JP5710066B2 - 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法に関するものである。

従来、電子機器に使用される実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが知られている。

この配線基板としては、例えば、特開平８−１１８１９４号公報に開示されたもののように、樹脂材料からなる絶縁層を有する配線基板が用いられている。この配線基板では、絶縁層に、電子部品よりも熱膨張率が大きい樹脂材料を使用しているために、配線基板の熱膨張率が電子部品の熱膨張率よりも大きくなりやすい。

その結果、電子部品の実装時や作動時に実装構造体に熱が加わると、配線基板と電子部品との熱膨張率の差に起因して、配線基板と電子部品との接続部に熱応力が加わりやすい。したがって、配線基板と電子部品との接続信頼性が低下しやすくなり、実装構造体の電気的信頼性が低下しやすくなる。

本発明は、実装構造体の電気的信頼性を向上する要求に応える配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態における配線基板は、無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面に形成された第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に形成された第２樹脂層と、該第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に部分的に形成された導電層とを有する。前記無機絶縁層は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されている。前記第１樹脂層の一部および前記第２樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいる。

また、本発明の一実施形態における実装構造体は、前述した配線基板と、該配線基板の前記第２樹脂層側の一主面に実装された電子部品とを備える。

本発明の一実施形態における配線基板の製造方法は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成された無機絶縁層を準備する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層の一主面に未硬化の第１樹脂材料からなる第１樹脂前駆体を層状に配置する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層の他主面に未硬化の第２樹脂材料からなる前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第１樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第１樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第１樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第１樹脂前駆体を前記第１樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第２樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第２樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第２樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第２樹脂前駆体を前記第２樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第２樹脂前駆体を第２樹脂層にする工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に導電層を形成する工程とを備える。

本発明の一実施形態における配線基板によれば、絶縁層が第１樹脂層および第２樹脂層の間に配された無機絶縁層を含んでいるため、絶縁層の熱膨張率を低減することができる。したがって、配線基板と電子部品との接続信頼性を高めることができるため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。

また、本発明の一実施形態における実装構造体によれば、前述した配線基板を備えているため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施形態における配線基板の製造方法によれば、電子部品との接続信頼性に優れた配線基板を作製することができるため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施形態における実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。 図１のＲ１部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図２のＲ２部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図２のＲ３部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）ないし（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図５（ｃ）のＲ４部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図７（ｂ）のＲ５部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図１０（ｂ）のＲ６部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。

＜実装構造体＞
以下に、本発明の一実施形態における配線基板を含む実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１に示した実装構造体１は、例えば、各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、この電子部品２が一主面に実装された配線基板３とを含んでいる。

電子部品２は、半田などの導電材料を含むバンプ４を介して、配線基板３にフリップチップ実装されている。電子部品２には、例えばＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子を用いることができる。この電子部品２は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化ケイ素などの半導体材料によって形成されている。

電子部品２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。電子部品２の平面方向（ＸＹ平面方向）の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、電子部品２の厚みは、電子部品２の断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することによって測定される。また、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。以下、各部材の厚みおよび熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。

配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の両主面に形成された一対の配線層６とを含んでいる。配線基板３の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。配線基板３のヤング率は、例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下である。配線基板３の平面方向の熱膨張率は、例えば４ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。なお、配線基板３のヤング率は、配線基板３から矩形状の試験片を切り出し、この試験片を引張り試験機で測定して得られた単位断面積当たりの引張り応力を樹脂の伸び量で割ることによって計測できる。以下、各部材のヤング率は、特に記載した場合を除き、配線基板３と同様に測定される。

コア基板５は、配線基板３のヤング率を高めるものである。このコア基板５は、基体７と、基体７の両主面に形成された一対の導電層８Ａと、一対の導電層８Ａ同士を電気的に接続する円筒状のスルーホール導体９と、円筒状のスルーホール導体９の内部に充填された絶縁体１０とを含む。

基体７は、コア基板５のヤング率を高めるものである。この基体７は、一対の無機絶縁層１１Ａと、一対の無機絶縁層１１Ａ同士の間に位置する第１樹脂層１２Ａと、無機絶縁層１１Ａの第１樹脂層１２Ａと反対側の主面に位置する第２樹脂層１３Ａとを含む。

無機絶縁層１１Ａは、基体７のヤング率を高めるとともに、基体７の熱膨張率を低減するものである。この無機絶縁層１１Ａは、無機絶縁材料を主成分とする無機絶縁部からなり、この無機絶縁部に間隙Ｇが形成されている。そして、図２に示すように、この間隙Ｇには、後述する、第１樹脂層１２Ａの一部と第２樹脂層１３Ａの一部とが入り込んでいる。

無機絶縁層１１Ａの厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下であり、これは、第１樹脂層１２Ａの厚みの例えば５％以上５０％以下に相当する。また、無機絶縁層１１Ａのヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、無機絶縁層１１Ａの平面方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。なお、無機絶縁層１１Ａのヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。

この無機絶縁層１１Ａにおける無機絶縁部の含有割合は、例えば６２体積％以上７５体積％以下である。無機絶縁層１１Ａにおける間隙Ｇの含有割合は、例えば２５体積％以上３８体積％以下である。また、間隙Ｇにおける第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａの一部の含有割合は、例えば９９．５体積％以上１００体積％以下である。また、間隙Ｇの幅は、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。なお、間隙Ｇの幅は、無機絶縁層１１Ａの断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、２０以上５０以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を間隙Ｇの幅と見なすことで求められる。

無機絶縁部は、無機絶縁材料からなる複数の第１無機絶縁粒子１４を含む。その結果、無機絶縁材料は樹脂材料に比べて熱膨張率が小さいことから、無機絶縁部の熱膨張率は小さい。したがって、無機絶縁層１１Ａの両主面に形成された第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが熱膨張する際に、無機絶縁層１１Ａが第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａを拘束するため、基体７の熱膨張率を低減することができる。

さらに、無機絶縁部に含まれる複数の第１無機絶縁粒子１４は、ネックＮを形成するように互いの一部で接続し、互いに接続した第１無機絶縁粒子１４同士に囲まれた間隙Ｇが形成されている。そして、この間隙Ｇには、第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａの一部が入り込んでいる。その結果、第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａと無機絶縁層１１Ａとの接着強度を向上させることができる。したがって、第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが無機絶縁層１１Ａから剥離することを低減できる。

さらに、図２に示すように、複数の第１無機絶縁粒子１４同士は互いに接続していることから、複数の第１無機絶縁粒子１４は互いに拘束し合っている。その結果、無機絶縁層１１Ａのヤング率を向上させることができる。したがって、第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが熱膨張する際に、無機絶縁層１１Ａが第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａを良好に拘束することができ、基体７の熱膨張率をより低減することができる。

第１無機絶縁粒子１４は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。中でも、酸化ケイ素を用いることが望ましい。酸化ケイ素は、他の無機絶縁材料と比較して誘電正接が低いため、導電層８Ａの信号伝送特性を向上させることができる。また、第１無機絶縁粒子１４は、非晶質体を用いることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１４の結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができ、無機絶縁層１１Ａにおけるクラックの発生を低減できる。

第１無機絶縁粒子１４の平均粒径は、例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。第１無機絶縁粒子１４のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下である。第１無機絶縁粒子１４の熱膨張率は、例えば０．５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。なお、第１無機絶縁粒子１４の平均粒径は、無機絶縁層１１Ａの研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、それを平均することによって測定される。以下、各部材の平均粒径は、特に記載した場合を除き、第１無機絶縁粒子１４と同様に測定される。

無機絶縁部は、第１無機絶縁粒子１４よりも平均粒径が大きい、第２無機絶縁粒子１５を含むことが望ましい。この場合、無機絶縁部は、複数の第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とが互いに一部で接続して形成される。その結果、第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は第１無機絶縁粒子１４の平均粒径よりも大きいことから、無機絶縁部にクラックが発生した場合に、クラックが第２無機絶縁粒子１５を迂回するために大きなエネルギーが必要となるため、このクラックの伸長を抑制することができる。

第２無機絶縁粒子１５は、例えば第１無機絶縁粒子１４と同様の材料からなり、同様の特性を有する。中でも、第２無機絶縁粒子１５は、第１無機絶縁粒子１４と同じ材料を用いることが望ましい。第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。なお、第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は、まず、無機絶縁層１１Ａの断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、この断面における少なくとも３０個の粒子に注目して、それぞれの粒子の断面を０．２μｍずつ研摩し、各研摩断面においてこれらの粒子の粒径を測定し、注目した粒子の直径が最大を示した値を各粒子の直径と見なし、それらの平均値を算出する。次いで、この平均値を少なくとも任意の選択した３０の断面において測定し、各断面にて算出された平均値をさらに平均することによって算出することによって求められる。

無機絶縁部における第１無機絶縁粒子１４の含有割合は、例えば２０体積％以上９０体積％以下である。無機絶縁部における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、例えば１０体積％以上８０体積％以下である。

一方、第１樹脂層１２Ａは、基体７の主要部をなすものである。この第１樹脂層１２Ａは、例えば、第１樹脂部１６Ａと、第１樹脂部１６Ａに被覆された基材１７と、第１樹脂部１６Ａに被覆されたフィラー粒子１９とを含む。第１樹脂部１６Ａの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１２Ａの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。

第１樹脂層１２Ａの厚みは、例えば０．０１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。第１樹脂層１２Ａのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。第１樹脂層１２Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下である。第１樹脂層１２Ａにおける基材１７の含有割合は、例えば２０体積％以上５０体積％以下である。第１樹脂層１２Ａにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上４０体積％以下である。

第１樹脂部１６Ａは、第１樹脂層１２Ａの主要部をなすものであり、例えば、エポキシ樹脂、ビルマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂などの樹脂材料からなる。第１樹脂部１６Ａのヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。第１樹脂部１６Ａの熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。

ここで、第１樹脂部１６Ａは、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂部１６Ａのヤング率が第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５よりも、小さいことから、第１樹脂部１６Ａは、無機絶縁層１１Ａに加わる応力を緩和し、無機絶縁層１１Ａにおけるクラックの発生または伸長を低減することができる。

基材１７は、第１樹脂層１２Ａのヤング率を高めるとともに、第１樹脂層１２Ａの平面方向の熱膨張率を低減するものである。この基材１７は、例えば、繊維によって構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものを使用することができ、この繊維は、例えば、ガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維などからなる。基材１７のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である。基材１７の平面方向の熱膨張率が例えば２ｐｐｍ/℃以上２５ｐｐｍ/℃以下である。

フィラー粒子１９は、第１樹脂層１２Ａ中に分散しており、第１樹脂層１２Ａのヤング率を高めるとともに、第１樹脂層１２Ａの熱膨張率を低減するものである。フィラー粒子１９は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。フィラー粒子１９の平均粒径は、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下である。フィラー粒子１９のヤング率は、例えば４０ＧＰａ以上９０ＧＰａ以下である。フィラー粒子１９の熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。

第２樹脂層１３Ａは、前述した導電層８Ａを支持するものである。この第２樹脂層１３Ａは、例えば、第２樹脂部１８Ａと、第２樹脂部１８Ａに被覆されて第２樹脂層１３Ａ中に分散したフィラー粒子１９とを含む。第２樹脂部１８Ａの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第２樹脂層１３Ａの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。第２樹脂層１３Ａの厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。第２樹脂層１３Ａのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。第２樹脂層１３Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下である。第２樹脂層１３Ａにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上７０体積％以下である。

第２樹脂部１８Ａは、例えば第１樹脂部１６Ａと同様の材料からなり、同様の特性を有する。また、第２樹脂部１８Ａは、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂部１６Ａと同様に、無機絶縁層１１Ａに加わる応力を緩和できる。

前述した基体７の両主面に配された導電層８Ａは、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。導電層８Ａの厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。導電層８Ａのヤング率は、例えば８０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下である。導電層８Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下である。

スルーホール導体９は、基体７を厚み方向に貫通して、基体７の両主面に形成された一対の導電層８Ａ同士の電気的な接続を図るものである。このスルーホール導体９は、例えば導電層８Ａの同様の材料からなり、同様の特性を有する。スルーホール導体９は、基体７を厚み方向に貫通した円柱状のスルーホールＴの内壁に沿って円筒状に形成されている。スルーホールＴの直径は、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。円筒状のスルーホール導体９の内部には、例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料からなる絶縁体１０が配されている。なお、スルーホール導体９は、スルーホールＴに充填されていても構わない。

前述したコア基板５の両主面に配された配線層６は、無機絶縁層１１Ｂと、無機絶縁層１１Ｂの一主面に形成された第１樹脂層１２Ｂと、無機絶縁層１１Ｂの他主面に形成された第２樹脂層１３Ｂと、第２樹脂層１３Ｂの無機絶縁層１１Ｂと反対側の主面に形成された導電層８Ｂと、導電層８Ｂを被覆する第３樹脂層２０と、厚み方向に導電層８Ｂ同士を電気的に接続するビア導体２１とを含む。

無機絶縁層１１Ｂは、配線層６のヤング率を向上させるとともに、配線層６の熱膨張率を低減するものである。この無機絶縁層１１Ｂは、例えば無機絶縁層１１Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇには、第１樹脂層１２Ｂの一部および第２樹脂層１３Ｂの一部が入り込んでいる。

第１樹脂層１２Ｂは、無機絶縁層１１Ｂと他の部材との接着層として機能するものである。この第１樹脂層１２Ｂは、例えば、第１樹脂部１６Ｂと第１樹脂部１６Ｂに被覆されたフィラー粒子１９とを含んでおり、例えば第２樹脂層１３Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。第１樹脂部１６Ｂの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１２Ｂの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。

第２樹脂層１３Ｂは、導電層８Ｂを支持するものである。この第２樹脂層１３Ｂは、第２樹脂部１８Ｂと、第２樹脂部１８Ｂに被覆されて分散して位置するフィラー粒子１９とを含んでおり、例えば第２樹脂層１３Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。第２樹脂部１８Ｂの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第２樹脂層１２Ｂの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。

導電層８Ｂは、第２樹脂層１３Ｂの無機絶縁層１１Ｂと反対の主面上に部分的に形成されて、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。導電層８Ｂは、例えば導電層８Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。

第３樹脂層２０は、第２樹脂層上に部分的に形成された導電層８Ｂを被覆して、平面方向における導電層８Ｂ同士の短絡を低減するものであり、第１樹脂層１２Ｂと同様の構成である。なお、図１に示すように、第１樹脂層１２Ｂと第３樹脂層２０とは同様の絶縁層であるが、ある一層の無機絶縁層１１に着目した際に、この無機絶縁層１１に直接接しているものが、第１樹脂層１２Ｂとなり、この無機絶縁層１１に直接接していないものが第３樹脂層２０となる。

ビア導体２１は、厚み方向に複数の導電層８Ｂ同士を電気的に接続するものであり、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを貫通している。ビア導体２１は、例えば導電層８Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。

ところで、前述したように、無機絶縁層１１と導電層８との間に、第２樹脂層１３が介在している。その結果、第２樹脂層１３は、無機絶縁層１１上に直接、導電層８が形成された場合と比較して、無機絶縁層１１および導電層８と比べてヤング率が小さいことから、無機絶縁層１１と導電層８との熱膨張率差に起因する熱応力を緩和して、導電層８が無機絶縁層１１から剥離することを低減することができる。

さらに、この第２樹脂部１８が無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込んでいることによって、アンカー効果が生じるとともに、第２樹脂層１３と、無機絶縁層１１が含む複数の第１無機絶縁粒子１４および複数の第２無機絶縁粒子１５との接触面積が大きくなる。その結果、第２樹脂層１３と無機絶縁層１１との接着強度が向上することから、導電層８が無機絶縁層１１から剥離することを良好に低減することができる。

また、無機絶縁層１１の両主面に、無機絶縁層１１よりもヤング率が小さい第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が形成されている。その結果、配線基板３に応力が印加された際に、第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が変形し、無機絶縁層１１に印加される応力を緩和することができることから、無機絶縁層１１にクラックが生じることを低減し、このクラックに起因して導電層８が断線することを良好に低減することができる。

また、第１樹脂層１２の一部および第２樹脂層１３の一部が、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が無機絶縁層１１から剥離することを良好に低減することができるため、平面方向に隣接する、導電層８同士またはスルーホール導体９同士あるいはビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。

また、図４に示すように、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３とは、間隙Ｇにおいて接続していることが望ましい。その結果、間隙Ｇが第１樹脂層１２の一部および第２樹脂層１３の一部によって充填されるため、平面方向に隣接するスルーホール導体９同士およびビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。

また、図４に示すように、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３とは、間隙Ｇにおいて曲面で接続していることが望ましい。その結果、第１樹脂層１２と第２樹脂層１３との接続面積が大きくなることから、接着強度を向上させることができる。したがって、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３との剥離を良好に低減することができるため、平面方向に隣接するスルーホール導体９同士およびビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。また、配線基板３が加熱された場合に、剥離した箇所に入り込んだ水分に起因した膨れを低減することができる。

また、図２に示すように、第２樹脂層１３において、導電層８側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合は、無機絶縁層１１側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合よりも小さいことが望ましい。その結果、第２樹脂層１３の無機絶縁層１１側の領域と無機絶縁層１１との熱膨張率の差を低減しつつ、第２樹脂層１３の導電層８側の領域と導電層８との熱膨張率を低減することができる。したがって、第２樹脂層１３と無機絶縁層１１との剥離を低減しつつ、第２樹脂層１３と導電層８との剥離を良好に低減することができる。

なお、無機絶縁層１１の一主面上に位置する第２樹脂層１３を厚みが均等になるように平面方向に二分して、無機絶縁層１１に近い方を第１領域とし、導電層８に近い方を第２領域とした場合に、第２樹脂層１３におけるフィラー粒子１９のうち、第１領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば５５％以上７０％以上であり、第２領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば３０％以上４５％以上である。

また、第３樹脂層２０は、第２樹脂層１３と同じ樹脂材料からなることが望ましい。その結果、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との接着強度を向上させることができるため、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との剥離を低減することができる。

また、図２に示すように、第３樹脂層２０において、導電層８側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合は、導電層８と反対側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合よりも小さいことが望ましい。その結果、第３樹脂層２０の導電層８側の領域と第２樹脂層１３の導電層８側の領域との熱膨張率の差を低減することができるため、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との剥離を低減することができる。

なお、無機絶縁層１１の一主面上に位置する第３樹脂層２０を厚みが均等になるように平面方向に二分して、導電層８から遠い方を第１領域とし、導電層８に近い方を第２領域とした場合に、第３樹脂層２０におけるフィラー粒子１９のうち、第１領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば５５％以上７０％以上であり、第２領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば３０％以上４５％以上である。

また、図２に示すように、無機絶縁層１１において、第２樹脂層１３側の領域における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、第１樹脂層１２側の領域における第２無機絶縁粒子１５の含有割合よりも大きくても構わない。その結果、配線基板３の表面側の方が配線基板３の内側よりも硬度を向上させることができることから、配線基板３にクラックが発生することを抑制することができる。

＜実装構造体の製造方法＞
次に、前述した実装構造体１の製造方法を、図５から図１２を参照しつつ説明する。

（１）第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５を含む固形分と、この固形分が分散した溶剤とを有する無機絶縁ゾル１１ｘを準備する。

無機絶縁ゾル１１ｘにおける固形分の含有割合は、例えば１０体積％以上５０体積％以下である。１０体積％以上とすることによって、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減するとともに、５０体積％以下とすることによって、無機絶縁ゾル１１ｘから形成される無機絶縁層１１の生産性を高めることができる。また、無機絶縁ゾル１１ｘにおける溶剤の含有割合は、例えば５０％体積以上９０体積％以下である。

無機絶縁ゾル１１ｘの固形分における第１無機絶縁粒子１４の含有割合は、例えば２０体積％以上９０体積％以下であり、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、例えば１０体積％以上８０体積％以下である。これによって、後述する（３）の工程にて、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を効果的に低減できる。

無機絶縁ゾル１１ｘに含まれる溶剤は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドおよび／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。

（２）図５（ａ）に示すように、ＰＥＴ樹脂等の樹脂材料または銅等の金属材料などによって形成された支持シート２２を準備し、支持シート２２の一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。

無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。

（３）無機絶縁ゾル１１ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させる。

ここで、溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾル１１ｘが収縮するが、溶剤は、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８に囲まれた間隙Ｇに含まれており、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル１１ｘが平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子１５を含んでいると、その分、間隙Ｇが小さくなるとともに、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル１１ｘの溶剤の蒸発時に無機絶縁ゾル１１ｘの固形分の収縮量が小さくなる。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分の収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子１５によってこのクラックの伸長を抑制できる。

無機絶縁ゾル１１ｘの乾燥は、例えば、加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤の沸点（２種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点）未満であり、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下である。

（４）残存した無機絶縁ゾル１１ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを互いの一部で接続させた無機絶縁層１１を作製する。

ここで、本実施形態における無機絶縁ゾル１１ｘは、平均粒径が微小である第１無機絶縁粒子１４を有している。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４同士を強固に接続させることができる。

無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度は、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満であることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。

さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子１４同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。

なお、第１無機絶縁粒子１４同士を強固に接続させることができる温度は、例えば第１無機絶縁粒子１４の平均粒径が１１０ｎｍ以下である場合は２５０℃程度であり、前記平均粒径が１５ｎｍ以下である場合は１５０℃程度である。また、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８に含まれる酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。

無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度は、例えば１００℃以上７００℃未満であり、加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下である。

以上のようにして、支持シート２２と、支持シート２２の一主面上に形成された無機絶縁層１１とを含む積層シート２３を作製する。

（５）図５（ｂ）に示すように、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘと、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘに被覆された基材１７と、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第１樹脂前駆体１２Ａｘを準備して、積層シート２３の無機絶縁層１１Ａを第１樹脂前駆体１２Ａｘの両主面に積層する。

次いで、図５（ｃ）に示すように、無機絶縁層１１Ａおよび第１樹脂前駆体１２Ａｘを加熱加圧して未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘを硬化させることによって、第１樹脂層１２Ａを形成する。この際、図６に示すように、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇの一部に未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが入り込み、第１樹脂材料１６Ａｘが硬化して第１樹脂部１６Ａとなり、第１樹脂層１２Ａの一部が無機絶縁層１１Ａ内に入り込むことになる。その後、支持シート２２を無機絶縁層１１Ａから剥離し、無機絶縁層１１Ａの一主面を露出させる。なお、未硬化の樹脂とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態にある樹脂である。

無機絶縁層１１Ａおよび第１樹脂前駆体１２Ａｘの加熱加圧は、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。その結果、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度以上熱分解温度未満の温度で加熱加圧する。その結果、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂材料１６Ａｘが硬化して第１樹脂部１６Ａとなる。

第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう加熱加圧においては、加熱温度は例えば１１０℃以上１８０℃以下であり、加圧圧力は例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。その後に行なう加熱加圧においては、加熱温度は例えば１９０℃以上２３０℃以下であり、加圧圧力は例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。なお、硬化開始温度は、樹脂がＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。

（６）図７（ａ）に示すように、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘと、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第２樹脂前駆体１３Ａｘを準備して、無機絶縁層１１Ａの第１樹脂層１２Ａの反対側の主面に第２樹脂前駆体１３Ａｘの両主面に積層する。

次いで、図７（ｂ）に示すように、第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘを加熱加圧して未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘを硬化させることによって、第２樹脂層１３Ａを形成する。この際、図８に示すように、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇの一部に未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが入り込み、第２樹脂材料１８Ａｘが硬化して第２樹脂部１８Ａとなり、第２樹脂層１３Ａの一部が無機絶縁層１１Ａ内に入り込むことになる。

第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘ加熱加圧は、まず、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。この際、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘの硬化開始温度以上、第１樹脂材料１６Ａおよび第２樹脂材料１８Ａの熱分解温度未満の温度で加熱する。その結果、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んだ第２樹脂材料１８Ａｘが硬化して第２樹脂部１８Ａとなる。

第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘの加熱加圧において、加熱温度は例えば９０℃以上１６０℃以下であり、加圧圧力は例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下である。また、その後の加熱は大気雰囲気中にて行なわれ、加熱温度は例えば１９０℃以上２３０℃以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。

（７）図９に示すように、基体７を厚み方向に貫通するスルーホール導体９を形成し、基体７上に導電層８Ａを形成する。具体的には、以下のように行なう。

まず、例えばドリル加工やレーザー加工などによって、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などによって、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体９を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体９の内部に、樹脂材料などを充填し、絶縁体１０を形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などによって、導電材料を絶縁体１０の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングなどを用いて被着した導電材料をパターニングすることによって、導電層８Ａを形成する。

以上のようにして、コア基板５を作製する。

（８）図１０（ａ）に示すように、導電層８Ａに、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘと未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第１樹脂前駆体１２Ｂｘを積層する。次に、第１樹脂前駆体１２Ｂｘの導電層８Ａと反対側の主面に無機絶縁層１１Ｂを積層する。次に、無機絶縁層１１Ｂの第１樹脂前駆体１２Ｂｘと反対側の主面に、未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘと未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第２樹脂前駆体１３Ｂｘを積層する。

次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘを同時に加熱加圧して、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘを硬化させることによって、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを形成する。この際、図１１に示すように、無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇ内に未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが入り込み、第１樹脂材料１６Ｂｘおよび第２樹脂材料１８Ｂｘが硬化して第１樹脂部１６Ｂおよび第２樹脂部１８Ｂになり、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂの一部が無機絶縁層１１Ｂ内に入り込むことになる。

第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘの加熱加圧は、まず、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。この際、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘの硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で加熱する。

第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘの加熱加圧における各条件は、例えば工程（６）の加熱加圧の条件と同様である。なお、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂの形成は、同時に行なわれなくてもよい。

（９）図１２（ａ）に示すように、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを厚み方向に貫通するビア導体２１を形成し、第２樹脂層１３Ｂ上に導電層８Ｂを形成する。具体的には、以下のように行なう。

まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置によって、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂにビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖの底部に導電層８（ここでは、導電層８Ａ）の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法またはサブトラクティブ法などによって、ビア孔Ｖにビア導体２１を形成するとともに第２樹脂層１３Ｂ上に導電層８Ｂを形成する。

（１０）図１２（ｂ）に示すように、（８）乃至（９）の工程を繰り返すことによって、コア基板５の両主面に一対の配線層６を形成する。そして、本工程を繰り返すことによって、配線層６をより多層化することができる。

以上のようにして、配線基板６を作製することができる。

（１１）前述した配線基板３の一主面における第２樹脂層１３Ｂが露出した面に、バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することによって、図１に示した実装構造体１を作製することができる。

前述したように、本実施形態の製造方法においては、無機絶縁層１１の両主面から間隙Ｇに第１樹脂材料１６および第２樹脂材料１８を入り込ませている。その結果、無機絶縁層１１の一主面のみから間隙Ｇに樹脂材料を入り込ませている場合に比較して、間隙Ｇに効率的に樹脂材料を入り込ませることができることから、樹脂材料が配されていない空隙の発生を低減することができる。

また、無機絶縁層１１の厚さを大きくしても、無機絶縁層１１の内部に効果的に樹脂材料を浸透させることができる。その結果、無機絶縁層１１を厚くして配線基板３のヤング率を高めることができる。したがって、配線基板３の反りや変形を低減できることから、配線基板３に電子部品２を実装する際の歩留まりを向上させることができる。

また、第１樹脂前駆体１２ｘおよび第２樹脂前駆体１３ｘは、間隙Ｇの幅よりも大きい、分散した複数のフィラー粒子１９を含むことが望ましい。その結果、第１樹脂前駆体１２Ｂｘおよび第２樹脂前駆体１３ｘの未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび第２樹脂材料１８ｘが無機絶縁層１１に入り込むことによって、複数のフィラー粒子１９が無機絶縁層１１の表層にろ過されるように凝集し、無機絶縁層１１に近い方の領域が無機絶縁層１１から遠い方の領域よりもフィラー粒子１９の含有割合が大きい、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３を形成できる。したがって、容易に第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３の両端部で熱膨張率が異なる傾斜部材を作製することができ、ひいては歩留まりを向上させることができる。

第１樹脂前駆体１２ｘにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上５５体積％以下である。第２樹脂前駆体１３ｘにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、第１樹脂前駆体１２ｘと同様である。また、第１樹脂層１２の形成後において、第１樹脂層１２におけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上７０体積％以下である。第２樹脂層１３におけるフィラー粒子１９の含有割合は、第１樹脂層１２と同様である。

また、未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８ｘは、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込む前段階においては、モノマーおよびオリゴマーのみからなる方が望ましい。その結果、モノマーおよびオリゴマーは、ポリマーに比べて分子量が小さいことから、良好に間隙Ｇに入り込むことができる。

また、未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８ｘは、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込む前段階においては、モノマーの割合がオリゴマーの割合よりも大きい方が望ましい。その結果、モノマーはオリゴマーよりも分子量が小さいことから、良好に間隙Ｇに入り込むことができる。

なお、樹脂材料において、モノマーは単量体である。オリゴマーは、モノマーが１０個以上３００個以下で結合した、比較的分子量の低い重合体である。ポリマーは３００個より多いモノマーが結合した重合体である。

また、無機絶縁層１１の両主面から間隙Ｇに第１樹脂材料１６および第２樹脂材料１８を入り込ませていることによって、一方の樹脂層から必要以上に樹脂材料が入り込むことを低減することができる。その結果、例えば工程（５）において、第１樹脂層１２Ａの両主面に形成された無機絶縁層１１Ａの厚みが第１樹脂層１２Ａの厚みよりも大きい場合に、第１樹脂材料１６Ａが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに必要以上に入り込みことを低減し、第１樹脂材料１６Ａが被覆する基材１７内における気泡の発生を低減することができる。

また、工程（２）において、支持シート２２の一主面に塗布した無機絶縁ゾル１１ｘを一定時間放置し、第１無機絶縁粒子１４よりも平均粒径が大きく質量が大きい第２無機絶縁粒子１５を、無機絶縁ゾル１１ｘ中を支持シート側に沈降させ、支持シート側により多くの第２無機絶縁粒子１５が集めても構わない。

その結果、例えば工程（５）において、第１樹脂層１２Ａ側の無機絶縁層１１の間隙Ｇの幅を小さくすることができ、第１樹脂材料１６Ａが必要以上に間隙Ｇに入り込むことを低減し、ひいては第１樹脂層１２Ａにおける気泡の発生を良好に低減することができる。

本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。

例えば、前述した本発明の実施形態は、コア基板の両主面に配線層が形成された配線基板を用いた構成を例に説明したが、コア基板のみの配線基板、あるいは配線層のみの配線基板（コアレス基板）を用いても構わない。

また、前述した本発明の実施形態は、ソルダーレジスト層についての説明を省略したが、配線基板は上下面に樹脂材料を含むソルダーレジスト層を有していても構わない。

また、前述した本発明の実施形態は、アンダーフィルについての説明を省略したが、実装構造体は配線基板と電子部品との間にアンダーフィルを有しても構わない。

また、前述した本発明の実施形態は、コア基板および配線層が無機絶縁層を含む構成を例に説明したが、コア基板のみ、あるいは配線層のみが無機絶縁層を含んでいても構わない。

また、前述した本発明の実施形態は、第１樹脂層が基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は基材を含まなくても構わない。

また、前述した本発明の実施形態は、第１樹脂層および第２樹脂層がフィラー粒子を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層および第２樹脂層はフィラー粒子を含まなくても構わない。

１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ バンプ
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８，８Ａ，８Ｂ 導電層
９ スルーホール導体
１０ 絶縁体
１１，１１Ａ，１１Ｂ 無機絶縁層
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２，１２Ａ，１２Ｂ 第１樹脂層
１２ｘ，１２Ａｘ，１２Ｂｘ 第１樹脂前駆体
１３，１３Ａ，１３Ｂ 第２樹脂層
１３ｘ，１３Ａｘ，１３Ｂｘ 第２樹脂前駆体
１４ 第１無機絶縁粒子
１５ 第２無機絶縁粒子
１６，１６Ａ，１６Ｂ 第１樹脂部
１６ｘ，１６Ａｘ，１６Ｂｘ 未硬化の第１樹脂材料
１７ 基材
１８，１８Ａ，１８Ｂ 第２樹脂部
１８ｘ，１８Ａｘ，１８Ｂｘ 未硬化の第２樹脂材料
１９ フィラー粒子
２０ 第３樹脂層
２１ ビア導体
２２ 支持シート
２３ 積層シート
Ｂ 接続面
Ｇ 間隙
Ｎ ネック
Ｔ スルーホール
Ｖ ビア孔

Claims (9)

1. 無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面に形成された第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に形成された第２樹脂層と、該第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に部分的に形成された導電層とを有し、
   前記無機絶縁層は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されており、
   前記第１樹脂層の一部および前記第２樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第１樹脂層の一部は、前記間隙において、前記第２樹脂層の一部と接していることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２樹脂層は、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を含み、
   該複数のフィラー粒子は、前記第２樹脂層中に分散しており、
   該第２樹脂層において、前記無機絶縁層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも大きいことを特徴とする配線基板。
4. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２樹脂層の一主面に、前記導電層を被覆して形成された第３樹脂層をさらに有し、該第３樹脂層は、前記第２樹脂層と同じ樹脂材料からなることを特徴とする配線基板。
5. 請求項４に記載の配線基板において、
   前記第３樹脂層は、前記複数のフィラー粒子を含み、
   該複数のフィラー粒子は、前記第３樹脂層中に分散しており、
   該第３樹脂層において、前記導電層と反対側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも大きいことを特徴とする配線基板。
6. 請求項１に記載の配線基板と、該配線基板の前記第２樹脂層側の一主面に実装された電子部品とを備えた実装構造体。
7. 互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成された無機絶縁層を準備する工程と、
   前記無機絶縁層の一主面に未硬化の第１樹脂材料からなる第１樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
   前記無機絶縁層の他主面に未硬化の第２樹脂材料からなる前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
   前記第１樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第１樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第１樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
   前記無機絶縁層および前記第１樹脂前駆体を前記第１樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程と、
   前記第２樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第２樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第２樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
   前記無機絶縁層および前記第２樹脂前駆体を前記第２樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第２樹脂前駆体を第２樹脂層にする工程と、
   前記第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に導電層を形成する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
   前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程を、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に、前記第２樹脂材料の一部を入り込ませる工程の前に行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
   前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程で、前記無機絶縁層の他主面に、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を分散させた前記第２樹脂前駆体を層状に配置することを特徴とする配線基板の製造方法。

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