KR101581925B1 - 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 - Google Patents
적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
전압 인가시에 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제공한다.
본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)는 적층되어 있는 복수의 유전체층(2)과, 유전체층(2) 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극(3 및 4)을 가지는 적층체(5)와, 적층체(5)의 외표면에 형성되어 내부전극(3 및 4)과 전기적으로 접속되어 있는 복수의 외부전극(6 및 7)을 구비하고, 내부전극(3 및 4)은 주성분이 Ni이며 내부전극(3 및 4)은 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)는 적층되어 있는 복수의 유전체층(2)과, 유전체층(2) 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극(3 및 4)을 가지는 적층체(5)와, 적층체(5)의 외표면에 형성되어 내부전극(3 및 4)과 전기적으로 접속되어 있는 복수의 외부전극(6 및 7)을 구비하고, 내부전극(3 및 4)은 주성분이 Ni이며 내부전극(3 및 4)은 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
Description
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.
최근의 전자 기술의 진전에 따라 적층 세라믹 콘덴서에는 소형화 및 대용량화가 요구되고 있다. 이러한 요구들을 충족시키기 위해 적층 세라믹 콘덴서의 유전체층의 박층화가 진행되고 있다. 그러나 유전체층을 박층화하면 1층당 가해지는 전계 강도가 상대적으로 높아진다. 따라서 전압 인가시에 신뢰성 향상이 요구된다.
적층 세라믹 콘덴서는 일반적으로 적층되어 있는 복수의 유전체층과, 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층체와, 적층체의 외표면에 형성되어 내부전극과 전기적으로 접속되어 있는 복수의 외부전극을 구비하고 있다. 그리고 예를 들면 특허문헌 1과 같이 내부전극의 주성분으로서 Ni를 사용한 것이 알려져 있다.
그런데 내부전극의 주성분으로 Ni를 사용한 경우에, 최근의 소형화 및 대용량화의 요청에 응하기 위해서는 전압 인가시의 신뢰성이 아직 불충분하다는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로 유전체층을 한층 더 박층화하고, 고(高)전계 강도의 전압이 인가되어도 양호한 유전 특성과 우수한 신뢰성을 나타내는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서는 적층되어 있는 복수의 유전체층과, 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층체와, 적층체의 외표면에 형성되어 내부전극과 전기적으로 접속되어 있는 복수의 외부전극을 포함하고, 유전체층의 두께는 2.5㎛ 이하이고, 내부전극은 주성분이 Ni이며 내부전극은 Sn을 포함하고, 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하고 있다.
또 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서에서는 유전체층이 Ba 및 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물(단, Ba의 일부는 Ca로 치환되어도 좋고, Ti의 일부는 Zr로 치환되어도 좋다)을 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다.
또 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법은 페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 준비하는 공정과, Sn금속, Sn을 포함하는 합금, Sn화합물 중 어느 하나로 이루어지는 Sn소재 중에서 적어도 하나를 준비하는 공정과, 준비한 주성분 분말 및 준비한 Sn소재를 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과, 세라믹 그린 시트와 내부전극층을 겹겹이 쌓아서 소성 전의 적층체를 얻는 공정과, 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하고, 복수의 유전체층과, 그러한 유전체층들 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서, 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 내부전극은 Sn을 포함하고, 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하고 있다.
또 다른 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법은 Ni금속 혹은 Ni를 포함하는 합금을 주성분으로 하는 내부전극 주성분 분말을 준비하는 공정과, Sn금속, Sn을 포함하는 합금, Sn화합물 중 어느 하나로 이루어지는 Sn소재 중에서 적어도 하나를 준비하는 공정과, 페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과, 세라믹 그린 시트와 준비한 내부전극 주성분 분말 및 준비한 Sn소재를 함유하는 내부전극층을 겹겹이 쌓아서 소성 전의 적층체를 얻는 공정과, 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하는 복수의 유전체층과, 그러한 유전체층들 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서, 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 내부전극은 Sn을 포함하고, 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하고 있다.
그리고 또 다른 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법은 Ni-Sn합금을 주성분으로 하는 내부전극 주성분 분말을 준비하는 공정과, 페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과, 세라믹 그린 시트와 준비한 내부전극 주성분 분말을 함유하는 내부전극층을 겹겹이 쌓아서 소성 전의 적층체를 얻는 공정과, 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하는 복수의 유전체층과, 그러한 유전체층들 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서, 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 내부전극은 Sn을 포함하고, 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하고 있다.
이 발명에 따르면 내부전극은 주성분이 Ni이고, 또한 Sn을 포함함으로써 전압 인가시에 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서를 나타내는 단면도이다.
도 2는 실험예 1에서 적층 세라믹 콘덴서의 WDX에 의한 Ni와 Sn의 매핑 분석을 시행한 부분을 나타내는 설명도이다.
도 3은 실험예 1에서 Ni의 매핑 분석 결과를 나타내는 WDX이다.
도 4는 실험예 1에서 Sn의 매핑 분석 결과를 나타내는 WDX이다.
도 5는 실험예 3에서 유전체층의 두께를 측정한 부분을 나타내는 설명도이다.
도 6은 실험예 3에서 MTTF의 유전체층 두께 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 실험예 1에서 적층 세라믹 콘덴서의 WDX에 의한 Ni와 Sn의 매핑 분석을 시행한 부분을 나타내는 설명도이다.
도 3은 실험예 1에서 Ni의 매핑 분석 결과를 나타내는 WDX이다.
도 4는 실험예 1에서 Sn의 매핑 분석 결과를 나타내는 WDX이다.
도 5는 실험예 3에서 유전체층의 두께를 측정한 부분을 나타내는 설명도이다.
도 6은 실험예 3에서 MTTF의 유전체층 두께 의존성을 나타내는 그래프이다.
이하에서 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
적층 세라믹 콘덴서(1)는 적층체(5)를 구비하고 있다. 적층체(5)는 적층되어 있는 복수의 유전체층(2)과, 복수의 유전체층(2) 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극(3 및 4)을 구비하고 있다.
적층체(5)의 외표면 위의 서로 다른 위치에는 외부전극(6 및 7)이 형성되어 있다. 외부전극(6 및 7)의 재질로는 예를 들면 Ag 또는 Cu를 주성분으로 하는 것을 들 수 있다. 도 1에 도시한 적층 세라믹 콘덴서에서는 외부전극(6 및 7)은 적층체(5)의 서로 대향하는 각 단면(端面) 위에 형성되어 있다. 내부전극(3 및 4)은 각각 외부전극(6 및 7)과 전기적으로 접속되어 있다. 그리고 내부전극(3 및 4)은 적층체(5)의 내부에서 유전체층(2)을 개재하여 번갈아 적층되어 있다.
또한 적층 세라믹 콘덴서(1)는 2개의 외부전극(6 및 7)을 구비하는 2단자형이어도 되고, 다수의 외부전극을 구비하는 다단자형이어도 된다.
본 발명에서는 내부전극(3 및 4)은 주성분이 Ni이며 내부전극(3 및 4)은 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다. 이 경우 전압 인가시에 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 콘덴서를 얻을 수 있다. 또한 내부전극(3 및 4) 안의 Sn의 존재 형태는 상관없지만 Sn과 Ni의 합금 형태로 존재하고 있는 것이 바람직하고, Sn과 Ni의 금속 간 화합물의 형태로 존재하고 있는 것이 더 바람직하다. 이 경우에는 유전체층(2)과 내부전극(3 및 4)의 계면의 절연성이 향상되고 전압 인가시의 신뢰성이 더 개선된다.
Sn의 함유 방법은 특별히 상관없다. 예를 들면 내부전극(3 및 4)이 될 도전성 페이스트에 미리 포함되어 있어도 좋고, 소성 후에 유전체층(2)을 구성하는 유전체 세라믹의 원료 분말에 혼합되어 있어도 좋다. 후자의 경우에는 유전체 세라믹의 원료 분말에 SnO분말을 혼합하고, 그 후 환원 분위기 중에서 20℃/분 이상의 승온속도로 소성하면 SnO가 Sn으로 환원되어 내부전극(3 및 4)에 흡수되기 쉬워진다.
내부전극(3 및 4)에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비는 0.001 이상 0.1 미만인 것이 바람직하다. Sn이 0.001 이상인 경우에는 Sn함유 효과가 보다 현저해 진다. 또 0.1 미만인 경우에는 내부전극(3 및 4)의 융점이 바람직한 범위가 되어 옥화(玉化;ball formation) 등의 문제가 보다 일어나기 어려워지기 때문이다.
유전체층(2)은 Ba 및 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물(단, Ba의 일부는 Ca로 치환되어도 좋고, Ti의 일부는 Zr로 치환되어도 좋다)을 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서는 유전체층(2)의 주성분이 BaTiO3인 경우에 유전율이 높은데다가 특히 우수한 신뢰성을 나타낸다. 또한 유전체층에는 주성분 외에, 예를 들면 희토류 원소나 Mn, Mg, Si 등이 부성분으로서 포함되어 있어도 좋다.
유전체 세라믹의 원료 분말은 예를 들면 고상 합성법으로 제작된다. 구체적으로는 우선 주성분의 구성 원소를 포함하는 산화물, 탄산물 등의 화합물 분말을 소정의 비율로 혼합하고 가소(calcination)한다. 또한 고상 합성법 외에 수열법 등을 적용해도 좋다. 또한 본 발명에 따른 유전체 세라믹에 대하여 알칼리 금속, 천이(遷移) 금속, Cl, S, P, Hf 등이 본 발명의 효과에 지장을 주지 않는 양의 범위에서 포함되어 있어도 좋다.
적층 세라믹 콘덴서는 예를 들면 이하와 같이 제작된다. 상기와 같이 하여 얻어진 유전체 세라믹의 원료 분말을 이용하여 세라믹 슬러리를 제작한다. 그리고 시트 성형법 등으로 세라믹 그린 시트를 성형한다. 그리고 복수의 세라믹 그린 시트 중 소정의 세라믹 그린 시트 위에 내부전극이 될 도전성 페이스트를 인쇄 등으로 도포한다. 그리고 복수의 세라믹 그린 시트를 적층한 후에 압착하여 소성 전의 적층체를 얻는다. 그리고 소성 전의 적층체를 소성한다. 이 소성하는 공정에서 유전체 세라믹으로 구성되는 유전체층이 얻어진다. 그 후 적층체의 단면에 외부전극을 베이킹 등으로 형성한다.
다음으로 이 발명에 기초하여 실시한 실험예에 대해 설명한다.
[실험예 1]
실험예 1에서는 내부전극 중의 Sn의 유무가 전압 인가시의 신뢰성에 미치는 영향을 확인했다. 또한 본 실험예에서는 유전체 세라믹의 원료 분말에 SnO분말을 미리 혼합하는 방법을 이용했다. 또 유전체층의 주성분으로서는 티탄산 바륨(이하 BT)과 티탄산 바륨칼슘(이하 BCT)의 2종류의 조성을 준비했다.
(A)유전체 세라믹의 원료 분말의 제작
제일 먼저, 주성분인 BT분말과 BCT분말을 준비했다. 구체적으로는 BaCO3분말, CaCO3분말 및 TiO2분말을 Ti에 대한 Ba의 몰비가 1-x, Ti에 대한 Ca의 몰비가 x가 되도록 칭량하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 열 처리를 하여 주성분인 BT분말과 BCT분말을 얻었다.
다음으로 부성분인 R2O3(R은 Dy 또는 Y), MgO, MnO, SiO2, SnO의 각 분말을 준비했다. 그리고 이러한 분말들을 주성분인 세라믹 분말 안의 Ti 100몰부에 대한 R의 함유량이 a몰부, Mg의 함유량이 b몰부, Mn의 함유량이 c몰부, Si의 함유량이 d몰부, Sn의 함유량이 e몰부가 되도록 칭량하여 주성분인 BT분말이나 BCT분말과 배합하고, 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 건조, 건식 분쇄했다. 이렇게 해서 시료 번호 1~8의 유전체 세라믹의 원료 분말을 얻었다. 표 1에 각 시료 번호의 a, b, c, d, e, x의 값 및 R성분을 나타낸다.
또한 얻어진 원료 분말을 ICP 발광 분광 분석한 결과, 표 1에 표시한 조합 조성과 거의 동일한 것이 확인되었다.
(B)적층 세라믹 콘덴서의 제작
제일 먼저, 유전체층이 될 세라믹 그린 시트를 형성했다. 구체적으로는 상기의 원료 분말에 폴리비닐부티랄계 바인더와 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하여 볼밀에 의해 습식 혼합하여 세라믹 슬러리를 조제했다. 그리고 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하여 두께가 3㎛인 세라믹 그린 시트를 얻었다.
다음으로 소정의 세라믹 그린 시트 위에 Ni를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 인쇄하고 내부전극이 될 도전성 페이스트층을 형성했다.
다음으로 세라믹 그린 시트를 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 쪽이 서로 엇갈리도록 복수층 적층하여 소성 전의 적층체를 형성했다.
다음으로 이 적층체를 N2 분위기 중 350℃에서 가열하여 바인더를 연소시켰다. 그 후 산소 분압 10-10MPa의 H2-N2-H2O가스로 이루어지는 환원 분위기 중에서 승온속도 20℃/분, 최고온도 1200℃에서 20분 유지하고 그 후에 강온(降溫)하는 프로파일로 소성했다.
다음으로 소성 후의 적층체의 양 단면에 B2O3-SiO2-BaO유리 프릿(frit)을 포함하는 은 페이스트를 도포했다. 그리고 N2 분위기 중 600℃에서 베이킹하여 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성했다.
상기와 같이 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 2.0mm×1.0mm×1.0mm이고, 내부전극 사이에 개재하는 유전체층의 두께는 2.5㎛, 내부전극의 두께는 0.8㎛이었다. 또 유효 유전체층의 층수는 100층이고, 1층당 대향 전극 면적은 1.7×10-6㎡이었다.
(C)특성 평가
얻어진 각 조건의 적층 세라믹 콘덴서에 대해 유전율과 유전 손실을 측정했다. 제일 먼저, 자동 브릿지식 측정기를 이용해 정전 용량과 유전 손실을 AC전압 1V, 1kHz의 조건으로 측정했다. 그리고 정전 용량의 평균치와 유전체층의 두께, 층수, 대향 전극 면적으로부터 유전율을 산출했다.
다음으로 175℃, 7.5V의 조건으로 고온 부하 시험을 실시하여 절연 저항이 100kΩ 이하가 된 시간을 고장으로 판정하고, 시료의 평균 고장 시간(MTTF)을 산출했다. 측정수는 10개로 하고 그 평균치를 산출했다. 또한 유전율, 유전 손실, MTTF 모두 측정수는 10개이며 그 평균치를 산출했다.
표 1에 각 조건에서의 각종 특성 평가 결과를 표시한다. 표 1에서 시료 번호에 *를 붙인 것은 이 발명의 범위 외의 시료이다.
(D)Sn이 내부전극 중에 존재하는 것의 확인
1)연마
각 시료를 수직이 되도록 세워서 각 시료의 주위를 수지로 고정시켰다. 이때 각 시료의 WT(폭·높이)측면이 노출되도록 했다.
다음으로 연마기로 WT측면을 연마했다.
다음으로 소체의 L(길이)방향 1/2정도의 깊이로 연마를 종료하고 WT단면을 냈다.
그리고 연마에 의한 내부전극의 처짐(unevenness)을 없애기 위해서 연마 종료 후, 이온 밀링에 의해 연마 표면을 가공했다.
2)내부전극의 매핑 분석
도 2에 도시하는 대로 WT단면의 W방향 1/2정도에서 시료의 내부전극이 적층되어 있는 영역을 T방향으로 3등분으로 분할하고, 각각의 W방향에서의 중앙부를 상방영역 U, 중간영역 M, 하방영역 D의 3개 영역으로 나눴다. 또 T방향의 중앙부는 중간영역 M과, 중간영역 M에서 W방향으로 인접하는 측부영역 S의 2개 영역으로 나눴다.
그리고 이들 4개의 영역 내에서 WDX에 의해 Ni 및 Sn의 매핑 분석을 했다. 또한 측부영역 S에서는 그 중앙부가 아닌 내부전극이 존재하지 않는 적층체의 측부 근처의 부분을 내부전극을 포함하여 매핑했다.
유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료의 Ni의 매핑 분석 결과를 도 3에, Sn의 매핑 분석 결과를 도 4에 도시한다. 도 3, 도 4로부터 알 수 있듯이 유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료에서는 상방영역 U, 중간영역 M, 하방영역 D 및 측부영역 S의 모든 영역에서 내부전극 중에 Sn이 존재하고 있었다.
(E)내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값의 확인
유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료(시료 번호 1, 3, 5, 7)에 대해 내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값을 확인했다. 구체적으로는 1개의 적층 세라믹 콘덴서로부터 무작위로 3개의 내부전극을 고르고 FIB가공(집속 이온빔법)으로 각각 내부전극부만 잘라내 박편화한 시료를 3개 준비했다. 각 시료에 대해서 무작위로 추출한 10군데에서 Ni와 Sn의 정량 분석을 WDX를 이용해 실시했다. 합계 30군데(10군데×3개)의 평균치를 조사한 결과 각 시료 모두 Sn/(Ni+Sn)=0.006이었다.
(F)내부전극에 포함되는 Sn이 Ni와 합금화되어 있는 것의 확인
소성 후의 적층 세라믹 콘덴서(적층체)를 분쇄하여 분말 형상으로 했다. 그 분말을 XRD로 분석한 결과 Ni의 피크 위치가 이동해 있었다. 이것으로부터 내부전극 중의 Sn은 Ni와 Sn의 합금의 형성으로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다.
시료 번호 1~4는 유전체층의 주성분이 BT이다. Sn을 넣은 시료 번호 1, 3에서는 모두 시료 번호 2, 4에 비해 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF의 값이 크다는 결과가 되었다. 또 시료 번호 5~8은 유전체층의 주성분이 BCT이다. Sn을 넣은 시료 번호 5, 7에서는 모두 시료 번호 6, 8에 비해 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF의 값이 크다는 결과가 되었다.
[실험예 2]
실험예 2에서는 내부전극 중의 Sn의 양이 전압 인가시의 신뢰성에 미치는 영향을 확인했다. 또한 본 실험예에서는 내부전극이 될 도전성 페이스트에 주성분으로서 Ni와 Sn의 합금이 포함되어 있는 것을 이용했다. 또 유전체 세라믹에는 실험예 1의 시료 번호 6과 같은 조건의 것을 이용했다. 적층 세라믹 콘덴서의 제작방법은 실험예 1과 마찬가지이다. 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극 사이에 개재하는 유전체층의 두께는 2.5㎛이었다. 표 2에 각 시료 번호의 조건에서의 내부전극 중 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비와 각종 특성 평가 결과를 나타낸다.
시료 번호 11~15를 비교하면 Sn이 포함되어 있지 않은 시료 번호 11에 비해 시료 번호 12~15는 모두 유전 특성이 같은 정도이고 MTTF의 값이 크다는 결과가 되었다.
[실험예 3]
실험예 3에서는 유전체층의 두께를 변화시켜서 MTTF에 미치는 영향을 조사했다. 또한 본 실험예에서는 유전체 세라믹의 원료 분말에 SnO분말을 미리 혼합하는 방법을 이용했다. 또 유전체층의 주성분은 티탄산 바륨(BT)으로 했다.
(A)유전체 세라믹의 원료 분말의 제작
제일 먼저, 주성분인 BT분말을 준비했다. 구체적으로는 BaCO3분말 및 TiO2분말을 Ti와 Ba의 몰비가 1:1이 되도록 칭량하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 열 처리를 하여 주성분인 BT분말을 얻었다.
다음으로 부성분인 R2O3(R은 Dy), MgO, MnO, SiO2, SnO의 각 분말을 준비했다. 또한 본 실험예에서는 R은 Dy로 했다. 그리고 이러한 분말들을 주성분인 세라믹 분말 중 Ti 100몰부에 대한 R의 함유량이 a몰부, Mg의 함유량이 b몰부, Mn의 함유량이 c몰부, Si의 함유량이 d몰부가 되도록 칭량하고, SnO에 관해서는 적층 세라믹 콘덴서를 형성한 후의 내부전극에 포함되는 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비 Sn/(Ni+Sn)이 표 3의 값이 되도록 칭량하여 주성분인 BT분말과 배합하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 건조, 건식 분쇄했다. 이렇게 하여 시료 번호 21~36의 유전체 세라믹의 원료 분말을 얻었다. 표 3에 각 시료 번호의 a, b, c, d, e의 값을 나타낸다.
(B)적층 세라믹 콘덴서의 제작
제일 먼저, 유전체층이 될 세라믹 그린 시트를 형성했다. 구체적으로는 상기의 원료 분말에 폴리비닐부티랄계 바인더와 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 세라믹 슬러리를 조제했다. 그리고 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하여 8종류의 두께의 세라믹 그린 시트, 구체적으로는 0.9㎛, 1.1㎛, 1.3㎛, 1.6㎛, 2.0㎛, 2.2㎛, 2.7㎛, 3.3㎛의 8종류의 두께의 세라믹 그린 시트를 얻었다.
다음으로 소정의 세라믹 그린 시트 위에 Ni를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 인쇄하고 내부전극이 될 도전성 페이스트층을 형성했다.
다음으로 세라믹 그린 시트를 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 쪽이 서로 엇갈리도록 복수층 적층하여 소성 전의 적층체를 형성했다.
다음으로 이 적층체를 N2분위기 중 350℃에서 가열하여 바인더를 연소시켰다. 그 후 산소 분압 10-10MPa의 H2-N2-H2O가스로 이루어지는 환원 분위기 중에서 승온속도 20℃/분, 최고온도 1200℃에서 20분 유지하고 그 후에 강온하는 프로파일로 소성했다.
다음으로 소성 후의 적층체의 양 단면에, B2O3-SiO2-BaO유리 프릿을 포함하는 은 페이스트를 도포했다. 그리고 N2분위기 중 600℃에서 베이킹하여 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성했다.
상기와 같이 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 2.0mm×1.0mm×1.0mm이었다. 또 유효 유전체층의 층수는 100층이며, 1층당 대향 전극 면적은 1.7×10-6㎡이었다.
또한 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외부전극을 제거하고 용제에 의해 용해하고 ICP 발광 분광 분석을 한 결과, 내부전극 성분의 Ni 및 내부전극 중에 확산이 생기는 Sn을 제외하고는 표 3에 나타낸 조합 조성과 거의 동일한 것이 확인되었다.
각 시료에 대해 다음 방법으로 유전체층의 두께를 조사했다.
우선 각 시료를 수직이 되도록 세우고 각 시료의 주위를 수지로 고정시켰다. 이때 각 시료의 LT측면(길이·높이 측면;연마하면 외부전극에 접속하는 부분을 포함하여 내부전극이 노출되는 측면)이 노출하도록 했다. 연마기에 의해 LT측면을 연마하고 적층체의 W방향(폭방향)의 1/2의 깊이로 연마를 종료하고 LT단면을 냈다. 이 연마면에 대해 이온 밀링하여 연마에 의한 처짐을 제거했다. 이렇게 해서 관찰용 단면을 얻었다.
도 5에 도시하는 대로 LT단면의 L방향(길이방향) 1/2에서 내부전극과 직교하는 수직선을 그었다. 다음으로 시료의 내부전극이 적층되어 있는 영역을 T방향(높이방향)으로 3등분으로 분할하여, 상측부 U, 중간부 M, 하측부 D의 3개 영역으로 나눴다. 그리고 각 영역 각각의 높이방향 중앙부로부터 25층의 유전체층을 선정하고(도 5에서 상기 25층의 유전체층을 포함하는 영역을 측정영역 R1로 나타냄), 이러한 유전체층들의 상기 수직선상에서의 두께를 측정했다. 단, 상기 수직선상에서 내부전극이 결손되어 상기 내부전극을 사이에 끼는 유전체층이 연결되어 있는 등에 의해 측정이 불가능한 것은 측정 대상에서 제외하였다.
상기로부터 각 시료에 대해 75군데에서 유전체층의 두께를 측정하고 이들의 평균치를 구했다. 유전체층의 두께는 표 3에 나타내는 것과 같이 시료에 따라 0.8㎛, 1㎛, 1.2㎛, 1.5㎛, 1.8㎛, 2㎛, 2.5㎛, 3㎛ 중 어느 하나였다.
(C)특성 평가
얻어진 각 조건의 적층 세라믹 콘덴서에 대해 유전율과 유전 손실을 측정했다. 제일 먼저 자동 브릿지식 측정기를 이용해 정전 용량과 유전 손실을 AC전압 1V, 1kHz의 조건으로 측정했다. 그리고 정전 용량의 평균치와 유전체층의 두께, 층수, 대향 전극 면적으로부터 유전율을 산출했다.
다음으로 150℃, 3V/㎛ 상당의 조건으로 고온 부하 시험을 실시하여 절연 저항이 100kΩ 이하가 된 시간을 고장이라고 판정하고 시료의 평균 고장 시간(MTTF)을 산출했다. 측정수는 10개로 하고 그 평균치를 산출했다. 또한 유전율, 유전 손실, MTTF 모두 측정수는 10개이며 그 평균치를 산출했다.
표 3에 각 조건에서의 각종 특성 평가 결과를 나타낸다. 표 3에서 시료 번호에 *를 붙인 것은 이 발명의 범위 외의 시료이다.
(D)Sn이 내부전극 중에 존재하는 것의 확인
실험예 1과 마찬가지 방법으로 각 시료에 대해 WDX에 의해 Ni 및 Sn의 매핑 분석 결과를 시행했다. 그 결과 유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료에서는 내부전극 중에 Sn이 존재하고 있었다.
(E)내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값의 확인
유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료에 대해 내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값을 확인했다. 구체적으로는 1개의 칩에서 무작위로 3개의 내부전극을 골라 FIB가공(집속 이온빔법)으로 각각 내부전극부만 잘라내 박편화한 시료를 3개 준비했다. 각 시료에 대해 무작위로 추출한 10군데에서 Ni와 Sn의 정량 분석을 WDX를 이용해 실시했다. 합계 30군데(10군데×3개)의 평균치가 표 3에 나타낸 Sn/(Ni+Sn)이다.
(F)내부전극에 포함되는 Sn이 Ni와 합금화되어 있는 것의 확인
또 적층 세라믹 콘덴서의 외부전극을 제거한 후 이것을 분쇄하여 분말 형상으로 했다. 그 분말을 XRD로 측정한 결과 Ni의 피크 위치가 이동해 있었던 것으로부터 본 실험예에서는 내부전극 중의 Sn은 Ni와 Sn의 합금 형태로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다.
Sn을 넣은 시료 번호 29~36에서는 Sn을 넣지 않는 시료 번호 21~28에 비해 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF의 값이 개선되었다. 그러나 Sn을 넣은 경우에도 유전체층의 두께가 2.5㎛을 초과한 경우, 구체적으로는 유전체층의 두께가 3인 시료 번호 36에서는 유전체층의 두께가 2.5㎛ 이하인 시료 번호 29~35에 비해 MTTF가 개선되는 비율이 작아졌다.
도 6에 MTTF의 유전체층 두께 의존성을 도시한다. 유전체층의 두께가 2.5㎛을 초과하면 계면의 신뢰성에 대한 기여가 작아지고, Sn을 첨가한 효과가 작아지며 MTTF가 개선되는 비율이 작아진 것이라고 생각된다.
즉 대향하는 내부전극에 끼인 영역은 「유전체층」과 「내부전극과 유전체층의 계면」으로 구성되는데, 유전체층의 두께가 2.5㎛을 초과하면 대향하는 내부전극에 끼인 영역에서 「유전체층」의 비율이 높아지고, 반대로 「내부전극과 유전체층의 계면」의 비율이 낮아진다. 상세한 메커니즘은 불명확하지만, 본 발명에서는 내부전극에 Sn을 첨가함으로 인한 「계면」의 변화가 신뢰성 향상에 기여하고 있는 것이라고 생각되고, 상기와 같이 유전체층의 두께가 2.5㎛을 초과하여「계면」의 비율이 낮아짐으로써 MTTF가 개선되는 효과가 작아진 것으로 생각된다.
[실험예 4]
실험예 4에서는 유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재의 분말을 미리 혼합하는 방법을 이용했다. 또 유전체층의 주성분으로서는 티탄산 바륨(BT)을 준비했다.
(A)유전체 세라믹의 원료 분말의 제작
제일 먼저, 주성분인 BT분말을 준비했다. 구체적으로는 BaCO3분말 및 TiO2분말을 Ti와 Ba의 몰비가 1:1이 되도록 칭량하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후, 열 처리를 하여 주성분인 BT분말을 얻었다.
다음으로 부성분인 Dy2O3, MgO, MnO, SiO2의 각 분말을 준비했다. 또한 Sn소재의 분말로서 Sn금속 분말, SnO분말, SnO2분말, Ni-Sn합금 분말(Ni:Sn=90:10)을 준비했다. 그리고 주성분 중의 Ti 100몰부에 대해 Dy2O3가 0.5몰부(=Dy가 1.0몰부), MgO가 1몰부, MnO가 0.2몰부, SiO2이 1몰부가 되도록 칭량하고, Sn소재는 적층 세라믹 콘덴서를 형성한 후의 내부전극에 포함되는 Ni에 대해 Sn이 표 4의 양이 되도록 칭량했다. 이러한 분말들을 주성분인 BT분말과 배합하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 건조, 건식 분쇄하여 원료 분말을 얻었다.
(B)적층 세라믹 콘덴서의 제작
제일 먼저, 유전체층이 될 세라믹 그린 시트를 형성했다. 구체적으로는 상기의 원료 분말에 폴리비닐부티랄계 바인더와 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 세라믹 슬러리를 조제했다. 그리고 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하여 두께가 3㎛인 세라믹 그린 시트를 얻었다.
다음으로 소정의 세라믹 그린 시트 위에 Ni를 주성분으로 하는 도전성 페이스트를 인쇄하고 내부전극이 될 도전성 페이스트층을 형성했다.
다음으로 세라믹 그린 시트를 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 쪽이 서로 엇갈리도록 복수층 적층하여 소성 전의 적층체를 형성했다.
다음으로 이 적층체를 N2분위기 중 350℃에서 가열하여 바인더를 연소시켰다. 그 후 산소 분압 10-10MPa의 H2-N2-H2O가스로 이루어지는 환원 분위기 중에서 승온속도 20℃/분, 최고온도 1200℃에서 20분 유지하고 그 후에 강온하는 프로파일로 소성했다.
다음으로 소성 후의 적층체의 양 단면에 B2O3-SiO2-BaO유리 프릿을 포함하는 은 페이스트를 도포했다. 그리고 N2분위기 중 600℃에서 베이킹하여 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성했다.
상기와 같이 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 2.0mm×1.0mm×1.0mm이고 내부전극 사이에 개재하는 유전체층의 두께는 2.5㎛이었다. 또 유효 유전체층의 층수는 230층이며 1층당 대향 전극 면적은 1.7×10-6㎡이었다.
(C)특성 평가
얻어진 각 조건의 적층 세라믹 콘덴서에 대해 유전율과 유전 손실을 측정했다. 제일 먼저, 자동 브릿지식 측정기를 이용해 정전 용량과 유전 손실을 AC전압 1V, 1kHz의 조건으로 측정했다. 그리고 정전 용량의 평균치와 유전체층의 두께, 층수, 대향 전극 면적으로부터 유전율을 산출했다.
다음으로 150℃, 7.5V의 조건으로 고온 부하 시험을 실시하고 절연 저항이 10kΩ 이하가 된 시간을 고장으로 판정하여 시료의 평균 고장 시간(MTTF)을 산출했다. 측정수는 10개로 하고 그 평균치를 산출했다. 또한 유전율, 유전 손실, MTTF 모두 측정수는 10개이며 그 평균치를 산출했다.
표 4에 각 조건에서의 각종 특성 평가 결과를 나타낸다.
(D)Sn이 내부전극 중에 존재하는 것의 확인
1)연마
각 시료를 수직이 되도록 세우고 각 시료의 주위를 수지로 고정시켰다. 이때 각 시료의 WT(폭·높이)측면이 노출되도록 했다.
다음으로 연마기에 의해 WT측면을 연마했다.
다음으로 소체의 L(길이)방향의 1/2정도의 깊이로 연마를 종료하고 WT단면을 냈다.
그리고 연마에 의한 내부전극의 처짐을 없애기 위해 연마 종료 후, 이온 밀링에 의해 연마 표면을 가공했다.
2)내부전극의 매핑 분석
실험예 1과 마찬가지로 도 2에 도시하는 바와 같이 WT단면의 W방향 1/2정도에서 시료의 내부전극이 적층되어 있는 영역을 T방향으로 3등분으로 분할하여, 각각의 W방향에서의 중앙부를 상방영역 U, 중간영역 M, 하방영역 D의 3개 영역으로 나눴다. 또한 T방향의 중앙부는 중간영역 M과, 중간영역 M에서 W방향으로 인접하는 측부영역 S의 2개 영역으로 나눴다.
그리고 이들 4개의 영역 내에서 WDX에 의해 Ni 및 Sn의 매핑 분석을 했다. 또한 측부영역 S에서는 그 중앙부가 아닌 내부전극이 존재하지 않는 적층체의 측부 근처의 부분을 내부전극을 포함하여 매핑했다. 유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료에서는 상방영역 U, 중간영역 M, 하방영역 D 및 측부영역 S의 모든 영역에서 내부전극 중에 Sn이 존재하고 있었다.
(E)내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값의 확인
유전체 세라믹의 원료 분말에 Sn소재 분말을 넣은 시료에 대해 내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)값을 확인했다. 구체적으로는 하나의 적층 세라믹 콘덴서로부터 무작위로 3개의 내부전극을 골라 FIB가공(집속 이온빔법)으로 각각 내부전극만 잘라내 박편화한 시료를 3개 준비했다. 각 시료에 대해 무작위로 추출한 10군데에서 Ni와 Sn의 정량 분석을 WDX를 이용해 실시했다. 합계 30군데(10군데×3개)의 평균치가 표 4에 나타낸 Sn/(Ni+Sn)이다.
(F)내부전극에 포함되는 Sn이 Ni와 합금화되어 있는 것의 확인
소성 후의 적층 세라믹 콘덴서(적층체)를 분쇄하여 분말 형상으로 했다. 그 분말을 XRD로 분석한 결과 Ni의 피크 위치가 이동해 있었다. 이것으로부터 내부전극 중의 Sn은 Ni와 Sn의 합금의 형성으로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다.
유전체 세라믹의 원료 분말에 미리 Sn소재를 첨가한 경우에서 Sn소재의 종류에 관계없이 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF를 개선할 수 있는 것이 확인되었다. 단, Sn/(Ni+Sn)값이 0.1을 초과할 정도로 첨가한 경우는 MTTF의 개선은 없었다. Sn/(Ni+Sn)값이 0.1을 초과하면 내부전극의 융점이 너무 내려가서 내부전극의 옥화가 생긴다. 이로 인해 내부전극이 국소적으로 두꺼워져서 유전체층의 두께를 국소적으로 얇아지게 하기 때문에 MTTF의 개선이 없었던(Sn첨가의 효과를 상쇄한) 것으로 생각된다.
[실험예 5]
실험예 5에서는 내부전극 페이스트에 Sn소재의 분말을 미리 혼합하는 방법을 이용했다. 또 유전체층의 주성분으로서는 티탄산 바륨(BT)을 준비했다.
(A)유전체 세라믹의 원료 분말의 제작
제일 먼저, 주성분인 BT분말을 준비했다. 구체적으로는 BaCO3분말 및 TiO2분말을 Ti와 Ba의 몰비가 1:1이 되도록 칭량하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 열처리를 하여 주성분인 BT분말을 얻었다.
다음으로 부성분인 Dy2O3, MgO, MnO, SiO2의 각 분말을 준비했다. 그리고 주성분 100몰부에 대해 Dy2O3가 0.5몰부, MgO가 1몰부, MnO가 0.2몰부, SiO2가 1몰부가 되도록 칭량했다. 이러한 분말들을 주성분인 BT분말과 배합하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 건조, 건식 분쇄하여 원료 분말을 얻었다.
(B)적층 세라믹 콘덴서의 제작
제일 먼저, 유전체층이 될 세라믹 그린 시트를 형성했다. 구체적으로는 상기의 원료 분말에 폴리비닐부티랄계 바인더와 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 세라믹 슬러리를 조제했다. 그리고 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하여 두께가 3㎛인 세라믹 그린 시트를 얻었다.
다음으로 내부전극 페이스트를 준비했다. 우선 Ni분말과, Sn소재의 분말로서 Sn금속 분말, SnO분말, SnO2분말, Ni-Sn합금 분말(Ni:Sn=90:10)을 준비하고 표 5의 비율이 되도록 칭량했다. 그리고 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용제를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 도전성 페이스트를 제작했다.
다음으로 상기 세라믹 그린 시트 위에 상기 도전성 페이스트를 인쇄하고 내부전극을 구성하기 위한 도전성 페이스트층을 형성했다.
다음으로 세라믹 그린 시트를 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 쪽이 서로 엇갈리도록 복수층 적층하여 소성 전의 적층체를 형성했다.
다음으로 이 적층체를 N2분위기 중 350℃에서 가열하여 바인더를 연소시켰다. 그 후 산소 분압 10-10MPa의 H2-N2-H2O가스로 이루어지는 환원 분위기 중에서 승온속도 20℃/분, 최고온도 1200℃에서 20분 유지하고 그 후에 강온하는 프로파일로 소성했다.
다음으로 소성 후의 적층체의 양 단면에 B2O3-SiO2-BaO유리 프릿을 포함하는 은 페이스트를 도포했다. 그리고 N2분위기 중 600℃에서 베이킹하여 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성했다.
상기와 같이 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 2.0mm×1.0mm×1.0mm이고 내부전극 사이에 개재하는 유전체층의 두께는 2.5㎛이었다. 또 유효 유전체층의 층수는 230층이며, 1층당 대향 전극 면적은 1.7×10-6㎡이었다.
(C)특성 평가
얻어진 각 조건의 적층 세라믹 콘덴서에 대해 유전율과 유전 손실을 측정했다. 제일 먼저, 자동 브릿지식 측정기를 이용해 정전 용량과 유전 손실을 AC전압 1V, 1kHz의 조건으로 측정했다. 그리고 정전 용량의 평균치와 유전체층의 두께, 층수, 대향 전극 면적으로부터 유전율을 산출했다.
다음으로 150℃, 7.5V의 조건으로 고온 부하 시험을 실시하여 절연 저항이 10kΩ 이하가 된 시간을 고장으로 판정하고 시료의 평균 고장 시간(MTTF)을 산출했다. 측정수는 10개로 하고 그 평균치를 산출했다. 또한 유전율, 유전 손실, MTTF 모두 측정수는 10개이며 그 평균치를 산출했다.
표 5에 각 조건에서의 각종 특성 평가 결과를 나타낸다.
또한 소성 후의 적층 세라믹 콘덴서에서 내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)이 조합 조성과 거의 동일한 것 및 Sn이 내부전극 중에 존재하고 Ni와 합금화되어 있는 것은 실험예 4와 마찬가지의 방법으로 확인했다.
내부전극 페이스트에 미리 Sn소재를 첨가한 경우에서 Sn소재의 종류에 관계 없이 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF를 개선할 수 있는 것이 확인되었다. 단, Sn/(Ni+Sn)값이 0.1을 초과할 정도로 첨가한 경우는 MTTF의 개선은 없었다. Sn/(Ni+Sn)값이 0.1을 초과하면 내부전극의 융점이 너무 내려가서 내부전극의 옥화가 생긴다. 이로 인해 내부전극이 국소적으로 두꺼워져서 유전체층의 두께를 국소적으로 얇아지게 하기 때문에 MTTF의 개선이 없었던(Sn첨가의 효과를 상쇄한) 것으로 생각된다.
[실험예 6]
실험예 6에서는 내부전극 페이스트에 금속 분말로서 Ni-Sn합금을 사용하는 방법을 이용했다. 또 유전체층의 주성분으로는 티탄산 바륨(BT)을 준비했다.
(A)유전체 세라믹의 원료 분말의 제작
제일 먼저, 주성분인 BT분말을 준비했다. 구체적으로는 BaCO3분말 및 TiO2분말을 Ti와 Ba의 몰비가 1:1이 되도록 칭량하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 열처리를 하여 주성분인 BT분말을 얻었다.
다음으로 부성분인 Dy2O3, MgO, MnO, SiO2의 각 분말을 준비했다. 그리고 주성분 100몰부에 대해 Dy2O3가 0.5몰부, MgO가 1몰부, MnO가 0.2몰부, SiO2가 1몰부가 되도록 칭량했다. 이러한 분말들을 주성분인 BT분말과 배합하고 볼밀에 의해 일정 시간 혼합한 후 건조, 건식 분쇄하여 원료 분말을 얻었다.
(B)적층 세라믹 콘덴서의 제작
제일 먼저, 유전체층이 될 세라믹 그린 시트를 형성했다. 구체적으로는 상기의 원료 분말에 폴리비닐부티랄계 바인더와 에탄올 등의 유기 용매를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 세라믹 슬러리를 조제했다. 그리고 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하여 두께가 3㎛인 세라믹 그린 시트를 얻었다.
다음으로 금속 분말로서 Ni-Sn합금 분말을 이용한 내부전극 페이스트를 준비했다. 표 6의 Sn/(Ni+Sn)비율의 Ni-Sn합금 분말을 준비하고 폴리비닐부티랄계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용제를 첨가하고 볼밀에 의해 습식 혼합하여 도전성 페이스트를 제작했다.
다음으로 상기 세라믹 그린 시트 위에 상기 도전성 페이스트를 인쇄하고 내부전극을 구성하기 위한 도전성 페이스트층을 형성했다.
다음으로 세라믹 그린 시트를 도전성 페이스트층이 인출되어 있는 쪽이 서로 엇갈리도록 복수층 적층하여 소성 전의 적층체를 형성했다.
다음으로 이 적층체를 N2분위기 중 350℃에서 가열하여 바인더를 연소시켰다. 그 후 산소 분압 10-10MPa의 H2-N2-H2O가스로 이루어지는 환원 분위기 중에서 승온속도 20℃/분, 최고온도 1200℃에서 20분 유지하고 그 후에 강온하는 프로파일로 소성했다.
다음으로 소성 후의 적층체의 양 단면에 B2O3-SiO2-BaO유리 프릿을 포함하는 은 페이스트를 도포했다. 그리고 N2분위기 중 600℃에서 베이킹하여 내부전극과 전기적으로 접속된 외부전극을 형성했다.
상기와 같이 하여 제작한 적층 세라믹 콘덴서의 외형 치수는 2.0mm×1.0mm×1.0mm이고 내부전극 사이에 개재하는 유전체층의 두께는 2.5㎛이었다. 또 유효 유전체층의 층수는 230층이며, 1층당 대향 전극 면적은 1.7×10-6㎡이었다.
(C)특성 평가
얻어진 각 조건의 적층 세라믹 콘덴서에 대해 유전율과 유전 손실을 측정했다. 제일 먼저, 자동 브릿지식 측정기를 이용해 정전 용량과 유전 손실을 AC전압 1V, 1kHz의 조건으로 측정했다. 그리고 정전 용량의 평균치와 유전체층의 두께, 층수, 대향 전극 면적으로부터 유전율을 산출했다.
다음으로 150℃, 7.5V의 조건에서 고온 부하 시험을 실시하여 절연 저항이 10kΩ 이하가 된 시간을 고장으로 판정하고 시료의 평균 고장 시간(MTTF)을 산출했다. 측정수는 10개로 하고 그 평균치를 산출했다. 또한 유전율, 유전 손실, MTTF 모두 측정수는 10개이며 그 평균치를 산출했다.
표 6에 각 조건에서의 각종 특성 평가의 결과를 나타낸다.
또한 소성 후의 적층 세라믹 콘덴서에서 내부전극 중의 Sn/(Ni+Sn)이 조합 조성과 거의 동일한 것 및 Sn이 내부전극 중에 존재하고 Ni와 합금화되어 있는 것은 실험예 4와 마찬가지의 방법으로 확인했다.
내부전극 페이스트에 금속 분말로서 Ni-Sn합금을 사용한 경우에서도 유전 특성은 같은 정도에서 MTTF를 개선할 수 있는 것이 확인되었다.
1 적층 세라믹 콘덴서
2 유전체층
3, 4 내부전극
5 적층체
6, 7 외부전극
2 유전체층
3, 4 내부전극
5 적층체
6, 7 외부전극
Claims (5)
- 적층되어 있는 복수의 유전체층과, 상기 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층체와, 상기 적층체의 외표면에 형성되어 상기 내부전극과 전기적으로 접속되어 있는 복수의 외부전극을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
상기 유전체층이 Ba 및 Ti를 포함하는 페로브스카이트형 화합물(단, Ba의 일부는 Ca로 치환되어도 좋고, Ti의 일부는 Zr로 치환되어도 좋다)을 주성분으로서 포함하고,
상기 유전체층의 두께는 2.5㎛ 이하이며,
상기 내부전극은 주성분이 Ni이며 상기 내부전극은 Sn을 포함하고, 상기 내부전극에서의 상기 Ni와 상기 Sn의 합계에 대한 상기 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서. - 페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 준비하는 공정과,
Sn금속, Sn을 포함하는 합금, Sn화합물 중 어느 하나로 이루어지는 Sn소재 중에서 적어도 하나를 준비하는 공정과,
상기 준비한 주성분 분말 및 상기 준비한 Sn소재를 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과,
상기 세라믹 그린 시트와 내부전극층을 겹겹이 쌓아 소성 전의 적층체를 얻는 공정과,
상기 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하는 복수의 유전체층과, 상기 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서,
상기 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 상기 내부전극은 Sn을 포함하고, 상기 내부전극에서의 상기 Ni와 상기 Sn의 합계에 대한 상기 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법. - Ni금속 혹은 Ni를 포함하는 합금을 주성분으로 하는 내부전극 주성분 분말을 준비하는 공정과,
Sn금속, Sn을 포함하는 합금, Sn화합물 중 어느 하나로 이루어지는 Sn소재 중에서 적어도 하나를 준비하는 공정과,
페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과,
상기 세라믹 그린 시트와, 상기 준비한 내부전극 주성분 분말 및 상기 준비한 Sn소재를 함유하는 내부전극층을 겹겹이 쌓아 소성 전의 적층체를 얻는 공정과,
상기 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하는 복수의 유전체층과, 상기 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서,
상기 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 상기 내부전극은 Sn을 포함하고, 상기 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법. - Ni-Sn합금을 주성분으로 하는 내부전극 주성분 분말을 준비하는 공정과,
페로브스카이트형 화합물을 주성분으로 하는 주성분 분말을 함유하는 세라믹 그린 시트를 얻는 공정과,
상기 세라믹 그린 시트와 상기 준비한 내부전극 주성분 분말을 함유하는 내부전극층을 겹겹이 쌓아 소성 전의 적층체를 얻는 공정과,
상기 소성 전의 적층체를 소성하여 적층체를 얻는 공정을 포함하는 복수의 유전체층과, 상기 유전체층 사이의 계면을 따라 형성되어 있는 복수의 내부전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법으로서,
상기 내부전극은 주성분으로서 Ni를 포함하며 상기 내부전극은 Sn을 포함하고, 상기 내부전극에서의 Ni와 Sn의 합계에 대한 Sn의 몰비가 0.001 이상 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법.
- 삭제
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11929206B2 (en) | 2021-01-12 | 2024-03-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component having improved high temperature load life and moisture resistance reliability |
| US12087511B2 (en) | 2021-12-28 | 2024-09-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5919847B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2016-05-18 | Tdk株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR101607536B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2016-03-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
| KR101648064B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2016-08-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 |
| TWI530973B (zh) | 2013-08-02 | 2016-04-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated ceramic capacitor and laminated ceramic capacitor manufacturing method |
| KR101537717B1 (ko) * | 2013-09-17 | 2015-07-20 | 신유선 | 임베디드용 적층 세라믹 캐패시터 및 임베디드용 적층 세라믹 캐패시터의 제조 방법 |
| JP6197879B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-09-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP6558083B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-08-14 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| TWI642074B (zh) * | 2016-06-06 | 2018-11-21 | 村田製作所股份有限公司 | Multilayer ceramic capacitor |
| US10770227B2 (en) | 2017-11-22 | 2020-09-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor and board having the same |
| KR102107027B1 (ko) | 2017-11-22 | 2020-05-07 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 및 그 실장기판 |
| KR102407983B1 (ko) * | 2018-08-23 | 2022-06-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR102147408B1 (ko) * | 2018-08-23 | 2020-08-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR20190121210A (ko) * | 2018-10-17 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR20210084536A (ko) | 2018-10-31 | 2021-07-07 | 쇼에이 가가쿠 가부시키가이샤 | Ni 페이스트 및 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR20190116133A (ko) * | 2019-07-15 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| JP7314917B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2023-07-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20210084284A (ko) | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP7348890B2 (ja) | 2020-10-30 | 2023-09-21 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP7396251B2 (ja) * | 2020-11-11 | 2023-12-12 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20220066757A (ko) | 2020-11-16 | 2022-05-24 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JP2022083829A (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20220083295A (ko) * | 2020-12-11 | 2022-06-20 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
| US20220230807A1 (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| US12073996B2 (en) * | 2021-03-01 | 2024-08-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic electronic device, powder material, paste material, and manufacturing method of ceramic electronic device |
| JP7528830B2 (ja) | 2021-03-17 | 2024-08-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2022157148A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP7459858B2 (ja) | 2021-12-23 | 2024-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの実装構造 |
| KR20230099932A (ko) | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
| KR20240106561A (ko) * | 2022-12-29 | 2024-07-08 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000348962A (ja) | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Tdk Corp | 誘電体組成物及びこれを用いたセラミックコンデンサ |
| JP2005505695A (ja) * | 2001-10-18 | 2005-02-24 | カナディアン・エレクトロニック・パウダーズ・コーポレーション・（シーイーピーシー） | 積層セラミックコンデンサ電極内部用粉末 |
| JP2005298315A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 耐還元性誘電体磁器組成物と超薄層積層セラミックコンデンサ |
| JP4110978B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2008-07-02 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5954672A (ja) | 1982-09-22 | 1984-03-29 | 株式会社村田製作所 | 高誘電率磁器の製造方法 |
| JPS59126354A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 電話機のハンドセツト |
| JPH04110978A (ja) | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Mita Ind Co Ltd | 画像形成装置 |
| JP2680480B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1997-11-19 | 太陽誘電 株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH05290622A (ja) | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｎｉペースト組成物 |
| JP3552878B2 (ja) | 1997-05-30 | 2004-08-11 | Ｆｄｋ株式会社 | 低温焼結誘電体磁器の製造方法 |
| JP3874041B2 (ja) * | 1997-08-18 | 2007-01-31 | Ｔｄｋ株式会社 | Ｃｒ複合電子部品とその製造方法 |
| JPH11283867A (ja) | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Tdk Corp | 電子部品およびその製造方法 |
| US6291380B1 (en) * | 1999-03-15 | 2001-09-18 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric ceramic and capacitor using the same |
| JP3419713B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2003-06-23 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサの製造方法 |
| TW200705481A (en) | 2005-04-28 | 2007-02-01 | Tdk Corp | Method of production of multilayer ceramic electronic device |
| KR101083553B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2011-11-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 세라믹, 및 세라믹 전자부품, 및 적층 세라믹 콘덴서 |
| DE112007002865B4 (de) * | 2006-12-05 | 2018-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielektrische Keramik und diese verwendender Mehrschicht-Keramikkondensator |
| CN101595533B (zh) * | 2007-02-06 | 2012-07-18 | 株式会社村田制作所 | 电阻糊剂及层叠陶瓷电容器 |
| JP4952723B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2012-06-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP5315796B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2013-10-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| CN102099880B (zh) | 2009-06-15 | 2015-03-25 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电子部件及其制造方法 |
| JP4992955B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
-
2012
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-
2013
- 2013-08-09 US US13/963,086 patent/US9099244B2/en active Active
- 2013-11-22 JP JP2013241458A patent/JP5757319B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000348962A (ja) | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Tdk Corp | 誘電体組成物及びこれを用いたセラミックコンデンサ |
| JP2005505695A (ja) * | 2001-10-18 | 2005-02-24 | カナディアン・エレクトロニック・パウダーズ・コーポレーション・（シーイーピーシー） | 積層セラミックコンデンサ電極内部用粉末 |
| JP4110978B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2008-07-02 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP2005298315A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 耐還元性誘電体磁器組成物と超薄層積層セラミックコンデンサ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11929206B2 (en) | 2021-01-12 | 2024-03-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component having improved high temperature load life and moisture resistance reliability |
| US12087511B2 (en) | 2021-12-28 | 2024-09-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
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