KR20130121168A - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents

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Abstract

유전체층에 V를 첨가해도, 세라믹의 변질을 억제할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서를 제공한다.
서로 적층되어 적층체(20)를 형성하는 유전체층과, 적층체(20)의 유전체층의 사이에 배치된 내부전극(14)과, 적층체(20)의 표면을 따라 형성되고, 내부전극(14)에 접속되며, 적어도 Ag를 주성분으로 하는 은 함유층을 포함하는 외부전극(16a,16b)과, 외부전극(16a,16b)의 가장자리(16p,16q)가 따르는 적층체(20)의 표면(20s,20t,20u,20v) 중, 외부전극(16a,16b)으로 덮인 부분의 적어도 일부를 덮는 피복층(30)을 포함한다. 유전체층 및 피복층(30)은 Ba, Sr, Ca 중 적어도 하나를 "A"로 나타내고, Ti, Zr, Hf 중 적어도 하나를 "B"로 나타내며, 산소를 "O"로 나타냈을 때에, 화학식 "ABO3"으로 표시되는 페로브스카이트계 화합물을 주성분으로 한다. 유전제층 및 피복층(30) 중 유전체층에만 V가 첨가되어 있다.

Description

적층 세라믹 콘덴서{LAYERED CERAMIC CAPACITOR}
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로서, 유전체층이 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 페로브스카이트계 화합물을 주성분으로 하는 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것이다.
종래, 적층 세라믹 콘덴서는, 소형 대용량화를 실현하기 위해, 티탄산바륨(BaTiO3) 등을 주성분으로 하는 유전체층의 박층화가 진행되어 왔다.
그러나 유전체층을 박층화함으로써 유전체층에 인가되는 전계 강도가 높아져 내(耐)전압이나 고온·고전계의 부하 시험에 대한 신뢰성의 저하를 초래할 우려가 있다.
유전체 중의 저항 분포가 큰 경우, 저항이 높은 곳에 전계가 집중하여, 소자로서의 절연 저항이 단시간에 저하한다. 이것을 회피하기 위해, 유전체층의 주성분인 티탄산바륨 혹은 티탄산바륨의 일부를 Ca로 치환한 것에 V를 첨가함으로써, 고온·고전계의 부하에 대하여 신뢰성이 뛰어난 유전체 세라믹이 얻어진다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 2000-311828호
적층 세라믹 콘덴서가 사용되는 환경으로서도 어려움을 더하고 있고, 근래 125℃를 넘는 온도가 되는 환경에서도 사용되는 경우도 생기고 있다. 그 경우, 지금까지 일반적이었던 솔더에 의한 기판 실장에서는, 접합 강도 및 접속 저항이 경시적으로 열화한다는 문제가 있다.
이 문제를 해결하기 위해, 125℃를 넘는 고온에서 적층 세라믹 콘덴서가 사용될 경우에는, Ag를 필러로 하는 도전성 접착제를 사용하여 기판 실장하는 것이 증가해 오고 있다. 또한 적층 세라믹 콘덴서로서도, 외부전극의 표면을 도금에서 Ag를 포함하는 소결 금속으로 바꿈으로써, 도전성 접착제와의 접합 강도를 확보하고 있다.
그러나 외부전극이나 도전성 접착제에 포함되는 Ag는 산화은(Ag2O), 염화은(AgCl), 황화은(Ag2S) 등의 은화합물로 변화한다. 이 은화합물이, 주성분인 티탄산바륨 혹은 티탄산바륨의 일부를 Ca로 치환한 것에 V가 첨가된 유전체층의 세라믹에 접촉하여, 고온 환경이면서 전계가 인가될 경우에는, 유전체층에 은이 침입하여, 세라믹의 변질이 생겨 버린다.
본 발명은 이러한 실정에 비추어, 유전체층에 V를 첨가해도, 세라믹의 변질을 억제할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해, 이하와 같이 구성한 적층 세라믹 콘덴서를 제공한다.
적층 세라믹 콘덴서는 (a)서로 적층되어 적층체를 형성하는 유전체층과, (b)상기 적층체의 상기 유전체층의 사이에 배치된 내부전극과, (c)상기 적층체의 표면을 따라 형성되고, 상기 내부전극에 접속되며, 적어도 Ag를 주성분으로 하는 은 함유층을 포함하는 외부전극과, (d)상기 외부전극의 가장자리가 따르는 상기 적층체의 표면 중, 상기 외부전극으로 덮인 부분의 적어도 일부를 덮는 피복층을 포함한다. 상기 유전체층 및 상기 피복층은 Ba, Sr, Ca 중 적어도 하나를 "A"로 나타내고, Ti, Zr, Hf 중 적어도 하나를 "B"로 나타내며, 산소를 "O"로 나타냈을 때에, 화학식 "ABO3"으로 표시되는 페로브스카이트계 화합물을 주성분으로 한다. 상기 유전체층 및 상기 피복층 중 상기 유전체층에만 V가 첨가되어 있다.
또한 주성분 ABO3은 화학량론 조성이 아닐 경우가 있다. 구체적으로는 A와 B의 mol비 A/B가 0.98~1.05의 범위인 것이 바람직하다.
또한 상기 유전체층 및 상기 피복층의 V 이외의 조성은 같아도 되고, 달라도 된다.
상기 구성에 있어서, 유전체층에는 V가 첨가되어 있으므로, 유전체층을 박층화해도 내전압이나 고온·고전계의 부하 시험에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.
상기 구성에 의하면, 적층 세라믹 콘덴서의 적층체는 피복층으로 덮이고, 피복층에는 V가 첨가되어 있지 않기 때문에, 외부전극의 은 함유층에 포함되는 은이 변화한 은화합물과 접촉하는 환경에서 고온, 전계하에 놓여져도, 피복층에는 은이 침입하기 어렵다. 그 때문에, 적층 세라믹 콘덴서는, 은화합물과 접촉하는 환경에서 고온, 전계하에 놓여져도, 적층체의 세라믹에 은이 침입하지 않고, 고온·고전계의 부하에 대하여 변질되기 어렵다.
바람직하게는, 상기 은 함유층은 Ag 금속 입자를 포함하는 도전성 수지이다.
이 경우, 전자 부품의 외부전극을 회로 기판 등에 용이하게 실장할 수 있다.
바람직하게는, 상기 유전체층과 상기 피복층의 재료의 조성의 차이는, 상기 유전체층에는 V가 첨가되고, 상기 피복층에는 V가 첨가되어 있지 않은 점뿐이다.
이 경우, 유전체층 및 피복층의 각각의 재료의 제작이 용이하다.
바람직하게는 상기 적층체는 직방체 형상이다. 상기 내부전극은 상기 적층체의 서로 대향하는 1쌍의 단면에 노출된다. 상기 피복층은 상기 적층체의 상기 단면 이외의 4면을 덮는다.
이 경우, 적층체가 피복층으로 덮이도록 하는 것이 간단하다.
본 발명에 의하면, 유전체층에 V를 첨가해도 세라믹의 변질을 억제할 수 있다.
도 1은 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.(실험예)
도 2는 적층 세라믹 콘덴서의 본체의 분해 사시도이다.(실험예)
이하, 본 발명의 실시의 형태로서 실험예를 설명한다.
<실험예> 본 발명의 실험예의 적층 세라믹 콘덴서(10)에 대하여, 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 1(a)는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 단면도이다. 도 1(b)는 도 1(a)의 선 A-A를 따라 절단한 단면도이다. 도 1(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 본체(12)의 한 쌍의 단면(12a,12b)에 외부전극(16a,16b)이 형성되어 있다. 본체(12)의 내부에는 내부전극(14)이 형성되어 있다. 내부전극(14)은 단면(12a,12b)에 교대로 노출되고, 외부전극(16a,16b)에 접속되어 있다. 본체(12)는 단면(12a,12b) 이외의 4면(12s,12t,12u,12v)에 노출되는 피복층(30)을 포함하고 있다. 즉, 피복층(30)은 적층체(20)의 표면(20a,20b,20s,20t,20u,20v) 중 외부전극(16a,16b)의 가장자리(16p,16q)가 따르는 표면(20s,20t,20u,20v)의 각면 전체를 덮고 있다.
외부전극(16a,16b)은 적어도 Ag를 주성분으로 하는 은 함유층을 포함한다. 예를 들면, 은 함유층은 Ag 금속 입자를 포함하는 도전성 수지이며, Ag 금속 입자를 포함하는 도전성 수지를 도포, 건조함으로써 형성한다.
도 2는 본체(12)의 구성을 모식적으로 나타내는 분해 사시도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본체(12)는 유전체층(22,24,26,28)이 적층된 적층체(20)와, 적층체(20)의 4면을 덮는 피복층(30)을 포함한다. 적층체(20)의 일부의 유전체층(24,26)의 주면에는 내부전극(14)이 형성되어 있다.
적층체(20)의 유전체층(22,24,26,28)은 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 페로브스카이트계 화합물을 주성분으로 하는 유전체 세라믹층이다.
페로브스카이트계 화합물은 Ba, Sr, Ca 중 적어도 하나를 "A"로 나타내고, Ti, Zr, Hf 중 적어도 하나를 "B"로 나타내며, 산소를 "O"로 나타냈을 때에 화학식 "ABO3"으로 표시된다.
적층체(20)의 유전체층(22,24,26,28)에는 V가 첨가되어 있다.
피복층(30)은 V가 첨가되어 있지 않은 점 이외에는, 적층체(20)의 유전체층(22,24,26,28)과 같은 조성이다. 즉, 피복층(30)은 V가 존재하지 않는 유전체 세라믹층이다. 여기서, 피복층(30)의 세라믹 성분 중에 있어서, B성분 100몰부에 대하여 V가 0.01몰부 이하인 경우, "V가 첨가되어 있지 않다"라고 한다.
적층 세라믹 콘덴서(10)는, 적층체(20)가 피복층(30)으로 덮여 있는 본체(12)를 포함함으로써, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 본체(12)의 피복층(30)이 은화합물과 접촉하는 환경에서 고온, 전계하에 놓여져도, 본체(12)의 적층체(20)의 세라믹에는 은이 침입하지 않고, 고온·고전계의 부하에 대하여 변질되기 어렵다. 이것에 의해, 전기 특성이 변화되기 어렵기 때문에, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 신뢰성을 확보할 수 있다.
다음으로, 시작(試作)한 적층 세라믹 콘덴서에 대하여 설명한다.
유전체 원료를 제작하기 위해, BaCO3, TiO2 분말을 준비하고, Ti에 대한 Ba의 몰비가 1이 되도록 소정량 칭량한 후, 순수·분산제를 더하여 강제 순환형의 습식 분쇄기(PSZ 미디어를 사용)를 사용하여 분쇄·해쇄 처리를 행하였다. 처리 후의 슬러리는 오븐에서 건조한 후, 950℃이상에서 열처리를 행하여, 평균 입경이 0.15~0.25㎛인 제1분말을 얻었다.
이어서, 상기 제1분말과 더불어, BaCO3, Dy2O3, MgCO3, MnCO3, SiO2, V2O5 분말을 준비하고, 상기 제1분말 중의 Ti 100몰부에 대하여 Ba, Dy, Mg, Mn, Si, V의 추가의 첨가량이, 뒤에 나타낸 표 1의 몰부가 되도록 소정량 칭량한 후, 순수·분산제를 첨가하여 강제 순환형의 습식 분쇄기(PSZ 미디어를 사용)를 사용하여 분쇄·해쇄 처리를 행하였다. 처리 후의 슬러리는 오븐에서 건조시켜 유전체 원료를 얻었다.
또한 얻어진 원료 분말을 ICP 발광 분광 분석한 바, 다음의 표 1에 나타낸 조합(調合) 조성과 거의 동일한 것이 확인되었다.
준비한 유전체 원료 분말에, 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하여 볼밀에 의해 습식 혼합하여, 세라믹 슬러리를 제작하였다. 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법 등에 의해, 소성 후의 유전체층의 두께가 7.0㎛가 되도록 시트 성형하여, 직사각형의 그린시트를 얻었다. 다음으로, 상기 그린시트상에, Ni를 함유하는 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하여, 내부전극이 되는 도전층을 형성하였다.
적층체를 형성하기 위해, 우선 도전성 페이스트가 인쇄되기 전의 상기 그린시트를 10장 적층하고, 그 위에 도전성 페이스트가 인쇄된 그린시트를 도전 페이스트가 인출되어 있는 측이 서로 엇갈리도록 100장 적층하였다. 그 후 다시, 도전성 페이스트가 인쇄되기 전의 상기 그린시트를 10장 적층하고, 재단함으로써 개편화(個片化)하여, 적층체를 얻었다. 이것은 뒤에 나타낸 표 2에 있어서의 실험번호 1, 5, 10, 15의 시료가 된다.
한편, 상기 유전체 원료로부터 V2O5만을 넣지 않은 원료를, 상기와 같은 방법으로 준비하고, 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하여 볼밀에 의해 습식 혼합하여, 세라믹 슬러리를 제작하였다. 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법 등에 의해 시트 성형하여, 두께 15㎛의 직사각형의 그린시트를 얻었다.
이 V2O5만 들어 있지 않은 원료로 성형된 그린시트를, 상기 적층체의 단면을 제외한 4면에, 소망하는 매수 압착하고, 단면 이외의 표면에는 V가 존재하지 않는 본체를 얻었다. 이것은 뒤에 나타낸 표 2에 있어서의 실험번호 2~4, 6~8, 11~13, 16~18의 시료가 된다.
또한 상기 유전체 원료에서, 상기 제1분말 중의 Ti 100몰부에 대하여 V의 추가의 첨가량을 0.01몰부로 한 원료를, 상기와 같은 방법으로 준비하고, 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하여 볼밀에 의해 습식 혼합하여, 세라믹 슬러리를 제작하였다. 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법 등에 의해 시트 성형하여, 두께 15㎛의 직사각형의 그린시트를 얻었다.
이 V를 0.01몰부 함유하는 원료로 성형된 그린시트를, 상기 적층체의 단면을 제외한 4면에, 소망하는 매수 압착하고, 단면 이외의 표면에는 V가 존재하지 않는 본체를 얻었다. 이것은 뒤에 나타낸 표 2에 있어서의 실험번호 9, 14, 19의 시료가 된다.
V2O5만 들어 있지 않은 원료로 성형된 그린시트가 압착된 적층체와, 비교를 위해 V2O5만 들어 있지 않은 원료로 성형된 그린시트가 압착되지 않는 적층체(즉, 적층체 그 자체)를, 각각 N2 분위기 중에서 250℃로 가열하고, 탈바인더 처리를 행하여, H2-N2-H2O 가스로 이루어지는 환원성 분위기 중에서, 최고 온도 1200~1300℃, 산소 분압 10-9~10-10MPa로 소성하여, 소결된 세라믹 적층체를 얻었다.
얻어진 소결된 세라믹 적층체의 양 단면에, B2O3-Li2O3-SiO2-BaO계 유리 프릿을 함유하는 Cu 페이스트를 도포하고, N2 분위기 중에 있어서 850℃의 온도로 베이킹하고, 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성하여, 실험예·비교예의 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
상기와 같이 하여 얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는, 폭이 약 1.2mm, 길이 2.0mm, 두께가 약 1.1mm이며, 콘덴서의 내부전극에 끼인 유전체 세라믹층의 두께가 7.0㎛였다.
또한 제품의 적층 세라믹 콘덴서이면, 외부전극은 적어도 Ag를 주성분으로 하는 은 함유층을 포함하도록 형성하는데, 시작(試作)한 실험예·비교예의 적층 세라믹 콘덴서는, 후술하는 바와 같이, 외부전극의 은 함유층이 불거져 나와 적층 세라믹 콘덴서에 부착되는 상태를 모방한 시험에 사용하기 때문에, 외부전극에 은 함유층을 형성하고 있지 않다.
시작(試作)한 실험예·비교예의 적층 세라믹 콘덴서를 사용하는 시험은 이하와 같이 행하였다.
Ag2O, AgCl, Ag2S의 은화합물 분말 또는 Ag의 금속 은 분말을 40vol% 에폭시수지에 혼합한 것을, 한쪽의 외부전극의 측(側)에, 세라믹 소체와 Cu 외부전극의 양쪽과 접촉하도록, 단 전기적 접속을 확보할 수 있도록 단면의 Cu 외부전극 중 접속 단자에 접속되는 부분은 덮지 않도록 도포하고, 175℃의 온도에서 경화시켜 시험 시료를 얻었다.
은화합물 분말 또는 금속 은 분말을 혼합한 에폭시가 도포되어 있는 측의 외부전극을 양극으로 하고, 175℃ 환경하에서 DC 100V의 전압을 인가하여, 150시간 유지하였다. 이 시험 중에, 에폭시수지에 포함되는 은화합물 및 은 분말이 분위기 가스의 영향을 받지 않도록 하기 위해, 전원에 접속 후, 시료 및 접속 단자를 실리콘수지로 덮은 상태에서 시험을 행하였다.
시험 종료 후, 은화합물 분말 혹은 은 분말을 혼합한 에폭시수지와 접촉하고 있고, Cu 외부전극으로부터 50㎛ 떨어진 부분을 적층 방향으로 절단하여, 세라믹 소체(본체)의 수직 단면(WT 단면)을 노출시키고, 그 노출 단면에 대하여, 레이저 애브레이젼(laser abrasion)법을 사용한 ICP 분석으로 Ag 및 V의 검출을 행하였다. 소체 표층(본체의 표면)으로부터 10㎛이상 내부에 Ag가 검출되는 개소가 노출 단면의 어딘가에 존재하는 경우를, Ag의 침입이 있다고 판단하였다. 또한 V가 Ti 100몰부에 대하여 0.01몰부보다 많이 검출되는 개소에서, 소체 표층으로부터 가장 거리가 짧은 곳의 거리를 V가 존재하지 않는 두께로 하였다.
시험 결과를 다음의 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
표 2에 있어서, "혼합 은화합물종"은, 세라믹 소체와 Cu 외부전극의 양쪽과 접촉시킨 에폭시에 함유되는 은화합물 분말 또는 금속 은 분말의 종류이다. "V무(無) 시트"는, 적층체의 4면에 압착하는 V2O5만 들어 있지 않은 원료로 성형된 그린시트 또는 Ti 100몰부에 대하여 V가 0.01몰부 함유된 원료로 성형된 그린시트이다. "V무 층 두께"는, 적층체의 4면에 압착하는 V2O5만 들어 있지 않은 원료로 성형된 그린시트 또는 Ti 100몰부에 대하여 V가 0.01몰부 함유된 원료로 성형된 그린시트의 소성 후의 두께(피복층의 두께)와 거의 같다. ※ 표시의 실험번호 1, 5, 10, 15는 비교예를 나타내고 있다.
표 2로부터 이하의 것을 알 수 있다.
실험번호 1, 2, 3, 4로부터, 금속 은 분말을 혼합한 경우에는, V무 층(피복층)의 유무에 상관없이, Ag의 침입은 생기지 않는 것을 알 수 있다. 이것은 Ag가 부식되지 않은 경우의 시뮬레이션이며, 마이그레이션은 일어나지 않는 것을 알 수 있다.
실험번호 5, 10, 15로부터, 은화합물 분말을 혼합한 경우에는, 혼합한 은화합물종에 상관없이, V무 층(피복층)이 없는 것은 모두 Ag의 침입이 있는 것을 알 수 있다.
실험번호 6, 7, 8, 9, 11, 12, 13, 14, 16, 17, 18, 19로부터, 은화합물 분말을 혼합한 경우에는, 혼합한 은화합물종에 상관없이, V무 층(피복층)이 있는 것은 모두 Ag의 침입은 없는 것을 알 수 있다.
즉, 적층 세라믹 콘덴서의 본체의 표면에 은화합물이 접촉하고 있는 경우, 적층 세라믹 콘덴서의 본체의 표층에 V가 존재하면, 고온·고전계 환경에서 Ag가 본체의 세라믹 내부에 침입하지만, 적층 세라믹 콘덴서의 본체의 표층에 V가 존재하지 않으면, 고온·고전계 환경에서도 Ag는 본체의 세라믹 내부에 침입하지 않는다.
따라서, 본체의 표층에 V가 존재하지 않도록 구성하면, 은화합물과 접촉하는 환경에서 고온, 전계하에 놓여져도, 본체의 세라믹에 은이 침입하지 않고, 고온·고전계의 부하에 대하여 변질하기 어려운 적층 세라믹 콘덴서를 얻을 수 있다.
<정리> 이상에 설명한 바와 같이, 유전체가 적층된 적층체를, V가 첨가되어 있지 않은 피복층으로 덮음으로써, 유전체층에 V를 첨가해도, 세라믹의 변질을 억제할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 실시의 형태에 한정되는 것은 아니며, 다양한 변경을 더하여 실시하는 것이 가능하다.
예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이 외부전극(16a,16b)의 가장자리(16p,16q)가 따르는 적층체(20)의 표면(20s,20t,20u,20v) 중, 외부전극(16a,16b)으로 덮인 부분 전체를 피복층(30)이 덮을 경우에는, 효과가 크고 바람직한데, 이에 한정되는 것은 아니다. 피복층(30)은, 외부전극(16a,16b)의 가장자리(16p,16q)가 따르는 적층체(20)의 표면(20s,20t,20u,20v) 중, 외부전극(16a,16b)으로 덮인 부분의 적어도 일부를 덮으면 되고, 외부전극(16a,16b)의 가장자리(16p,16q)가 따르는 적층체(20)의 표면(20s,20t,20u,20v) 중 일부의 면에만 형성되어도 된다.
10: 적층 세라믹 콘덴서 12: 본체
14: 내부전극 16a, 16b: 외부전극
16p, 16q: 가장자리 20: 적층체
20a, 20b, 20s, 20t, 20u, 20v: 표면 22, 24, 26, 28: 유전체층
30: 피복층

Claims (4)

  1. 서로 적층되어 적층체를 형성하는 유전체층과,
    상기 적층체의 상기 유전체층의 사이에 배치된 내부전극과,
    상기 적층체의 표면을 따라 형성되고, 상기 내부전극에 접속되며, 적어도 Ag를 주성분으로 하는 은 함유층을 포함하는 외부전극과,
    상기 외부전극의 가장자리가 따르는 상기 적층체의 표면 중, 상기 외부전극으로 덮인 부분의 적어도 일부를 덮는 피복층을 포함하고,
    상기 유전체층 및 상기 피복층은 Ba, Sr, Ca 중 적어도 하나를 "A"로 나타내고, Ti, Zr, Hf 중 적어도 하나를 "B"로 나타내며, 산소를 "O"로 나타냈을 때에, 화학식 "ABO3"으로 표시되는 페로브스카이트계 화합물을 주성분으로 하며,
    상기 유전체층 및 상기 피복층 중 상기 유전체층에만 V가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 은 함유층은 Ag 금속 입자를 포함하는 도전성 수지인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유전체층과 상기 피복층의 재료의 조성의 차이는,
    상기 유전체층에는 V가 첨가되고, 상기 피복층에는 V가 첨가되어 있지 않은 점뿐인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적층체는 직방체 형상이며,
    상기 내부전극은, 상기 적층체의 서로 대향하는 1쌍의 단면에 노출되고,
    상기 피복층은, 상기 적층체의 상기 단면 이외의 4면을 덮는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
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