JPH0496310A - 積層セラミックチップコンデンサ - Google Patents
積層セラミックチップコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0496310A JPH0496310A JP21384490A JP21384490A JPH0496310A JP H0496310 A JPH0496310 A JP H0496310A JP 21384490 A JP21384490 A JP 21384490A JP 21384490 A JP21384490 A JP 21384490A JP H0496310 A JPH0496310 A JP H0496310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- silver
- multilayer ceramic
- chip capacitor
- plated layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 235000005338 Allium tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000003377 Allium tuberosum Species 0.000 description 1
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野・〕
本発明は積層セラミックチッグコンfンザに関し、特に
端子電極にば・9する。
端子電極にば・9する。
(従来の技術〕
従来の積層七うミックチッノコンテンザ(以後チップコ
ンデンザと略称)の端子[極は、銀や銀とパラジウムの
金属粉末とカラス7リツトと有機溶剤と樹脂を混合1−
1三本ロールミルで混RI−て製造される導電性ペース
トを公知の手段によシ製造された積層セラミック菓子の
相対向する内部電極J収り出し面に塗布し600〜80
0℃の温度で焼成して形成される。
ンデンザと略称)の端子[極は、銀や銀とパラジウムの
金属粉末とカラス7リツトと有機溶剤と樹脂を混合1−
1三本ロールミルで混RI−て製造される導電性ペース
トを公知の手段によシ製造された積層セラミック菓子の
相対向する内部電極J収り出し面に塗布し600〜80
0℃の温度で焼成して形成される。
又、チップコンデンサの実装性を高めるために、電気メ
ッキでニッケルメッキを形成しその上に半田メッキが形
成される。
ッキでニッケルメッキを形成しその上に半田メッキが形
成される。
端子電極は、焼成時、金属粉末の焼結収縮とガラスフリ
ットの積層セラミック素子への拡散によシ積層セラミッ
ク素子と物理的な接続が行なわれ、内部電極材料と導電
性ペースト中の金属粉末が合金化して内部電極と端子電
極の電気的接続が行なわれる。
ットの積層セラミック素子への拡散によシ積層セラミッ
ク素子と物理的な接続が行なわれ、内部電極材料と導電
性ペースト中の金属粉末が合金化して内部電極と端子電
極の電気的接続が行なわれる。
従来のチップコンデンサは端子電極が高温で免成される
時、金属粉末の焼結収縮によシチッグコンテンサにスト
レスが加わシ、又、ガラスフリットのセラミックへの拡
散によシセラミック材料の変質がなされる。
時、金属粉末の焼結収縮によシチッグコンテンサにスト
レスが加わシ、又、ガラスフリットのセラミックへの拡
散によシセラミック材料の変質がなされる。
更に、チップコンデンサの実装性を高めるため電気メッ
キによってニッケル及び半田メッキが行なわれニッケル
メッキではpH4〜5程度の敵性電解メッキ液中に、半
田メッキではpH1〜4程度の酸性電解メッキ液中に、
チップコンデンサを浸せきする。
キによってニッケル及び半田メッキが行なわれニッケル
メッキではpH4〜5程度の敵性電解メッキ液中に、半
田メッキではpH1〜4程度の酸性電解メッキ液中に、
チップコンデンサを浸せきする。
このとき積層セラミック素子及びガラス7リツトがメッ
キ液によって浸蝕され積層セラミック素子と端子電極の
接続強度が弱くなるため予め導電性ペースト中の金属粉
末の焼結性を高めるか戒はガラスフリット量を増やす等
が行なわれる。このため、積層セラミック素子に塗布さ
れる導電性ペーストの量によ)テップコンデンサにクラ
ックが入ったシ端子電極の接続強度が弱くなシ実装後に
チップコンデンサが外れるという問題点があった。
キ液によって浸蝕され積層セラミック素子と端子電極の
接続強度が弱くなるため予め導電性ペースト中の金属粉
末の焼結性を高めるか戒はガラスフリット量を増やす等
が行なわれる。このため、積層セラミック素子に塗布さ
れる導電性ペーストの量によ)テップコンデンサにクラ
ックが入ったシ端子電極の接続強度が弱くなシ実装後に
チップコンデンサが外れるという問題点があった。
本発明の目的は、金属粉末の焼結収縮による積層セラミ
ック素子に与えるストレスを緩和させることができ、か
つセラミックへのガラス7リツトの拡散を防止すること
ができ、その結果製品の信頼性を向上させることができ
、かつ又高価な焼成炉が不要となシ生産性が向上しコス
トダウンも達成できる積層セラミックチップコンデンサ
を提供することにある。
ック素子に与えるストレスを緩和させることができ、か
つセラミックへのガラス7リツトの拡散を防止すること
ができ、その結果製品の信頼性を向上させることができ
、かつ又高価な焼成炉が不要となシ生産性が向上しコス
トダウンも達成できる積層セラミックチップコンデンサ
を提供することにある。
本発明のナツツコンデンサは、導電性の内部電極を被着
形成した誘電体シートを複数枚交互に積層しさらにその
上下に保護層となる誘電体シート管積層して一体化した
積層セラミック素子の相対向する内部電極散り出し面に
端子電極を設けてなる積層セラミッタテップコ/デンサ
において、端子電極として銀又は、銀とパラジウムの合
金からなる金属粉末を含む熱硬化性の樹脂からなる導電
性ペースト、その上にニッケルーメッキ層、その上に半
田メッキ層を備えている。
形成した誘電体シートを複数枚交互に積層しさらにその
上下に保護層となる誘電体シート管積層して一体化した
積層セラミック素子の相対向する内部電極散り出し面に
端子電極を設けてなる積層セラミッタテップコ/デンサ
において、端子電極として銀又は、銀とパラジウムの合
金からなる金属粉末を含む熱硬化性の樹脂からなる導電
性ペースト、その上にニッケルーメッキ層、その上に半
田メッキ層を備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明一実施例のチップコンデンサの断面図で
ある。
ある。
第1図において、1は積層セラミック素子、11は内部
電極、12a内部電極取シ出し面、2は熱硬化樹脂を用
いた端子電極、3はニッケルメッキ層、4は半田メッキ
層である。
電極、12a内部電極取シ出し面、2は熱硬化樹脂を用
いた端子電極、3はニッケルメッキ層、4は半田メッキ
層である。
積層セラミック素子1(長さ二12m@幅:L6m厚さ
: LOKll)の相対向する内部電極取り出し面12
に熱硬化樹脂を用いた導電性ペーストを塗布し、乾燥機
において150℃で30分間硬化させた。
: LOKll)の相対向する内部電極取り出し面12
に熱硬化樹脂を用いた導電性ペーストを塗布し、乾燥機
において150℃で30分間硬化させた。
熱硬化樹脂を用いた導電性ペーストは、粒径1〜3μ制
の銀粉末とエポキシ樹脂を重量比7:3で混合し、それ
を三本ロールミルで混練して製造した。次に電気メッキ
によって先ずニッケルメッキにより厚さ3〜5μmのニ
ッケル層を作成し、次に半田メッキによシ厚さ3〜5μ
餌の半田層を作成した0本発明によるチップコンデンサ
について次の試験を行なった。その結果を第1表に示す
、試験条件は日本電子機械工業会規格EIAJ RC−
3402に準拠し行なった。
の銀粉末とエポキシ樹脂を重量比7:3で混合し、それ
を三本ロールミルで混練して製造した。次に電気メッキ
によって先ずニッケルメッキにより厚さ3〜5μmのニ
ッケル層を作成し、次に半田メッキによシ厚さ3〜5μ
餌の半田層を作成した0本発明によるチップコンデンサ
について次の試験を行なった。その結果を第1表に示す
、試験条件は日本電子機械工業会規格EIAJ RC−
3402に準拠し行なった。
表1中にEIAJ Be−3402表11の項目番号を
示す。
示す。
次に、′;4:、発明によるチック3ンデンツと従来例
どし7て端子電極を高温で焼成1..2デト−チッグコ
ンデンサの端子電極の厚さを、各々50μffi、10
0μ何150μ齢とぶらして作成し250個の断Thを
ね察1゜積層セラミック素子のクラックの有無を訓タニ
した結果を表2顛示す。
どし7て端子電極を高温で焼成1..2デト−チッグコ
ンデンサの端子電極の厚さを、各々50μffi、10
0μ何150μ齢とぶらして作成し250個の断Thを
ね察1゜積層セラミック素子のクラックの有無を訓タニ
した結果を表2顛示す。
表2 クラック不良の発生案
次に第二の実施例として粒径3−0歴の鉤パラジウム合
金粉末(銹:パラジウム=9o:xoL!:エボキシ樹
脂全重量比7:3で混合(,7、三本ロー外ミルで直線
して製造した導電性ペースト全積層セラミック素子1の
相対向する内部@積取り出し2面12に塗布し、1s機
において150℃で30分間硬化させた。
金粉末(銹:パラジウム=9o:xoL!:エボキシ樹
脂全重量比7:3で混合(,7、三本ロー外ミルで直線
して製造した導電性ペースト全積層セラミック素子1の
相対向する内部@積取り出し2面12に塗布し、1s機
において150℃で30分間硬化させた。
次に買気メッキによって先ず;ツク′ルメッキにより捏
さ3=5μ餌のニッケルMt作成[7、次に半田メッキ
により厚さ3=5μけの半田層を作成し7た。
さ3=5μ餌のニッケルMt作成[7、次に半田メッキ
により厚さ3=5μけの半田層を作成し7た。
第二の実施例で作成したブーツノコンデンサ金表1に示
す試腋な行なった、結果いずれのl11:組にも良好な
結果が得らズ1−穴。次にチッグコンデンザの端子電極
の厚さを5Q/11fi、100μm、150μ鐸とふ
らして50個の断面を1察し積層セラミック素子のクラ
ックの有#を調査した結果タラツクの発生i31.無か
った。
す試腋な行なった、結果いずれのl11:組にも良好な
結果が得らズ1−穴。次にチッグコンデンザの端子電極
の厚さを5Q/11fi、100μm、150μ鐸とふ
らして50個の断面を1察し積層セラミック素子のクラ
ックの有#を調査した結果タラツクの発生i31.無か
った。
なお前述したように導電性べ−・−スト用の熱硬化性樹
脂としては接着強度並びに1メッキ性の点からエポキシ
m脂が好適でんり、まだ銀パラジウム合金粉末を用いる
と半田くわれ性の改壱がはかられる。しかし特性放勢お
よび価格の点から合金中のパラジウムの含有Ji′f4
s〜・30うらとするのがよい。
脂としては接着強度並びに1メッキ性の点からエポキシ
m脂が好適でんり、まだ銀パラジウム合金粉末を用いる
と半田くわれ性の改壱がはかられる。しかし特性放勢お
よび価格の点から合金中のパラジウムの含有Ji′f4
s〜・30うらとするのがよい。
以上説明したように本発明は、銀又は欽とパラジウムの
合金を含む熱硬化ダリ脂からなる導電性ペーストラ被着
し硬化させたのちその土にニッケルメッキ分設けその上
に半田メッキを設けて端子電極な形成することにより、
金属粉床のかa線収縮による積層(−ラミック素子に与
えるスト1/スを粒和させることができ、かつセラミッ
クへのガラスフリフトの拡散を防止することがてきる。
合金を含む熱硬化ダリ脂からなる導電性ペーストラ被着
し硬化させたのちその土にニッケルメッキ分設けその上
に半田メッキを設けて端子電極な形成することにより、
金属粉床のかa線収縮による積層(−ラミック素子に与
えるスト1/スを粒和させることができ、かつセラミッ
クへのガラスフリフトの拡散を防止することがてきる。
これらはチップコンデンザの信頼性向上に寄与できるこ
とが明かでめる。また、従来てL必rとなる高価な焼成
炉にかえて安@な乾燥設備てチッノコンデンザの生産に
対応できるため、コストターランに寄与できるという効
果を有する。
とが明かでめる。また、従来てL必rとなる高価な焼成
炉にかえて安@な乾燥設備てチッノコンデンザの生産に
対応できるため、コストターランに寄与できるという効
果を有する。
第1図は本発明の一実施例のチノフコンデンサの断面図
である。 1−・・積層(ニラミンク素子、11・・・内部電極、
12・−・内部電極取り出i〜面、2・・・熱硬化樹脂
を用いた端子電極、3・・ニッケルメッキ層、4・・・
半田メッキ層。 第1図 代理人 弁理士 内 原 晋
である。 1−・・積層(ニラミンク素子、11・・・内部電極、
12・−・内部電極取り出i〜面、2・・・熱硬化樹脂
を用いた端子電極、3・・ニッケルメッキ層、4・・・
半田メッキ層。 第1図 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性の内部電極を被着形成した誘電体シートを内
部電極取出し部が相対向するよう複数枚交互に積層し、
さらにその上下に保護層となる誘電体シートを積層して
一体化した積層セラミック素子の相対向する内部電極取
り出し面に端子電極を設けてなる積層セラミックチップ
コンデンサにおいて、端子電極として銀又は、銀とパラ
ジウムの合金からなる金属粉末を含む熱硬化性の樹脂か
らなる導電性ペースト、その上にニッケルメッキ層、そ
の上に半田メッキ層を備えたことを特徴とする積層セラ
ミックチップコンデンサ。 2 導電性ペーストが粒径1〜3μmの銀粉末とエポキ
シ樹脂がほぼ7:3重量比で混合、混練して構成された
ものであることを特徴とする請求項1記載の積層セラミ
ックチップコンデンサ。 3 導電性ペーストが粒径3〜6μmの銀パラジウム合
金末とエポキシ樹脂がほぼ7:3の重量比で混合、混練
して構成されたものであることを特徴とする請求項1記
載の積層セラミックチツプコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21384490A JPH0496310A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 積層セラミックチップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21384490A JPH0496310A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 積層セラミックチップコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0496310A true JPH0496310A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16645958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21384490A Pending JPH0496310A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 積層セラミックチップコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0496310A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06164218A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器及びその共振周波数調整方法 |
JPH07207185A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
JPH10116708A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JPH10144504A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
US20130314841A1 (en) * | 2011-03-03 | 2013-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated Ceramic Capacitor |
US20160104577A1 (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
US20160133386A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
CN110838383A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-25 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种片式元器件柔性外电极及其制作方法 |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP21384490A patent/JPH0496310A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06164218A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器及びその共振周波数調整方法 |
JPH07207185A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
JPH10116708A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
JPH10144504A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型サーミスタ及びその製造方法 |
US20130314841A1 (en) * | 2011-03-03 | 2013-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated Ceramic Capacitor |
US9159492B2 (en) * | 2011-03-03 | 2015-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor having a covering layer |
US20160104577A1 (en) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
KR20160041662A (ko) * | 2014-10-08 | 2016-04-18 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 이의 제조 방법 |
US9865399B2 (en) * | 2014-10-08 | 2018-01-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component having multilayer structure and method of manufacturing the same |
US20160133386A1 (en) * | 2014-11-10 | 2016-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
US10229790B2 (en) * | 2014-11-10 | 2019-03-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
CN110838383A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-25 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种片式元器件柔性外电极及其制作方法 |
CN110838383B (zh) * | 2019-10-29 | 2021-04-23 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种片式元器件柔性外电极及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100277382B1 (ko) | 다층전자부품 | |
US4458294A (en) | Compliant termination for ceramic chip capacitors | |
JPH0341710A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
US20110149470A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2008071926A (ja) | セラミック電子部品 | |
US20210375545A1 (en) | Chip ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
KR20180064349A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 | |
JPH0496310A (ja) | 積層セラミックチップコンデンサ | |
JP2003318059A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP4333594B2 (ja) | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
US20180254147A1 (en) | Face Down MLCC | |
US20230230766A1 (en) | Ceramic electronic chip component and method for manufacturing the same | |
JP2019040943A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH097878A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
JPH09190950A (ja) | 電子部品の外部電極 | |
JPH07201636A (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
JPH04259205A (ja) | チップ形セラミックコンデンサ | |
JP2004172383A (ja) | 導電ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 | |
JP3716746B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
KR20210149355A (ko) | 전자 부품 및 그 제조방법 | |
US20210375544A1 (en) | Chip ceramic electronic component and method for manufacturing the same | |
JPS59215367A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
JPS62242324A (ja) | チツプコンデンサ− | |
JPH04154104A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPH09120932A (ja) | 積層電子部品 |