照第8圖，其繪示依照本發明第三實施例之半導體封裝件的剖視圖。第三實施例中與第一實施例相同之處沿用相同標號，在此不再贅述。第三實施例之半導體封裝件500與第一實施例之半導體封裝件100不同之處在於，半導體封裝件500包括環繞部550，其可提升半導體封裝件500的結構強度，減少半導體封裝件500的翹曲量。
半導體封裝件500包括基板502、半導體元件104、環繞部550、銲球116及封裝體506。其中，環繞部550定義一環繞部開孔554，半導體元件104位於環繞部開孔554內。
環繞部550埋設於封裝體506內而其之外側面552係外露。由於環繞部550之外側面552係外露，故半導體元件104的產熱可透過環繞部550的外側面552快速地散逸至外界，然此非用以限制本發明。於一實施態樣中，環繞部550亦可完全被封裝體506包覆而不裸露出來。
導電部108可位於環繞部550與半導體元件104之間，如第8圖中右邊的導電部108所示；或者，導電部108可鄰近基板502之外側面536，如第8圖中左邊的導電部108’所示；或者，全部的導電部108可鄰近基板502之外側面536或位於環繞部550與半導體元件104之間；或者，於一實施例中，請參照第9圖，其繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之局部剖視圖。環繞部950定義至少一環繞部貫孔962，單個導電部108設於對應之單個環繞部貫孔962內。
此外，由於後續切割步驟的切割路徑通過重疊之基板502、封裝體506及環繞部550，因此基板502之外側面536、封裝體506之外側面538及環繞部550之外側面552大致上切齊。
以下係以第10圖並搭配第11A至11C圖說明第8圖之半導體封裝件500之製造方法。第10圖繪示依照本發明第三實施例之半導體封裝件之製造方法流程圖，第11A至11C圖繪示第8圖之半導體封裝件之製造示意圖，其中第11A至11C圖僅繪示出單個半導體元件104之範圍。製造半導體封裝件500之步驟S202及S206相似於第4圖之步驟S102及S106，在此不再重複贅述，以下從步驟S208開始說明。
於步驟S208中，如第11A圖所示，疊合數層樹脂層532a及數層纖維層520a於基板502之上表面542上。樹脂層532a及纖維層520a定義第二開孔240a，第二開孔240a露出導電部108。樹脂層532a與纖維層520a的結構及疊合方式相似於第一實施例之樹脂層132與纖維層120，在此不再重複贅述。
第二開孔240a可應用例如是雷射加工、機械加工或圖案化技術形成於樹脂層532a及纖維層520a上。
然後，於步驟S210中，如第11B圖所示，設置數個(第11B圖僅繪示出單個)環繞部550於樹脂層532a與纖維層520a上，每個環繞部550環繞對應之半導體元件104。
該些環繞部550係一體成形。詳細地說，請參照第12圖，其繪示第11B圖之環繞部的局部上視圖。該些環繞部550定義於一金屬板556中，環繞部550中的環繞部開孔554係金屬板556中的貫孔，其露出半導體元件104。其中，金屬板556之貫孔可應用沖孔(press)製成。
上述金屬板例如是銅板(copper plate)或銅箔(copper foil)，其厚度約介於3μm至72μm之間，然此非用以限制本發明。此外，該金屬板的材質未受限於銅金屬，亦可包含其它種類的金屬。
雖然本實施例之環繞部550係以定義於金屬板為例作說明，然此非用以限制本發明。於一實施例中，請參照第13圖，其繪示依照本發明一實施例之環繞部的局部上視圖。每個環繞部750包括數個塊體(block)764，該些塊體764圍繞一凹部766，半導體元件104可位於凹部766內。如此一來，切割路徑可經過二分離設置之塊體764之間的部分R而不切割到塊體764，使環繞部750可被後續形成之封裝體完全包覆而不從最終之半導體封裝件中裸露出來。
此外，請參照第14圖，其繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之環繞部的局部上視圖。每個環繞部包括二塊體864，其鄰近半導體元件104中相對二側設置，而數個貫孔814中至少一些係鄰近於半導體元件104中另相對二側。由於二塊體864呈對稱設置，故可降低半導體封裝件的翹曲量，然此非用以限制本發明。於其它實施態樣中，每個環繞部包括任意數量的塊體，其可以任意型態環繞半導體元件104。
然後，於步驟S212中，如第11C圖所示，疊合數層樹脂層532b及數層纖維層520b於樹脂層532a、纖維層520a及環繞部550上。樹脂層532b及纖維層520b定義第二開孔240b，以露出第二開孔240a及導電部108。樹脂層532b與纖維層520b的結構及疊合方式相似於第一實施例之樹脂層132與纖維層120，在此不再重複贅述，而第二開孔240b的形成方法相似於步驟S208中之第二開孔240a的形成方法。
接下來的步驟S214及S218相似於第4圖之步驟S110及S114，在此不再重複贅述。
於一實施態樣中，本實施例之步驟S206亦可延後至步驟S216之後執行。
第9圖所示之半導體封裝件的製造方法中，於步驟S210中，環繞部950定義數個環繞部貫孔914，使導電部108從環繞部貫孔914露出。其中，環繞部貫孔914可應用例如是刀具或雷射加工方式形成。
此外，在第9圖所示之半導體封裝件的另一製造方法中，亦可將步驟S206延後至步驟S216之後執行。在此情況下，步驟S216更包括：應用刀具或雷射加工方式，形成環繞部貫孔914於環繞部950上，使環繞部貫孔914露出基板902之電性接點112；然後，再形成導電部108於環繞部貫孔914內並接觸對應之電性接點112。
此外，雖然本實施例之步驟S210中環繞部550係以設於樹脂層532a與纖維層520a上(如第8圖所示)為例作說明，然此非用以限制本發明。於一實施態樣中，半導體封裝件之製造方法亦可省略步驟S208，如此，於步驟S210中，環繞部550可設於基板502之上表面542上。
雖然本實施例半導體封裝件500之半導體元件104之上表面144係以被封裝體506之樹脂體之一部分518b覆蓋(如第8圖所示)為例說明，然此非用以限制本發明。於另一實施例中，請參照第15圖，其繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之剖視圖。半導體封裝件600之封裝體606未覆蓋半導體元件104之上表面144，半導體元件104之上表面144係外露，使半導體元件104的產熱快速地散逸至外界。詳細而言，在第15圖中，只要半導體元件104與環繞部650中至少一者的厚度經過適當設計，即可形成如第15圖所示之半導體封裝件600。進一步地說，只要在步驟S208、S210、S212中，使樹脂層、纖維層與環繞部650的疊合高度不過分超出半導體元件104之上表面144，於步驟S214完成後即可露出半導體元件104之上表面144。
於另一實施例之半導體封裝件的製造方法中，亦可省略步驟S212，使環繞部650之上表面662裸露出來。在適當地設計環繞部650的厚度下，使最終之半導體封裝件中之環繞部650的上表面662可低於、高於或大致上齊平於半導體元件104之上表面144。
本發明上述實施例所揭露之半導體封裝件及其製造方法，具有多項特徵，列舉部份特徵說明如下：
(1).基板的熱膨脹係數與封裝體的熱膨脹係數相近，使整個半導體封裝件之翹曲量較小。
(2).由於封裝體的加工性較佳，使雷射加工後之貫孔的內側壁的斜度較小，貫孔之頂部開口的面積因此可以更小，半導體封裝件之輸出/入接點的數目因此而增加。
(3).半導體封裝件之導電部可以是導電柱或銲球，增加半導體封裝件在設計上的彈性。
(4).透過樹脂層及纖維層的設計，可一次形成半導體元件與基板之間的底膠及封裝半導體元件的封膠。
(5).半導體封裝件可包括環繞部，增加半導體封裝件的結構強度。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、300、500、600．．．半導體封裝件
102、502、902．．．基板
104．．．半導體元件
106、506、306、606．．．封裝體
108、108’、208、308．．．導電部
110．．．側面
112、112’．．．電性接點
114、214、314、814．．．貫孔
116．．．銲球
118．．．樹脂體
120、420、520a、520b．．．纖維層
122．．．第一子纖維結構
124．．．第二子纖維結構
126‧‧‧頂部開口
128‧‧‧底部開口
130‧‧‧第一開孔
132、532a、532b‧‧‧樹脂層
118a、118b、132a、132b、132c、518a‧‧‧一部分
134‧‧‧金屬層
136、138、536、538、552‧‧‧外側面
140、240a、240b‧‧‧第二開孔
142、144、542、662‧‧‧上表面
148、448‧‧‧纖維開孔
158‧‧‧交接處
160‧‧‧內側壁
422‧‧‧纖維結構
550、650、750、950‧‧‧環繞部
554‧‧‧環繞部開孔
556‧‧‧金屬板
764、864‧‧‧塊體
766‧‧‧凹部
962‧‧‧環繞部貫孔
P‧‧‧壓力
R‧‧‧部分
S‧‧‧空間
第1圖繪示依照本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視圖。
第2圖繪示第1圖之局部A之上視圖。
第3圖繪示本發明另一實施態樣之半導體封裝件之纖維結構的上視圖。
第4圖繪示依照本發明第一實施例之半導體封裝件之製造方法流程圖。
第5A至5E圖繪示第1圖之半導體封裝件之製造示意圖。
第6圖繪示本發明另一實施例之半導體封裝件之導電部的示意圖。
第7圖繪示依照本發明第二實施例之半導體封裝件的剖視圖。
第8圖繪示依照本發明第三實施例之半導體封裝件的剖視圖。
第9圖繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之局部剖視圖。
第10圖繪示依照本發明第三實施例之半導體封裝件之製造方法流程圖。
第11A至11C圖繪示第8圖之半導體封裝件之製造示意圖。
第12圖繪示第11B圖之環繞部的局部上視圖。
第13圖繪示依照本發明一實施例之環繞部的局部上視圖。
第14圖繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之環繞部的局部上視圖。
第15圖繪示依照本發明一實施例之半導體封裝件之剖視圖。
100．．．半導體封裝件
102．．．基板
104．．．半導體元件
106．．．封裝體
108．．．導電部
110．．．側面
112．．．電性接點
114．．．貫孔
116．．．銲球
118．．．樹脂體
118a．．．一部分
120．．．纖維層
122．．．第一子纖維結構
124．．．第二子纖維結構
126．．．頂部開口
128．．．底部開口
134．．．金屬層
136、138．．．外側面
142、144．．．上表面

Claims (12)

  1. 一種半導體封裝件，包括：一基板，具有一電性接點；一半導體元件，設於該基板上；一封裝體(package body)，覆蓋該半導體元件之至少一部分並定義一貫孔，該貫孔露出該電性接點，其中該封裝體包括一樹脂體及複數層纖維層，該些纖維層設於該樹脂體內且環繞該半導體元件，各該纖維層定義呈陣列型之複數個纖維開孔；以及一導電部，透過該貫孔電性連接於該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中各該纖維層由玻璃纖維所組成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中各該纖維層包括複數條第一子纖維結構及複數條第二子纖維結構，該些第一子纖維結構與該些第二子纖維結構係交織(interlaced)且彼此固定。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該導電部係導電柱(conductive pillar)或銲球(solder ball)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該半導體元件係覆晶(flip chip)，該樹脂體之一部分係填充於該半導體元件與該基板之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其中該樹脂體之一部分係覆蓋該半導體元件之上表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，其 中該基板之側面與該封裝體之側面係切齊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體封裝件，更包括：一環繞部，環繞該半導體元件設置；其中，該封裝體包覆該環繞部之至少一部分。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體封裝件，其中該環繞部埋設於該封裝體之內部。
  10. 一種半導體封裝件之製造方法，包括：提供一基板，該基板具有一電性接點；設置一半導體元件於該基板上；形成一導電部於該電性接點上；疊合複數層樹脂層及複數層纖維層於該基板上，該些樹脂層及該些纖維層係露出該半導體元件，且該些纖維層環繞該半導體元件，各該纖維層定義呈陣列型之複數個纖維開孔；施加壓力及熱量於該些樹脂層及該些纖維層，使該些樹脂層熔化，熔化之該些樹脂層於凝固後形成一樹脂體，該樹脂體及該些纖維層形成一封裝體；形成一貫孔貫穿該樹脂體與該些纖維層，以露出該電性接點；以及切割該基板及該封裝體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中於施加壓力及熱量於該些樹脂層及該些纖維層之該步驟之前，該製造方法更包括：設置一環繞部環繞該半導體元件。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中於該切割步驟中，切割路徑經過重疊之該基板、該封裝體與該環繞部，使該基板之側面、該封裝體之側面及該環繞部之側面係切齊。
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