JP5629804B2 - 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート - Google Patents

配線基板およびその製造方法ならびに積層シート Download PDF

Info

Publication number
JP5629804B2
JP5629804B2 JP2013105611A JP2013105611A JP5629804B2 JP 5629804 B2 JP5629804 B2 JP 5629804B2 JP 2013105611 A JP2013105611 A JP 2013105611A JP 2013105611 A JP2013105611 A JP 2013105611A JP 5629804 B2 JP5629804 B2 JP 5629804B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inorganic insulating
resin
layer
resin layer
insulating particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013105611A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013201445A (ja
Inventor
林　桂
桂 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2013105611A priority Critical patent/JP5629804B2/ja
Publication of JP2013201445A publication Critical patent/JP2013201445A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5629804B2 publication Critical patent/JP5629804B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
    • H05K3/4655—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern by using a laminate characterized by the insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0175—Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0195—Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1152—Replicating the surface structure of a sacrificial layer, e.g. for roughening
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）や輸送機、建物等あらゆる物に使用される配線基板およびその製造方法ならびにそれに用いられる積層シートに関するものである。
従来、電子機器に用いられる配線基板として、樹脂層と、セラミック層とを備えた配線基板が知られている。
例えば、特許文献１には、金属箔の片面にセラミックを溶射してセラミック層を形成し、該金属箔のセラミック層側と接するようにプリプレグを積層して熱圧成形して形成された配線基板が記載されている。
特開平２−２５３９４１号公報
しかしながら、一般的に、セラミック層と樹脂層とは接着強度が低いため、配線基板に応力が印加された場合、セラミック層と樹脂層とが剥離しやすい。それ故、該剥離に起因して配線に断線が生じやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
従って、電気的信頼性を改良した配線基板を提供することが望まれている。
本発明は、電気的信頼性を改善した配線基板を提供することによって上記要求を解決する。
本発明は、アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層上に配された第１樹脂層と、該第１樹脂層上に配された第２樹脂層とを含み、
前記導電層は、前記第１樹脂層上に部分的に形成されているとともに、一主面が第１樹脂層に当接しており、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層の前記導電層が形成されていない領域上に形成されているとともに、前記導電層の側面及び他主面に当接しており、
前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも厚みが小さく、且つ弾性率が低い配線基板である。
また、本発明は、アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
前記導電層は、一主面が前記無機絶縁層に当接しており、
前記樹脂層は、前記無機絶縁層の前記導電層が形成されていない領域上に形成されているとともに、前記導電層の側面及び他主面に当接している配線基板である。
また、本発明は、アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
前記無機絶縁層は、複数積層されており、
隣接する前記無機絶縁層は、前記樹脂層を介して互いに接続した配線基板である。
また、本発明は、アモルファス状態の酸化ケイ素からなる無機絶縁粒子を含む無機絶縁ゾルを塗布する工程と、
前記無機絶縁粒子を、酸化ケイ素の結晶化開始温度未満で加熱して互いに接続させることにより、アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層を形成する工程と、
該無機絶縁層上に配された樹脂層を形成する工程と、
前記無機絶縁層上に配された導電層を形成する工程とを備えた配線基板の製造方法である。
上記構成によれば、電気的信頼性を改善した配線基板を提供することができる。
図１Ａは、本発明の第１実施形態にかかる配線基板を備えた実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。 図２Ａは、２つの第１無機絶縁粒子が結合した様子を模式的に現したものであり，図２Bは、図１Ａに示した実装構造体のＲ２部分を拡大して示した断面図である。 図３は、図１Ｂに示した実装構造体のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 図４Ａ乃至図４Ｆは、図１Ａに示す配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図５Ａ乃至図５Ｃは、図１Ａに示す配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、図１Ａに示す配線基板の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、試料１の積層板を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図８Ａは、図７ＢのＲ４部分を拡大した写真であり、図８Ｂは、試料２の積層板を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図９Ａは、図８ＢのＲ５部分を拡大した写真であり、図９Ｂは、試料３の積層板を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図１０Ａは、試料４の積層板を厚み方向に切断した断面の一部を、電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真であり、図１０Ｂは、図１０ＡのＲ６部分を拡大した写真である。 図１１Ａは、試料５の積層板を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真であり、図１１Ｂは、試料６の積層板の無機絶縁層を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図１２Ａは、試料７の積層板の無機絶縁層を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真であり、図１２Ｂは、試料８の積層板の無機絶縁層を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図１３Ａは、試料９の積層板の無機絶縁層を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真であり、図１３Ｂは、試料１０の積層板の無機絶縁層を厚み方向に切断した断面の一部を電界放出型電子顕微鏡により撮影した写真である。 図１４は、第１無機絶縁粒子をレーザーラマン分光装置によって分析した測定結果である。 図１５は、第２無機絶縁粒子をレーザーラマン分光装置によって分析した測定結果である。
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を、図面に基づいて詳細に説明する。
図１Ａに示した配線基板３は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。
この配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の上下面に形成された一対の配線層６とを含んでおり、電子部品２を支持するとともに、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を電子部品２へ供給する機能を有する。
なお、電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電材料からなるバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。
以下、配線基板３の構成について詳細に説明する。
（コア基板）
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、配線層６を支持する基体７と、基体７に設けられたスルーホールと、該スルーホール内に設けられ、一対の配線層６同士を電気的に接続する筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８に取り囲まれた絶縁体９を含んでいる。
基体７は、樹脂基体１０と該樹脂基体１０上下面に設けられた第１無機絶縁層１１ａと基体７の最外層に配されるように該第１無機絶縁層１１ａの一主面に設けられた第１樹脂層１２ａを有する。
樹脂基体１０は、基体７の主要部をなすものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された基材を含む。樹脂基体１０は、厚みが例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定され、平面方向への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、厚み方向への熱膨張率が例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０１以上０．０２以下に設定されている。
ここで、樹脂基体１０の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、樹脂基体１０の誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により測定される。以下、第１及び第２樹脂層１２ａ、１２ｂや第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂをはじめとする各部材の熱膨張率及び誘電正接は、樹脂基体１０と同様に測定される。
樹脂基体１０の樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成することができる。前記樹脂部は、弾性率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、硬度が例えば０．０２ＧＰａ以上０．５ＧＰａ以下に設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
ここで、樹脂基体１０の樹脂部の弾性率及び硬度は、ＩＳＯ１４５７７‐１：２００２に準じた次の方法で測定される。まず、樹脂基体１０の樹脂部を厚み方向に沿って切断し、切断面をアルゴンイオンで研摩する。次に、ナノインデンターを用いて、該ナノインデンターのダイヤモンドからなるバーコビッチ圧子に荷重を印加して、該圧子を研磨面に対して押し込む。次に、押し込まれた圧子に印加された荷重を該圧子の接触投影面積で除算することによって、硬度を算出する。また、押し込む際の荷重と押し込み深さの関係から荷重‐変位曲線を求め、該荷重‐変位曲線から弾性率を算出する。この測定は、例えば、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いることができる。以下、第１及び第２樹脂層１２ａ、１２ｂや第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂをはじめとする各部材の弾性率及び硬度は、樹脂基体１０の樹脂部と同様に測定される。
樹脂基体１０に含まれる前記基材は、樹脂基体１０の平面方向の熱膨張率を低減するとともに、樹脂基体１０の剛性を高めるものである。前記基材は、例えば、複数の繊維からなる織布若しくは不織布又は複数の繊維を一方向に配列した繊維群により形成することができる。前記繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
本実施形態においては、樹脂基体１０は、さらに、無機絶縁材料により形成された多数の第１フィラー粒子から成る第１フィラー１３ａを含有している。その結果、樹脂基体１０の熱膨張率を低減するとともに、樹脂基体１０の剛性を高めることができる。第１フィラー粒子は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム又は炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができる。第１フィラー粒子は、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定される。また、樹脂基体１０の樹脂部と第１フィラー１３ａの体積の合計に対する第１フィラー１３ａの体積の割合（以下、「第１フィラー１３ａの含有量」という）が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。
ここで、第１フィラー粒子の粒径は、次のように測定される。まず、樹脂基体１０の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、該測定された最大粒径を第１フィラー粒子の粒径とする。また、第１フィラー１３ａの含有量(体積％)は、樹脂基体１０の研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて、樹脂基体１０の樹脂部に占める第１フィラー１３ａの面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
一方、樹脂基体１０の上下面に形成された第１無機絶縁層１１ａは、低誘電正接及び低熱膨張率である酸化ケイ素を含む無機絶縁材料により構成されており、樹脂材料と比較して剛性が高いことから、基体７の剛性を高める機能を有する。
第１無機絶縁層１１ａの平面方向の熱膨張率は、一般的な樹脂材料の平面方向の熱膨張率と比較して低いため、配線基板３の平面方向への熱膨張率を電子部品２の平面方向への熱膨張率に近づけることができ、熱応力に起因した配線基板３の反りを低減できる。
第１無機絶縁層１１ａの厚み方向の熱膨張率は、平面方向の熱膨張率が低い樹脂フィルムの厚み方向の熱膨張率よりも小さいため、樹脂フィルムを用いた場合に比較して、基体７の厚み方向の熱膨張率を低減することができ、基体７とスルーホール導体８との熱膨張率の違いに起因した熱応力を小さくし、スルーホール導体８の断線を低減できる。
第１無機絶縁層１１ａは、一般的に、無機絶縁材料は樹脂材料よりも誘電正接が低く、しかも、樹脂基体１０よりも配線層６に対して近接して配置されていることから、コア基板５の上下面に配置された配線層６の信号伝送特性を高めることができる。
第１無機絶縁層１１ａの厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下、及び／又は樹脂基体１０の３％以上１０％以下に設定される。また、第１無機絶縁層１１ａの弾性率は、１０ＧＰａ以上４５ＧＰａ以下、及び／又は、樹脂基体１０の樹脂部の５倍以上１００倍以下に設定されている。また、第１無機絶縁層１１ａの硬度は、０．５ＧＰａ以上４ＧＰａ以下、及び／又は、樹脂基体１０の樹脂部の２倍以上１００倍以下に設定されている。また、第１無機絶縁層１１ａは、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．００１以下に設定されている。
第１無機絶縁層１１ａを構成する無機絶縁材料としては、例えば酸化ケイ素を９０重量％以上含む無機絶縁材料を用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を９９重量％以上１００重量％未満含む無機絶縁材料を用いることが望ましい。酸化ケイ素を９０重量％以上１００重量％未満含む無機絶縁材料を用いる場合は、該無機絶縁材料は酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム又は酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含んでも構わない。
また、第１無機絶縁層１１ａに含まれる酸化ケイ素は、アモルファス（非晶質）状態である。アモルファス状態の酸化ケイ素は、結晶状態の無機絶縁材料と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板３の加熱後配線基板３が冷却される際に、第１無機絶縁層１１ａの収縮を厚み方向及び平面方向にてより均一にすることができ、第１無機絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を低減できる。なお、アモルファス状態である酸化ケイ素は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。
ここで、酸化ケイ素の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、１００％結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をＸ線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をＸ線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査試料の結晶相領域の体積比が測定される。
上述した第１無機絶縁層１１ａは、図１Ｂに示すように、複数の第１無機絶縁粒子１４ａと該第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子１４ｂとを含む。この第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂは、例えば、上述した酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム又は酸化カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができる。また、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂの合計体積に対して第１無機絶縁粒子１４ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、前記合計体積に対して第２無機絶縁粒子１４ｂを１０体積％以上８０体積％以下含んでいる。
第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されており、図２Ａに示すように、互いに結合することにより、第１無機絶縁層１１ａの内部が緻密に形成されている。なお、第１無機絶縁粒子１４ａの弾性率は、例えば１０ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に設定され、第１無機絶縁粒子１４ａの硬度は、例えば０．５ＧＰａ以上２ＧＰａ以下に設定されている。
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されており、第１無機絶縁粒子１４ａと結合することによって、第１無機絶縁粒子１４ａを介して互いに接着している。なお、第２無機絶縁粒子１４ｂの弾性率は、例えば４０ＧＰａ以上７５ＧＰａ以下に設定され、及び／又は第１無機絶縁粒子１４ａの弾性率の例えば２倍以上７倍以下に設定されている。また、第２無機絶縁粒子１４ｂの硬度は、例えば５ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定され、及び／又は第１無機絶縁粒子１４ａの硬度の例えば３倍以上２０倍以下に設定されている。
ここで、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁層１１ａの研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察することにより確認される。また、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの体積％は、次のように算出される。まず、第１無機絶縁層１１ａの研摩面を電界放出型電子顕微鏡で撮影する。次に、撮影した画像から画像解析装置等を用いて、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの面積比率（面積％）を測定する。そして、該測定値の平均値を算出することにより第１及び第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂの体積％が算出される。また、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの粒径は、無機絶縁層１１の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該撮影した拡大断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。
一方、無機絶縁層１１ａの一主面に形成された第１樹脂層１２ａは、無機絶縁層１１ａと後述する導電層１５との間に介されており、第１無機絶縁層１１ａと導電層１５との間の熱応力を緩和する機能、及び第１無機絶縁層１１ａのクラックに起因した導電層１５の断線を低減する機能を有するものであり、一主面が第１無機絶縁層１１ａと、他主面が導電層１５と当接しており、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された第２フィラー１３ｂとを含む。
また、第１樹脂層１２ａは、厚みが例えば０．１μｍ以上５μｍ以下に設定され、弾性率が例えば０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下に設定され、硬度が例えば０．０１ＧＰａ以上０．３ＧＰａに設定され、厚み方向及び平面方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．００５以上０．０２以下に設定されている。
第１樹脂層１２ａに含まれる樹脂部は、第１樹脂層１２ａの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。
第１樹脂層１２ａに含まれる第２フィラー１３ｂは、第１樹脂層１２ａの難燃性を高める機能や後述する取り扱い時に積層シート同士が接着してしまうことを抑制する機能を有し、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料により形成された多数の第２フィラー粒子から成る。この第２フィラー粒子は、粒径が例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下に設定されており、第１樹脂層１２ａにおける含有量が例えば０体積％以上１０体積％以下に設定されている。なお、第２フィラー粒子の粒径や含有量は、第１フィラー粒子と同様に測定される。
また、基体７には、該基体７を厚み方向に貫通し、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状であるスルーホールが設けられている。スルーホールの内部には、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するスルーホール導体８がスルーホールの内壁に沿って筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
筒状に形成されたスルーホール導体８の中空部には、絶縁体９が柱状に形成されている。絶縁体９は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成することができる。
（配線層）
一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。
一対の配線層６のうち、一方の配線層６は電子部品２に対して半田３を介して接続され、他方の配線層６は、図示しない接合材を介して図示しない外部配線基板と接続される。
各配線層６は、第１樹脂層１２ａ上又は後述する第３樹脂層１２ｃ上に部分的に形成された複数の導電層１５と、該第１樹脂層１２ａ上又は第３樹脂層１２ｃ上の導電層１５が形成されていない領域上に形成された複数の第２樹脂層１２ｂと、該第２樹脂層１２ｂ上に形成された複数の第２無機絶縁層１１ｂと、該第２無機絶縁層１１ｂ上に形成された複数の第３樹脂層１２ｃと、第２樹脂層１２ｂ、第２無機絶縁層１１ｂ及び第３樹脂層１２ｃを貫通する複数のビア孔と、該ビア孔内に形成された複数のビア導体１６と、を含んでいる。また、導電層１５及びビア導体１６は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線及び／又は信号用配線を構成している。
複数の導電層１５は、第２樹脂層１２ｂ、第２無機絶縁層１１ｂ及び第３樹脂層１２ｃを介して厚み方向に互いに離間するとともに、第２樹脂層１２ｂを介して平面方向に互いに離間している。導電層１５は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成することができる。また、導電層１５は、その厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
第２樹脂層１２ｂは、導電層１５の側面及び他主面に当接しており、厚み方向又は平面方向に沿って離間した導電層１５同士の短絡を防止する絶縁部材として機能するものである。第２樹脂層１２ｂは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成することができる。
第２樹脂層１２ｂの厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、及び／又は第１樹脂層１２ａの厚みの例えば１．５倍以上２０倍以下に設定されている。また、第２樹脂層１２ｂの弾性率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、及び／又は第１樹脂層１２ａの弾性率の例えば２倍以上１００倍以下に設定されている。また、第２樹脂層１２ｂの硬度は、例えば０．０５ＧＰａ以上２ＧＰａ以下に設定され、及び／又は第１樹脂層１２ａの硬度の例えば５倍以上２０倍以下に設定されている。また、第２樹脂層１２ｂの誘電正接は、例えば０．０１以上０．０２以下に設定され、第２樹脂層１２ｂの厚み方向及び平面方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第２樹脂層１２ｂの厚みは、第１樹脂層１２ａ上又は第３樹脂層１２ｃ上における厚みである。
また、本実施形態においては、第２樹脂層１２ｂは、無機絶縁材料により形成された多数の第３フィラー粒子から成る第３フィラー１３ｃを含有している。この第３フィラー１３ｃは、第１フィラー１３ａと同様の材料により形成することができ、第２樹脂層１２ｂの熱膨張率を低減するとともに、第２樹脂層１２ｂの剛性を高めることができる。
第２無機絶縁層１１ｂは、第３樹脂層１２ｃ及び第２樹脂層１２ｂを介して隣接する第２無機絶縁層１１ｂと接続しており、上述した基体７に含まれる第１無機絶縁層１１ａと同様に、樹脂材料と比較して剛性が高く熱膨張率及び誘電正接が低い無機絶縁材料により構成されていることから、上述した基体７に含まれる第１無機絶縁層１１ａと同様の効果を奏する。なお、第２無機絶縁層１１ｂは、第１無機絶縁層１１ａに隣接する場合、第１樹脂層１２ａ及び第２樹脂層１２ｂを介して第１無機絶縁層１１ａと接続している。
第２無機絶縁層１１ｂの厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下、及び／又は、第２樹脂層１２ｂの厚みの０．５倍以上１０倍以下（好ましくは０．８倍以上１．２倍以下）に設定されている。その他の構成は、図２Ｂに示すように、上述した第１無機絶縁層１１ａと同様の構成である。
第３樹脂層１２ｃは、第２無機絶縁層１１ｂと導電層１５との間に介され、上述した基体７に含まれる第１樹脂層１２ａと同様の構成を有する。それ故、上述した基体７に含まれる第１樹脂層１２ａと同様の効果を奏する。
ビア導体１６は、厚み方向に互いに離間した導電層１５同士を相互に接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料により形成することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
（第１及び第２無機絶縁層）
ところで、例えば電子部品２と配線基板３の熱膨張率の違いに起因した熱応力や機械的応力等の応力が配線基板３に印加された場合、第１無機絶縁層１１ａと樹脂基体１０の樹脂部若しくは第１樹脂層１２ａとが、又は第２無機絶縁層１１ｂと第２樹脂層１２ｂ若しくは第３樹脂層１２ｃとが、剥離することがある。
一方、本実施形態において、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率は、４５ＧＰａ以下に設定されており、一般的なアモルファス状態の酸化ケイ素からなる材料であるシリカガラス（弾性率は７２ＧＰａ程度）よりも、小さく設定されているため、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率を、一般的に無機絶縁材料よりも弾性率の小さい樹脂材料によって構成された樹脂基体１０の樹脂部、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層１２ｂ及び第３樹脂層１２ｃの弾性率に近づけることができる。それ故、第１無機絶縁層１１ａと樹脂基体１０の樹脂部若しくは第１樹脂層１２ａとの剥離、又は、第２無機絶縁層１１ｂと第２樹脂層１２ｂ若しくは第３樹脂層１２ｃとの剥離を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
また、本実施形態のように、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率は、１０ＧＰａ以上に設定されていることが望ましい。その結果、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率を、樹脂基体１０の樹脂部、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層１２ｂ及び第３樹脂層１２ｃの弾性率よりも高め、配線基板３の剛性を高めることができる。また、低熱膨張である第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率を高めることによって、配線基板３の熱膨張率をより低減することができる。
また、本実施形態において、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの硬度は、０．５ＧＰａ以上４ＧＰａ以下に設定されている。
（第１及び第２無機絶縁粒子）
ところで、例えば電子部品２と配線基板３の熱膨張率の違いに起因した熱応力や機械的応力等の応力が配線基板３に印加された場合、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が剥離することにより、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂのクラックが生じることがある。
一方、本実施形態の配線基板３においては、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂを含む。従って、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂにクラックが生じても、クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂによってクラックの伸長を阻止したり、あるいは、第２無機絶縁粒子の表面に沿ってクラックを迂回させたりすることができる。その結果、クラックが第１または第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂを貫通して導電層１５に達することが抑制され、該クラックを起点とした導電層１５の断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。クラックの伸長を阻止したり、クラックを迂回させたりするには、第２無機絶縁粒子の粒径が０．５μｍ以上である場合が特に好ましい。
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは粒径が大きいため、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂを第２無機絶縁粒子のみで構成すると、１つの第２無機絶縁粒子の周囲に多くの他の第２無機絶縁粒子を配置することが困難となり、結果的に、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接触面積が小さくなり、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接着強度は小さくなりやすい。これに対して、本実施形態の配線基板３においては、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂは、粒径の大きな第２無機絶縁粒子１４ｂのみならず粒径の小さい第１無機絶縁粒子１４ａを含み、第２無機絶縁粒子同士は、該第２無機絶縁粒子の周囲に配置された複数の第１無機絶縁粒子１４ａを介して接合している。それ故、第２無機絶縁粒子と第１無機絶縁粒子との接触面積を大きくすることができ、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の剥離を低減することができる。かかる効果は、第１無機絶縁粒子の粒径が１１０ｎｍ以下に設定されている場合に特に顕著となる。
一方、本実施形態の配線基板３においては、第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されている。このように、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が非常に小さいため、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に結合する。その結果、第１及び第２無機絶縁粒子自体がアモルファス状態のままで該粒子同士が結合し、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂがアモルファス状態となる。それ故、上述した如く、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの熱膨張率の異方性が小さくなる。なお、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていると、第１無機絶縁粒子１４ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第１無機絶縁粒子１４ａ同士が強固に結合すると推測される。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。
また、本実施形態においては、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士が互いに離間するように、個々の第２無機絶縁粒子１４ｂは複数の第１無機絶縁粒子１４ａによって被覆されている。その結果、接着強度が低く且つ剥離しやすい第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の接触が防止され、第２無機絶縁粒子１４ｂの剥離を抑制でき、ひいては、第２無機絶縁粒子に起因したクラックの発生及び伸長を低減することができる。
第１無機絶縁粒子１４ａは、本実施形態のように、球状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子間の空隙に多くの第１無機絶縁粒子１４ａを充填しやすくなる上、第１無機絶縁粒子１４ａ間の空隙の体積が低減され、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの内部構造を緻密にでき、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの剛性を向上させることができる。
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、本実施形態のように、曲面状であることが望ましく、さらには球状であることがより望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂの表面が滑らかになり、該表面における応力が分散され、第２無機絶縁粒子１４ｂの表面を起点とした第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂのクラックの発生を低減することができる。
第２無機絶縁粒子１４ｂは、本実施形態のように、第１無機絶縁粒子１４ａよりも硬度が高いことが望ましい。第１無機絶縁粒子１４ａの硬度を小さくすることによって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの硬度を低減しつつ、第２無機絶縁粒子１４ｂの硬度を大きくすることによって、クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、該クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂの内部へ伸長することを低減し、ひいては第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂにおけるクラックの伸長を低減することができる。また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、本実施形態のように、第１無機絶縁粒子１４ａよりも弾性率が高いことが望ましい。
（第１及び第２無機絶縁粒子の分子構造）
ところで、アモルファス状態の酸化ケイ素は、分子同士が環状に結合した多員環構造をとることが知られている。この多員環構造は、ラマン分光法を用いることによって、詳細に分析することができ、例えば、ラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値は、多員環構造における３員環構造の占める割合を示すことが知られている。また、アモルファス状態の酸化ケイ素において、ラマンシフトが６００ｃｍ−１におけるラマン散乱強度の値は、ラマンシフトが６２０ｃｍ−１におけるラマン散乱強度の値よりも大きい。
一方、本実施形態において、第１無機絶縁粒子１４ａのラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値は、第１無機絶縁粒子１４ａのラマンシフトが６００ｃｍ−１におけるラマン散乱強度の値よりも小さい。すなわち、第１無機絶縁粒子１４ａは、多員環構造において３員環構造の占める割合が小さい。その結果、第１無機絶縁粒子１４ａは、分子同士が密に配置される３員環構造が少なく、密度が小さいため、弾性率及び硬度が小さい。それ故、この第１無機絶縁粒子１４ａによって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率及び硬度を小さくすることができる。
また、第１無機絶縁粒子１４ａは、多員環構造において３員環構造の占める割合が小さいため、樹脂材料との接着強度が高めることができる。これは、第１無機絶縁粒子１４ａは、３員環構造が少ないことから、環状構造によって囲まれた領域が大きく、この領域に樹脂分子の一部が入り込みやすくなるため、酸化ケイ素分子と樹脂分子との親和性が高くなることに起因すると推定される。それ故、この第１無機絶縁粒子１４ａを第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの主面に配することによって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと、樹脂基体１０の樹脂部、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層１２ｂ及び第３樹脂層１２ｃと、の接着強度を高めることができる。
なお、第１無機絶縁粒子１４ａは、ラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲において、ラマン散乱強度のピークを有していないことが望ましい。
ここで、第１無機絶縁粒子１４ａのラマン散乱強度は、レーザーラマン分光装置を用いて、第１無機絶縁粒子１４ａに対するレーザー（波長５１４．５３ｎｍ）の照射によって生じるラマンスペクトルを観察することにより、測定される。この測定には、例えば、株式会社堀場製作所製レーザーラマン分光装置ＬａｂＲＡＭ ＨＲ‐８００を用いることができる。以下、第２無機絶縁粒子１４ｂにおいても、第１無機絶縁粒子１４ａと同様にラマン散乱強度が測定される。
一方、本実施形態において、第２無機絶縁粒子１４ｂは、ラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値は、第１無機絶縁粒子１４ａのラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値よりも大きい。それ故、第２無機絶縁粒子１４ｂの多員環構造において３員環構造の占める割合を、第１無機絶縁粒子１４ａの多員環構造において３員環構造の占める割合よりも大きくすることができ、ひいては第２無機絶縁粒子１４ｂの弾性率及び硬度を第１無機絶縁粒子１４ａよりも大きくすることができる。
また、本実施形態のように、第２無機絶縁粒子１４ｂのラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値は、第２無機絶縁粒子１４ｂのラマンシフトが６００ｃｍ−１におけるラマン散乱強度の値よりも大きいことが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂの多員環構造において３員環構造の占める割合をより大きくし、第２無機絶縁粒子１４ｂの弾性率及び硬度をより大きくすることができる。
この第２無機絶縁粒子１４ｂは、本実施形態のように、第１無機絶縁粒子１４ａを介して、樹脂基体１０の樹脂部、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層１２ｂ及び第３樹脂層１２ｃと接続されていることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂよりも多員環構造において３員環構造の占める割合が小さく樹脂材料との接着強度の高い第１無機絶縁粒子１４ａによって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと、樹脂基体１０の樹脂部、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層１２ｂ及び第３樹脂層１２ｃと、の接着強度を高めることができる。なお、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの主面は、第１無機絶縁粒子１４ａのみからなることが望ましい。
また、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂのラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値は、第２無機絶縁粒子１４ｂのラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値よりも小さい。その結果、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの弾性率及び硬度を第２無機絶縁粒子１４ｂよりも小さくすることができる。
ここで、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂのラマン散乱強度は、株式会社堀場製作所製レーザーラマン分光装置ＬａｂＲＡＭ ＨＲ‐８００を用いて、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂの厚み方向に沿って切断した断面に対するレーザー（波長５１４．５３ｎｍ）の照射によって生じるラマンスペクトルを観察することにより、測定される。
（第３及び第４無機絶縁粒子）
また、本実施形態の配線基板３においては、図３に示すように、第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が３ｎｍ以上１５ｎｍ以下に設定された第３無機絶縁粒子１４ｃと、粒径が３５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定された第４無機絶縁粒子１４ｄと、を含む。
この場合、第３無機絶縁粒子１４ｃが非常に小さいため、該各第３無機絶縁粒子１４ｃと他の第３無機絶縁粒子１４ｃまたは第４無機絶縁粒子１４ｄとの接触面積が大きくなり、第３無機絶縁粒子同士もしくは第３及び第４無機絶縁粒子同士を強固に結合することができる。また、仮に第３無機絶縁粒子が剥離し、クラックが発生したとしても、第３無機絶縁粒子１４ｃよりも粒径が大きな第４無機絶縁粒子１４ｄによってクラックの伸長が良好に抑制される。
第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂの合計体積に対して第３無機絶縁粒子１４ｃを１０体積％以上５０体積％以下含み、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂの合計体積に対して第４無機絶縁粒子１４ｄを１０体積％以上４０体積％以下含むことが望ましい。第３無機絶縁粒子１４ｃを１０体積％以上含むことにより、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の間隙、及び第２無機絶縁粒子１４ｂと第４無機絶縁粒子１４ｄとの間隙に第３無機絶縁粒子１４ｃを高い密度で配置させ、第３無機絶縁粒子１４ｃ同士を互いに結合させることができ、かかる間隙におけるクラックの発生及び伸長を低減することができる。また、第４無機絶縁粒子１４ｄを１０体積％以上含むことにより、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士の間隙で発生したクラックの伸長を第４無機絶縁粒子１４ｄによって良好に抑制できる。
（第１及び第３樹脂層）
一方、本実施形態の配線基板３において、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第２樹脂層１２ｂと比較して、厚みが小さく設定され、且つ弾性率が低く設定されている。この場合、薄く弾性変形しやすい第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃによって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと導電層１５との熱膨張量の違いに起因した熱応力が緩和される。したがって、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂより導電層１５が剥離することが抑制され、導電層１５の断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることが可能となる。なお、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第２樹脂層１２ｂだけではなく、樹脂基体１０、第１無機絶縁層１１ａ及び第２無機絶縁層１１ｂと比較して、厚みが小さく設定され、且つ弾性率が低く設定されていることが望ましい。
また、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂ上面と導電層１５下面との間に介在されている。それ故、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、平面方向にて隣接する導電層１５同士の絶縁部材として機能する第２樹脂層１２ｂと比較して厚み増加の要求が少なく厚みを容易に小さくすることができる。
さらに、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、弾性率が低いことから、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂとの接着強度及び導電層１５との接着強度が高いため、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃによって第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと導電層１５との接着強度を高めることができる。
また、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第２樹脂層１２ｂよりも弾性率が低く剛性が低いが、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃの厚みを第２樹脂層１２ｂよりも小さく設定して薄いものとしているため、配線基板３の剛性に対する第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃの影響を小さなものとし、配線基板３の剛性を高めることができる。
また、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、熱膨張率が第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂ及び導電層１５よりも高くなりやすいが、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃを薄いものとしているため、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと導電層１５の熱膨張に対する第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃの影響を小さなものとし、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと導電層１５との剥離を低減することができる。
また、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、誘電正接が第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂよりも高くなりやすいが、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃを薄いものとしているため、誘電正接の低い第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂと導電層１５とを近接させることにより、導電層１５の信号伝送特性を高めることができる。
また、第２樹脂層１２ｂは、導電層１５の側面に当接し、平面方向に離間した導電層１５の間に配されることによって、該導電層１５同士の間の絶縁性を高める機能を有し、該絶縁機能を担保するため、平面方向に隣接した導電層１５同士の間に少なくとも一部が配されているが、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃよりも第２樹脂層１２ｂの厚みを大きくするともに弾性率を大きくしているため、該絶縁機能を担保しつつ、配線基板３の剛性を高めることができる。
また、第２樹脂層１２ｂは、厚み方向に離間した第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂ同士を接着させる機能を有し、該接着機能を担保するため、厚みが導電層１５よりも大きく設定されているが、第２樹脂層１２ｂの弾性率を第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃよりも大きくしているため、該接着機能を担保しつつ、配線基板３の剛性を高めることができる。
第２樹脂層１２ｂは、本実施形態のように、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃよりも低熱膨張率であることが望ましい。その結果、厚みの大きい第２樹脂層１２ｂを低熱膨張とすることによって、配線基板３を低熱膨張にすることができる。
また、第２樹脂層１２ｂは、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃよりも低誘電正接であることが望ましい。その結果、導電層１５の側面及び上面に当接した第２樹脂層１２ｂを低誘電正接とすることによって、導電層１５の信号伝送特性を高めることができる。
第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃに含まれる樹脂材料は、第２樹脂層１２ｂに含まれる樹脂材料と比較して、低弾性率、高熱膨張率又は高誘電正接のものを用いることが望ましい。その結果、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃを低弾性率とし、第２樹脂層１２ｂを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。このような樹脂材料の組み合わせとしては、例えば、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃにエポキシ樹脂を、第２樹脂層１２ｂにポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂又はフッ素樹脂を用いることができる。
第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃに含まれる第２無機絶縁フィラー１３ｂは、樹脂材料内における含有量が、第１無機絶縁フィラー１３ａ及び第３無機絶縁フィラー１３ｃよりも小さいことが望ましい。その結果、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃを低弾性率とし、樹脂基体１０及び第２樹脂層１２ｂを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。
また、第２無機絶縁フィラー１３ｂは、粒径が、第１無機絶縁フィラー１３ａ及び第３無機絶縁フィラー１３ｃよりも小さいことが望ましい。その結果、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃを低弾性率とし、樹脂基体１０及び第２樹脂層１２ｂを低熱膨張率又は低誘電正接とすることができる。
第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂに当接した主面における凹凸が、導電層１５に当接した主面よりも大きく形成されていることが望ましい。すなわち、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂに当接した主面における算術平均粗さ（Ｒａ）が、導電層１５に当接した主面よりも大きく形成されていることが望ましい。その結果、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃと第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂとの界面においては、アンカー効果によって接着強度を高めて剥離を低減し、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃと導電層１５との界面においては、導電層１５を形成する際に凹部に導電材料の一部が残存して隣接する導電層１５同士が短絡することを低減し、ひいては導電層１５同士を近接させて配線を高密度化させることができる。
なお、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂに当接した主面における算術平均粗さが、例えば０．３μｍ以上３μｍ以下に設定されており、導電層１５に当接した主面における算術平均粗さが、例えば０．０１μｍ以上０．３μｍ以下に設定されている。また、第１及び第３樹脂層１２ａ、１２ｃは、第１及び第２無機絶縁層１１ａ、１１ｂに当接した主面における算術平均粗さが、導電層１５に当接した主面の例えば１．２倍以上３倍以下に設定されている。なお、算術平均粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
＜配線基板３の製造方法＞
次に、上述した配線基板３の製造方法を、図４から図６に基づいて説明する。
配線基板３の製造方法は、コア基板５の作製工程と、配線層６のビルドアップ工程と、からなっている。
（コア基板５の作製工程）
（１）第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂを含む固形分と、溶剤とを有する無機絶縁ゾル１１ｘを準備する。
無機絶縁ゾル１１ｘは、例えば、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。これにより、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低く保持しつつ、無機絶縁ゾル１１ｘより形成される無機絶縁層の生産性を高く維持できる。
無機絶縁ゾル１１ｘの固形分は、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１４ｂを１０体積％以上８０体積％以下含む。さらに、前記固形分は、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａを構成する第３無機絶縁粒子１４ｃを１０体積％以上５０体積％以下含み、第１無機絶縁粒子１４ａを構成する第４無機絶縁粒子１４ｄを１０体積％以上４０体積％以下含む。これにより、後述する（３）の工程にて第１無機絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を効果的に低減できる。
なお、第１無機絶縁粒子１４ａは、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この場合、低温条件下で第１無機絶縁粒子１４ａを作製することができるため、アモルファス状態であり、且つ３員環の占める割合が小さい第１無機絶縁粒子１４ａを作製することができる。また、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は、酸化ケイ素の析出時間を調整することによって調整され、具体的には、析出時間を長くするほど第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は大きくなる。それ故、第３無機絶縁粒子１４ｃおよび第４無機絶縁粒子１４ｄを含んだ第１無機絶縁粒子１４ａを作製するには、酸化ケイ素の析出時間を互いに異ならせて形成された２種類の無機絶縁粒子を混合すれば良い。
一方、第２無機絶縁粒子１４ｂは、酸化ケイ素から成る場合、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすく、高温加熱で容易に作製することができ、ひいては３員環の占める割合を増加させるとともに硬度を高めることができる。
また、第２無機絶縁粒子１４ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
一方、無機絶縁ゾル１１ｘに含まれる溶剤は、例えばメタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、及び／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。なかでも、メタノール、イソプロパノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルを含んだ有機溶剤が望ましい。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘを均一に塗布することができる上、後述する（３）の工程にて、溶剤を効率良く蒸発させることができる。
（２）次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１樹脂層１２ａと銅等の導電材料からなる金属箔１５ｘとを有する樹脂付き金属箔を準備し、第１樹脂層１２ａの一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布して無機絶縁ゾル１１ｘを層状に形成する。
樹脂付き金属箔は、金属箔１５ｘにバーコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて樹脂ワニスを塗布し、乾燥することにより、形成することができる。本工程にて形成された第１樹脂層１２ａは、例えばＢステージ又はＣステージである。
無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーター又はスクリーン印刷を用いて行うことができる。このとき、上述した如く、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分が５０体積％以下に設定されていることから、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾル１１ｘの平坦性を高くすることができる。
また、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は、上述したように、３ｎｍ以上に設定されているため、これによっても無機絶縁ゾル１１ｘの粘度が良好に低減され、塗布された無機絶縁ゾル１１ｘの平坦性を向上させることができる。
（３）続いて、無機絶縁ゾル１１ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させる。
ここで、溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾル１１ｘが収縮するが、かかる溶剤は第１及び第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂの間隙に含まれており、第１及び第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂ自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル１１ｘが粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂを含んでいると、その分、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル１１ｘの溶剤の蒸発時、無機絶縁ゾル１１ｘの収縮量が小さくなる。すなわち、第２無機絶縁粒子１４ｂによって無機絶縁ゾル１１ｘの収縮が規制されることとなる。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂによって該クラックの伸長を妨げることができる。
さらに、複数の第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径の大きい第４無機絶縁粒子１４ｄと、粒径が小さい第３無機絶縁粒子１４ｃとを含んでいるため、第２無機絶縁粒子１４ｂの間隙における無機絶縁ゾル１１ｘの収縮は、第４無機絶縁粒子１４ｄによっても規制されることとなり、第２無機絶縁粒子１４ｂの間隙におけるクラックの発生が更に低減される。
無機絶縁ゾル１１ｘの乾燥は、例えば加熱及び風乾により行われる。乾燥温度が、例えば、２０℃以上溶剤の沸点(二種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点)未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。その結果、溶剤の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第１及び第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂが押し出されることが抑制され、該粒子の分布をより均一にすることが可能となる。
（４）残存した無機絶縁ゾル１１ｘの固形分を加熱し、無機絶縁ゾル１１ｘから第１無機絶縁層１１ａを形成する。その結果、図４Ｃに示すような金属箔１５ｘと第１樹脂層１２ａと第１無機絶縁層１１ａとを有する積層シート１７が得られる。
ここで、本実施形態の無機絶縁ゾル１１ｘは、粒径が１１０ｎｍ以下に設定された第１無機絶縁粒子１４ａを有している。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が比較的低温、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に結合させることができる。なお、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に結合させることができる温度は、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、前記粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。また、第１及び第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂの結晶化開始温度は１３００℃程度である。
また、本実施形態においては、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度を、第１樹脂層１２ａの熱分解開始温度未満に設定している。その結果、第１樹脂層１２ａの特性低下を抑制することができる。なお、第１樹脂層１２ａがエポキシ樹脂から成る場合、その熱分解開始温度は２８０℃程度である。また、熱分解開始温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
また、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度は、残存した溶剤を蒸発させるため、溶剤の沸点以上で行うことが望ましい。また、前記加熱温度は、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。この場合、第１無機絶縁粒子１４ａ及び第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化を低減し、アモルファス状態の割合を高めることができる。その結果、結晶化した第１無機絶縁層１１ａが相転移によって収縮することを低減し、第１無機絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を低減できる。
なお、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上２２０度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されており、例えば大気雰囲気中で行われる。なお、加熱温度を１５０℃以上にする場合、金属箔１５ｘの酸化を抑制するため、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱は、真空、アルゴン等の不活性雰囲気又は窒素雰囲気にて行われることが望ましい。
（５）図４Ｄに示すような樹脂基体前駆体１０ｘを準備し、樹脂基体前駆体１０ｘの上下面に積層シート１７を積層する。
樹脂基体前駆体１０ｘは、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層することにより作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態である。
積層シート１７は、金属箔１５ｘ及び第２樹脂層１２ａと樹脂基体前駆体１０ｘとの間に第１無機絶縁層１１ａが介在されるように積層される。
（６）次に、前記積層体を上下方向に加熱加圧することにより、図４Ｅに示すように、樹脂基体前駆体１０ｘを硬化させて樹脂基体１０を形成する。
前記積層体の加熱温度は、樹脂基体前駆体１０ｘの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されている。具体的には、第１樹脂前駆体シートがエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂からなる場合、前記加熱温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定される。また、前記積層体の圧力は、例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、加熱時間及び加圧時間は、例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
（７）図４Ｆに示すように、基体７を厚み方向に貫通するスルーホール導体８及びスルーホール導体８の内部に絶縁体９を形成し、しかる後、基体７上にスルーホール導体８に接続される導電層１５を形成する。
スルーホール導体８及び絶縁体９は、次のように形成される。まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７及び金属箔１５ｘを厚み方向に貫通したスルーホールを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させることにより、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填することにより、絶縁体９を形成する。
また、導電層１５は、金属箔１５ｘに形成されたスルーホール内より露出する絶縁体９及びスルーホール導体８上に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により、金属箔１５ｘと同じ金属材料からなる金属層を被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて金属箔１５ｘ及び／または金属層をパターニングすることにより、導電層１５を形成する。なお、金属箔１５ｘを一旦剥離させた後、金属層を基体７上に形成し、該金属層をパターニングして導電層１５を形成しても良い。
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
（配線層６のビルドアップ工程）
（８）樹脂前駆体シート１０ｂｘと、金属箔１５ｘ、第３樹脂層１２ｃ及び第２無機絶縁層１１ｂを有する積層シート１７と、を新たに準備した後、図５Ａに示すように、樹脂前駆体シート１０ｂｘ上に積層シート１７を積層する。
樹脂前駆体シート１０ｂｘは、第２樹脂層１２ｂを構成する上述した未硬化の熱硬化性樹脂により形成される。
また、積層シート１７は、例えば（１）乃至（４）の工程と同様の工程により作製されるものであり、樹脂前駆体シート１０ｂｘと金属箔１５ｘ及び第３樹脂層１２ｃとの間に第２無機絶縁層１１ｂが介在されるように樹脂前駆体シート１０ｂｘ上に載置する。
（９）次に、コア基板５の上下面それぞれに樹脂前駆体シート１０ｂｘを介して積層シート１７を積層する。
（１０）コア基板５と積層シート１７との積層体を上下方向に加熱加圧することにより、図５Ｂに示すように、樹脂前駆体シート１０ｂｘの熱硬化性樹脂を硬化させて樹脂前駆体シート１０ｂｘを第２樹脂層１２ｂにする。
なお、前記積層体の加熱加圧は、例えば（６）の工程と同様に行うことができる。
（１１）図５Ｃに示すように、例えば硫酸及び過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液又は塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、第３樹脂層１２ｃから金属箔１５ｘを剥離する。
（１２）図６Ａに示すように、第２樹脂層１２ｂ及び第２無機絶縁層１１ｂを厚み方向に貫通するビア導体１６を形成するとともに、第２無機絶縁層１１ｂ上に導電層１５を形成する。
ビア導体１６及び導電層１５は、具体的に次のように形成される。まず、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、第２樹脂層１２ｂ、第２無機絶縁層１１ｂ及び第３樹脂層１２ｃを貫通するビア孔を形成する。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により、ビア孔にビア導体１６を形成するとともに第３樹脂層１２ｃ上に導電材料を被着させて導電層１５を形成する。なお、この導電層１５は、工程（１１）において金属箔１３を剥離せず、該金属箔１３をパターニングすることにより形成しても良い。
（１３）図６Ｂに示すように、（８）乃至（１２）の工程を繰り返すことにより、コア基板５の上下に配線層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、配線層６をより多層化することができる。
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。なお、得られた配線基板３に対してバンプ４を介して電子部品２をフリップ実装することにより、図１Ａに示した実装構造体１を作製することができる。
なお、電子部品２は、ワイヤボンディングにより配線基板３と電気的に接続しても良いし、あるいは、配線基板３に内蔵させても良い。
本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
上述した実施形態においては、本発明を配線基板に適用した例について説明したが、配線基板に限らず、上述した無機絶縁層を有する全ての構造体に適用可能である。例えば、本発明は、携帯電話等の電子機器の筐体にも適用可能である。この場合、無機絶縁層は筐体を保護する耐摩耗性の保護膜として用いられる。また、本発明は、自動車や家屋に用いられる窓にも使用可能である。この場合、無機絶縁層は窓表面を被覆す透光性の耐摩耗性皮膜として使用することができ、その結果、窓材料表面の傷によって透明性が低減することを抑制できる。また、本発明は、ダイキャストに用いる金型にも適用可能である。この場合、無機絶縁層は、金型表面を被覆する耐摩耗性皮膜もしくは絶縁膜として使用することができる。また、無機絶縁層は、内部に空隙を形成することによって、樹脂繊維等で形成したフィルター表面を被覆するフィルター用多孔体として使用できる。この場合、無機絶縁層は、ガソリンエンジンの触媒担体やディーゼルエンジン用の粉塵除去フィルターに使用することができる。
また、上述した本発明の実施形態においては、本発明に係る配線基板の例としてコア基板及び配線層からなるビルドアップ多層基板を挙げたが、本発明に係る配線基板の例としては、ビルドアップ多層基板以外にも、例えば、インターポーザー基板、コアレス基板又はコア基板のみからなる単層基板やセラミック基板、金属基板、金属板を含んだコア基板も含まれる。
また、上述した本発明の実施形態においては、無機絶縁層に第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含んでいたが、無機絶縁層は第２無機絶縁粒子を含まずに第１無機絶縁粒子のみを含んでいても構わないし、第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が無機絶縁層に含まれていても構わない。
また、上述した本発明の実施形態においては、第１無機絶縁粒子が第３無機絶縁粒子及び第４無機絶縁粒子を含んでいたが、第１無機絶縁粒子は第３無機絶縁粒子又は第４無機絶縁粒子のいずれか一方のみを含んでいても構わない。この場合、結合強度の観点から、第３無機絶縁粒子のみを含むことが望ましい。
また、上述した本発明の実施形態においては、樹脂基体の樹脂部及び第２樹脂層が熱硬化性樹脂により形成されていたが、樹脂基体の樹脂部及び第２樹脂層の少なくとも一方、もしくは双方が熱可塑性樹脂により形成されていても構わない。この熱可塑性樹脂としては、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はポリイミド樹脂等を用いることができる。
また、上述した本発明の実施形態においては、配線基板が第１樹脂層及び第３樹脂層を備えていたが、第１樹脂層及び第３樹脂層を備えていなくても構わない。この場合、第１無機絶縁層上及び第２無機絶縁層上に導電層が形成される。また、工程（２）にて金属箔上に無機絶縁ゾルが塗布される。
また、上述した本発明の実施形態においては、第１及び第３樹脂層は第２樹脂層と比較して弾性率が低く設定されていたが、第１及び第３樹脂層と第２樹脂層とは弾性率が同一でも構わない。この場合、例えば、第１及び第３樹脂層と第２樹脂層としては、同一の樹脂材料により形成されたものを用いることができる。
また、上述した本発明の実施形態においては、コア基板及び配線層の双方が無機絶縁層を備えていたが、配線基板はコア基板又は配線層の少なくともいずれか一方が無機絶縁層を備えていれば良い。
また、上述した本発明の実施形態においては、工程（３）における溶剤の蒸発と工程（４）における溶剤の加熱を別々に行っていたが、工程（３）と工程（４）を同時に行っても構わない。
また、上述した本発明の実施形態においては、（６）の工程にて未硬化の樹脂前駆体シートを第２無機絶縁層上に載置したが、未硬化で液状の樹脂層前駆体を第２無機絶縁層に塗布しても構わない。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲に含まれる。
＜無機絶縁層の構造、弾性率及び硬度＞
（評価方法）
金属箔と、無機絶縁粒子からなる第１無機絶縁層と、樹脂基体と、を備えた積層板を作製し、該積層板を厚み方向に切断して研磨した断面を、電界放出型電子顕微鏡(日本電子製ＪＳＭ‐７０００Ｆ)を用いて撮影し、第１無機絶縁層の構造を観察した。
また、積層板を厚み方向に切断してアルゴンイオンで研摩した後、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、該研磨面の第１無機絶縁層が占める領域に対して、該ナノインデンターの圧子を押し込むことによって、第１無機絶縁層の弾性率及び硬度を測定した。また、シリカガラスを準備し、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、シリカガラスに対して、該ナノインデンターの圧子を押し込むことによって、シリカガラスの弾性率及び硬度を測定した。
（積層板の作製条件）
まず、第１無機絶縁粒子を含む第１無機絶縁ゾル及び第２無機絶縁粒子を含む第２無機絶縁ゾルを準備した。
第１無機絶縁ゾルとしては、日産化学工業株式会社製「ＰＧＭ‐ＳＴ」、「ＭＩＢＫ‐ＳＴ」、「ＭＩＢＫ‐ＳＺＣ」、「ＭＩＢＫ‐ＳＤ」、「ＭＥＫ‐ＡＣ‐２１０１」、「ＭＥＫ‐ＥＣ‐２１０２」、「ＩＰＡ‐ＳＴ‐ＺＬ」、及び「ＩＰＡ‐ＳＴ‐Ｌ」と、扶桑化学工業株式会社製「クォートロンＰＬ‐１‐ＩＰＡ」、「クォートロンＰＬ‐２Ｌ‐ＰＧＭＥ」及び「クォートロンＳＰ‐０３Ｆ」と、のいずれかを用いた。
また、第２無機絶縁ゾルとしては、扶桑化学工業株式会社製「クォートロンＳＰ‐１Ｂ」と、電気化学工業株式会社製「ＤＦ ＳＦＰ‐２０Ｍ」、「ＤＦ ＳＦＰ‐３０Ｍ」及び「ＤＦ ＳＦＰ‐１３０ＭＣ」と、宇部日東化成株式会社製「ハイプレシカＦＱ Ｎ２Ｎ」と、のいずれかを用いた。
次に、所定の第１無機絶縁ゾル及び第２無機絶縁ゾルを所定量に調合し、プラスチック容器に入れ、プラスチックボールを用いて攪拌し、均一に混合した。
この方法で、試料１〜３７の無機絶縁ゾルを準備した。試料１〜３７の無機絶縁ゾルは、固形分として表１に示す粒径及び固形分比（固形分における体積％）の第１無機絶縁粒子及び第２無機絶縁粒子を含み、溶剤を４５〜７１重量％含む。なお、表１の試料３８は、シリカガラスである。
次に、試料１〜３７の無機絶縁ゾルを金属箔上又は樹脂付き金属箔の第１樹脂層上に塗布した。第１樹脂層は、エポキシ樹脂により形成した。
次に、温度：１５０℃、時間：２時間、雰囲気：大気の条件下で、無機絶縁ゾルを加熱するとともに溶剤を蒸発させて、積層シートを作製した。
次に、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂基体前駆体の上下面それぞれに積層シートを積層し、時間：１時間、圧力：３ＭＰａ、温度：１８０℃の条件下で、該積層体を加熱加圧することにより、樹脂基体前駆体を樹脂基体にして、積層板を作製した。
（第１無機絶縁層の構造）
試料１の第１無機絶縁層１１ａ′は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１無機絶縁粒子１４ａ′を含んでおり、図８Ｂに示すように、第１無機絶縁粒子１４ａ′が互いに接続している様子が観察された。
試料２及び３の第１無機絶縁層１１ａ′は、図８Ｂ乃至図９Ｂに示すように、第２無機絶縁粒子１４ｂ′を含んでおり、試料１の第１無機絶縁層と比較して、第１無機絶縁層１１ａ′内部における厚み方向に沿ったクラックの伸長が低減していた。
試料４の第１無機絶縁層１１ａ′は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、第１無機絶縁粒子１４ａ′として第３及び第４無機絶縁粒子１４ｃ′、１４ｄ′を含んでおり、試料２及び３の第１無機絶縁層と比較して、第２無機絶縁粒子１４ｂ′間におけるクラックの伸長が低減していた。
試料５の第１無機絶縁層１１ａ′には、図１１Ａに示すように、樹脂基体１０′の一部が配されていない気泡Ｖ′′が形成されていた。
試料６乃至１０の第１無機絶縁層１１ａ′には、図１１Ｂ乃至図１３Ｂに示すように、厚み方向に沿った断面にて第１無機絶縁粒子１４ａ′及び第２無機絶縁粒子１４ｂ′に取り囲まれ、樹脂基体１０′の一部が配された空隙Ｖ′が形成されていた。また、第２無機絶縁粒子１４ｂ′の固形分比が増加するにつれて、樹脂基体１０′の一部が配された空隙Ｖ′が増加するとともに大きくなり、形状が複雑なものとなっていた。
（第１無機絶縁層の弾性率及び硬度）
シリカガラスの弾性率は、表１の試料３８に示すように、７１．９ＧＰａであるのに対し、第１無機絶縁層の弾性率は、表１の試料１、５〜８及び１０〜３７に示すように、１０．８ＧＰａ以上３９．４ＧＰａ以下であった。
また、シリカガラスの硬度は、表１の試料３８に示すように、１０．１ＧＰａであるのに対し、第１無機絶縁層の硬度は、表１の試料１、５〜８及び１０〜３７に示すように、０．６ＧＰａ以上３．４ＧＰａ以下であった。
＜無機絶縁粒子のラマン分析＞
（評価方法）
第１及び第２無機絶縁粒子を測定試料として、株式会社堀場製作所製レーザーラマン分光装置ＬａｂＲＡＭ ＨＲ‐８００を用いて、波長５１４．５３ｎｍのレーザーを用いてラマンスペクトルを観察することによって、ラマン散乱強度を測定した。
（測定試料）
第１無機絶縁粒子は、日産化学工業株式会社製「ＰＧＭ‐ＳＴ」を乾燥させたものを用いた。また、第２無機絶縁粒子は、扶桑化学工業株式会社製「クォートロンＳＰ‐１Ｂ」を乾燥させたものを用いた。
（第１及び第２無機絶縁粒子のラマン散乱強度）
第１無機絶縁粒子は、図１４に示すように、ラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲において、３員環構造を示すラマン散乱強度のピークを識別することができなかった。
また、第１無機絶縁粒子は、ラマンシフトが４８０ｃｍ−１以上５００ｃｍ−１以下の範囲において、ラマン散乱強度のピーク（ラマンシフト：４９０．０１８ｃｍ−１）を有していた。このラマン散乱強度のピークは、酸化ケイ素の４員環構造を示すものであることが知られており、このラマン散乱強度のピークよりもラマンシフトの値が低い他のラマン散乱強度のピークは、酸化ケイ素の５員環以上の多員環構造を示すものであることが知られている。
一方、第２無機絶縁粒子は、図１５に示すように、ラマンシフトが６００ｃｍ−１以上６２０ｃｍ−１以下の範囲において、ラマン散乱強度のピーク（ラマンシフト：６０９．４３７ｃｍ−１）を有していた。このラマン散乱強度のピークの値は、ラマンシフトが６００ｃｍ−１におけるラマン散乱強度の値よりも大きかった。
また、第２無機絶縁粒子は、ラマンシフトが４８０ｃｍ−１以上５００ｃｍ−１以下の範囲において、ラマン散乱強度のピーク（ラマンシフト：４９５．１００ｃｍ−１）を有していた。このラマン散乱強度のピークの値は、第１無機絶縁粒子のラマンシフトが４８０ｃｍ−１以上５００ｃｍｃｍ−１以下の範囲におけるラマン散乱強度のピークの値よりも大きかった。
１ 実装構造体
２ 電子部品
３ 配線基板
４ バンプ
５ コア基板
６ 配線層
７ 基体
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ 樹脂基体
１０ｘ 樹脂基体前駆体
１１ａ 第１無機絶縁層
１１ｂ 第２無機絶縁層
１１ｘ 無機絶縁ゾル
１２ａ 第１樹脂層
１２ｂ 第２樹脂層
１２ｂｘ 樹脂前駆体シート
１３ａ 第１フィラー
１３ｂ 第２フィラー
１３ｃ 第３フィラー
１４ａ 第１無機絶縁粒子
１４ｂ 第２無機絶縁粒子
１４ｃ 第３無機絶縁粒子
１４ｄ 第４無機絶縁粒子
１５ 導電層
１５ｘ 金属箔
１６ ビア導体
１７ 積層シート

Claims (8)

  1. アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
    該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
    前記樹脂層は、前記無機絶縁層上に配された第１樹脂層と、該第１樹脂層上に配された第２樹脂層とを含み、
    前記導電層は、前記第１樹脂層上に部分的に形成されているとともに、一主面が第１樹脂層に当接しており、
    前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層の前記導電層が形成されていない領域上に形成されているとともに、前記導電層の側面及び他主面に当接しており、
    前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりも厚みが小さく、且つ弾性率が低い配線基板。
  2. アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
    該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
    前記導電層は、一主面が前記無機絶縁層に当接しており、
    前記樹脂層は、前記無機絶縁層の前記導電層が形成されていない領域上に形成されているとともに、前記導電層の側面及び他主面に当接している配線基板。
  3. アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層と、
    該無機絶縁層上に配された樹脂層と、前記無機絶縁層上に配された導電層とを備えた配線基板であって、
    前記無機絶縁層は、複数積層されており、
    隣接する前記無機絶縁層は、前記樹脂層を介して互いに接続した配線基板。
  4. アモルファス状態の酸化ケイ素からなる無機絶縁粒子を含む無機絶縁ゾルを塗布する工程と、
    前記無機絶縁粒子を、酸化ケイ素の結晶化開始温度未満で加熱して互いに接続させることにより、アモルファス状態の酸化ケイ素を含み、弾性率が４５ＧＰａ以下である無機絶縁層を形成する工程と、
    該無機絶縁層上に配された樹脂層を形成する工程と、
    前記無機絶縁層上に配された導電層を形成する工程とを備えた配線基板の製造方法。
  5. 請求項４に記載の配線基板の製造方法において、
    前記無機絶縁ゾルを塗布する工程では、
    前記無機絶縁ゾルを直接または間接的に金属箔上に塗布し、
    前記樹脂層を形成する工程では、
    前記金属箔が最外層となるように、前記無機絶縁層を、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂前駆体シートを介して基板上に積層した後、前記樹脂前駆体シートを硬化させて樹脂層を形成しつつ、前記無機絶縁層を、前記樹脂層を介して前記基板に接着する配線基板の製造方法。
  6. 請求項５に記載の配線基板の製造方法において、
    前記樹脂層を形成する工程では、
    第２樹脂層である前記樹脂層を形成し、
    前記無機絶縁ゾルを塗布する工程では、
    前記無機絶縁ゾルを、金属箔上に配された第１樹脂層上に塗布する配線基板の製造方法。
  7. 請求項５に記載の配線基板の製造方法において、
    前記導電層を形成する工程では、
    前記金属箔をパターニングすることによって前記導電層を形成する配線基板の製造方法。
  8. 請求項５に記載の配線基板の製造方法において、
    前記導電層を形成する工程では、
    前記無機絶縁層から前記金属箔を除去した後、前記無機絶縁層の前記樹脂層とは反対側に前記導電層を形成する配線基板の製造方法。
JP2013105611A 2009-09-28 2013-05-17 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート Active JP5629804B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013105611A JP5629804B2 (ja) 2009-09-28 2013-05-17 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009222549 2009-09-28
JP2009222549 2009-09-28
JP2009249352 2009-10-29
JP2009249352 2009-10-29
JP2009296517 2009-12-26
JP2009296518 2009-12-26
JP2009296518 2009-12-26
JP2009296517 2009-12-26
JP2013105611A JP5629804B2 (ja) 2009-09-28 2013-05-17 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533084A Division JP5731984B2 (ja) 2009-09-28 2010-09-28 構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013201445A JP2013201445A (ja) 2013-10-03
JP5629804B2 true JP5629804B2 (ja) 2014-11-26

Family

ID=43796004

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533084A Active JP5731984B2 (ja) 2009-09-28 2010-09-28 構造体
JP2013105611A Active JP5629804B2 (ja) 2009-09-28 2013-05-17 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533084A Active JP5731984B2 (ja) 2009-09-28 2010-09-28 構造体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9485877B2 (ja)
JP (2) JP5731984B2 (ja)
KR (1) KR101423537B1 (ja)
CN (1) CN102550138B (ja)
WO (1) WO2011037265A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8780576B2 (en) * 2011-09-14 2014-07-15 Invensas Corporation Low CTE interposer
JPWO2013161527A1 (ja) * 2012-04-26 2015-12-24 日本特殊陶業株式会社 多層配線基板及びその製造方法
EP2866535B1 (en) * 2012-06-22 2019-09-04 Nikon Corporation Substrate, imaging unit and imaging device
CN104303605B (zh) * 2012-08-02 2018-10-09 学校法人早稻田大学 金属基印刷电路板
JP2014086651A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
WO2014084050A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 京セラ株式会社 配線基板およびその実装構造体
US9312219B2 (en) * 2012-12-28 2016-04-12 Dyi-chung Hu Interposer and packaging substrate having the interposer
EP2941105B1 (en) * 2013-05-13 2022-02-16 ULVAC, Inc. Mounting device and method of manufacturing the same
JP6258347B2 (ja) * 2013-10-29 2018-01-10 京セラ株式会社 配線基板およびこれを用いた実装構造体
TWI807259B (zh) * 2016-08-04 2023-07-01 日商大日本印刷股份有限公司 貫通電極基板及安裝基板
JP2018022823A (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 イビデン株式会社 プリント配線板
TW202206286A (zh) 2020-07-28 2022-02-16 美商聖高拜塑膠製品公司 介電基板及其形成方法
TWI811882B (zh) * 2020-12-16 2023-08-11 美商聖高拜塑膠製品公司 介電基材及其形成方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02253941A (ja) 1989-03-29 1990-10-12 Hitachi Chem Co Ltd セラミックコート積層板の製造方法
JP2753743B2 (ja) 1989-09-27 1998-05-20 イビデン株式会社 電子回路基板の製造方法
JPH05254052A (ja) 1991-04-11 1993-10-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 積層体及び成膜の形成方法
JPH05147152A (ja) 1991-11-28 1993-06-15 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 金属箔張り積層板
JPH0640783A (ja) 1992-07-21 1994-02-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 絶縁基板及びその製造方法
JPH08172251A (ja) 1994-12-20 1996-07-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 複合セラミックス高周波基板の製造法
US5686172A (en) 1994-11-30 1997-11-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof
JP3924865B2 (ja) 1997-09-19 2007-06-06 株式会社安川電機 エポキシ樹脂組成物
JP4195773B2 (ja) * 2000-04-10 2008-12-10 Ｊｓｒ株式会社 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜
JP2003124635A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 積層板および多層プリント配線板
JP3940617B2 (ja) 2002-02-26 2007-07-04 京セラ株式会社 配線基板およびその製造方法
JP2003283141A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Mitsubishi Gas Chem Co Inc アディティブ用金属箔付きｂステージ樹脂組成物シート。
JP4225765B2 (ja) 2002-10-31 2009-02-18 日揮触媒化成株式会社 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
JP4299601B2 (ja) 2003-01-23 2009-07-22 京セラ株式会社 多層配線基板
JP4681822B2 (ja) 2004-05-12 2011-05-11 日揮触媒化成株式会社 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
JP2006117763A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
EP1804562B1 (en) 2004-10-22 2012-10-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Composite multilayer substrate and its manufacturing method
JP2006285226A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Toray Ind Inc 感光性セラミックス組成物
JP4616154B2 (ja) * 2005-11-14 2011-01-19 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US8686101B2 (en) 2005-12-22 2014-04-01 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. Coating liquid for forming low dielectric constant amorphous silica-based coating film and the coating film obtained from the same
JP2007180105A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法
JP2007266416A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Nippon Foil Mfg Co Ltd プリント配線板用金属箔とそれを用いた積層板
JP4826319B2 (ja) 2006-04-05 2011-11-30 株式会社村田製作所 多層回路基板およびその製造方法
JP2007311770A (ja) 2006-04-17 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US20080182115A1 (en) 2006-12-07 2008-07-31 Briney Gary C Multi-functional circuitry substrates and compositions and methods relating thereto
JP4832369B2 (ja) * 2007-06-25 2011-12-07 富士通株式会社 回路基板、半導体装置、回路基板の製造方法、半導体装置の製造方法
EP2204079B1 (en) 2007-10-26 2013-05-01 E. I. du Pont de Nemours and Company Asymmetric dielectric films and process for forming such a film

Also Published As

Publication number Publication date
US9485877B2 (en) 2016-11-01
CN102550138B (zh) 2015-07-22
CN102550138A (zh) 2012-07-04
JPWO2011037265A1 (ja) 2013-02-21
US20120189826A1 (en) 2012-07-26
KR20120048710A (ko) 2012-05-15
KR101423537B1 (ko) 2014-07-25
JP2013201445A (ja) 2013-10-03
WO2011037265A1 (ja) 2011-03-31
JP5731984B2 (ja) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5629804B2 (ja) 配線基板およびその製造方法ならびに積層シート
JP5734860B2 (ja) 構造体およびその製造方法
JP5820913B2 (ja) 絶縁シート、その製造方法及びその絶縁シートを用いた構造体の製造方法
JP5582944B2 (ja) 配線基板、積層板及び積層シート
JP5307298B2 (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP5436247B2 (ja) 配線基板
JP5361680B2 (ja) 配線基板
JP5933989B2 (ja) 部品内蔵基板
JP2013046012A (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP5710066B2 (ja) 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
JP2012178392A (ja) 配線基板、その実装構造体、絶縁シートおよびそれを用いた配線基板の製造方法
JP2015213199A (ja) 部品内蔵基板
JP5783837B2 (ja) 金属箔付積層板および配線基板
JP2013201305A (ja) 配線基板およびその実装構造体
JP6133689B2 (ja) 配線基板およびこれを用いた実装構造体
JP5909528B2 (ja) 配線基板、積層板及び積層シート
JP2013030699A (ja) 構造体および配線基板
JP5902559B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2013030700A (ja) 配線基板および実装構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140916

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141006

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5629804

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150