JP2015099941A - 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の一実施形態における配線基板3は、無機絶縁層11と、無機絶縁層11の一主面に形成された第1樹脂層12と、無機絶縁層11の他主面に形成された第2樹脂層13と、第2樹脂層13の無機絶縁層11と反対側の一主面に部分的に形成された導電層8とを有する。無機絶縁層11は、互いに一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子14を含むとともに、複数の第1無機絶縁粒子14に囲まれた間隙Gが形成されている。第1樹脂層12の一部および第2樹脂層13の一部は、間隙Gに入り込んでいる。
【選択図】 図1
Description
駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第1樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第1樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第1樹脂前駆体を前記第1樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第1樹脂前駆体を第1樹脂層にする工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第2樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第2樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第2樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第2樹脂前駆体を前記第2樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第2樹脂前駆体を第2樹脂層にする工程を備える。
以下に、本発明の一実施形態における配線基板を含む実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
方向への熱膨張率は、例えば0ppm/℃以上10ppm/℃以下である。なお、無機絶縁層11Aのヤング率は、ナノインデンターを用いて、ISO527−1:1993に準じた測定方法によって測定される。
を含むことが望ましい。この場合、無機絶縁部は、複数の第1無機絶縁粒子14同士および第1無機絶縁粒子14と第2無機絶縁粒子15とが互いに一部で接続して形成される。その結果、第2無機絶縁粒子15の平均粒径は第1無機絶縁粒子14の平均粒径よりも大きいことから、無機絶縁部にクラックが発生した場合に、クラックが第2無機絶縁粒子15を迂回するために大きなエネルギーが必要となるため、このクラックの伸長を抑制することができる。
、第1樹脂層12Bの一部が間隙Gに入り込んでいる。
導体9同士およびビア導体21同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。
次に、前述した実装構造体1の製造方法を、図5から図12を参照しつつ説明する。
ても、第1無機絶縁粒子14同士を強固に接続させることができる。
Pa以上3MPa以下であり、加熱時間は例えば0.5時間以上2時間以下である。なお、硬化開始温度は、樹脂がISO472:1999に準ずるC−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ISO11358:1997に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が5%減少する温度である。
ー粒子19とを含む第2樹脂前駆体13Bxを積層する。
料を浸透させることができる。その結果、無機絶縁層11を厚くして配線基板3のヤング率を高めることができる。したがって、配線基板3の反りや変形を低減できることから、配線基板3に電子部品2を実装する際の歩留まりを向上させることができる。
2 電子部品
3 配線基板
4 バンプ
5 コア基板
6 配線層
7 基体
8、8A、8B 導電層
9 スルーホール導体
10 絶縁体
11,11A、11B 無機絶縁層
11x 無機絶縁ゾル
12、12A、12B 第1樹脂層
12x、12Ax、12Bx 第1樹脂前駆体
13、13A、13B 第2樹脂層
13x,
13x、13Ax、13Bx 第2樹脂前駆体
14 第1無機絶縁粒子
15 第2無機絶縁粒子
16、16A、16B 第1樹脂部
16x、16Ax、16Bx 未硬化の第1樹脂材料
17 基材
18、18A、18B 第2樹脂部
18x、18Ax、18Bx 未硬化の第2樹脂材料
19 フィラー粒子
20 第3樹脂層
21 ビア導体
22 支持シ一卜
23 積層シ一卜
B 接続面
G 間隙
N ネック
T スルーホール
V ビア孔
Claims (9)
- 無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面に形成された第1樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に形成された第2樹脂層と、該第2樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に部分的に形成された導電層とを有し、
前記無機絶縁層は、互いに一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第1無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されており、
前記第1樹脂層の一部および前記第2樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいることを特徴とする配線基板。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記第1樹脂層の一部は、前記間隙において、前記第2樹脂層の一部と接していることを特徴とする配線基板。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記第2樹脂層は、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を含み、
該複数のフィラー粒子は、前記第2樹脂層中に分散しており、
該第2樹脂層において、前記無機絶縁層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも小さいことを特徴とする配線基板。 - 請求項1に記載の配線基板において、
前記第2樹脂層の一主面に、前記導電層を被覆して形成された第3樹脂層をさらに有し、該第3樹脂層は、前記第2樹脂層と同じ樹脂材料からなることを特徴とする配線基板。 - 請求項4に記載の配線基板において、
前記第3樹脂層は、前記複数のフィラー粒子を含み、
該複数のフィラー粒子は、前記第3樹脂層中に分散しており、
該第3樹脂層において、前記導電層と反対側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも小さいことを特徴とする配線基板。 - 請求項1に記載の配線基板と、該配線基板の前記第2樹脂層側の一主面に実装された電子部品とを備えた実装構造体。
- 互いに一部で接続した複数の第1無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第1無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成された無機絶縁層を準備する工程と、
前記無機絶縁層の一主面に未硬化の第1樹脂材料からなる第1樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
前記無機絶縁層の他主面に未硬化の第2樹脂材料からなる前記第2樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
前記第1樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第1樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第1樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
前記無機絶縁層および前記第1樹脂前駆体を前記第1樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第1樹脂前駆体を第1樹脂層にする工程と、
前記第2樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第2樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第2樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
前記無機絶縁層および前記第2樹脂前駆体を前記第2樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第2樹脂前駆体を第2樹脂層にする工程と、
前記第2樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に導電層を形成する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項7に記載の配線基板の製造方法において、
前記第1樹脂前駆体を第1樹脂層にする工程を、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に、前記第2樹脂材料の一部を入り込ませる工程の前に行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項8に記載の配線基板の製造方法において、
前記第2樹脂前駆体を層状に配置する工程で、前記無機絶縁層の他主面に、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を分散させた前記第2樹脂前駆体を層状に配置することを特徴とする配線基板の製造方法。
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