KR101738371B1 - 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 - Google Patents

은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101738371B1
KR101738371B1 KR1020160050898A KR20160050898A KR101738371B1 KR 101738371 B1 KR101738371 B1 KR 101738371B1 KR 1020160050898 A KR1020160050898 A KR 1020160050898A KR 20160050898 A KR20160050898 A KR 20160050898A KR 101738371 B1 KR101738371 B1 KR 101738371B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal layer
silver
nickel
sulfuric acid
etching
Prior art date
Application number
KR1020160050898A
Other languages
English (en)
Inventor
유정훈
임영민
허연
김민우
Original Assignee
풍원화학(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 풍원화학(주) filed Critical 풍원화학(주)
Priority to KR1020160050898A priority Critical patent/KR101738371B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101738371B1 publication Critical patent/KR101738371B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층의 식각액 조성물에 관한 것으로, 황산 수용액; 질산철; 인산; 및 질산을 포함한다.
본 발명에 따른 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층의 식각액 조성물은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않는다.

Description

은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물{ETCHING COMPOSITION FOR SILVER AND NICKEL-CHROMIUM STACKED MULTILAYERS}
본 발명은 은 및 니켈-크롬의 식각액 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는, 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel)의 제조 공정에 사용될 수 있는 적층형 금속층의 식각액 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 터치 스크린 패널의 전극의 패턴을 형성하기 위한 제조 공정에 사용될 수 있는 은 및 니켈-크롬 합금 적층형 금속층을 동시에 효율적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다.
터치 스크린 패널의 전극은 금속 및/또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 구조일 수 있다.
터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 배치되는 금속 및/또는 금속 산화물이 식각하여 제거됨으로써 패턴을 형성할 수 있다.
이때, 상기 금속은 서로 다른 종류의 금속층이 교대로 배치되는 적층형 금속층일 수 있다. 한편, 상기 적층형 금속층을 식각하기 위한 식각액이 금속층의 종류 마다 별도로 요구되는 경우에는, 공정 효율이 저하될 수 있다.
또한, 상기 적층형 금속층을 식각하기 위한 식각액은 드라이 필름 레지스트 층의 손상을 발생시킬 수 있어, 식각 공정을 통해 제조되는 전극 패턴의 직진성이 저하되는 문제가 있었다. 이에 따라, 전극 패턴의 제조 효율이 저하되는 문제가 있었다.
또한, 상기 적층형 금속층을 식각하기 위한 식각액은 식각 특성 저하에 따른 금속의 잔사, 언더컷 등에 의한 불량을 발생시키는 문제가 있었다.
또는, 상기 적층형 금속층을 식각하기 위한 식각액은 식각 공정에서 석출물이 발생함에 따라, 별도의 후처리 공정이 요구되는 문제가 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 조성의 적층형 금속 식각액이 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않는 적층형 금속층의 식각액을 제공하고자 한다.
이를 위해 본 발명은 황산 수용액; 질산철; 인산; 및 질산을 포함하는 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제공한다.
보다 구체적으로는, 본 발명의 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물은 황산 수용액 1200g/L 내지 1600g/L; 질산철 5g/L 내지 70g/L; 인산 10g/L 내지 110g/L; 및 질산 10g/L 내지 90g/L을 포함할 수 있다.
이때, 상기 황산 수용액은 황산 및 물을 포함하고, 상기 황산은 40 부피% 내지 60부피%인 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 적층형 금속층의 식각액은 서로 다른 금속인 은 및 니켈-크롬 합금을 동시에 하나의 식각액 조성물을 통해 효율적으로 식각할 수 있다. 이에 따라, 패턴 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 식각 공정에서 레지스트층의 변형을 방지할 수 있어, 전극 패턴의 직진성을 향상시킬 수 있고, 식각 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 서로 다른 금속에 대한 식각 속도가 높고, 석출물이 없어 별도의 후처리 공정이 요구되지 않을 수 있다.
또한, 실시예에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 흐름성이 우수하여, 10㎛ 이하의 미세한 배선 전극의 사이를 식각하는 경우에도 잔막이 발생하지 않고, 균일한 식각이 가능할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 따른 적층형 금속층의 식각액으로 적층형 금속층을 식각한 후에 촬영한 공구현미경 분석 사진이다.
도 2는 비교예 9에 따른 식각액으로 적층형 금속층을 식각한 후에 촬영한 공구현미경 분석 사진이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
터치 스크린 패널을 포함하는 터치 디바이스의 소형화, 베젤이 없는 터치 디바이스에 대한 요구에 따라, 전극 패턴은 미세화 내지 정밀화가 요구된다.
터치 스크린 패널의 전극 패턴을 미세하고 정밀하게 형성하기 위해서는, 전극을 형성하는 물질의 우수한 식각 특성이 요구된다. 특히, 패턴이 형성되지 않는 부분의 선택적인 식각이 중요하다.
본 발명자는 패턴이 형성되지 않는 부분, 즉 식각이 요구되는 부분에서 적층형 금속층인 은 및 니켈-크롬 합금의 식각 효과가 우수하며, 적층형 금속층 상에 배치되는 레지스트층을 손상시키지 않는 식각액 조성물을 개발하기 위하여 연구를 거듭한 결과, 황산 수용액, 질산철, 인산 및 질산을 혼합하여 사용할 경우, 상기와 같은 목적을 달성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 황산 수용액, 질산철, 인산 및 질산을 포함할 수 있다.
상기 적층형 금속층의 식각액 조성물은 터치 스크린 패널의 제조 공정에서 사용되는 전극을 형성하기 위한 용도이다. 자세하게, 상기 적층형 금속층의 식각액 조성물은 터치 스크린 패널의 제조 공정에서 사용되는 전극 형성 물질인 은 및 니켈-크롬의 합금을 동시에 식각함에 따라, 효율적으로 전극 패턴을 형성하기 위한 용도이다.
터치 스크린 패널의 전극은 금속 및/또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널의 전극은 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 구조일 수 있다.
상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 소다라임유리(soda lime glass)를 포함하거나, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 폴리 카보네이트(PC) 등의 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 기판 상에는 금속 산화물이 배치될 수 있다. 상기 금속 산화물은 도전성 금속 산화물일 수 있다. 상기 금속 산화물은 투명한 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 인듐 주석 산화물은 100 내지 1000 Å 의 두께로 배치될 수 있다.
상기 금속 산화물 상에는 금속이 배치될 수 있다. 상기 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu), 크롬(Cr), 은(Ag) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 금속은 두 층 이상의 다층 구조일 수 있다. 즉, 상기 금속은 서로 다른 종류의 금속층이 교대로 배치되는 적층형 금속층일 수 있다.
상기 금속층은 제 1 금속층 및 제 2 금속층이 교대로 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 금속층은 은(Ag)일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층은 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금일 수 있다.
예를 들어, 상기 적층형 금속층은 상기 금속 산화물 상에 은(Ag)로 이루어진 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속층이 배치되는 이층 구조일 수 있다. 또는, 상기 적층형 금속층은 상기 금속 산화물 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속층, 상기 제 2 금속층 상에 은(Ag)로 이루어진 상기 제 1 금속층이 배치되는 이층 구조일 수 있다.
예를 들어, 상기 적층형 금속층은 상기 금속 산화물 상에 은(Ag)로 이루어진 상기 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속층 및 상기 제 2 금속층 상에 은(Ag)로 이루어진 상기 제 1 금속층이 배치되는 삼층 구조일 수 있다. 또는, 상기 적층형 금속층은 상기 금속 산화물 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속층, 상기 제 2 금속층 상에 은(Ag)로 이루어진 상기 제 1 금속층 및 상기 제 1 금속층 상에 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 상기 제 2 금속층이 배치되는 삼층 구조일 수 있다.
이때, 상기 적층형 금속층은 1000 내지 3000Å의 두께로 배치될 수 있다.
상기 금속 상에는 드라이 필름일 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 적층형 금속층 상에는 드라이 필름 레지스트층이 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 상에는 감광성 물질을 포함하는 드라이 필름이 배치될 수 있다. 이후에는, 노광, 현상 및 식각 공정에 의하여 적층형 금속층에 패턴이 형성될 수 있다.
상기 적층형 금속층에 패턴을 형성하기 위해서, 상기 은 및 니켈-크롬 합금 적층형 금속층을 본 발명에 따른 식각액 조성물로 처리할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 서로 다른 종류의 적층형 금속층을 동시에 효율적으로 식각하기 위한 식각 공정에 사용될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 적층형 금속층의 식각액은 드라이 필름 레지스트층이 배치되지 않은 영역의 상기 적층형 금속층을 식각함으로써, 상기 적층형 금속층이 상기 드라이 필름의 패턴과 대응되는 패턴을 가지도록 은 및 니켈-크롬 합금을 동시에 식각함으로써, 식각 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.
이후, 별도의 식각액을 통하여 상기 금속 산화물층을 선택적으로 식각할 수 있다.
이에 따라, 상기 기판 상에 금속 산화물이 배치되고, 상기 금속 산화물 상에 금속이 배치되는 전극 패턴을 형성할 수 있다.
이때, 상기 전극 패턴의 폭은 30㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 패턴의 폭은 20㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 전극 패턴의 폭은 10㎛ 이하일 수 있다.
즉, 상기 적층형 금속층의 식각액 조성물을 식각 공정에 사용함으로써, 10㎛ 이하의 폭을 가지는 미세 전극 패턴을 구현할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 상기 드라이 필름 레지스트층의 변형 내지는 손상을 방지할 수 있어, 패턴의 직진성을 향상시킬 수 있다.
또한, 패턴과 패턴 사이의 잔막이 효과적으로 제거됨에 따라, 전극 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 적층형 금속층의 식각액은 서로 다른 금속층을 빠른 속도로 동시에 식각할 수 있고, 미세 배선을 구현할 수 있음에 따라, 공정 효율성 및 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 황산 수용액은 적층형 금속층을 식각하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 황산 수용액은 은 및 니켈-크롬의 합금을 동시에 식각하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 황산 수용액은 드라이 필름을 손상시키지 않고, 은 및 니켈-크롬의 합금을 선택적으로 식각하기 위한 것이다.
상기 황산 수용액을 포함함에 따라, 본 발명에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 서로 다른 종류의 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층을 동시에 식각할 수 있어, 공정 효율성을 향상시킬 수 있다.
상기 황산 수용액은 황산 및 물을 포함할 수 있다. 이때, 상기 황산은 물에 대하여 40 부피% 내지 60부피%인 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 황산은 물에 대하여 45 부피% 내지 55부피%인 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 황산은 물에 대하여 약 50 부피%인 것을 포함할 수 있다. 여기에서, “약”은 공정 중의 오차를 포함할 수 있다.
상기 황산의 물에 대한 함량이 60 부피%를 초과하는 경우에는, 발열반응에 의하여 식각액 조성물의 온도가 증가함에 따라, 공정 효율이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
상기 황산의 물에 대한 함량이 40 부피% 미만인 경우에는, 은 및 니켈-크롬의 합금 중 적어도 하나의 식각 특성이 저하됨에 따라, 금속의 잔사가 남아있는 문제가 발생할 수 있다.
한편, 상기 황산 수용액은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 1200g 내지 1600g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 황산 수용액은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 1300g 내지 1500g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 황산 수용액은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 1350g 내지 1450g을 포함할 수 있다.
상기 황산 수용액이 1200g/L 미만으로 사용되는 경우에는 은 및 니켈-크롬 중 적어도 하나의 금속이 식각 되지 않거나 식각 속도가 느릴 수 있다. 자세하게, 상기 황산 수용액이 1200g/L 미만으로 사용되는 경우에는 니켈-크롬의 합금이 식각되지 않을 수 있어, 미세 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 적층형 금속층 식각액 조성물의 산도가 감소함에 따라, 은이 식각되지 않을 수 있어, 언더컷에 의한 식각 불량이 발생할 수 있고, 미세 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 황산 수용액이 1600g/L 초과로 사용되는 경우에는 드라이 필름과 같은 레지스트층의 손상이 발생함에 따라, 적층형 금속층 패턴의 직진성이 저하될 수 있다.
다음으로, 상기 질산철은 적층형 금속층을 식각하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 질산철은 은 및 니켈-크롬의 합금을 동시에 식각하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 질산철은 드라이 필름을 손상시키지 않고, 은 및 니켈-크롬의 합금을 선택적으로 식각하기 위한 것이다.
상기 질산철을 포함함에 따라, 본 발명에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 서로 다른 종류의 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층을 동시에 식각할 수 있어, 공정 효율성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 질산철은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 5g 내지 70g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 질산철은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 5g 내지 35g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 질산철은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 10g 내지 30g을 포함할 수 있다.
보다 더 바람직하게, 상기 질산철은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 15g 내지 25g을 포함할 수 있다.
상기 질산철이 5g/L 미만으로 사용되는 경우에는 은 및 니켈-크롬 중 적어도 하나의 금속이 식각 되지 않거나 식각 속도가 느릴 수 있다. 자세하게, 상기 질산철이 5g/L 미만으로 사용되는 경우에는 은 및 니켈-크롬 합금이 모두 식각되지 않을 수 있어, 언더컷에 의한 식각 불량이 발생할 수 있고, 미세 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 질산철이 70g/L 초과로 사용되는 경우에는 드라이 필름과 같은 레지스트층의 손상이 발생함에 따라, 적층형 금속층 패턴의 직진성이 저하될 수 있다.
상기 질산철은 질산제이철, 즉 질산철(Ⅲ)일 수 있다. 예를 들어, 상기 질산철(Ⅲ)은 6수화염(Fe(NO3)3 · 6H2O) 및/또는 9수화염(Fe(NO3)3 · 9H2O)일 수 있다. 상기 질산철이 질산제이철, 즉 질산철(Ⅲ)인 경우에는, Ag 및 Ni-Cr 합금의 잔사 제거 효과가 우수할 수 있다.
한편, 상기 질산철이 질산제일철, 즉 질산철(Ⅱ)인 경우에는, Ag 및 Ni-Cr 합금의 잔사가 남아있을 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 적층형 식각액 조성물에 사용되는 상기 질산철은 질산제이철 육수화물 및/또는 질산제이철 구수화물이 바람직할 수 있다.
다음으로, 상기 인산은 적층형 금속층 식각액의 석출물 발생을 방지하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 인산은 은 및 니켈-크롬의 합금을 동시에 식각하는 공정에서, 상기 황산과 상기 질산철의 반응에 의한 황산철이 석출되는 것을 방지하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 인산은 석출물 발생을 방지함에 따라, 적층형 금속층 식각액의 안정성을 향상시킬 수 있고, 석출물을 제거하기 위한 후처리 공정을 생략할 수 있다.
또한, 적층형 금속층 식각액 조성물이 황산 수용액, 질산철 및 질산만을 포함하는 경우에도, 은 및 니켈-크롬 합금을 식각할 수 있으나, 상기 인산을 특정 함량으로 첨가함에 따라, 은 및 니켈-크롬 합금을 동시에 식각시킬 수 있는 효과가 보다 향상될 수 있다.
한편, 상기 인산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 10g 내지 110g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 인산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 60g 내지 90g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 인산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 40g 내지 80g을 포함할 수 있다.
보다 더 바람직하게, 상기 인산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 45g 내지 75g을 포함할 수 있다.
상기 인산이 10g/L 미만으로 사용되는 경우에는 황산과 질산철의 반응에 의하여 황산철이 석출됨에 따라, 식각액 조성물의 안정성이 저해될 수 있다. 또한, 상기 인산의 함량 저하에 따른, 식각액 조성물의 산도 감소로 인하여, 은이 식각되지 않을 수 있어, 미세한 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 인산이 110g/L 초과로 사용되는 경우에는 식각 특성의 상승 효과가 나타나지 않으므로, 공정 효율이 저하될 수 있다.
다음으로, 상기 질산은 적층형 금속층을 식각하기 위한 것이다. 자세하게, 상기 질산은 은 및 니켈-크롬의 합금을 동시에 식각하기 위한 것이다. 보다 자세하게, 상기 질산은 드라이 필름을 손상시키지 않고, 은 및 니켈-크롬의 합금을 선택적으로 식각하기 위한 것이다.
상기 질산을 포함함에 따라, 본 발명에 따른 적층형 금속층 식각액 조성물은 서로 다른 종류의 상기 제 1 금속층 및 상기 제 2 금속층을 동시에 식각할 수 있어, 공정 효율성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 질산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 10g 내지 90g을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 질산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 20g 내지 80g을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 질산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 30g 내지 70g을 포함할 수 있다.
보다 더 바람직하게, 상기 질산은 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 1L에 대하여 40g 내지 60g을 포함할 수 있다.
상기 질산이 10g/L 미만으로 사용되는 경우에는 은 및 니켈-크롬 중 적어도 하나의 금속이 식각 되지 않거나 식각 속도가 느릴 수 있다. 자세하게, 상기 질산이 10g/L 미만으로 사용되는 경우에는 조성물의 산도가 감소함에 따라, 은 및 니켈-크롬 합금이 모두 식각되지 않을 수 있어, 언더컷에 의한 식각 불량이 발생할 수 있고, 이에 따라, 미세 패턴을 형성하기 어려울 수 있다.
상기 질산이 90g/L 초과로 사용되는 경우에는 드라이 필름과 같은 레지스트층의 손상이 발생함에 따라, 적층형 금속층 패턴의 직진성이 저하될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 적층형 금속층 식각액 조성물은 물을 포함할 수 있다. 상기 물은 적층형 금속층 식각액 조성물의 점도나 농도를 조절하여, 적절한 함량으로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 적층형 금속층 식각액 조성물은 계면 활성제, 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 조성으로 이루어진 본 발명의 적층형 금속층 식각액 조성물은 금속의 변형이나 손상 없이, 은 및 니켈-크롬 합금에 대한 식각 속도가 높고, 미세 가공 시에 식각 균일성이 우수하며, 석출물이 없어 별도의 후처리가 요구되지 않을 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 자세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인하여 한정 해석되는 것은 아니다.
PET의 일면 상에 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 배치한 후, 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금을 배치하였다. 이때, 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금은 하나의 층으로 배치될 수 있다. 상기 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금 상에는 은(Ag)이 배치될 수 있다. 상기 은(Ag) 층 상에는 드라이 필름 레지스트층이 배치될 수 있다.
노광 및 현상 후에 상기 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금층 및 은(Ag)층의 식각 공정이 진행될 수 있다.
본 발명자는 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층의 식각액 조성을 다양하게 변화시킴에 따라, 은 및 니켈-크롬의 식각 여부, 금속 패턴의 직진성, 레지스트층의 손상여부 및 용액의 안정성(식각액 내 석출 발생 여부)을 통하여 은 및 니켈-크롬을 동시에 효율적으로 식각할 수 있고, 미세 패턴을 형성할 수 있고, 이와 동시에 석출이 발생하지 않는 조성을 측정하였다.
실시예 1
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 2
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1300g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 3
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1500g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 4
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 15g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 5
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 25g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 6
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 40g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 7
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 80g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 8
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 40g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실시예 9
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 60g/을 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 1
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1100g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 2
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1700g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 3
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 3g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 4
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 75g/L, 인산 60g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 5
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 5g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 6
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 120g/L 및 질산 50g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 7
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 5g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
비교예 8
황산 수용액은 50 부피%로 제조하고, 황산 수용액 1400g/L, 질산철 20g/L, 인산 60g/L 및 질산 100g/를 혼합하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물을 제조하였다.
실험예 1: Ag 및 Ni- Cr합금의 식각 여부
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 8에 따른 금속층 식각액을 이용하여 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층을 식각하였다.
이때, 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 8에 따른 금속층 식각액의 온도는 30℃였다. 교반은 침적 교반을 통해 이루어졌으며, 교반 속도는 800 rpm으로 진행되었다. 상기 교반은 40초 동안 진행되었다.
이후, 실험예 1에 따른 은 및 니켈-크롬 합금의 식각 여부 측정 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
은 및 니켈-크롬 합금이 모두 식각된 경우에는 ○로 표시하였고, 은 및 니켈-크롬 합금의 잔사가 남아있는 경우에는 △로 표시하였고, 은 및 니켈-크롬 합금이 식각되지 않고 연결된 부분이 남아 있는 경우에는 ×로 표시하였다.
실험조건 Ag 식각 여부 Ni-Cr 식각 여부
실시예 1 ○ ○
실시예 2 ○ ○
실시예 3 ○ ○
실시예 4 ○ ○
실시예 5 ○ ○
실시예 6 ○ ○
실시예 7 ○ ○
실시예 8 ○ ○
실시예 9 ○ ○
비교예 1 △ ×
비교예 2 ○ ○
비교예 3 △ △
비교예 4 ○ △
비교예 5 △ ○
비교예 6 ○ ○
비교예 7 △ ○
비교예 8 ○ ○
상기 표 1을 참조하면, 황산 수용액은 함량에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 식각 여부에 차이가 나타나고, 특히 Ni-Cr의 식각에 주된 효과를 가지는 것을 알 수 있다. 한편, 상기 질산철은 함량에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 식각 여부에 차이가 있음을 알 수 있다.
비교예 1을 참조하면, 상기 황산 수용액이 1200g/L 미만, 즉 1100g/L 포함됨에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 식각 특성이 모두 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 3을 참조하면, 상기 질산철이 5 g/L 미만, 즉 3 g/L 포함됨에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 식각 특성이 모두 저하되는 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 4를 참조하면, 상기 질산철이 70 g/L 초과, 즉 75g/L 포함됨에 따라, Ni-Cr의 식각 특성이 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 5를 참조하면, 상기 인산이 10 g/L 미만, 즉 5g/L 포함됨에 따라, Ag의 식각 특성이 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 7을 참조하면, 상기 질산이 10g/L 미만, 즉 5g/L 포함됨에 따라, Ag의 식각 특성이 저하되는 것을 알 수 있다.
실험예 2: Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성
실험예 1과 동일한 조건에서, 식각된 Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성을 측정하였다. Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성을 식각 후에 공구 현미경 분석을 통하여, 육안으로 관측하였다.
실험예 2에 따른 측정 결과는 하기 표 2에 기재하였다.
금속 패턴이 직진성을 가지는 경우에는 ○로 표시하였고, 금속 패턴의 경계부에서 불규칙한 곡선 형상을 부분적으로 가지는 경우에는 △로 표시하였고, 금속 패턴의 경계부에서 불규칙한 곡선 형상을 전체적으로 가지는 경우에는 ×로 표시하였다.
실험조건 Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성
실시예 1 ○
실시예 2 ○
실시예 3 ○
실시예 4 ○
실시예 5 ○
실시예 6 ○
실시예 7 ○
실시예 8 ○
실시예 9 ○
비교예 1 △
비교예 2 ×
비교예 3 ×
비교예 4 ○
비교예 5 ○
비교예 6 ○
비교예 7 △
비교예 8 △
상기 표 2를 참조하면, 황산 수용액, 질산철 및 질산의 함량에 따라, Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성이 변화하는 것을 알 수 있다.
비교예 1 및 2를 참조하면, 황산 수용액이 실시예에 따른 1200g/L 내지 1600g/L 함량 범위를 벗어남에 따라, Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 3을 참조하면, 상기 질산철이 5 g/L 미만, 즉 3 g/L 포함됨에 따라, Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 7 및 8을 참조하면, 상기 질산이 실시예에 따른 10g/L 내지 90g/L 함량 범위를 벗어남에 따라, Ag 및 Ni-Cr 패턴의 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다.
한편, 실시예 1에 따른 금속층 식각액의 온도를 45℃에서, 30초 동안 교반 한 후에, 식각된 적층형 금속층 패턴이 촬영된 공구현미경 분석 사진은 도 1에 나타난다. 도 1에 따른 실시예 1의 사진과 같이, 금속 패턴이 직진성을 가지는 경우에는 ○로 표시하였다.
도 2는 비교예 9에 따른 염산을 포함하는 식각액 조성물을 사용한 경우에 촬영한 패턴의 사진이다. 식각액 조성물이 염산을 포함하는 경우에는, 염화은(AgCl)과 같은 석출물이 발생할 수 있어, 패턴의 표면 상에 석출물이 부착될 수 있음에 따라, 전극 패턴의 해상도가 저하될 수 있다. 또한, 금속 패턴의 경계부가 불규칙적인 곡선 형상을 부분적으로 가지기 때문에, 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다. 즉, 도 2와 같은 직진성을 가질 때, △로 표시하였다.
실험예 3: 레지스트층의 손상 측정
실험예 1과 동일한 조건에서, 레지스트층의 손상 정도를 측정하였다.
실험예 3에 따른 측정 결과는 하기 표 3에 기재하였다.
레지스트층의 탈막이 발생하는 경우에는 ○로 표시하였고, 레지스트층의 변색 및 탈막이 모두 발생하지 않는 경우에는 ×로 표시하였다.
실험조건 레지스트층 손상
실시예 1 ×
실시예 2 ×
실시예 3 ×
실시예 4 ×
실시예 5 ×
실시예 6 ×
실시예 7 ×
실시예 8 ×
실시예 9 ×
비교예 1 ×
비교예 2 ○
비교예 3 ×
비교예 4 ×
비교예 5 ×
비교예 6 ×
비교예 7 ×
비교예 8 ○
상기 표 3을 참조하면, 황산 수용액 및 질산이 과량으로 사용되는 경우에는 Ag 및 Ni-Cr 상에 배치되는 레지스트층이 손상됨에 따라, 균일한 식각특성을 저하시킬 수 있음을 알 수 있다.
비교예 2에 따른 결과를 참조하면, 상기 황산 수용액이 1600g/L초과, 즉 1700g/L 포함됨에 따라, 레지스트층의 손상이 발생하는 것을 알 수 있다. 자세하게, 비교예 2는 레지스트층의 탈막이 발생함에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다.
비교예 8에 따른 결과를 참조하면, 상기 질산이 90g/L초과, 즉 100g/L 포함됨에 따라, 레지스트층의 손상이 발생하는 것을 알 수 있다. 자세하게, 비교예 8은 레지스트층의 탈막이 발생함에 따라, Ag 및 Ni-Cr의 직진성이 저하되는 것을 알 수 있다.
실험예 4: 용액 안정성 평가
실험예 1과 동일한 조건에서, 용액 안정성을 평가하였다.
개별적 실험 조건에서, 각각의 용액의 안정성은 식각액 조성물을 24시간 방치한 후에, 석출물 발생 여부를 육안으로 관찰하였다.
실험예 4에 따른 측정 결과는 하기 표 4에 기재하였다.
이때, 석출물이 발생하지 않는 경우는 ×로 표시하였고, 석출물이 발생하는 경우는 ○로 표시하였다.
실험조건 석출 발생
실시예 1 ×
실시예 2 ×
실시예 3 ×
실시예 4 ×
실시예 5 ×
실시예 6 ×
실시예 7 ×
실시예 8 ×
실시예 9 ×
비교예 1 ×
비교예 2 ×
비교예 3 ×
비교예 4 ×
비교예 5 ○
비교예 6 ×
비교예 7 ×
비교예 8 ×
상기 표 4를 참조하면, 인산의 함량에 따라, 용액의 안정성이 변화되고, 이에 따라 석출물 발생이 변화하는 것을 알 수 있다.
상기 비교예 5에 따른 결과를 참조하면, 인산이 10g/L 미만, 즉 5g/L 포함되었을 때, 황산철이 석출되는 것을 알 수 있다.
즉, 실시예에 따른 적측형 금속층 식각액 조성물은 인산이 10g/L 내지 110g/L 포함됨에 따라, 석출물의 발생을 방지할 수 있어, 용액 안정성이 향상될 수 있다. 또한, 석출물의 제거를 위한 별도의 후처리 공정이 요구되지 않을 수 있으므로, 공정 비용이 감소될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경 및 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 또한, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (7)

  1. 은(Ag)으로 이루어진 제 1 금속층, 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)의 합금으로 이루어진 제 2 금속층이 교대로 두 층 이상 배치되고, 총 두께가 1000Å 내지 3000Å인 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층을 식각하기 위한 식각액 조성물로서,
    황산 수용액 1200g/L 내지 1600g/L;
    질산제이철 5g/L 내지 70g/L;
    인산 10g/L 내지 110g/L; 및
    질산 10g/L 내지 90g/L을 포함하는 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 황산 수용액은 황산 및 물을 포함하고,
    상기 황산은 40 부피% 내지 60부피%인 것을 포함하는 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 질산제이철은 6수화염(Fe(NO3)3 · 6H2O) 및 9수화염(Fe(NO3)3 · 9H2O) 중 적어도 하나인 것을 포함하는 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물.
KR1020160050898A 2016-04-26 2016-04-26 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물 KR101738371B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160050898A KR101738371B1 (ko) 2016-04-26 2016-04-26 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160050898A KR101738371B1 (ko) 2016-04-26 2016-04-26 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101738371B1 true KR101738371B1 (ko) 2017-05-23

Family

ID=59050426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160050898A KR101738371B1 (ko) 2016-04-26 2016-04-26 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101738371B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110552006A (zh) * 2018-05-30 2019-12-10 三星显示有限公司 薄膜蚀刻剂组合物及使用其形成金属图案的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323458B1 (ko) 2007-06-15 2013-10-29 동우 화인켐 주식회사 은 식각액 조성물

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323458B1 (ko) 2007-06-15 2013-10-29 동우 화인켐 주식회사 은 식각액 조성물

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110552006A (zh) * 2018-05-30 2019-12-10 三星显示有限公司 薄膜蚀刻剂组合物及使用其形成金属图案的方法
US11225721B2 (en) 2018-05-30 2022-01-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film etchant composition and method of forming metal pattern by using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004064161B4 (de) Verfahren zum Ätzen von Metallen, ausgewählt aus Nickel, Chrom, Nickel-Chrom-Legierungen und/oder Palladium
KR102333536B1 (ko) 적층 투명 도전막, 적층 배선막 및 적층 배선막의 제조 방법
CN106011861A (zh) 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法
KR102192353B1 (ko) 전기전도성 금속 박막 시드층의 선택적 에칭을 이용한 회로형성방법 및 에칭액 조성물
CN106231816A (zh) 一种无引线金手指板的制作方法
CN104047041A (zh) 一种印刷电路板制备方法
KR101594465B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물
WO2018221183A1 (ja) 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板
JP6062418B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR101738371B1 (ko) 은 및 니켈-크롬 적층형 금속층 식각액 조성물
KR20110085254A (ko) 금속 배선용 식각액조성물 및 상기 식각액을 사용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN110295368B (zh) 不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物
TW201028500A (en) Method for forming electronic circuit
JPWO2003031688A1 (ja) エッチング液組成物
DE102010033870A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats
JP6870332B2 (ja) 積層透明導電膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法
JP5728118B1 (ja) 表面処理銅箔、該表面処理銅箔の製造方法、および該表面処理銅箔を用いた銅張積層板
CN107201519A (zh) 一种钛选择性双组份蚀刻液
JP5394051B2 (ja) エッチング液、及びエッチング方法
CN113637972B (zh) 银薄膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及金属图案形成方法
CN107709000B (zh) 层叠体基板、导电性基板、层叠体基板的制造方法及导电性基板的制造方法
JP6597139B2 (ja) 黒化めっき液、導電性基板
JP4055595B2 (ja) 金属材料のエッチング液およびエッチング方法
JPWO2017130865A1 (ja) 黒化めっき液、導電性基板の製造方法
JPWO2016190224A1 (ja) 黒化めっき液、導電性基板

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant