JPH05290622A - Ｎｉペースト組成物 - Google Patents
Ｎｉペースト組成物Info
- Publication number
- JPH05290622A JPH05290622A JP4115282A JP11528292A JPH05290622A JP H05290622 A JPH05290622 A JP H05290622A JP 4115282 A JP4115282 A JP 4115282A JP 11528292 A JP11528292 A JP 11528292A JP H05290622 A JPH05290622 A JP H05290622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- weight
- parts
- powder
- paste composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、従来のＮｉペーストの焼成
温度より低い８００〜９００℃程度の焼成温度でも十分
緻密な被膜が得られるＮｉペースト組成物を提供するこ
とである。 【構成】 Ｎｉと、Ｓｎおよび／またはＺｎとを粉末状
で含むＮｉペースト組成物であって、該組成物中Ｓｎお
よび／またはＺｎが該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１
４重量部であるＮｉペースト組成物。該Ｎｉペースト組
成物とビヒクル等と混練してＮｉペーストが作製され
る。
温度より低い８００〜９００℃程度の焼成温度でも十分
緻密な被膜が得られるＮｉペースト組成物を提供するこ
とである。 【構成】 Ｎｉと、Ｓｎおよび／またはＺｎとを粉末状
で含むＮｉペースト組成物であって、該組成物中Ｓｎお
よび／またはＺｎが該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１
４重量部であるＮｉペースト組成物。該Ｎｉペースト組
成物とビヒクル等と混練してＮｉペーストが作製され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＮｉを主として含有する
ペースト組成物に関する。
ペースト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体セラミックグリーンシート上に導
体ペースト等で導体層を形成し、これを多層に積層して
焼成する多層化技術は一般化している。多層化の目的
は、例えば静電容量を増やしたりして、より性能を向上
させ電子部品の小型化を実現することが主となってい
る。
体ペースト等で導体層を形成し、これを多層に積層して
焼成する多層化技術は一般化している。多層化の目的
は、例えば静電容量を増やしたりして、より性能を向上
させ電子部品の小型化を実現することが主となってい
る。
【０００３】ところで鉛系複合ペロブスカイト誘電体は
その鉛成分の蒸発を防ぐため、通常行われている１３０
０〜１４００℃焼成温度より低い１０００℃程度の焼成
温度で行う必要があることから導体は卑金属系のものが
用いられる。近年、さらに焼成コストを下げる目的で８
００〜９００℃程度のより低温で焼成できる鉛系複合ペ
ロブスカイトや超微粒子粉を使用したチタン酸バリウム
などの誘電材料が開発され、これにともなって導体も８
００〜９００℃程度の低温で焼成できることが要求され
ている。
その鉛成分の蒸発を防ぐため、通常行われている１３０
０〜１４００℃焼成温度より低い１０００℃程度の焼成
温度で行う必要があることから導体は卑金属系のものが
用いられる。近年、さらに焼成コストを下げる目的で８
００〜９００℃程度のより低温で焼成できる鉛系複合ペ
ロブスカイトや超微粒子粉を使用したチタン酸バリウム
などの誘電材料が開発され、これにともなって導体も８
００〜９００℃程度の低温で焼成できることが要求され
ている。
【０００４】しかしながら従来のＮｉペーストは１００
０℃前後で焼成すれば良好な導電膜が得られるが、８０
０〜９００℃程度の低温で焼成するとＮｉが緻密化せ
ず、電極比抵抗が高くなる結果高周波特性が悪化すると
いう問題が生ずる。また内部電極の有効面積が低下する
ためにコンデンサー容量が低下するという問題が生ず
る。
０℃前後で焼成すれば良好な導電膜が得られるが、８０
０〜９００℃程度の低温で焼成するとＮｉが緻密化せ
ず、電極比抵抗が高くなる結果高周波特性が悪化すると
いう問題が生ずる。また内部電極の有効面積が低下する
ためにコンデンサー容量が低下するという問題が生ず
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は８００
〜９００℃程度の焼成でも十分緻密な被膜が得られるＮ
ｉペースト組成物を提供することにある。
〜９００℃程度の焼成でも十分緻密な被膜が得られるＮ
ｉペースト組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＮｉペースト組成物は、Ｎｉと、Ｓｎおよ
び／またはＺｎとを粉末状で含み、該組成物中Ｓｎおよ
び／またはＺｎが該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１４
重量部とした点に特徴がある。
め、本発明のＮｉペースト組成物は、Ｎｉと、Ｓｎおよ
び／またはＺｎとを粉末状で含み、該組成物中Ｓｎおよ
び／またはＺｎが該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１４
重量部とした点に特徴がある。
【０００７】
【作用】本発明の組成物において、Ｎｉと、Ｓｎおよび
／またはＺｎとを含む粉状物は単体の混合粉、合金粉、
又は複合粉のいずれであっても良く、これらの混合物で
あっても良い。複合粉とは単体や合金表面にＮｉ、Ｓｎ
および／またはＺｎからなる母材と異なる組成を被覆し
たものや、ボールミル等により機械的に混合粉砕して複
合粉を作製する方法（メカニカルアロイング法）による
もの等が使用できる。
／またはＺｎとを含む粉状物は単体の混合粉、合金粉、
又は複合粉のいずれであっても良く、これらの混合物で
あっても良い。複合粉とは単体や合金表面にＮｉ、Ｓｎ
および／またはＺｎからなる母材と異なる組成を被覆し
たものや、ボールミル等により機械的に混合粉砕して複
合粉を作製する方法（メカニカルアロイング法）による
もの等が使用できる。
【０００８】Ｓｎおよび／またはＺｎの含有量がＮｉ１
００重量部に対して２重量部未満の時は焼成被膜の緻密
性が十分上がらず、被膜抵抗も高い。一方Ｓｎおよび／
またはＺｎの含有量はＮｉ１００重量部に対して１４重
量部を超えると逆に焼成被膜の緻密製が劣ってしまい、
被膜抵抗も急激に増加してしまう。従ってＳｎおよび／
またはＺｎの含有量はＮｉ１００重量部に対して２重量
部ないし１４重量部とする必要がある。
００重量部に対して２重量部未満の時は焼成被膜の緻密
性が十分上がらず、被膜抵抗も高い。一方Ｓｎおよび／
またはＺｎの含有量はＮｉ１００重量部に対して１４重
量部を超えると逆に焼成被膜の緻密製が劣ってしまい、
被膜抵抗も急激に増加してしまう。従ってＳｎおよび／
またはＺｎの含有量はＮｉ１００重量部に対して２重量
部ないし１４重量部とする必要がある。
【０００９】ビヒクルはいずれも従来使用されているも
のが使用できる。ビヒクルの樹脂成分としてはエチルセ
ルロースやニトロセルロース等のセルロース系樹脂や、
プチルメタアクリレート、メチルメタアクリレート等の
アクリル系樹脂などが使用できる。ビヒクルの溶剤成分
としてはジエチレングリコールモノブチルエーテル、メ
チルエチルケトン、ミネラルスプリッツ等のアルコール
類、ケトン類、ナフサ類等が使用できる。
のが使用できる。ビヒクルの樹脂成分としてはエチルセ
ルロースやニトロセルロース等のセルロース系樹脂や、
プチルメタアクリレート、メチルメタアクリレート等の
アクリル系樹脂などが使用できる。ビヒクルの溶剤成分
としてはジエチレングリコールモノブチルエーテル、メ
チルエチルケトン、ミネラルスプリッツ等のアルコール
類、ケトン類、ナフサ類等が使用できる。
【００１０】さらに一般に使用されている粘度調整剤や
ゲル化防止材等を加えても良い。
ゲル化防止材等を加えても良い。
【００１１】金属粉とビヒクルとの混合比率は金属粉１
００重量部に対してビヒクル１０〜４００重量部の範囲
で良く、望ましくは４０〜２５０重量部の範囲が良い。
００重量部に対してビヒクル１０〜４００重量部の範囲
で良く、望ましくは４０〜２５０重量部の範囲が良い。
【００１２】ガラス粉は、ペーストの使われる用途に応
じて必要により添加することができる。ガラス粉を使用
するときは、あまりその含有量が多すぎると本来の金属
被膜を形成させる目的が達成できないため、ガラス粉の
含有量は金属粉と同等またはこれ以下に押さえる必要が
ある。ガラス粉にはホウケイ酸系、アルミノケイ酸系、
鉛系等の多種の組成のものが使用できる。
じて必要により添加することができる。ガラス粉を使用
するときは、あまりその含有量が多すぎると本来の金属
被膜を形成させる目的が達成できないため、ガラス粉の
含有量は金属粉と同等またはこれ以下に押さえる必要が
ある。ガラス粉にはホウケイ酸系、アルミノケイ酸系、
鉛系等の多種の組成のものが使用できる。
【００１３】金属粉とビヒクルおよび必要により添加す
るガラス粉との混合には三本ロールミル、アトライタ等
が使用できる。
るガラス粉との混合には三本ロールミル、アトライタ等
が使用できる。
【００１４】
実験Ｎｏ．１〜１１ 金属粉末としてＮｉ粉（純度９９．０％、平均粒径１．
０μｍの単分散球状粉）と、Ｓｎ粉（純度９９．０％、
平均粒径１．０μｍ）と、Ｚｎ粉（純度９９．９％、平
均粒径０．５μｍ）を用い、表１に示されるような１１
種の配合を行い、該配合５０重量部と、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルを８６重量部とエチルセルロ
ースを１４重量部からなる有機バインダー３２重量部と
を三本ロールミルで３０分間混練した。
０μｍの単分散球状粉）と、Ｓｎ粉（純度９９．０％、
平均粒径１．０μｍ）と、Ｚｎ粉（純度９９．９％、平
均粒径０．５μｍ）を用い、表１に示されるような１１
種の配合を行い、該配合５０重量部と、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテルを８６重量部とエチルセルロ
ースを１４重量部からなる有機バインダー３２重量部と
を三本ロールミルで３０分間混練した。
【００１５】最後に該混練物に粘度調整溶媒としてミネ
ラルスピリッツ１６重量部を加え引き続き１０分間混練
してＮｉペーストを作製した。
ラルスピリッツ１６重量部を加え引き続き１０分間混練
してＮｉペーストを作製した。
【００１６】次に上記Ｎｉペーストをアルミナ基板上に
スクリーン印刷した後焼成し、焼成被膜特性を測定して
Ｎｉペーストを評価した。印刷に使用したスクリーンは
３２５メッシュのステンレススクリーンで、幅（Ｗ）
１．５５ｍｍ、全長（Ｌ）９３．０ｍｍの形状比（Ｌ／
Ｗ）６０．０のパターンを有する。印刷後乾燥炉により
１２０℃で１０分間乾燥後、窒素雰囲気中、９００℃で
２時間焼成後炉冷してＮｉ電極試料を作製した。
スクリーン印刷した後焼成し、焼成被膜特性を測定して
Ｎｉペーストを評価した。印刷に使用したスクリーンは
３２５メッシュのステンレススクリーンで、幅（Ｗ）
１．５５ｍｍ、全長（Ｌ）９３．０ｍｍの形状比（Ｌ／
Ｗ）６０．０のパターンを有する。印刷後乾燥炉により
１２０℃で１０分間乾燥後、窒素雰囲気中、９００℃で
２時間焼成後炉冷してＮｉ電極試料を作製した。
【００１７】そのＮｉ電極試料の比抵抗を下記のように
測定してＮｉペーストの焼成特性を評価した。形成した
電極の厚さは表面粗さ計により測定し、電極抵抗を４端
子法により測定し、電極の比抵抗を式（１）により算出
した。 ρ＝Ｒ×ｔ×（Ｗ／Ｌ）─────（１） ρ：比抵抗（Ω・ｃｍ） Ｒ：測定された抵抗値（Ω） ｔ：電極膜の厚さ（ｃｍ） Ｗ：パターンの幅（ｃｍ） Ｌ：パターンの全長（ｃｍ）
測定してＮｉペーストの焼成特性を評価した。形成した
電極の厚さは表面粗さ計により測定し、電極抵抗を４端
子法により測定し、電極の比抵抗を式（１）により算出
した。 ρ＝Ｒ×ｔ×（Ｗ／Ｌ）─────（１） ρ：比抵抗（Ω・ｃｍ） Ｒ：測定された抵抗値（Ω） ｔ：電極膜の厚さ（ｃｍ） Ｗ：パターンの幅（ｃｍ） Ｌ：パターンの全長（ｃｍ）
【００１８】またさらに電極膜の緻密度を下記のように
Ｂ．Ｌ．Ｄ．（バックライトデンシティ）を測定して評
価した。試料を光学顕微鏡の視野内に置き試料下方より
光を照射し、透過光像を観察する。このときＮｉペース
トが完全に緻密化して連続層になっているならば、光は
透過せず、緻密化せずに空隙が存在すると光が透過し、
空隙の部分だけの透過像が観察される。このことを利用
して式（２）で定義されるＢ．Ｌ．Ｄ．により電極膜の
緻密度が評価される。 Ｂ．Ｌ．Ｄ．＝１００×（Ｓｄ−Ｓｐ）／Ｓｄ（％）────（２） Ｓｄ：焼成膜の面積（平方ｃｍ） Ｓｐ：透過光により測定された空隙面積（平方ｃｍ） つまりＢ．Ｌ．Ｄ．値が１００％に近いほど焼成膜は空
隙が少なく緻密化されていることを示している。
Ｂ．Ｌ．Ｄ．（バックライトデンシティ）を測定して評
価した。試料を光学顕微鏡の視野内に置き試料下方より
光を照射し、透過光像を観察する。このときＮｉペース
トが完全に緻密化して連続層になっているならば、光は
透過せず、緻密化せずに空隙が存在すると光が透過し、
空隙の部分だけの透過像が観察される。このことを利用
して式（２）で定義されるＢ．Ｌ．Ｄ．により電極膜の
緻密度が評価される。 Ｂ．Ｌ．Ｄ．＝１００×（Ｓｄ−Ｓｐ）／Ｓｄ（％）────（２） Ｓｄ：焼成膜の面積（平方ｃｍ） Ｓｐ：透過光により測定された空隙面積（平方ｃｍ） つまりＢ．Ｌ．Ｄ．値が１００％に近いほど焼成膜は空
隙が少なく緻密化されていることを示している。
【００１９】焼成膜の比抵抗が２５μΩ・ｃｍを超える
と高周波特性が悪化するため、焼成膜の比抵抗が２５μ
Ω・ｃｍ以下であることが要求される。Ｂ．Ｌ．Ｄ．は
緻密性の観点から高ければ高い程よく、例えばコンデン
サーの場合はコンデンサー容量はＢ．Ｌ．Ｄ．に直接比
例するので、Ｂ．Ｌ．Ｄ．は少なくとも７０％以上でな
ければならない。
と高周波特性が悪化するため、焼成膜の比抵抗が２５μ
Ω・ｃｍ以下であることが要求される。Ｂ．Ｌ．Ｄ．は
緻密性の観点から高ければ高い程よく、例えばコンデン
サーの場合はコンデンサー容量はＢ．Ｌ．Ｄ．に直接比
例するので、Ｂ．Ｌ．Ｄ．は少なくとも７０％以上でな
ければならない。
【００２０】表１に測定結果を示すが、焼成膜の比抵抗
が２５μΩ・ｃｍ以下でかつＢ．Ｌ．Ｄ．が７０％以上
のものを総合評価として優良と判定し○と表記した、又
それ以外の膜性能が不十分なものを×と表記した。
が２５μΩ・ｃｍ以下でかつＢ．Ｌ．Ｄ．が７０％以上
のものを総合評価として優良と判定し○と表記した、又
それ以外の膜性能が不十分なものを×と表記した。
【００２１】実験Ｎｏ．１２〜１３ 金属粉として、いずれも金属塩を水素還元することによ
り合成したＮｉ−Ｓｎ合金粉（１０重量％Ｓｎ−Ｂａ
ｌ．Ｎｉ、平均粒径０．５μｍ）と、Ｎｉ−Ｚｎ合金粉
（１０重量％Ｓｎ−Ｂａｌ．Ｎｉ、平均粒径０．５μ
ｍ）を使用し、実験Ｎｏ．１〜１１と同様にＮｉペース
トを作製し評価した結果を表１に示す。
り合成したＮｉ−Ｓｎ合金粉（１０重量％Ｓｎ−Ｂａ
ｌ．Ｎｉ、平均粒径０．５μｍ）と、Ｎｉ−Ｚｎ合金粉
（１０重量％Ｓｎ−Ｂａｌ．Ｎｉ、平均粒径０．５μ
ｍ）を使用し、実験Ｎｏ．１〜１１と同様にＮｉペース
トを作製し評価した結果を表１に示す。
【００２２】実験Ｎｏ．１４〜２１ 比較例として実験Ｎｏ．１〜１１と同様な方法により、
本発明の特許請求範囲外のＳｎおよび／またはＺｎ含有
率のＮｉペースト組成物について実施例１と同様にＮｉ
ペーストを試作し評価した結果を表１に示す。
本発明の特許請求範囲外のＳｎおよび／またはＺｎ含有
率のＮｉペースト組成物について実施例１と同様にＮｉ
ペーストを試作し評価した結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１から、（Ｓｎ＋Ｚｎ）が２重量部より
少なくなると焼結性が不十分となり、また１４重量部を
超えると焼結性が悪化あるいは不安定化することが分か
る。また表１から、（Ｓｎ＋Ｚｎ）含有量が２重量部よ
り少なくなると、あるいは１４重量部を超えると急速に
比抵抗値が高くなることが分かる。
少なくなると焼結性が不十分となり、また１４重量部を
超えると焼結性が悪化あるいは不安定化することが分か
る。また表１から、（Ｓｎ＋Ｚｎ）含有量が２重量部よ
り少なくなると、あるいは１４重量部を超えると急速に
比抵抗値が高くなることが分かる。
【００２５】従って該組成物中Ｓｎおよび／またはＺｎ
が該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１４重量部とすると
８００〜９００℃程度の低焼成温度でも緻密で比抵抗が
低い焼成膜が実現できる。
が該Ｎｉ１００重量部当り２ないし１４重量部とすると
８００〜９００℃程度の低焼成温度でも緻密で比抵抗が
低い焼成膜が実現できる。
【００２６】なお、本発明のＮｉペースト組成物は１０
００℃以上の焼成温度での使用には何の問題もなく、
又、多少焼結特性は落ちるが７００℃程度の焼成温度を
適用することもできる。
００℃以上の焼成温度での使用には何の問題もなく、
又、多少焼結特性は落ちるが７００℃程度の焼成温度を
適用することもできる。
【００２７】又、本発明Ｎｉペースト組成物は積層コン
デンサー用に限定されるものではなく、例えば焼成温度
を８００〜９００℃に揃えた基板材料、導体材料、抵抗
材料、絶縁体材料、誘電体材料を組み合わせて積層する
ことによって作られるＣＲ分布定数回路素子などの新し
い用途へも利用できる。
デンサー用に限定されるものではなく、例えば焼成温度
を８００〜９００℃に揃えた基板材料、導体材料、抵抗
材料、絶縁体材料、誘電体材料を組み合わせて積層する
ことによって作られるＣＲ分布定数回路素子などの新し
い用途へも利用できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＮｉペー
スト組成物は、８００〜９００℃程度の低焼成温度でも
緻密で比抵抗が低い焼成膜が提供できる、焼成コスト低
減に大きく貢献できた。
スト組成物は、８００〜９００℃程度の低焼成温度でも
緻密で比抵抗が低い焼成膜が提供できる、焼成コスト低
減に大きく貢献できた。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎｉと、Ｓｎおよび／またはＺｎとを粉
末状で含むＮｉペースト組成物であって、該組成物中Ｓ
ｎおよび／またはＺｎが該Ｎｉ１００重量部当り２ない
し１４重量部であるＮｉペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115282A JPH05290622A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｎｉペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115282A JPH05290622A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｎｉペースト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05290622A true JPH05290622A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14658805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115282A Pending JPH05290622A (ja) | 1992-04-09 | 1992-04-09 | Ｎｉペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05290622A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014024592A1 (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2014057097A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| WO2015016309A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| WO2015087688A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP5892252B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-03-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US20200066454A1 (en) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same |
| JPWO2020195523A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ||
| JP2021015965A (ja) * | 2019-07-15 | 2021-02-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品 |
-
1992
- 1992-04-09 JP JP4115282A patent/JPH05290622A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014057097A (ja) * | 2011-02-14 | 2014-03-27 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| DE112012000798B4 (de) | 2011-02-14 | 2024-05-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramikkondensators |
| US9099244B2 (en) | 2011-02-14 | 2015-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
| JP5892252B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-03-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPWO2014024592A1 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-07-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2016174188A (ja) * | 2012-08-07 | 2016-09-29 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US9520231B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor and method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
| WO2014024592A1 (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US9837210B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic capacitor and method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
| WO2015016309A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP5939360B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2016-06-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPWO2015087688A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US9818536B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing multilayer ceramic capacitor |
| WO2015087688A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US20200066454A1 (en) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same |
| US10840017B2 (en) * | 2018-08-23 | 2020-11-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having improved internal electrode, and method of manufacturing the same |
| JPWO2020195523A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ||
| WO2020195523A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | チップ型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CN113614866A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-05 | 株式会社村田制作所 | 芯片型陶瓷电子部件及其制造方法 |
| JP2021015965A (ja) * | 2019-07-15 | 2021-02-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0821266B2 (ja) | 誘電体ペ−スト | |
| US5723395A (en) | Dielectric ceramic composition, its preparation method, multilayer chip capacitor, dielectric filter, and electronic parts | |
| JP3033972B2 (ja) | アルミナ多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP3350949B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP2002245874A (ja) | 導体ペースト及びその製造方法 | |
| KR920010624B1 (ko) | 유전체 조성물 및 이를 함유한 고용량 콘덴서 | |
| JPH05290622A (ja) | Ｎｉペースト組成物 | |
| US7413699B2 (en) | Method of making ceramic electronic element | |
| JP2002110444A (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JP3373436B2 (ja) | セラミック積層電子部品 | |
| JP2964725B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
| JP2003297146A (ja) | 導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JPS59215367A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JPH03285965A (ja) | グリーンシート用導体ペースト組成物 | |
| JPH0766563A (ja) | 容量内蔵型多層回路基板 | |
| WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| KR100611805B1 (ko) | 저항체 및 전자 부품 | |
| JPH07201222A (ja) | 導電性ペーストとセラミック積層体とセラミック積層体の製造方法 | |
| JPH0351929Y2 (ja) | ||
| JPH05205969A (ja) | 積層コンデンサ内部電極用ペースト | |
| JPS59221362A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JP3512542B2 (ja) | 積層型コンデンサ | |
| JPH05234739A (ja) | 塗料及びそれを使用した積層型インダクタ | |
| JPS60133717A (ja) | コンデンサ電極組成物 |