JPH0640783A - 絶縁基板及びその製造方法 - Google Patents
絶縁基板及びその製造方法Info
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- JPH0640783A JPH0640783A JP21708692A JP21708692A JPH0640783A JP H0640783 A JPH0640783 A JP H0640783A JP 21708692 A JP21708692 A JP 21708692A JP 21708692 A JP21708692 A JP 21708692A JP H0640783 A JPH0640783 A JP H0640783A
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- storage layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミックス基板上に形成される層を構造面か
ら検討し、表面平滑性及び蓄熱性に優れた絶縁基板を提
供する。 【構成】セラミックス基板上に、結晶化可能な平均粒子
径５μｍ以下のガラス粉末と平均粒子径４０μｍ以下の
可燃性粒子との混合物を塗布し、焼成し、次いで結晶化
しないガラス粉末を塗布し焼成する。
ら検討し、表面平滑性及び蓄熱性に優れた絶縁基板を提
供する。 【構成】セラミックス基板上に、結晶化可能な平均粒子
径５μｍ以下のガラス粉末と平均粒子径４０μｍ以下の
可燃性粒子との混合物を塗布し、焼成し、次いで結晶化
しないガラス粉末を塗布し焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板及びその製造
方法に関するものであり、特に感熱記録装置のサーマル
ヘッド用基板等の集積回路用セラミックス基板に好適に
利用され得るものである。
方法に関するものであり、特に感熱記録装置のサーマル
ヘッド用基板等の集積回路用セラミックス基板に好適に
利用され得るものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路基板、特にサーマルヘッド用基
板としては、その表面に平滑性が要求されることから、
セラミックス基板上にガラスを被覆したいわゆるグレー
ズ基板が使用されている。このグレーズ基板においてグ
レーズ層は、平滑な表面を提供するとともに蓄熱層とし
ても機能する。従って、グレーズ層の熱伝導率が低くな
るほど、蓄熱効率が向上し、グレーズ層上に形成された
抵抗体層への印加電圧を低下させることが可能となるの
で、省電力化の点で好ましい。
板としては、その表面に平滑性が要求されることから、
セラミックス基板上にガラスを被覆したいわゆるグレー
ズ基板が使用されている。このグレーズ基板においてグ
レーズ層は、平滑な表面を提供するとともに蓄熱層とし
ても機能する。従って、グレーズ層の熱伝導率が低くな
るほど、蓄熱効率が向上し、グレーズ層上に形成された
抵抗体層への印加電圧を低下させることが可能となるの
で、省電力化の点で好ましい。
【０００３】本発明者らは、先に、セラミックス基板上
に形成される層の表面平滑性及び蓄熱性を材料面から検
討し、その結果、酸化バリウム及びアルミナを含有する
珪酸塩系ガラスが、前記各特性に加えてセラミックス基
板との熱膨張の整合性及び耐食性においても優れている
ことを見いだし、提案した（特開昭５８−６７０９１号
公報、特開昭５９−８６３８号公報）。
に形成される層の表面平滑性及び蓄熱性を材料面から検
討し、その結果、酸化バリウム及びアルミナを含有する
珪酸塩系ガラスが、前記各特性に加えてセラミックス基
板との熱膨張の整合性及び耐食性においても優れている
ことを見いだし、提案した（特開昭５８−６７０９１号
公報、特開昭５９−８６３８号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、サーマ
ルヘッドの利用展開が進み、特に普及型のサーマルヘッ
ドでは更に省電力化が要望されており、より低い熱伝導
率の蓄熱層が要求されている。にもかかわらず、熱伝導
率を下げることと他の特性を維持ないし向上させること
との両立は、材料面からの検討のみでは困難であり、既
に限界に達していると思われる。
ルヘッドの利用展開が進み、特に普及型のサーマルヘッ
ドでは更に省電力化が要望されており、より低い熱伝導
率の蓄熱層が要求されている。にもかかわらず、熱伝導
率を下げることと他の特性を維持ないし向上させること
との両立は、材料面からの検討のみでは困難であり、既
に限界に達していると思われる。
【０００５】本発明の目的は、上記要望に応え、セラミ
ックス基板上に形成される層を構造面から検討し、表面
平滑性及び蓄熱性に優れた絶縁基板を提供することにあ
る。
ックス基板上に形成される層を構造面から検討し、表面
平滑性及び蓄熱性に優れた絶縁基板を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その第１の手段は、セラ
ミックス基板、このセラミックス基板の上方に形成さ
れ、多数の気泡を有する蓄熱層及びこの蓄熱層の上方に
形成され、表面粗度Ｒａが０．６μｍ以下の表面層を備
えていることを特徴とする絶縁基板にある。
ミックス基板、このセラミックス基板の上方に形成さ
れ、多数の気泡を有する蓄熱層及びこの蓄熱層の上方に
形成され、表面粗度Ｒａが０．６μｍ以下の表面層を備
えていることを特徴とする絶縁基板にある。
【０００７】また、この絶縁基板において望ましい手段
は、蓄熱層が結晶化ガラスからなり、表面層が非晶質ガ
ラスからなるものである。同じく望ましい手段は、蓄熱
層がセラミックス粒子２０体積％以上５０体積％以下及
び残部ガラス粒子からなり、表面層が非晶質ガラスから
なるものである。更に望ましい手段は、蓄熱層の最大気
泡径が３０μｍ以下のものである。
は、蓄熱層が結晶化ガラスからなり、表面層が非晶質ガ
ラスからなるものである。同じく望ましい手段は、蓄熱
層がセラミックス粒子２０体積％以上５０体積％以下及
び残部ガラス粒子からなり、表面層が非晶質ガラスから
なるものである。更に望ましい手段は、蓄熱層の最大気
泡径が３０μｍ以下のものである。
【０００８】第２の手段は、セラミックス基板上に、結
晶化可能な平均粒子径５μｍ以下のガラス粉末と平均粒
子径４０μｍ以下の可燃性粒子との混合物を塗布し、焼
成し、次いで結晶化しないガラス粉末を塗布し焼成する
ことを特徴とする絶縁基板の製造方法にある。
晶化可能な平均粒子径５μｍ以下のガラス粉末と平均粒
子径４０μｍ以下の可燃性粒子との混合物を塗布し、焼
成し、次いで結晶化しないガラス粉末を塗布し焼成する
ことを特徴とする絶縁基板の製造方法にある。
【０００９】第３の手段は、セラミックス基板上に、セ
ラミックス粉末２０体積％以上５０体積％以下及び残部
ガラスの秤量物と平均粒子径４０μｍ以下の可燃性粒子
との混合物を塗布し、焼成し、次いで結晶化しないガラ
ス粉末を塗布し焼成することを特徴とする絶縁基板の製
造方法にある。
ラミックス粉末２０体積％以上５０体積％以下及び残部
ガラスの秤量物と平均粒子径４０μｍ以下の可燃性粒子
との混合物を塗布し、焼成し、次いで結晶化しないガラ
ス粉末を塗布し焼成することを特徴とする絶縁基板の製
造方法にある。
【００１０】これらの製造方法において望ましい手段
は、可燃性粒子を、ポリメチルメタアクリレートとする
ところにある。
は、可燃性粒子を、ポリメチルメタアクリレートとする
ところにある。
【００１１】ここで、セラミックス基板は特に限定され
ず、酸化アルミニウム系をはじめ窒化珪素系、炭化珪素
系、窒化アルミニウム系、酸化マグネシウム系など広く
使用可能である。製造方法に用いられるセラミックス粉
末としては、酸化アルミニウムを使用してもよいが、フ
ォルステライト、ジルコン、ジルコニア、スピネル、エ
ンステタイト、アノーサイトなどの結晶相を含むセラミ
ックス粉末が熱伝導が低く好ましい。同じく結晶化可能
なガラス粉末としては、アルカリ金属を含まないコ−デ
ィエライト、アノーサイト、セルジアンなどのアルカリ
土類−アルミナ−シリカ系を主結晶とする結晶化ガラス
となるものが特に好ましい。
ず、酸化アルミニウム系をはじめ窒化珪素系、炭化珪素
系、窒化アルミニウム系、酸化マグネシウム系など広く
使用可能である。製造方法に用いられるセラミックス粉
末としては、酸化アルミニウムを使用してもよいが、フ
ォルステライト、ジルコン、ジルコニア、スピネル、エ
ンステタイト、アノーサイトなどの結晶相を含むセラミ
ックス粉末が熱伝導が低く好ましい。同じく結晶化可能
なガラス粉末としては、アルカリ金属を含まないコ−デ
ィエライト、アノーサイト、セルジアンなどのアルカリ
土類−アルミナ−シリカ系を主結晶とする結晶化ガラス
となるものが特に好ましい。
【００１２】尚、セラミックス基板、蓄熱層及び表面層
は、この順序で連続して形成されている構成が最も簡単
であるが、セラミックス基板と蓄熱層との間、並びに蓄
熱層と表面層との間に他の材質からなる中間層を設ける
こともできる。
は、この順序で連続して形成されている構成が最も簡単
であるが、セラミックス基板と蓄熱層との間、並びに蓄
熱層と表面層との間に他の材質からなる中間層を設ける
こともできる。
【００１３】
【作用】以下、本発明の作用を詳細に記述する。気泡を
有する層（蓄熱層）は、気泡を有することにより熱伝導
率を低下させ蓄熱層としての働きを持つため重要であ
る。表面層は本発明の主たる利用分野であるサーマルヘ
ッド用基板として必要不可欠であり、緻密な層からな
る。この表面層の表面粗度は重要であり、０．６μｍを
越えると表面層表面にサーマルヘッド用の抵抗体や配線
を薄膜で形成することが不可能となるか、あるいは抵抗
体等が形成されても印字特性の劣化を引き起こす。本発
明の作用はこの蓄熱層と表面層との均衡のとれた積層構
造により、発揮される。
有する層（蓄熱層）は、気泡を有することにより熱伝導
率を低下させ蓄熱層としての働きを持つため重要であ
る。表面層は本発明の主たる利用分野であるサーマルヘ
ッド用基板として必要不可欠であり、緻密な層からな
る。この表面層の表面粗度は重要であり、０．６μｍを
越えると表面層表面にサーマルヘッド用の抵抗体や配線
を薄膜で形成することが不可能となるか、あるいは抵抗
体等が形成されても印字特性の劣化を引き起こす。本発
明の作用はこの蓄熱層と表面層との均衡のとれた積層構
造により、発揮される。
【００１４】すなわち、蓄熱層のみでは蓄熱効果はある
もののサーマルヘッド用の薄膜製造が困難であり、また
表面層のみでは前記のごとく低熱伝導のガラス層を形成
しても充分な蓄熱効果が得られなかった。ここで蓄熱層
の材質はガラス粉末では充分な気泡が形成され難く、か
といって熱処理条件を低下させると気泡は残るものの、
その上に表面層を形成すると、蓄熱層と表面層とが反応
してうねりが生じたり、蓄熱層の気泡が消滅してしまっ
たりして、表面層と蓄熱層との良好な積層構造が形成さ
れなかった。
もののサーマルヘッド用の薄膜製造が困難であり、また
表面層のみでは前記のごとく低熱伝導のガラス層を形成
しても充分な蓄熱効果が得られなかった。ここで蓄熱層
の材質はガラス粉末では充分な気泡が形成され難く、か
といって熱処理条件を低下させると気泡は残るものの、
その上に表面層を形成すると、蓄熱層と表面層とが反応
してうねりが生じたり、蓄熱層の気泡が消滅してしまっ
たりして、表面層と蓄熱層との良好な積層構造が形成さ
れなかった。
【００１５】蓄熱層には、セラミックス粉末とガラスの
混合物を用いることにより達成される。セラミックス粉
末のみでは軟化しないため、焼成時にクラックが入って
しまうが、セラミックス粉末とガラスの混合物を用いる
と焼成時にセラミックス粒子のチャンネリング、すなわ
ち三次元的なつながりにより、ガラスの収縮が抑制され
気泡が残存可能であることが見いだされた。蓄熱層中の
セラミックスの含有量は、２０体積％に満たないとチャ
ンネリング形成が困難となるし、他方、５０体積％を越
えると蓄熱層の強度が低く使用できない。
混合物を用いることにより達成される。セラミックス粉
末のみでは軟化しないため、焼成時にクラックが入って
しまうが、セラミックス粉末とガラスの混合物を用いる
と焼成時にセラミックス粒子のチャンネリング、すなわ
ち三次元的なつながりにより、ガラスの収縮が抑制され
気泡が残存可能であることが見いだされた。蓄熱層中の
セラミックスの含有量は、２０体積％に満たないとチャ
ンネリング形成が困難となるし、他方、５０体積％を越
えると蓄熱層の強度が低く使用できない。
【００１６】さらに本研究では、この蓄熱層として特に
好ましいのが結晶化ガラスであることが見いだされた。
結晶化ガラスは、ガラス粉末が焼成により結晶化するも
のであるため、それのみで形状を保持し容易に気泡を残
存させることができる。
好ましいのが結晶化ガラスであることが見いだされた。
結晶化ガラスは、ガラス粉末が焼成により結晶化するも
のであるため、それのみで形状を保持し容易に気泡を残
存させることができる。
【００１７】蓄熱層の気泡径は３０μｍ以下が好まし
い。気泡径が３０μｍを越えると積層部の強度が低くな
ると共に、表面層表面の形状にうねりを生じてしまう傾
向がある。
い。気泡径が３０μｍを越えると積層部の強度が低くな
ると共に、表面層表面の形状にうねりを生じてしまう傾
向がある。
【００１８】本発明の絶縁基板を製造する方法として特
に好ましいのは、前記結晶化ガラス粉末の平均粒子径を
５μｍ以下に調整し、平均粒子径４０μｍ以下の可燃性
粒子と混合し、この混合物を通常の印刷法により基板上
に塗布し、焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに焼成温
度を上げ結晶化ガラス粉末を結晶化させる。更に表面層
の非晶質ガラス粉末を同様に印刷塗布し、焼成すること
により製造される。結晶化ガラス粉末の粒子径が５μｍ
を越えると良好な多孔質層が形成され難く、蓄熱層表面
に開気泡が多く存在し、表面層を形成した場合に表面粗
度が０．６μｍ以下となり難い。可燃性粒子としては有
機物を使用する。可燃性粒子の粒子径が４０μｍ以下と
なると形成される粒子径も３０μｍ以下となり前記の理
由により好ましい。
に好ましいのは、前記結晶化ガラス粉末の平均粒子径を
５μｍ以下に調整し、平均粒子径４０μｍ以下の可燃性
粒子と混合し、この混合物を通常の印刷法により基板上
に塗布し、焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに焼成温
度を上げ結晶化ガラス粉末を結晶化させる。更に表面層
の非晶質ガラス粉末を同様に印刷塗布し、焼成すること
により製造される。結晶化ガラス粉末の粒子径が５μｍ
を越えると良好な多孔質層が形成され難く、蓄熱層表面
に開気泡が多く存在し、表面層を形成した場合に表面粗
度が０．６μｍ以下となり難い。可燃性粒子としては有
機物を使用する。可燃性粒子の粒子径が４０μｍ以下と
なると形成される粒子径も３０μｍ以下となり前記の理
由により好ましい。
【００１９】
−実施例１− 重量基準で、平均粒子径３．６μｍのアルミナ粉末６０
％（４８体積％）及び平均粒子径２．４μｍのＭｇＯ−
ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末４０
％（５２体積％）からなる秤量物７５部と、平均粒子径
３０μｍのポリメチルメタアクリレート（以下、「ＰＭ
ＭＡ」と略記する）系有機物球２５部とを混合し、さら
にこの混合物にエチルセルロース系バインダー、可塑剤
及び有機溶媒を添加して印刷用のペースト（Ａペースト
という）を調製し、印刷機によりアルミナ基板（Ａｌ2
Ｏ3含有量９７重量％）上に３００μｍの厚さに塗布し
た。
％（４８体積％）及び平均粒子径２．４μｍのＭｇＯ−
ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末４０
％（５２体積％）からなる秤量物７５部と、平均粒子径
３０μｍのポリメチルメタアクリレート（以下、「ＰＭ
ＭＡ」と略記する）系有機物球２５部とを混合し、さら
にこの混合物にエチルセルロース系バインダー、可塑剤
及び有機溶媒を添加して印刷用のペースト（Ａペースト
という）を調製し、印刷機によりアルミナ基板（Ａｌ2
Ｏ3含有量９７重量％）上に３００μｍの厚さに塗布し
た。
【００２０】次いで電気炉にて３００℃まで焼成し可燃
性粒子を燃焼させ、さらに１０００℃まで焼成温度を上
げ焼成した。更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト
（Ｂペーストという）を１６０μｍの厚さに印刷し、電
気炉にて１１５０℃で焼成した。
性粒子を燃焼させ、さらに１０００℃まで焼成温度を上
げ焼成した。更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト
（Ｂペーストという）を１６０μｍの厚さに印刷し、電
気炉にて１１５０℃で焼成した。
【００２１】以上の工程により、三層構造（基板本体を
第１層とする）のセラミックス基板が得られ、最初に塗
布したＡペーストは、厚さ約１２０μｍ、気泡率約３０
％の蓄熱層となり、その蓄熱層中には最大約２０μｍ程
度の気泡が形成されていた。また、Ｂペーストは厚さ約
８０μｍの表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．５μ
ｍであった。そして、スパッタ法による薄膜形成は良好
に行えた。
第１層とする）のセラミックス基板が得られ、最初に塗
布したＡペーストは、厚さ約１２０μｍ、気泡率約３０
％の蓄熱層となり、その蓄熱層中には最大約２０μｍ程
度の気泡が形成されていた。また、Ｂペーストは厚さ約
８０μｍの表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．５μ
ｍであった。そして、スパッタ法による薄膜形成は良好
に行えた。
【００２２】−実施例２− 重量基準で、平均粒子径３．６μｍのアルミナ粉末６０
％（４８体積％）及び平均粒子径２．４μｍのＭｇＯ−
ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末４０
％（５２体積％）からなる秤量物を混合し、さらにこの
混合物にエチルセルロース系バインダー、可塑剤及び有
機溶媒を添加して印刷用のペースト（Ｃペーストとい
う）を調製し、印刷機によりアルミナ基板上に３００μ
ｍ塗布した。電気炉にて８２０℃まで焼成温度を上げ仮
焼成した。更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ2
Ｏ3−ＳｉＯ2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト（Ｂ
ペースト）を１６０μｍの厚さに印刷し、電気炉にて１
１５０℃で焼成した。
％（４８体積％）及び平均粒子径２．４μｍのＭｇＯ−
ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス粉末４０
％（５２体積％）からなる秤量物を混合し、さらにこの
混合物にエチルセルロース系バインダー、可塑剤及び有
機溶媒を添加して印刷用のペースト（Ｃペーストとい
う）を調製し、印刷機によりアルミナ基板上に３００μ
ｍ塗布した。電気炉にて８２０℃まで焼成温度を上げ仮
焼成した。更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ2
Ｏ3−ＳｉＯ2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト（Ｂ
ペースト）を１６０μｍの厚さに印刷し、電気炉にて１
１５０℃で焼成した。
【００２３】以上の工程により、三層構造のセラミック
ス基板が得られ、Ｃペーストは厚さ１８０μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中には数μｍ程度の気
泡が形成された。また、Ｂペーストは厚さ約８０μｍの
表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．６μｍとなっ
た。スパッタ法による薄膜形成は良好に行えた。
ス基板が得られ、Ｃペーストは厚さ１８０μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中には数μｍ程度の気
泡が形成された。また、Ｂペーストは厚さ約８０μｍの
表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．６μｍとなっ
た。スパッタ法による薄膜形成は良好に行えた。
【００２４】−実施例３− コ−ディエライトを主結晶とするＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ
2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶化ガラス粉末を平均粒子径３．５
μｍに調整し、その結晶化ガラス８０重量部に対して平
均粒子径１０μｍのＰＭＭＡ系有機物球を２０重量部混
合し、さらにこの混合物にエチルセルロース系バインダ
ー、可塑剤及び有機溶媒を添加し、印刷用のペースト
（Ｄペーストという）を調製し、印刷機によりアルミナ
基板上に１６０μｍの厚さに塗布した。電気炉にて３０
０℃まで焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに９５０℃
まで焼成温度を上げ結晶化ガラス粉末を結晶化させた。
更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト（Ｂペースト）
を１２０μｍの厚さに印刷し、電気炉にて１１５０℃で
焼成した。
2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶化ガラス粉末を平均粒子径３．５
μｍに調整し、その結晶化ガラス８０重量部に対して平
均粒子径１０μｍのＰＭＭＡ系有機物球を２０重量部混
合し、さらにこの混合物にエチルセルロース系バインダ
ー、可塑剤及び有機溶媒を添加し、印刷用のペースト
（Ｄペーストという）を調製し、印刷機によりアルミナ
基板上に１６０μｍの厚さに塗布した。電気炉にて３０
０℃まで焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに９５０℃
まで焼成温度を上げ結晶化ガラス粉末を結晶化させた。
更に表面層として、ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系非晶質ガラス粉末の印刷用ペースト（Ｂペースト）
を１２０μｍの厚さに印刷し、電気炉にて１１５０℃で
焼成した。
【００２５】以上の工程により、三層構造のセラミック
ス基板が得られ、Ｄペーストは厚さ１００μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中には最大約７μｍ程
度の気泡が形成された。また、Ｂペーストは厚さ約８０
μｍの表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．１μｍと
なった。スパッタ法による薄膜形成は最も良好に行え
た。
ス基板が得られ、Ｄペーストは厚さ１００μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中には最大約７μｍ程
度の気泡が形成された。また、Ｂペーストは厚さ約８０
μｍの表面層となり、その表面粗度Ｒａは０．１μｍと
なった。スパッタ法による薄膜形成は最も良好に行え
た。
【００２６】−比較例１− ＣａＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系非晶質ガラス粉
末７５重量部と平均粒子径３０μｍのＰＭＭＡ系有機物
球２５重量部とを混合し、さらにこの混合物にエチルセ
ルロース系バインダー、可塑剤及び有機溶媒を添加して
印刷用のペースト（Ｅペーストという）を調製し、基板
上に３００μｍの厚さに塗布した。電気炉にて３００℃
まで焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに１１００℃で
焼成するとＥペーストは、厚さ８０μｍ、気泡率約０％
の緻密層となってしまった。二層構造となり蓄熱構造が
形成されなかった。
末７５重量部と平均粒子径３０μｍのＰＭＭＡ系有機物
球２５重量部とを混合し、さらにこの混合物にエチルセ
ルロース系バインダー、可塑剤及び有機溶媒を添加して
印刷用のペースト（Ｅペーストという）を調製し、基板
上に３００μｍの厚さに塗布した。電気炉にて３００℃
まで焼成し可燃性粒子を燃焼させ、さらに１１００℃で
焼成するとＥペーストは、厚さ８０μｍ、気泡率約０％
の緻密層となってしまった。二層構造となり蓄熱構造が
形成されなかった。
【００２７】−比較例２− 実施例３と同様に、コ−ディエライトを主結晶とするＺ
ｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶化ガラス粉末
を平均粒子径３．５μｍに調整し、その結晶化ガラス８
０重量部に対して平均粒子径１０μｍのＰＭＭＡ系有機
物球を重量比で２０％混合し、さらにこの混合物にエチ
ルセルロース系バインダーおよび可塑剤、有機溶媒を添
加し、印刷用のペースト（Ｄペースト）を調製し、印刷
機によりアルミナ基板上に１６０μｍの厚さに塗布し
た。電気炉にて３００℃まで焼成し可燃性粒子を燃焼さ
せ、さらに９５０℃まで焼成温度を上げ結晶化ガラス粉
末を結晶化させた。
ｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系結晶化ガラス粉末
を平均粒子径３．５μｍに調整し、その結晶化ガラス８
０重量部に対して平均粒子径１０μｍのＰＭＭＡ系有機
物球を重量比で２０％混合し、さらにこの混合物にエチ
ルセルロース系バインダーおよび可塑剤、有機溶媒を添
加し、印刷用のペースト（Ｄペースト）を調製し、印刷
機によりアルミナ基板上に１６０μｍの厚さに塗布し
た。電気炉にて３００℃まで焼成し可燃性粒子を燃焼さ
せ、さらに９５０℃まで焼成温度を上げ結晶化ガラス粉
末を結晶化させた。
【００２８】Ｄペーストは厚さ１１０μｍ、気泡率約３
０％の蓄熱層となり、多孔質層が形成されたが、その表
面粗度Ｒａは１．１μｍとなり、薄膜成形しエッチング
したところハガレが多発した。
０％の蓄熱層となり、多孔質層が形成されたが、その表
面粗度Ｒａは１．１μｍとなり、薄膜成形しエッチング
したところハガレが多発した。
【００２９】−比較例３− 用いるＰＭＭＡ系有機物球の平均粒子径を５０μｍとし
た以外は、実施例３と同じ工程を辿った。その結果、三
層構造は形成されＤペーストは厚さ１１０μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中の気泡は約３５μｍ
となった。
た以外は、実施例３と同じ工程を辿った。その結果、三
層構造は形成されＤペーストは厚さ１１０μｍ、気泡率
約３０％の蓄熱層となり、蓄熱層中の気泡は約３５μｍ
となった。
【００３０】しかし、Ｂペーストは、厚さが８０μｍの
表面層となったにも拘らず、表面層表面にへこみや発泡
がみられ、その表面粗度Ｒａは０．８μｍとなった。ス
パッタ法により薄膜成形し、エッチングしたところハガ
レが多発した。しかも積層部の強度は弱く、スパッタ用
の治具に固定の際剥離が生じた。
表面層となったにも拘らず、表面層表面にへこみや発泡
がみられ、その表面粗度Ｒａは０．８μｍとなった。ス
パッタ法により薄膜成形し、エッチングしたところハガ
レが多発した。しかも積層部の強度は弱く、スパッタ用
の治具に固定の際剥離が生じた。
【００３１】−比較例４− 用いる結晶化ガラス粉末の平均粒子径５．３μｍとした
以外は、実施例３と同じ工程を辿った。その結果、三層
構造は形成されＤペーストは厚さ１１０μｍ、気泡率約
３０％の蓄熱層となった。
以外は、実施例３と同じ工程を辿った。その結果、三層
構造は形成されＤペーストは厚さ１１０μｍ、気泡率約
３０％の蓄熱層となった。
【００３２】しかし、Ｂペーストは、厚さが８０μｍの
表面層となったにも拘らず、表面層表面にへこみや発泡
がみられ、その表面粗度Ｒａは０．８μｍとなった。ス
パッタ法により薄膜成形し、エッチングしたところハガ
レが多発した。しかも積層部の強度は弱く、スパッタ用
の治具に固定の際剥離が生じた。
表面層となったにも拘らず、表面層表面にへこみや発泡
がみられ、その表面粗度Ｒａは０．８μｍとなった。ス
パッタ法により薄膜成形し、エッチングしたところハガ
レが多発した。しかも積層部の強度は弱く、スパッタ用
の治具に固定の際剥離が生じた。
【００３３】
【発明の効果】本発明の絶縁基板によれば、従来の低熱
伝導グレーズを用いたグレーズ基板に比較しても、低い
熱伝導性を示し、且つ良好な薄膜成形性を有し、低消費
電力型のサーマルヘッドに極めて適したものである。
伝導グレーズを用いたグレーズ基板に比較しても、低い
熱伝導性を示し、且つ良好な薄膜成形性を有し、低消費
電力型のサーマルヘッドに極めて適したものである。
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミックス基板、このセラミックス基
板の上方に形成され、多数の気泡を有する蓄熱層及びこ
の蓄熱層の上方に形成され、表面粗度Ｒａが０．６μｍ
以下の表面層を備えていることを特徴とする絶縁基板。 - 【請求項２】 蓄熱層がセラミックス粒子２０体積％以
上５０体積％以下及び残部ガラス粒子からなり、表面層
が非晶質ガラスからなる請求項１の絶縁基板。 - 【請求項３】 蓄熱層が結晶化ガラスからなり、表面層
が非晶質ガラスからなる請求項１の絶縁基板。 - 【請求項４】 蓄熱層の最大気泡径が３０μｍ以下であ
る請求項１、請求項２叉は請求項３の絶縁基板。 - 【請求項５】 セラミックス基板上に、結晶化可能な平
均粒子径５μｍ以下のガラス粉末と平均粒子径４０μｍ
以下の可燃性粒子との混合物を塗布し、焼成し、次いで
結晶化しないガラス粉末を塗布し焼成することを特徴と
する絶縁基板の製造方法。 - 【請求項６】 セラミックス基板上に、セラミックス粉
末２０体積％以上５０体積％以下及び残部ガラスの秤量
物と平均粒子径４０μｍ以下の可燃性粒子との混合物を
塗布し、焼成し、次いで結晶化しないガラス粉末を塗布
し焼成することを特徴とする絶縁基板の製造方法。 - 【請求項７】 可燃性粒子が、ポリメチルメタアクリレ
ートである請求項５または請求項６の絶縁基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21708692A JPH0640783A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 絶縁基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21708692A JPH0640783A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 絶縁基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0640783A true JPH0640783A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16698616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21708692A Pending JPH0640783A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 絶縁基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640783A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100808976B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-03-05 | 강릉대학교산학협력단 | 다공성 세라믹스 및 그 제조방법 |
| US8975537B2 (en) | 2009-09-28 | 2015-03-10 | Kyocera Corporation | Circuit substrate, laminated board and laminated sheet |
| JP5731984B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-10 | 京セラ株式会社 | 構造体 |
| JP5734860B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-17 | 京セラ株式会社 | 構造体およびその製造方法 |
| WO2016006339A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 多孔質体および蓄熱デバイス |
| WO2022025011A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Ａｇｃ株式会社 | 化学強化結晶化ガラス及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP21708692A patent/JPH0640783A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100808976B1 (ko) * | 2006-12-11 | 2008-03-05 | 강릉대학교산학협력단 | 다공성 세라믹스 및 그 제조방법 |
| US8975537B2 (en) | 2009-09-28 | 2015-03-10 | Kyocera Corporation | Circuit substrate, laminated board and laminated sheet |
| JP5731984B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-10 | 京セラ株式会社 | 構造体 |
| JP5734860B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-17 | 京セラ株式会社 | 構造体およびその製造方法 |
| US9485877B2 (en) | 2009-09-28 | 2016-11-01 | Kyocera Corporation | Structure for circuit board used in electronic devices and method for manufacturing the same |
| WO2016006339A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | 株式会社村田製作所 | 多孔質体および蓄熱デバイス |
| JPWO2016006339A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 多孔質体および蓄熱デバイス |
| WO2022025011A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Ａｇｃ株式会社 | 化学強化結晶化ガラス及びその製造方法 |
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