WO2013125558A1 - 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法 Download PDF

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長澤　忠
林　桂
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京セラ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wiring board used for electronic equipment (for example, various audiovisual equipment, home appliances, communication equipment, computer equipment and peripheral devices thereof), a mounting structure using the wiring board, and a method of manufacturing the wiring board. .
  • this wiring board for example, a wiring board having an insulating layer made of a resin material, such as that disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-118194, is used.
  • a resin material having a larger thermal expansion coefficient than that of the electronic component is used for the insulating layer, the thermal expansion coefficient of the wiring board tends to be larger than the thermal expansion coefficient of the electronic component.
  • connection reliability between the wiring board and the electronic component is likely to be lowered, and the electrical reliability of the mounting structure is likely to be lowered.
  • An object of the present invention is to provide a wiring board that meets the demand for improving the electrical reliability of a mounting structure, a mounting structure using the wiring board, and a method for manufacturing the wiring board.
  • the wiring board in one embodiment of the present invention includes an inorganic insulating layer, a first resin layer formed on one main surface of the inorganic insulating layer, and a second resin layer formed on the other main surface of the inorganic insulating layer. And a conductive layer partially formed on one main surface of the second resin layer opposite to the inorganic insulating layer.
  • the inorganic insulating layer includes a plurality of first inorganic insulating particles partially connected to each other, and a gap surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles is formed. A part of the first resin layer and a part of the second resin layer enter the gap.
  • a mounting structure in an embodiment of the present invention includes the above-described wiring board and an electronic component mounted on one main surface of the wiring board on the second resin layer side.
  • a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment of the present invention includes a plurality of first inorganic insulating particles partially connected to each other, and an inorganic insulating material in which a gap surrounded by the plurality of first inorganic insulating particles is formed. Providing a layer. Moreover, the manufacturing method mentioned above is equipped with the process of arrange
  • the inorganic insulating layer in which the first resin precursor is disposed is heated and pressurized at a temperature lower than the curing start temperature of the first resin material, and the gap of the inorganic insulating layer is increased.
  • the manufacturing method mentioned above heats the said inorganic insulating layer and the said 1st resin precursor at the temperature more than the curing start temperature of the said 1st resin material, and makes the said 1st resin precursor a 1st resin layer.
  • a process is provided.
  • the inorganic insulating layer in which the second resin precursor is disposed is heated and pressurized at a temperature lower than the curing start temperature of the second resin material, and the gap between the inorganic insulating layers is increased.
  • the manufacturing method mentioned above heats the said inorganic insulating layer and the said 2nd resin precursor at the temperature more than the hardening start temperature of the said 2nd resin material, and makes the said 2nd resin precursor a 2nd resin layer.
  • a process is provided.
  • the manufacturing method described above includes a step of forming a conductive layer on one main surface of the second resin layer opposite to the inorganic insulating layer.
  • the insulating layer includes the inorganic insulating layer disposed between the first resin layer and the second resin layer, the thermal expansion coefficient of the insulating layer is reduced. Can do. Therefore, since the connection reliability between the wiring board and the electronic component can be increased, the electrical reliability of the mounting structure can be improved.
  • the mounting structure in one embodiment of the present invention since the wiring board described above is provided, the electrical reliability of the mounting structure can be improved.
  • a wiring board having excellent connection reliability with an electronic component can be manufactured, and thus the electrical reliability of the mounting structure can be improved.
  • the mounting structure 1 shown in FIG. 1 is used for electronic devices such as various audiovisual devices, home appliances, communication devices, computer devices or peripheral devices thereof.
  • the mounting structure 1 includes an electronic component 2 and a wiring board 3 on which the electronic component 2 is mounted on one main surface.
  • the electronic component 2 is flip-chip mounted on the wiring board 3 via bumps 4 containing a conductive material such as solder.
  • a semiconductor element such as an IC or an LSI can be used.
  • the electronic component 2 is made of a semiconductor material such as silicon, germanium, gallium arsenide, gallium arsenide phosphorus, gallium nitride, or silicon carbide.
  • the thickness of the electronic component 2 is, for example, 0.05 mm or more and 1 mm or less.
  • the thermal expansion coefficient in the plane direction (XY plane direction) of the electronic component 2 is, for example, 3 ppm / ° C. or more and 5 ppm / ° C. or less.
  • the thickness of the electronic component 2 is determined by observing the cross section of the electronic component 2 with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope, measuring the length along the thickness direction (Z direction) at 10 or more points, and calculating the average value. Measured by calculating.
  • the coefficient of thermal expansion of the electronic component 2 is measured by a measuring method according to JIS K7197-1991 using a commercially available TMA apparatus.
  • the thickness and the coefficient of thermal expansion of each member are measured in the same manner as the electronic component 2.
  • the wiring substrate 3 includes a core substrate 5 and a pair of wiring layers 6 formed on both main surfaces of the core substrate 5.
  • the thickness of the wiring board 3 is, for example, not less than 0.05 mm and not more than 1.5 mm.
  • the Young's modulus of the wiring board 3 is, for example, 5 GPa or more and 30 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the wiring board 3 is, for example, 4 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less.
  • the Young's modulus of the wiring board 3 is obtained by dividing the tensile stress per unit cross-sectional area obtained by cutting a rectangular test piece from the wiring board 3 and measuring the test piece with a tensile tester by the amount of elongation of the resin. Can be measured.
  • the Young's modulus of each member is measured in the same manner as the wiring board 3 unless otherwise specified.
  • the core substrate 5 increases the Young's modulus of the wiring substrate 3.
  • the core substrate 5 includes a base body 7, a pair of conductive layers 8A formed on both main surfaces of the base body 7, a cylindrical through-hole conductor 9 that electrically connects the pair of conductive layers 8A, and a cylindrical shape. And an insulator 10 filled in the through-hole conductor 9.
  • the base body 7 increases the Young's modulus of the core substrate 5.
  • the base body 7 is positioned on the main surface of the inorganic insulating layer 11A opposite to the first resin layer 12A, the first resin layer 12A positioned between the pair of inorganic insulating layers 11A, and the pair of inorganic insulating layers 11A. Second resin layer 13A.
  • the inorganic insulating layer 11 ⁇ / b> A increases the Young's modulus of the base 7 and reduces the coefficient of thermal expansion of the base 7.
  • the inorganic insulating layer 11A is composed of an inorganic insulating portion mainly composed of an inorganic insulating material, and a gap G is formed in the inorganic insulating portion. As shown in FIG. 2, in the gap G, a part of the first resin layer 12A and a part of the second resin layer 13A, which will be described later, enter.
  • the thickness of the inorganic insulating layer 11A is, for example, 3 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, which corresponds to, for example, 5% or more and 50% or less of the thickness of the first resin layer 12A.
  • the Young's modulus of the inorganic insulating layer 11A is, for example, 20 GPa or more and 50 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the inorganic insulating layer 11A is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 10 ppm / ° C. or less. Note that the Young's modulus of the inorganic insulating layer 11A is measured by a measurement method according to ISO 527-1: 1993 using a nanoindenter.
  • the content ratio of the inorganic insulating portion in the inorganic insulating layer 11A is, for example, 62 volume% or more and 75 volume% or less.
  • the content ratio of the gap G in the inorganic insulating layer 11A is, for example, 25 volume% or more and 38 volume% or less.
  • the content ratio of a part of the first resin layer 12A and a part of the second resin layer 13A in the gap G is, for example, 99.5% by volume or more and 100% by volume or less.
  • the width of the gap G is, for example, not less than 10 nm and not more than 300 nm.
  • the width of the gap G is determined by observing a cross section of the inorganic insulating layer 11A with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope, photographing an enlarged cross section so as to include the gap G of 20 to 50, and expanding the cross section.
  • the average value of the maximum diameters of the respective gaps G is obtained by regarding the width of the gap G.
  • the inorganic insulating part includes a plurality of first inorganic insulating particles 14 made of an inorganic insulating material.
  • the inorganic insulating material has a smaller coefficient of thermal expansion than the resin material, the coefficient of thermal expansion of the inorganic insulating part is small. Therefore, when the first resin layer 12A and the second resin layer 13A formed on both main surfaces of the inorganic insulating layer 11A are thermally expanded, the inorganic insulating layer 11A restrains the first resin layer 12A and the second resin layer 13A. Therefore, the thermal expansion coefficient of the base body 7 can be reduced.
  • the plurality of first inorganic insulating particles 14 included in the inorganic insulating portion are connected to each other so as to form the neck N, and a gap G surrounded by the first inorganic insulating particles 14 connected to each other is formed. Is formed. A part of the first resin layer 12A and a part of the second resin layer 13A enter the gap G. As a result, the adhesive strength between part of the first resin layer 12A and the second resin layer 13A and the inorganic insulating layer 11A can be improved. Accordingly, it is possible to reduce the separation of the first resin layer 12A and the second resin layer 13A from the inorganic insulating layer 11A.
  • the plurality of first inorganic insulating particles 14 are connected to each other, the plurality of first inorganic insulating particles 14 are bound to each other.
  • the Young's modulus of the inorganic insulating layer 11A can be improved. Accordingly, when the first resin layer 12A and the second resin layer 13A are thermally expanded, the inorganic insulating layer 11A can favorably restrain the first resin layer 12A and the second resin layer 13A, and the thermal expansion of the base body 7 is achieved. The rate can be further reduced.
  • the first inorganic insulating particles 14 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or calcium oxide. Among these, it is desirable to use silicon oxide. Since silicon oxide has a lower dielectric loss tangent than other inorganic insulating materials, the signal transmission characteristics of the conductive layer 8A can be improved.
  • the first inorganic insulating particles 14 are preferably made of an amorphous material. As a result, the anisotropy of the thermal expansion coefficient due to the crystal structure of the first inorganic insulating particles 14 can be reduced, and the generation of cracks in the inorganic insulating layer 11A can be reduced.
  • the average particle diameter of the first inorganic insulating particles 14 is, for example, not less than 3 nm and not more than 110 nm.
  • the Young's modulus of the first inorganic insulating particles 14 is, for example, 10 GPa or more and 100 GPa or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the first inorganic insulating particles 14 is, for example, not less than 0.5 ppm / ° C. and not more than 15 ppm / ° C. Note that the average particle size of the first inorganic insulating particles 14 was expanded to include 20 to 50 particles by observing the polished surface or fractured surface of the inorganic insulating layer 11A with a field emission electron microscope.
  • the average particle diameter of each member is measured in the same manner as the first inorganic insulating particles 14 unless otherwise specified.
  • the inorganic insulating part desirably includes the second inorganic insulating particles 15 having an average particle diameter larger than that of the first inorganic insulating particles 14.
  • the inorganic insulating part is formed by connecting the plurality of first inorganic insulating particles 14 to each other and the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15 in part.
  • the average particle size of the second inorganic insulating particles 15 is larger than the average particle size of the first inorganic insulating particles 14, when cracks occur in the inorganic insulating portion, the cracks cause the second inorganic insulating particles 15 to break. Since a large amount of energy is required for detouring, this crack extension can be suppressed.
  • the second inorganic insulating particles 15 are made of the same material as the first inorganic insulating particles 14, for example, and have the same characteristics. Among these, it is desirable to use the same material as the first inorganic insulating particles 14 for the second inorganic insulating particles 15.
  • the average particle diameter of the second inorganic insulating particles 15 is, for example, not less than 0.5 ⁇ m and not more than 5 ⁇ m.
  • the average particle size of the second inorganic insulating particles 15 is determined by first observing the cross section of the inorganic insulating layer 11A with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope, and paying attention to at least 30 particles in the cross section.
  • each particle was polished by 0.2 ⁇ m, the particle size of these particles was measured at each polishing cross section, the value showing the maximum diameter of the focused particle was regarded as the diameter of each particle, and the average value thereof was calculated. calculate. Then, this average value is obtained by measuring at least 30 arbitrary selected cross sections and further calculating the average value calculated at each cross section.
  • the content ratio of the first inorganic insulating particles 14 in the inorganic insulating part is, for example, 20% by volume or more and 90% by volume or less.
  • the content ratio of the second inorganic insulating particles 15 in the inorganic insulating part is, for example, 10% by volume to 80% by volume.
  • the first resin layer 12 ⁇ / b> A is a main part of the base body 7.
  • the first resin layer 12A includes, for example, a first resin portion 16A, a base material 17 covered with the first resin portion 16A, and filler particles 19 covered with the first resin portion 16A. A part of the first resin portion 16A enters the gap G, so that a part of the first resin layer 12A enters the gap G.
  • the thickness of the first resin layer 12A is, for example, not less than 0.01 mm and not more than 0.3 mm.
  • the Young's modulus of the first resin layer 12A is, for example, not less than 0.2 GPa and not more than 20 GPa.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the first resin layer 12A is, for example, 3 ppm or more and 20 ppm or less.
  • the content ratio of the base material 17 in the first resin layer 12A is, for example, 20% by volume or more and 50% by volume or less.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the first resin layer 12A is, for example, 10% by volume or more and 40% by volume or less.
  • the first resin portion 16A is a main portion of the first resin layer 12A, and is made of a resin material such as an epoxy resin, a virmaleimide triazine resin, or a cyanate resin.
  • the Young's modulus of the first resin portion 16A is, for example, not less than 0.1 GPa and not more than 5 GPa.
  • the thermal expansion coefficient of the first resin portion 16A is, for example, 20 ppm / ° C. or more and 50 ppm / ° C. or less.
  • the first resin portion 16A enters the gap G of the inorganic insulating layer 11A.
  • the Young's modulus of the first resin portion 16A is smaller than the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15, the first resin portion 16A relaxes the stress applied to the inorganic insulating layer 11A, Generation or extension of cracks in the inorganic insulating layer 11A can be reduced.
  • the base material 17 increases the Young's modulus of the first resin layer 12A and reduces the thermal expansion coefficient in the planar direction of the first resin layer 12A.
  • this base material 17 for example, a woven or non-woven fabric constituted by fibers or a fiber in which fibers are arranged in one direction can be used. Examples of the fibers include glass fibers, resin fibers, carbon fibers, or metal fibers. Etc.
  • the Young's modulus of the base material 17 is, for example, 10 GPa or more and 25 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the substrate 17 is, for example, not less than 2 ppm / ° C. and not more than 25 ppm / ° C.
  • the filler particles 19 are dispersed in the first resin layer 12A, and increase the Young's modulus of the first resin layer 12A and reduce the thermal expansion coefficient of the first resin layer 12A.
  • the filler particles 19 are made of an inorganic insulating material such as silicon oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum hydroxide, or calcium carbonate, for example.
  • the average particle diameter of the filler particles 19 is, for example, not less than 0.3 ⁇ m and not more than 5 ⁇ m.
  • the Young's modulus of the filler particles 19 is, for example, 40 GPa or more and 90 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient of the filler particles 19 is, for example, 0 ppm / ° C. or more and 15 ppm / ° C. or less.
  • the second resin layer 13A supports the conductive layer 8A described above.
  • the second resin layer 13A includes, for example, a second resin portion 18A and filler particles 19 that are covered with the second resin portion 18A and dispersed in the second resin layer 13A.
  • a part of the second resin portion 18A enters the gap G, and a part of the first resin layer 12A enters the gap G.
  • the thickness of the second resin layer 13A is, for example, not less than 3 ⁇ m and not more than 20 ⁇ m.
  • the Young's modulus of the second resin layer 13A is, for example, not less than 0.2 GPa and not more than 20 GPa.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the second resin layer 13A is, for example, not less than 20 ppm / ° C. and not more than 70 ppm / ° C.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the second resin layer 13A is, for example, 10% by volume or more and 70% by volume or less.
  • the second resin portion 18A is made of the same material as the first resin portion 16A, for example, and has the same characteristics.
  • the second resin portion 18A enters the gap G of the inorganic insulating layer 11A. As a result, similarly to the first resin portion 16A, the stress applied to the inorganic insulating layer 11A can be relaxed.
  • the conductive layer 8A disposed on both main surfaces of the base 7 is made of a conductive material such as copper, silver, gold, or aluminum.
  • the thickness of the conductive layer 8A is, for example, 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the Young's modulus of the conductive layer 8A is, for example, 80 GPa or more and 200 GPa or less.
  • the thermal expansion coefficient in the planar direction of the conductive layer 8A is, for example, not less than 16 ppm / ° C. and not more than 18 ppm / ° C.
  • the through-hole conductor 9 penetrates the base body 7 in the thickness direction, and is intended to electrically connect a pair of conductive layers 8A formed on both main surfaces of the base body 7.
  • the through-hole conductor 9 is made of the same material as that of the conductive layer 8A, for example, and has the same characteristics.
  • the through-hole conductor 9 is formed in a cylindrical shape along the inner wall of a columnar through-hole T that penetrates the base body 7 in the thickness direction.
  • the diameter of the through hole T is, for example, not less than 0.1 mm and not more than 1 mm.
  • An insulator 10 made of a resin material such as an epoxy resin is disposed inside the cylindrical through-hole conductor 9.
  • the through hole conductor 9 may be filled in the through hole T.
  • the wiring layers 6 disposed on both main surfaces of the core substrate 5 described above include the inorganic insulating layer 11B, the first resin layer 12B formed on one main surface of the inorganic insulating layer 11B, and the other main layers of the inorganic insulating layer 11B.
  • the inorganic insulating layer 11B improves the Young's modulus of the wiring layer 6 and reduces the coefficient of thermal expansion of the wiring layer 6.
  • the inorganic insulating layer 11B is made of, for example, the same material as that of the inorganic insulating layer 11A and has the same structure and characteristics. A part of the first resin layer 12B and a part of the second resin layer 13B enter the gap G of the inorganic insulating layer 11B.
  • the first resin layer 12B functions as an adhesive layer between the inorganic insulating layer 11B and another member.
  • the first resin layer 12B includes, for example, the first resin portion 16B and the filler particles 19 covered with the first resin portion 16B.
  • the first resin layer 12B is made of the same material as the second resin layer 13A and has the same structure. And has characteristics. Part of the first resin portion 16B enters the gap G, so that part of the first resin layer 12B enters the gap G.
  • the second resin layer 13B supports the conductive layer 8B.
  • the second resin layer 13B includes the second resin portion 18B and filler particles 19 that are covered and dispersed by the second resin portion 18B.
  • the second resin layer 13B is made of the same material as the second resin layer 13A. Have similar structure and properties. Part of the second resin portion 18B enters the gap G, so that part of the second resin layer 12B enters the gap G.
  • the conductive layer 8B is partially formed on the main surface of the second resin layer 13B opposite to the inorganic insulating layer 11B, and functions as a ground wiring, a power supply wiring, or a signal wiring.
  • the conductive layer 8B is made of the same material as that of the conductive layer 8A, for example, and has the same structure and characteristics.
  • the third resin layer 20 covers the conductive layer 8B partially formed on the second resin layer to reduce short circuit between the conductive layers 8B in the planar direction, and is the same as the first resin layer 12B. It is the composition. As shown in FIG. 1, the first resin layer 12 ⁇ / b> B and the third resin layer 20 are the same insulating layers. However, when attention is paid to one inorganic insulating layer 11, the first resin layer 12 ⁇ / b> B and the third resin layer 20 directly What is in contact is the first resin layer 12B, and what is not in direct contact with the inorganic insulating layer 11 is the third resin layer 20.
  • the via conductor 21 electrically connects the plurality of conductive layers 8B in the thickness direction, and penetrates the first resin layer 12B, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin layer 13B.
  • the via conductor 21 is made of, for example, the same material as that of the conductive layer 8A and has the same structure and characteristics.
  • the second resin layer 13 is interposed between the inorganic insulating layer 11 and the conductive layer 8.
  • the second resin layer 13 has a smaller Young's modulus than the inorganic insulating layer 11 and the conductive layer 8 compared to the case where the conductive layer 8 is formed directly on the inorganic insulating layer 11.
  • the thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer 11 and the conductive layer 8 can be relaxed, and the peeling of the conductive layer 8 from the inorganic insulating layer 11 can be reduced.
  • the second resin portion 18 enters the gap G of the inorganic insulating layer 11, an anchor effect is generated, and the second resin layer 13 and the plurality of first inorganic insulating particles 14 included in the inorganic insulating layer 11 are included.
  • the contact area with the plurality of second inorganic insulating particles 15 is increased.
  • the adhesive strength between the second resin layer 13 and the inorganic insulating layer 11 is improved, the peeling of the conductive layer 8 from the inorganic insulating layer 11 can be satisfactorily reduced.
  • first resin layer 12 and the second resin layer 13 having a Young's modulus smaller than that of the inorganic insulating layer 11 are formed on both main surfaces of the inorganic insulating layer 11.
  • the first resin layer 12 and the second resin layer 13 are deformed, and the stress applied to the inorganic insulating layer 11 can be relaxed. It is possible to reduce the occurrence of cracks in 11 and favorably reduce the disconnection of the conductive layer 8 due to the cracks.
  • first resin layer 12 and the second resin layer 13 enter the gap G of the inorganic insulating layer 11.
  • first resin layer 12 and the second resin layer 13 can be satisfactorily reduced from being peeled off from the inorganic insulating layer 11, so that the conductive layers 8 or the through-hole conductors 9 adjacent to each other in the plane direction or The occurrence of migration between via conductors 21 can be satisfactorily reduced.
  • the first resin layer 12 and the second resin layer 13 that have entered the gap G are preferably connected in the gap G.
  • the gap G is filled with a part of the first resin layer 12 and a part of the second resin layer 13, the occurrence of migration between the through-hole conductors 9 and the via conductors 21 adjacent in the plane direction. Can be reduced satisfactorily.
  • the first resin layer 12 and the second resin layer 13 that have entered the gap G are connected by a curved surface in the gap G.
  • the connection area between the first resin layer 12 and the second resin layer 13 is increased, the adhesive strength can be improved. Therefore, since the peeling between the first resin layer 12 and the second resin layer 13 that have entered the gap G can be reduced satisfactorily, the migration between the through-hole conductors 9 adjacent to each other in the planar direction and between the via conductors 21 is also possible. Can be satisfactorily reduced. Further, when the wiring board 3 is heated, blistering due to moisture entering the peeled portion can be reduced.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the region on the conductive layer 8 side is smaller than the content ratio of the filler particles 19 in the region on the inorganic insulating layer 11 side. desirable.
  • the region of the second resin layer 13 on the conductive layer 8 side and the conductive layer 8 It is possible to reduce the coefficient of thermal expansion. Therefore, it is possible to satisfactorily reduce the peeling between the second resin layer 13 and the conductive layer 8 while reducing the peeling between the second resin layer 13 and the inorganic insulating layer 11.
  • the second resin layer 13 located on one main surface of the inorganic insulating layer 11 is divided into two in the planar direction so that the thickness is uniform, and the one close to the inorganic insulating layer 11 is defined as the first region, and the conductive layer 8
  • the ratio of the number of filler particles 19 located in the first region of the filler particles 19 in the second resin layer 13 is, for example, 55% or more and 70% or more
  • the ratio of the number of filler particles 19 located in the two regions is, for example, 30% or more and 45% or more.
  • the third resin layer 20 is preferably made of the same resin material as the second resin layer 13. As a result, since the adhesive strength between the second resin layer 13 and the third resin layer 20 can be improved, peeling between the second resin layer 13 and the third resin layer 20 can be reduced.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the region on the conductive layer 8 side is smaller than the content ratio of the filler particles 19 in the region on the opposite side to the conductive layer 8. Is desirable. As a result, the difference in the coefficient of thermal expansion between the region on the conductive layer 8 side of the third resin layer 20 and the region on the conductive layer 8 side of the second resin layer 13 can be reduced. Separation from the three resin layers 20 can be reduced.
  • the third resin layer 20 located on one main surface of the inorganic insulating layer 11 is divided into two parts in the plane direction so that the thickness is uniform, and the one farther from the conductive layer 8 is defined as the first region.
  • the ratio of the number of filler particles 19 located in the first region out of the filler particles 19 in the third resin layer 20 is, for example, 55% or more and 70% or more.
  • the ratio of the number of filler particles 19 located in the region is, for example, 30% or more and 45% or more.
  • the content ratio of the second inorganic insulating particles 15 in the region on the second resin layer 13 side is the second inorganic insulating particles 15 in the region on the first resin layer 12 side. It may be larger than the content ratio.
  • An inorganic insulating sol 11x having a solid content including the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15 and a solvent in which the solid content is dispersed is prepared.
  • the solid content in the inorganic insulating sol 11x is, for example, 10% by volume to 50% by volume. By setting it as 10 volume% or more, while reducing the viscosity of the inorganic insulating sol 11x, by setting it as 50 volume% or less, the productivity of the inorganic insulating layer 11 formed from the inorganic insulating sol 11x can be improved. Further, the content ratio of the solvent in the inorganic insulating sol 11x is, for example, 50% by volume or more and 90% by volume or less.
  • the content ratio of the first inorganic insulating particles 14 in the solid content of the inorganic insulating sol 11x is, for example, 20% by volume or more and 90% by volume or less, and the content ratio of the second inorganic insulating particles 15 in the solid content of the inorganic insulating sol 11x is For example, it is 10 volume% or more and 80 volume% or less.
  • Solvents contained in the inorganic insulating sol 11x are, for example, methanol, isopropanol, n-butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monopropyl ether, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, xylene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dimethylacetamide. And / or an organic solvent containing a mixture of two or more selected from these may be used.
  • a support sheet 22 formed of a resin material such as PET resin or a metal material such as copper is prepared, and an inorganic insulating sol 11x is applied to one main surface of the support sheet 22. Apply.
  • the inorganic insulating sol 11x can be applied using, for example, a dispenser, a bar coater, a die coater, or screen printing.
  • the inorganic insulating sol 11x contracts as the solvent evaporates, but the solvent is contained in the gap G surrounded by the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 18, and the first inorganic insulating sol 11x.
  • the particles 14 and the second inorganic insulating particles 18 themselves are not included.
  • the inorganic insulating sol 11x includes the second inorganic insulating particles 15 having a large average particle diameter, the gap G is reduced correspondingly, and the region filled with the solvent is reduced.
  • the solvent evaporates the amount of shrinkage of the solid content of the inorganic insulating sol 11x is reduced.
  • the generation of cracks due to the shrinkage of the solid content of the inorganic insulating sol 11x can be reduced. Even if a crack occurs, the extension of the crack can be suppressed by the second inorganic insulating particles 15 having a large average particle diameter.
  • the inorganic insulating sol 11x is dried by, for example, heating and air drying.
  • the drying temperature is, for example, 20 ° C. or more and lower than the boiling point of the solvent (the boiling point of the lowest boiling solvent when two or more solvents are mixed), and the drying time is, for example, 20 seconds to 30 minutes. is there.
  • the inorganic insulating sol 11x in the present embodiment includes the first inorganic insulating particles 14 having a small average particle diameter.
  • the heating temperature of the inorganic insulating sol 11x is relatively low, for example, less than the crystallization start temperature of the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15, the first inorganic insulating particles 14 are bonded together. It can be firmly connected.
  • the heating temperature of the inorganic insulating sol 11 x is lower than the crystallization start temperature of the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15.
  • the crystallized particles can be prevented from shrinking due to phase transition, and the occurrence of cracks in the inorganic insulating layer 11 can be reduced.
  • the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15 maintain the shape of the particles, while the first inorganic insulating particles 14 and the first inorganic insulating particles 14 and the first inorganic insulating particles 14 2
  • the inorganic insulating particles 15 can be connected only in the proximity region.
  • the first inorganic insulating particles 14 and the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 15 can be connected to each other.
  • the open pore gap G can be easily formed between the first inorganic insulating particles 14. Can be formed.
  • the temperature at which the first inorganic insulating particles 14 can be firmly connected is, for example, about 250 ° C. when the average particle size of the first inorganic insulating particles 14 is 110 nm or less, and the average particle size is 15 nm. When it is below, it is about 150 degreeC.
  • the crystallization start temperature of silicon oxide contained in the first inorganic insulating particles 14 and the second inorganic insulating particles 18 is about 1300 ° C.
  • the heating temperature of the inorganic insulating sol 11x is, for example, 100 ° C. or more and less than 700 ° C., and the heating time is, for example, 0.5 hour or more and 24 hours or less.
  • the laminated sheet 23 including the support sheet 22 and the inorganic insulating layer 11 formed on one main surface of the support sheet 22 is produced.
  • the uncured first resin material 16Ax, the base material 17 coated with the uncured first resin material 16Ax, and the uncured first resin material 16Ax are coated.
  • the first resin precursor 12Ax including the filler particles 19 thus prepared is prepared, and the inorganic insulating layer 11A of the laminated sheet 23 is laminated on both main surfaces of the first resin precursor 12Ax.
  • the inorganic resin layer 11A and the first resin precursor 12Ax are heated and pressurized to cure the uncured first resin material 16Ax, thereby forming the first resin layer 12A.
  • the uncured first resin material 16Ax enters a part of the gap G of the inorganic insulating layer 11A, and the first resin material 16Ax is cured to become the first resin portion 16A.
  • a part of the resin layer 12A enters the inorganic insulating layer 11A.
  • the support sheet 22 is peeled from the inorganic insulating layer 11A, and one main surface of the inorganic insulating layer 11A is exposed.
  • the uncured resin is a resin in an A-stage or B-stage conforming to ISO 472: 1999.
  • the heating and pressing of the inorganic insulating layer 11A and the first resin precursor 12Ax are performed until the uncured first resin material 16Ax enters the gap G between the inorganic insulating layers 11A until the curing start temperature of the uncured first resin material 16Ax. At a temperature below. As a result, the uncured first resin material 16Ax fluidizes and well enters the gap G of the inorganic insulating layer 11A. Thereafter, heating and pressurization are performed at a temperature that is equal to or higher than the curing start temperature of the uncured first resin material 16Ax and lower than the thermal decomposition temperature. As a result, the first resin material 16Ax that has entered the gap G of the inorganic insulating layer 11A is cured to form the first resin portion 16A.
  • the heating temperature is, for example, 110 ° C. or more and 180 ° C. or less
  • the pressing pressure is, for example, 2 MPa or more and 3 MPa or less
  • the heating time is, for example, 0 .5 hours or more and 2 hours or less.
  • the heating temperature is, for example, 190 ° C. or more and 230 ° C. or less
  • the pressing pressure is, for example, 2 MPa or more and 3 MPa or less
  • the heating time is, for example, 0.5 hours or more and 2 hours or less.
  • the curing start temperature is a temperature at which the resin becomes a C-stage according to ISO 472: 1999.
  • the thermal decomposition temperature is a temperature at which the mass of the resin is reduced by 5% in thermogravimetry according to ISO11358: 1997.
  • a second resin precursor 13Ax including uncured second resin material 18Ax and filler particles 19 covered with uncured second resin material 18Ax is prepared. Then, the main surface of the inorganic insulating layer 11A opposite to the first resin layer 12A is laminated on both main surfaces of the second resin precursor 13Ax.
  • the first resin layer 12A, the inorganic insulating layer 11A, and the second resin precursor 13Ax are heated and pressurized to cure the uncured second resin material 18Ax.
  • a resin layer 13A is formed.
  • the uncured second resin material 18Ax enters into a part of the gap G of the inorganic insulating layer 11A, and the second resin material 18Ax is cured to become the second resin portion 18A.
  • a part of the resin layer 13A enters the inorganic insulating layer 11A.
  • the first resin layer 12A, the inorganic insulating layer 11A, and the second resin precursor 13Ax are heated and pressed first until the uncured second resin material 18Ax enters the gap G of the inorganic insulating layer 11A.
  • the temperature is lower than the curing start temperature of the resin material 18Ax.
  • the uncured second resin material 18Ax fluidizes and well enters the gap G of the inorganic insulating layer 11A.
  • heating is performed at a temperature equal to or higher than the curing start temperature of the uncured second resin material 18Ax and lower than the thermal decomposition temperature of the first resin material 16A and the second resin material 18A.
  • the second resin material 18Ax that has entered the gap G of the inorganic insulating layer 11A is cured to form the second resin portion 18A.
  • the heating temperature is, for example, 90 ° C. or more and 160 ° C. or less, and the pressing pressure is, for example, 0.1 MPa or more and 2 MPa or less.
  • the subsequent heating is performed in an air atmosphere, the heating temperature is, for example, 190 ° C. or more and 230 ° C. or less, and the heating time is, for example, 0.5 hours or more and 2 hours or less.
  • a through-hole conductor 9 that penetrates the base body 7 in the thickness direction is formed, and a conductive layer 8 ⁇ / b> A is formed on the base body 7. Specifically, this is performed as follows.
  • a plurality of through holes T penetrating the substrate 7 in the thickness direction are formed by, for example, drilling or laser processing.
  • a cylindrical through-hole conductor 9 is formed by depositing a conductive material on the inner wall of the through-hole T by, for example, electroless plating, vapor deposition, CVD, or sputtering.
  • the inside of the cylindrical through-hole conductor 9 is filled with a resin material or the like to form the insulator 10.
  • a conductive material is deposited on the exposed portion of the insulator 9 by, for example, an electroless plating method, a vapor deposition method, a CVD method, or a sputtering method.
  • the conductive layer 8A is formed by patterning the deposited conductive material using a photolithographic technique and etching.
  • the core substrate 5 is manufactured as described above.
  • covered with uncured 1st resin material 16Bx. 12Bx is laminated.
  • the inorganic insulating layer 11B is laminated on the main surface of the first resin precursor 12Bx opposite to the conductive layer 8A.
  • the main surface of the inorganic insulating layer 11B opposite to the first resin precursor 12Bx includes the uncured second resin material 18Bx and the filler particles 19 covered with the uncured second resin material 18Bx.
  • Two resin precursors 13Bx are laminated.
  • the first resin precursor 12Bx, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin precursor 13Bx are heated and pressurized at the same time, so that the uncured second resin material 16Bx and the uncured second resin material 16Bx.
  • the first resin layer 12B and the second resin layer 13B are formed by curing the two resin material 18Bx.
  • the uncured first resin material 16Bx and the uncured second resin material 18Bx enter the gap G of the inorganic insulating layer 11B, and the first resin material 16Bx and the second resin material 18Bx. Is cured to become the first resin portion 16B and the second resin portion 18B, and part of the first resin layer 12B and the second resin layer 13B enters the inorganic insulating layer 11B.
  • the heating and pressurization of the first resin precursor 12Bx, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin precursor 13Bx are performed by first placing the uncured first resin material 16Bx and the uncured second resin material 18Bx into the gap between the inorganic insulating layer 11B. Until it enters G, it is performed at a temperature lower than the curing start temperature of the uncured first resin material 16Bx and the uncured second resin material 18Bx. At this time, the uncured first resin material 16Bx and the uncured second resin material 18Bx are fluidized and well enter the gap G of the inorganic insulating layer 11A. Thereafter, heating is performed at a temperature that is equal to or higher than the curing start temperature of the uncured first resin material 16Bx and the uncured second resin material 18Bx and less than the thermal decomposition temperature.
  • Each condition in the heating and pressing of the first resin precursor 12Bx, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin precursor 13Bx is the same as the heating and pressing condition in the step (6), for example.
  • the first resin layer 12B and the second resin layer 13B may not be formed at the same time.
  • a via conductor 21 that penetrates the first resin layer 12B, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin layer 13B in the thickness direction is formed, and the conductive material is formed on the second resin layer 13B.
  • Layer 8B is formed. Specifically, this is performed as follows.
  • via holes V are formed in the first resin layer 12B, the inorganic insulating layer 11B, and the second resin layer 13B by, for example, a YAG laser device or a carbon dioxide gas laser device, and the conductive layer 8 (here, At least part of the conductive layer 8A) is exposed.
  • the via conductor 21 is formed in the via hole V and the conductive layer 8B is formed on the second resin layer 13B by, for example, a semi-additive method or a subtractive method.
  • a pair of wiring layers 6 are formed on both main surfaces of the core substrate 5 by repeating the steps (8) to (9). Then, by repeating this step, the wiring layer 6 can be multi-layered.
  • the wiring board 6 can be manufactured as described above.
  • the mounting shown in FIG. 1 is performed by flip-chip mounting the electronic component 2 on the wiring board 3 via the bumps 4 on the surface of the main surface of the wiring board 3 where the second resin layer 13B is exposed.
  • the structure 1 can be produced.
  • the first resin material 16 and the second resin material 18 are inserted into the gap G from both main surfaces of the inorganic insulating layer 11.
  • the resin material can be efficiently entered into the gap G.
  • the generation of voids that are not present can be reduced.
  • the resin material can be effectively infiltrated into the inorganic insulating layer 11.
  • the inorganic insulating layer 11 can be thickened and the Young's modulus of the wiring board 3 can be increased. Therefore, since the warp and deformation of the wiring board 3 can be reduced, the yield when the electronic component 2 is mounted on the wiring board 3 can be improved.
  • the first resin precursor 12x and the second resin precursor 13x preferably include a plurality of dispersed filler particles 19 that are larger than the width of the gap G.
  • the uncured first resin material 16x and the second resin material 18x of the first resin precursor 12Bx and the second resin precursor 13x enter the inorganic insulating layer 11, so that the plurality of filler particles 19 become the inorganic insulating layer.
  • the first resin layer 12 ⁇ / b> B and the second resin layer 12 ⁇ / b> B are aggregated so as to be filtered on the surface layer 11, and the content ratio of the filler particles 19 is larger in the region closer to the inorganic insulating layer 11 than in the region far from the inorganic insulating layer 11.
  • the resin layer 13 can be formed. Therefore, it is possible to easily manufacture inclined members having different coefficients of thermal expansion at both ends of the first resin layer 12B and the second resin layer 13, thereby improving the yield.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the first resin precursor 12x is, for example, 10% to 55% by volume.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the second resin precursor 13x is the same as that of the first resin precursor 12x.
  • the content rate of the filler particle 19 in the 1st resin layer 12 is 10 volume% or more and 70 volume% or less, for example.
  • the content ratio of the filler particles 19 in the second resin layer 13 is the same as that of the first resin layer 12.
  • the uncured first resin material 16x and the uncured second resin material 18x are composed of only monomers and oligomers before entering the gap G of the inorganic insulating layer 11.
  • the monomer and oligomer have a smaller molecular weight than the polymer, and therefore can enter the gap G satisfactorily.
  • the uncured first resin material 16x and the uncured second resin material 18x have a monomer ratio larger than the oligomer ratio before entering the gap G of the inorganic insulating layer 11.
  • the monomer has a smaller molecular weight than the oligomer, and therefore can enter the gap G satisfactorily.
  • the monomer is a monomer.
  • An oligomer is a polymer having a relatively low molecular weight in which 10 to 300 monomers are bonded.
  • a polymer is a polymer with more than 300 monomers attached.
  • step (5) when the thickness of the inorganic insulating layer 11A formed on both main surfaces of the first resin layer 12A is larger than the thickness of the first resin layer 12A, the first resin material 16A is inorganic. It is possible to reduce more than necessary to enter the gap G of the insulating layer 11A, and to reduce the generation of bubbles in the base material 17 covered with the first resin material 16A.
  • the inorganic insulating sol 11x applied to one main surface of the support sheet 22 is allowed to stand for a certain time, and the second inorganic insulating particles 15 having a larger average particle size and larger mass than the first inorganic insulating particles 14. May be allowed to settle in the inorganic insulating sol 11x to the support sheet side, and more second inorganic insulating particles 15 may be collected on the support sheet side.
  • step (5) the width of the gap G of the inorganic insulating layer 11 on the first resin layer 12A side can be reduced, and the first resin material 16A can be prevented from entering the gap G more than necessary.
  • production of the bubble in 12 A of 1st resin layers can be reduced favorably.
  • the configuration using the wiring substrate in which the wiring layers are formed on both main surfaces of the core substrate has been described as an example.
  • the wiring substrate having only the core substrate or the wiring having only the wiring layer is described.
  • a substrate (coreless substrate) may be used.
  • the wiring board may have a solder resist layer containing a resin material on the upper and lower surfaces.
  • the description of the underfill is omitted, but the mounting structure may have an underfill between the wiring board and the electronic component.
  • the configuration in which the core substrate and the wiring layer include the inorganic insulating layer has been described as an example.
  • the core substrate or only the wiring layer may include the inorganic insulating layer.
  • the configuration in which the first resin layer includes the base material has been described as an example.
  • the first resin layer may not include the base material.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

　本発明の一実施形態における配線基板（３）は、無機絶縁層（１１Ａ）と、無機絶縁層（１１Ａ）の一主面に形成された第１樹脂層（１２Ａ）と、無機絶縁層（１１Ａ）の他主面に形成された第２樹脂層（１３Ａ）と、第２樹脂層（１３Ａ）の無機絶縁層（１１Ａ）と反対側の一主面に部分的に形成された導電層（８）とを有する。無機絶縁層（１１Ａ）は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子（１４）を含むとともに、複数の第１無機絶縁粒子（１４）に囲まれた間隙（Ｇ）が形成されている。第１樹脂層（１２Ａ）の一部および第２樹脂層（１３Ａ）の一部は、間隙（Ｇ）に入り込んでいる。

Description

配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
　本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法に関するものである。
　従来、電子機器に使用される実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが知られている。
　この配線基板としては、例えば、特開平８－１１８１９４号公報に開示されたもののように、樹脂材料からなる絶縁層を有する配線基板が用いられている。この配線基板では、絶縁層に、電子部品よりも熱膨張率が大きい樹脂材料を使用しているために、配線基板の熱膨張率が電子部品の熱膨張率よりも大きくなりやすい。
　その結果、電子部品の実装時や作動時に実装構造体に熱が加わると、配線基板と電子部品との熱膨張率の差に起因して、配線基板と電子部品との接続部に熱応力が加わりやすい。したがって、配線基板と電子部品との接続信頼性が低下しやすくなり、実装構造体の電気的信頼性が低下しやすくなる。
　本発明は、実装構造体の電気的信頼性を向上する要求に応える配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の一実施形態における配線基板は、無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面に形成された第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に形成された第２樹脂層と、該第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に部分的に形成された導電層とを有する。前記無機絶縁層は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されている。前記第１樹脂層の一部および前記第２樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいる。
　また、本発明の一実施形態における実装構造体は、前述した配線基板と、該配線基板の前記第２樹脂層側の一主面に実装された電子部品とを備える。
　本発明の一実施形態における配線基板の製造方法は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成された無機絶縁層を準備する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層の一主面に未硬化の第１樹脂材料からなる第１樹脂前駆体を層状に配置する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層の他主面に未硬化の第２樹脂材料からなる前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第１樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第１樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第１樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第１樹脂前駆体を前記第１樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第２樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第２樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第２樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程を備える。また、前述した製造方法は、前記無機絶縁層および前記第２樹脂前駆体を前記第２樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第２樹脂前駆体を第２樹脂層にする工程を備える。また、前述した製造方法は、前記第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に導電層を形成する工程とを備える。
　本発明の一実施形態における配線基板によれば、絶縁層が第１樹脂層および第２樹脂層の間に配された無機絶縁層を含んでいるため、絶縁層の熱膨張率を低減することができる。したがって、配線基板と電子部品との接続信頼性を高めることができるため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。
　また、本発明の一実施形態における実装構造体によれば、前述した配線基板を備えているため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。
　本発明の一実施形態における配線基板の製造方法によれば、電子部品との接続信頼性に優れた配線基板を作製することができるため、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。
本発明の一実施形態における実装構造体を厚み方向に切断した断面図である。 図１のＲ１部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図２のＲ２部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図２のＲ３部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）ないし（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図５（ｃ）のＲ４部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図７（ｂ）のＲ５部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。 図１０（ｂ）のＲ６部分を拡大して示した、厚み方向に切断した断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向に切断した断面図である。
　＜実装構造体＞
  以下に、本発明の一実施形態における配線基板を含む実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
　図１に示した実装構造体１は、例えば、各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、この電子部品２が一主面に実装された配線基板３とを含んでいる。
　電子部品２は、半田などの導電材料を含むバンプ４を介して、配線基板３にフリップチップ実装されている。電子部品２には、例えばＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子を用いることができる。この電子部品２は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化ケイ素などの半導体材料によって形成されている。
　電子部品２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下である。電子部品２の平面方向（ＸＹ平面方向）の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、電子部品２の厚みは、電子部品２の断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することによって測定される。また、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７－１９９１に準じた測定方法によって測定される。以下、各部材の厚みおよび熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
　配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の両主面に形成された一対の配線層６とを含んでいる。配線基板３の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。配線基板３のヤング率は、例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下である。配線基板３の平面方向の熱膨張率は、例えば４ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。なお、配線基板３のヤング率は、配線基板３から矩形状の試験片を切り出し、この試験片を引張り試験機で測定して得られた単位断面積当たりの引張り応力を樹脂の伸び量で割ることによって計測できる。以下、各部材のヤング率は、特に記載した場合を除き、配線基板３と同様に測定される。
　コア基板５は、配線基板３のヤング率を高めるものである。このコア基板５は、基体７と、基体７の両主面に形成された一対の導電層８Ａと、一対の導電層８Ａ同士を電気的に接続する円筒状のスルーホール導体９と、円筒状のスルーホール導体９の内部に充填された絶縁体１０とを含む。
　基体７は、コア基板５のヤング率を高めるものである。この基体７は、一対の無機絶縁層１１Ａと、一対の無機絶縁層１１Ａ同士の間に位置する第１樹脂層１２Ａと、無機絶縁層１１Ａの第１樹脂層１２Ａと反対側の主面に位置する第２樹脂層１３Ａとを含む。
　無機絶縁層１１Ａは、基体７のヤング率を高めるとともに、基体７の熱膨張率を低減するものである。この無機絶縁層１１Ａは、無機絶縁材料を主成分とする無機絶縁部からなり、この無機絶縁部に間隙Ｇが形成されている。そして、図２に示すように、この間隙Ｇには、後述する、第１樹脂層１２Ａの一部と第２樹脂層１３Ａの一部とが入り込んでいる。
　無機絶縁層１１Ａの厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下であり、これは、第１樹脂層１２Ａの厚みの例えば５％以上５０％以下に相当する。また、無機絶縁層１１Ａのヤング率は、例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、無機絶縁層１１Ａの平面方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。なお、無機絶縁層１１Ａのヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７－１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。
　この無機絶縁層１１Ａにおける無機絶縁部の含有割合は、例えば６２体積％以上７５体積％以下である。無機絶縁層１１Ａにおける間隙Ｇの含有割合は、例えば２５体積％以上３８体積％以下である。また、間隙Ｇにおける第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａの一部の含有割合は、例えば９９．５体積％以上１００体積％以下である。また、間隙Ｇの幅は、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。なお、間隙Ｇの幅は、無機絶縁層１１Ａの断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、２０以上５０以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を間隙Ｇの幅と見なすことで求められる。
　無機絶縁部は、無機絶縁材料からなる複数の第１無機絶縁粒子１４を含む。その結果、無機絶縁材料は樹脂材料に比べて熱膨張率が小さいことから、無機絶縁部の熱膨張率は小さい。したがって、無機絶縁層１１Ａの両主面に形成された第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが熱膨張する際に、無機絶縁層１１Ａが第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａを拘束するため、基体７の熱膨張率を低減することができる。
　さらに、無機絶縁部に含まれる複数の第１無機絶縁粒子１４は、ネックＮを形成するように互いの一部で接続し、互いに接続した第１無機絶縁粒子１４同士に囲まれた間隙Ｇが形成されている。そして、この間隙Ｇには、第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａの一部が入り込んでいる。その結果、第１樹脂層１２Ａの一部および第２樹脂層１３Ａと無機絶縁層１１Ａとの接着強度を向上させることができる。したがって、第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが無機絶縁層１１Ａから剥離することを低減できる。
　さらに、図２に示すように、複数の第１無機絶縁粒子１４同士は互いに接続していることから、複数の第１無機絶縁粒子１４は互いに拘束し合っている。その結果、無機絶縁層１１Ａのヤング率を向上させることができる。したがって、第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａが熱膨張する際に、無機絶縁層１１Ａが第１樹脂層１２Ａおよび第２樹脂層１３Ａを良好に拘束することができ、基体７の熱膨張率をより低減することができる。
　第１無機絶縁粒子１４は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。中でも、酸化ケイ素を用いることが望ましい。酸化ケイ素は、他の無機絶縁材料と比較して誘電正接が低いため、導電層８Ａの信号伝送特性を向上させることができる。また、第１無機絶縁粒子１４は、非晶質体を用いることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１４の結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができ、無機絶縁層１１Ａにおけるクラックの発生を低減できる。
　第１無機絶縁粒子１４の平均粒径は、例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。第１無機絶縁粒子１４のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下である。第１無機絶縁粒子１４の熱膨張率は、例えば０．５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。なお、第１無機絶縁粒子１４の平均粒径は、無機絶縁層１１Ａの研摩面もしくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、それを平均することによって測定される。以下、各部材の平均粒径は、特に記載した場合を除き、第１無機絶縁粒子１４と同様に測定される。
　無機絶縁部は、第１無機絶縁粒子１４よりも平均粒径が大きい、第２無機絶縁粒子１５を含むことが望ましい。この場合、無機絶縁部は、複数の第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とが互いに一部で接続して形成される。その結果、第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は第１無機絶縁粒子１４の平均粒径よりも大きいことから、無機絶縁部にクラックが発生した場合に、クラックが第２無機絶縁粒子１５を迂回するために大きなエネルギーが必要となるため、このクラックの伸長を抑制することができる。
　第２無機絶縁粒子１５は、例えば第１無機絶縁粒子１４と同様の材料からなり、同様の特性を有する。中でも、第２無機絶縁粒子１５は、第１無機絶縁粒子１４と同じ材料を用いることが望ましい。第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。なお、第２無機絶縁粒子１５の平均粒径は、まず、無機絶縁層１１Ａの断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、この断面における少なくとも３０個の粒子に注目して、それぞれの粒子の断面を０．２μｍずつ研摩し、各研摩断面においてこれらの粒子の粒径を測定し、注目した粒子の直径が最大を示した値を各粒子の直径と見なし、それらの平均値を算出する。次いで、この平均値を少なくとも任意の選択した３０の断面において測定し、各断面にて算出された平均値をさらに平均することによって算出することによって求められる。
　無機絶縁部における第１無機絶縁粒子１４の含有割合は、例えば２０体積％以上９０体積％以下である。無機絶縁部における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、例えば１０体積％以上８０体積％以下である。
　一方、第１樹脂層１２Ａは、基体７の主要部をなすものである。この第１樹脂層１２Ａは、例えば、第１樹脂部１６Ａと、第１樹脂部１６Ａに被覆された基材１７と、第１樹脂部１６Ａに被覆されたフィラー粒子１９とを含む。第１樹脂部１６Ａの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１２Ａの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。
　第１樹脂層１２Ａの厚みは、例えば０．０１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。第１樹脂層１２Ａのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。第１樹脂層１２Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下である。第１樹脂層１２Ａにおける基材１７の含有割合は、例えば２０体積％以上５０体積％以下である。第１樹脂層１２Ａにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上４０体積％以下である。
　第１樹脂部１６Ａは、第１樹脂層１２Ａの主要部をなすものであり、例えば、エポキシ樹脂、ビルマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂などの樹脂材料からなる。第１樹脂部１６Ａのヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。第１樹脂部１６Ａの熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。
　ここで、第１樹脂部１６Ａは、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂部１６Ａのヤング率が第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５よりも、小さいことから、第１樹脂部１６Ａは、無機絶縁層１１Ａに加わる応力を緩和し、無機絶縁層１１Ａにおけるクラックの発生または伸長を低減することができる。
　基材１７は、第１樹脂層１２Ａのヤング率を高めるとともに、第１樹脂層１２Ａの平面方向の熱膨張率を低減するものである。この基材１７は、例えば、繊維によって構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものを使用することができ、この繊維は、例えば、ガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維などからなる。基材１７のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である。基材１７の平面方向の熱膨張率が例えば２ｐｐｍ/℃以上２５ｐｐｍ/℃以下である。
　フィラー粒子１９は、第１樹脂層１２Ａ中に分散しており、第１樹脂層１２Ａのヤング率を高めるとともに、第１樹脂層１２Ａの熱膨張率を低減するものである。フィラー粒子１９は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。フィラー粒子１９の平均粒径は、例えば０．３μｍ以上５μｍ以下である。フィラー粒子１９のヤング率は、例えば４０ＧＰａ以上９０ＧＰａ以下である。フィラー粒子１９の熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。
　第２樹脂層１３Ａは、前述した導電層８Ａを支持するものである。この第２樹脂層１３Ａは、例えば、第２樹脂部１８Ａと、第２樹脂部１８Ａに被覆されて第２樹脂層１３Ａ中に分散したフィラー粒子１９とを含む。第２樹脂部１８Ａの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１２Ａの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。第２樹脂層１３Ａの厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。第２樹脂層１３Ａのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。第２樹脂層１３Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下である。第２樹脂層１３Ａにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上７０体積％以下である。
　第２樹脂部１８Ａは、例えば第１樹脂部１６Ａと同様の材料からなり、同様の特性を有する。また、第２樹脂部１８Ａは、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂部１６Ａと同様に、無機絶縁層１１Ａに加わる応力を緩和できる。
　前述した基体７の両主面に配された導電層８Ａは、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。導電層８Ａの厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。導電層８Ａのヤング率は、例えば８０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下である。導電層８Ａの平面方向の熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下である。
　スルーホール導体９は、基体７を厚み方向に貫通して、基体７の両主面に形成された一対の導電層８Ａ同士の電気的な接続を図るものである。このスルーホール導体９は、例えば導電層８Ａの同様の材料からなり、同様の特性を有する。スルーホール導体９は、基体７を厚み方向に貫通した円柱状のスルーホールＴの内壁に沿って円筒状に形成されている。スルーホールＴの直径は、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。円筒状のスルーホール導体９の内部には、例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料からなる絶縁体１０が配されている。なお、スルーホール導体９は、スルーホールＴに充填されていても構わない。
　前述したコア基板５の両主面に配された配線層６は、無機絶縁層１１Ｂと、無機絶縁層１１Ｂの一主面に形成された第１樹脂層１２Ｂと、無機絶縁層１１Ｂの他主面に形成された第２樹脂層１３Ｂと、第２樹脂層１３Ｂの無機絶縁層１１Ｂと反対側の主面に形成された導電層８Ｂと、導電層８Ｂを被覆する第３樹脂層２０と、厚み方向に導電層８Ｂ同士を電気的に接続するビア導体２１とを含む。
　無機絶縁層１１Ｂは、配線層６のヤング率を向上させるとともに、配線層６の熱膨張率を低減するものである。この無機絶縁層１１Ｂは、例えば無機絶縁層１１Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇには、第１樹脂層１２Ｂの一部および第２樹脂層１３Ｂの一部が入り込んでいる。
　第１樹脂層１２Ｂは、無機絶縁層１１Ｂと他の部材との接着層として機能するものである。この第１樹脂層１２Ｂは、例えば、第１樹脂部１６Ｂと第１樹脂部１６Ｂに被覆されたフィラー粒子１９とを含んでおり、例えば第２樹脂層１３Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。第１樹脂部１６Ｂの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１２Ｂの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。
　第２樹脂層１３Ｂは、導電層８Ｂを支持するものである。この第２樹脂層１３Ｂは、第２樹脂部１８Ｂと、第２樹脂部１８Ｂに被覆されて分散して位置するフィラー粒子１９とを含んでおり、例えば第２樹脂層１３Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。第２樹脂部１８Ｂの一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第２樹脂層１２Ｂの一部が間隙Ｇに入り込んでいる。
　導電層８Ｂは、第２樹脂層１３Ｂの無機絶縁層１１Ｂと反対の主面上に部分的に形成されて、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線として機能するものである。導電層８Ｂは、例えば導電層８Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。
　第３樹脂層２０は、第２樹脂層上に部分的に形成された導電層８Ｂを被覆して、平面方向における導電層８Ｂ同士の短絡を低減するものであり、第１樹脂層１２Ｂと同様の構成である。なお、図１に示すように、第１樹脂層１２Ｂと第３樹脂層２０とは同様の絶縁層であるが、ある一層の無機絶縁層１１に着目した際に、この無機絶縁層１１に直接接しているものが、第１樹脂層１２Ｂとなり、この無機絶縁層１１に直接接していないものが第３樹脂層２０となる。
　ビア導体２１は、厚み方向に複数の導電層８Ｂ同士を電気的に接続するものであり、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを貫通している。ビア導体２１は、例えば導電層８Ａと同様の材料からなり、同様の構造および特性を有する。
　ところで、前述したように、無機絶縁層１１と導電層８との間に、第２樹脂層１３が介在している。その結果、第２樹脂層１３は、無機絶縁層１１上に直接、導電層８が形成された場合と比較して、無機絶縁層１１および導電層８と比べてヤング率が小さいことから、無機絶縁層１１と導電層８との熱膨張率差に起因する熱応力を緩和して、導電層８が無機絶縁層１１から剥離することを低減することができる。
　さらに、この第２樹脂部１８が無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込んでいることによって、アンカー効果が生じるとともに、第２樹脂層１３と、無機絶縁層１１が含む複数の第１無機絶縁粒子１４および複数の第２無機絶縁粒子１５との接触面積が大きくなる。その結果、第２樹脂層１３と無機絶縁層１１との接着強度が向上することから、導電層８が無機絶縁層１１から剥離することを良好に低減することができる。
　また、無機絶縁層１１の両主面に、無機絶縁層１１よりもヤング率が小さい第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が形成されている。その結果、配線基板３に応力が印加された際に、第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が変形し、無機絶縁層１１に印加される応力を緩和することができることから、無機絶縁層１１にクラックが生じることを低減し、このクラックに起因して導電層８が断線することを良好に低減することができる。
　また、第１樹脂層１２の一部および第２樹脂層１３の一部が、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込んでいる。その結果、第１樹脂層１２および第２樹脂層１３が無機絶縁層１１から剥離することを良好に低減することができるため、平面方向に隣接する、導電層８同士またはスルーホール導体９同士あるいはビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。
　また、図４に示すように、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３とは、間隙Ｇにおいて接続していることが望ましい。その結果、間隙Ｇが第１樹脂層１２の一部および第２樹脂層１３の一部によって充填されるため、平面方向に隣接するスルーホール導体９同士およびビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。
　また、図４に示すように、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３とは、間隙Ｇにおいて曲面で接続していることが望ましい。その結果、第１樹脂層１２と第２樹脂層１３との接続面積が大きくなることから、接着強度を向上させることができる。したがって、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１２と第２樹脂層１３との剥離を良好に低減することができるため、平面方向に隣接するスルーホール導体９同士およびビア導体２１同士の間におけるマイグレーションの発生を良好に低減することができる。また、配線基板３が加熱された場合に、剥離した箇所に入り込んだ水分に起因した膨れを低減することができる。
　また、図２に示すように、第２樹脂層１３において、導電層８側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合は、無機絶縁層１１側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合よりも小さいことが望ましい。その結果、第２樹脂層１３の無機絶縁層１１側の領域と無機絶縁層１１との熱膨張率の差を低減しつつ、第２樹脂層１３の導電層８側の領域と導電層８との熱膨張率を低減することができる。したがって、第２樹脂層１３と無機絶縁層１１との剥離を低減しつつ、第２樹脂層１３と導電層８との剥離を良好に低減することができる。
　なお、無機絶縁層１１の一主面上に位置する第２樹脂層１３を厚みが均等になるように平面方向に二分して、無機絶縁層１１に近い方を第１領域とし、導電層８に近い方を第２領域とした場合に、第２樹脂層１３におけるフィラー粒子１９のうち、第１領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば５５％以上７０％以上であり、第２領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば３０％以上４５％以上である。
　また、第３樹脂層２０は、第２樹脂層１３と同じ樹脂材料からなることが望ましい。その結果、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との接着強度を向上させることができるため、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との剥離を低減することができる。
　また、図２に示すように、第３樹脂層２０において、導電層８側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合は、導電層８と反対側の領域におけるフィラー粒子１９の含有割合よりも小さいことが望ましい。その結果、第３樹脂層２０の導電層８側の領域と第２樹脂層１３の導電層８側の領域との熱膨張率の差を低減することができるため、第２樹脂層１３と第３樹脂層２０との剥離を低減することができる。
　なお、無機絶縁層１１の一主面上に位置する第３樹脂層２０を厚みが均等になるように平面方向に二分して、導電層８から遠い方を第１領域とし、導電層８に近い方を第２領域とした場合に、第３樹脂層２０におけるフィラー粒子１９のうち、第１領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば５５％以上７０％以上であり、第２領域に位置するフィラー粒子１９の個数の割合は、例えば３０％以上４５％以上である。
　また、図２に示すように、無機絶縁層１１において、第２樹脂層１３側の領域における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、第１樹脂層１２側の領域における第２無機絶縁粒子１５の含有割合よりも大きくても構わない。その結果、配線基板３の表面側の方が配線基板３の内側よりも硬度を向上させることができることから、配線基板３にクラックが発生することを抑制することができる。
　＜実装構造体の製造方法＞
　次に、前述した実装構造体１の製造方法を、図５から図１２を参照しつつ説明する。
　（１）第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５を含む固形分と、この固形分が分散した溶剤とを有する無機絶縁ゾル１１ｘを準備する。
　無機絶縁ゾル１１ｘにおける固形分の含有割合は、例えば１０体積％以上５０体積％以下である。１０体積％以上とすることによって、無機絶縁ゾル１１ｘの粘度を低減するとともに、５０体積％以下とすることによって、無機絶縁ゾル１１ｘから形成される無機絶縁層１１の生産性を高めることができる。また、無機絶縁ゾル１１ｘにおける溶剤の含有割合は、例えば５０％体積以上９０体積％以下である。
　無機絶縁ゾル１１ｘの固形分における第１無機絶縁粒子１４の含有割合は、例えば２０体積％以上９０体積％以下であり、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分における第２無機絶縁粒子１５の含有割合は、例えば１０体積％以上８０体積％以下である。これによって、後述する（３）の工程にて、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
　無機絶縁ゾル１１ｘに含まれる溶剤は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドおよび／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。
　（２）図５（ａ）に示すように、ＰＥＴ樹脂等の樹脂材料または銅等の金属材料などによって形成された支持シート２２を準備し、支持シート２２の一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。
　無機絶縁ゾル１１ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。
　（３）無機絶縁ゾル１１ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させる。
　ここで、溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾル１１ｘが収縮するが、溶剤は、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８に囲まれた間隙Ｇに含まれており、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル１１ｘが平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子１５を含んでいると、その分、間隙Ｇが小さくなるとともに、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル１１ｘの溶剤の蒸発時に無機絶縁ゾル１１ｘの固形分の収縮量が小さくなる。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの固形分の収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子１５によってこのクラックの伸長を抑制できる。
　無機絶縁ゾル１１ｘの乾燥は、例えば、加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤の沸点（２種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点）未満であり、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下である。
　（４）残存した無機絶縁ゾル１１ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを互いの一部で接続させた無機絶縁層１１を作製する。
　ここで、本実施形態における無機絶縁ゾル１１ｘは、平均粒径が微小である第１無機絶縁粒子１４を有している。その結果、無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４同士を強固に接続させることができる。
　無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度は、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満であることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１１におけるクラックの発生を低減できる。
　さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１５が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子１４同士および第１無機絶縁粒子１４と第２無機絶縁粒子１５とを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子１４同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。
　なお、第１無機絶縁粒子１４同士を強固に接続させることができる温度は、例えば第１無機絶縁粒子１４の平均粒径が１１０ｎｍ以下である場合は２５０℃程度であり、前記平均粒径が１５ｎｍ以下である場合は１５０℃程度である。また、第１無機絶縁粒子１４および第２無機絶縁粒子１８に含まれる酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。
　無機絶縁ゾル１１ｘの加熱温度は、例えば１００℃以上７００℃未満であり、加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下である。
　以上のようにして、支持シート２２と、支持シート２２の一主面上に形成された無機絶縁層１１とを含む積層シート２３を作製する。
　（５）図５（ｂ）に示すように、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘと、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘに被覆された基材１７と、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第１樹脂前駆体１２Ａｘを準備して、積層シート２３の無機絶縁層１１Ａを第１樹脂前駆体１２Ａｘの両主面に積層する。
　次いで、図５（ｃ）に示すように、無機絶縁層１１Ａおよび第１樹脂前駆体１２Ａｘを加熱加圧して未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘを硬化させることによって、第１樹脂層１２Ａを形成する。この際、図６に示すように、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇの一部に未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが入り込み、第１樹脂材料１６Ａｘが硬化して第１樹脂部１６Ａとなり、第１樹脂層１２Ａの一部が無機絶縁層１１Ａ内に入り込むことになる。その後、支持シート２２を無機絶縁層１１Ａから剥離し、無機絶縁層１１Ａの一主面を露出させる。なお、未硬化の樹脂とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ－ステージまたはＢ－ステージの状態にある樹脂である。
　無機絶縁層１１Ａおよび第１樹脂前駆体１２Ａｘの加熱加圧は、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。その結果、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度以上熱分解温度未満の温度で加熱加圧する。その結果、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂材料１６Ａｘが硬化して第１樹脂部１６Ａとなる。
　第１樹脂材料１６Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう加熱加圧においては、加熱温度は例えば１１０℃以上１８０℃以下であり、加圧圧力は例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。その後に行なう加熱加圧においては、加熱温度は例えば１９０℃以上２３０℃以下であり、加圧圧力は例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。なお、硬化開始温度は、樹脂がＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ－ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
　（６）図７（ａ）に示すように、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘと、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第２樹脂前駆体１３Ａｘを準備して、無機絶縁層１１Ａの第１樹脂層１２Ａの反対側の主面に第２樹脂前駆体１３Ａｘの両主面に積層する。
　次いで、図７（ｂ）に示すように、第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘを加熱加圧して未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘを硬化させることによって、第２樹脂層１３Ａを形成する。この際、図８に示すように、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇの一部に未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが入り込み、第２樹脂材料１８Ａｘが硬化して第２樹脂部１８Ａとなり、第２樹脂層１３Ａの一部が無機絶縁層１１Ａ内に入り込むことになる。
　第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘ加熱加圧は、まず、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。この際、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第２樹脂材料１８Ａｘの硬化開始温度以上、第１樹脂材料１６Ａおよび第２樹脂材料１８Ａの熱分解温度未満の温度で加熱する。その結果、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに入り込んだ第２樹脂材料１８Ａｘが硬化して第２樹脂部１８Ａとなる。
　第１樹脂層１２Ａ、無機絶縁層１１Ａおよび第２樹脂前駆体１３Ａｘの加熱加圧において、加熱温度は例えば９０℃以上１６０℃以下であり、加圧圧力は例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下である。また、その後の加熱は大気雰囲気中にて行なわれ、加熱温度は例えば１９０℃以上２３０℃以下であり、加熱時間は例えば０．５時間以上２時間以下である。
　（７）図９に示すように、基体７を厚み方向に貫通するスルーホール導体９を形成し、基体７上に導電層８Ａを形成する。具体的には、以下のように行なう。
　まず、例えばドリル加工やレーザー加工などによって、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などによって、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体９を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体９の内部に、樹脂材料などを充填し、絶縁体１０を形成する。次に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などによって、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術およびエッチングなどを用いて被着した導電材料をパターニングすることによって、導電層８Ａを形成する。
　以上のようにして、コア基板５を作製する。
　（８）図１０（ａ）に示すように、導電層８Ａに、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘと未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第１樹脂前駆体１２Ｂｘを積層する。次に、第１樹脂前駆体１２Ｂｘの導電層８Ａと反対側の主面に無機絶縁層１１Ｂを積層する。次に、無機絶縁層１１Ｂの第１樹脂前駆体１２Ｂｘと反対側の主面に、未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘと未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘに被覆されたフィラー粒子１９とを含む第２樹脂前駆体１３Ｂｘを積層する。
　次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘを同時に加熱加圧して、未硬化の第２樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘを硬化させることによって、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを形成する。この際、図１１に示すように、無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇ内に未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが入り込み、第１樹脂材料１６Ｂｘおよび第２樹脂材料１８Ｂｘが硬化して第１樹脂部１６Ｂおよび第２樹脂部１８Ｂになり、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂの一部が無機絶縁層１１Ｂ内に入り込むことになる。
　第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘの加熱加圧は、まず、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが無機絶縁層１１Ｂの間隙Ｇに入り込むまでは、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘの硬化開始温度未満の温度で行なう。この際、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘが流動化して、無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに良好に入り込む。その後、未硬化の第１樹脂材料１６Ｂｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８Ｂｘの硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で加熱する。
　第１樹脂前駆体１２Ｂｘ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂前駆体１３Ｂｘの加熱加圧における各条件は、例えば工程（６）の加熱加圧の条件と同様である。なお、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂの形成は、同時に行なわれなくてもよい。
　（９）図１２（ａ）に示すように、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂを厚み方向に貫通するビア導体２１を形成し、第２樹脂層１３Ｂ上に導電層８Ｂを形成する。具体的には、以下のように行なう。
　まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置によって、第１樹脂層１２Ｂ、無機絶縁層１１Ｂおよび第２樹脂層１３Ｂにビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖの底部に導電層８（ここでは、導電層８Ａ）の少なくとも一部を露出させる。次に、例えばセミアディティブ法またはサブトラクティブ法などによって、ビア孔Ｖにビア導体２１を形成するとともに第２樹脂層１３Ｂ上に導電層８Ｂを形成する。
　（１０）図１２（ｂ）に示すように、（８）乃至（９）の工程を繰り返すことによって、コア基板５の両主面に一対の配線層６を形成する。そして、本工程を繰り返すことによって、配線層６をより多層化することができる。
　以上のようにして、配線基板６を作製することができる。
　（１１）前述した配線基板３の一主面における第２樹脂層１３Ｂが露出した面に、バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することによって、図１に示した実装構造体１を作製することができる。
　前述したように、本実施形態の製造方法においては、無機絶縁層１１の両主面から間隙Ｇに第１樹脂材料１６および第２樹脂材料１８を入り込ませている。その結果、無機絶縁層１１の一主面のみから間隙Ｇに樹脂材料を入り込ませている場合に比較して、間隙Ｇに効率的に樹脂材料を入り込ませることができることから、樹脂材料が配されていない空隙の発生を低減することができる。
　また、無機絶縁層１１の厚さを大きくしても、無機絶縁層１１の内部に効果的に樹脂材料を浸透させることができる。その結果、無機絶縁層１１を厚くして配線基板３のヤング率を高めることができる。したがって、配線基板３の反りや変形を低減できることから、配線基板３に電子部品２を実装する際の歩留まりを向上させることができる。
　また、第１樹脂前駆体１２ｘおよび第２樹脂前駆体１３ｘは、間隙Ｇの幅よりも大きい、分散した複数のフィラー粒子１９を含むことが望ましい。その結果、第１樹脂前駆体１２Ｂｘおよび第２樹脂前駆体１３ｘの未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび第２樹脂材料１８ｘが無機絶縁層１１に入り込むことによって、複数のフィラー粒子１９が無機絶縁層１１の表層にろ過されるように凝集し、無機絶縁層１１に近い方の領域が無機絶縁層１１から遠い方の領域よりもフィラー粒子１９の含有割合が大きい、第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３を形成できる。したがって、容易に第１樹脂層１２Ｂおよび第２樹脂層１３の両端部で熱膨張率が異なる傾斜部材を作製することができ、ひいては歩留まりを向上させることができる。
　第１樹脂前駆体１２ｘにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上５５体積％以下である。第２樹脂前駆体１３ｘにおけるフィラー粒子１９の含有割合は、第１樹脂前駆体１２ｘと同様である。また、第１樹脂層１２の形成後において、第１樹脂層１２におけるフィラー粒子１９の含有割合は、例えば１０体積％以上７０体積％以下である。第２樹脂層１３におけるフィラー粒子１９の含有割合は、第１樹脂層１２と同様である。
　また、未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８ｘは、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込む前段階においては、モノマーおよびオリゴマーのみからなる方が望ましい。その結果、モノマーおよびオリゴマーは、ポリマーに比べて分子量が小さいことから、良好に間隙Ｇに入り込むことができる。
　また、未硬化の第１樹脂材料１６ｘおよび未硬化の第２樹脂材料１８ｘは、無機絶縁層１１の間隙Ｇに入り込む前段階においては、モノマーの割合がオリゴマーの割合よりも大きい方が望ましい。その結果、モノマーはオリゴマーよりも分子量が小さいことから、良好に間隙Ｇに入り込むことができる。
　なお、樹脂材料において、モノマーは単量体である。オリゴマーは、モノマーが１０個以上３００個以下で結合した、比較的分子量の低い重合体である。ポリマーは３００個より多いモノマーが結合した重合体である。
　また、無機絶縁層１１の両主面から間隙Ｇに第１樹脂材料１６および第２樹脂材料１８を入り込ませていることによって、一方の樹脂層から必要以上に樹脂材料が入り込むことを低減することができる。その結果、例えば工程（５）において、第１樹脂層１２Ａの両主面に形成された無機絶縁層１１Ａの厚みが第１樹脂層１２Ａの厚みよりも大きい場合に、第１樹脂材料１６Ａが無機絶縁層１１Ａの間隙Ｇに必要以上に入り込みことを低減し、第１樹脂材料１６Ａが被覆する基材１７内における気泡の発生を低減することができる。
　また、工程（２）において、支持シート２２の一主面に塗布した無機絶縁ゾル１１ｘを一定時間放置し、第１無機絶縁粒子１４よりも平均粒径が大きく質量が大きい第２無機絶縁粒子１５を、無機絶縁ゾル１１ｘ中を支持シート側に沈降させ、支持シート側により多くの第２無機絶縁粒子１５が集めても構わない。
　その結果、例えば工程（５）において、第１樹脂層１２Ａ側の無機絶縁層１１の間隙Ｇの幅を小さくすることができ、第１樹脂材料１６Ａが必要以上に間隙Ｇに入り込むことを低減し、ひいては第１樹脂層１２Ａにおける気泡の発生を良好に低減することができる。
　本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。
　例えば、前述した本発明の実施形態は、コア基板の両主面に配線層が形成された配線基板を用いた構成を例に説明したが、コア基板のみの配線基板、あるいは配線層のみの配線基板（コアレス基板）を用いても構わない。
　また、前述した本発明の実施形態は、ソルダーレジスト層についての説明を省略したが、配線基板は上下面に樹脂材料を含むソルダーレジスト層を有していても構わない。
　また、前述した本発明の実施形態は、アンダーフィルについての説明を省略したが、実装構造体は配線基板と電子部品との間にアンダーフィルを有しても構わない。
　また、前述した本発明の実施形態は、コア基板および配線層が無機絶縁層を含む構成を例に説明したが、コア基板のみ、あるいは配線層のみが無機絶縁層を含んでいても構わない。
　また、前述した本発明の実施形態は、第１樹脂層が基材を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層は基材を含まなくても構わない。
　また、前述した本発明の実施形態は、第１樹脂層および第２樹脂層がフィラー粒子を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層および第２樹脂層はフィラー粒子を含まなくても構わない。
　１　　　実装構造体
　２　　　電子部品
　３　　　配線基板
　４　　　バンプ
　５　　　コア基板
　６　　　配線層
　７　　　基体
　８，８Ａ，８Ｂ　　　導電層
　９　　　スルーホール導体
　１０　　　絶縁体
　１１，１１Ａ，１１Ｂ　　　無機絶縁層
　１１ｘ　　無機絶縁ゾル
　１２，１２Ａ，１２Ｂ　　　第１樹脂層
　１２ｘ，１２Ａｘ，１２Ｂｘ　　　第１樹脂前駆体
　１３，１３Ａ，１３Ｂ　　　第２樹脂層
　１３ｘ，１３Ａｘ，１３Ｂｘ　　　第２樹脂前駆体
　１４　　　第１無機絶縁粒子
　１５　　　第２無機絶縁粒子
　１６，１６Ａ，１６Ｂ　　　第１樹脂部
　１６ｘ，１６Ａｘ，１６Ｂｘ　　　未硬化の第１樹脂材料
　１７　　　基材
　１８，１８Ａ，１８Ｂ　　　第２樹脂部
　１８ｘ，１８Ａｘ，１８Ｂｘ　　　未硬化の第２樹脂材料
　１９　　　フィラー粒子
　２０　　　第３樹脂層
　２１　　　ビア導体
　２２　　　支持シート
　２３　　　積層シート
　Ｂ　　　接続面
　Ｇ　　　間隙
　Ｎ　　　ネック
　Ｔ　　　スルーホール
　Ｖ　　　ビア孔

Claims (9)

  1. 　無機絶縁層と、該無機絶縁層の一主面に形成された第１樹脂層と、前記無機絶縁層の他主面に形成された第２樹脂層と、該第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に部分的に形成された導電層とを有し、
    前記無機絶縁層は、互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されており、
    前記第１樹脂層の一部および前記第２樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいることを特徴とする配線基板。
  2. 　請求項１に記載の配線基板において、
    前記第１樹脂層の一部は、前記間隙において、前記第２樹脂層の一部と接していることを特徴とする配線基板。
  3. 　請求項１に記載の配線基板において、
    前記第２樹脂層は、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を含み、
    該複数のフィラー粒子は、前記第２樹脂層中に分散しており、
    該第２樹脂層において、前記無機絶縁層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも小さいことを特徴とする配線基板。
  4. 　請求項１に記載の配線基板において、
    前記第２樹脂層の一主面に、前記導電層を被覆して形成された第３樹脂層をさらに有し、
    該第３樹脂層は、前記第２樹脂層と同じ樹脂材料からなることを特徴とする配線基板。
  5. 　請求項４に記載の配線基板において、
    前記第３樹脂層は、前記複数のフィラー粒子を含み、
    該複数のフィラー粒子は、前記第３樹脂層中に分散しており、
    該第３樹脂層において、前記導電層と反対側の領域における前記フィラー粒子の含有割合は、前記導電層側の領域における前記フィラー粒子の含有割合よりも小さいことを特徴とする配線基板。
  6. 　請求項１に記載の配線基板と、該配線基板の前記第２樹脂層側の一主面に実装された電子部品とを備えた実装構造体。
  7. 　互いに一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含むとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成された無機絶縁層を準備する工程と、
    前記無機絶縁層の一主面に未硬化の第１樹脂材料からなる第１樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
    前記無機絶縁層の他主面に未硬化の第２樹脂材料からなる前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程と、
    前記第１樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第１樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第１樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
    前記無機絶縁層および前記第１樹脂前駆体を前記第１樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程と、
    前記第２樹脂前駆体が配置された前記無機絶縁層を前記第２樹脂材料の硬化開始温度未満の温度で加熱するとともに加圧して、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に前記第２樹脂前駆体の一部を入り込ませる工程と、
    前記無機絶縁層および前記第２樹脂前駆体を前記第２樹脂材料の硬化開始温度以上の温度で加熱して、前記第２樹脂前駆体を第２樹脂層にする工程と、
    前記第２樹脂層の前記無機絶縁層と反対側の一主面に導電層を形成する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
  8. 　請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
    前記第１樹脂前駆体を第１樹脂層にする工程を、前記無機絶縁層の前記間隙の一部に、前記第２樹脂材料の一部を入り込ませる工程の前に行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
  9. 　請求項８に記載の配線基板の製造方法において、
    前記第２樹脂前駆体を層状に配置する工程で、前記無機絶縁層の他主面に、前記間隙の幅よりも平均粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数のフィラー粒子を分散させた前記第２樹脂前駆体を層状に配置することを特徴とする配線基板の製造方法。
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