KR20130032383A - 절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법 - Google Patents

절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130032383A
KR20130032383A KR1020137002661A KR20137002661A KR20130032383A KR 20130032383 A KR20130032383 A KR 20130032383A KR 1020137002661 A KR1020137002661 A KR 1020137002661A KR 20137002661 A KR20137002661 A KR 20137002661A KR 20130032383 A KR20130032383 A KR 20130032383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
inorganic insulating
layer
sheet
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020137002661A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101456088B1 (ko
Inventor
카츠라 하야시
Original Assignee
쿄세라 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쿄세라 코포레이션 filed Critical 쿄세라 코포레이션
Publication of KR20130032383A publication Critical patent/KR20130032383A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101456088B1 publication Critical patent/KR101456088B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/14—Layered products comprising a layer of synthetic resin next to a particulate layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0129—Thermoplastic polymer, e.g. auto-adhesive layer; Shaping of thermoplastic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명의 일형태에 의한 절연 시트는 수지 시트와 상기 수지 시트 상에 형성된 절연층을 구비하고, 상기 절연층은 무기 절연층을 갖고, 상기 무기 절연층은 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하이며, 서로 결합한 제 1 무기 절연입자를 포함하는 것이다.

Description

절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법{INSULATING SHEET, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING STRUCTURE USING THE INSULATING SHEET}
본 발명은 전자기기(예를 들면, 각종 오디오비주얼(audiovisual) 기기, 가전기기, 통신 기기, 컴퓨터 기기 및 그 주변기기)나 수송기, 건물 등 모든 물에 사용되는 절연 시트, 절연 시트의 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 전자기기에 있어서의 실장 구조체로서는 배선기판에 전자부품을 실장한 것이 사용되어 있다.
일본 특허 공개 평 2-253941호 공보에는 금속박에 세라믹스를 용사해서 이루어지는 세라믹층을 이용하여 제작된 배선기판이 기재되어 있다.
이 세라믹층은 세라믹스를 고온 조건 하에서 용사해서 형성되어 있기 때문에 상기 고온 조건 하에서 세라믹 입자가 성장해서 입경이 커지기 쉬워 세라믹층의 평탄성이 저하하기 쉽다. 또한, 굴곡이 생기기 쉬운 금속박 상에서 세라믹층이 형성되기 때문에 세라믹층의 평탄성이 저하하기 쉬워, 상기 세라믹층 상에 배선을 형성할 때에 불량이 발생하는 경우가 있다. 그 결과, 배선기판의 전기적 신뢰성이 저하하기 쉬워진다.
따라서, 전기적 신뢰성을 개량한 배선기판 등의 구조체를 제공하는 것이 요망되고 있다.
본 발명의 일형태에 의한 절연 시트는 수지 시트와 상기 수지 시트 상에 형성된 절연층을 구비한다. 상기 절연층은 무기 절연층을 갖는다. 상기 무기 절연층은 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하이며, 서로 결합한 제 1 무기 절연입자를 포함한다.
본 발명의 일형태에 의한 절연 시트의 제조방법은 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하의 제 1 무기 절연입자를 포함하는 무기 절연 졸을 직접 또는 간접적으로 수지 시트 상에 도포하는 공정과, 상기 제 1 무기 절연입자를 상기 수지 시트에 포함되는 수지의 융점 미만으로 가열함으로써 상기 제 1 무기 절연입자끼리를 서로 결합시켜서 무기 절연층을 형성하는 공정을 구비한다.
본 발명의 일형태에 의한 구조체의 제조방법은, 상술한 절연 시트를 상기 수지 시트가 최외층이 되도록 미경화의 열경화성 수지를 포함하는 제 1 수지층을 통해서 지지 부재 상에 적층하는 공정과, 상기 제 1 수지층을 상기 열경화성 수지의 경화 개시온도 이상 상기 수지 시트에 포함되는 수지의 융점 미만으로 가열함으로써 상기 무기 절연층을 상기 제 1 수지층을 통해서 상기 지지 부재에 접착시키는 공정과, 상기 무기 절연층으로부터 상기 수지 시트를 제거하는 공정을 구비한다.
본 발명의 일형태에 의한 구조체의 제조방법은, 상기 절연층으로부터 상기 수지 시트를 제거하는 공정과, 상기 절연층의 상기 수지 시트측에 배치되어 있던 주면 상에 도전층을 형성하는 공정을 구비한다.
상기 구성에 의하면 평탄성이 높은 절연 시트를 얻을 수 있다. 그 때문에, 전기적 신뢰성을 개선한 구조체를 얻을 수 있다.
도 1(a)는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 절연 시트를 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 1(b)는 도 1(a)의 R1 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 2(a)는 도 1(b)의 I-I선을 따르는 평면 방향으로 절단한 단면도이며, 도 2(b)는 2개의 제 1 무기 절연입자가 결합한 모양을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3(a)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 이용하여 제작된 실장 구조체를 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 3(b)는 도 3(a)의 R2 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 4(a) 및 도 4(b)는 도 1에 나타내는 절연 시트의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 4(c)는 도 4(b)의 R3 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 5(a)는 도 1에 나타내는 절연 시트의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 5(b)는 도5 (a)의 R4 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 6(a)는 도 1에 나타내는 절연 시트의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 6(b)는 도 6(a)의 R5 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 7(a)는 도 1에 나타내는 절연 시트의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 7(b)는 도 7(a)의 R6 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 8(a) 내지 도 8(c)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 사용한 배선기판의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 9(a) 및 도 9(b)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 사용한 배선기판의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 10(a) 및 도 10(b)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 사용한 배선기판의 제조공정을 설명하는 도 9(b)의 R7 부분에 대응하는 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 11(a)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 사용한 배선기판의 제조공정을 설명하는 도 9(b)의 R7 부분에 대응하는 부분을 확대해서 나타낸 단면도이며, 도 11(b)는 도 1에 나타내는 절연 시트를 사용한 배선기판의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 12(a)는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 절연 시트를 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 12(b)는 도 12(a)의 R8 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 13(a)는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 절연 시트를 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 13(b)는 도 13(a)의 R9 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 14(a)는 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 실장 구조체를 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 14(b)는 도 14(a)에 나타내는 실장 구조체의 제작에 사용하는 절연 시트의 두께 방향으로 절단한 단면도이며, 도 14(c)는 도 14(a)에 나타내는 실장 구조체의 제조공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
(제 1 실시형태)
(절연 시트)
이하에, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 절연 시트를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 1(a)에 나타낸 절연 시트(1)는, 예를 들면 후술하는 바와 같이 배선기판(10)의 제작에 사용되는 것이다. 이 절연 시트(1)는 수지 시트(2)와, 상기 수지 시트(2) 상에 형성된 무기 절연층(3)과, 상기 무기 절연층(3) 상에 형성된 제 1 수지층(4a)과, 수지 시트(2)와 무기 절연층(3) 사이에 형성된 제 2 수지층(4b)을 포함하고 있다. 이 절연 시트(1) 중 무기 절연층(3), 제 1 수지층(4a) 및 제 2 수지층(4b)은, 후술하는 바와 같이 배선기판(10)을 제작할 때에 상기 배선기판(10)에 잔존하는 절연층(17)을 구성하고 있다.
수지 시트(2)는 절연 시트(1)를 취급할 때에 무기 절연층(3)을 지지하는 것이고, 배선기판의 제작시에 무기 절연층(3)으로부터 제거되는 것이며, 예를 들면 평판 형상으로 형성되어 있다. 이 수지 시트(2)는, 예를 들면 폴리에스테르 수지 또는 폴리에틸렌 수지 등의 열가소성 수지로 이루어지고, 폴리에스테르 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 또는 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등을 사용할 수 있다. 열가소성 수지로 이루어지는 수지 시트(2)로서는 직선 형상인 각 분자쇄의 길이 방향이 동일 방향인 필름 형상의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 열가소성 수지로 이루어지는 필름 형상의 것을 사용함으로써 수지 시트(2)의 평탄성을 높일 수 있다.
또한, 수지 시트(2)의 두께는, 예를 들면 8㎛ 이상 100㎛ 이하로 설정되고, 수지 시트(2)의 영률은, 예를 들면 7㎬ 이상 12㎬ 이하로 설정되며, 수지 시트(2)의 평면 방향으로의 열팽창률은 20ppm/℃ 이상 70ppm/℃ 이하로 설정되고, 수지 시트(2)의 융점은, 예를 들면 200℃ 이상 260℃ 이하로 설정되어 있다.
또한, 수지 시트(2)의 영률은 MTS 시스템즈사 제품 Nano Indentor XP/DCM을 이용하여 측정된다. 또한, 수지 시트(2)의 열팽창률은 시판의 TMA 장치를 이용하여 JISK7197-1991에 준한 측정방법에 의해 측정된다. 또한, 수지 시트(2)의 융점은 ISO12086-2:2006에 준한 측정방법에 의해 측정시킨다.
무기 절연층(3)은 배선기판의 제작시에 배선기판에 접착되고, 배선기판에 잔존해서 절연층의 주요부를 이루는 것이며, 예를 들면 평판 형상으로 형성되어 있다. 이 무기 절연층(3)은, 예를 들면 산화규소, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화마그네슘 또는 산화지르코늄 등의 무기 절연재료로 이루어지고, 그 중에서도 저유전 정접 및 저열팽창률의 관점으로부터 산화규소로 이루어지는 것이 바람직하고, 특히, 아몰포스(비정질) 상태의 산화규소로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 분자 구조에 기인해서 열팽창률에 이방성이 생기기 쉬운 결정 상태의 산화규소와 비교하여 열팽창률의 이방성이 생기기 어려운 아몰포스 상태의 산화규소를 사용함으로써 무기 절연층(3)이 가열된 후의 냉각시에 무기 절연층(3)의 수축을 각 방향에서 보다 균일하게 할 수 있고, 무기 절연층(3)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다. 이 아몰포스 상태의 산화규소는 결정상의 영역이 예를 들면 10체적% 미만으로 설정되어 있고, 그 중에서도 5체적% 미만으로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
여기에서, 산화규소의 결정상 영역의 체적비는 이하와 같이 측정된다. 우선, 100% 결정화한 시료 분말과 비정질 분말을 다른 비율로 포함하는 복수의 비교 시료를 제작하고, 상기 비교 시료를 X선 회절법으로 측정함으로써 상기 측정치와 결정상 영역의 체적비의 상대적 관계를 나타내는 검량선을 작성한다. 이어서, 측정 대상인 조사 시료를 X선 회절법으로 측정하고, 상기 측정치와 검량선을 비교하여 상기 측정치로부터 결정상 영역의 체적비를 산출함으로써 조사 자료의 결정상 영역의 체적비가 측정된다.
또한, 무기 절연층(3)의 두께는, 예를 들면 3㎛ 이상 100㎛ 이하로 설정되어 있다. 또한, 무기 절연층(3)의 영률은, 예를 들면 20㎬ 이상 50㎬ 이하로 설정되고, 및/또는 수지 시트(2)의 영률의 예를 들면 4배 이상 10배 이하로 설정되어 있다. 또한, 무기 절연층(3)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 0ppm/℃ 이상 7ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 무기 절연층(3)의 평면 방향으로의 열팽창률은 수지 시트(2)의 평면 방향으로의 열팽창률의 예를 들면 0% 이상 20% 이하로 설정되어 있다. 또한, 무기 절연층(3)의 유전 정접은, 예를 들면 0.0004 이상 0.01 이하로 설정되어 있다.
또한, 무기 절연층(3)의 영률 및 열팽창률은 상술한 수지 시트(2)와 마찬가지로 측정된다. 또한, 무기 절연층(3)의 유전 정접은 JISR1627-1996에 준한 공진기법에 의해 측정된다.
본 실시형태의 무기 절연층(3)은 도 1(b) 내지 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 서로 결합한 제 1 무기 절연입자(3a)와, 상기 제 1 무기 절연입자(3a)보다 입경이 크고, 상기 제 1 무기 절연입자(3a)를 통해서 서로 접착된 제 2 무기 절연입자(3b)를 포함한다. 이 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)는 상술한 무기 절연층(3)을 구성하는 무기 절연재료로 이루어진다. 또한, 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)는 무기 절연층(3)의 단면을 전계방출형 전자현미경으로 관찰함으로써 확인된다.
제 1 무기 절연입자(3a)는 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정되어 있다. 이와 같이 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경이 미소하기 때문에, 후술하는 바와 같이 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 저온에서 결합시킬 수 있고, 수지 시트(2) 상에 무기 절연층(3)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경이 미소하기 때문에, 후술하는 바와 같이 제 1 무기 절연입자(3a)를 제 2 무기 절연입자(3b)에 저온에서 결합시킬 수 있고, 제 2 무기 절연입자(3b)끼리를 저온에서 접착시킬 수 있다.
제 1 무기 절연입자(3a)는 도 2(b)에 나타내는 바와 같이 네크 구조(3a1)를 통해서 서로 결합되어 있다. 이와 같이 결합한 제 1 무기 절연입자(3a)는 3차원 메쉬 형상 구조를 이루고 있고, 제 1 무기 절연입자(3a)끼리의 사이에는 제 1 공극(V1)이 형성되어 있다. 이 제 1 공극(V1)은 무기 절연층(3)의 제 1 수지층(4a)측에 개구를 갖는 개기공이다.
이 제 1 공극(V1)은 무기 절연층(3)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서 제 1 무기 절연입자(3a)와 같은 정도의 크기로 형성되어 있고, 상기 단면에 있어서의 제 1 공극(V1)의 면적은 상기 단면에 있어서의 제 1 무기 절연입자(3a)의 면적의 예를 들면 2배 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 공극(V1)은 상기 단면에 있어서의 제 1 무기 절연층(11a)의 두께 방향의 높이가 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하고, 상기 단면에 있어서의 제 1 무기 절연층(11a)의 평면 방향의 폭이 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 제 2 무기 절연입자(3b)는 입경이 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있다. 이와 같이 제 2 무기 절연입자(3b)의 입경이 제 1 무기 절연입자(3a)보다 크기 때문에, 무기 절연층(3)에 크랙이 생겼을 경우 크랙의 신장이 제 2 무기 절연입자(3b)에 도달했을 때에 입경이 큰 제 2 무기 절연입자(3b)의 표면을 따라서 우회하도록 크랙이 신장되기 때문에, 크랙의 신장에 큰 에너지가 필요하게 되므로 크랙의 신장을 저감할 수 있다. 또한, 입경이 큰 제 2 무기 절연입자(3b)가 제 1 무기 절연입자(3a)를 통해서 서로 접착되어 있기 때문에, 후술하는 바와 같이 제 2 공극(V2)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 제 2 무기 절연입자(3b)의 입경이 5㎛ 이하로 설정되어 있음으로써 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)의 단위체적당의 접촉 면적을 증가시켜서 접착 강도를 높일 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)의 입경은 무기 절연층(3)의 단면을 전계방출형 전자현미경으로 관찰하여 20입자수 이상 50입자수 이하의 입자를 포함하도록 확대한 단면을 촬영하고, 상기 확대한 단면에서 각 입자의 최대 직경을 측정함으로써 측정된다.
상술한 제 1 무기 절연입자(3a)는 구상인 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 무기 절연입자(3a)의 충전 밀도를 높이고, 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 보다 강고하게 결합시킬 수 있어 무기 절연층(3)의 강성을 높일 수 있다. 또한, 제 2 무기 절연입자(3b)는 구상인 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 무기 절연입자(3b)의 표면에 있어서의 응력을 분산시킬 수 있고, 제 2 무기 절연입자(3b)의 표면을 기점으로 한 무기 절연층(3)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)는 동일 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 무기 절연층(3)에 있어서 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)의 결합이 강고해져 재료 특성의 차이에 기인한 크랙을 저감할 수 있다.
또한, 제 2 무기 절연입자(3b)의 경도는 제 1 무기 절연입자(3a)보다 높은 것이 바람직하다. 그 결과, 단단한 제 2 무기 절연입자(3b)에 의해 크랙의 신장을 보다 저감할 수 있다.
한편, 무기 절연층(3)에는 적어도 일부가 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)에 둘러싸이면서 평면 방향을 따르는 제 2 공극(V2)이 형성되어 있고, 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)가 3차원 메쉬 형상 구조를 이루고 있다. 이 제 2 공극(V2)은 무기 절연층(3)의 제 1 수지층(4a)측 주면에 개구(O)를 갖는 개기공이다. 또한, 제 2 공극(V2)은 두께 방향(Z방향)을 따르는 단면에 있어서 적어도 일부가 무기 절연층(3)에 둘러싸여 있다.
이 제 2 공극(V2)은 무기 절연층(3)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서 제 2 무기 절연입자(3b)와 같은 정도의 크기로 형성되어 있고, 상기 단면에 있어서의 제 2 공극(V2)의 면적이 상기 단면에 있어서의 제 2 무기 절연입자(3b)의 예를 들면 0.5배 이상으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 공극(V2)은 상기 단면에 있어서의 무기 절연층(3)의 두께 방향의 높이가 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하고, 상기 단면에 있어서의 무기 절연층(3)의 평면 방향의 폭이 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 무기 절연층(3)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서 제 2 공극(V2)은 제 1 공극(V1)보다 크게 형성되어 있다. 이 제 2 공극(V2)은 무기 절연층(3)의 두께 방향을 따르는 단면에 있어서의 면적이 제 1 공극(V1)의 면적의 예를 들면 0.005배 이상 0.1배 이하로 설정되어 있다.
또한, 제 2 공극(V2)의 체적은 무기 절연층(3)의 체적의 8% 이상 40% 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 공극(V2)의 체적이 무기 절연층(3)의 체적의 40% 이하임으로써 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)의 접착 강도를 높여서 무기 절연층(3)을 고강성 및 저열팽창률로 할 수 있다. 또한, 제 2 공극(V2)의 체적이 무기 절연층(3)의 체적의 8% 이상임으로써, 후술하는 바와 같이 다수의 제 2 공극(V2)을 개기공으로 할 수 있다.
여기에서, 무기 절연층(3)의 체적에 대한 제 2 공극(V2)의 체적의 비율은 무기 절연층(3)의 단면에 있어서의 제 2 공극(V2)의 면적 비율의 평균치를 상기 비율로 간주함으로써 측정된다.
또한, 무기 절연층(3)은 제 2 수지층(4b)을 향해서 돌출된 제 2 무기 절연입자(3b)로 이루어지는 돌출부(3p)를 갖는다. 그 결과, 돌출부(3p)를 크게 형성할 수 있고, 앵커 효과에 의해 무기 절연층(3)과 제 2 수지층(4b)의 접착 강도를 높일 수 있다.
제 1 수지층(4a)은 배선기판의 제작시에 무기 절연층(3)을 배선기판에 접착시키는 것이며, 배선기판에 잔존한다. 이 제 1 수지층(4a)은, 예를 들면 제 1 수지(5a)와 상기 제 1 수지(5a)에 피복된 제 1 무기 절연 필러(6a)를 포함한다.
또한, 제 1 수지층(4a)의 두께는, 예를 들면 3㎛ 이상 30㎛ 이하로 설정되고, 및/또는 수지 시트(2)의 두께의 예를 들면 10% 이상 80% 이하로 설정되어 있다. 또한 제 1 수지층(4a)의 영률은, 예를 들면 0.2㎬ 이상 20㎬ 이하로 설정되고, 및/또는 무기 절연층(3)의 영률의 예를 들면 1% 이상 60% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지층(4a)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 20ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지층(4a)의 평면 방향으로의 열팽창률은 무기 절연층(3)의 평면 방향으로의 열팽창률의 예를 들면 200% 이상 1,000% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지층(4a)의 유전 정접은 예를 들면 0.005 이상 0.02 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지층(4a)의 영률, 열팽창률 및 유전 정접은 제 1 수지(5a)를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
또한, 제 1 수지층(4a)은 두께가 수지 시트(2)보다 작은 것이 바람직하다. 그 결과, 수지 시트(2)의 두께를 크게 해서 수지 시트(2)의 평탄성을 높이면서, 제 1 수지층(4a)의 두께를 작게 해서 배선기판의 열팽창률을 저감할 수 있다.
제 1 수지(5a)는 제 1 수지층(4a)의 주요부를 이루고, 접착 부재로서 기능하는 것이다. 이 제 1 수지(5a)는, 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 전방향족 폴리아미드 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 열경화성 수지로 이루어진다. 이 열경화성 수지는 절연 시트(1)에 있어서는 미경화 또는 반경화이다. 또한, 미경화의 열경화성 수지는 ISO472:1999에 준하는 A-스테이지의 열경화성 수지이며, 반경화의 열경화성 수지는 ISO472:1999에 준하는 B-스테이지의 열경화성 수지이다.
또한, 제 1 수지(5a)의 영률은, 예를 들면 0.1㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 제 1 수지(5a)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은 예를 들면 20ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지(5a)의 영률 및 열팽창률은 제 1 수지(5a)를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
제 1 무기 절연 필러(6a)는 제 1 수지층(4a)을 저열팽창률, 고강성으로 하는 것이다. 이 제 1 무기 절연 필러(6a)는, 예를 들면 산화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 또는 수산화알루미늄, 탄산칼슘 등의 무기 절연재료로 이루어지는 복수의 입자로 구성되어 있고, 무기 절연재료로서는 산화규소를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 무기 절연 필러(6a)의 영률은, 예를 들면 20㎬ 이상 100㎬ 이하로 설정되고, 제 1 무기 절연 필러(6a)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 0ppm/℃ 이상 15ppm/℃ 이하로 설정되며, 제 1 무기 절연 필러(6a)의 입자의 입경은, 예를 들면 0.5㎛ 이상 5.0㎛ 이하로 설정되고, 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량은, 예를 들면 3체적% 이상 60체적% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 무기 절연 필러(6a)의 영률 및 열팽창률은 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다. 또한, 제 1 무기 절연 필러(6a)의 입경은 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)와 마찬가지로 측정된다. 또한, 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량은 제 1 수지층(4a)의 단면에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 면적 비율의 평균치를 상기 함유량으로 간주함으로써 측정된다.
여기에서, 절연 시트(1)는 제 1 수지층(4a)의 일부가 개구(O)를 통해서 제 2 공극(V2)에 충전되어서 이루어지는 수지부(7)를 구비하고 있다. 이 수지부(7)는 수지 재료로 이루어지기 때문에 무기 절연층(3)보다 영률이 낮으므로 무기 절연층(3)에 응력이 인가된 경우에 상기 응력을 수지부(7)에 의해 완화시킬 수 있고, 나아가서는 무기 절연층(3)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 제 2 공극(V2)의 적어도 일부가 평면 방향을 따라 형성되어 있기 때문에 무기 절연층(3)에 있어서의 두께 방향을 따르는 크랙의 신장을 상기 제 2 공극(V2)에 배치된 수지부(7)에 의해 저감할 수 있다. 또한, 제 1 수지층(4a)의 일부가 개구(O)를 통해서 제 2 공극(V2)에 충전되어 있기 때문에 앵커 효과에 의해 제 1 수지층(4a)과 무기 절연층(3)의 접착 강도를 높일 수 있다.
이 수지부(7)는 제 1 수지층(4a)과 마찬가지로 제 1 수지(5a)를 포함하고 있다. 또한, 수지부(7)는 제 1 무기 절연 필러(6a)를 포함하지 않는 것이 바람직하고, 수지부(7)가 제 1 무기 절연 필러(6a)를 포함하는 경우에는 수지부(7)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량이 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량보다 적게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 수지층(4a)을 저열팽창, 고강성으로 하면서 수지부(7)의 영률을 저감해서 무기 절연층(3)에 인가된 응력을 보다 완화할 수 있다. 이 경우, 수지부(7)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량은 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량의 예를 들면 0.05% 이상 30% 이하로 설정되어 있다. 또한, 수지부(7)의 영률은, 예를 들면 0.1㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 수지부(7)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률이, 예를 들면 20ppm/℃ 이상 70ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 수지부(7)의 영률, 열팽창률 및 유전 정접은 제 1 수지(5a)를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
또한, 수지부(7)는 제 2 공극(V2)을 둘러싸는 무기 절연층(3)과 밀착되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 무기 절연층(3)과 수지부(7)의 접착 강도를 높일 수 있다.
또한, 제 2 공극(V2)과 마찬가지로 제 1 공극(V)에도 수지부(7)가 충전되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 제 2 수지층(4b)은 무기 절연층(3a)과 함께 배선기판에 잔존하고, 상기 배선기판에 있어서 도전층을 형성하기 위한 하지(下地)가 되는 것이다. 이 제 2 수지층(4b)은 예를 들면 제 2 수지(5b)와, 상기 제 2 수지(5b)에 피복된 제 2 무기 절연 필러(6b)를 포함한다.
또한, 제 2 수지층(4b)의 두께는, 예를 들면 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되고, 및/또는 수지 시트(2)의 두께의 예를 들면 1% 이상 50% 이하로 설정되며, 및/또는 무기 절연층(3)의 두께의 예를 들면 1% 이상 50% 이하로 설정되고, 제 1 수지층(4a)의 두께의 예를 들면 1% 이상 15% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 영률은, 예를 들면 0.05㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 및/또는 무기 절연층(3)의 영률의 예를 들면 0.05% 이상 10% 이하로 설정되며, 및/또는 제 1 수지층(4a)의 영률의 예를 들면 5% 이상 75% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 20ppm/℃ 이상 100ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 평면 방향으로의 열팽창률은 수지 시트(2)의 평면 방향으로의 열팽창률의 예를 들면 5% 이상 50% 이하로 설정되고, 및/또는 무기 절연층(3)의 평면 방향으로의 열팽창률의 예를 들면 2배 이상 10배 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 유전 정접은, 예를 들면 0.005 이상 0.02 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 영률, 열팽창률 및 유전 정접은 제 2 수지(5b)를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
제 2 수지(5b)는 제 2 수지층(4b)의 주요부를 이루고, 도전층의 하지가 되는 것이다. 이 제 2 수지(5b)은, 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 열경화성 수지로 이루어진다. 이 열경화성 수지는 절연 시트(1)에 있어서 반경화이어도 경화되어 있어도 좋지만, 무기 절연층(3)과의 접착 강도의 관점으로부터 반경화인 것이 바람직하다. 또한, 경화한 열경화성 수지는 ISO472:1999에 준하는 C-스테이지의 열경화성 수지이다.
또한, 제 2 수지(5b)의 영률은, 예를 들면 0.05㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 제 2 수지(5b)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 20ppm/℃ 이상 100ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지(5b)의 영률 및 열팽창률은 제 2 수지(5b)를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
제 2 무기 절연 필러(6b)는 제 2 수지층(4b)의 난연성을 높이는 기능이나 절연 시트(1)를 취급할 때에 점착성을 저감하여 작업성을 개선하는 기능을 갖는다. 이 제 2 무기 절연 필러(6b)는, 예를 들면 산화규소 등의 무기 절연재료로 이루어진다.
또한, 제 2 무기 절연 필러(6b)의 영률은, 예를 들면 20㎬ 이상 100㎬ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 무기 절연 필러(6b)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 0ppm/℃ 이상 15ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 무기 절연 필러(6b)의 입경은, 예를 들면 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하로 설정되고, 및/또는 제 1 무기 절연 필러(6a)의 예를 들면 5% 이상 50% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)에 있어서의 제 2 무기 절연 필러(6b)의 함유량은, 예를 들면 0체적% 이상 10체적% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)에 있어서의 제 2 무기 절연 필러(6b)의 함유량의 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량에 대한 비율은, 예를 들면 2% 이상 50% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 무기 절연 필러(6b)의 영률, 열팽창률, 입경 및 함유량은 제 1 무기 절연 필러(6a)와 마찬가지로 측정된다.
상술한 본 실시형테의 절연 시트(1)에 있어서는, 무기 절연층(3)은 수지 시트(2) 상에 형성되어 있고, 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하이며, 서로 결합한 제 1 무기 절연입자를 포함하고 있다. 그 때문에, 후술하는 바와 같이 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 형성할 수 있기 때문에 절연 시트(1)를 사용해서 배선기판을 제작하고, 무기 절연층(3)을 상기 배선기판에 잔존시킴으로써 상기 무기 절연층(3) 상에 형성되는 도전층을 미세화하고, 나아가서는 배선기판의 배선 밀도를 높일 수 있다.
(실장 구조체)
이어서, 상술한 절연 시트(1)를 사용해서 제작된 배선기판을 포함하는 실장 구조체를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 3(a)에 나타낸 실장 구조체(8)는, 예를 들면 각종 오디오비주얼 기기, 가전 기기, 통신 기기, 컴퓨터 장치 또는 그 주변기기 등의 전자기기에 사용되는 것이다. 이 실장 구조체(8)는 전자부품(9)과, 상기 전자부품(9)이 실장된 배선기판(10)을 포함하고 있다.
전자부품(9)은, 예를 들면 IC 또는 LSI 등의 반도체 소자이며, 배선기판(10)에 땜납 등으로 이루어지는 도전 범프(11)를 개재해서 플립 칩 실장되어 있다. 이 전자부품(9)의 모재는, 예를 들면 규소, 게르마늄, 갈륨비소, 갈륨비소인, 질화갈륨 또는 탄화규소 등의 반도체 재료로 이루어진다. 또한, 전자부품(9)의 두께는 예를 들면 0.1㎜ 이상 1㎜ 이하로 설정되고, 전자부품(9)의 평면 방향으로의 열팽창률은 2ppm/℃ 이상 5ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
배선기판(10)은 본 실시형태에 있어서는 빌드업 다층 배선기판으로서, 코어 기판(12)과 코어 기판(12)의 상하에 형성된 한쌍의 배선층(13)을 포함하고 있다. 또한, 배선기판(10)의 두께는 예를 들면 0.2㎜ 이상 1.2㎜ 이하로 설정되어 있다.
코어 기판(12)은 배선기판(10)의 강성을 높이면서 한쌍의 배선층(13)간의 도통을 꾀하는 것이다. 이 코어 기판(12)은 두께 방향을 따르는 스루홀이 형성된 수지 기체(14)와, 상기 스루홀의 내벽에 피착된 통 형상의 스루홀 도체(15)와, 상기 스루홀 도체(15)에 둘러싸인 영역에 배치된 기둥 형상의 절연체(16)를 포함하고 있다.
수지 기체(14)는 코어 기판(12)의 강성을 높이는 것이다. 이 수지 기체(14)는, 예를 들면 수지와, 상기 수지에 피복된 기재와, 상기 수지에 피복된 무기 절연 필러를 포함하고 있다. 또한, 수지 기체(14)의 두께는, 예를 들면 0.1㎜ 이상 1.2㎜ 이하로 설정되고, 수지 기체(14)의 영률은, 예를 들면 0.2㎬ 이상 10㎬ 이하로 설정되며, 수지 기체(14)의 평면 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 3ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하로 설정되고, 수지 기체(14)의 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 15ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되며, 수지 기체(14)의 유전 정접은, 예를 들면 0.005 이상 0.02 이하로 설정되어 있다. 또한, 수지 기체(14)의 영률, 열팽창률 및 유전 정접은 수지를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
수지 기체(14)에 포함된 수지는 수지 기체(14)의 주요부를 이루는 것이다. 이 수지는, 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지, 폴리파리페닐렌벤즈비스옥사졸 수지, 전방향족 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 방향족 액정 폴리에스테르 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지 또는 폴리에테르케톤 수지 등의 수지 재료로 이루어진다. 또한, 수지 기체(14)의 수지의 영률은, 예를 들면 0.1㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 수지 기체(14)의 수지의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 20ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되어 있다. 또한, 수지 기체(14)의 수지의 영률, 열팽창률 및 유전 정접은 상기 수지를 경화시킨 상태에서 상술한 무기 절연층(3)과 마찬가지로 측정된다.
수지 기체(14)에 포함된 기재는 수지 기체(14)를 고강성화 및 저열팽창화 하는 것이다. 이 기재는 섬유에 의해 구성된 직포 또는 부직포 또는 섬유를 일방향으로 배열한 것으로 이루어진다. 또한, 이 섬유는, 예를 들면 유리섬유, 수지섬유, 탄소섬유 또는 금속섬유 등으로 이루어진다.
수지 기체(14)에 포함된 무기 절연 필러는 수지 기체(14)를 고강성화 및 저열팽창화하는 것이다. 이 무기 절연 필러는, 예를 들면 산화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 수산화알루미늄 또는 탄산칼슘 등의 무기 절연재료로 이루어지는 복수의 입자에 의해 구성되어 있다. 또한, 수지 기체(14)의 무기 절연 필러의 영률은, 예를 들면 20㎬ 이상 100㎬ 이하로 설정되고, 수지 기체(14)의 무기 절연 필러의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 0ppm/℃ 이상 15ppm/℃ 이하로 설정되며, 수지 기체(14)의 무기 절연 필러의 입경은, 예를 들면 0.5㎛ 이상 5.0㎛ 이하로 설정되고, 수지 기체(14)에 있어서의 무기 절연 필러의 함유량은, 예를 들면 3체적% 이상 60체적% 이하로 설정되어 있다. 또한, 이 무기 절연 필러의 영률, 열팽창률, 입경 및 함유량은 상술한 제 1 무기 절연 필러(6a)와 마찬가지로 측정된다.
스루홀 도체(15)는 코어 기판(12)의 상하의 배선층(13)을 전기적으로 접속하는 것이다. 이 스루홀 도체(15)는, 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬 등의 도전 재료로 이루어진다. 또한, 스루홀 도체(15)의 평면 방향 및 두께 방향으로의 열팽창률은, 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
절연체(16)는 후술하는 비아 도체(19)의 지지면을 형성하는 것이다. 이 절연체(16)는, 예를 들면 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 불소 수지, 규소 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 또는 비스말레이미드트리아진 수지 등의 수지 재료로 이루어진다.
한편, 코어 기판(12)의 상하에는 상술한 바와 같이 한쌍의 배선층(13)이 형성되어 있다. 배선층(13)은 두께 방향을 따르는 비아 구멍이 형성된 절연층(17)과, 수지 기체(14) 상 또는 절연층(17) 상에 부분적으로 형성된 도전층(18)과, 비아 구멍 내에 형성된 비아 도체(19)를 포함하고 있다.
절연층(13)은 제 1 수지층(4a)과, 상기 제 1 수지층(4a) 상에 형성된 무기 절연층(3)과, 상기 무기 절연층(3) 상에 형성된 제 2 수지층(4b)을 포함하고 있다.
제 1 수지층(4a)은 도전층(18)의 측면 및 상면에 접착하면서 수지 기체(14)와 절연층(13)의 접착, 또는 적층된 절연층(13)끼리의 접착을 하는 것이며, 또한 평면 방향을 따라 이간된 도전층(18)끼리의 사이에 배치되어서 지지 부재로서 기능하는 것이다. 이 제 1 수지층(4a)은 상술한 절연 시트(1)에 포함되어 있던 것이다. 이 제 1 수지층(4a)의 열경화성 수지는 배선기판(10)에 있어서는 경화되어 있다.
제 1 수지층(4a)은 도전층(18)의 측면 및 상면에 접촉하기 때문에 도전층(18)의 하면에만 접촉하는 제 2 수지층(4b)보다 유전 정접이 낮은 것이 바람직하다. 그 결과, 도전층(18)의 신호전송 특성을 높일 수 있다.
무기 절연층(3)은 절연층(13)의 주요부를 이루고, 도전층(18)의 하면에만 접촉해서 지지 부재로서 기능하는 것이며, 또한 두께 방향을 따라 이간된 도전층(18)끼리의 지지 부재로서 기능하는 것이다.
이 무기 절연층(3)은 상술한 절연 시트(1)에 포함되어 있던 것이며, 수지 재료와 비교해서 저열팽창률, 고강성, 저유전 정접 및 고절연성인 무기 절연재료로 이루어진다. 따라서, 절연층(13)의 평면 방향으로의 열팽창률을 저감함으로써 배선기판(10)과 전자부품(2)의 평면 방향으로의 열팽창률의 차를 저감하고, 나아가서는 배선기판(10)의 휘어짐을 저감할 수 있다. 또한, 절연층(13)의 두께 방향으로의 열팽창률을 저감함으로써 절연층(13)과 비아 도체(19)의 두께 방향으로의 열팽창률의 차를 저감하고, 나아가서는 비아 도체(19)의 단선을 저감할 수 있다. 또한, 절연층(13)의 강성을 높임으로써 배선기판(10)의 두께를 크게 하는 일없이 강성을 높일 수 있다. 또한, 절연층(13)의 유전 정접을 저감함으로써 절연층(13) 상에 형성된 도전층(18)의 신호전송 특성을 높일 수 있다. 또한, 절연층(13)의 절연성을 향상시킴으로써 절연층(13)의 상하에 배치된 도전층(18)끼리의 단락을 저감할 수 있다.
제 2 수지층(4b)은 무기 절연층(3)과 도전층(17) 사이에 개재해서 접착 부재로서 기능하는 것이다. 이 제 2 수지층(4b)은 상술한 절연 시트(1)에 포함되어 있었던 것이며, 무기 절연재료로 이루어지는 무기 절연층(3)보다 크랙이 신장되기 어렵기 때문에 무기 절연층(3)에 발생한 크랙이 도전층(18)에 도달하는 것을 저감하여 도전층(18)의 단선을 저감할 수 있다.
여기에서, 제 2 수지층(4b)은 제 1 수지층(4a), 무기 절연층(3) 및 도전층(18)보다 두께가 작고, 또한 영률이 낮게 설정되어 있는 것이 바람직하다.
그 결과, 얇고 탄성변형하기 쉬운 제 2 수지층(4b)이 변형됨으로써 무기 절연층(3)과 도전층(18)의 열팽창률의 차이에 기인한 응력을 완화할 수 있기 때문에, 무기 절연층(3)과 도전층(18)의 박리를 저감하고, 도전층(18)의 단선을 저감할 수 있다. 또한 영률이 낮은 제 2 수지층(4b)의 두께를 얇게 함으로써 배선기판(10)의 강성 저하를 억제할 수 있다. 또한, 열팽창률이 높은 제 2 수지층(4b)의 두께를 얇게 함으로써 배선기판(10)의 열팽창률의 상승을 억제할 수 있다. 또한, 유전 정접이 높은 제 2 수지층(4b)의 두께를 얇게 함으로써 유전 정접이 낮은 무기 절연층(3)과 도전층(18)을 근접시켜서 도전층(18)의 신호전송 특성을 높일 수 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 영률을 낮게 함으로써 무기 절연층(3)과 도전층(18)의 접착 강도를 높일 수 있다.
또한, 제 2 수지층(4b)은 무기 절연층(3)과 도전층(17) 사이에 개재되어 있으면 좋기 때문에, 평면 방향으로 이간된 도전층(18)끼리의 사이에 개재되는 제 1 수지층(4a)과 비교하여 두께 증가의 요구가 적어 두께를 용이하게 작게 할 수 있다.
또한, 제 1 수지층(4a)은 제 2 수지층(4b)보다 두께가 크기 때문에 제 2 수지층(4b)보다 열팽창률이 낮은 것이 바람직하다. 그 결과, 배선기판(10)의 열팽창률을 저감할 수 있다.
제 2 수지층(4b)에 포함되는 수지 재료는 제 1 수지층(4a)에 포함되는 수지 재와 비교하여 저영률, 고열팽창률 또는 고유전 정접의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)을 저영률로 하고, 제 1 수지층(4a)을 저열팽창률또는 저유전 정접으로 할 수 있다. 이러한 수지 재료의 조합으로서는, 예를 들면 제 2 수지층(4b)에 에폭시 수지를, 제 1 수지층(4a)에 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지 또는 불소 수지를 사용할 수 있다.
제 2 무기 절연 필러(6b)의 입경은 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연 필러(6a)의 입경보다 작은 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)을 저영률로 하고, 제 1 수지층(4a)을 저열팽창률 또는 저유전 정접으로 할 수 있다.
또한, 제 2 수지층(4b)에 있어서의 제 2 무기 절연 필러(6b)의 함유량은 제 1 수지층(4a)에 있어서의 제 1 무기 절연 필러(6a)의 함유량보다 작은 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)을 저영률로 하고, 제 1 수지층(4a)을 저열팽창률 또는 저유전 정접으로 할 수 있다.
또한, 제 2 수지층(4b)은 도전층(18)에 접촉한 주면에 미세한 요철이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)과 도전층(18)의 접착 강도를 높일 수 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)은 상술한 바와 같이 무기 절연층(3)에 접촉한 주면에 무기 절연층(3)의 돌출부(3p)가 매입됨으로써 요철이 형성되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)은 무기 절연층(3)에 접촉한 주면에 있어서의 요철은 도전층(18)에 접촉한 주면에 있어서의 요철보다 미세하게 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이 제 2 수지층(4b)은 도전층(18)에 접촉한 주면에 있어서의 산술 평균 조도가, 예를 들면 0.3㎛ 이상 2㎛ 이하로 설정되어 있고, 무기 절연층(3)에 접촉한 주면에 있어서의 산술 평균 조도가, 예를 들면 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)은 무기 절연층(3)에 접촉한 주면에 있어서의 산술 평균 조도가 도전층(18)에 접촉한 주면의 예를 들면 1.2배 이상 2.5배 이하로 설정되어 있다. 또한, 산술 평균 조도는 ISO4287:1997에 준한다.
도전층(18)은 평면 방향 또는 두께 방향을 따라 서로 이간되어 있고, 접지용 배선, 전력 공급용 배선 또는 신호용 배선으로서 기능하는 것이다. 이 도전층(18)은, 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬 등의 도전 재료로 이루어진다. 또한, 도전층(18)은 두께가 3㎛ 이상 20㎛ 이하로 설정되고, 열팽창률이 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
비아 도체(19)는 두께 방향으로 서로 이간된 도전층(18)끼리를 전기적으로 접속하는 것이며, 코어 기판(12)을 향해서 좁은 폭으로 되는 기둥 형상으로 형성되어 있다. 비아 도체(19)는, 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬의 도전 재료로 이루어진다. 또한, 비아 도체(19)는 열팽창률이 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
이리 하여, 상술한 실장 구조체(8)는 배선기판(10)을 통해서 공급되는 전원이나 신호에 의거하여 전자부품(9)을 구동 또는 제어함으로써 원하는 기능을 발휘한다.
이어서, 절연 시트(1)를 사용해서 제작한 배선기판(10)을 포함하는 실장 구조체(8)의 제조방법을 도 4 내지 도 11에 의거하여 설명한다. 우선, 절연 시트(1)의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.
(절연 시트의 제작)
(1) 도 4에 나타내는 바와 같이 수지 시트(2) 상에 제 2 수지층(4b)을 형성한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 압출성형에 의해 수지 시트(2)를 형성한다. 이어서, 도 4(b) 및 도 4(c)에 나타내는 바와 같이 예를 들면 바 코터, 다이 코터 또는 커튼 코터 등을 이용하여 용제, 제 2 수지(5b) 및 제 2 무기 절연 필러(6b)를 포함하는 제 2 바니시를 수지 시트(2) 상에 도포하고, 상기 제 2 바니시를 건조시켜서 용제를 증발시킴으로써 수지 시트(2) 상에 제 2 수지층(4b)을 형성한다. 또한, 제 2 수지(5b)는 A 스테이지이다.
여기에서, 수지 시트(2)는 예를 들면 압출성형에 의해 형성되기 때문에 금속박과 비교해서 평탄성이 높은 수지 시트(2)가 얻어진다.
또한, 제 2 수지층(4b)은 평탄성이 높은 수지 시트(2) 상에 유동성이 높은 제 2 바니시를 도포함으로써 형성되기 때문에 평탄성이 높은 제 2 수지층(4b)이 얻어진다. 또한, 이와 같이 제 2 수지층(4b)을 형성함으로써 얇고 균일한 제 2 수지층(4b)을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 수지 시트(2) 상에 제 2 수지층(4b)을 형성한 후, 제 2 수지층(4b)에 포함되는 제 2 수지(5b)의 경화 개시온도 이상, 수지 시트(2)에 포함되는 수지의 융점 미만의 온도에서 제 2 수지층(4b)을 가열함으로써 제 2 수지층(4b)의 경화를 진행시키는 것이 바람직하다. 그 결과, 후술하는 (2)의 공정에서 무기 절연 졸(3x)을 제 2 수지층(4b) 상에 도포할 때에 무기 절연 졸이 포함되는 용제에 기인한 제 2 수지층(4b)의 손상을 저감할 수 있다. 이 경화가 진행된 제 2 수지층(4b)의 열경화성 수지는 B 스테이지 또는 C 스테이지이지만, 무기 절연층(3)과의 접착 강도의 관점으로부터 B 스테이지인 것이 바람직하다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 경화를 진행시키기 위한 가열은 제 2 수지층(4b)의 건조와 동시에 행하여도 관계없고, 제 2 수지층(4b)의 건조 뒤에 행해도 관계없다.
(2) 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 2 수지층(4b) 상에 무기 절연 졸(3x)을 도포한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)로 이루어지는 고형분과 용제를 포함하는 무기 절연 졸(3x)을 준비한다. 이어서, 예를 들면 디스펜서, 바 코터, 다이 코터 또는 스크린 인쇄 등을 이용하여 무기 절연 졸(3x)을 제 2 수지층(4b) 상에 도포한다.
그 결과, (1)의 공정에서 평탄성이 높게 형성된 제 2 수지층(s4b) 상에 무기 절연 졸(3x)을 도포하기 때문에 제 2 수지층(s4b) 상에 배치된 무기 절연 졸(3x)의 평탄성을 향상시킬 수 있다.
입경이 작은 제 1 무기 절연입자(3a)는 규산 나트륨 수용액(물유리) 등의 규산 화합물을 정제하고, 가수분해 등의 방법으로 화학적으로 산화규소를 석출시킴으로써 제작할 수 있다. 또한, 이렇게 제작함으로써 제 1 무기 절연입자(3a)의 결정화를 억제하고, 아몰포스 상태를 유지할 수 있다. 또한, 이렇게 제작했을 경우, 제 1 무기 절연입자(3a)는 산화나트륨 등의 불순물을 1ppm 이상 5000ppm 이하 포함하고 있어도 관계없다.
여기에서, 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경은 3㎚ 이상으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 무기 절연 졸(3x)의 점도를 저감하고, 무기 절연층(3)의 평탄성을 향상시킬 수 있다.
입경이 큰 제 2 무기 절연입자(3b)는, 예를 들면 규산 나트륨 수용액(물유리) 등의 규산 화합물을 정제하고, 화학적으로 산화규소를 석출시킨 용액을 화염 중에 분무하여 응집물의 형성을 억제하면서 800℃ 이상 1500℃ 이하로 가열함으로써 제작할 수 있다. 여기에서, 제 2 무기 절연입자(3b)는 제 1 무기 절연입자(3a)와 비교하여 응집체의 형성을 저감하면서 고온의 가열로 제작하는 것이 용이하기 때문에, 제 2 무기 절연입자(3b)를 고온의 가열로 제작함으로써 제 2 무기 절연입자(3b)의 경도를 제 1 무기 절연입자(3a)보다 용이하게 높일 수 있다.
여기에서, 제 2 무기 절연입자(3b)를 제작할 때의 가열 시간은 1초 이상 180초 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 가열 시간을 단축함으로써 800℃ 이상 1500℃ 이하로 가열했을 경우에 있어서도 제 2 무기 절연입자(3b)의 결정화를 억제하여 아몰포스 상태를 유지할 수 있다.
무기 절연 졸(3x)에 포함되는 용제는, 예를 들면 메탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 크실렌, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 또는 디메틸아세트아미드 등의 유기용제로 이루어지고, 그 중에서도 메탄올, 이소프로판올 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 무기 절연 졸(3x)을 균일하게 도포할 수 있고, 또한 (3)의 공정에서 용제를 효율적으로 증발시킬 수 있다. 또한, 상기 용제는 상술한 유기용제가 2종류 이상 혼합된 것이라도 관계없다.
무기 절연 졸(3x)은 고형분을 10체적% 이상 50체적% 이하 포함하고, 용제를 50체적% 이상 90체적% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 그 결과, 용제를 무기 절연 졸(3x)의 50체적% 이상 포함함으로써 무기 절연 졸(3x)의 점도를 저감하고, 무기 절연층(3)의 상면의 평탄성을 향상시켜서 배선기판(10)의 상면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 또한, 용제를 무기 절연 졸(3x)의 90체적% 이하 포함함으로써 무기 절연 졸(3x)의 고형물 성분량을 증가시킴으로써 무기 절연층(3)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 무기 절연 졸(3x)의 고형분은 제 1 무기 절연입자(3a)를 20체적% 이상 40체적% 이하 포함하고, 제 2 무기 절연입자(3b)를 60체적% 이상 80체적% 이하 포함한다.
(3) 무기 절연 졸(3x)을 건조시켜서 무기 절연 졸(3x)에 포함되는 용제를 증발시킨다. 그 결과, 무기 절연 졸(3x)의 고형분이 제 2 수지층(4b) 상에 잔존한다.
여기에서, 무기 절연 졸(3x)은 입경이 0.5㎛ 이상으로 큰 제 2 무기 절연입자(3b)를 포함하기 때문에 무기 절연 졸(3x)의 용제를 증발시킬 때에 입경이 큰 제 2 무기 절연입자(3b)를 포함하는 영역과 비교하여 입경이 작은 제 1 무기 절연입자(3a)를 포함하는 영역에 있어서 용제가 많이 증발한다. 그리고, 무기 절연 졸(3x)의 고형분이 제 2 무기 절연입자(3b)를 60체적% 이상 포함하기 때문에 제 2 무기 절연입자(3b)의 수가 많고, 건조 전의 단계부터 제 2 무기 절연입자(3b)가 서로 접근하여 있기 때문에 이 제 2 무기 절연입자(3b)에 둘러싸인 영역 내에서 국소적으로 용제가 많이 증발해서 수축이 일어나서 제 2 공극(V2)이 형성된다. 그 결과, 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)에 둘러싸인 제 2 공극(V2)을 형성할 수 있다.
또한, 용제는 제 2 무기 절연입자(3b)와 젖음성이 좋기 때문에 제 2 무기 절연입자(3b)끼리의 근접점에 잔류하기 쉽다. 그 결과, 상기 근접점으로의 용제의 이동에 따라서 제 1 무기 절연입자(3a)가 상기 근접점으로 이동하기 때문에, 제 2 무기 절연입자(3b)간의 상기 근접점 이외의 영역에 제 2 공극(V2)을 크게 형성할 수 있다. 또한, 이와 같이 제 2 공극(V2)을 형성함으로써 상기 근접점 이외의 영역에서 형성 도중의 제 2 공극(V2)끼리가 결합한 큰 제 2 공극(V2)을 형성할 수 있고, 나아가서는 개구(O)를 갖는 개기공의 제 2 공극(V2)을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 상기 근접점에 제 1 무기 절연입자(3a)를 이동시킴으로써 제 2 무기 절연입자(3b)끼리의 사이에 제 1 무기 절연입자(3a)를 개재시킬 수 있다.
또한, 제 2 수지층(4b)과의 경계에 있어서는 제 2 무기 절연입자(3b)를 포함하는 영역과 비교하여 제 1 무기 절연입자(3a)를 포함하는 영역에서 용제가 많이 증발해서 크게 수축되기 때문에 제 2 수지층(4b)을 향해서 돌출되는 돌출부(3p)가 형성된다. 이 돌출부(3p)는 (3)의 공정에서 무기 절연층(3)을 형성하기 위한 가열시에 상기 가열에 의해 연화된 제 2 수지층(4b) 내에 매입된다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 고형분은 제 1 무기 절연입자(3a)를 20체적% 이상 포함함으로써 제 2 무기 절연입자(3b)끼리의 근접점에 개재되는 제 1 무기 절연입자(3a)의 양을 확보하고, 제 2 무기 절연입자(3b)끼리가 접촉하는 영역을 저감함으로써 무기 절연층(3)의 강성을 높일 수 있다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 건조는, 예를 들면 가열 및 풍건에 의해 행하여지고, 온도가 20℃ 이상 용제의 비점(2종류 이상의 용제를 혼합하고 있을 경우에는 가장 비점이 낮은 용제의 비점) 미만으로 설정되며, 건조 시간이 20초 이상 30분 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 용제의 비등을 저감함으로써 제 2 무기 절연입자(3b)의 충전 밀도를 높일 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연입자(3a) 또는 제 2 무기 절연입자(3b)의 입경 또는 함유량, 무기 절연 졸(3x)의 용제의 종류 또는 양, 건조 시간, 건조 온도, 건조시의 풍량 또는 풍속, 또는 건조 후의 가열 온도 또는 가열 시간을 적당하게 조정함으로써 제 2 공극(V2)을 원하는 형상으로 형성할 수 있다.
(4) 도 6에 나타내는 바와 같이 무기 절연 졸(3x)의 고형분을 가열하여 제 2 수지층(4b) 상에 무기 절연층(3)을 형성한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
무기 절연 졸(3x)의 고형분을 수지 시트(2)에 포함되는 수지의 융점 미만으로 가열하고, 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 결합시킴과 아울러 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)를 결합시킴으로써 무기 절연 졸(3x)의 고형분을 무기 절연층(3)으로 하고, 제 2 수지층(4b) 상에 무기 절연층(3)을 형성한다.
그 결과, (2)의 공정에서 평탄성이 높게 형성된 무기 절연 졸(3x)의 고형분을 가열함으로써 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 얻을 수 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서는 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경이 110㎚ 이하로 설정되어 있기 때문에 수지 시트(2)의 융점 미만으로 저온에서 가열했다고 해도 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 강고하게 결합시킴과 아울러 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)를 강고하게 결합시켜서 제 1 무기 절연입자(3a) 를 통해서 제 2 무기 절연입자(3b)끼리를 접착시킬 수 있다. 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지의 융점은 260℃ 정도이며, 입경이 110㎚ 이하인 산화규소의 입자끼리가 강고하게 결합하는 온도는 100℃～180℃ 정도이다.
이것은 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경이 110㎚ 이하로 초미소로 설정되어 있기 때문에 제 1 무기 절연입자(3a)의 원자, 특히 표면의 원자가 활발하게 운동하기 때문에 이러한 저온에서도 제 1 무기 절연입자(3a)끼리가 강고하게 결합함과 아울러 제 1 무기 절연입자(3a)와 제 2 무기 절연입자(3b)가 강고하게 결합한다고 추측된다.
따라서, 수지 시트(2)의 융점 미만에서 무기 절연 졸(3x)의 고형분을 가열 함으로써 수지 시트(2)의 변형을 저감할 수 있기 때문에, 수지 시트(2)의 평탄성 을 손상시키지 않고 상기 수지 시트(2) 상에서 무기 절연층(3)의 형성을 행할 수 있다. 또한, 이와 같이 저온에서 무기 절연층(3)을 형성할 수 있기 때문에 고온에서 무기 절연층(3)을 형성할 경우와 비교하여 무기 절연층(3)을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 이와 같이 저온에서 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 결합시키고 있기 때문에 네크 구조(3a1)를 통해서 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 결합시킬 수 있고, 개기공의 제 1 공극(V1)을 양호하게 형성할 수 있다.
여기에서, 제 1 무기 절연입자(3a)의 입경을 보다 작게 설정함으로써 제 1 무기 절연입자(3a)끼리를 강고하게 결합시킬 수 있는 온도를 보다 낮게 할 수 있다. 예를 들면, 입경이 50㎚ 이하인 산화규소의 입자끼리가 강고하게 결합하는 온도는 50℃～120℃ 정도이다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 고형분의 가열은 온도가 용제의 비점 이상으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 가열 온도가 용제의 비점 이상임으로써 잔존한 용제를 효율적으로 증발시킬 수 있다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 고형분의 가열은 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)의 결정화 개시온도 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 가열 온도가 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)의 결정화 개시온도 미만임으로써 제 1 무기 절연입자(3a) 및 제 2 무기 절연입자(3b)의 결정화를 저감하고, 아몰포스 상태의 비율을 높일 수 있기 때문에 결정화에 수반되는 상 전이에 의해서 생기는 크랙을 저감할 수 있다. 또한, 결정화 개시온도는 비정질의 무기 절연재료가 결정화를 개시하는 온도, 즉, 결정상 영역의 체적이 증가하는 온도이다. 또한, 예를 들면 산화규소의 결정화 개시온도는 1300℃ 정도이다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 고형분의 가열은 온도가 제 2 수지층(4b)의 열분해 개시온도 미만으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)의 특성 저하를 억제할 수 있다. 또한, 열분해 개시온도는 ISO11358:1997에 준하는 열중량 측정에 있어서 수지의 질량이 5% 감소하는 온도이다.
또한, 무기 절연 졸(3x)의 가열은, 온도가 예를 들면 50℃이상 180℃ 미만으로 설정되고, 시간이 예를 들면 0.05시간 이상 24시간 이하로 설정되며, 예를 들면 대기 분위기 중에서 행하여진다.
(5) 도 7이 나타내는 바와 같이, 미경화의 열경화성 수지로 이루어지는 제 1 수지층(4a)을 무기 절연층(3) 상에 형성함으로써 절연 시트(1)를 제작한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 용제, 제 1 수지(5a) 및 제 1 무기 절연 필러(6a)를 포함하는 제 1 바니시를 무기 절연층(3) 상에 도포한다. 또한, 제 1 수지(5a)의 열경화성 수지는 A스테이지이다. 이어서, 제 1 바니시를 건조시켜서 용제를 증발시킴으로써 미경화의 제 1 수지(5a)를 포함하는 제 1 수지층(4a)을 무기 절연층(3) 상에 형성한다.
여기에서, 제 1 수지층(4a)의 제 1 수지(5a)는 절연 시트(1)에 있어서 미경화 상태가 유지되어 있다. 그 결과, 후술하는 바와 같이 배선기판(10)의 제작시에 코어 기판(12)에 제 1 수지층(4a)을 접착시킬 수 있다. 또한, 절연 시트(1)에 있어서 제 1 수지층(4a)의 제 1 수지(5a)는 A 스테이지가 유지되어 있어도 관계없고, 가열에 의해 경화가 진행되어 B 스테이지로 되어 있어도 관계없다.
또한, 절연 시트(1)에 있어서 제 1 수지층(4a)의 열경화성 수지의 경화도는 제 2 수지층(4b)의 열경화성 수지의 경화도보다 작은 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 수지층(4a)의 접착성을 높이면서 (2)의 공정에서 무기 절연 졸(3x)의 용제에 의한 제 2 수지층(4b)의 손상이나 용해를 저감할 수 있다. 이 제 1 수지층(4a)의 열경화성 수지의 경화도는 절연 시트(1)에 있어서, 예를 들면 1% 이상 30% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 수지층(4b)의 열경화성 수지의 경화도는 절연 시트(1)에 있어서, 예를 들면 30% 이상 80% 이하로 설정되어 있다. 또한, 절연 시트(1)에 있어서 제 1 수지층(4a)의 열경화성 수지의 경화도는 제 2 수지층(4b)의 열경화성 수지의 경화도에 대한 비율이, 예를 들면 20% 이상 50% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 1 수지층(4a) 및 제 2 수지층(4b)의 열경화성 수지의 경화도는 라만 산란 분광법을 이용하여 측정한 결과를, 상기 열경화성 수지의 완전 경화물과 비교함으로써 산출된다.
한편, 제 1 바니시를 무기 절연층(3) 상에 도포할 때에 제 1 바니시의 일부는 개구(O)를 통해서 제 2 공극(V2) 내에 충전된다. 여기에서, 제 1 무기 절연 필러(6a)보다 제 1 수지(5a) 쪽이 제 2 공극(V2) 내에 침투하기 쉽기 때문에 수지부(7)에 있어서의 무기 절연 필러(6a)의 함유량을 제 1 수지층(4a)보다 작게 할 수 있다. 또한, 제 1 바니시의 일부는 제 2 공극(V2)과 마찬가지로 제 1 공극(V1) 내에 충전된다.
또한, 두께 방향을 따르는 단면에 있어서 제 2 공극(V2)의 두께 및 폭은 제 2 무기 절연 필러(6b)의 입경보다 크게 형성되어 있으면, 제 1 수지층(4a)이 제 2 공극(V2)에 침투하기 쉬워져 제 2 공극(V2)에서 무기 절연층(3)과 수지부(7)를 밀착시킬 수 있다.
이상과 같이 해서 절연 시트(1)를 제작할 수 있다. 이와 같이 절연 시트(1)를 제작함으로써 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 용이하게 형성할 수 있다.
이어서, 이 절연 시트(1)를 사용한 배선기판(10)의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.
(배선기판의 제작)
(6) 도 8(a)에 나타내는 바와 같이 코어 기판(12)을 제작한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 예를 들면 미경화의 열경화성 수지 및 기재를 포함하는 복수의 수지 시트를 적층함과 아울러 최외층에 금속박을 적층해서 적층체를 형성하고, 상기 적층체를 가열 가압해서 미경화 수지를 경화시킴으로써 수지 기체(14)을 제작한다. 이어서, 예를 들면 드릴 가공이나 레이저 가공 등에 의해 수지 기체(14)에 스루홀을 형성한다. 이어서, 예를 들면 무전해 도금법, 전기 도금법, 증착법, CVD법 또는 스퍼터링법 등에 의해 스루홀의 내벽에 통 형상의 스루홀 도체(9)를 형성한다. 이어서, 스루홀 도체(15)에 둘러싸인 영역에 수지 재료를 충전함으로써 절연체(10)를 형성한다. 이어서, 도전재료를 절연체(10)의 노출부에 피착시킨 후 종래 주지의 포토리소그래피 기술, 에칭 등에 의해 금속박을 패터닝해서 도전층(18)을 형성한다.
이상과 같이 해서 코어 기판(12)을 제작할 수 있다.
(7) 도 8(b), 도 8(c) 및 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 절연 시트(1)를 사용하여 제 1 수지층(4a), 무기 절연층(3), 제 2 수지층(4b)으로 이루어지는 절연층(17)을 코어 기판(12) 상에 형성한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 절연 시트(1)를 수지 시트(2)가 최외층이 되도록 제 1 수지층(4a)을 통해서 코어 기판(12)(지지 부재) 상에 적층해서 적층체를 형성한다. 이어서, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 상기 적층체를 제 1 수지층(4a)에 포함되는 열경화성 수지의 경화 개시온도 이상, 수지 시트(2)에 포함되는 열가소성 수지의 융점 미만의 온도에서 적층방향을 따라 가열 가압함으로써 제 1 수지층(4a)의 열경화성 수지를 경화시키면서 무기 절연층(3)을 제 1 수지층(4a)을 통해서 코어 기판(12)에 접착시킨다. 이어서, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이 무기 절연층(3)으로부터 수지 시트(2)를 박리해서 제거하고, 제 1 수지층(4a), 무기 절연층(3) 및 제 2 수지층(4b)을 코어 기판(12) 상에 잔존시킴으로써 절연층(17)을 코어 기판(12) 상에 형성한다.
이상과 같이, 본 실시형태의 절연 시트(1)을 사용하여 상기 절연 시트(1)에 포함되는 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 코어 기판(12) 상에 잔존시킴으로써 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 코어 기판(12) 상에 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 평탄성이 높은 수지 시트(2)와 접촉하고 있던 주면이 절연층(17)의 노출된 주면으로 되기 때문에 절연층(17)의 노출된 주면의 평탄성을 높일 수 있다. 그 결과, 후술하는 (8)의 공정에서 절연층(17)의 노출된 주면에 도전층(18)을 보다 미세하게 형성할 수 있다.
여기에서, 제 1 수지층(4a)에 포함되는 열경화성 수지가 절연 시트(1)에 있어서 미경화이기 때문에, 제 1 수지층(4a)은 상기 열경화성 수지의 경화 개시온도 이상으로 가열됨으로써 유동한다. 그 때문에, 제 1 수지층(4a)은 상기 적층체의 가열 가압시에 코어 기판(12) 상의 도전층(18)의 측면 및 상면을 피복하면서 상기 도전층(18)끼리의 사이에 침입하여 도전층(18) 및 수지 기체(14)와 접착된다. 그 결과, 제 1 수지층(4a)을 통해서 무기 절연층(3)을 코어 기판(12)에 용이하고 또한 강고하게 접착시킬 수 있다.
또한, 수지 시트(2)는 열가소성 수지로 이루어지는 필름 형상이며, 취급이 용이하기 때문에 절연 시트(1)의 코어 기판(12)으로의 적층 및 수지 시트(2)의 무기 절연층(3)으로부터의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 따라서, 코어 기판(12) 상에 있어서의 무기 절연층(3)의 형성을 효율적으로 행할 수 있다.
(8) 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 절연층(17)에 비아 도체(19)를 형성하고, 절연층(17) 상에 도전층(18)을 형성한다. 구체적으로는, 예를 들면 이하와 같이 행한다.
우선, 예를 들면 YAG 레이저 장치 또는 탄산가스 레이저 장치에 의해 절연층(17)에 비아 구멍을 형성하고, 상기 비아 구멍 내에 도전층(18)의 적어도 일부를 노출시킨다. 이어서, 예를 들면 무전해 도금법 또는 전기 도금법을 사용한 세미 애디티브법에 의해 비아 구멍에 비아 도체(19)를 형성함과 아울러 절연층(17)의 노출된 주면에 도전층(18)을 형성한다. 또한, 세미 애디티브법의 대신에 풀 애디티브법 또는 서브트랙티브법을 이용하여도 관계없다.
여기에서, 절연층(17)의 최외층에는 제 2 수지층(4b)이 배치되어 있고, 도전층(18)은 제 2 수지층(4b)의 표면에 형성된다. 그 결과, 무기 절연층(3a)의 표면에 도전층(18)을 형성할 경우와 비교하여 절연층(17)과의 접착 강도가 높은 도전층(18)을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 도 10(a), 도 10(b) 및 도 11(a)에 나타내는 바와 같이, 도전층(18)을 형성하기 전에 과망간산 용액 등을 이용하여 제 2 수지층(4b)의 표면을 조면화하는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 수지층(4b)의 표면에 미세한 요철을 형성할 수 있기 때문에 제 2 수지층(4b)과 도전층(18)의 접착 강도를 높일 수 있다.
(9) 도 11(b)에 나타내는 바와 같이, (7) 및 (8)의 공정을 반복함으로써 절연층(17) 및 도전층(18)을 교대로 적층하고, 코어 기판(12)의 상하에 배선층(13)을 형성한다. 이 경우, 코어 기판(12) 상에 형성된 절연층(17)을 지지 부재로 해서 절연 시트(1)를 적층시킨다. 또한, 본 공정을 반복함으로써 배선층(13)을 보다 다층화할 수 있다.
이상과 같이 하여, 본 실시형태의 절연 시트(1)를 사용해서 배선기판(10)을 제작할 수 있다. 이와 같이 배선기판(10)을 제작함으로써 무기 절연층(3)을 용이하게 다층화할 수 있다. 또한, 배선층(13)에 있어서 평탄성이 높은 무기 절연층(3)을 다층화할 수 있기 때문에 배선층(13)에 있어서의 배선 밀도를 향상시킬 수 있다.
(실장 구조체의 제작)
(10) 범프(4)를 통해서 배선기판(10)에 전자부품(9)을 플립 칩 실장함으로써 도 1에 나타낸 실장 구조체(8)를 제작할 수 있다.
(제 2 실시형태)
이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 절연 시트를 도 12에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한, 상술한 제 1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는 기재를 생략한다.
본 실시형태의 절연 시트(1A)에 있어서는, 제 1 실시형태와 달리 도 12(a) 및 도 12(b)에 나타내는 바와 같이 무기 절연층(3A)에 공극 및 수지부가 형성되어 있지 않다. 이 경우, 무기 절연층(3A)를 저열팽창화, 고강성화, 고절연성화 및 저유전 정접화할 수 있다.
이 무기 절연층(3A)은, 예를 들면 이하와 같이 해서 형성할 수 있다.
(2)의 공정에서 무기 절연 졸의 고형분이 제 1 무기 절연입자(3aA)를 40체적% 보다 많고 80체적% 이하 포함함과 아울러, 제 2 무기 절연입자(3bA)를 20체적% 이상 60체적% 미만 포함하도록 무기 절연 졸을 준비한다. 그 결과, (3)의 공정에서 제 2 무기 절연입자(3bA)에 둘러싸인 영역에 있어서의 국소적인 수축을 억제함으로써 공극의 형성을 억제하고, 무기 절연층(3A)을 형성할 수 있다.
(제 3 실시형태)
이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 절연 시트를 도 13에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한, 상술한 제 1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는 기재를 생략한다.
본 실시형태의 절연 시트(1B)에 있어서는, 제 1 실시형태와 달리 도 13(a) 및 도 13(b)에 나타내는 바와 같이 무기 절연층(3B)은 제 2 무기 절연입자를 함유하고 있지 않고, 제 1 무기 절연입자(3aB)만으로 이루어진다. 그 결과, 무기 절연층(3)의 평탄성을 높일 수 있다.
또한, 본 실시형태의 절연 시트(1B)에 있어서는, 제 1 실시형태와 달리 무기 절연층(3B)은 두께 방향을 따라 관통한 제 3 공극(V3B)이 형성되어 있고, 상기 제 3 공극(V3B)에 수지부(7B)가 배치되어 있다. 그 결과, 무기 절연층(3B)에 휨 응력이 인가되었을 때에 수지부(7B)에 의해 응력을 완화시킬 수 있고, 나아가서는 무기 절연층(3B)의 크랙을 저감할 수 있다.
이 무기 절연층(3B)은, 예를 들면 이하와 같이 해서 형성할 수 있다.
(2)의 공정에서, 고형분이 제 1 무기 절연입자(3aB)만으로 이루어진 무기 절연 졸을 준비한다. 그 결과, 제 1 무기 절연입자(3aB)만으로 이루어지는 무기 절연층(3A)을 형성할 수 있다.
또한, (4)의 공정에서 제 1 무기 절연입자(3aB)끼리가 서로 결합할 때에 수축하기 때문에 평판 형상으로 도포된 무기 절연 졸에 있어서 제 1 무기 절연입자(3aB)만으로 이루어지는 고형분이 평면 방향을 따라 크게 수축한다. 그 결과, 두께 방향을 따라 관통한 제 3 공극(V3B)을 형성할 수 있다.
(제 4 실시형태)
이어서, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 절연 시트를 이용하여 제작된 배선기판을 포함하는 실장 구조체를 도 14에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한, 상술한 제 1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는 기재를 생략한다.
본 실시형태의 배선기판(10C)에 있어서는, 제 1 실시형태와 달리 도 14(a)에 나타내는 바와 같이 코어 기판(12C)이 수지 기체(14C)와 상기 수지 기체(14C)의 상하에 배치된 무기 절연층(3C)을 갖는 기체(20C)와, 상기 기체를 상하 방향으로 관통하는 스루홀 도체(15C)를 구비하고 있다. 그 결과, 무기 절연층에 의해 코어 기판(12C)을 저열팽창화, 고절연성화, 고강성화 및 저유전 정접화할 수 있다.
이 코어 기판(12C)은, 예를 들면 이하와 같이 해서 형성할 수 있다.
우선, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지층을 포함하지 않는 절연 시트(1C)를 준비한다. 즉, (5)의 공정을 행하지 않고 절연 시트(1C)를 제작한다.
이어서, 예를 들면 미경화 수지를 포함하는 복수의 수지 시트를 적층함과 아울러 최외층이 수지 시트(2C)가 되도록 절연 시트(1C)를 적층하여 적층체를 형성하고, 상기 적층체를 가열 가압해서 미경화 수지를 경화시킨 후 무기 절연층(3C)으로부터 수지 시트(2C)를 제거함으로써 기체(20C)를 형성한다. 이어서, 예를 들면 드릴 가공이나 레이저 가공 등에 의해 기체(20C)에 스루홀을 형성한다. 이어서, 예를 들면 무전해 도금법 또는 전기 도금법을 사용한 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 또는 서브트랙티브법 등에 의해 스루홀에 스루홀 도체(15C)를 형성함과 아울러 기체(20C) 상에 도전층(18)을 형성한다.
이상과 같이 하여, 도 14(c)에 나타내는 코어 기판(12C)을 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러가지 변경, 개량, 조합 등이 가능하다.
예를 들면, 상술한 제 1 실시형태로부터 제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서의 무기 절연층의 구성을, 제 4 실시형태의 무기 절연층에 적용해도 관계없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 절연 시트가 제 2 수지층을 구비한 구성을 예로 들어 설명했지만, 절연 시트가 제 2 수지층을 구비하고 있지 않아도 좋고, 예를 들면 수지 시트 상에 직접 무기 절연층을 형성해도 관계없다. 또한, 수지 시트와 제 2 수지층 사이에, 예를 들면 실리콘 수지로 이루어지는 이형재를 형성해도 관계없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 무기 절연층이 제 1 무기 절연입자 및 제 2 무기 절연입자를 포함하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 제 1 무기 절연입자 및 제 2 무기 절연입자와는 입경이 다른 무기 절연입자가 무기 절연층에 포함되어 있어도 관계없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 제 1 수지가 열경화성 수지로 이루어지는 구성을 예로 들어 설명했지만, 제 1 수지로서 열가소성 수지를 이용하여도 관계없다. 이 열가소성 수지로서는, 예를 들면 불소 수지, 방향족 액정 폴리에스테르 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 또는 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 배선층에서 절연층을 2층 적층한 구성을 예로 들어 설명했지만, 절연층은 몇층 적층해도 관계없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 코어 기판의 기체로서 기재를 포함하는 수지 기체를 사용한 구성을 예로 들어 설명했지만, 기체로서는 다른 것을 이용하여도 좋고, 기재를 포함하지 않는 수지 기체를 이용하여도 관계없으며, 세라믹제의 기체를 이용하여도 관계없고, 금속판을 수지로 피복한 기체를 이용하여도 관계없다
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 (3)의 공정에서 용제를 증발시킨 후, (4)의 공정에서 무기 절연 졸을 가열하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 용제의 증발과 무기 절연 졸의 가열을 동시에 행해도 관계없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 (5)의 공정에서 바니시 형상의 제 1 수지층을 무기 절연층 상에 도포하는 구성을 예로 설명했지만, 시트 형상의 제 1 수지층을 무기 절연층 상에 적층하고 가열 가압함으로써 무기 절연층 상에 제 1 수지층을 형성해도 관계없다. 이 경우, 상기 가열 가압시에 제 1 수지층의 일부가 공극 내에 충전된다. 또한, 시트 형상의 제 1 수지층은 열경화성 수지가 예를 들면 A-스테이지 또는 B-스테이지이다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태는 절연 시트를 이용하여 빌드업 다층 배선기판을 제작한 구성을 예로 설명했지만, 절연 시트를 이용하여 제작하는 배선기판은 다른 것이라도 좋고, 예를 들면 인터포저 기판, 코어 기판을 갖지 않는 코어레스 기판 또는 코어 기판만으로 이루어지는 단층 기판이어도 관계없다.
또한, 상술한 실시형태에 있어서는 본 발명을 배선기판에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 배선기판에 한하지 않고 상술한 무기 절연층을 갖는 모든 구조체에 적용 가능하다. 예를 들면, 본 발명은 휴대전화 등의 전자기기의 하우징에도 적용 가능하다. 이 경우, 무기 절연층은 하우징을 보호하는 내마모성의 보호막으로서 사용된다. 또한, 본 발명은 자동차나 가옥에 사용되는 창에도 사용 가능하다. 이 경우, 무기 절연층은 창 표면을 피복하는 투광성의 내마모성 피막으로서 사용할 수 있고, 그 결과, 창 재료 표면의 상처에 의해 투명성이 저감되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명은 다이 캐스팅에 사용하는 금형에도 적용 가능하다. 이 경우, 무기 절연층은 금형 표면을 피복하는 내마모성 피막 또는 절연막으로서 사용할 수 있다.
1 : 절연 시트 2 : 수지 시트
3 : 무기 절연층 3a : 제 1 무기 절연입자
3b : 제 2 무기 절연입자 3p : 돌출부
4a : 제 1 수지층 4b : 제 2 수지층
5a : 제 1 수지 5b : 제 2 수지
6a : 제 1 무기 절연 필러 6b : 제 2 무기 절연 필러
7 : 수지부 8 : 실장 구조체
9 : 전자부품 10 : 배선기판
11 : 도전 범프 12 : 코어 기판
13 : 배선층 14 : 수지 기체
15 : 스루홀 도체 16 : 절연체
17 : 절연층 18 : 도전층
19 : 비아 도체 V1 : 제 1 공극
V2 : 제 2 공극 O : 개구

Claims (12)

  1. 수지 시트와 상기 수지 시트 상에 형성된 절연층을 구비하고,
    상기 절연층은 무기 절연층을 갖고,
    상기 무기 절연층은 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하이며, 서로 결합한 제 1 무기 절연입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 열가소성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 무기 절연층 상에 형성된 미경화의 열경화성 수지를 포함하는 제 1 수지층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 수지 시트와 상기 무기 절연층 사이에 형성된 제 2 수지층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 무기 절연층 상에 형성된 미경화의 열경화성 수지를 포함하는 제 1 수지층을 더 갖고,
    상기 제 2 수지층의 두께는 상기 제 1 수지층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 수지층은 복수의 입자로 이루어지는 제 1 무기 절연 필러를 포함하고 있고,
    상기 제 2 수지층은 상기 제 1 무기 절연 필러의 입자보다 입경이 작은 복수의 입자로 이루어지는 제 2 무기 절연 필러를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 절연층은 입경이 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하이며, 상기 제 1 무기 절연입자를 통해서 서로 접착된 제 2 무기 절연입자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 시트.
  8. 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하인 제 1 무기 절연입자를 포함하는 무기 절연 졸을 직접 또는 간접적으로 수지 시트 상에 도포하는 공정과,
    상기 제 1 무기 절연입자를 상기 수지 시트에 포함되는 수지의 융점 미만으로 가열함으로써 상기 제 1 무기 절연입자끼리를 서로 결합시켜서 무기 절연층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 절연 시트의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 무기 절연 졸의 도포 전에,
    수지층을 상기 수지 시트 상에 형성하는 공정을 더 구비하고,
    상기 수지층은 상기 무기 절연층과 상기 수지 시트 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 절연 시트의 제조방법.
  10. 제 1 항에 기재된 절연 시트를 상기 수지 시트가 최외층이 되도록 미경화의 열경화성 수지를 포함하는 제 1 수지층을 통해서 지지 부재 상에 적층하는 공정과,
    상기 제 1 수지층을 상기 열경화성 수지의 경화 개시온도 이상 상기 수지 시트에 포함되는 수지의 융점 미만으로 가열함으로써 상기 무기 절연층을 상기 제 1 수지층을 통해서 상기 지지 부재에 접착시키는 공정과,
    상기 무기 절연층으로부터 상기 수지 시트를 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조방법.
  11. 제 1 항에 기재된 절연 시트를 준비하는 공정과,
    상기 절연층으로부터 상기 수지 시트를 제거하는 공정과,
    상기 절연층의 상기 수지 시트측에 배치되어 있던 주면 상에 도전층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 구조체의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 절연 시트는 상기 수지 시트와 상기 무기 절연층 사이에 형성된 제 2 수지층을 더 갖고 있고,
    상기 절연층의 상기 수지 시트측에 배치되어 있던 주면 상에 상기 도전층을 형성하는 공정은 상기 제 2 수지층의 상기 수지 시트측에 배치되어 있던 주면 상에 상기 도전층을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 구조체의 제조방법.
KR1020137002661A 2010-07-30 2011-07-26 절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법 KR101456088B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-171452 2010-07-30
JP2010171452 2010-07-30
PCT/JP2011/066928 WO2012014875A1 (ja) 2010-07-30 2011-07-26 絶縁シート、その製造方法及びその絶縁シートを用いた構造体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130032383A true KR20130032383A (ko) 2013-04-01
KR101456088B1 KR101456088B1 (ko) 2014-11-03

Family

ID=45530082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137002661A KR101456088B1 (ko) 2010-07-30 2011-07-26 절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130149514A1 (ko)
JP (2) JP5662450B2 (ko)
KR (1) KR101456088B1 (ko)
CN (1) CN103052501B (ko)
WO (1) WO2012014875A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8780576B2 (en) * 2011-09-14 2014-07-15 Invensas Corporation Low CTE interposer
JP5710066B2 (ja) * 2012-02-23 2015-04-30 京セラ株式会社 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
CN109616485A (zh) * 2012-06-22 2019-04-12 株式会社尼康 基板、拍摄单元及拍摄装置
US9814136B2 (en) 2012-08-01 2017-11-07 Kyocera Corporation Wiring board, mounting structure equipped with the wiring board, and method for manufacturing wiring board
JP5952153B2 (ja) * 2012-09-28 2016-07-13 京セラ株式会社 積層配線基板およびそれを用いた実装構造体
JP6001439B2 (ja) * 2012-12-21 2016-10-05 京セラ株式会社 配線基板および実装構造体
JP6105316B2 (ja) * 2013-02-19 2017-03-29 京セラ株式会社 電子装置
JP6294024B2 (ja) * 2013-07-30 2018-03-14 京セラ株式会社 配線基板およびこれを用いた実装構造体
CN105637987A (zh) * 2013-10-29 2016-06-01 京瓷株式会社 布线基板、使用了该布线基板的安装结构体以及层叠片
JP6224469B2 (ja) * 2014-01-28 2017-11-01 京セラ株式会社 絶縁シート
JP2015213199A (ja) * 2015-08-11 2015-11-26 京セラ株式会社 部品内蔵基板
JP2016167637A (ja) * 2016-06-08 2016-09-15 京セラ株式会社 積層配線基板および積層体
JP6641338B2 (ja) * 2017-11-02 2020-02-05 積水化学工業株式会社 積層フィルム及び積層フィルムの製造方法
JP7135364B2 (ja) * 2018-03-23 2022-09-13 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板、及び、絶縁回路基板の製造方法
US11548264B2 (en) * 2018-04-17 2023-01-10 Sekisui Chemical Co., Ltd. Insulation sheet, laminate, and substrate
US10790241B2 (en) 2019-02-28 2020-09-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wiring structure and method for manufacturing the same
EP3709779A1 (en) * 2019-03-12 2020-09-16 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier and method of manufacturing the same
JP2022177703A (ja) * 2021-05-18 2022-12-01 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
JP7237111B2 (ja) * 2021-06-03 2023-03-10 三菱電機株式会社 絶縁シート及びその製造方法、並びに回転電機

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041205A (en) * 1959-04-01 1962-06-26 Du Pont Composition comprising colloidal silica and a water-soluble phosphorus compound and articles prepared therefrom and process of preparing such articles
US3640093A (en) * 1969-03-10 1972-02-08 Owens Illinois Inc Process of converting metalorganic compounds and high purity products obtained therefrom
US3968193A (en) * 1971-08-27 1976-07-06 International Business Machines Corporation Firing process for forming a multilayer glass-metal module
US4289719A (en) * 1976-12-10 1981-09-15 International Business Machines Corporation Method of making a multi-layer ceramic substrate
US4387195A (en) * 1981-07-20 1983-06-07 Tully Paul R Hydrophobic ceramic wares
US4506054A (en) * 1983-06-30 1985-03-19 Vasta Joseph A Coating composition of a solution fluorocarbon polymer, a dispersed fluorocarbon polymer and a polyamine curing agent
EP0196865B1 (en) * 1985-03-27 1990-09-12 Ibiden Co, Ltd. Electronic circuit substrates
US5110675A (en) * 1986-09-16 1992-05-05 Lanxide Technology Company, Lp Ceramic articles with a polymer component and methods of making same
JPH03143535A (ja) * 1989-10-26 1991-06-19 Toto Ltd セラミックス製非対称膜及びその製造方法
US5275878A (en) * 1990-02-06 1994-01-04 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite dielectric and printed-circuit use substrate utilizing the same
CA2060709C (en) * 1991-02-08 1996-06-04 Kiyotaka Komori Glass fiber forming composition, glass fibers obtained from the composition and substrate for circuit board including the glass fibers as reinforcing material
JPH04342470A (ja) * 1991-05-21 1992-11-27 Isuzu Ceramics Kenkyusho:Kk 低熱伝導セラミックスおよびその製造方法
US5531945A (en) * 1992-04-13 1996-07-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for the production of base board for printed wiring
WO1995015816A1 (fr) * 1993-12-10 1995-06-15 Toto, Ltd. Substance multifonction a effet photocatalytique et procede de production
TW350194B (en) * 1994-11-30 1999-01-11 Mitsubishi Gas Chemical Co Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof the invention relates to the metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production
US5676745A (en) * 1995-06-07 1997-10-14 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Pre-ceramic polymers in fabrication of ceramic composites
US5919546A (en) * 1995-06-22 1999-07-06 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Porous ceramic impregnated wiring body
DE19529627C1 (de) * 1995-08-11 1997-01-16 Siemens Ag Thermisch leitende, elektrisch isolierende Verbindung und Verfahren zu seiner Herstellung
US5814397A (en) * 1995-09-13 1998-09-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for waterproofing ceramic materials
JPH10100320A (ja) * 1996-09-30 1998-04-21 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 複合セラミックス板およびその製造法
US5766322A (en) * 1996-10-30 1998-06-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Organopolysiloxane waterproofing treatment for porous ceramics
US6261469B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-17 Honeywell International Inc. Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales
JP2002531372A (ja) * 1998-12-10 2002-09-24 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ポリマー配合物、その製造および使用、これから製造される焼結体
US6403209B1 (en) * 1998-12-11 2002-06-11 Candescent Technologies Corporation Constitution and fabrication of flat-panel display and porous-faced structure suitable for partial or full use in spacer of flat-panel display
JP3980801B2 (ja) * 1999-09-16 2007-09-26 株式会社東芝 三次元構造体およびその製造方法
TW498707B (en) * 1999-11-26 2002-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wiring substrate and production method thereof
DE10016485A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Glas-, Keramik- und Metall-Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
US20040176488A1 (en) * 2000-06-06 2004-09-09 Shyama Mukherjee Low dielectric materials and methods of producing same
JP2002020714A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Tokai Rubber Ind Ltd 両面金属箔張り積層板の製法
JP2002094200A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板用電気絶縁材と回路基板およびその製造方法
EP1194020A3 (en) * 2000-09-27 2004-03-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resin board, manufacturing process for resin board, connection medium body, circuit board and manufacturing process for circuit board
DE10063739B4 (de) * 2000-12-21 2009-04-02 Ferro Gmbh Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
CA2442855A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Therics, Inc. Method and apparatus for engineered regenerative biostructures
JP5217069B2 (ja) * 2001-08-23 2013-06-19 東レ株式会社 感光性セラミックス組成物及びセラミックス基板
US20030137815A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Printed wiring board and method of manufacturing the same
US20030228475A1 (en) * 2002-04-18 2003-12-11 Minoru Komada Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the same, and manufacturing method for barrier film
JP2004082711A (ja) * 2002-06-26 2004-03-18 Sekisui Chem Co Ltd 金属箔付フィルム、及び、回路形成用転写フィルム
EP1521730A2 (en) * 2002-07-12 2005-04-13 Robert M. Pilliar Method of manufacture of porous inorganic structures and infiltration with organic polymers
DE10305864B4 (de) * 2003-02-13 2007-07-26 Itn Nanovation Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen porösen Keramikverbundes
JP3887337B2 (ja) * 2003-03-25 2007-02-28 株式会社東芝 配線部材およびその製造方法
TW200427809A (en) * 2003-05-19 2004-12-16 Hitachi Chemical Co Ltd Insulating material, film, circuit board and method for manufacture thereof
JP3870936B2 (ja) * 2003-07-14 2007-01-24 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP4151541B2 (ja) * 2003-09-26 2008-09-17 松下電器産業株式会社 配線基板およびその製造方法
TWI253981B (en) * 2003-12-04 2006-05-01 Univ Chung Yuan Christian Mesoporous silica/fluorinated polymer composite material
US7931830B2 (en) * 2004-03-31 2011-04-26 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Dielectric composition for use in circuitized substrates and circuitized substrate including same
US20060019084A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Pearson Laurence T Monolithic composition and method
JP4903989B2 (ja) * 2004-07-27 2012-03-28 株式会社アドマテックス プリント基板用組成物
US20060083694A1 (en) * 2004-08-07 2006-04-20 Cabot Corporation Multi-component particles comprising inorganic nanoparticles distributed in an organic matrix and processes for making and using same
JP2006117763A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
JP4118884B2 (ja) * 2005-01-17 2008-07-16 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成材の製造方法
US7473853B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Circuit device
JP2006285226A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Toray Ind Inc 感光性セラミックス組成物
US20070026221A1 (en) * 2005-06-14 2007-02-01 Siemens Power Generation, Inc. Morphological forms of fillers for electrical insulation
JP2007008762A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Tdk Corp 複合多孔体
JP4967116B2 (ja) * 2005-08-23 2012-07-04 国立大学法人東北大学 多層回路基板及び電子機器
JP4742787B2 (ja) * 2005-09-29 2011-08-10 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用バリア性基板
JP4616154B2 (ja) * 2005-11-14 2011-01-19 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007138095A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物及び板状体
JP4792281B2 (ja) * 2005-12-08 2011-10-12 積水化学工業株式会社 極薄金属箔及び極薄金属箔転写体の製造方法
JP2007180105A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法
ITMI20060104A1 (it) * 2006-01-23 2007-07-24 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo comprendente un canale per il trasferimento di carica e procedimento per la fabbricazione dello stesso
US20070248759A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Kostantinos Kourtakis Processes for producing articles containing titanium dioxide possessing low sinterability
MY154599A (en) * 2006-10-06 2015-06-30 Sumitomo Bakelite Co Resin composition, insulating sheet with base, prepreg, multilayer printed wiring board and semiconductor device
JP5100081B2 (ja) * 2006-10-20 2012-12-19 新光電気工業株式会社 電子部品搭載多層配線基板及びその製造方法
EP2080613B1 (en) * 2006-11-16 2016-03-16 Mitsubishi Plastics, Inc. Gas barrier film laminate
US20080213605A1 (en) * 2006-12-07 2008-09-04 Briney Gary C Multi-functional circuitry substrates and compositions and methods relating thereto
WO2008100568A1 (en) * 2007-02-17 2008-08-21 Nanogram Corporation Functional composites, functional inks and applications thereof
GB0706638D0 (en) * 2007-04-04 2007-05-16 Mbda Uk Ltd A high-dielectric material
CN101641400B (zh) * 2007-04-04 2014-09-10 利乐拉瓦尔集团及财务有限公司 包装层压板，制造该包装层压板的方法和由其生产的包装容器
US8105967B1 (en) * 2007-10-05 2012-01-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Lightweight ballistic armor including non-ceramic-infiltrated reaction-bonded-ceramic composite material
JP5123633B2 (ja) * 2007-10-10 2013-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および接続材料
JP2009099387A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Hitachi Chem Co Ltd 電気絶縁用樹脂組成物及びこの組成物を用いた電気機器絶縁物の製造方法
WO2009055569A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-30 Wirth Mary J Stabilized silica colloidal crystals
KR100905855B1 (ko) * 2007-11-06 2009-07-02 삼성전기주식회사 구속용 그린시트 및 이를 이용한 다층 세라믹 기판제조방법
CN101874429B (zh) * 2007-11-30 2013-04-03 株式会社村田制作所 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件
AU2007362807A1 (en) * 2007-12-20 2009-07-02 The Regents Of The University Of California Sintered porous structure and method of making same
JP2009242670A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート及び多層基板
JP5096233B2 (ja) * 2008-05-30 2012-12-12 信越化学工業株式会社 有機酸化ケイ素系微粒子及びその製造方法、多孔質膜形成用組成物、多孔質膜及びその形成方法、並びに半導体装置
US20100006334A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Ibiden Co., Ltd Printed wiring board and method for manufacturing the same
DE102008033224A1 (de) * 2008-07-15 2010-01-21 Bio-Gate Ag Verfahren zur Herstellung eines Kompositwerkstoffs mit antimikrobieller Wirkung
JP2010031176A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物、樹脂フィルム、積層フィルム及びプリント配線板
JP5524178B2 (ja) * 2009-03-26 2014-06-18 日本碍子株式会社 ハニカムフィルタ及びハニカムフィルタの製造方法
JP5193925B2 (ja) * 2009-03-31 2013-05-08 太陽ホールディングス株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP2011014612A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ibiden Co Ltd 配線基板及び配線基板の製造方法
JP2011173985A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硫酸バリウム粒子含有エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板及び半導体装置
US8461462B2 (en) * 2009-09-28 2013-06-11 Kyocera Corporation Circuit substrate, laminated board and laminated sheet
JP5526698B2 (ja) * 2009-10-16 2014-06-18 デクセリアルズ株式会社 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置
US8802230B2 (en) * 2009-12-18 2014-08-12 GM Global Technology Operations LLC Electrically-insulative coating, coating system and method
US8673018B2 (en) * 2010-02-05 2014-03-18 AMx Tek LLC Methods of using water-soluble inorganic compounds for implants
US8756803B2 (en) * 2010-09-22 2014-06-24 Ibiden Co., Ltd. Method for manufacturing printed wiring board
KR20130061991A (ko) * 2011-12-02 2013-06-12 삼성전기주식회사 프리프레그 및 이를 포함하는 인쇄회로기판

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012014875A1 (ja) 2012-02-02
CN103052501A (zh) 2013-04-17
US20130149514A1 (en) 2013-06-13
JP2015027801A (ja) 2015-02-12
CN103052501B (zh) 2015-08-26
JP5662450B2 (ja) 2015-01-28
KR101456088B1 (ko) 2014-11-03
JPWO2012014875A1 (ja) 2013-09-12
JP5820913B2 (ja) 2015-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101456088B1 (ko) 절연 시트, 그 제조방법 및 그 절연 시트를 사용한 구조체의 제조방법
KR101423534B1 (ko) 구조체 및 그 제조 방법
JP5629804B2 (ja) 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート
JP5582944B2 (ja) 配線基板、積層板及び積層シート
WO2012029622A1 (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP5436247B2 (ja) 配線基板
JP6258347B2 (ja) 配線基板およびこれを用いた実装構造体
US20130043067A1 (en) Wire Substrate Structure
JP2013046012A (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP5710066B2 (ja) 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
JP2013179189A (ja) 部品内蔵基板
JP2012178392A (ja) 配線基板、その実装構造体、絶縁シートおよびそれを用いた配線基板の製造方法
JP2013201305A (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP6133689B2 (ja) 配線基板およびこれを用いた実装構造体
JP2010258320A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2013030699A (ja) 構造体および配線基板
JP5909528B2 (ja) 配線基板、積層板及び積層シート
JP6224469B2 (ja) 絶縁シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 5