JP5820913B2 - 絶縁シート、その製造方法及びその絶縁シートを用いた構造体の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）や輸送機、建物等あらゆる物に使用されるに使用される絶縁シート、絶縁シートの製造方法及びその絶縁シートを用いた構造体の製造方法に関するものである。
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
特開平２−２５３９４１号公報には、金属箔にセラミックスを溶射してなるセラミック層を用いて作製された配線基板が記載されている。
このセラミック層は、セラミックスを高温条件下で溶射して形成されているため、該高温条件下でセラミック粒子が成長して粒径が大きくなりやすく、セラミック層の平坦性が低下しやすい。また、うねりの生じやすい金属箔上でセラミック層が形成されるため、セラミック層の平坦性が低下しやすく、前記セラミック層上に配線を形成する際に不良が生じることがある。その結果、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
したがって、電気的信頼性を改良した配線基板等の構造体を提供することが望まれている。
本発明の一形態にかかる絶縁シートは、支持シートと、該支持シート上に形成された絶縁層と、を備える。前記絶縁層は、無機絶縁層を有する。前記無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、互いに結合した第１無機絶縁粒子と、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であり、前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子とを含む。
本発明の一形態にかかる構造体の製造方法は、上述した絶縁シートを、前記支持シートが最外層となるように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１樹脂層を介して支持部材上に積層する工程と、前記第１樹脂層を、前記熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上、前記支持シートに含まれる樹脂の融点未満で加熱することにより、前記無機絶縁層を、前記第１樹脂層を介して前記支持部材に接着させる工程と、前記無機絶縁層から前記支持シートを除去する工程と、を備える。
本発明の一形態にかかる構造体の製造方法は、前記絶縁層から前記支持シートを除去する工程と、前記絶縁層の前記支持シート側に配されていた主面上に導電層を形成する工程と、を備える。
上記構成によれば、平坦性の高い絶縁シートを得ることができる。それ故、電気的信頼性を改善した構造体を得ることができる。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる絶縁シートを厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。 図２（ａ）は、図１（ｂ）のI−I線に沿う平面方向に切断した断面図であり、図２（ｂ）は、２つの第１無機絶縁粒子が結合した様子を模式的に現したものである。 図３（ａ）は、図１に示す絶縁シートを用いて作製された実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、図１に示す絶縁シートの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 図５（ａ）は、図１に示す絶縁シートの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。 図６（ａ）は、図１に示す絶縁シートの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＲ５部分を拡大して示した断面図である。 図７（ａ）は、図１に示す絶縁シートの製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＲ６部分を拡大して示した断面図である。 図８（ａ）乃至図８（ｃ）は、図１に示す絶縁シートを用いた配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図１に示す絶縁シートを用いた配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、図１に示す絶縁シートを用いた配線基板の製造工程を説明する、図９（ｂ）のＲ７部分に対応する部分を拡大して示した断面図である。 図１１（ａ）は、図１に示す絶縁シートを用いた配線基板の製造工程を説明する、図９（ｂ）のＲ７部分に対応する部分を拡大して示した断面図であり、図１１（ｂ）は、図１に示す絶縁シートを用いた配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図１２（ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる絶縁シートを厚み方向に切断した断面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＲ８部分を拡大して示した断面図である。 図１３（ａ）は、本発明の第３実施形態にかかる絶縁シートを厚み方向に切断した断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＲ９部分を拡大して示した断面図である。 図１４（ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す実装構造体の作製に用いる絶縁シートの厚み方向に切断した断面図であり、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
（第１実施形態）
（絶縁シート）
以下に、本発明の第１実施形態に係る絶縁シートを、図面に基づいて詳細に説明する。
図１（ａ）に示した絶縁シート１は、例えば、後述するように配線基板１０の作製に使用されるものである。この絶縁シート１は、樹脂シート２と、該樹脂シート２上に形成された無機絶縁層３と、該無機絶縁層３上に形成された第１樹脂層４ａと、樹脂シート２と無機絶縁層３との間に形成された第２樹脂層４ｂと、を含んでいる。この絶縁シート１のうち、無機絶縁層３、第１樹脂層４ａ及び第２樹脂層４ｂは、後述するように配線基板１０を作製する際に該配線基板１０に残存する絶縁層１７を構成している。
樹脂シート２は、絶縁シート１を取り扱う際に無機絶縁層３を支持するものであり、配線基板の作製時に無機絶縁層３から除去されるものであり、例えば平板状に形成されている。この樹脂シート２は、例えばポリエステル樹脂又はポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂からなり、ポリエステル樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリエチレンナフタレート樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂からなる樹脂シート２としては、直線状である各分子鎖の長手方向が同一方向であるフィルム状のものを用いることが望ましい。このように熱可塑性樹脂からなるフィルム状のものを用いることによって、樹脂シート２の平坦性を高めることができる。
また、樹脂シート２の厚みは、例えば８μｍ以上１００μｍ以下に設定され、樹脂シート２のヤング率は、例えば７ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下に設定され、樹脂シート２の平面方向への熱膨張率は、２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定され、樹脂シート２の融点は、例えば２００℃以上２６０℃以下に設定されている。
なお、樹脂シート２のヤング率は、ＭＴＳシステムズ社製Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｏｒ ＸＰ／ＤＣＭを用いて測定される。また、樹脂シート２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、樹脂シート２の融点は、ＩＳＯ１２０８６‐２：２００６に準じた測定方法により測定させる。
無機絶縁層３は、配線基板の作製時に配線基板に接着され、配線基板に残存して絶縁層の主要部をなすものであり、例えば平板状に形成されている。この無機絶縁層３は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料からなり、なかでも、低誘電正接及び低熱膨張率の観点から、酸化ケイ素からなることが望ましく、特に、アモルファス（非晶質）状態の酸化ケイ素からなることが望ましい。その結果、分子構造に起因して熱膨張率に異方性が生じやすい結晶状態の酸化ケイ素と比較して、熱膨張率の異方性が生じにくいアモルファス状態の酸化ケイ素を用いることによって、無機絶縁層３が加熱された後の冷却の際に無機絶縁層３の収縮を各方向にてより均一にすることができ、無機絶縁層３におけるクラックの発生を低減できる。このアモルファス状態の酸化ケイ素は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。
ここで、酸化ケイ素の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、１００％結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をＸ線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をＸ線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査資料の結晶相領域の体積比が測定される。
また、無機絶縁層３の厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。また、無機絶縁層３のヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下に設定され、及び／又は、樹脂シート２のヤング率の例えば４倍以上１０倍以下に設定されている。また、無機絶縁層３の平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上７ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、無機絶縁層３の平面方向への熱膨張率は、樹脂シート２の平面方向への熱膨張率の例えば０％以上２０％以下に設定されている。また、無機絶縁層３の誘電正接は、例えば０．０００４以上０．０１以下に設定されている。
なお、無機絶縁層３のヤング率及び熱膨張率は、上述した樹脂シート２と同様に測定される。また、無機絶縁層３の誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により測定される。
本実施形態の無機絶縁層３は、図１（ｂ）乃至図２（ｂ）に示すように、互いに結合した第１無機絶縁粒子３ａと、該第１無機絶縁粒子３ａよりも粒径が大きく、該第１無機絶縁粒子３ａを介して互いに接着された第２無機絶縁粒子３ｂを含む。この第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂは、上述した無機絶縁層３を構成する無機絶縁材料からなる。なお、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂは、無機絶縁層３の断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。
第１無機絶縁粒子３ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されている。このように第１無機絶縁粒子３ａの粒径が微小であるため、後述するように、第１無機絶縁粒子３ａ同士を低温で結合させることができ、樹脂シート２上に無機絶縁層３を容易に形成することができる。また、第１無機絶縁粒子３ａの粒径が微小であるため、後述するように、第１無機絶縁粒子３ａを第２無機絶縁粒子３ｂに低温で結合させることができ、第２無機絶縁粒子３ｂ同士を低温で接着させることができる。
第１無機絶縁粒子３ａは、図２（ｂ）に示すように、ネック構造３ａ１を介して互いに結合している。このように結合した第１無機絶縁粒子３ａは、３次元網目状構造をなしており、第１無機絶縁粒子３ａ同士の間には、第１空隙Ｖ１が形成されている。この第１空隙Ｖ１は、無機絶縁層３の第１樹脂層４ａ側に開口を有する開気孔である。
この第１空隙Ｖ１は、無機絶縁層３の厚み方向に沿った断面において、第１無機絶縁粒子３ａと同程度の大きさに形成されており、前記断面における第１空隙Ｖ１の面積は、前記断面における第１無機絶縁粒子３ａの面積の例えば２倍以下に設定されていることが望ましい。また、第１空隙Ｖ１は、前記断面における第１無機絶縁層１１ａの厚み方向の高さが３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されていることが望ましく、前記断面における第１無機絶縁層１１ａの平面方向の幅が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。
また、第２無機絶縁粒子３ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。このように第２無機絶縁粒子３ｂの粒径が第１無機絶縁粒子３ａよりも大きいため、無機絶縁層３にクラックが生じた場合、クラックの伸長が第２無機絶縁粒子３ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子３ｂの表面に沿って迂回するようにクラックが伸長することから、クラックの伸長に大きなエネルギーが必要となるため、クラックの伸長を低減することができる。また、粒径の大きい第２無機絶縁粒子３ｂが第１無機絶縁粒子３ａを介して互いに接着されているため、後述するように第２空隙Ｖ２を容易に形成することができる。また、第２無機絶縁粒子３ｂの粒径が５μｍ以下に設定されていることにより、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとの単位体積あたりの接触面積を増加させて接着強度を高めることができる。
なお、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂの粒径は、無機絶縁層３の断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定することにより測定される。
上述した第１無機絶縁粒子３ａは、球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子３ａの充填密度を高め、第１無機絶縁粒子３ａ同士をより強固に結合させることができ、無機絶縁層３の剛性を高めることができる。また、第２無機絶縁粒子３ｂは、球状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子３ｂの表面における応力を分散させることができ、第２無機絶縁粒子３ｂの表面を起点とした無機絶縁層３におけるクラックの発生を低減することができる。
また、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとは、同一材料からなることが望ましい。その結果、無機絶縁層３において、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとの結合が強固になり、材料特性の違いに起因したクラックを低減することができる。
また、第２無機絶縁粒子３ｂの硬度は、第１無機絶縁粒子３ａよりも高いことが望ましい。その結果、硬い第２無機絶縁粒子３ｂによって、クラックの伸長をより低減することができる。
一方、無機絶縁層３には、少なくとも一部が第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂに取り囲まれつつ平面方向に沿った第２空隙Ｖ２が形成されており、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂが３次元網目状構造をなしている。この第２空隙Ｖ２は、無機絶縁層３の第１樹脂層４ａ側主面に開口Ｏを有する開気孔である。また、第２空隙Ｖ２は、厚み方向（Ｚ方向）に沿った断面において、少なくとも一部が無機絶縁層３に取り囲まれている。
この第２空隙Ｖ２は、無機絶縁層３の厚み方向に沿った断面において、第２無機絶縁粒子３ｂと同程度の大きさに形成されており、該断面における第２空隙Ｖ２の面積が、該断面における第２無機絶縁粒子３ｂの例えば０．５倍以上に設定されていることが望ましい。また、第２空隙Ｖ２は、前記断面における無機絶縁層３の厚み方向の高さが０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されていることが望ましく、前記断面における無機絶縁層３の平面方向の幅が０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されていることが望ましい。
また、無機絶縁層３の厚み方向に沿った断面において、第２空隙Ｖ２は、第１空隙Ｖ１よりも大きく形成されている。この第２空隙Ｖ２は、無機絶縁層３の厚み方向に沿った断面における面積が、第１空隙Ｖ１の面積の例えば０．００５倍以上０．１倍以下に設定されている。
また、第２空隙Ｖ２の体積は、無機絶縁層３の体積の８％以上４０％以下に設定されていることが望ましい。その結果、第２空隙Ｖ２の体積が無機絶縁層３の体積の４０％以下であることにより、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂの接着強度を高め、無機絶縁層３を高剛性及び低熱膨張率とすることができる。また、第２空隙Ｖ２の体積が無機絶縁層３の体積の８％以上であることにより、後述するように多数の第２空隙Ｖ２を開気孔とすることができる。
ここで、無機絶縁層３の体積に対する第２空隙Ｖ２の体積の割合は、無機絶縁層３の断面における第２空隙Ｖ２の面積比率の平均値を該割合とみなすことにより測定される。
また、無機絶縁層３は、第２樹脂層４ｂに向かって突出した、第２無機絶縁粒子３ｂからなる突出部３ｐを有する。その結果、突出部３ｐを大きく形成することができ、アンカー効果により無機絶縁層３と第２樹脂層４ｂとの接着強度を高めることができる。
第１樹脂層４ａは、配線基板の作製時に無機絶縁層３を配線基板に接着させるものであり、配線基板に残存する。この第１樹脂層４ａは、例えば、第１樹脂５ａと、該第１樹脂５ａに被覆された第１無機絶縁フィラー６ａと、を含む。
また、第１樹脂層４ａの厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、及び／又は、樹脂シート２の厚みの例えば１０％以上８０％以下に設定されている。また、第１樹脂層４ａのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、及び／又は、無機絶縁層３のヤング率の例えば１％以上６０％以下に設定されている。また、第１樹脂層４ａの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、第１樹脂層４ａの平面方向への熱膨張率は、無機絶縁層３の平面方向への熱膨張率の例えば２００％以上１，０００％以下に設定されている。また、第１樹脂層４ａの誘電正接は、例えば０．００５以上０．０２以下に設定されている。なお、第１樹脂層４ａのヤング率、熱膨張率及び誘電正接は、第１樹脂５ａを硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
また、第１樹脂層４ａは、厚みが樹脂シート２よりも小さいことが望ましい。その結果、樹脂シート２の厚みを大きくして、樹脂シート２の平坦性を高めつつ、第１樹脂層４ａの厚みを小さくして、配線基板の熱膨張率を低減することができる。
第１樹脂５ａは、第１樹脂層４ａの主要部をなし、接着部材として機能するものである。この第１樹脂５ａは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。この熱硬化性樹脂は、絶縁シート１においては未硬化又は半硬化である。なお、未硬化の熱硬化性樹脂は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージの熱硬化性樹脂であり、半硬化の熱硬化性樹脂は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＢ‐ステージの熱硬化性樹脂である。
また、第１樹脂５ａのヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、第１樹脂５ａの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第１樹脂５ａのヤング率及び熱膨張率は、第１樹脂５ａを硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
第１無機絶縁フィラー６ａは、第１樹脂層４ａを低熱膨張率、高剛性にするものである。この第１無機絶縁フィラー６ａは、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、又は水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる複数の粒子によって構成されており、無機絶縁材料としては、酸化ケイ素を用いることが望ましい。
また、第１無機絶縁フィラー６ａのヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、第１無機絶縁フィラー６ａの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定され、第１無機絶縁フィラー６ａの粒子の粒径は、例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量は、例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。なお、第１無機絶縁フィラー６ａのヤング率及び熱膨張率は、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。また、第１無機絶縁フィラー６ａの粒径は、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂと同様に測定される。また、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量は、第１樹脂層４ａの断面における第１無機絶縁フィラー６ａの面積比率の平均値を該含有量とみなすことにより測定される。
ここで、絶縁シート１は、第１樹脂層４ａの一部が開口Ｏを介して第２空隙Ｖ２に充填されてなる樹脂部７を備えている。この樹脂部７は樹脂材料からなることから無機絶縁層３よりもヤング率が低いため、無機絶縁層３に応力が印加された場合に、該応力を樹脂部７によって緩和することができ、ひいては無機絶縁層３におけるクラックの発生を低減できる。また、第２空隙Ｖ２の少なくとも一部が平面方向に沿って形成されているため、無機絶縁層３における厚み方向に沿ったクラックの伸長を該第２空隙Ｖ２に配された樹脂部７によって低減することができる。また、第１樹脂層４ａの一部が開口Ｏを介して第２空隙Ｖ２に充填されているため、アンカー効果によって第１樹脂層４ａと無機絶縁層３との接着強度を高めることができる。
この樹脂部７は、第１樹脂層４ａと同様に、第１樹脂５ａを含んでいる。また、樹脂部７は、第１無機絶縁フィラー６ａを含まないことが望ましく、樹脂部７が第１無機絶縁フィラー６ａを含む場合は、樹脂部７における第１無機絶縁フィラー６ａの含有量が、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量よりも少なく設定されていることが望ましい。その結果、第１樹脂層４ａを低熱膨張、高剛性としつつ、樹脂部７のヤング率を低減して無機絶縁層３に印加された応力をより緩和することができる。この場合、樹脂部７における第１無機絶縁フィラー６ａの含有量は、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量の例えば０．０５％以上３０％以下に設定されている。また、樹脂部７のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、樹脂部７の平面方向及び厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、樹脂部７のヤング率、熱膨張率及び誘電正接は、第１樹脂５ａを硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
また、樹脂部７は、第２空隙Ｖ２を取り囲む無機絶縁層３と密着していることが望ましい。その結果、無機絶縁層３と樹脂部７との接着強度を高めることができる。
なお、第２空隙Ｖ２と同様に、第１空隙Ｖにも樹脂部７が充填されていることが望ましい。
一方、第２樹脂層４ｂは、無機絶縁層３ａとともに配線基板に残存し、該配線基板において導電層を形成するための下地となるものである。この第２樹脂層４ｂは、例えば、第２樹脂５ｂと、該第２樹脂５ｂに被覆された第２無機絶縁フィラー６ｂと、を含む。
また、第２樹脂層４ｂの厚みは、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下に設定され、及び／又は、樹脂シート２の厚みの例えば１％以上５０％以下に設定され、及び／又は、無機絶縁層３の厚みの例えば１％以上５０％以下に設定され、第１樹脂層４ａの厚みの例えば１％以上１５％以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂのヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、及び／又は、無機絶縁層３のヤング率の例えば０．０５％以上１０％以下に設定され、及び／又は、第１樹脂層４ａのヤング率の例えば５％以上７５％以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂの平面方向への熱膨張率は、樹脂シート２の平面方向への熱膨張率の例えば５％以上５０％以下に設定され、及び／又は、無機絶縁層３の平面方向への熱膨張率の例えば２倍以上１０倍以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂの誘電正接は、例えば０．００５以上０．０２以下に設定されている。なお、第２樹脂層４ｂのヤング率、熱膨張率及び誘電正接は、第２樹脂５ｂを硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
第２樹脂５ｂは、第２樹脂層４ｂの主要部をなし、導電層の下地となるものである。この第２樹脂５ｂは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。この熱硬化性樹脂は、絶縁シート１において、半硬化でも硬化していてもよいが、無機絶縁層３との接着強度の観点から、半硬化であることが望ましい。なお、硬化した熱硬化性樹脂は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの熱硬化性樹脂である。
また、第２樹脂５ｂのヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、第２樹脂５ｂの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第２樹脂５ｂのヤング率及び熱膨張率は、第２樹脂５ｂを硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
第２無機絶縁フィラー６ｂは、第２樹脂層４ｂの難燃性を高める機能や絶縁シート１を取り扱う際に粘着性を低減し、作業性を改善する機能を有する。この第２無機絶縁フィラー６ｂは、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料からなる。
また、第２無機絶縁フィラー６ｂのヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定されている。また、第２無機絶縁フィラー６ｂの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、第２無機絶縁フィラー６ｂの粒径は、例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下に設定され、及び／又は、第１無機絶縁フィラー６ａの例えば５％以上５０％以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂにおける第２無機絶縁フィラー６ｂの含有量は、例えば０体積％以上１０体積％以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂにおける第２無機絶縁フィラー６ｂの含有量の、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量に対する割合は、例えば２％以上５０％以下に設定されている。なお、第２無機絶縁フィラー６ｂのヤング率、熱膨張率、粒径及び含有量は、第１無機絶縁フィラー６ａと同様に測定される。
上述した本実施形態の絶縁シート１においては、無機絶縁層３は、樹脂シート２上に形成されており、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、互いに結合した第１無機絶縁粒子を含んでいる。それ故、後述するように、平坦性の高い無機絶縁層３を形成することができるため、絶縁シート１を用いて配線基板を作製し、無機絶縁層３を該配線基板に残存させることによって、該無機絶縁層３上に形成される導電層を微細化し、ひいては配線基板の配線密度を高めることができる。
（実装構造体）
次に、上述した絶縁シート１を用いて作製された配線基板を含む実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
図３（ａ）に示した実装構造体８は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体８は、電子部品９と、該電子部品９が実装された配線基板１０と、を含んでいる。
電子部品９は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板１０に半田等からなる導電バンプ１１を介してフリップチップ実装されている。この電子部品９の母材は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料からなる。また、電子部品９の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定され、電子部品９の平面方向への熱膨張率は、２ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
配線基板１０は、本実施形態においては、ビルドアップ多層配線基板であって、コア基板１２とコア基板１２の上下に形成された一対の配線層１３とを含んでいる。また、配線基板１０の厚みは、例えば０．２ｍｍ以上１．２ｍｍに設定されている。
コア基板１２は、配線基板１０の剛性を高めつつ一対の配線層１３間の導通を図るものである。このコア基板１２は、厚み方向に沿ったスルーホールが形成された樹脂基体１４と、該スルーホールの内壁に被着した筒状のスルーホール導体１５と、該スルーホール導体１５に取り囲まれた領域に配された柱状の絶縁体１６を含んでいる。
樹脂基体１４は、コア基板１２の剛性を高めるものである。この樹脂基体１４は、例えば、樹脂と、該樹脂に被覆された基材と、該樹脂に被覆された無機絶縁フィラーと、を含んでいる。また、樹脂基体１４の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下に設定され、樹脂基体１４のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定され、樹脂基体１４の平面方向への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、樹脂基体１４の厚み方向への熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、樹脂基体１４の誘電正接は、例えば０．００５以上０．０２以下に設定されている。なお、樹脂基体１４のヤング率、熱膨張率及び誘電正接は、樹脂を硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
樹脂基体１４に含まれた樹脂は、樹脂基体１４の主要部をなすものである。この樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料からなる。また、樹脂基体１４の樹脂のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、樹脂基体１４の樹脂の平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、樹脂基体１４の樹脂のヤング率、熱膨張率及び誘電正接は、該樹脂を硬化させた状態にて、上述した無機絶縁層３と同様に測定される。
樹脂基体１４に含まれた基材は、樹脂基体１４を高剛性化及び低熱膨張化するものである。この基材は、繊維により構成された織布若しくは不織布又は繊維を一方向に配列したものからなる。また、この繊維は、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等からなる。
樹脂基体１４に含まれた無機絶縁フィラーは、樹脂基体１４を高剛性化及び低熱膨張化するものである。この無機絶縁フィラーは、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる複数の粒子により構成されている。また、樹脂基体１４の無機絶縁フィラーのヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、樹脂基体１４の無機絶縁フィラーの平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定され、樹脂基体１４の無機絶縁フィラーの粒径は、例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、樹脂基体１４における無機絶縁フィラーの含有量は、例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。なお、この無機絶縁フィラーのヤング率、熱膨張率、粒径及び含有量は、上述した第１無機絶縁フィラー６ａと同様に測定される。
スルーホール導体１５は、コア基板１２の上下の配線層１３を電気的に接続するものである。このスルーホール導体１５は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。また、スルーホール導体１５の平面方向及び厚み方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
絶縁体１６は、後述するビア導体１９の支持面を形成するものである。この絶縁体１６は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料からなる。
一方、コア基板１２の上下には、上述した如く、一対の配線層１３が形成されている。配線層１３は、厚み方向に沿ったビア孔が形成された絶縁層１７と、樹脂基体１４上又は絶縁層１７上に部分的に形成された導電層１８と、ビア孔内に形成されたビア導体１９と、を含んでいる。
絶縁層１３は、第１樹脂層４ａと、該第１樹脂層４ａ上に形成された無機絶縁層３と、該無機絶縁層３上に形成された第２樹脂層４ｂと、を含んでいる。
第１樹脂層４ａは、導電層１８の側面及び上面に接着しつつ、樹脂基体１４と絶縁層１３との接着、又は積層された絶縁層１３同士の接着をするものであり、また、平面方向に沿って離間した導電層１８同士の間に配されて支持部材として機能するものである。この第１樹脂層４ａは、上述した絶縁シート１に含まれていたものである。この第１樹脂層４ａの熱硬化性樹脂は、配線基板１０においては硬化している。
第１樹脂層４ａは、導電層１８の側面及び上面に当接することから、導電層１８の下面のみに当接する第２樹脂層４ｂよりも誘電正接が低いことが望ましい。その結果、導電層１８の信号伝送特性を高めることができる。
無機絶縁層３は、絶縁層１３の主要部をなし、導電層１８の下面のみに当接して支持部材として機能するものであり、また、厚み方向に沿って離間した導電層１８同士の支持部材として機能するものである。
この無機絶縁層３は、上述した絶縁シート１に含まれていたものであり、樹脂材料と比較して低熱膨張率、高剛性、低誘電正接及び高絶縁性である無機絶縁材料からなる。したがって、絶縁層１３の平面方向への熱膨張率を低減することにより、配線基板１０と電子部品２との平面方向への熱膨張率の差を低減し、ひいては配線基板１０の反りを低減できる。また、絶縁層１３の厚み方向への熱膨張率を低減することにより、絶縁層１３とビア導体１９との厚み方向への熱膨張率の差を低減し、ひいてはビア導体１９の断線を低減できる。また、絶縁層１３の剛性を高めることにより、配線基板１０の厚みを大きくすることなく剛性を高めることができる。また、絶縁層１３の誘電正接を低減することにより、絶縁層１３上に形成された導電層１８の信号伝送特性を高めることができる。また、絶縁層１３の絶縁性を高めることにより、絶縁層１３の上下に配された導電層１８同士の短絡を低減することができる。
第２樹脂層４ｂは、無機絶縁層３と導電層１７との間に介在して接着部材として機能するものである。この第２樹脂層４ｂは、上述した絶縁シート１に含まれていたものであり、無機絶縁材料からなる無機絶縁層３よりもクラックが伸長しにくいため、無機絶縁層３に生じたクラックが導電層１８に達することを低減し、導電層１８の断線を低減することができる。
ここで、第２樹脂層４ｂは、第１樹脂層４ａ、無機絶縁層３及び導電層１８よりも、厚みが小さく、且つヤング率が低く設定されていることが望ましい。
その結果、薄く弾性変形しやすい第２樹脂層４ｂが変形することにより、無機絶縁層３と導電層１８との熱膨張率の違いに起因した応力を緩和することができるため、無機絶縁層３と導電層１８との剥離を低減し、導電層１８の断線を低減することができる。また、ヤング率の低い第２樹脂層４ｂの厚みを薄くすることによって、配線基板１０の剛性の低下を抑制できる。また、熱膨張率の高い第２樹脂層４ｂの厚みを薄くすることによって、配線基板１０の熱膨張率の上昇を抑制できる。また、誘電正接の高い第２樹脂層４ｂの厚みを薄くすることによって、誘電正接の低い無機絶縁層３と導電層１８とを近接させて導電層１８の信号伝送特性を高めることができる。また、第２樹脂層４ｂのヤング率を低くすることによって、無機絶縁層３と導電層１８との接着強度を高めることができる。
なお、第２樹脂層４ｂは、無機絶縁層３と導電層１７との間に介されていればよいため、平面方向にて離間した導電層１８同士の間に介される第１樹脂層４ａと比較して、厚み増加の要求が少なく、厚みを容易に小さくすることができる。
また、第１樹脂層４ａは、第２樹脂層４ｂよりも厚みが大きいことから、第２樹脂層４ｂよりも熱膨張率が低いことが望ましい。その結果、配線基板１０の熱膨張率を低減できる。
第２樹脂層４ｂに含まれる樹脂材料は、第１樹脂層４ａに含まれる樹脂材と比較して、低ヤング率、高熱膨張率又は高誘電正接のものを用いることが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂを低ヤング率とし、第１樹脂層４ａを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。このような樹脂材料の組み合わせとしては、例えば、第２樹脂層４ｂにエポキシ樹脂を、第１樹脂層４ａにポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂又はフッ素樹脂を用いることができる。
第２無機絶縁フィラー６ｂの粒径は、図３（ｂ）に示すように、第１無機絶縁フィラー６ａの粒径よりも小さいことが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂを低ヤング率とし、第１樹脂層４ａを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。
また、第２樹脂層４ｂにおける第２無機絶縁フィラー６ｂの含有量は、第１樹脂層４ａにおける第１無機絶縁フィラー６ａの含有量よりも小さいことが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂを低ヤング率とし、第１樹脂層４ａを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。
また、第２樹脂層４ｂは、導電層１８に当接した主面に微細な凹凸が形成されていることが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂと導電層１８との接着強度を高めることができる。なお、第２樹脂層４ｂは、上述したように、無機絶縁層３に当接した主面に、無機絶縁層３の突出部３ｐが埋入することによって凹凸が形成されている。また、第２樹脂層４ｂは、無機絶縁層３に当接した主面における凹凸は、導電層１８に当接した主面における凹凸よりも、微細に形成されていることが望ましい。
この第２樹脂層４ｂは、導電層１８に当接した主面における算術平均粗さが、例えば０．３μｍ以上２μｍ以下に設定されており、無機絶縁層３に当接した主面における算術平均粗さが、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂは、無機絶縁層３に当接した主面における算術平均粗さが、導電層１８に当接した主面の例えば１．２倍以上２．５倍以下に設定されている。なお、算術平均粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
導電層１８は、平面方向又は厚み方向に沿って互いに離間しており、接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能するものである。この導電層１８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。また導電層１８は、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
ビア導体１９は、厚み方向に互いに離間した導電層１８同士を電気的に接続するものであり、コア基板１２に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１９は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料からなる。また、ビア導体１９は、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
かくして、上述した実装構造体８は、配線基板１０を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品９を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
次に、絶縁シート１を用いて作製した配線基板１０を含む実装構造体８の製造方法を、図４から図１１に基づいて説明する。まず、絶縁シート１の製造方法について詳細に説明する。
（絶縁シートの作製）
（１）図４に示すように、樹脂シート２上に第２樹脂層４ｂを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、図４（ａ）に示すように、例えば押出成形によって樹脂シート２を形成する。次に、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、例えばバーコーター、ダイコーター又はカーテンコーター等を用いて、溶剤、第２樹脂５ｂ及び第２無機絶縁フィラー６ｂを含む第２ワニスを樹脂シート２上に塗布し、該第２ワニスを乾燥させて溶剤を蒸発させることによって、樹脂シート２上に第２樹脂層４ｂを形成する。なお、第２樹脂５ｂは、Ａステージである。
ここで、樹脂シート２は、例えば押出成形によって形成されるため、金属箔と比較して平坦性の高い樹脂シート２が得られる。
また、第２樹脂層４ｂは、平坦性の高い樹脂シート２上に流動性の高い第２ワニスを塗布することによって形成されるため、平坦性の高い第２樹脂層４ｂが得られる。また、このように第２樹脂層４ｂを形成することによって、薄く均一な第２樹脂層４ｂを容易に形成することができる。
また、樹脂シート２上に第２樹脂層４ｂを形成した後、第２樹脂層４ｂに含まれる第２樹脂５ｂの硬化開始温度以上、樹脂シート２に含まれる樹脂の融点未満の温度で第２樹脂層４ｂを加熱することによって、第２樹脂層４ｂの硬化を進めることが望ましい。その結果、後述する（２）の工程にて、無機絶縁ゾル３ｘを第２樹脂層４ｂ上に塗布する際に、無機絶縁ゾルが含む溶剤に起因した第２樹脂層４ｂの損傷を低減することができる。この硬化が進んだ第２樹脂層４ｂの熱硬化性樹脂は、Ｂステージ又はＣステージであるが、無機絶縁層３との接着強度の観点から、Ｂステージであることが望ましい。なお、第２樹脂層４ｂの硬化を進めるための加熱は、第２樹脂層４ｂの乾燥と同時に行っても構わないし、第２樹脂層４ｂの乾燥の後に行っても構わない。
（２）図５に示すように、第２樹脂層４ｂ上に無機絶縁ゾル３ｘを塗布する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂからなる固形分と溶剤とを含む無機絶縁ゾル３ｘを準備する。次に、例えばディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷等を用いて、無機絶縁ゾル３ｘを第２樹脂層４ｂ上に塗布する。
その結果、（１）の工程にて平坦性が高く形成された第２樹脂層ｓ４ｂ上に無機絶縁ゾル３ｘを塗布するため、第２樹脂層ｓ４ｂ上に配された無機絶縁ゾル３ｘの平坦性を高めることができる。
粒径の小さい第１無機絶縁粒子３ａは、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物等のケイ酸化合物を精製し、加水分解等の方法で化学的に酸化珪素を析出させることにより作製することができる。また、このように作製することにより、第１無機絶縁粒子３ａの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。なお、このように作製した場合、第１無機絶縁粒子３ａは、酸化ナトリウム等の不純物を１ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下含んでいても構わない。
ここで、第１無機絶縁粒子３ａの粒径は、３ｎｍ以上に設定されていることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル３ｘの粘度を低減し、無機絶縁層３の平坦性を向上させることができる。
粒径の大きい第２無機絶縁粒子３ｂは、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を抑制しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。ここで、第２無機絶縁粒子３ｂは、第１無機絶縁粒子３ａと比較して、凝集体の形成を低減しつつ、高温の加熱で作製することが容易であるため、第２無機絶縁粒子３ｂを高温の加熱で作製することによって、第２無機絶縁粒子３ｂの硬度を第１無機絶縁粒子３ａよりも容易に高めることができる。
ここで、第２無機絶縁粒子３ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子３ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
無機絶縁ゾル３ｘに含まれる溶剤は、例えばメタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート又はジメチルアセトアミド等の有機溶剤からなり、なかでも、メタノール、イソプロパノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルからなることが望ましい。その結果、無機絶縁ゾル３ｘを均一に塗布することができ、且つ（３）の工程にて溶剤を効率良く蒸発させることができる。なお、該溶剤は、上述した有機溶剤が２種類以上混合されたものでも構わない。
無機絶縁ゾル３ｘは、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含むことが望ましい。その結果、溶剤を無機絶縁ゾル３ｘの５０体積％以上含むことにより、無機絶縁ゾル３ｘの粘度を低減し、無機絶縁層３の上面の平坦性を向上させて、配線基板１０の上面の平坦性を向上させることができる。また、溶剤を無機絶縁ゾル３ｘの９０体積％以下含むことにより、無機絶縁ゾル３ｘの固形物成分量を増加させることにより、無機絶縁層３の生産性を向上させることができる。
また、本実施形態においては、無機絶縁ゾル３ｘの固形分は、第１無機絶縁粒子３ａを２０体積％以上４０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子３ｂを６０体積％以上８０体積％以下含む。
（３）無機絶縁ゾル３ｘを乾燥させて、無機絶縁ゾル３ｘに含まれる溶剤を蒸発させる。その結果、無機絶縁ゾル３ｘの固形分が第２樹脂層４ｂ上に残存する。
ここで、無機絶縁ゾル３ｘは、粒径が０．５μｍ以上と大きい第２無機絶縁粒子３ｂを含むことから、無機絶縁ゾル３ｘの溶剤を蒸発させる際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子３ｂを含む領域と比較して、粒径の小さい第１無機絶縁粒子３ａを含む領域において溶剤が多く蒸発する。そして、無機絶縁ゾル３ｘの固形分が第２無機絶縁粒子３ｂを６０体積％以上含むことから、第２無機絶縁粒子３ｂの数が多く、乾燥前の段階から第２無機絶縁粒子３ｂが互いに接近しているため、この第２無機絶縁粒子３ｂに取り囲まれた領域内にて、局所的に溶剤が多く蒸発して収縮が起きて、第２空隙Ｖ２が形成される。その結果、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂに取り囲まれた第２空隙Ｖ２を形成することができる。
また、溶剤は第２無機絶縁粒子３ｂと濡れ性が良いことから、第２無機絶縁粒子３ｂ同士の近接点に残留しやすい。その結果、該近接点への溶剤の移動に伴って、第１無機絶縁粒子３ａが該近接点へ移動するため、第２無機絶縁粒子３ｂ間の該近接点以外の領域に第２空隙Ｖ２を大きく形成することができる。また、このように第２空隙Ｖ２を形成することにより、該近接点以外の領域にて、形成途中の第２空隙Ｖ２同士が結合した大きな第２空隙Ｖ２を形成することができ、ひいては開口Ｏを有する開気孔の第２空隙Ｖ２を容易に形成することができる。また、該近接点に第１無機絶縁粒子３ａを移動させることにより、第２無機絶縁粒子３ｂ同士の間に第１無機絶縁粒子３ａを介在させることができる。
また、第２樹脂層４ｂとの境界においては、第２無機絶縁粒子３ｂを含む領域と比較して、第１無機絶縁粒子３ａを含む領域にて溶剤が多く蒸発して大きく収縮するため、第２樹脂層４ｂに向って突出する突出部３ｐが形成される。この突出部３ｐは、（３）の工程にて、無機絶縁層３を形成するための加熱の際に、該加熱によって軟化した第２樹脂層４ｂ内に埋入される。
また、無機絶縁ゾル３ｘの固形分は、第１無機絶縁粒子３ａを２０体積％以上含むことによって、第２無機絶縁粒子３ｂ同士の近接点に介在される第１無機絶縁粒子３ａの量を確保し、第２無機絶縁粒子３ｂ同士が接触する領域を低減することで、無機絶縁層３の剛性を高めることができる。
また、無機絶縁ゾル３ｘの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われ、温度が２０℃以上溶剤の沸点(二種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点)未満に設定され、乾燥時間が２０秒以上３０分以下に設定されていることが望ましい。その結果、溶剤の沸騰を低減することにより、第２無機絶縁粒子３ｂの充填密度を高めることができる。
なお、第１無機絶縁粒子３ａ若しくは第２無機絶縁粒子３ｂの粒径若しくは含有量、無機絶縁ゾル３ｘの溶剤の種類若しくは量、乾燥時間、乾燥温度、乾燥時の風量若しくは風速、又は、乾燥後の加熱温度若しくは加熱時間を適宜調整することにより、第２空隙Ｖ２を所望の形状に形成することができる。
（４）図６に示すように、無機絶縁ゾル３ｘの固形分を加熱して、第２樹脂層４ｂ上に無機絶縁層３を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
無機絶縁ゾル３ｘの固形分を樹脂シート２に含まれる樹脂の融点未満で加熱し、第１無機絶縁粒子３ａ同士を結合させるとともに、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとを結合させることにより、無機絶縁ゾル３ｘの固形分を無機絶縁層３とし、第２樹脂層４ｂ上に無機絶縁層３を形成する。
その結果、（２）の工程にて平坦性が高く形成された無機絶縁ゾル３ｘの固形分を加熱することによって、平坦性の高い無機絶縁層３を得ることができる。
ここで、本実施形態においては、第１無機絶縁粒子３ａの粒径が１１０ｎｍ以下に設定されているため、樹脂シート２の融点未満と低温で加熱したとしても、第１無機絶縁粒子３ａ同士を強固に結合させるとともに、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとを強固に結合させて、第１無機絶縁粒子３ａを介して第２無機絶縁粒子３ｂ同士を接着させることができる。例えば、ポリエチレンテレフタラート樹脂の融点は、２６０℃程度であり、粒径が１１０ｎｍ以下である酸化ケイ素の粒子同士が強固に結合する温度は、１００℃〜１８０℃程度である。
これは、第１無機絶縁粒子３ａの粒径が１１０ｎｍ以下と超微小に設定されているため、第１無機絶縁粒子３ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、かかる低温でも第１無機絶縁粒子３ａ同士が強固に結合するとともに、第１無機絶縁粒子３ａと第２無機絶縁粒子３ｂとが強固に結合すると推測される。
したがって、樹脂シート２の融点未満で無機絶縁ゾル３ｘの固形分を加熱することによって、樹脂シート２の変形を低減することができるため、樹脂シート２の平坦性を損なうことなく、該樹脂シート２上で無機絶縁層３の形成を行うことができる。また、このように低温で無機絶縁層３を形成できるため、高温で無機絶縁層３を形成する場合と比較して、無機絶縁層３を容易に形成することができる。
また、このように低温で第１無機絶縁粒子３ａ同士を結合させているため、ネック構造３ａ１を介して第１無機絶縁粒子３ａ同士を結合させることができ、開気孔の第１空隙Ｖ１を良好に形成することができる。
ここで、第１無機絶縁粒子３ａの粒径をより小さく設定することによって、第１無機絶縁粒子３ａ同士を強固に結合させることができる温度をより低くすることができる。例えば、粒径が５０ｎｍ以下である酸化ケイ素の粒子同士が強固に結合する温度は、５０℃〜１２０℃程度である。
また、無機絶縁ゾル３ｘの固形分の加熱は、温度が溶剤の沸点以上に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が溶剤の沸点以上であることにより、残存した溶剤を効率良く蒸発させることができる。
また、無機絶縁ゾル３ｘの固形分の加熱は、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂの結晶化開始温度以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱温度が、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂの結晶化開始温度未満であることにより、第１無機絶縁粒子３ａ及び第２無機絶縁粒子３ｂの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができるため、結晶化に伴う相転移によって生じるクラックを低減できる。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。また、例えば酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。
また、無機絶縁ゾル３ｘの固形分の加熱は、温度が第２樹脂層４ｂの熱分解開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂの特性低下を抑制することができる。なお、熱分解開始温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
なお、無機絶縁ゾル３ｘの加熱は、温度が例えば５０℃以上１８０℃未満に設定され、時間が例えば０．０５時間以上２４時間以下に設定され、例えば大気雰囲気中で行われる。
（５）図７に示すように、未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１樹脂層４ａを無機絶縁層３上に形成することによって、絶縁シート１を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、溶剤、第１樹脂５ａ及び第１無機絶縁フィラー６ａを含む第１ワニスを無機絶縁層３上に塗布する。なお、第１樹脂５ａの熱硬化性樹脂は、Ａステージである。次に、第１ワニスを乾燥させて溶剤を蒸発させることによって、未硬化の第１樹脂５ａを含む第１樹脂層４ａを無機絶縁層３上に形成する。
ここで、第１樹脂層４ａの第１樹脂５ａは、絶縁シート１において未硬化状態が維持されている。その結果、後述するように配線基板１０の作製時に、コア基板１２に第１樹脂層４ａを接着させることができる。なお、絶縁シート１において、第１樹脂層４ａの第１樹脂５ａは、Ａステージが維持されていても構わないし、加熱によって硬化が進みＢステージとなっていても構わない。
また、絶縁シート１において、第１樹脂層４ａの熱硬化性樹脂の硬化度は、第２樹脂層４ｂの熱硬化性樹脂の硬化度よりも小さいことが望ましい。その結果、第１樹脂層４ａの接着性を高めつつ、（２）の工程にて無機絶縁ゾル３ｘの溶剤による第２樹脂層４ｂの損傷や溶解を低減できる。この第１樹脂層４ａの熱硬化性樹脂の硬化度は、絶縁シート１において、例えば１％以上３０％以下に設定されている。また、第２樹脂層４ｂの熱硬化性樹脂の硬化度は、絶縁シート１において、例えば３０％以上８０％以下に設定されている。また、絶縁シート１において、第１樹脂層４ａの熱硬化性樹脂の硬化度は、第２樹脂層４ｂの熱硬化性樹脂の硬化度に対する割合が例えば２０％以上５０％以下に設定されている。なお、第１樹脂層４ａ及び第２樹脂層４ｂの熱硬化性樹脂の硬化度は、ラマン散乱分光法を用いて測定した結果を、該熱硬化性樹脂の完全硬化物と比較することによって算出される。
一方、第１ワニスを無機絶縁層３上に塗布する際に、第１ワニスの一部は、開口Ｏを介して第２空隙Ｖ２内に充填される。ここで、第１無機絶縁フィラー６ａよりも第１樹脂５ａの方が第２空隙Ｖ２内に浸透しやすいため、樹脂部７における無機絶縁フィラー６ａの含有量を第１樹脂層４ａよりも小さくすることができる。なお、第１ワニスの一部は、第２空隙Ｖ２と同様に、第１空隙Ｖ１内に充填される。
また、厚み方向に沿った断面において、第２空隙Ｖ２の厚み及び幅は、第２無機絶縁フィラー６ｂの粒径よりも大きく形成されていると、第１樹脂層４ａが第２空隙Ｖ２に浸透しやすくなり、第２空隙Ｖ２にて無機絶縁層３と樹脂部７とを密着させることができる。
以上のようにして、絶縁シート１を作製することができる。このように絶縁シート１を作製することによって、平坦性の高い無機絶縁層３を容易に形成することができる。
次に、この絶縁シート１を用いた配線基板１０の製造方法について詳細に説明する。
（配線基板の作製）
（６）図８（ａ）に示すように、コア基板１２を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、例えば未硬化の熱硬化性樹脂及び基材を含む複数の樹脂シートを積層するとともに、最外層に金属箔を積層して積層体を形成し、該積層体を加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させることにより、樹脂基体１４を作製する。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、樹脂基体１４にスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に筒状のスルーホール導体９を形成する。次に、スルーホール導体１５に取り囲まれた領域に樹脂材料を充填することにより、絶縁体１０を形成する。次に、導電材料を絶縁体１０の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等により、金属箔をパターニングして導電層１８を形成する。
以上のようにして、コア基板１２を作製することができる。
（７）図８（ｂ）、図８（ｃ）及び図９（ａ）に示すように、絶縁シート１を用いて、第１樹脂層４ａ、無機絶縁層３、第２樹脂層４ｂからなる絶縁層１７をコア基板１２上に形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、図８（ｂ）に示すように、絶縁シート１を、樹脂シート２が最外層となるように、第１樹脂層４ａを介してコア基板１２（支持部材）上に積層して積層体を形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、該積層体を、第１樹脂層４ａに含まれる熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上、樹脂シート２に含まれる熱可塑性樹脂の融点未満の温度で、積層方向に沿って加熱加圧することによって、第１樹脂層４ａの熱硬化性樹脂を硬化させつつ、無機絶縁層３を、第１樹脂層４ａを介してコア基板１２に接着させる。次に、図９（ａ）に示すように、無機絶縁層３から樹脂シート２を剥離して除去し、第１樹脂層４ａ、無機絶縁層３及び第２樹脂層４ｂをコア基板１２上に残存させることによって、絶縁層１７をコア基板１２上に形成する。
以上のように、本実施形態の絶縁シート１を用いて、該絶縁シート１に含まれる平坦性の高い無機絶縁層３をコア基板１２上に残存させることによって、平坦性の高い無機絶縁層３をコア基板１２上に容易に形成することができる。また、平坦性の高い樹脂シート２と当接していた主面が絶縁層１７の露出した主面となるため、絶縁層１７の露出した主面の平坦性を高めることができる。その結果、後述する（８）の工程にて、絶縁層１７の露出した主面に導電層１８をより微細に形成することができる。
ここで、第１樹脂層４ａに含まれる熱硬化性樹脂が絶縁シート１において未硬化であるため、第１樹脂層４ａは、該熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上で加熱されることによって流動する。それ故、第１樹脂層４ａは、該積層体の加熱加圧の際に、コア基板１２上の導電層１８の側面及び上面を被覆しつつ該導電層１８同士の間に侵入し、導電層１８及び樹脂基体１４と接着する。その結果、第１樹脂層４ａを介して、無機絶縁層３をコア基板１２に容易且つ強固に接着させることができる。
また、樹脂シート２は、熱可塑性樹脂からなるフィルム状であって、取り扱いが容易であるため、絶縁シート１のコア基板１２への積層及び樹脂シート２の無機絶縁層３からの剥離を容易に行うことができる。したがって、コア基板１２上における無機絶縁層３の形成を効率良く行うことができる。
（８）図９（ｂ）に示すように、絶縁層１７にビア導体１９を形成し、絶縁層１７上に導電層１８を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
まず、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１７にビア孔を形成し、該ビア孔内に導電層１８の少なくとも一部を露出させる。次に、例えば無電解めっき法又は電気めっき法を用いたセミアディティブ法により、ビア孔にビア導体１９を形成するとともに絶縁層１７の露出した主面に導電層１８を形成する。なお、セミアディティブ法の代わりに、フルアディティブ法又はサブトラクティブ法を用いても構わない。
ここで、絶縁層１７の最外層には第２樹脂層４ｂが配されており、導電層１８は、第２樹脂層４ｂの表面に形成される。その結果、無機絶縁層３ａの表面に導電層１８を形成する場合と比較して、絶縁層１７との接着強度の高い導電層１８を容易に形成することができる。
また、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１（ａ）に示すように、導電層１８を形成する前に、過マンガン酸溶液等を用いて、第２樹脂層４ｂの表面を粗化することが望ましい。その結果、第２樹脂層４ｂの表面に微細な凹凸を形成することができるため、第２樹脂層４ｂと導電層１８との接着強度を高めることができる。
（９）図１１（ｂ）に示すように、（７）及び（８）の工程を繰り返すことにより、絶縁層１７及び導電層１８を交互に積層し、コア基板１２の上下に配線層１３を形成する。この場合、コア基板１２上に形成された絶縁層１７を支持部材として、絶縁シート１を積層させる。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層１３をより多層化することができる。
以上のようにして、本実施形態の絶縁シート１を用いて配線基板１０を作製することができる。このように配線基板１０を作製することによって、無機絶縁層３を容易に多層化することができる。また、配線層１３において、平坦性の高い無機絶縁層３を多層化することができるため、配線層１３における配線密度を高めることができる。
（実装構造体の作製）
（１０）バンプ４を介して配線基板１０に電子部品９をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体８を作製することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る絶縁シートを、図１２に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
本実施形態の絶縁シート１Ａにおいては、第１実施形態と異なり、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、無機絶縁層３Ａに空隙及び樹脂部が形成されていない。この場合、無機絶縁層３Ａを低熱膨張化、高剛性化、高絶縁性化及び低誘電正接化することができる。
この無機絶縁層３Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。
（２）の工程にて、無機絶縁ゾルの固形分が、第１無機絶縁粒子３ａＡを４０体積％より多く、８０体積％以下含むとともに、第２無機絶縁粒子３ｂＡを２０体積％以上６０体積％未満含むように、無機絶縁ゾルを準備する。その結果、（３）の工程にて、第２無機絶縁粒子３ｂＡに取り囲まれた領域における局所的な収縮を抑制することによって、空隙の形成を抑制し、無機絶縁層３Ａを形成することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る絶縁シートを、図１３に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
本実施形態の絶縁シート１Ｂにおいては、第１実施形態と異なり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、無機絶縁層３Ｂは、第２無機絶縁粒子を含有しておらず、第１無機絶縁粒子３ａＢのみからなる。その結果、無機絶縁層３の平坦性を高めることができる。
また、本実施形態の絶縁シート１Ｂにおいては、第１実施形態と異なり、無機絶縁層３Ｂは、厚み方向に沿って貫通した第３空隙Ｖ３Ｂが形成されており、該第３空隙Ｖ３Ｂに樹脂部７Ｂが配されている。その結果、無機絶縁層３Ｂに反りの応力が印加された際に、樹脂部７Ｂによって応力を緩和することができ、ひいては無機絶縁層３Ｂのクラックを低減できる。
この無機絶縁層３Ｂは、例えば以下のようにして形成することができる。
（２）の工程にて、固形分が第１無機絶縁粒子３ａＢのみからなる、無機絶縁ゾルを準備する。その結果、第１無機絶縁粒子３ａＢのみからなる無機絶縁層３Ａを形成することができる。
また、（４）の工程にて、第１無機絶縁粒子３ａＢ同士が互いに結合する際に収縮するため、平板状に塗布された無機絶縁ゾルにおいて、第１無機絶縁粒子３ａＢのみからなる固形分が平面方向に沿って大きく収縮する。その結果、厚み方向に沿って貫通した第３空隙Ｖ３Ｂを形成することができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る絶縁シートを用いて作製された配線基板を含む実装構造体を、図１４に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
本実施形態の配線基板１０Ｃにおいては、第１実施形態と異なり、図１４（ａ）に示すように、コア基板１２Ｃが、樹脂基体１４Ｃと該樹脂基体１４Ｃの上下に配された無機絶縁層３Ｃとを有する基体２０Ｃと、該基体を上下方向に貫通するスルーホール導体１５Ｃと、を備えている。その結果、無機絶縁層によって、コア基板１２Ｃを低熱膨張化、高絶縁性化、高剛性化及び低誘電正接化することができる。
このコア基板１２Ｃは、例えば以下のようにして形成することができる。
まず、図１４（ｂ）に示すように、第１樹脂層を含まない絶縁シート１Ｃを準備する。すなわち、（５）の工程を行わずに絶縁シート１Ｃを作製する。
次に、例えば未硬化樹脂を含む複数の樹脂シートを積層するとともに、最外層が樹脂シート２Ｃとなるように絶縁シート１Ｃを積層して、積層体を形成し、該積層体を加熱加圧して未硬化樹脂を硬化させた後、無機絶縁層３Ｃから樹脂シート２Ｃを除去することによって、基体２０Ｃを形成する。次に、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体２０Ｃにスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法又は電気めっき法を用いた、セミアディティブ法、フルアディティブ法又はサブトラクティブ法等により、スルーホールにスルーホール導体１５Ｃを形成するとともに基体２０Ｃ上に導電層１８を形成する。
以上のようにして、図１４（ｃ）に示すコア基板１２Ｃを形成することができる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
例えば、上述した第１実施形態から第３実施形態のいずれかにおける無機絶縁層の構成を、第４実施形態の無機絶縁層に適用しても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、絶縁シートが第２樹脂層を備えた構成を例に説明したが、絶縁シートが第２樹脂層を備えていなくてもよく、例えば、樹脂シート上に直接無機絶縁層を形成しても構わない。また、樹脂シートと第２樹脂層との間に、例えばシリコーン樹脂からなる離型材を形成しても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、無機絶縁層が第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含む構成を例に説明したが、第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、第１樹脂が熱硬化性樹脂からなる構成を例に説明したが、第１樹脂として熱可塑性樹脂を用いても構わない。この熱可塑性樹脂としては、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はポリイミド樹脂等を用いることができる。
また、上述した本発明の実施形態は、配線層にて絶縁層を２層積層した構成を例に説明したが、絶縁層は何層積層しても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、コア基板の基体として基材を含む樹脂基体を用いた構成を例に説明したが、基体としては他のものを用いてもよく、基材を含まない樹脂基体を用いても構わないし、セラミック製の基体を用いても構わないし、金属板を樹脂で被覆した基体を用いても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、（３）の工程にて溶剤を蒸発させた後、（４）の工程にて無機絶縁ゾルを加熱する構成を例に説明したが、溶剤の蒸発と無機絶縁ゾルの加熱とを同時に行っても構わない。
また、上述した本発明の実施形態は、（５）の工程にてワニス状の第１樹脂層を無機絶縁層上に塗布する構成を例に説明したが、シート状の第１樹脂層を無機絶縁層上に積層し、加熱加圧することによって、無機絶縁層上に第１樹脂層を形成しても構わない。この場合、該加熱加圧時に第１樹脂層の一部が空隙内に充填される。なお、シート状の第１樹脂層は、熱硬化性樹脂が例えばＡ−ステージ又はＢ−ステージである。
また、上述した本発明の実施形態は、絶縁シートを用いてビルドアップ多層配線基板を作製した構成を例に説明したが、絶縁シートを用いて作製する配線基板は他のものでもよく、例えば、インターポーザー基板、コア基板を有さないコアレス基板又はコア基板のみからなる単層基板であっても構わない。
また、上述した実施形態においては、本発明を配線基板に適用した例について説明したが、配線基板に限らず、上述した無機絶縁層を有する全ての構造体に適用可能である。例えば、本発明は、携帯電話等の電子機器の筐体にも適用可能である。この場合、無機絶縁層は筐体を保護する耐摩耗性の保護膜として用いられる。また、本発明は、自動車や家屋に用いられる窓にも使用可能である。この場合、無機絶縁層は窓表面を被覆す透光性の耐摩耗性皮膜として使用することができ、その結果、窓材料表面の傷によって透明性が低減することを抑制できる。また、本発明は、ダイキャストに用いる金型にも適用可能である。この場合、無機絶縁層は、金型表面を被覆する耐摩耗性皮膜もしくは絶縁膜として使用することができる。
１：絶縁シート
２：樹脂シート
３：無機絶縁層
３ａ：第１無機絶縁粒子
３ｂ：第２無機絶縁粒子
３ｐ：突出部
４ａ：第１樹脂層
４ｂ：第２樹脂層
５ａ：第１樹脂
５ｂ：第２樹脂
６ａ：第１無機絶縁フィラー
６ｂ：第２無機絶縁フィラー
７：樹脂部
８：実装構造体
９：電子部品
１０：配線基板
１１：導電バンプ
１２：コア基板
１３：配線層
１４：樹脂基体
１５：スルーホール導体
１６：絶縁体
１７：絶縁層
１８：導電層
１９：ビア導体
Ｖ１：第１空隙
Ｖ２：第２空隙
Ｏ：開口

Claims (5)

  1. 支持シートと、該支持シート上に形成された絶縁層と、を備え、
    該絶縁層は、無機絶縁層を有し、
    該無機絶縁層は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、互いに結合した第１無機絶縁粒子と、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であり、前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接着された第２無機絶縁粒子とを含むことを特徴とする絶縁シート。
  2. 請求項１に記載の絶縁シートにおいて、
    前記絶縁層は、前記無機絶縁層上に形成された、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１樹脂層をさらに有することを特徴とする絶縁シート。
  3. 請求項１に記載の絶縁シートを、前記支持シートが最外層となるように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１樹脂層を介して支持部材上に積層する工程と、
    前記第１樹脂層を、前記熱硬化性樹脂の硬化開始温度以上、前記支持シートに含まれる樹脂の融点未満で加熱することにより、前記無機絶縁層を、前記第１樹脂層を介して前記支持部材に接着させる工程と、
    前記無機絶縁層から前記支持シートを除去する工程と、
    を備えることを特徴とする構造体の製造方法。
  4. 請求項１に記載の絶縁シートを準備する工程と、
    前記絶縁層から前記支持シートを除去する工程と、
    前記絶縁層の前記支持シート側に配されていた主面上に導電層を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする構造体の製造方法。
  5. 請求項４に記載の構造体の製造方法において、
    前記絶縁シートは、前記支持シートと前記無機絶縁層との間に形成された第２樹脂層をさらに有しており、
    前記絶縁層の前記支持シート側に配されていた主面上に前記導電層を形成する工程は、前記第２樹脂層の前記支持シート側に配されていた主面上に前記導電層を形成する工程である構造体の製造方法。
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