KR101725204B1 - 금속 산화물의 선택적 식각액 - Google Patents

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KR101725204B1
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유정훈
임영민
김민우
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풍원화학(주)
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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions

Abstract

본 발명은 금속 산화물의 선택적 식각액에 관한 것으로, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은, 염화알루미늄 수화물, 유기 술폰산 수용액 및 물을 포함한다.
본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 금속 산화물에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않는다.

Description

금속 산화물의 선택적 식각액{SELECTIVE ETCHANT FOR METAL OXIDE}
본 발명은 금속 산화물의 선택적 식각액에 관한 것으로, 구체적으로는, 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel)의 제조 공정에 사용될 수 있는 금속 산화물의 선택적 식각액에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 터치 스크린 패널의 전극의 패턴을 형성하기 위한 제조 공정에 사용될 수 있는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)의 선택적 식각액에 관한 것이다.
터치 스크린 패널의 전극은 금속 및/또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 구조일 수 있다.
터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 배치되는 금속 및/또는 금속 산화물이 식각하여 제거됨으로써 패턴을 형성할 수 있다.
한편, 금속 산화물을 선택적으로 식각하기 위한 식각액이 무기산, 예를 들어 염산(hydrochloric acid)을 포함하는 경우에는 금속의 변형에 의한 손상을 발생시킴에 따라, 이를 통하여 형성되는 배선 전극의 단락 내지는 단선에 의한 쇼트 불량을 발생시키는 문제가 있었다.
또는, 금속 산화물을 선택적으로 식각하기 위한 식각액이 유기산, 예를 들어, 아세트산(Acetic acid)을 포함하는 경우에는 식각 특성이 저하됨에 따라, 이를 통하여 형성되는 배선 전극의 잔사, 언터컷 등에 의한 불량을 발생시키는 문제가 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 조성의 금속 산화물의 선택적 식각액이 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 산화물에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않는 금속 산화물의 선택적 식각액을 제공하고자 한다.
이를 위해 본 발명은 염화알루미늄 수화물; 유기 술폰산 수용액; 및 물을 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액을 제공한다.
보다 구체적으로는, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 염화알루미늄 수화물 550g/L 내지 650g/L; 유기 술폰산 수용액 150g/L 내지 250g/L; 물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기 술폰산 수용액은 유기 술폰산 및 물을 포함하고, 상기 유기 술폰산은 60 부피% 내지 80부피%인 것을 포함할 수 있다.
이때, 상기 염화알루미늄 수화물은 염화알루미늄 육수화물을 포함할 수 있다. 상기 유기 술폰산은 메탄 술폰산을 포함할 수 있다.
본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 금속 산화물에 대한 식각 속도가 높고, 석출물이 없어 별도의 후처리 공정이 요구되지 않는다.
또한, 금속 산화물 상에 배치되는 금속의 변형이나 손상을 최소화할 수 있고, 금속 산화물을 선택적으로 식각함에 따라, 전극의 단락 내지 단선에 의한 불량을 방지할 수 있으므로, 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 흐름성이 우수하여, 10㎛ 이하의 미세한 배선 전극의 사이를 식각하는 경우에도 잔막이 발생하지 않고, 균일한 식각이 가능할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
터치 스크린 패널을 포함하는 터치 디바이스의 소형화, 베젤이 없는 터치 디바이스에 대한 요구에 따라, 전극 패턴은 미세화 내지 정밀화가 요구된다.
터치 스크린 패널의 전극 패턴을 미세하고 정밀하게 형성하기 위해서는, 전극을 형성하는 물질의 우수한 식각 특성이 요구된다. 특히, 패턴이 형성되지 않는 부분의 선택적인 식각이 중요하다.
본 발명자는 패턴이 형성되지 않는 부분인 금속 산화물의 선택적인 식각 효과가 우수하며, 금속 산화물 상에 배치되는 금속을 손상시키지 않는 금속 산화물의 선택적 식각액을 개발하기 위하여 연구를 거듭한 결과, 염화알루미늄 수화물, 유기 술폰산 수용액 및 물을 혼합하여 사용할 경우, 상기와 같은 목적을 달성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 염화알루미늄 수화물, 유기 술폰산 수용액 및 물을 포함한다.
상기 금속 산화물의 선택적 식각액은 터치 스크린 패널의 제조 공정에서 사용되는 전극을 형성하기 위한 용도이다. 자세하게, 상기 금속 산화물의 선택적 식각액은 터치 스크린 패널의 제조 공정에서 사용되는 전극 형성 물질인 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각함에 따라, 전극 패턴을 형성하기 위한 용도이다.
터치 스크린 패널의 전극은 금속 및/또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 구조일 수 있다.
상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 소다라임유리(soda lime glass)를 포함하거나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 폴리 카보네이트(PC) 등의 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 기판 상에는 금속 산화물이 배치될 수 있다. 상기 금속 산화물은 도전성 금속 산화물일 수 있다. 상기 금속 산화물은 투명한 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 인듐 주석 산화물은 100 내지 1000 Å 의 두께로 배치될 수 있다.
상기 금속 산화물 상에는 금속이 배치될 수 있다. 상기 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr), 은(Ag) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 금속은 단일층 구조 또는 두 층 이상의 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속은 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금으로 이루어진 단일층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속은 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 제 1층, 상기 제 1층 상에 배치되는 구리(Cu)로 이루어진 제 2층, 상기 제 2 층 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 제 3층이 배치되는 다층 구조일 수 있다.
이때, 상기 금속은 1000 내지 3000Å의 두께로 배치될 수 있다.
상기 금속 상에는 드라이 필름일 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 상에는 감광성 물질을 포함하는 드라이 필름이 배치될 수 있다. 이후에는, 노광 및 현상 공정에 의하여 금속 상에 패턴이 형성될 수 있다.
상기 금속 상에 패턴을 형성한 이후에, 금속 산화물은 본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액으로 처리할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 금속 산화물을 선택적으로 식각하기 위한 식각 공정에 사용될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 상기 금속이 배치되지 않은 영역의 상기 금속 산화물을 선택적으로 식각함으로써, 상기 금속의 패턴과 대응되는 패턴을 가지는 상기 금속 산화물을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 상기 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 전극 패턴을 형성할 수 있다.
이때, 상기 전극 패턴의 폭은 10㎛ 이하일 수 있다.
즉, 상기 금속 산화물의 선택적 식각액을 식각 공정에 사용함으로써, 10㎛ 이하의 폭을 가지는 미세 전극 패턴을 구현할 수 있다.
또한, 상기 금속 산화물 상의 금속의 변형 내지는 손상을 방지할 수 있고, 패턴과 패턴 사이의 잔막이 효과적으로 제거됨에 따라, 터치 스크린 패널의 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 금속 산화물의 식각액은 식각 속도가 우수하며, 미세 배선을 구현할 수 있음에 따라, 공정 효율성 및 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 염화알루미늄 수화물은 금속 산화물을 식각하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 염화알루미늄 수화물은 인듐 주석 산화물을 식각하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 염화알루미늄 수화물은 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각하기 위한 것이다.
상기 염화알루미늄 수화물은 염화알루미늄 육수화물(AlCl3·6H2O)일 수 있다.
염화알루미늄 무수화물은 폭발성을 가지기 때문에, 취급이 용이한 염화알루미늄 육수화물을 사용할 수 있다.
상기 염화알루미늄 수화물을 포함함에 따라, 본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 염산(hydrochloric acid)을 포함하지 않을 수 있어, 염산에 의한 금속의 변형 내지 손상을 방지할 수 있고, 이를 통하여 형성되는 전극의 단락 내지는 단선에 의한 쇼트 불량을 방지할 수 있다.
한편, 상기 염화알루미늄 수화물의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 550g 내지 650g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 염화알루미늄 수화물의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 570g 내지 620g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 염화알루미늄 수화물의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 590g 내지 610g을 포함할 수 있다.
상기 염화알루미늄 수화물이 550g/L 미만으로 사용되는 경우에는 금속 산화물이 식각 되지 않거나 식각 속도가 느릴 수 있다.
또한, 상기 염화알루미늄 수화물이 650g/L 초과로 사용되는 경우에는 상기 금속의 손상 또는 변형이 발생함에 따라 미세 전극 패턴을 형성하기 어려울 수 있고, 용해도를 초과하여 용액 내에 염화알루미늄 수화물이 석출되는 문제가 발생할 수 있다.
다음으로, 상기 유기 술폰산 수용액은 금속 산화물을 식각하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 유기 술폰산 수용액은 인듐 주석 산화물을 식각하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 유기 술폰산 수용액은 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각하기 위한 것이다.
무기 술폰산, 예를 들어, 황산을 사용하는 경우에는 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각하기 어려울 수 있다. 자세하게, 황산을 사용하는 경우에는 금속 배선에 손상을 가할 수 있어, 미세 전극 패턴의 구현이 어려운 문제가 있다.
상기 유기 술폰산 수용액은 유기 술폰산 및 물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기 술폰산은 물에 대하여 60 부피% 내지 80 부피%인 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 술폰산은 물에 대하여 65 부피% 내지 75 부피%인 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 술폰산은 물에 대하여 약 70 부피%인 것을 포함할 수 있다. 여기에서, “약”은 공정 중의 오차를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 유기 술폰산은 메탄 술폰산일 수 있다. 상기 메탄 술폰산은 상기 금속의 손상 또는 변형을 방지할 수 있고, 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각할 수 있어, 미세 전극 패턴을 구현할 수 있다.
상기 메탄 술폰산 수용액을 포함함에 따라, 본 발명에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액은 식각 특성이 향상될 수 있다.
한편, 상기 유기 술폰산 수용액의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 150g 내지 250g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 유기 술폰산 수용액의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 170g 내지 230g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 유기 술폰산 수용액의 함량은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 190g 내지 210g을 포함할 수 있다.
상기 유기 술폰산 수용액이 150g/L 미만으로 사용되는 경우에는 금속 산화물이 식각 되지 않거나 식각 속도가 느릴 수 있다.
또한, 상기 유기 술폰산 수용액이 250g/L 초과로 사용되는 경우에는 상기 금속의 손상 또는 변형이 발생함에 따라 미세 전극 패턴을 형성하기 어려울 수 있고, 용해도를 초과하여 용액 내에 유기 술폰산이 석출되는 문제가 발생할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 물을 포함할 수 있다. 상기 물은 금속 산화물의 선택적 식각액의 점도나 농도를 조절하여, 적절한 함량으로 포함될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 금속 산화물의 선택적 식각액 1L에 대하여 염화 알루미늄 수화물, 유기 술폰산 수용액 및 물을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 계면 활성제, 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 조성으로 이루어진 본 발명의 금속 산화물의 선택적 식각액은 금속의 변형이나 손상 없이, 금속 산화물에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않을 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 자세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인하여 한정 해석되는 것은 아니다.
PET의 일면 상에 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 200Å의 두께로 배치한 후, 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금을 2000Å의 두께로 배치하였다. 이때, 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금은 하나의 층으로 배치될 수 있다. 상기 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금 상에는 드라이 필름이 배치될 수 있다.
노광 및 현상 후에 인듐 주석 산화물의 선택적인 식각 공정이 진행될 수 있다.
본 발명자는 금속 산화물의 선택적 식각액 조성을 다양하게 변화시킴에 따라, 인듐 주석 산화물의 식각 여부, 식각 속도, 니켈(Ni)과 구리(Cu)의 합금의 손상여부 및 식각액 내 석출 발생 여부를 통하여 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각할 수 있고, 미세 패턴을 형성할 수 있는 동시에 석출이 발생하지 않는 조성을 측정하였다.
실시예 1
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 600g/L, 메탄 술폰산 수용액 200g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
실시예 2
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 590g/L, 메탄 술폰산 수용액 200g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
실시예 3
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 610g/L, 메탄 술폰산 수용액 200g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
실시예 4
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 600g/L, 메탄 술폰산 수용액 190g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
실시예 5
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 600g/L, 메탄 술폰산 수용액 210g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
비교예 1
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 500g/L, 메탄 술폰산 수용액 200g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
비교예 2
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 700g/L, 메탄 술폰산 수용액 200g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
비교예 3
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 600g/L, 메탄 술폰산 수용액 100g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
비교예 4
메탄 술폰산 수용액은 70 부피%로 제조하고, 염화알루미늄 육수화물 600g/L, 메탄 술폰산 수용액 300g/L 및 물이 포함된 금속 산화물의 선택적 식각액을 제조하였다.
실험예 1: 인듐 주석 산화물의 식각 여부 측정
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액을 이용하여 20㎛의 폭을 가지는 패턴이 형성된 금속 산화물을 식각하였다.
이때, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에 따른 금속 산화물의 선택적 식각액의 온도는 50℃였다. 교반은 침적 교반을 통해 이루어졌으며, 교반 속도는 80 rpm으로 진행되었다.
인듐 주석 산화물의 식각 여부는 저항 측정기를 통한 통전 여부로 확인하였다.
실험예 1에 따른 측정 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
실험 조건 통전 여부
실시예 1 통전되지 않음.
실시예 2 통전되지 않음.
실시예 3 통전되지 않음.
실시예 4 통전되지 않음.
실시예 5 통전되지 않음.
비교예 1 200 내지 1000㏀의 저항이 측정됨.
비교예 2 통전되지 않음.
비교예 3 200 내지 1000㏀의 저항이 측정됨.
비교예 4 통전되지 않음.
상기 표 1을 참조하면, 염화알루미늄 육수화물 550g/L 내지 650g/L, 메탄 술폰산 수용액 150g/L 내지 250g/L, 및 물을 포함하는 인듐 주석 산화물의 선택적 식각액은 인듐 주석 산화물의 식각 특성이 우수한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 전극의 신뢰성이 향상될 수 있고, 공정 수율이 향상될 수 있다.
실험예 2: 식각 속도의 측정
실험예 1과 동일한 조건에서, 식각 속도를 측정하였다. 이때, 식각 속도는 초시계를 이용하여 측정하였다.
실험예 2에 따른 측정 결과는 하기 표 2에 기재하였다.
실험 조건 식각 속도
실시예 1 90초 이하
실시예 2 90초 이하
실시예 3 90초 이하
실시예 4 90초 이하
실시예 5 90초 이하
비교예 1 300초 이상
비교예 2 90초 이하
비교예 3 300초 이상
비교예 4 90초 이하
상기 표 2를 참조하면, 염화알루미늄 육수화물 550g/L 내지 650g/L, 메탄 술폰산 수용액 150g/L 내지 250g/L, 및 물을 포함하는 인듐 주석 산화물의 선택적 식각액은 인듐 주석 산화물의 식각 속도가 빠른 것을 알 수 있다. 이에 따라, 공정 효율성이 향상될 수 있다.
실험예 3: 금속의 손상 측정
실험예 1과 동일한 조건에서, 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금의 손상 정도를 측정하였다. 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금의 손상은 니켈(Ni) 및 구리(Cu)의 합금의 폭의 변화를 통하여 측정하였다.
실험예 3에 따른 측정 결과는 하기 표 3에 기재하였다.
실험 조건 금속(Ni 및 Cu 의 합금)의 폭
실시예 1 1㎛ 이하
실시예 2 1㎛ 이하
실시예 3 1㎛ 이하
실시예 4 1㎛ 이하
실시예 5 1㎛ 이하
비교예 1 1㎛ 이하
비교예 2 3.2㎛
비교예 3 1㎛ 이하
비교예 4 5㎛
상기 표 3을 참조하면, 염화알루미늄 육수화물 550g/L 내지 650g/L, 메탄 술폰산 수용액 150g/L 내지 250g/L, 및 물을 포함하는 인듐 주석 산화물의 선택적 식각액은 인듐 주석 산화물 상에 배치되는 금속의 변형에 의한 전극 패턴의 폭이 증가하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 금속의 변형을 최소화하면서 인듐 주석 산화물을 선택적으로 식각할 수 있다. 이에 따라, 미세 패턴의 전극을 형성할 수 있다.
실험예 4: 석출 발생
실험예 1과 동일한 조건에서, 석출물 발생을 육안으로 관찰하였다.
실험예 4에 따른 측정 결과는 하기 표 4에 기재하였다.
실험 조건 석출 발생
실시예 1 석출 발생 없음.
실시예 2 석출 발생 없음.
실시예 3 석출 발생 없음.
실시예 4 석출 발생 없음.
실시예 5 석출 발생 없음.
비교예 1 석출 발생 없음.
비교예 2 석출 발생.
비교예 3 석출 발생 없음.
비교예 4 석출 발생.
상기 표 4를 참조하면, 염화알루미늄 육수화물 550g/L 내지 650g/L, 메탄 술폰산 수용액 150g/L 내지 250g/L, 및 물을 포함하는 인듐 주석 산화물의 선택적 식각액은 용해도 저하에 따른 석출 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정 비용이 감소될 수 있고, 별도의 후처리 공정이 요구되지 않을 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경 및 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 또한, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (7)

  1. 염화알루미늄 수화물;
    유기 술폰산 수용액; 및
    물을 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 인듐 주석 산화물인 것인 금속 산화물의 선택적 식각액.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 염화알루미늄 수화물은 염화알루미늄 육수화물인 것을 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기 술폰산 수용액은 유기 술폰산 및 물을 포함하고,
    상기 유기 술폰산은 60 부피% 내지 80부피%인 것을 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 유기 술폰산은 메탄 술폰산인 것을 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 염화알루미늄 수화물은 550g/L 내지 650g/L로 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유기 술폰산 수용액은 150g/L 내지 250g/L로 포함하는 금속 산화물의 선택적 식각액.
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