JP2009004709A - 回路基板、その製造方法、電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板は、各々配線パターン43を担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグ43を有する複数のビルドアップ樹脂層41A〜41Eの積層よりなる樹脂積層体41を備え、さらに前記樹脂積層体の上面および下面には、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第1および第2のセラミック層47、48が、それぞれ形成されており、少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方は、凹凸断面を有する。
【選択図】図5
Description
少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方は、凹凸断面を有することを特徴とする回路基板を、提供する。
前記回路基板および前記半導体チップを、前記回路基板の外部接続端子部を除いて覆う絶縁性セラミック層と、前記絶縁性セラミック層を覆う導電性セラミック層と、
を有することを特徴とする半導体装置を提供する。
図5(A)〜(C)は、本発明の第1の実施形態による半導体装置40の構成を示す。ただし図5(A)は前記半導体装置40の一部切除平面図を、図5(B)は図5(A)の構造の縦断面図を、図5(C)は図5(A)の構造の横断面図の一部を示す。
[第2の実施形態]
図8(A)〜(C)は、本発明の第2の実施形態によるコアレス多層回路基板81を使った半導体装置80の構成を示す、それぞれ平面図、縦断面図および横断面図を示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第3の実施形態]
図9は、本発明の第3の実施形態による、セラミック層47の凹凸構造を示す。
[第4の実施形態]
図10は、本発明の第4の実施形態による半導体装置100の構成を示す。ただし図10中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[第5の実施形態]
図11は、本発明の第5の実施形態による半導体装置120の構成を示す。ただし図12中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
(付記1)
各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板であって、
前記樹脂積層体の上面および下面に形成された、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第1および第2のセラミック層を有し、
少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方は、凹凸断面を有することを特徴とする回路基板。
(付記2)
前記回路基板はコアレス回路基板であることを特徴とする付記1記載の回路基板。
(付記3)
前記樹脂積層体の上面には半導体チップの端子部とコンタクトする導体パターンが、前記第1のセラミック層により覆われて形成されており、前記導体パターンの一部は、前記樹脂積層体の上面において、前記導体パターンのうち前記半導体チップの端子部にコンタクトする部分よりも幅広のヒートスプレッダを形成することを特徴とする付記1または2記載の回路基板。
(付記4)
前記導体パターンは前記半導体チップの放熱端子部とコンタクトすることを特徴とする付記3記載の回路基板。
(付記5)
前記凹凸断面を有するセラミック層は、その凸部に多孔質部が形成されていることを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記6)
前記第1および第2のセラミック層は、AlN(窒化アルミニウム)、Al2O3(アルミナ)、AlSiC(アルミニウムシリコンカーバイド)のいずれかよりなることを特徴とする付記1〜5のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記7)
付記1〜6のいずれか一項記載の回路基板と、前記回路基板上にフリップチップ実装された半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。
(付記8)
各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板と、
前記回路基板上に実装された半導体チップと、を備えた半導体装置であって、
前記回路基板および前記半導体チップを、前記回路基板の外部接続端子部を除いて覆う絶縁性セラミック層と、
前記絶縁性セラミック層を覆う導電性セラミック層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
(付記9)
前記導電性セラミック層は、前記回路基板の接地端子にコンタクトして設けられていることを特徴とする付記9記載の半導体装置。
(付記10)
各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備え、前記樹脂積層体の上面および下面に、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第1および第2のセラミック層を有する回路基板の製造方法であって
前記第1および第2のセラミック層をエアロゾルデポジション法により、少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方が凹凸断面を有するように形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
(付記11)
各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板と、前記回路基板上に実装された半導体チップと、前記回路基板および前記半導体チップを、前記回路基板の外部接続端子部を除いて覆う絶縁性セラミック層と、前記絶縁性セラミック層を覆う導電性セラミック層と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁性セラミック層と前記導電性セラミック層は、エアロゾルデポジション法により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
41 コアレス多層回路基板
41A〜41E ビルドアップ絶縁膜
42A〜41E Cu配線パターン
43A〜43E Cuビアプラグ
44 半導体チップ
44A バンプ
45,46 Cu配線パターン
45P,46P パッド電極
45G,46G 接地電極
45H ヒートスプレッダ
47,48 セラミック層
47R,48R,47L,48L リブ
60 エアロゾルデポジション装置
61 処理容器
61A ステージ
61B ノズル
61a Z軸駆動機構
61b X−Y軸駆動機構
61c ジェット
62 真空ポンプ
62A メカニカルブースタポンプ
63 原料容器
63A 振動台
64 高圧ガス源
64A MFC
101 絶縁性セラミック膜
102 導電性セラミック膜
M,M1,M2,M3 メタルマスクパターン
Claims (7)
- 各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板であって、
前記樹脂積層体の上面および下面に形成された、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第1および第2のセラミック層を有し、
少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方は、凹凸断面を有することを特徴とする回路基板。 - 前記樹脂積層体の上面には半導体チップの端子部とコンタクトする導体パターンが、前記第1のセラミック層により覆われて形成されており、前記導体パターンの一部は、前記樹脂積層体の上面において、前記導体パターンのうち前記半導体チップの端子部にコンタクトする部分よりも幅広のヒートスプレッダを形成することを特徴とする付記1または2記載の回路基板。
- 前記凹凸断面を有するセラミック層は、その凸部に多孔質部が形成されていることを特徴とする付記1または2記載の回路基板。
- 各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板と、
前記回路基板上に実装された半導体チップと、を備えた半導体装置であって、
前記回路基板および前記半導体チップを、前記回路基板の外部接続端子部を除いて覆う絶縁性セラミック層と、
前記絶縁性セラミック層を覆う導電性セラミック層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記導電性セラミック層は、前記回路基板の接地端子にコンタクトして設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備え、前記樹脂積層体の上面および下面に、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第1および第2のセラミック層を有する回路基板の製造方法であって、
前記第1および第2のセラミック層をエアロゾルデポジション法により、少なくとも前記第1および第2のセラミック層の一方が凹凸断面を有するように形成することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 各々配線パターンを担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグを有する複数のビルドアップ樹脂層を積層した樹脂積層体を備えた回路基板と、前記回路基板上に実装された半導体チップと、前記回路基板および前記半導体チップを、前記回路基板の外部接続端子部を除いて覆う絶縁性セラミック層と、前記絶縁性セラミック層を覆う導電性セラミック層と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁性セラミック層と前記導電性セラミック層は、エアロゾルデポジション法により形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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