KR101423534B1 - 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

배선 기판(3)은 서로 결합된 제 1 무기 절연 입자(13a)와, 상기 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 입경이 크고 제 1 무기 절연 입자(13a)를 통하여 서로 결합된 제 2 무기 절연 입자(13b)를 갖는 제 1 무기 절연층(11a)을 구비하고 있다. 또한, 배선 기판(3)의 제조 방법은 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 상기 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유하는 무기 절연 졸(13x)을 도포하는 공정과 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)를 제 1 무기 절연 입자(13a)의 결정화 개시 온도 미만 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 결정화 개시 온도 미만의 온도에서 가열하여 제 1 무기 절연 입자(13a)를 서로 결합시킴과 아울러 제 1 무기 절연 입자(13a)를 통하여 제 2 무기 절연 입자(13b)를 서로 결합시키는 공정을 구비하고 있다.

Description

구조체 및 그 제조 방법{STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은 전자 기기(예를 들면 각종 오디오비주얼 기기, 가전 기기, 통신 기기, 컴퓨터 기기 및 그 주변 기기)나 수송기, 건물 등 다양한 물품에 사용되는 구조체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 전자 기기에 사용되는 배선 기판으로서 수지층과 세라믹층을 구비한 배선 기판이 알려져 있다.
예를 들면, 일본 특허공개 평2-253941호 공보에는 금속박의 편면에 세라믹을 용사해서 세라믹층을 형성하고, 상기 금속박의 세라믹층측과 접하도록 프리프레그를 적층해서 열압 성형하여 형성된 배선 기판이 기재되어 있다.
그러나, 일반적으로 세라믹층은 강성이 높지만 깨지기 쉽기 때문에 배선 기판에 응력이 인가된 경우 크랙이 세라믹층에 생기기 쉬워진다. 그 때문에, 상기 크랙이 신장해서 배선에 도달하면 상기 배선에 단선이 생기기 쉬워지고, 나아가서는 배선 기판의 전기적 신뢰성이 저하되기 쉬워진다.
따라서, 전기적 신뢰성을 개량한 배선 기판을 제공하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은 전기적 신뢰성을 개선한 구조체를 제공함으로써 상기 요구를 해결한다.
본 발명의 일형태에 의한 구조체는 서로 결합된 제 1 무기 절연 입자와 상기 제 1 무기 절연 입자보다 입경이 크고, 상기 제 1 무기 절연 입자를 통하여 서로 결합된 제 2 무기 절연 입자를 갖는 무기 절연층을 구비하고 있다.
본 발명의 일형태에 의한 구조체의 제조 방법은 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 1 무기 절연 입자보다 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 무기 절연 졸을 도포하는 공정과 상기 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 2 무기 절연 입자를 상기 제 1 무기 절연 입자의 결정화 개시 온도 미만 및 상기 제 2 무기 절연 입자의 결정화 개시 온도 미만의 온도에서 가열하여 상기 제 1 무기 절연 입자를 서로 결합시킴과 아울러 상기 제 1 무기 절연 입자를 통하여 상기 제 2 무기 절연 입자를 서로 결합시키는 공정을 구비하고 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 배선 기판을 구비한 실장 구조체를 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 2의 도 2A는 도 1에 나타낸 실장 구조체의 R1 부분을 확대해서 나타낸 단면도이고, 도 2B는 2개의 제 1 무기 절연 입자가 결합된 형상을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3의 도 3A는 도 1에 나타낸 실장 구조체의 R2 부분을 확대해서 나타낸 단면도이고, 도 3B는 도 2A에 나타낸 실장 구조체의 R3 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 4의 도 4A 및 도 4B는 도 1에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 4C는 도 4B의 R4 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 5의 도 5A 내지 도 5C는 도 1에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 6의 도 6A 내지 도 6C는 도 1에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 7의 도 7A 및 도 7B는 도 1에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이다.
도 8의 도 8A는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 배선 기판을 구비한 실장 구조체를 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 8B는 도 8A에 나타낸 실장 구조체의 R5 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 9의 도 9A는 도 8B의 Ⅰ-Ⅰ선을 따른 평면 방향으로 절단한 단면도이고, 도 9B는 도 8A에 나타낸 실장 구조체의 R6 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 10의 도 10A는 도 8A에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 10B는 도 10A의 R7 부분을 확대해서 나타낸 단면도이며, 도 10C는 도 8A에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 도 10A의 R7 부분에 해당하는 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 11의 도 11A 및 도 11B는 도 8A에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 도 10A의 R7 부분에 해당하는 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 12의 도 12A는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 배선 기판을 구비한 실장 구조체를 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 12B는 도 12A에 나타낸 실장 구조체의 R8 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 13의 도 13A는 도 12B의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 평면 방향으로 절단한 단면도이고, 도 13B는 도 12A에 나타낸 실장 구조체의 R9 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 14의 도 14A 및 도 14B는 도 12A에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 두께 방향으로 절단한 단면도이고, 도 14C는 도 14B의 R10 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 15의 도 15A 및 도 15B는 도 12A에 나타내는 배선 기판의 제조 공정을 설명하는 도 14B의 R10 부분에 해당하는 부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.
도 16의 도 16A 및 도 16B는 시료 1의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 17의 도 17A는 도 16B의 R11 부분을 확대한 사진이고, 도 17B는 시료 5의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 18의 도 18A는 도 17B의 R12 부분을 확대한 사진이고, 도 18B는 시료 6의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 19의 도 19A는 시료 12의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이고, 도 19B는 도 19A의 R13 부분을 확대한 사진이다.
도 20의 도 20A는 시료 16의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이고, 도 20B는 시료 16의 적층판의 무기 절연층을 평면 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 21의 도 21A 및 도 21B는 시료 16의 적층판의 무기 절연층을 평면 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 22의 도 22A는 시료 17의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이고, 도 22B는 시료 18의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 23의 도 23A는 시료 19의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이고, 도 23B는 시료 20의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 24는 시료 21의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
도 25의 도 25A는 시료 22의 적층판을 두께 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이고, 도 25B는 시료 22의 적층판을 평면 방향으로 절단한 단면의 일부를 전계방출형 전자현미경에 의해 촬영한 사진이다.
(제 1 실시형태)
이하에 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 배선 기판을 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 1에 나타낸 배선 기판(3)은 예를 들면 각종 오디오비주얼 기기, 가전 기기, 통신 기기, 컴퓨터 장치 또는 그 주변 기기 등의 전자 기기에 사용되는 것이다.
이 배선 기판(3)은 코어 기판(5)과 코어 기판(5)의 상하면에 형성된 1쌍의 배선층(6)을 포함하고 있고, 전자 부품(2)을 지지함과 아울러 전자 부품(2)을 구동 또는 제어하기 위한 전원이나 신호를 전자 부품(2)에 공급하는 기능을 갖는다.
또한, 전자 부품(2)은 예를 들면 IC 또는 LSI 등의 반도체 소자이고, 배선 기판(3)이 땜납 등의 도전 재료로 이루어지는 범프(4)를 통하여 플립 칩 실장되어 있다. 이 전자 부품(2)은 모재가 예를 들면 규소, 게르마늄, 갈륨비소, 갈륨비소인, 질화갈륨 또는 탄화규소 등의 반도체 재료에 의해 형성되어 있다.
이하, 배선 기판(3)의 구성에 대해서 상세하게 설명한다.
(코어 기판)
코어 기판(5)은 배선 기판(3)의 강성을 높이면서 1쌍의 배선층(6) 간의 도통을 도모하는 것이고, 배선층(6)을 지지하는 기체(7)와 기체(7)에 형성된 스루홀과 상기 스루홀 내에 형성되어 1쌍의 배선층(6)끼리를 전기적으로 접속시키는 통 형상의 스루홀 도체(8)와 상기 스루홀 도체(8)에 둘러싸인 절연체(9)를 포함하고 있다.
기체(7)는 제 1 수지층(10a)과 상기 제 1 수지층(10a) 상하면에 형성된 제 1 무기 절연층(11a)을 갖는다.
제 1 수지층(10a)은 기체(7)의 주요부를 이루는 것이고, 예를 들면 수지부와 상기 수지부에 피복된 기재를 포함한다. 제 1 수지층(10a)은 두께가 예를 들면 0.1㎜ 이상 3.0㎜ 이하로 설정되고, 영률이 예를 들면 0.2㎬ 이상 20㎬ 이하로 설정되며, 평면 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 3ppm/℃ 이상 20ppm/℃ 이하로 설정되고, 두께 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 30ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되며, 유전 탄젠트가 예를 들면 0.01 이상 0.02 이하로 설정되어 있다.
여기에서, 제 1 수지층(10a)의 영률은 시판의 인장 시험기를 이용하여 ISO 527-1 : 1993에 준한 측정 방법에 의해 측정된다. 또한, 제 1 수지층(10a)의 열팽창률은 시판의 TMA(Thermo-Mechanical Analysis) 장치를 이용하여 JISK7197-1991에 준한 측정 방법에 의해 측정된다. 또한, 제 1 수지층(10a)의 유전 탄젠트는 JISR1627-1996에 준한 공진기법에 의해 측정된다. 이하, 제 2 수지층(10b)이나 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)을 비롯한 각 부재의 영률, 열팽창률 및 유전 탄젠트는 제 1 수지층(10a)과 마찬가지로 측정된다.
제 1 수지층(10a)의 수지부는 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 전방향족 폴리아미드 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 열경화성 수지에 의해 형성할 수 있다. 상기 수지부는 영률이 예를 들면 0.1㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되고, 두께 방향 및 평면 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 20ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
제 1 수지층(10a)에 함유되는 상기 기재는 제 1 수지층(10a)의 평면 방향의 열팽창률을 저감함과 아울러 제 1 수지층(10a)의 강성을 높이는 것이다. 상기 기재는 예를 들면 복수의 섬유로 이루어지는 직포나 부직포 또는 복수의 섬유를 일방향으로 배열한 섬유군에 의해 형성할 수 있다. 상기 섬유로서는 예를 들면 유리 섬유, 수지 섬유, 탄소 섬유 또는 금속 섬유 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는 제 1 수지층(10a)은 무기 절연 재료에 의해 형성된 다수의 제 1 필러 입자로 이루어지는 제 1 필러(12)를 더 함유하고 있다. 그 결과, 제 1 수지층(10a)의 열팽창률을 저감함과 아울러 제 1 수지층(10a)의 강성을 높일 수 있다. 제 1 필러 입자는 예를 들면 산화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 수산화알루미늄 또는 탄산칼슘 등의 무기 절연 재료에 의해 형성할 수 있다. 제 1 필러 입자는 입경이 예를 들면 0.5㎛ 이상 5.0㎛ 이하로 설정되고, 열팽창률이 예를 들면 0ppm/℃ 이상 15ppm/℃ 이하로 설정된다. 또한, 제 1 수지층(10a)의 수지부와 제 1 필러(12)의 체적 합계에 대한 제 1 필러(12)의 체적 비율[이하, 「제 1 필러(12)의 함유량」이라고 한다]이 예를 들면 3체적% 이상 60체적% 이하로 설정되어 있다.
여기에서, 제 1 필러 입자의 입경은 다음과 같이 측정된다. 우선, 제 1 수지층(10a)의 연마면 또는 파단면을 전계방출형 전자현미경으로 관찰하고, 20입자수 이상 50입자수 이하의 입자를 포함하도록 확대한 단면을 촬영한다. 이어서, 상기 확대한 단면에서 각 입자의 최대 지름을 측정하고, 상기 측정된 최대 입경을 제 1 필러 입자의 입경으로 한다. 또한, 제 1 필러(12)의 함유량(체적%)은 제 1 수지층(10a)의 연마면을 전계방출형 전자현미경으로 촬영하고, 화상 해석 장치 등을 이용하여 제 1 수지층(10a)의 수지부에서 차지하는 필러(12)의 면적 비율(면적%)을 10개소의 단면에서 측정하고, 그 측정치의 평균치를 산출하여 함유량(체적%)으로 간주함으로써 측정된다.
한편, 제 1 수지층(10a)의 상하면에 형성된 제 1 무기 절연층(11a)은 예를 들면 산화규소, 산화알루미늄, 산화붕소, 산화마그네슘 또는 산화칼슘 등의 무기 절연 재료에 의해 구성되어 있고, 수지 재료와 비교하여 강성이 높기 때문에 기체(7)의 강성을 높이는 기능을 갖는다.
제 1 무기 절연층(11a)의 평면 방향의 열팽창률은 일반적인 수지 재료의 평면 방향의 열팽창률과 비교하여 낮기 때문에 배선 기판(3)의 평면 방향으로의 열팽창률을 전자 부품(2)의 평면 방향으로의 열팽창률에 근접하게 할 수 있어 열응력에 기인한 배선 기판(3)의 휘어짐을 저감할 수 있다.
제 1 무기 절연층(11a)의 두께 방향 열팽창률은 평면 방향 열팽창률이 낮은 수지 필름의 두께 방향 열팽창률보다 작기 때문에 수지 필름을 사용한 경우에 비교하여 기체(7)의 두께 방향 열팽창률을 저감할 수 있어, 기체(7)와 스루홀 도체(8)의 열팽창률 차이에 기인한 열응력을 작게 하여 스루홀 도체(8)의 단선을 저감할 수 있다.
제 1 무기 절연층(11a)은 일반적으로 무기 절연 재료는 수지 재료보다 유전 탄젠트가 낮고, 또한 제 1 수지층(10a)보다 배선층(6)에 대하여 근접하여 배치되어 있기 때문에 코어 기판(5)의 상하면에 배치된 배선층(6)의 신호 전송 특성을 높일 수 있다.
제 1 무기 절연층(11a)의 두께는 예를 들면 3㎛ 이상 100㎛ 이하, 및/또는 제 1 수지층(10a)의 3% 이상 10% 이하로 설정된다. 또한, 제 1 무기 절연층(11a)의 영률은 예를 들면 10㎬ 이상 100㎬ 이하, 및/또는 제 1 수지층(10a)의 수지부의 10배 이상 100배 이하로 설정된다. 또한, 제 1 무기 절연층(11a)은 두께 방향 및 평면 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 0ppm/℃ 이상 10ppm/℃ 이하로 설정되고, 유전 탄젠트가 예를 들면 0.0001 이상 0.001 이하로 설정되어 있다.
이 제 1 무기 절연층(11a)은 상술한 무기 절연 재료에 의해 형성할 수 있지만, 그 중에서도 저유전 탄젠트 및 저열팽창률의 관점에서 산화규소를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 제 1 무기 절연층(11a)은 비정질 상태의 무기 절연 재료에 의해 형성되어 있다. 비정질 상태의 무기 절연 재료는 결정 상태의 무기 절연 재료와 비교하여 결정 구조에 기인한 열팽창률의 이방성을 저감할 수 있기 때문에 배선 기판(3)의 가열 후 배선 기판(3)이 냉각될 때에 제 1 무기 절연층(11a)의 수축을 두께 방향 및 평면 방향에서 보다 균일하게 할 수 있고, 제 1 무기 절연층(11a)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다.
이 비정질 상태의 무기 절연 재료로서는 예를 들면 산화규소를 90중량% 이상 함유하는 무기 절연 재료를 사용할 수 있고, 그 중에서도 산화규소를 99중량% 이상 100중량% 미만 함유하는 무기 절연 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 산화규소를 90중량% 이상 100중량% 미만 함유하는 무기 절연 재료를 사용하는 경우에는 상기 무기 절연 재료는 산화규소 이외에 예를 들면 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화마그네슘 또는 산화지르코늄 등의 무기 절연 재료를 함유해도 상관없다. 또한, 비정질 상태인 무기 절연 재료는 결정상 영역이 예를 들면 10체적% 미만으로 설정되어 있고, 그 중에서도 5체적% 미만으로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
여기에서, 산화규소의 결정상 영역의 체적비는 이하와 같이 측정된다. 우선, 100% 결정화한 시료 분말과 비정질 분말을 상이한 비율로 함유하는 복수의 비교 시료를 제작하고, 상기 비교 시료를 X선 회절법으로 측정함으로써 상기 측정치와 결정상 영역의 체적비의 상대적 관계를 나타내는 검량선을 작성한다. 이어서, 측정 대상인 조사 시료를 X선 회절법으로 측정하고, 상기 측정치와 검량선을 비교하여 상기 측정치로부터 결정상 영역의 체적비를 산출함으로써 조사 시료의 결정상 영역의 체적비가 측정된다.
상술한 제 1 무기 절연층(11a)은 도 2A에 나타내는 바와 같이 복수의 제 1 무기 절연 입자(13a)와 상기 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 입경이 큰 복수의 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유한다. 이 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)는 예를 들면 상술한 산화규소, 산화알루미늄, 산화붕소, 산화마그네슘 또는 산화칼슘 등의 무기 절연 재료에 의해 형성할 수 있다. 또한, 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 제 1 무기 절연 입자(13a)와 제 2 무기 절연 입자(13b)의 합계 체적에 대하여 제 1 무기 절연 입자(13a)를 20체적% 이상 90체적% 이하 함유하고, 상기 합계 체적에 대하여 제 2 무기 절연 입자(13b)를 10체적% 이상 80체적% 이하 함유하고 있다.
제 1 무기 절연 입자(13a)는 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정되어 있고, 도 2B에 나타내는 바와 같이 서로 결합함으로써 제 1 무기 절연층(11a)의 내부가 치밀하게 형성되어 있다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 입경이 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있고, 제 1 무기 절연 입자(13a)와 결합함으로써 제 1 무기 절연 입자(13a)를 통하여 서로 접착되어 있다.
여기에서, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 무기 절연층(11a)의 연마면 또는 파단면을 전계방출형 전자현미경으로 관찰함으로써 확인된다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 체적%는 다음과 같이 산출된다. 우선, 제 1 무기 절연층(11a)의 연마면을 전계방출형 전자현미경으로 촬영한다. 이어서, 촬영한 화상으로부터 화상 해석 장치 등을 이용하여 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 면적 비율(면적%)을 측정한다. 그리고, 상기 측정치의 평균치를 산출함으로써 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b)의 체적%가 산출된다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 입경은 무기 절연층(11)의 연마면 또는 파단면을 전계방출형 전자현미경으로 관찰하고, 20입자수 이상 50입자수 이하의 입자를 포함하도록 확대한 단면을 촬영하고, 상기 촬영한 확대 단면에서 각 입자의 최대 지름을 측정함으로써 측정된다.
또한, 기체(7)에는 상기 기체(7)를 두께 방향으로 관통하고, 예를 들면 직경이 0.1㎜ 이상 1㎜ 이하의 원기둥 형상인 스루홀이 형성되어 있다. 스루홀의 내부에는 코어 기판(5)의 상하의 배선층(6)을 전기적으로 접속시키는 스루홀 도체(8)가 스루홀의 내벽을 따라 통 형상으로 형성되어 있다. 이 스루홀 도체(8)로서는 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬 등의 도전 재료에 의해 형성할 수 있고, 열팽창률이 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
통 형상으로 형성된 스루홀 도체(8)의 중공부에는 절연체(9)가 기둥 형상으로 형성되어 있다. 절연체(9)는 예를 들면 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 불소 수지, 규소 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 또는 비스말레이미드트리아진 수지 등의 수지 재료에 의해 형성할 수 있다.
(배선층)
한편, 코어 기판(5)의 상하면에는 상술한 바와 같이 1쌍의 배선층(6)이 형성되어 있다.
1쌍의 배선층(6) 중 한쪽의 배선층(6)은 전자 부품(2)에 대하여 땜납(3)을 통하여 접속되고, 다른쪽의 배선층(6)은 도시하지 않은 접합재를 통하여 도시하지 않은 외부 배선 기판과 접속된다.
각 배선층(6)은 복수의 제 2 수지층(10b), 복수의 제 2 무기 절연층(11b), 복수의 도전층(14), 복수의 바이어 홀 및 복수의 바이어 도체(15)를 포함하고 있다. 도전층(14) 및 바이어 도체(15)는 서로 전기적으로 접속되어 있고, 접지용 배선, 전력 공급용 배선 및/또는 신호용 배선을 구성하고 있다.
제 2 수지층(10b)은 도전층(14)끼리의 단락을 방지하는 절연 부재로서 기능하는 것이다. 제 2 수지층(10b)은 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 전방향족 폴리아미드 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 열경화성 수지에 의해 형성할 수 있다.
제 2 수지층(10b)은 두께가 예를 들면 3㎛ 이상 30㎛ 이하로 설정되고, 영률이 예를 들면 0.2㎬ 이상 20㎬ 이하로 설정된다. 또한, 제 2 수지층(10b)은 유전 탄젠트가 예를 들면 0.01 이상 0.02 이하로 설정되고, 두께 방향 및 평면 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 20ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 제 2 수지층(10b)은 무기 절연 재료에 의해 형성된 다수의 제 2 필러 입자로 이루어지는 제 2 필러(12)를 함유하고 있다. 이 제 2 필러(12)는 제 1 필러(12)와 마찬가지의 재료에 의해 형성할 수 있고, 제 2 수지층(10b)의 열팽창률을 저감함과 아울러 제 2 수지층(10b)의 강성을 높일 수 있다.
제 2 무기 절연층(11b)은 제 2 수지층(10b) 상에 형성되고, 상술한 기체(7)에 포함되는 제 1 무기 절연층(11a)과 마찬가지로 수지 재료와 비교하여 강성이 높고 열팽창률 및 유전 탄젠트가 낮은 무기 절연 재료에 의해 구성되어 있기 때문에 상술한 기체(7)에 포함되는 제 1 무기 절연층(11a)과 마찬가지의 효과를 얻는다.
제 2 무기 절연층(11b)의 두께는 예를 들면 3㎛ 이상 30㎛ 이하, 및/또는 제 2 수지층(10b)의 두께의 0.5배 이상 10배 이하(바람직하게는 0.8배 이상 1.2배 이하)로 설정되어 있다. 그 이외의 구성은 도 3A에 나타내는 바와 같이 상술한 제 1 무기 절연층(11a)과 마찬가지의 구성이다.
복수의 도전층(14)은 제 2 무기 절연층(11b) 상에 형성되고, 제 2 수지층(10b) 및 제 2 무기 절연층(11b)을 개재하여 두께 방향으로 서로 이간되어 있다. 도전층(14)은 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬 등의 도전 재료에 의해 형성할 수 있다. 또한, 도전층(14)은 그 두께가 3㎛ 이상 20㎛ 이하로 설정되고, 열팽창률이 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
바이어 도체(15)는 두께 방향으로 서로 이간된 도전층(14)끼리를 서로 접속시키는 것이고, 코어 기판(5)을 향하여 폭이 좁아지는 기둥 형상으로 형성되어 있다. 바이어 도체(15)는 예를 들면 구리, 은, 금, 알루미늄, 니켈 또는 크롬 등의 도전 재료에 의해 형성할 수 있고, 열팽창률이 예를 들면 14ppm/℃ 이상 18ppm/℃ 이하로 설정되어 있다.
(제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자)
그런데, 예를 들면 전자 부품(2)과 배선 기판(3)의 열팽창률 차이에 기인한 열응력이나 기계적 응력 등의 응력이 배선 기판(3)에 인가된 경우, 제 1 무기 절연 입자(13a)끼리가 박리됨으로써 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 크랙이 생기는 경우가 있다.
한편, 본 실시형태의 배선 기판(3)에 있어서는 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유한다. 따라서, 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)에 크랙이 생겨도 크랙이 제 2 무기 절연 입자(13b)에 도달했을 때에 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)에 의해 크랙의 신장을 저지하거나, 또는 제 2 무기 절연 입자의 표면을 따라 크랙을 우회시키거나 할 수 있다. 그 결과, 크랙이 제 1 또는 제 2 무기 절연층(11a, 11b)을 관통해서 도전층(14)에 도달하는 것이 억제되어 상기 크랙을 기점으로 한 도전층(14)의 단선을 저감할 수 있고, 나아가서는 전기적 신뢰성이 우수한 배선 기판(3)을 얻을 수 있다. 크랙의 신장을 저지하거나 크랙을 우회시키거나 하기 위해서는 제 2 무기 절연 입자의 입경이 0.5㎛ 이상인 경우가 특히 바람직하다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 입경이 크기 때문에 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)을 제 2 무기 절연 입자만으로 구성하면 1개의 제 2 무기 절연 입자 주위에 다량의 다른 제 2 무기 절연 입자를 배치하는 것이 곤란해지고, 결과적으로 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 접촉 면적이 작아져 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 접착 강도는 약해지기 쉽다. 이에 대하여, 본 실시형태의 배선 기판(3)에 있어서는 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)뿐만 아니라 입경이 작은 제 1 무기 절연 입자(13a)를 함유하고, 제 2 무기 절연 입자끼리는 상기 제 2 무기 절연 입자의 주위에 배치된 복수의 제 1 무기 절연 입자(13a)를 통하여 접합되어 있다. 그 때문에, 제 2 무기 절연 입자와 제 1 무기 절연 입자의 접촉 면적을 크게 할 수 있어 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 박리를 저감할 수 있다. 이러한 효과는 제 1 무기 절연 입자의 입경이 110㎚ 이하로 설정되어 있는 경우에 특히 현저해진다.
한편, 본 실시형태의 배선 기판(3)에 있어서는 제 1 무기 절연 입자(13a)는 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 미소하게 설정되어 있다. 이렇게, 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경이 매우 작기 때문에 제 1 무기 절연 입자(13a)끼리가 결정화 개시 온도 미만에서 서로 강고하게 결합된다. 그 결과, 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자 자체가 비정질 상태인 채 상기 입자끼리가 결합하여 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)이 비정질 상태가 된다. 그 때문에, 상술한 바와 같이 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 열팽창률의 이방성이 작아진다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경이 3㎚ 이상 110㎚ 이하로 미소하게 설정되어 있으면 제 1 무기 절연 입자(13a)의 원자, 특히 표면의 원자가 활발하게 운동하기 때문에 결정화 개시 온도 미만과 같은 저온 하에서도 제 1 무기 절연 입자(13a)끼리가 강고하게 결합된다고 추측된다. 또한, 결정화 개시 온도는 비정질의 무기 절연 재료가 결정화를 개시하는 온도, 즉 결정상 영역의 체적이 증가하는 온도이다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리가 서로 이간하도록 개개의 제 2 무기 절연 입자(13b)는 복수의 제 1 무기 절연 입자(13a)에 의해 피복되어 있다. 그 결과, 접착 강도가 약하고 또한 박리되기 쉬운 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 접촉이 방지되어 제 2 무기 절연 입자(13b)의 박리를 억제할 수 있고, 나아가서는 제 2 무기 절연 입자에 기인한 크랙의 발생 및 신장을 저감할 수 있다.
제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)는 동일 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)에 있어서 제 1 무기 절연 입자(13a)와 제 2 무기 절연 입자(13b)의 재료 특성의 차이에 기인한 크랙을 저감할 수 있다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 필러 및 제 2 필러(12)와 동일 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 수지층(10a) 및 제 2 수지층(10b)의 열팽창률을 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 열팽창률에 보다 근접하게 할 수 있다.
제 1 무기 절연 입자(13a)는 본 실시형태와 같이 구 형상인 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 무기 절연 입자 사이의 공극에 다량의 제 1 무기 절연 입자(13a)를 충전하기 쉬워짐과 아울러 제 1 무기 절연 입자(13a) 사이의 공극의 체적이 저감되어 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 내부 구조를 치밀하게 할 수 있어 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 강성을 향상시킬 수 있다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 본 실시형태와 같이 곡면 형상인 것이 바람직하고, 구 형상인 것이 보다 더 바람직하다. 그 결과, 제 2 무기 절연 입자(13b)의 표면이 매끄러워지고, 상기 표면에 있어서의 응력이 분산되어 제 2 무기 절연 입자(13b)의 표면을 기점으로 한 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 크랙의 발생을 저감할 수 있다.
제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 경도가 높은 것이 바람직하다. 이 경우, 크랙이 제 2 무기 절연 입자(13b)에 도달했을 때에 상기 크랙이 제 2 무기 절연 입자(13b)의 내부로 신장하는 것을 저감하고, 나아가서는 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)에 있어서의 크랙의 신장을 저감할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 무기 절연 입자(13a)보다 경도를 용이하게 높일 수 있기 때문에 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 강성을 용이하게 높일 수 있다. 또한, 경도는 나노인덴터 장치를 사용함으로써 측정할 수 있다.
(제 3 무기 절연 입자 및 제 4 무기 절연 입자)
또한, 본 실시형태의 배선 기판(3)에 있어서는 도 3B에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연 입자(13a)는 입경이 3㎚ 이상 15㎚ 이하로 설정된 제 3 무기 절연 입자(13c)와 입경이 35㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정된 제 4 무기 절연 입자(13d)를 함유한다.
이 경우, 제 3 무기 절연 입자(13c)가 매우 작기 때문에 상기 각 제 3 무기 절연 입자(13c)와 다른 제 3 무기 절연 입자(13c) 또는 제 4 무기 절연 입자(13d)의 접촉 면적이 커지고, 제 3 무기 절연 입자끼리 또는 제 3 무기 절연 입자 및 제 4 무기 절연 입자끼리를 강고하게 결합시킬 수 있다. 또한 가령 제 3 무기 절연 입자가 박리되고, 크랙이 발생했다고 하여도 제 3 무기 절연 입자(13c)보다 입경이 큰 제 4 무기 절연 입자(13d)에 의해 크랙의 신장이 양호하게 억제된다.
인접하는 제 4 무기 절연 입자(13d)끼리는 제 3 무기 절연 입자(13c)를 통하여 서로 접착되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 4 무기 절연 입자(13d)끼리를 제 3 무기 절연 입자(13c)에 의해 강고하게 접착시킬 수 있다.
또한, 인접하는 제 2 무기 절연 입자(13b) 및 제 4 무기 절연 입자(13d)는 제 3 무기 절연 입자(13c)를 통하여 서로 접착되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 접착 강도가 낮고 또한 박리되기 쉬운 제 2 무기 절연 입자(13b) 및 제 4 무기 절연 입자(13d)를 제 3 무기 절연 입자(13c)에 의해 강고하게 접착시킬 수 있다. 또한, 개개의 제 4 무기 절연 입자(13d)는 제 2 무기 절연 입자 및 제 4 무기 절연 입자(13b, 13d)가 서로 이간되도록 복수의 제 3 무기 절연 입자(13c)에 의해 피복되어 있다면 제 4 무기 절연 입자(13d)끼리가 접촉하는 것이 방지되어 보다 한층 제 2 무기 절연 입자(13b)와 제 4 무기 절연 입자(13d)의 접착 강도를 향상시킬 수 있다.
제 4 무기 절연 입자(13d)는 제 3 무기 절연 입자(13c)와 동일 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)에 있어서 제 3 무기 절연 입자(13c)와 제 4 무기 절연 입자(13d)의 재료 특성의 차이에 기인한 크랙을 저감할 수 있다.
또한, 제 4 무기 절연 입자(13d)는 구 형상인 것이 바람직하다. 그 결과, 제 4 무기 절연 입자(13d)의 표면에 있어서의 응력을 분산시킬 수 있고, 제 4 무기 절연 입자(13d)의 표면을 기점으로 한 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 크랙의 발생을 저감할 수 있다.
제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 제 1 무기 절연 입자(13a)와 제 2 무기 절연 입자(13b)의 합계 체적에 대하여 제 3 무기 절연 입자(13c)를 10체적% 이상 50체적% 이하 함유하고, 제 1 무기 절연 입자(13a)와 제 2 무기 절연 입자(13b)의 합계 체적에 대하여 제 4 무기 절연 입자(13d)를 10체적% 이상 40체적% 이하 함유하는 것이 바람직하다. 제 3 무기 절연 입자(13c)를 10체적% 이상 함유함으로써 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 간극, 및 제 2 무기 절연 입자(13b)와 제 4 무기 절연 입자(13d)의 간극에 제 3 무기 절연 입자(13c)를 높은 밀도로 배치시켜 제 3 무기 절연 입자(13c)끼리를 서로 결합시킬 수 있고, 이러한 간극에 있어서의 크랙의 발생 및 신장을 저감할 수 있다. 또한, 제 4 무기 절연 입자(13d)를 10체적% 이상 함유함으로써 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 간극에서 발생한 크랙의 신장을 제 4 무기 절연 입자(13d)에 의해 양호하게 억제할 수 있다.
<배선 기판(3)의 제조 방법>
이어서, 상술한 배선 기판(3)의 제조 방법을 도 4~도 7에 의거하여 설명한다.
배선 기판(3)의 제조 방법은 코어 기판(5)의 제작 공정과 배선층(6)의 빌드업 공정으로 이루어지고 있다.
(코어 기판(5)의 제작 공정)
(1) 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유하는 고형분과 용제를 갖는 무기 절연 졸(11x)을 준비한다.
무기 절연 졸(11x)은 예를 들면 고형분을 10체적% 이상 50체적% 이하 함유하고, 용제를 50체적% 이상 90체적% 이하 함유한다. 이것에 의해, 무기 절연 졸(11x)의 점도를 낮게 유지하면서 무기 절연 졸(11x)로부터 형성되는 무기 절연층의 생산성을 높게 유지할 수 있다.
무기 절연 졸(11x)의 고형분은 예를 들면 제 1 무기 절연 입자(13a)를 20체적% 이상 90체적% 이하 함유하고, 제 2 무기 절연 입자(13b)를 10체적% 이상 80체적% 이하 함유한다. 또한, 상기 고형분은 예를 들면 제 1 무기 절연 입자(13a)를 구성하는 제 3 무기 절연 입자(13c)를 10체적% 이상 50체적% 이하 함유하고, 제 1 무기 절연 입자(13a)를 구성하는 제 4 무기 절연 입자(13d)를 10체적% 이상 40체적% 이하 함유한다. 이것에 의해, 후술하는 (3)공정에서 제 1 무기 절연층(11a)에 있어서의 크랙의 발생을 효과적으로 저감할 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연 입자(13a)는 산화규소로 이루어질 경우에 예를 들면 규산나트륨 수용액(물유리) 등의 규산 화합물을 정제하여 화학적으로 산화규소를 석출시킴으로써 제작할 수 있다. 이 경우, 저온 조건 하에서 제 1 무기 절연 입자(14a)를 제작할 수 있기 때문에 비정질 상태인 제 1 무기 절연 입자(14a)를 제작할 수 있다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경은 산화규소의 석출 시간을 조정함으로써 조정되고, 구체적으로는 석출 시간을 길게 할수록 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경은 커진다. 그 때문에, 제 3 무기 절연 입자(13c) 및 제 4 무기 절연 입자(13d)를 함유한 제 1 무기 절연 입자(13a)를 제작하기 위해서는 산화규소의 석출 시간을 서로 다르게 하여 형성된 2종류의 무기 절연 입자를 혼합하면 된다.
한편, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 산화규소로 이루어질 경우에 예를 들면 규산나트륨 수용액(물유리) 등의 규산 화합물을 정제하여 화학적으로 산화규소를 석출시킨 용액을 화염 중에 분무하여 응집물의 형성을 저감하면서 800℃ 이상 1500℃ 이하로 가열함으로써 제작할 수 있다. 그 때문에, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 무기 절연 입자(13a)와 비교하여 입경이 크기 때문에 고온 가열시에 있어서의 응집체의 형성을 저감하기 쉬워 고온 가열로 용이하게 제작할 수 있고, 나아가서는 경도를 용이하게 높일 수 있다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)를 제작할 때의 가열 시간은 1초 이상 180초 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 상기 가열 시간을 단축함으로써 800℃ 이상 1500℃ 이하로 가열했을 경우에 있어서도 제 2 무기 절연 입자(13b)의 결정화를 억제하여 비정질 상태를 유지할 수 있다.
한편, 무기 절연 졸(11x)에 함유되는 용제는 예를 들면 메탄올, 이소프로판올, n-부탄올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 크실렌, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디메틸아세트아미드, 및/또는 이들로부터 선택된 2종 이상의 혼합물을 함유한 유기 용제를 사용할 수 있다. 그 중에서도 메탄올, 이소프로판올 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 함유한 유기 용제가 바람직하다. 그 결과, 무기 절연 졸(11x)을 균일하게 도포할 수 있음과 아울러 후술하는 (3)공정에서 용제를 효율적으로 증발시킬 수 있다.
(2) 이어서, 도 4A에 나타내는 바와 같이 구리 등의 도전 재료에 의해 형성된 금속박(14x)의 한 주면에 무기 절연 졸(11x)을 도포하여 무기 절연 졸(11x)을 층 형상으로 형성한다.
무기 절연 졸(11x)의 도포는 예를 들면 디스펜서, 바 코터, 다이 코터 또는 스크린 인쇄를 이용하여 행할 수 있다. 이때, 상술한 바와 같이 무기 절연 졸(11x)의 고형분이 50체적% 이하로 설정되어 있기 때문에 무기 절연 졸(11x)의 점도가 낮게 설정되어 도포된 무기 절연 졸(11x)의 평탄성을 높게 할 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경은 상술한 바와 같이 3㎚ 이상으로 설정되어 있기 때문에 이것에 의해서도 무기 절연 졸(11x)의 점도가 양호하게 저감되어 도포된 무기 절연 졸(11x)의 평탄성을 향상시킬 수 있다.
(3) 이어서, 무기 절연 졸(11x)을 건조시켜서 용제를 증발시킨다.
여기에서 용제의 증발에 따라 무기 절연 졸(11x)이 수축하지만, 이러한 용제는 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b)의 간극에 함유되어 있고, 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b) 자체에는 함유되어 있지 않다. 이 때문에, 무기 절연 졸(11x)이 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유하고 있으면 그만큼 용제가 충전되는 영역이 작아지고, 무기 절연 졸(11x)의 용제 증발시 무기 절연 졸(11x)의 수축량이 적어진다. 즉, 제 2 무기 절연 입자(13b)에 의해 무기 절연 졸(11x)의 수축이 규제되게 된다. 그 결과, 무기 절연 졸(11x)의 수축에 기인하는 크랙의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 가령 크랙이 생겨도 입경이 큰 제 2 무기 절연 입자(13b)에 의해 상기 크랙의 신장을 저지할 수 있다.
또한, 복수의 제 1 무기 절연 입자(13a)는 입경이 큰 제 4 무기 절연 입자(13d)와 입경이 작은 제 3 무기 절연 입자(13c)를 함유하고 있기 때문에 제 2 무기 절연 입자(13b)의 간극에 있어서의 무기 절연 졸(11x)의 수축은 제 4 무기 절연 입자(13d)에 의해서도 규제되게 되어 제 2 무기 절연 입자(13b)의 간극에 있어서의 크랙의 발생이 더욱 저감된다.
무기 절연 졸(11x)의 건조는 예를 들면 가열 및 풍건에 의해 행하여진다. 건조 온도가 예를 들면 20℃ 이상 용제의 비점(2종류 이상의 용제를 혼합하고 있을 경우에는 가장 비점이 낮은 용제의 비점) 미만으로 설정되고, 건조 시간이 예를 들면 20초 이상 30분 이하로 설정된다. 그 결과, 용제의 비등이 저감되어 비등시에 생기는 기포의 압력에 의해 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b)가 압출되는 것이 억제되어 상기 입자의 분포를 보다 균일하게 할 수 있게 된다.
(4) 잔존한 무기 절연 졸(11x)의 고형분을 가열하여 무기 절연 졸(11x)로부터 제 1 무기 절연층(11a)을 형성한다. 그 결과, 도 4B 및 도 4C에 나타내는 바와 같은 금속박(14x)과 제 1 무기 절연층(11a)을 갖는 적층 시트(16)가 얻어진다.
여기에서, 본 실시형태의 무기 절연 졸(11x)은 입경이 110㎚ 이하로 설정된 제 1 무기 절연 입자(13a)를 갖고 있다. 그 결과, 무기 절연 졸(11x)의 가열 온도가 비교적 저온, 예를 들면 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 결정화 개시 온도 미만으로 저온이어도 제 1 무기 절연 입자(13a)끼리를 강고하게 결합시킬 수 있다. 또한, 제 1 무기 절연 입자(13a)로서 산화규소에 의해 형성된 것을 사용할 경우 제 1 무기 절연 입자(13a)끼리를 강고하게 결합시킬 수 있는 온도는 예를 들면 제 1 무기 절연 입자(13a)의 입경을 110㎚ 이하로 설정한 경우는 250℃ 정도이고, 상기 입경을 15㎚ 이하로 설정한 경우는 150℃ 정도이다. 또한, 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b)가 산화규소로 이루어질 경우 그 결정화 개시 온도는 1300℃ 정도이다.
무기 절연 졸(11x)의 가열 온도는 잔존한 용제를 증발시키기 위하여 용제의 비점 이상에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 가열 온도는 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 결정화 개시 온도 미만으로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 결정화를 저감하여 비정질 상태의 비율을 높일 수 있다. 그 결과, 결정화한 제 1 무기 절연층(11a)이 상전이에 의해 수축하는 것을 저감하여 제 1 무기 절연층(11a)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 무기 절연 졸(11x)의 가열은 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자(13a, 13b)가 산화규소로 이루어질 경우 온도가 예를 들면 100도 이상 600도 미만으로 설정되고, 시간이 예를 들면 0.5시간 이상 24시간 이하로 설정되어 있으며, 예를 들면 대기 분위기 중에서 행하여진다. 또한, 가열 온도를 150℃ 이상으로 할 경우 금속박(14x)의 산화를 억제하기 위하여 무기 절연 졸(11x)의 가열은 진공, 아르곤 등의 불활성 분위기 또는 질소 분위기에서 행하여지는 것이 바람직하다.
(5) 도 5A에 나타내는 바와 같은 제 1 수지 전구체 시트(10ax)를 준비하고, 제 1 수지 전구체 시트(10ax)의 상하면에 적층 시트(16)를 적층한다.
제 1 수지 전구체 시트(10ax)는 예를 들면 미경화의 열경화성 수지와 기재를 함유하는 복수의 수지 시트를 적층함으로써 제작할 수 있다. 또한, 미경화는 ISO 472 : 1999에 준하는 A-스테이지 또는 B-스테이지의 상태이다.
적층 시트(16)는 금속박(14x)과 제 1 수지 전구체 시트(10ax) 사이에 제 1 무기 절연층(11a)이 개재되도록 적층된다.
(6) 이어서, 상기 적층체를 상하 방향으로 가열 가압함으로써 도 5B에 나타내는 바와 같이 제 1 수지 전구체 시트(10ax)를 경화시켜서 제 1 수지층(10a)을 형성한다.
상기 적층체의 가열 온도는 제 1 수지 전구체 시트(10ax)의 경화 개시 온도 이상 열분해 온도 미만으로 설정되어 있다. 구체적으로는 제 1 수지 전구체 시트가 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드트리아진 수지 또는 폴리페닐렌에테르 수지로 이루어질 경우 상기 가열 온도가 예를 들면 170℃ 이상 230℃ 이하로 설정된다. 또한 상기 적층체의 압력은 예를 들면 2㎫ 이상 3㎫ 이하로 설정되고, 가열 시간 및 가압 시간은 예를 들면 0.5시간 이상 2시간 이하로 설정되어 있다. 또한, 경화 개시 온도는 수지가 ISO 472 : 1999에 준하는 C-스테이지의 상태가 되는 온도이다. 또한, 열분해 온도는 ISO 11358 : 1997에 준하는 열중량 측정에 있어서 수지의 질량이 5% 감소하는 온도이다.
(7) 도 5C에 나타내는 바와 같이 기체(7)를 두께 방향으로 관통하는 스루홀 도체(8) 및 스루홀 도체(8)의 내부에 절연체(9)를 형성하고, 그런 후에 기체(7) 상에 스루홀 도체(8)에 접속되는 도전층(14)을 형성한다.
스루홀 도체(8) 및 절연체(9)는 이하와 같이 형성된다. 우선, 예를 들면 드릴 가공이나 레이저 가공 등에 의해 기체(7) 및 금속박(14x)을 두께 방향으로 관통한 스루홀을 복수 형성한다. 이어서, 예를 들면 무전해 도금, 증착법, CVD법 또는 스퍼터링법 등에 의해 스루홀의 내벽에 도전 재료를 피착시킴으로써 원통 형상의 스루홀 도체(8)를 형성한다. 이어서, 원통 형상의 스루홀 도체(8)의 내부에 수지 재료 등을 충전함으로써 절연체(9)를 형성한다.
또한 도전층(14)은 금속박(14x)에 형성된 스루홀 내로부터 노출되는 절연체(9) 및 스루홀 도체(8) 상에 예를 들면 무전해 도금법, 증착법, CVD법 또는 스퍼터링법 등에 의해 금속박(14x)과 같은 금속 재료로 이루어지는 금속층을 피착시킨다. 이어서 포토리소그래피 기술, 에칭 등을 이용하여 금속박(14x) 및/또는 금속층을 패터닝함으로써 도전층(14)을 형성한다. 또한, 금속박(14x)을 일단 박리시킨 후에 금속층을 기체(7) 상에 형성하고, 상기 금속층을 패터닝해서 도전층(14)을 형성해도 된다.
이상과 같이 하여 코어 기판(5)을 제작할 수 있다.
(배선층(6)의 빌드업 공정)
(8) 제 2 수지 전구체 시트(10bx)와 제 2 무기 절연층(11b) 및 금속박(14x)을 갖는 적층 시트(16)를 새롭게 준비한 후 도 6A에 나타내는 바와 같이 제 2 수지 전구체 시트(10bx) 상에 적층 시트(16)를 적층한다.
제 2 수지 전구체 시트(10bx)는 제 2 수지층(10b)을 구성하는 상술한 미경화의 열경화성 수지에 의해 형성된다.
또한 적층 시트(16)는 제 2 수지 전구체 시트(10bx)와 금속박(14x) 사이에 제 2 무기 절연층(11b)이 개재되도록 제 2 수지 전구체 시트(10bx) 상에 적재한다.
(9) 이어서, 코어 기판(5)의 상하면 각각에 제 2 수지 전구체 시트(10bx)를 개재하여 적층 시트(16)를 적층한다.
(10) 코어 기판(5)과 적층 시트(16)의 적층체를 상하 방향으로 가열 가압함으로써 도 6B에 나타내는 바와 같이 제 2 수지 전구체 시트(10bx)의 열경화성 수지를 경화시켜서 제 2 수지 전구체 시트(10bx)를 제 2 수지층(10b)으로 한다.
또한, 상기 적층체의 가열 가압은 예를 들면 (6)공정과 마찬가지로 행할 수 있다.
(11) 도 6C에 나타내는 바와 같이 예를 들면 황산 및 과산화수소수의 혼합 액, 염화제2철 용액 또는 염화제2구리 용액 등을 사용한 에칭법에 의해 제 2 무기 절연층(11b)으로부터 금속박(14x)을 박리한다.
(12) 도 7A에 나타내는 바와 같이 제 2 수지층(10b) 및 제 2 무기 절연층(11b)을 두께 방향으로 관통하는 바이어 도체(15)를 형성함과 아울러 제 2 무기 절연층(11b) 상에 도전층(14)을 형성한다.
바이어 도체(15) 및 도전층(14)은 구체적으로 다음과 같이 형성된다. 우선, 예를 들면 YAG 레이저 장치 또는 탄산가스 레이저 장치에 의해 제 2 수지층(10b) 및 제 2 무기 절연층(11b)을 관통하는 바이어 홀을 형성한다. 이어서, 예를 들면 세미애디티브법, 서브트랙티브법 또는 풀애디티브법 등에 의해 바이어 홀에 바이어 도체(15)를 형성함과 아울러 제 2 무기 절연층(11b) 상에 도전 재료를 피착시켜서 도전층(14)을 형성한다. 또한, 이 도전층(14)은 공정(11)에 있어서 금속박(13)을 박리하지 않고, 상기 금속박(13)을 패터닝함으로써 형성해도 된다.
(13) 도 7B에 나타내는 바와 같이 공정(8) 내지 공정(12)을 반복함으로써 코어 기판(5)의 상하에 배선층(6)을 형성한다. 또한, 본 공정을 반복함으로써 배선층(6)을 보다 다층화할 수 있다.
이상과 같이 하여 배선 기판(3)을 제작할 수 있다. 또한, 얻어진 배선 기판(3)에 대하여 범프(4)를 통하여 전자 부품(2)을 플립 실장함으로써 도 1에 나타낸 실장 구조체(1)를 제작할 수 있다.
또한, 전자 부품(2)은 와이어 본딩에 의해 배선 기판(3)과 전기적으로 접속해도 되고, 또는 배선 기판(3)에 내장시켜도 된다.
(제 2 실시형태)
이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 배선 기판을 도면에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한, 상술한 제 1 실시형태와 마찬가지의 구성에 관해서는 기재를 생략하는 경우가 있다.
제 2 실시형태는 제 1 실시형태와 달리 제 1 무기 절연층(11a)은 도 8A, 도 8B 및 도 9B에 나타내는 바와 같이 그 한 주면측[제 1 수지층(10a)측]에 위치하는 제 1 무기 절연부(17a)와 다른 주면측[도전층(14)측]에 위치하는 제 2 무기 절연부(17b)를 갖고, 상기 제 2 무기 절연부(17b)는 제 1 무기 절연부(17a)보다 제 2 무기 절연 입자(13b)를 다량으로 함유한다. 그 결과, 응력이 배선 기판(3)에 인가된 경우 제 1 무기 절연층(11a)의 제 2 무기 절연부(17b)에서 제 2 무기 절연 입자(13b)가 크랙의 성장을 억제하고, 이러한 크랙을 기점으로 한 도전층(14)의 단선을 저감할 수 있어 전기적 신뢰성이 우수한 배선 기판(3)을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 제 1 무기 절연부(17a)는 제 2 무기 절연 입자(13b)를 갖지 않고, 제 2 무기 절연부(17b)가 제 2 무기 절연 입자(13b)를 갖는다. 이 경우, 제 1 무기 절연부(17a)와 제 2 무기 절연부(17b)의 경계(B)는 두께 방향에 있어서 가장 무기 절연층(11)의 한 주면측에 위치하는 제 2 무기 절연 입자(13b)의 표면에 의해 구성된다.
이 제 1 무기 절연부(17a)는 두께가 예를 들면 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 10% 이상 65% 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 무기 절연부(17b)는 두께가 예를 들면 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 35% 이상 90% 이하로 설정되어 있고, 제 2 무기 절연 입자를 예를 들면 55체적% 이상 75체적% 이하 함유한다. 또한, 제 1 무기 절연부(17a) 및 제 2 무기 절연부(17b)의 두께는 두께 방향으로의 절단면의 전계방출형 전자현미경 사진에 있어서 두께의 평균치를 산출함으로써 측정된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 제 2 무기 절연부(17b)는 제 1 무기 절연부(17a)를 향해서 돌출된 복수의 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유하는 제 1 돌출부(18a)를 갖는다. 또한, 제 1 돌출부(18a)는 돌출 방향으로의 길이가 예를 들면 2.5㎛ 이상 10㎛ 이하로 설정되어 있고, 폭 방향으로의 길이가 예를 들면 5㎛ 이상 30㎛ 이하로 설정되어 있다.
또한, 제 1 무기 절연층(11a)은 도 8B에 나타내는 바와 같이 한 주면측에만 개구를 갖는 두께 방향을 따른 홈부(G)를 갖고, 상기 홈부(G)에는 제 1 수지층(10a)의 일부[제 1 충전부(19a)]가 충전되어 있다. 그 결과, 배선 기판(3)에 응력이 인가된 때에 영률이 낮은 제 1 충전부(19a)가 홈부(G) 내에서 제 1 무기 절연층(11a)에 인가되는 응력을 완화하기 때문에 제 1 무기 절연층(11a)의 크랙을 저감할 수 있다.
또한, 홈부(G)가 제 1 무기 절연층(11a)의 한 주면측에만 개구를 갖고, 도전층(14)은 홈부(G)의 개구가 없는 제 1 무기 절연층(11a)의 다른 주면측에 형성되어 있기 때문에 제 1 충전부(19a)의 박리에 기인한 도전층(14)의 단선을 저감할 수 있다.
또한, 홈부(G)에 배치된 제 1 충전부(19a)의 열팽창률이 무기 절연 재료보다 높기 때문에 제 1 무기 절연층(11a)의 다른 주면측에 있어서는 열팽창률을 낮게 하여 도전층(14)의 열팽창률에 근접하게 하면서 제 1 무기 절연층(11a)의 한 주면측에 있어서는 열팽창률을 높게 해서 제 1 수지층(10a)의 열팽창률에 근접하게 할 수 있다.
또한, 제 1 수지층(10a)은 제 1 무기 절연층(11a)의 한 주면에 접촉하고, 또한 제 1 충전부가 홈부(G) 내에 배치되어 있다. 그 결과, 앵커 효과에 의해 제 1 수지층(10a)과 제 1 무기 절연층(11a)의 접착 강도를 높여 제 1 수지층(10a)과 제 1 무기 절연층(11a)의 박리를 저감할 수 있다.
이 홈부(G)의 저부는 제 2 무기 절연 입자(13b)에 접촉하고 있는 것이 바람직하고, 특히 제 2 무기 절연부와 제 1 무기 절연부의 경계(B)를 구성하는 제 2 무기 절연 입자(13b)에 접촉하고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 홈부(G)의 저부와 제 2 무기 절연 입자(13b) 사이에 간격이 있는 경우와 비교하여 제 1 충전부(19a)의 박리에 기인한 크랙이 제 1 무기 절연층(11a) 내로 신장하기 어렵다. 또한, 이 경우 홈부(G) 내의 제 1 충전부(19a)가 제 2 무기 절연 입자(13b)에 밀착하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 홈부(G)는 도 9A에 나타내는 바와 같이 평면에서 볼 때에 다른 복수 방향으로 신장하도록 형성되어 있고, 길이 방향으로 직교하는 폭이 예를 들면 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있다. 홈부(G)의 폭을 0.3㎛ 이상으로 함으로써 홈부(G) 내에 제 1 충전부(19a)를 용이하게 배치할 수 있다. 또한, 홈부(G)의 폭을 5㎛ 이하로 함으로써 제 1 무기 절연층(11a)과 제 1 충전부(19a)의 합계에 대한 제 1 무기 절연층(11a)의 비율을 높일 수 있고, 제 1 무기 절연층(11a)의 강성을 높여 열팽창률 및 유전 탄젠트를 저감할 수 있다.
또한, 홈부(G)의 폭은 제 1 무기 절연층의 한 주면측으로부터 제 2 무기 절연부(17b)를 향해 작아지게 되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 무기 절연부(17b)를 향하여 제 1 충전부(19a)의 양이 감소되고, 제 1 무기 절연부(17a)와 제 2 무기 절연부(17b)의 경계(B) 부근에 있어서는 제 1 무기 절연부(17a)의 열팽창률을 낮게 하여 제 2 무기 절연부(17b)의 열팽창률에 근접하게 하면서 제 1 무기 절연층(11a)의 한 주면측에 있어서는 제 1 무기 절연부(17a)의 열팽창률을 높게 해서 제 1 수지층(10a)의 열팽창률에 근접하게 할 수 있다. 또한, 홈부(G)의 저부의 폭은 홈부(G)의 개구부의 0.5배 이상 0.97배 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 제 2 무기 절연층(11b)은 도 9B에 나타내는 바와 같이 상술한 제 1 수지층(10a) 상에 배치된 제 1 무기 절연층(11a)과 마찬가지로 제 2 무기 절연층(11b)의 한 주면측에만 개구를 갖는 두께 방향을 따른 홈부(G)를 갖고, 상기 홈부(G)에는 제 2 수지층(10b)의 일부인 제 2 충전부(19b)가 배치되어 있다. 이 제 2 충전부(19b)는 상술한 제 1 충전부(19a)와 마찬가지의 구성을 갖는 것이 바람직하다.
상술한 본 실시형태의 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 이하와 같이 해서 형성할 수 있다.
(1A) 도 10A 내지 도 10C에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (3)공정 전에 무기 절연 졸(11x)의 제 2 무기 절연 입자(13b)를 중력 및/또는 원심력에 의해 제 1 무기 절연층(11a)의 금속박(14x)측에 침강시켜서 제 2 무기 절연 입자(13b)를 제 1 무기 절연층(11a)의 금속박(14x)측에 다량으로 함유시킨다.
이 침강은 예를 들면 무기 절연 졸(11x)을 밀폐 용기 내에 배치하고, 무기 절연 졸(11x)이 건조되기 어려운 상태를 유지함으로써 무기 절연 졸(11x)의 점도를 장시간 낮게 유지함으로써 행하여진다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강 시간은 중력에 의해 침강시킬 경우 예를 들면 3분 이상 30분 이하로 설정된다. 또한, 원심력을 이용하여 침강시켰을 경우 상기 침강 시간을 보다 짧게 할 수 있다.
제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강시에 있어서의 밀폐 용기 내의 용제 증기의 밀도, 온도, 무기 절연 졸(11x)의 점도, 원심력 또는 침강 시간 등의 조건을 적절히 조정함으로써 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강량을 조정하고, 제 1 무기 절연부 및 제 2 무기 절연부의 두께를 제어할 수 있다. 특히, 침강 시간과 무기 절연 졸(11x)의 점도가 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강량에 영향을 주기 쉬워 침강 시간이 길수록 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강량이 증가하고, 무기 절연 졸(11x)의 점도가 낮을수록 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강량이 증가한다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)의 침강량을 증가시켰을 경우 제 1 무기 절연 입자(13a)도 금속박(14x)측으로 침강하기 때문에 금속박(14x)측에 있어서의 제 1 무기 절연 입자(13a)의 밀도를 높일 수 있다.
또한, 상술한 제 1 돌출부(18a)를 형성하기 위해서는 무기 절연 졸(11x)의 도포량을 불균일하게 함으로써 그 표면에 요철을 형성시키면 된다.
(2A) 도 11A에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (3)공정 과 마찬가지로 무기 절연 졸(11x)의 용제를 증발시킨다.
여기에서, (1A)공정에서 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층은 금속박(14x)측에 제 2 무기 절연 입자(13b)를 다량으로 함유시키고 있기 때문에 무기 절연 졸(11x)의 용제를 증발시킬 때에 제 1 무기 절연층(11a)의 일평면 방향의 수축량이 다른 주면측보다 한 주면측에서 커진다. 그 결과, 제 1 무기 절연층(11a)의 한 주면측의 영역에서 두께 방향을 따른 홈부(G)를 형성할 수 있다. 이러한 홈부(G)는 그 폭이 홈(G)의 개구부로부터 저부를 향해서 좁아지기 쉽다. 또한, 홈부(G)가 다른 주면측을 향해서 더 신장해도 이 홈부(G)가 제 2 무기 절연 입자(13b)에 도달하면 상기 제 2 무기 절연 입자(13b)에 의해 신장이 억제된다. 그 결과, 홈부(G)의 저면은 제 2 무기 절연 입자(13b)에 접촉한다.
(3A) 도 11B에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (6)공정과 마찬가지로 제 1 수지 전구체 시트와 적층 시트의 적층체를 가열 가압할 때에 제 1 수지 전구체 시트의 일부를 홈부(G)에 충전한다. 또한 마찬가지로 제 1 실시형태에 있어서의 (10)공정과 마찬가지로 제 2 수지 전구체 시트와 적층 시트의 적층체를 가열 가압할 때에 제 2 수지층(10b)의 일부를 홈부(G)에 충전한다.
이상과 같이 하여 본 실시형태의 배선 기판(3)을 형성할 수 있다.
(제 3 실시형태)
이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 배선 기판을 포함하는 실장 구조체를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한, 상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 구성에 관해서는 기재를 생략한다.
제 3 실시형태는 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 달리 배선 기판(3)은 도 12A, 도 12B 및 도 13B에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)과 도전층(14) 사이에 개재된 제 3 수지층(10c)을 구비하고 있다.
이 제 3 수지층(10c)은 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)과 도전층(14) 간의 열응력을 완화하는 기능, 및 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)의 크랙에 기인한 도전층(14)의 단선을 저감하는 기능을 갖는 것이고, 한 주면이 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)과 접촉하고 있고, 타주면이 도전층(14)과 접촉하고 있으며, 예를 들면 수지부와 상기 수지부에 피복된 필러를 포함한다.
또한, 제 3 수지층(10c)은 두께가 예를 들면 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되고, 영률이 예를 들면 0.05㎬ 이상 5㎬ 이하로 설정되며, 두께 방향 및 평면 방향으로의 열팽창률이 예를 들면 20ppm/℃ 이상 100ppm/℃ 이하로 설정되고, 유전 탄젠트가 예를 들면 0.005 이상 0.02 이하로 설정되어 있다.
이 제 3 수지층(10c)은 본 실시형태와 같이 제 1 수지층(10a), 제 2 수지층(10b) 및 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)과 비교하여 두께가 얇게 설정되고, 또한 영률이 낮게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 얇아 탄성 변형하기 쉬운 제 3 수지층(10c)에 의해 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)과 도전층(14)의 열팽창량의 차이에 기인한 열응력이 완화된다. 따라서, 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)으로부터 도전층(14)이 박리되는 것이 억제되어 도전층(14)의 단선을 저감할 수 있고, 나아가서는 전기적 신뢰성이 우수한 배선 기판(3)을 얻을 수 있게 된다.
제 3 수지층(10c)에 포함되는 수지부는 제 3 수지층(10c)의 주요부를 이루는 것이고, 예를 들면 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 시아네이트 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 수지 재료로 이루어진다.
제 3 수지층(10c)에 함유되는 제 3 필러는 제 3 수지층(10c)의 난연성을 높이는 기능이나 후술하는 취급시에 적층 시트끼리가 접착되어 버리는 것을 억제하는 기능을 갖고, 예를 들면 산화규소 등의 무기 절연 재료에 의해 형성할 수 있다. 이 제 3 필러는 입경이 예를 들면 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하로 설정되어 있고, 제 3 수지층(10c)에 있어서의 함유량이 예를 들면 0체적% 이상 10체적% 이하로 설정되어 있다.
한편, 제 3 실시형태는 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 달리 제 1 수지층(10a) 상에 배치된 제 1 무기 절연층(11a)은 도 12B 및 도 13A에 나타내는 바와 같이 두께 방향을 따른 절단한 단면에 있어서 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)에 둘러싸인 복수의 공극(V)을 갖고, 상기 공극(V)에는 제 1 수지층(10a)의 일부가 충전되어 있다[제 3 충전부(19c)]. 그 결과, 배선 기판(3)에 응력이 인가되어 제 1 무기 절연층(11a)에 크랙이 생겼다고 하여도 상기 크랙의 신장을 제 3 충전부(19c)에 의해 저지하거나, 우회시키거나 할 수 있다. 따라서, 상기 크랙에 기인한 도전층(14)의 단선을 저감할 수 있고, 전기적 신뢰성이 우수한 배선 기판(3)을 얻을 수 있다.
또한, 제 3 충전부(19c)는 무기 절연 재료와 비교하여 영률이 낮은 수지 재료를 제 1 무기 절연층(11a)보다 다량으로 함유하기 때문에 배선 기판(3)에 응력이 인가된 경우 제 1 무기 절연층(11a) 내의 공극에 배치된 제 3 충전부(19c)에 의해 제 1 무기 절연층(11a)에 인가되는 응력을 완화할 수 있고, 상기 응력에 기인한 제 1 무기 절연층(11a)에 있어서의 크랙의 발생을 저감할 수 있다. 이 공극(V)은 상기단면에 있어서의 제 1 무기 절연층(11a)의 두께 방향 높이가 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하고, 상기 단면에 있어서의 제 1 무기 절연층(11a)의 평면 방향 폭이 0.3㎛ 이상 5㎛ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 공극(V)은 두께 방향을 따른 절단한 단면에 있어서는 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)에 둘러싸여 있지만, 3차원 형상에 있어서는 일부가 단면에 대한 직교 방향(Y 방향)을 따라 신장함과 아울러 다른 일부가 제 1 무기 절연층(11a)의 두께 방향(Z 방향)을 따라 신장함으로써 제 1 무기 절연층(11a)의 제 1 수지층(10a)에 접하는 한 주면에 형성된 개구(O)에 접속되어서 개기공으로 되어 있다. 그 때문에, 제 1 수지층(10a)의 일부는 개구(O)를 통하여 공극(V)에 충전되어 있다. 이 개구(O)는 평면 방향을 따른 폭이 1㎛ 이상 20㎛ 이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 개구(O)에 제 1 수지층(10a)의 일부를 충전하도록 했지만 제 1 수지층(10a) 대신에 제 3 수지층(10c)의 일부를 충전하도록 해도 상관없고, 제 1 수지층(10a) 및 제 3 수지층(10c)의 쌍방의 일부를 충전하도록 해도 상관없다. 후자의 경우, 제 3 수지층(10c)보다 제 1 수지층(10a) 쪽이 다량으로 개구(O)에 충전되는 것이 바람직하다.
또한, 제 3 충전부(19c)는 공극(V)에 완전히 충전되어 있을 필요는 없고, 공극(V)에 제 1 수지층의 일부가 배치되어 있으면 된다.
본 실시형태에 있어서, 제 1 무기 절연 입자(13a)는 제 1 무기 절연층(11a)에 20체적% 이상 40체적% 이하 함유되고, 제 2 무기 절연 입자(13b)는 제 1 무기 절연층(11a)에 예를 들면 60체적% 이상 80체적% 이하 함유된다. 제 1 무기 절연 입자(13a)의 상한치 및 제 2 무기 절연 입자(13b)의 하한치가 제 1 실시형태와 다른 이유는 제 2 무기 절연 입자(13b)가 어느 정도 많을수록 복수의 제 2 무기 절연 입자(13b) 사이의 영역에 공극(V)을 용이하게 형성할 수 있기 때문이다.
제 1 무기 절연층(11a)은 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)가 서로 접착함으로써 3차원 망목 형상 구조를 갖는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 3 충전부(19c)에 의한 무기 절연층(11)의 크랙 저감 효과를 높일 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연층(11a)은 제 2 무기 절연 입자(13b)와 제 3 충전부(19c) 사이에 제 1 무기 절연 입자(13a)가 개재되어 있는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 2 무기 절연 입자(13b)의 표면과 제 3 충전부(19c)가 직접 접촉하고 있는 경우와 비교하여 제 1 무기 절연 입자(13a)에 의해 제 1 무기 절연층(11a) 표면의 제 3 충전부(19c)에 대한 흡습성을 높일 수 있고, 공극(V) 내에 제 3 충전부(19c)를 효율적으로 충전할 수 있다.
또한, 제 1 무기 절연층(11a)은 본 실시형태와 같이 공극(V)의 내벽으로부터 제 3 충전부(19c)를 향하여 돌출된 1개의 제 2 무기 절연 입자(13b) 중 적어도 일부를 포함하는 제 2 돌출부(18b)를 갖는 것이 바람직하다. 이 경우, 공극(V)의 내벽 표면에 큰 요철을 형성하고, 앵커 효과에 의해 제 1 무기 절연층(11a)과 제 3 충전부(19c)의 접착 강도를 높여 제 1 무기 절연층(11a)과 제 3 충전부(19c)의 박리를 저감할 수 있다. 이 제 2 돌출부(18b)는 돌출 방향으로의 길이가 예를 들면 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하로 설정되고, 폭이 예를 들면 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하로 설정되어 있다. 또한, 제 2 돌출부(18b)는 복수의 제 2 무기 절연 입자(13b)가 함유되어 있어도 상관없다.
또한, 제 2 돌출부(18b)는 본 실시형태와 같이 1쌍의 광폭부(20a)와 그 사이에 형성되는 협폭부(20b)를 갖고, 협폭부(20b) 및 광폭부(20a)의 측면에 오목부(D)를 구성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 오목부(D)의 앵커 효과에 의해 제 1 무기 절연층(11a)과 제 3 충전부(19c)의 접착 강도를 높일 수 있다. 이 오목부(D)는, 예를 들면 도 12B에 나타내는 바와 같이 입경이 큰 1쌍의 제 2 무기 절연 입자(13b) 사이에 입경이 작은 제 1 무기 절연 입자(13a)가 개재되도록 제 1 무기 절연 입자(11b)와 제 2 무기 절연 입자를 결합시킴으로써 형성된다.
또한, 제 1 무기 절연층(11a)은 제 1 수지층(10a)을 향해서 돌출된 1개의 제 2 무기 절연 입자(13b) 중 적어도 일부를 포함하는 제 3 돌출부(18c)를 갖는 것이 바람직하다. 그 결과, 제 3 돌출부(18c)의 앵커 효과에 의해 제 1 수지층(10a)과 제 1 무기 절연층(11a)의 접착 강도를 높이고, 제 1 수지층(10a)과 제 1 무기 절연층(11a)의 박리를 저감할 수 있다.
또한, 공극(V)은 도 13A에 나타내는 바와 같이 평면 방향을 따라 절단한 단면에 있어서 가늘고 긴 형상이고, 또한 제 3 충전부(19c)도 마찬가지로 가늘고 긴 형상인 것이 바람직하다. 이 경우, 배선 기판(3)에 열이 인가되어서 휘어짐이 생겨도 제 3 충전부(19c)가 평면 방향을 따라 신장되도록 변형됨으로써 제 1 무기 절연층(11a)에 인가되는 인장 응력을 저감할 수 있고, 나아가서는 제 1 무기 절연층(11a)의 크랙을 저감할 수 있다.
이 공극(V)은 도 13B에 나타내는 바와 같이 평면 방향으로의 단면에서 볼 때에 굴곡부(V1)를 갖는 것이 바람직하다. 그 결과, 배선 기판(3)에 열이 인가되어서 휘어짐이 생겼을 경우 굴곡부(V1)의 스프링 효과에 의해 제 3 충전부(19c)가 평면 방향을 따라서 신장하도록 변형되기 쉬워져 제 1 무기 절연층(11a)에 인가되는 인장 응력을 보다 효과적으로 저감할 수 있다.
또한, 제 3 충전부(19c)는 무기 절연 재료에 의해 형성된 제 3 필러 입자로 이루어지는 제 3 필러를 갖고 있고, 상기 제 3 필러는 제 1 수지층(10a)에 함유되는 제 1 필러(12)보다 함유량이 적은 것이 바람직하다. 그 결과, 제 3 충전부(19c)에 있어서의 수지 재료의 함유량을 높이고, 제 3 충전부(19c)에 의한 제 1 무기 절연층(11a)의 크랙 저감 효과를 높일 수 있다. 이 제 3 충전부(19c)에 있어서의 제 3 필러(12)의 함유량은 예를 들면 0체적% 이상 10체적% 이하로 설정되어 있고, 제 1 수지층(10a)에 있어서의 제 1 필러(12)의 함유량의 예를 들면 0% 이상 30% 이하로 설정되어 있다.
또한, 제 2 수지층(10b) 상에 배치된 제 2 무기 절연층(11b)에 대해서도 도 13B에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연층(11a)과 마찬가지의 구조를 갖고 있다. 또한, 제 2 무기 절연층(11b)에 있어서 공극(V)에는 제 2 수지층(10b)의 일부가 충전되어 있다[제 4 충전부(19d)].
상술한 본 실시형태의 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)은 이하와 같이 해서 형성할 수 있다.
(1B) 도 14A에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (2)공정에 의해 제 3 수지층(10c)과 금속박(14x)을 갖는 수지 형성 금속박을 준비하고, 도 14B, 도 14C에 나타내는 바와 같이 제 3 수지층(10c)의 한 주면에 무기 절연 졸(11x)을 도포한다.
여기에서, 무기 절연 졸(11x)의 고형분으로서는 제 1 무기 절연 입자(13a)를 20체적% 이상 40체적% 이하 함유하고, 제 2 무기 절연 입자(13b)를 60체적% 이상 80체적% 이하 함유하는 것을 사용한다.
수지 형성 금속박은 금속박(14x)에 바 코터, 다이 코터, 커튼 코터 등을 이용하여 수지 바니시를 도포하고, 건조함으로써 형성할 수 있다. 본 공정에서 형성된 제 3 수지층(10c)은 예를 들면 B 스테이지 또는 C 스테이지이다.
(2B) 도 15A에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (3)공정에 의해 무기 절연 졸(11x)의 용제를 증발시킨다.
여기에서, 무기 절연 졸(11x)은 입경이 0.5㎛ 이상인 제 2 무기 절연 입자(13b)를 60체적% 이상 함유시키면 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리가 서로 접근하고, 이 제 2 무기 절연 입자(13b)에 둘러싸인 영역이 다수 형성된다. 이 상태에서 제 2 무기 절연 입자(13b) 사이의 간극에 충전된 용제를 증발시키면 상기 간극 내에서 제 1 무기 절연 입자(13a)의 수축이 일어나고, 공극(V)이 형성된다. 그 결과, 제 1 무기 절연 입자(13a) 및 제 2 무기 절연 입자(13b)로 둘러싸인 공극(V)을 형성할 수 있다.
또한, 입경이 0.5㎛ 이상인 제 2 무기 절연 입자(13b)를 60체적% 이상 함유시키면 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리가 근접하기 쉽다. 한편, 용제는 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 대향 영역에 잔류하기 쉽고, 상기 잔류한 용제 중에는 다량의 제 1 무기 절연 입자(13a)가 함유되어 있다. 그리고, 잔류한 용제를 증발시키면 용제의 증발에 따라 용제 중에 함유되어 있었던 제 1 무기 절연 입자(13a)가 제 2 무기 절연 입자의 대향 영역에서 응집한다. 그 결과, 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 사이에 제 1 무기 절연 입자(13a)를 개재시킬 수 있다. 제 1 무기 절연 입자(13a)를 양호하게 제 2 무기 절연 입자(13b)끼리의 사이에 개재시키기 위해서는 무기 절연 졸(11x)의 고형분은 제 1 무기 절연 입자(13a)를 20체적% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 제 2 무기 절연 입자(13b)를 함유하는 영역과 비교하여 제 1 무기 절연 입자(13a)를 함유하는 영역에서 용제가 다량으로 증발해서 크게 수축하기 때문에 제 3 돌출부(18c)가 형성된다.
또한, 제 1 무기 절연 입자(13a) 또는 제 2 무기 절연 입자(13b)의 입경 또는 함유량, 무기 절연 졸(11x)의 용제의 종류 또는 양, 건조 시간, 건조 온도, 건조시의 풍량 또는 풍속, 또는 건조 후의 가열 온도 또는 가열 시간을 적절히 조정함으로써 공극(V)을 원하는 형상으로 형성할 수 있다.
(3B) 제 1 실시형태에 있어서의 (4)공정에 있어서 무기 절연 졸(11x)의 가열 온도를 용제의 비점 이상 제 3 수지층(10c)의 열분해 개시 온도 미만으로 설정한다.
그 결과, 제 3 수지층(10c)의 특성 저하를 억제할 수 있다. 또한, 제 3 수지층(10c)이 에폭시 수지로 이루어질 경우 그 열분해 개시 온도는 280℃ 정도이다. 또한, 열분해 개시 온도는 ISO 11358 : 1997에 준하는 열중량 측정에 있어서 수지의 질량이 5% 감소하는 온도이다.
(4B) 도 15B에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태에 있어서의 (6)공정에 의해 가열 가압시에 제 1 수지층(10a)의 일부를 공극(V)에 충전한다. 또한 마찬가지로 제 1 실시형태에 있어서의 (10)공정에 의해 가열 가압시에 제 2 수지층(10b)의 일부를 공극(V)에 충전한다.
이상과 같이 하여 본 실시형태의 제 1 무기 절연층 및 제 2 무기 절연층(11a, 11b)을 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경, 개량, 조합 등이 가능하다.
상술한 실시형태에 있어서는 본 발명을 배선 기판에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 배선 기판에 한정하지 않고 상술한 제 1 무기 절연 입자와 제 2 무기 절연 입자를 포함한 무기 절연층을 갖는 모든 구조체에 적용할 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 휴대전화 등의 전자 기기의 하우징에도 적용할 수 있다. 이 경우, 무기 절연층은 하우징을 보호하는 내마모성 보호막으로서 사용된다. 또한, 본 발명은 자동차나 가옥에 사용되는 창에도 사용할 수 있다. 이 경우, 무기 절연층은 창 표면을 피복하는 투광성의 내마모성 피막으로서 사용할 수 있고, 그 결과 창 재료 표면의 흠집에 의해 투명성이 저감되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명은 다이 캐스팅에 사용하는 금형에도 적용할 수 있다. 이 경우, 무기 절연층은 금형 표면을 피복하는 내마모성 피막 또는 절연막으로서 사용할 수 있다. 또한, 특히 제 3 실시형태에 있어서의 무기 절연층은 수지 섬유 등으로 형성한 필터 표면을 피복하는 필터용 다공체로서 사용할 수 있다. 이 경우, 제 3 실시형태에 있어서의 무기 절연층은 가솔린 엔진의 촉매 담체나 디젤 엔진용 분진 제거 필터에 사용할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 본 발명에 의한 배선 기판의 예로서 코어 기판 및 배선층으로 이루어지는 빌드업 다층 기판을 예시했지만, 본 발명에 의한 배선 기판의 예로서는 빌드업 다층 기판 이외에도 예를 들면 인터포저 기판, 코어리스 기판 또는 코어 기판만으로 이루어지는 단층 기판이나 세라믹 기판, 금속 기판, 금속판을 포함한 코어 기판도 포함된다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 무기 절연층에 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자를 포함하고 있었지만, 무기 절연층에는 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자가 포함되어 있으면 되고, 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자와는 입경이 다른 무기 절연 입자가 무기 절연층에 함유되어 있어도 상관없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 제 1 무기 절연 입자가 제 3 무기 절연 입자 및 제 4 무기 절연 입자를 포함하고 있었지만, 제 1 무기 절연 입자는 제 3 무기 절연 입자 또는 제 4 무기 절연 입자 중 어느 한쪽만을 함유하고 있어도 상관없다. 이 경우, 결합 강도의 관점에서 제 3 무기 절연 입자만을 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 제 1 수지층 및 제 2 수지층이 열경화성 수지에 의해 형성되어 있었지만, 제 1 수지층 및 제 2 수지층 중 적어도 일방, 또는 쌍방이 열가소성 수지에 의해 형성되어 있어도 상관없다. 이 열가소성 수지로서는 예를 들면 불소 수지, 방향족 액정 폴리에스테르 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리페닐렌에테르 수지 또는 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 코어 기판 및 배선층의 쌍방이 무기 절연층을 구비하고 있었지만, 배선 기판은 코어 기판 또는 배선층 중 적어도 어느 한쪽이 무기 절연층을 구비하고 있으면 된다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 공정(3)에 있어서의 용제의 증발과 공정(4)에 있어서의 용제의 가열을 따로 행하고 있었지만, 공정(3)과 공정(4)을 동시에 행해도 상관없다.
또한, 상술한 본 발명의 실시형태에 있어서는 (6)공정에서 미경화의 제 2 수지 전구체 시트를 제 2 무기 절연층 상에 적재했지만, 미경화이고 액상인 제 2 수지층 전구체를 제 2 무기 절연층에 도포해도 상관없다.
또한, 상술한 제 1 내지 제 3 실시형태의 코어 기판 및 배선층을 어떻게 조합해도 상관없다.
또한, 상술한 제 3 실시형태에 있어서의 제 3 수지층을 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태에 의한 배선 기판에 추가해도 상관없다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위의 변경, 실시형태는 모두 본 발명의 범위 내에 포함된다.
(평가 방법)
금속박과, 무기 절연 입자로 이루어지는 제 1 무기 절연층과, 제 1 수지층을 구비한 적층판을 제작하고, 상기 적층판을 두께 방향으로 절단해서 연마한 단면을 전계방출형 전자현미경(니혼덴시제 JSM-7000F)을 이용하여 촬영하고, 무기 절연층 내부에 있어서의 크랙의 유무를 관찰했다.
(적층판의 제작 조건)
우선, 제 1 무기 절연 입자를 포함하는 제 1 무기 절연 졸 및 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 제 2 무기 절연 졸을 준비했다.
제 1 무기 절연 졸로서는 닛산카가쿠코교가부시키가이샤제 「PGM-ST」, 「IPA-ST-ZL」, 및 「IPA-ST-L」중 어느 하나를 사용했다.
또한, 제 2 무기 절연 졸로서는 후소카가쿠코교가부시키가이샤제 「쿼트론 SP-1B」와, 우베닛토카세이가부시키가이샤제 「하이프레시카 FQ N2N」 중 어느 하나를 사용했다.
이어서, 제 1 무기 절연 졸 및 제 2 무기 절연 졸을 소정량으로 조합하고, 플라스틱 용기에 넣고, 플라스틱 볼을 이용하여 교반하여 균일하게 혼합했다.
이 방법으로 시료 1~22의 무기 절연 졸을 준비했다. 시료 1~22의 무기 절연 졸은 고형분으로서 표 1에 나타내는 입경 및 고형분비(고형분에 있어서의 체적%)의 제 1 무기 절연 입자 및 제 2 무기 절연 입자를 포함하고, 용제를 45~71중량% 함유한다.
이어서, 시료 1~22의 무기 절연 졸을 금속박 상 또는 수지 형성 금속박의 제3 수지층 상에 도포했다. 제 3 수지층은 에폭시 수지에 의해 형성했다.
이어서, 시료 16의 무기 절연 졸의 표면을 덮개로 덮어 20분간 방치하고, 제 2 무기 절연 입자를 침강시켰다.
이어서, 온도 : 150℃, 시간 : 2시간, 분위기 : 대기 조건 하에서 무기 절연 졸을 가열함과 아울러 용제를 증발시켜서 적층 시트를 제작했다.
이어서, 미경화의 열경화성 수지를 함유하는 제 1 수지 전구체 시트의 상하면 각각에 적층 시트를 적층하고, 시간 : 1시간, 압력 : 3㎫, 온도 : 180℃의 조건 하에서 상기 적층체를 가열 가압함으로써 제 1 수지 전구체 시트를 제 1 수지층으로 하여 적층판을 제작했다.
Figure 112012025836393-pct00001
(실시예)
시료 1은 도 16A 및 도 16B에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연층(11a')이 형성되어 있고, 도 16B 및 도 17A에 나타내는 바와 같이 제 1 무기 절연 입자(13a')가 서로 결합하고 있는 형상이 관찰되었다.
시료 5, 시료 6은 도 17B 내지 도 18B에 나타내는 바와 같이 시료 1과 비교하여 제 1 무기 절연층(11a') 내부에 있어서의 두께 방향을 따른 크랙의 신장이 저감되어 있었다. 또한, 시료 2~4, 시료 7~10은 시료 5 및 시료 6과 마찬가지로 시료 1과 비교하여 제 1 무기 절연층(11a') 내부에 있어서의 두께 방향을 따른 크랙의 신장이 저감되어 있었다.
또한, 시료 5는 도 17B 내지 도 18B에 나타내는 바와 같이 시료 6과 비교하여 제 2 무기 절연 입자(13b') 사이에 있어서의 크랙의 신장이 저감되어 있었다.
시료 12는 도 19A 및 도 19B에 나타내는 바와 같이 시료 5, 시료 6과 비교하여 제 2 무기 절연 입자(13b') 사이에 있어서의 크랙의 신장이 저감되어 있었다. 또한 시료 11, 시료 13~15는 시료 12와 마찬가지로 시료 5, 시료 6과 비교하여 제 2 무기 절연 입자(13b') 사이에 있어서의 크랙의 신장이 저감되어 있었다.
한편, 시료 16은 도 20A 내지 도 21B에 나타내는 바와 같이 하면측[제 1 수지층(10a')측]보다 상면측[금속박(14x')측]에 제 2 무기 절연 입자(13b')를 다량으로 함유하고 있었다. 또한 시료 17은 하면측[제 1 수지층(10a')측]에만 개구를 갖고, 제 1 수지층(10a')의 일부가 충전된 홈부(G')가 형성되어 있었다.
시료 17은 도 22A에 나타내는 바와 같이 제 1 수지층(10a')의 일부가 배치되어 있지 않은 기포(V'')가 형성되어 있었지만, 제 1 수지층(10a')의 일부가 배치된 공극(V')은 형성되어 있지 않았다.
시료 18~22는 도 22B 내지 도 25B에 나타내는 바와 같이, 제 2 무기 절연 입자(13b')끼리가 제 1 무기 절연 입자(13a')를 통해서 접착됨과 아울러 두께 방향을 따른 단면에서 제 1 무기 절연 입자(13a') 및 제 2 무기 절연 입자(13b')에 둘러싸이고, 제 1 수지층(10a')의 일부가 배치된 공극(V')이 형성되어 있었다. 또한, 제 2 무기 절연 입자(13b')의 고형분비가 증가함에 따라서 제 1 수지층(10a')의 일부가 배치된 공극(V')이 증가함과 아울러 커지고, 형상이 복잡하게 되어 있다.
1 : 실장 구조체 2 : 전자 부품
3 : 배선 기판 4 : 범프
5 : 코어 기판 6 : 배선층
7 : 기체 8 : 스루홀 도체
9 : 절연체 10a : 제 1 수지층
10ax : 제 1 수지 전구체 시트 10b : 제 2 수지층
10bx : 제 2 수지 전구체 시트 11a : 제 1 무기 절연층
11b : 제 2 무기 절연층 11x : 무기 절연 졸
12 : 필러 13a : 제 1 무기 절연 입자
13b : 제 2 무기 절연 입자 13c : 제 3 무기 절연 입자
13d : 제 4 무기 절연 입자 14 : 도전층
14x : 금속박 15 : 바이어 도체
16 : 적층 시트 17a : 제 1 무기 절연부
17b : 제 2 무기 절연부 18a : 제 1 돌출부
18b : 제 2 돌출부 18c : 제 3 돌출부
19a : 제 1 충전부 19b : 제 2 충전부
19c : 제 3 충전부 19d : 제 4 충전부
20a : 광폭부 20b : 협폭부
G : 홈부 O : 개구
V : 공극 D : 오목부

Claims (18)

  1. 서로 결합된 복수의 제 1 무기 절연 입자와, 상기 제 1 무기 절연 입자보다 입경이 큰 복수의 제 2 무기 절연 입자를 갖는 무기 절연층을 구비하고, 상기 제 2 무기 절연 입자끼리는 상기 제 1 무기 절연 입자를 사이에 두고 서로 이간되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 무기 절연 입자의 입경은 3㎚ 이상 110㎚ 이하이고,
    상기 제 2 무기 절연 입자의 입경은 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 구조체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 2 무기 절연 입자는 비정질 상태인 것을 특징으로 하는 구조체.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 무기 절연 입자는 입경이 3㎚ 이상 15㎚ 이하로 설정된 제 3 무기 절연 입자와, 입경이 35㎚ 이상 110㎚ 이하로 설정된 제 4 무기 절연 입자를 더 갖고,
    상기 제 3 무기 절연 입자 및 제 4 무기 절연 입자는 상기 제 2 무기 절연 입자끼리의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 4 무기 절연 입자끼리는 상기 제 3 무기 절연 입자를 통하여 서로 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 무기 절연 입자 및 상기 제 4 무기 절연 입자는 상기 제 3 무기 절연 입자를 통하여 서로 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    도전층을 더 구비하고,
    상기 무기 절연층은 제 1 무기 절연부와 제 1 무기 절연부보다 상기 도전층에 근접하는 제 2 무기 절연부를 갖고, 상기 제 2 무기 절연부의 상기 제 2 무기 절연 입자의 함유량은 상기 제 1 무기 절연부의 상기 제 2 무기 절연 입자의 함유량보다 많은 것을 특징으로 하는 구조체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    도전층을 더 구비하고,
    상기 무기 절연층은 제 1 무기 절연부와 상기 제 1 무기 절연부보다 상기 도전층에 인접한 제 2 무기 절연부로 이루어지고, 상기 제 2 무기 절연부는 상기 제 2 무기 절연 입자를 갖고, 상기 제 1 무기 절연부는 상기 제 2 무기 절연 입자를 갖지 않는 것을 특징으로 하는 구조체.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 무기 절연부는 상기 제 1 무기 절연부를 향하여 돌출된 상기 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 제 1 돌출부를 갖는 것을 특징으로 하는 구조체.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 절연층의 한 주면 상에 형성된 수지층을 더 구비하고,
    상기 무기 절연층은 상기 한 주면에 개구를 갖는 홈부를 구비하고, 상기 홈부에는 상기 수지층의 일부가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 절연층 상에 수지층을 더 구비하고,
    상기 무기 절연층은 공극을 갖고, 상기 수지층은 그 일부가 상기 공극 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 무기 절연층은 상기 공극을 향해서 돌출된 상기 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 제 2 돌출부를 갖는 것을 특징으로 하는 구조체.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 절연층 상에 수지층을 더 구비하고,
    상기 무기 절연층은 상기 수지층을 향해서 돌출된 상기 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 제 3 돌출부를 갖는 것을 특징으로 하는 구조체.
  14. 복수의 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 1 무기 절연 입자보다 입경이 큰 복수의 제 2 무기 절연 입자를 포함하는 무기 절연 졸을 도포하는 공정; 및
    상기 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 2 무기 절연 입자를 상기 제 1 무기 절연 입자의 결정화 개시 온도 미만 및 상기 제 2 무기 절연 입자의 결정화 개시 온도 미만의 온도에서 가열하여 상기 제 1 무기 절연 입자를 서로 결합시킴과 아울러 상기 제 2 무기 절연 입자끼리를 상기 제 1 무기 절연 입자를 사이에 두고 서로 이간시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 구조체의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 무기 절연 입자 및 상기 제 2 무기 절연 입자의 합계 체적에 대하여 상기 제 1 무기 절연 입자가 차지하는 비율이 20체적% 이상 90체적% 이하인 것을 특징으로 하는 구조체.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 무기 절연 입자는 상기 제 1 무기 절연 입자와 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 무기 절연 입자는 상기 복수의 제 1 무기 절연 입자에 의해 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 구조체.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012133587A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 日立化成工業株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、樹脂シート硬化物、樹脂シート積層体、樹脂シート積層体硬化物及びその製造方法、半導体装置、並びにｌｅｄ装置
JP5783837B2 (ja) * 2011-07-29 2015-09-24 京セラ株式会社 金属箔付積層板および配線基板
JP2013030699A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Kyocera Corp 構造体および配線基板
US8780576B2 (en) 2011-09-14 2014-07-15 Invensas Corporation Low CTE interposer
JP5836777B2 (ja) * 2011-11-29 2015-12-24 京セラ株式会社 配線基板
US8628636B2 (en) * 2012-01-13 2014-01-14 Advance Materials Corporation Method of manufacturing a package substrate
JP5710066B2 (ja) * 2012-02-23 2015-04-30 京セラ株式会社 配線基板、これを用いた実装構造体および配線基板の製造方法
JP5933989B2 (ja) * 2012-02-28 2016-06-15 京セラ株式会社 部品内蔵基板
JP2014086651A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP6001412B2 (ja) * 2012-10-30 2016-10-05 京セラ株式会社 配線基板およびそれを用いた実装構造体
JP5988372B2 (ja) * 2012-11-21 2016-09-07 京セラ株式会社 配線基板およびその実装構造体
JP5961703B2 (ja) * 2012-11-28 2016-08-02 京セラ株式会社 配線基板およびその実装構造体
JP6001439B2 (ja) * 2012-12-21 2016-10-05 京セラ株式会社 配線基板および実装構造体
KR101739401B1 (ko) * 2013-03-27 2017-05-24 쿄세라 코포레이션 배선 기판 및 이것을 사용한 실장 구조체
JP6133689B2 (ja) * 2013-05-28 2017-05-24 京セラ株式会社 配線基板およびこれを用いた実装構造体
WO2015064668A1 (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 京セラ株式会社 配線基板、これを用いた実装構造体および積層シート
KR102505853B1 (ko) * 2016-07-06 2023-03-03 삼성전자 주식회사 반도체 패키지
US20190259696A1 (en) * 2016-08-04 2019-08-22 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Through electrode substrate and mounting substrate
KR20190012485A (ko) * 2017-07-27 2019-02-11 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
CN114914222A (zh) 2022-03-01 2022-08-16 珠海越亚半导体股份有限公司 用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725607A (ja) * 1993-07-09 1995-01-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状シリカ粉末及びエポキシ樹脂組成物
JPH09283932A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP2006285226A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Toray Ind Inc 感光性セラミックス組成物
JP2009004709A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Fujitsu Ltd 回路基板、その製造方法、電子装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2753743B2 (ja) * 1989-09-27 1998-05-20 イビデン株式会社 電子回路基板の製造方法
JP3106372B2 (ja) * 1991-06-27 2000-11-06 株式会社村田製作所 セラミックス回路基板
JPH0640783A (ja) * 1992-07-21 1994-02-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 絶縁基板及びその製造方法
JP3434029B2 (ja) * 1994-07-25 2003-08-04 電気化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH08172251A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 複合セラミックス高周波基板の製造法
JPH09283436A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Sony Corp 走査型露光装置
JP3236782B2 (ja) * 1996-08-28 2001-12-10 京セラ株式会社 セラミック基板及びその製造方法並びに分割回路基板
JP3924865B2 (ja) * 1997-09-19 2007-06-06 株式会社安川電機 エポキシ樹脂組成物
US6207259B1 (en) * 1998-11-02 2001-03-27 Kyocera Corporation Wiring board
JP3940617B2 (ja) * 2002-02-26 2007-07-04 京セラ株式会社 配線基板およびその製造方法
JP4760087B2 (ja) * 2005-03-29 2011-08-31 東レ株式会社 セラミックス基板の製造方法
WO2007029657A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板
JP4826319B2 (ja) * 2006-04-05 2011-11-30 株式会社村田製作所 多層回路基板およびその製造方法
US20080182115A1 (en) * 2006-12-07 2008-07-31 Briney Gary C Multi-functional circuitry substrates and compositions and methods relating thereto
CN101836511B (zh) * 2007-10-26 2013-04-03 纳幕尔杜邦公司 非对称的介电薄膜
JP4469391B2 (ja) * 2007-12-10 2010-05-26 日本碍子株式会社 低膨張、高強度、耐クラック伸展性を有する不定形耐火物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0725607A (ja) * 1993-07-09 1995-01-27 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状シリカ粉末及びエポキシ樹脂組成物
JPH09283932A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP2006285226A (ja) * 2005-03-10 2006-10-19 Toray Ind Inc 感光性セラミックス組成物
JP2009004709A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Fujitsu Ltd 回路基板、その製造方法、電子装置

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