JPH0518771B2 - - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/085—Particles bound with glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Description
本発明は誘電体生テープ組成物、特に誘電率の
低い生テープ組成物に関する。 最近シリコンチツプ技術が進歩した結果、高集
積回路、高速信号伝播及びシリコンダイとの直接
接触を可能にする多層配線系への要求が強まつて
きた。これらの要求に応えるためには、信号伝播
の遅れを少なくするため誘電体の材料が、低誘電
率(好ましくは5以下)で、かつダイが基板に直
接接触できるように熱膨張係数もケイ素のそれ
(3.5ppm/℃)に近いものでなければならない。 これまで多層回路に用いられる誘電体組成物
は、大部分が厚膜組成物であつた。典型的な回路
は、Al2O3を92〜96重量%含む基板の上に厚膜を
印刷、乾燥、焼成することによつて形成する。し
かしこのような方法では工程数が多くなり、歩留
りも悪くなつてコストが嵩む。しかしそれにも拘
らず厚膜技術はマイクロエレクトロニクスの分野
で重要な役割を果たしているし、予見できる将来
にあつてもそうあり続けるであろう。最近になつ
て低誘電率の厚膜誘電体組成物が開発されてき
た。しかし熱膨張係数がケイ素のそれ(3.5ppm/
℃)に等しいセラミツク基板はまだ得られていな
い。 多層回路の製造には高温共焼成(HTCF)技
術が用いられるが、これには種々の利点がある。
このテープ処理技術は、各導体層の間に多数の薄
いセラミツク誘電体(通常Al2O3)シートを積層
させる工程を伴なう。しかし、金属化を伴うアル
ミナの共焼成は、モリブデンやタングステンなど
の耐火性金属を用い、1600℃の還元雰囲気下で行
なわなければならない。しかしこれら両金属は、
1000℃以下で使用する金属に比べ導電性が悪い。 ところで近年、多層回路製造プロセスに低温共
焼成(LTCF)技術が導入されてきた。この低温
共焼成テープ技術は、焼成温度が1000℃以下で、
銀、金、白金、銅(銅の場合は還元雰囲気が必要
である。)などの高導電性金属を用いることがで
きる。このテープ技術を用いた場合の誘電率は大
部分が6ないし8であるが、熱膨張率は適当であ
る。しかし現在のところ低誘電率(5以下)とケ
イ素の熱膨張率(3.5ppm/℃)に等しい熱膨張率
を達成できる低温共焼成誘電体テープは得られて
いない。 前述の通り、現在は、金、銀及び銀/パラジウ
ム系などの高導電性金属を使用できるように、(1)
低誘電率(5以下)、(2)ケイ素と同等の熱膨張率
(3.5ppm/℃)、及び(3)低温(1000℃以下)空気焼
成を達成できる低温共焼成の可能な誘電体テープ
が求められている。 本発明は第一に、(a)B2O3のSiO2に対する重量
比が0.22〜0.55で、Al2O3を0.5〜1.5重量%、そし
てこのガラス全体に対して0.3〜1.0重量%のLi2O
を含むアルカリ金属酸化物の混合物若しくはアル
カリ土類金属酸化物の混合物又はこれら両酸化物
の混合物を1.5〜4.0重量%含む55〜75重量%の鉛
非含有非晶質ホウケイ酸ガラスと、(b)ムライト、
溶融シリカとムライトの混合物、並びに溶融シリ
カと石英の混合物から選択される45〜25重量%の
セラミツク充填材、から実質的になる微細に粉砕
された固体の混合物である低誘電率誘電体層形成
用組成物を提供する。 本発明は第二に、揮発性有機溶媒に溶解した結
合剤ポリマーの溶液中に分散した上述の組成物を
含む流延用テープ組成物を提供する。 A ガラス組成物 本発明で用いるガラス組成物は、Al2O3を0.5〜
1.5重量%、そしてアルカリ金属酸化物及び/又
はアルカリ土類金属酸化物を1.5〜4.0重量%含む
非晶質ホウケイ酸ガラスである。ホウケイ酸成分
はガラス全体に対して94.5〜98.3重量%の範囲に
なければならない。もし94.5重量%より少ない
と、ガラスの導電性がよすぎて、誘電正接(DF)
がくなりすぎてしまう。他方ホウケイ酸成分が
98.3重量%より多いと、ガラスの焼成温度が実用
的な焼成温度より高くなつてしまう。B2O3の
SiO2に対する重量比は0.22〜0.55、好ましくは
0.25〜0.40がよい。ガラスは850〜950℃での焼成
時に粘性になるものが好ましい。特に好ましいガ
ラス組成物は、それぞれ重量比でSiO2が72%、
B2O3が25%、Al2O3が1%、K2Oが1%、N2Oが
0.5%及びLi2Oが0.5%のものである。 ガラスの焼成中にこの中にセラミツク充填材が
溶け込むのを抑えるため、ガラスには少量のアル
ミナも必要である。このためにはアルミナが少な
くとも0.5重量%必要である。しかし1.5重量%を
超えると、ガラスの粘度が高くなりすぎて湿潤・
焼成特性が悪化する。加えて、0.3〜1.0重量%の
Li2Oを含む、アルカリ金属及び/若しくはアル
カリ土類金属の酸化物又はこれらの混合物を1.5
〜4.0重量%含まなければならない。ガラスの焼
成中に好ましい低い粘度を得るには、上記の金属
酸化物が少なくとも1.5重量%必要である。しか
しこれが4.0重量%を超えると、焼成組成物の導
電性が高くなりすぎてしまう。ガラス中でのアル
カリイオンの量を最小にするには、ガラスに0.3
〜1.0重量%のLi2Oを添加するのが好ましい。こ
うすれば最小量のアルカリイオン、即ちアルカリ
金属イオンとアルカリ土類金属イオンで、有用な
最低の焼成粘度が達成できる。他方他のアルカリ
金属酸化物(Na2O,K2O)は、ガラス全体に対
して3.0重量%以下に留めなければならない。上
記のガラスは、誘電率に悪影響を与えるBi,Pb
又は他の分極性の大きいイオンを含んではならな
い。 このガラスは、所望の成分を所望量混合し、溶
融体を形成するため加熱するという従来のガラス
製造技術によつて製造することができる。当業者
にはよく知られているように、加熱はピーク温度
で、かつ溶融体が完全に液体になり均一になるま
で行う。本発明の作業においては、各成分は予め
ポリエチレンジヤーとプラスチツク球を用いて撹
拌しながら混合し、次いで白金るつぼ中で所望の
温度で溶融する。溶融体はピーク温度下で1時間
〜1時間半加熱した。次いで溶融体を急冷した。
これを粗く過した後、最大粒径が15μ以下とな
るようにジエツト粉砕した。過・粉砕されたス
ラリーを粉砕材から取り出した後、過剰な溶媒を
デカンテーシヨンで除去し、次いで過した粉末
を室温で空気乾燥した。次いで乾燥した粉末を
325番のメツシユスクリーンでふるいにかけ、こ
れより粒径の大きい粒子を除去した。 B セラミツク充填材 本発明における充填材は、用いるガラス母材の
誘電率(K値)に近いK値を有するものを選ぶ。
こうしてガラスと充填材のK値を接近させると、
高周波における電気信号のバラツキを最小にでき
る。 上述の基準に見合う充填材は、ムライト
(3Al2O3・2SiO2)、溶融シリカとムライトの混合
物、及び溶融シリカと石英の混合物である。充填
材の溶解度を高めるため、溶融シリカと石英の混
合物に、0.5〜2.0重量%の少量のAl2O3を添加す
ることができる。これらの物質は焼成組成物の熱
膨張率が金属ケイ素のそれとほぼ等しくなるよう
な割合で混合する。 この充填材はまた、誘電体組成物の焼成の際に
形状の基になる骨格構造を形づくるという重要な
役割を有する。この充填材がないと、誘電体ガラ
スは凹凸ができて形が崩れる。 本発明で用いる充填材は、850〜950℃の通常の
焼成条件では焼成しない。それでいて充填材は焼
成ガラスに余り溶け込まない。本発明の組成物を
用いる場合の、典型的な焼成サイクルは、ピーク
温度に至るまでが20〜25分、ピーク温度において
10分、そして冷却時間が25〜30分である。 本発明の固体成分の粒径は、多孔質のものがで
きるならば、誘電率に関してはさほど重要でな
い。しかし未焼成(生)時の密度を適当なものに
し、焼成時の収縮を制御するには、平均粒径が1
〜15μ、好ましくは2〜10μであることが重要で
ある。 C 生テープの調製 本発明の組成物は、従来の方法によつて容易に
生テープの製造に用いることができる。即ちまず
結合剤ポリマー、可塑剤及び揮発性溶媒からなる
溶液に分散した誘電体粒子のスラリーをポリプロ
ピレン若しくはMylar ポリエステルフイルム又
はステンレススチールのような可撓性の支持体上
にスリツプさせながら流延する。次いで流延した
スラリーをドクターブレードにかけて厚さを調節
する。次いでドクターブレードにかけたスラリー
層を加熱して揮発性の溶媒を蒸発させ除去する。
次いで結合剤ポリマー母材中に分散した固体層を
支持体から剥し、多層回路に用いるため適当な幅
に切る。この種の生テープの厚さは、通常3〜15
ミルである。生テープ用の結合剤としては種々の
ポリマーを用いることができる。例えばポリ(ビ
ニルブチラール)、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ビ
ニルアルコール)、例えばメチルセルロース、エ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、
メチルヒドロキシエチルセルロースのようなセル
ロースポリマー、アタクチツクポリプロピレン、
ポリエチレン、例えばポリ(メチルシロキサン)、
ポリ(メチルフエニルシロキサン)のようなシリ
コンポリマー、ポリスチレン、ブタジエン/スチ
レンコポリマー、ポリスチレン、ポリ(ビニルピ
ロリジン)、ポリアミド、高分子量ポリエステル、
酸化エチレンと酸化プロピレンのコポリマー、ポ
リアクリルアミド、及び例えばポリアクリル酸ナ
トリウム、ポリ(低級アルキルアクリレート)、
ポリ(低級アルキルメタクリレート)などのアク
リルポリマー、並びに低級アルキルアクリレート
及びメタクリレートなどのコポリマー及びマルチ
ポリマーである。本発明の組成物を用いた生テー
プを製造するのにふさわしい結合剤ポリマーは、
米国特許第4613648号(ウサラ)に開示されてい
る。これらの結合剤ポリマーは、0〜100重量%
のC1-8アルキルメタクリレート、100〜0重量%
のC1-8アルキルアクリレート及び0〜5重量%の
エチレン基が不飽和のカルボン酸又はアミンから
なる相溶性マルチポリマーの混合物である。これ
らのマルチポリマーは、数平均分子量(Mn)が
50000〜100000、重量平均分子量(Mw)が
150000〜350000、Mw/Mnが5.5以下、マルチポ
リマーの混合物中での不飽和カルボン酸又はアミ
ンの総量は0.2〜2.0重量%、そしてポリマー及び
可塑剤(もしある場合)のガラス転移温度は−30
〜45℃である。 セラミツク製の固体が分散している有機媒体
は、主に有機溶媒に分散した結合剤ポリマーから
なる。しかしこの媒体には、他に可塑剤、剥離
剤、分散剤、チキソトロープ剤、リムーバー、防
汚剤、湿潤剤などの物質を溶解・含有させること
ができる。 本発明においては、分散物の流動学的性質を調
節したり、有機媒体の溶媒成分を変えたりすれ
ば、スクリーン印刷など、流延以外の方法によつ
ても基板に適用できる。スクリーン印刷による場
合は、アクリルポリマーが使用時の温度下で完全
に溶解するならば、従来の厚膜材料に用いられて
いる有機媒体材料を用いることができる。 流延用の溶液をつくる場合は、有機媒体の溶媒
成分は、ポリマーが完全に溶解でき、かつ大気中
で比較的低い温度でもこの溶媒が分散物から蒸発
できるように高い揮発性を有するものでなければ
ならない。さらに溶媒は、有機媒体中の他の添加
物の沸点及び分解温度より低い温度で十分に蒸発
するものでなければならない。従つて大気圧下で
の沸点が150℃以下の溶媒がよく用いられる。こ
のような溶媒には、ベンゼン、アセトン、キシレ
ン、メタノール、エタノール、メチルエチルケト
ン、1,1,1−トリクロロエタン、テトラクロ
ロエチレン、酢酸アミル、2,2,4−トリエチ
ルペンタンジオール−1,3−モノイソブチレー
ト、トルエン、塩化メチレン、2−プロパノール
及びFreon TF(トリクロロトリフルオロエタ
ン)がある。 D 多層構造物への応用 多層構造物をつくる場合は、本発明の組成物を
貴金属及び銅以外の多くの卑金属と共に用いなけ
ればならない。しかし組成物を有機物の燃焼を補
助するための酸素放出化合物を与えるようなもの
にするなら、銅も本発明の組成物に用いることが
できる。このような化合物にはCo3O4及びMnO2
がある。この場合はNi,Au,Ag,Pd/Ag及びP
t/Agとともに用いることができる。合金化され
ていない銀も導体として用いることができるが、
銀は焼成時に誘電体層に移行する傾向があるので
余り好ましくない。多くの誘電体組成物と違つ
て、本発明の組成物は空気のような酸化性雰囲気
でも、窒素のような非酸化性雰囲気でも、どちら
でも焼成できる。焼成雰囲気は、通常焼成条件下
での導体金属の酸化安定性を考慮して決める。 E 実施例の調製 下記の無機物固体を、高速分散ミキサー(ウエ
アリングブレンダー)中で、溶媒/ポリマー混合
物中に分散させた。分散はミキサーの機能を最高
にして10分間行なつた。溶液の粘度は第5番スピ
ンドルを用い、ブルツクフイールドRVT粘度計
で回転数20rpm下で測定した。実施例1〜11の流
延溶液の粘度は、0.9〜4.5PaSであつた。溶液は
シリコーンを塗布したMylar ポリエステルフイ
ルムに60℃で流延させ、生テープを形成した。実
施例1〜19の流延テープの厚さは4.1〜4.7ミルで
あつた。流延テープから3インチ×3インチ
(7.6cm×7.6cm)のテープシートを切り取つた。
3インチ×3インチシートの角にある積層時の整
合用位置合せ孔を取り除くため、積層物は2イン
チ角(5.0cm角)に切り取つた。積層物は、350℃
で60分間加熱して有機物を除去し、次いで850℃
のピーク温度で空気中で15分間焼成した。焼成と
冷却のサイクルは70分間であつた。焼成物につい
て重量を容積で除して密度を測定した。以下の実
施例で用いたガラスは好ましいガラス組成物であ
る。 実施例 実施例 1−4 圧縮試験 熱膨張率を3.5ppm/℃で一定にしたまま、ガラ
スのセラミツク充填材に対する容積比を系統的に
変えて種々の流延溶液を調製した。これらの実施
例における充填材の体積添加の上限は、35容量%
である。この値を越えると、焼成過程においても
十分な圧縮が実現されず、多孔質部が残存する。
低い生テープ組成物に関する。 最近シリコンチツプ技術が進歩した結果、高集
積回路、高速信号伝播及びシリコンダイとの直接
接触を可能にする多層配線系への要求が強まつて
きた。これらの要求に応えるためには、信号伝播
の遅れを少なくするため誘電体の材料が、低誘電
率(好ましくは5以下)で、かつダイが基板に直
接接触できるように熱膨張係数もケイ素のそれ
(3.5ppm/℃)に近いものでなければならない。 これまで多層回路に用いられる誘電体組成物
は、大部分が厚膜組成物であつた。典型的な回路
は、Al2O3を92〜96重量%含む基板の上に厚膜を
印刷、乾燥、焼成することによつて形成する。し
かしこのような方法では工程数が多くなり、歩留
りも悪くなつてコストが嵩む。しかしそれにも拘
らず厚膜技術はマイクロエレクトロニクスの分野
で重要な役割を果たしているし、予見できる将来
にあつてもそうあり続けるであろう。最近になつ
て低誘電率の厚膜誘電体組成物が開発されてき
た。しかし熱膨張係数がケイ素のそれ(3.5ppm/
℃)に等しいセラミツク基板はまだ得られていな
い。 多層回路の製造には高温共焼成(HTCF)技
術が用いられるが、これには種々の利点がある。
このテープ処理技術は、各導体層の間に多数の薄
いセラミツク誘電体(通常Al2O3)シートを積層
させる工程を伴なう。しかし、金属化を伴うアル
ミナの共焼成は、モリブデンやタングステンなど
の耐火性金属を用い、1600℃の還元雰囲気下で行
なわなければならない。しかしこれら両金属は、
1000℃以下で使用する金属に比べ導電性が悪い。 ところで近年、多層回路製造プロセスに低温共
焼成(LTCF)技術が導入されてきた。この低温
共焼成テープ技術は、焼成温度が1000℃以下で、
銀、金、白金、銅(銅の場合は還元雰囲気が必要
である。)などの高導電性金属を用いることがで
きる。このテープ技術を用いた場合の誘電率は大
部分が6ないし8であるが、熱膨張率は適当であ
る。しかし現在のところ低誘電率(5以下)とケ
イ素の熱膨張率(3.5ppm/℃)に等しい熱膨張率
を達成できる低温共焼成誘電体テープは得られて
いない。 前述の通り、現在は、金、銀及び銀/パラジウ
ム系などの高導電性金属を使用できるように、(1)
低誘電率(5以下)、(2)ケイ素と同等の熱膨張率
(3.5ppm/℃)、及び(3)低温(1000℃以下)空気焼
成を達成できる低温共焼成の可能な誘電体テープ
が求められている。 本発明は第一に、(a)B2O3のSiO2に対する重量
比が0.22〜0.55で、Al2O3を0.5〜1.5重量%、そし
てこのガラス全体に対して0.3〜1.0重量%のLi2O
を含むアルカリ金属酸化物の混合物若しくはアル
カリ土類金属酸化物の混合物又はこれら両酸化物
の混合物を1.5〜4.0重量%含む55〜75重量%の鉛
非含有非晶質ホウケイ酸ガラスと、(b)ムライト、
溶融シリカとムライトの混合物、並びに溶融シリ
カと石英の混合物から選択される45〜25重量%の
セラミツク充填材、から実質的になる微細に粉砕
された固体の混合物である低誘電率誘電体層形成
用組成物を提供する。 本発明は第二に、揮発性有機溶媒に溶解した結
合剤ポリマーの溶液中に分散した上述の組成物を
含む流延用テープ組成物を提供する。 A ガラス組成物 本発明で用いるガラス組成物は、Al2O3を0.5〜
1.5重量%、そしてアルカリ金属酸化物及び/又
はアルカリ土類金属酸化物を1.5〜4.0重量%含む
非晶質ホウケイ酸ガラスである。ホウケイ酸成分
はガラス全体に対して94.5〜98.3重量%の範囲に
なければならない。もし94.5重量%より少ない
と、ガラスの導電性がよすぎて、誘電正接(DF)
がくなりすぎてしまう。他方ホウケイ酸成分が
98.3重量%より多いと、ガラスの焼成温度が実用
的な焼成温度より高くなつてしまう。B2O3の
SiO2に対する重量比は0.22〜0.55、好ましくは
0.25〜0.40がよい。ガラスは850〜950℃での焼成
時に粘性になるものが好ましい。特に好ましいガ
ラス組成物は、それぞれ重量比でSiO2が72%、
B2O3が25%、Al2O3が1%、K2Oが1%、N2Oが
0.5%及びLi2Oが0.5%のものである。 ガラスの焼成中にこの中にセラミツク充填材が
溶け込むのを抑えるため、ガラスには少量のアル
ミナも必要である。このためにはアルミナが少な
くとも0.5重量%必要である。しかし1.5重量%を
超えると、ガラスの粘度が高くなりすぎて湿潤・
焼成特性が悪化する。加えて、0.3〜1.0重量%の
Li2Oを含む、アルカリ金属及び/若しくはアル
カリ土類金属の酸化物又はこれらの混合物を1.5
〜4.0重量%含まなければならない。ガラスの焼
成中に好ましい低い粘度を得るには、上記の金属
酸化物が少なくとも1.5重量%必要である。しか
しこれが4.0重量%を超えると、焼成組成物の導
電性が高くなりすぎてしまう。ガラス中でのアル
カリイオンの量を最小にするには、ガラスに0.3
〜1.0重量%のLi2Oを添加するのが好ましい。こ
うすれば最小量のアルカリイオン、即ちアルカリ
金属イオンとアルカリ土類金属イオンで、有用な
最低の焼成粘度が達成できる。他方他のアルカリ
金属酸化物(Na2O,K2O)は、ガラス全体に対
して3.0重量%以下に留めなければならない。上
記のガラスは、誘電率に悪影響を与えるBi,Pb
又は他の分極性の大きいイオンを含んではならな
い。 このガラスは、所望の成分を所望量混合し、溶
融体を形成するため加熱するという従来のガラス
製造技術によつて製造することができる。当業者
にはよく知られているように、加熱はピーク温度
で、かつ溶融体が完全に液体になり均一になるま
で行う。本発明の作業においては、各成分は予め
ポリエチレンジヤーとプラスチツク球を用いて撹
拌しながら混合し、次いで白金るつぼ中で所望の
温度で溶融する。溶融体はピーク温度下で1時間
〜1時間半加熱した。次いで溶融体を急冷した。
これを粗く過した後、最大粒径が15μ以下とな
るようにジエツト粉砕した。過・粉砕されたス
ラリーを粉砕材から取り出した後、過剰な溶媒を
デカンテーシヨンで除去し、次いで過した粉末
を室温で空気乾燥した。次いで乾燥した粉末を
325番のメツシユスクリーンでふるいにかけ、こ
れより粒径の大きい粒子を除去した。 B セラミツク充填材 本発明における充填材は、用いるガラス母材の
誘電率(K値)に近いK値を有するものを選ぶ。
こうしてガラスと充填材のK値を接近させると、
高周波における電気信号のバラツキを最小にでき
る。 上述の基準に見合う充填材は、ムライト
(3Al2O3・2SiO2)、溶融シリカとムライトの混合
物、及び溶融シリカと石英の混合物である。充填
材の溶解度を高めるため、溶融シリカと石英の混
合物に、0.5〜2.0重量%の少量のAl2O3を添加す
ることができる。これらの物質は焼成組成物の熱
膨張率が金属ケイ素のそれとほぼ等しくなるよう
な割合で混合する。 この充填材はまた、誘電体組成物の焼成の際に
形状の基になる骨格構造を形づくるという重要な
役割を有する。この充填材がないと、誘電体ガラ
スは凹凸ができて形が崩れる。 本発明で用いる充填材は、850〜950℃の通常の
焼成条件では焼成しない。それでいて充填材は焼
成ガラスに余り溶け込まない。本発明の組成物を
用いる場合の、典型的な焼成サイクルは、ピーク
温度に至るまでが20〜25分、ピーク温度において
10分、そして冷却時間が25〜30分である。 本発明の固体成分の粒径は、多孔質のものがで
きるならば、誘電率に関してはさほど重要でな
い。しかし未焼成(生)時の密度を適当なものに
し、焼成時の収縮を制御するには、平均粒径が1
〜15μ、好ましくは2〜10μであることが重要で
ある。 C 生テープの調製 本発明の組成物は、従来の方法によつて容易に
生テープの製造に用いることができる。即ちまず
結合剤ポリマー、可塑剤及び揮発性溶媒からなる
溶液に分散した誘電体粒子のスラリーをポリプロ
ピレン若しくはMylar ポリエステルフイルム又
はステンレススチールのような可撓性の支持体上
にスリツプさせながら流延する。次いで流延した
スラリーをドクターブレードにかけて厚さを調節
する。次いでドクターブレードにかけたスラリー
層を加熱して揮発性の溶媒を蒸発させ除去する。
次いで結合剤ポリマー母材中に分散した固体層を
支持体から剥し、多層回路に用いるため適当な幅
に切る。この種の生テープの厚さは、通常3〜15
ミルである。生テープ用の結合剤としては種々の
ポリマーを用いることができる。例えばポリ(ビ
ニルブチラール)、ポリ(酢酸ビニル)、ポリ(ビ
ニルアルコール)、例えばメチルセルロース、エ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、
メチルヒドロキシエチルセルロースのようなセル
ロースポリマー、アタクチツクポリプロピレン、
ポリエチレン、例えばポリ(メチルシロキサン)、
ポリ(メチルフエニルシロキサン)のようなシリ
コンポリマー、ポリスチレン、ブタジエン/スチ
レンコポリマー、ポリスチレン、ポリ(ビニルピ
ロリジン)、ポリアミド、高分子量ポリエステル、
酸化エチレンと酸化プロピレンのコポリマー、ポ
リアクリルアミド、及び例えばポリアクリル酸ナ
トリウム、ポリ(低級アルキルアクリレート)、
ポリ(低級アルキルメタクリレート)などのアク
リルポリマー、並びに低級アルキルアクリレート
及びメタクリレートなどのコポリマー及びマルチ
ポリマーである。本発明の組成物を用いた生テー
プを製造するのにふさわしい結合剤ポリマーは、
米国特許第4613648号(ウサラ)に開示されてい
る。これらの結合剤ポリマーは、0〜100重量%
のC1-8アルキルメタクリレート、100〜0重量%
のC1-8アルキルアクリレート及び0〜5重量%の
エチレン基が不飽和のカルボン酸又はアミンから
なる相溶性マルチポリマーの混合物である。これ
らのマルチポリマーは、数平均分子量(Mn)が
50000〜100000、重量平均分子量(Mw)が
150000〜350000、Mw/Mnが5.5以下、マルチポ
リマーの混合物中での不飽和カルボン酸又はアミ
ンの総量は0.2〜2.0重量%、そしてポリマー及び
可塑剤(もしある場合)のガラス転移温度は−30
〜45℃である。 セラミツク製の固体が分散している有機媒体
は、主に有機溶媒に分散した結合剤ポリマーから
なる。しかしこの媒体には、他に可塑剤、剥離
剤、分散剤、チキソトロープ剤、リムーバー、防
汚剤、湿潤剤などの物質を溶解・含有させること
ができる。 本発明においては、分散物の流動学的性質を調
節したり、有機媒体の溶媒成分を変えたりすれ
ば、スクリーン印刷など、流延以外の方法によつ
ても基板に適用できる。スクリーン印刷による場
合は、アクリルポリマーが使用時の温度下で完全
に溶解するならば、従来の厚膜材料に用いられて
いる有機媒体材料を用いることができる。 流延用の溶液をつくる場合は、有機媒体の溶媒
成分は、ポリマーが完全に溶解でき、かつ大気中
で比較的低い温度でもこの溶媒が分散物から蒸発
できるように高い揮発性を有するものでなければ
ならない。さらに溶媒は、有機媒体中の他の添加
物の沸点及び分解温度より低い温度で十分に蒸発
するものでなければならない。従つて大気圧下で
の沸点が150℃以下の溶媒がよく用いられる。こ
のような溶媒には、ベンゼン、アセトン、キシレ
ン、メタノール、エタノール、メチルエチルケト
ン、1,1,1−トリクロロエタン、テトラクロ
ロエチレン、酢酸アミル、2,2,4−トリエチ
ルペンタンジオール−1,3−モノイソブチレー
ト、トルエン、塩化メチレン、2−プロパノール
及びFreon TF(トリクロロトリフルオロエタ
ン)がある。 D 多層構造物への応用 多層構造物をつくる場合は、本発明の組成物を
貴金属及び銅以外の多くの卑金属と共に用いなけ
ればならない。しかし組成物を有機物の燃焼を補
助するための酸素放出化合物を与えるようなもの
にするなら、銅も本発明の組成物に用いることが
できる。このような化合物にはCo3O4及びMnO2
がある。この場合はNi,Au,Ag,Pd/Ag及びP
t/Agとともに用いることができる。合金化され
ていない銀も導体として用いることができるが、
銀は焼成時に誘電体層に移行する傾向があるので
余り好ましくない。多くの誘電体組成物と違つ
て、本発明の組成物は空気のような酸化性雰囲気
でも、窒素のような非酸化性雰囲気でも、どちら
でも焼成できる。焼成雰囲気は、通常焼成条件下
での導体金属の酸化安定性を考慮して決める。 E 実施例の調製 下記の無機物固体を、高速分散ミキサー(ウエ
アリングブレンダー)中で、溶媒/ポリマー混合
物中に分散させた。分散はミキサーの機能を最高
にして10分間行なつた。溶液の粘度は第5番スピ
ンドルを用い、ブルツクフイールドRVT粘度計
で回転数20rpm下で測定した。実施例1〜11の流
延溶液の粘度は、0.9〜4.5PaSであつた。溶液は
シリコーンを塗布したMylar ポリエステルフイ
ルムに60℃で流延させ、生テープを形成した。実
施例1〜19の流延テープの厚さは4.1〜4.7ミルで
あつた。流延テープから3インチ×3インチ
(7.6cm×7.6cm)のテープシートを切り取つた。
3インチ×3インチシートの角にある積層時の整
合用位置合せ孔を取り除くため、積層物は2イン
チ角(5.0cm角)に切り取つた。積層物は、350℃
で60分間加熱して有機物を除去し、次いで850℃
のピーク温度で空気中で15分間焼成した。焼成と
冷却のサイクルは70分間であつた。焼成物につい
て重量を容積で除して密度を測定した。以下の実
施例で用いたガラスは好ましいガラス組成物であ
る。 実施例 実施例 1−4 圧縮試験 熱膨張率を3.5ppm/℃で一定にしたまま、ガラ
スのセラミツク充填材に対する容積比を系統的に
変えて種々の流延溶液を調製した。これらの実施
例における充填材の体積添加の上限は、35容量%
である。この値を越えると、焼成過程においても
十分な圧縮が実現されず、多孔質部が残存する。
【表】
【表】
ン社製フツ素化溶媒の商標であ
る。
実施例 5−7 圧縮試験 充填材の全組成物に対する容積比を32%に固定
したまま、2つのセラミツク充填材の比を系統的
に変化させて種々の流延溶液を調製した。これら
の実施例における熱膨張係数は2.9〜3.6ppm/℃
であつた。これらの実施例は、有用な種々の熱膨
張係数を達成できるというこの系の汎用性を表し
ている。
る。
実施例 5−7 圧縮試験 充填材の全組成物に対する容積比を32%に固定
したまま、2つのセラミツク充填材の比を系統的
に変化させて種々の流延溶液を調製した。これら
の実施例における熱膨張係数は2.9〜3.6ppm/℃
であつた。これらの実施例は、有用な種々の熱膨
張係数を達成できるというこの系の汎用性を表し
ている。
【表】
【表】
実施例 8−10
圧縮試験
充填材の全組成物に対する容積比を37%に固定
したまま、2つのセラミツク充填材の比を系統的
に変化させて種々の流延溶液を調製した。これら
の実施例における熱膨張係数は、実施例5−7と
同様に2.9〜3.6ppm/℃であつた。しかし、体積
添加を大きくすると焼成密度が大きく変動するこ
とが分つた。これらの実施例は、これを超えると
焼成物において圧縮が不完全で多孔質部が残存す
るという容積比の上限(ほぼ35容量%)があるこ
とを示している。この上限はガラスとセラミツク
成分の粒径によつて、またセラミツク充填材上で
のガラスの湿潤挙動に影響する湿潤界面活性剤の
添加によつて変化する。
したまま、2つのセラミツク充填材の比を系統的
に変化させて種々の流延溶液を調製した。これら
の実施例における熱膨張係数は、実施例5−7と
同様に2.9〜3.6ppm/℃であつた。しかし、体積
添加を大きくすると焼成密度が大きく変動するこ
とが分つた。これらの実施例は、これを超えると
焼成物において圧縮が不完全で多孔質部が残存す
るという容積比の上限(ほぼ35容量%)があるこ
とを示している。この上限はガラスとセラミツク
成分の粒径によつて、またセラミツク充填材上で
のガラスの湿潤挙動に影響する湿潤界面活性剤の
添加によつて変化する。
【表】
実施例 11
好ましい組成物
以下の組成物は、生テープが優れた機械的性質
を有し、焼成物の誘電率が5以下で熱膨張係数が
ケイ素と同じく(3.5ppm/℃)という十分稠密な
セラミツクであるスリツプを形成した。組 成 セラミツク/結合剤比(重量) 7 結合剤/可塑剤比(重量) 6 ガラス 68 ムライト 28 溶融シリカ 4 ガラス 30.43 ムライト 16.47 溶融シリカ 1.85 ポリマー全部 0.95 MEK全部 4.64 トリクロロエタン 34.22 ジオクチルフタレート 1.16 イソプロパノール 1.09 塩化メチレン 1.28 Freon TF 1.91 100.00性 質 測定した密度(g/c.c.) 2.32 理論密度(g/c.c.) 2.32 熱膨張係数(ppm/℃) 3.50 1MHzにおける誘電率 4.70 線収縮率(%) 16.0 本発明には以下に示す態様も含まれる。 (1) 前記ホウケイ酸ガラスはPNa2OとK2Oの混
合物を0.9〜3.0重量%含む特許請求の範囲に記
載の組成物。 (2) 前記ガラスのホウケイ酸成分は実質的に72重
量%のSiO2と28重量%のB2O3からなる特許請
求の範囲に記載の組成物。 (3) 揮発性有機溶媒に溶解した結合剤ポリマーの
溶液中に分散した特許請求の範囲に記載の組成
物を含む流延用テープ組成物。 (4) 前記結合剤成分はメチルメタクリレート、エ
チルメタクリレート、メチルアクリレート及び
これらの混合物のポリマーから選択される(3)に
記載の流延用テープ組成物。 (5) 前記結合剤ポリマー成分に可塑剤を溶解した
(3)に記載の流延用テープ組成物。 (6) (3)に記載の流延用テープ組成物の薄層を可撓
性基板に流延し、該流延層から揮発性溶媒を除
去するためこれを加熱し、及び該溶媒非含有層
を前記基板から剥がすことによつて形成するセ
ラミツク製生テープ。
を有し、焼成物の誘電率が5以下で熱膨張係数が
ケイ素と同じく(3.5ppm/℃)という十分稠密な
セラミツクであるスリツプを形成した。組 成 セラミツク/結合剤比(重量) 7 結合剤/可塑剤比(重量) 6 ガラス 68 ムライト 28 溶融シリカ 4 ガラス 30.43 ムライト 16.47 溶融シリカ 1.85 ポリマー全部 0.95 MEK全部 4.64 トリクロロエタン 34.22 ジオクチルフタレート 1.16 イソプロパノール 1.09 塩化メチレン 1.28 Freon TF 1.91 100.00性 質 測定した密度(g/c.c.) 2.32 理論密度(g/c.c.) 2.32 熱膨張係数(ppm/℃) 3.50 1MHzにおける誘電率 4.70 線収縮率(%) 16.0 本発明には以下に示す態様も含まれる。 (1) 前記ホウケイ酸ガラスはPNa2OとK2Oの混
合物を0.9〜3.0重量%含む特許請求の範囲に記
載の組成物。 (2) 前記ガラスのホウケイ酸成分は実質的に72重
量%のSiO2と28重量%のB2O3からなる特許請
求の範囲に記載の組成物。 (3) 揮発性有機溶媒に溶解した結合剤ポリマーの
溶液中に分散した特許請求の範囲に記載の組成
物を含む流延用テープ組成物。 (4) 前記結合剤成分はメチルメタクリレート、エ
チルメタクリレート、メチルアクリレート及び
これらの混合物のポリマーから選択される(3)に
記載の流延用テープ組成物。 (5) 前記結合剤ポリマー成分に可塑剤を溶解した
(3)に記載の流延用テープ組成物。 (6) (3)に記載の流延用テープ組成物の薄層を可撓
性基板に流延し、該流延層から揮発性溶媒を除
去するためこれを加熱し、及び該溶媒非含有層
を前記基板から剥がすことによつて形成するセ
ラミツク製生テープ。
Claims (1)
- 1 実質的にガラスと充填材成分からなる微細に
粉砕された固体の混合物である低誘電率誘電体層
形成用組組成物であつて、前記ガラスはB2O3の
SiO2に対する重量比が0.22〜0.55で、Al2O3を0.5
〜1.5重量%、並びにガラス全体に対して0.3〜1.0
重量%のLi2Oを含むアルカリ金属酸化物の混合
物若しくはアルカリ土類金属酸化物の混合物また
はこれら両酸化物の混合物を1.5〜4.0重量%含む
55〜75重量%の鉛非含有非晶質ホウケイ酸ガラス
であり、前記充填材成分は、ムライト、溶融シリ
カとムライトの混合物、並びに溶融シリカと石英
の混合物から選択される45〜25重量%のセラミツ
ク充填材である誘電体組成物。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US149506 | 1988-01-28 | ||
US07/149,506 US4849380A (en) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | Dielectric composition |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01224240A JPH01224240A (ja) | 1989-09-07 |
JPH0518771B2 true JPH0518771B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=22530592
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1015212A Granted JPH01224240A (ja) | 1988-01-28 | 1989-01-26 | 誘電体組成物 |
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---|---|
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EP (1) | EP0326093B1 (ja) |
JP (1) | JPH01224240A (ja) |
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DE (1) | DE68922000T2 (ja) |
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US5346751A (en) * | 1988-12-19 | 1994-09-13 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package using closed pore composites |
US5024975A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Co., Inc. | Crystallizable, low dielectric constant, low dielectric loss composition |
US5070046A (en) * | 1989-10-19 | 1991-12-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
DE3935471A1 (de) * | 1989-10-25 | 1991-05-02 | Hoechst Ag | Keramische stoffzusammensetzung und ihre verwendung |
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JP3904102B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2007-04-11 | 日本電気硝子株式会社 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
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KR100540479B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2006-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저유전율 다공성막의 형성 방법 |
US7510995B2 (en) * | 2003-04-01 | 2009-03-31 | United Technologies Corporation | Application of a mixed metal oxide catalyst to a metallic substrate |
US7186461B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-03-06 | Delaware Capital Formation, Inc. | Glass-ceramic materials and electronic packages including same |
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CN112080071A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-12-15 | 湖南捷立康科技有限公司 | 一种具有低介电性能的聚丙烯透波母料、制备方法及用其制成的聚丙烯制品 |
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---|---|---|---|---|
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US4591758A (en) * | 1983-06-22 | 1986-05-27 | Burroughs Corporation | Gas plasma display panel containing an improved low-temperature dielectric |
JPS60235744A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-22 | Asahi Glass Co Ltd | セラミック基板用組成物 |
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JPS62209895A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト |
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1988
- 1988-01-28 US US07/149,506 patent/US4849380A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-01-25 DE DE68922000T patent/DE68922000T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-01-25 EP EP89101236A patent/EP0326093B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 1989-01-26 JP JP1015212A patent/JPH01224240A/ja active Granted
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EP0326093B1 (en) | 1995-04-05 |
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