JP4151541B2 - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施の形態における配線基板の断面構成図、図2は図1の配線部を模式的に示した要部拡大断面構成図である。
基板は、厚さ50〜200μmのポリエチレンテレフタレートシート(東レ合成フィルム株式会社製の非晶質ポリエチレンテレフタレート「PET−G」)からなる樹脂基板を用意した。導電性ペーストは、導電性粒子(平均粒径1μmのAg粒子)75重量部と、熱硬化性結着材(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合物)25重量部を用いた。また超微細ペーストとしては、平均粒径10nmのAg粒子(ハリマ化成株式会社製のAgナノペースト「NPS−J」)を用いた。
実施例1と同様の方法で、導電性ペーストからなる配線パターンを形成し、導電性ペーストが未硬化の配線を形成した。次に、平均粒径のみ実施例1と異なる100nmのAgナノペーストからなる配線パターンを、導電性ペーストが未硬化の配線の上に形成したのち、140℃に設定した熱風循環炉に入れて2時間加熱し、導電性ペーストを硬化させた。
図4は本発明の第2の実施の形態における多層配線基板の断面斜視図である。基板上に配線層を絶縁膜を挟んで多層に形成する場合も本発明の配線基板が適用できる。
図5は本発明の第3の実施の形態の配線の一部を低抵抗化した状態を示す図で、図5(A)は配線基板の断面図、図5(B)はその平面図である。基板10に導電性ペーストよりなる第1の導電体層50を、スクリーン印刷法、ステンシル印刷法などで形成する。そして、第1の導電体層50の必要な部分にだけ、超微細ペーストよりなる第2の導電体層52をスクリーン印刷法、インクジェット法で形成、加熱して、第1の導電体層50と第2の導電体層52とを硬化させ、配線層54を作製した。
12,54 配線層
14 配線基板
16,30,32,50 第1の導電体層
16A 第1の導電性粒子
16B 結着材
18,34,52 第2の導電体層
18A 第2の導電性粒子
18B 有機バインダー
31,33 第1の配線パターン
35 第2の配線パターン
42,44 第1層配線
42A 第1層配線下層膜
42B 第1層配線上層膜
46 絶縁膜
48,49 第2層配線
49A 第2層配線下層膜
49B 第2層配線上層膜
60 電子部品
Claims (3)
- 基板上に、導電性粒子および結着材を含む第1の導電体層とその上に形成され第2の導電体層との少なくとも2層が上下に積層されてなる配線層を有する配線基板であって、
前記第2の導電体層に含まれている導電性粒子の平均粒径である第2の平均粒径が、0.1nm〜100nmであり、前記第1の導電体層に含まれている導電性粒子の平均粒径である第1の平均粒径の1μm〜30μmより小さく、必要な部分のみ前記第1の導電体層の上に前記第2導電体層を形成し、前記第1の導電体層の導電粒子間の隙間に、前記第2の導電体層の導電粒子が入り込むようにしたことを特徴とする配線基板。 - 前記必要な部分のみとは、必要な信号線である請求項1記載の配線基板。
- 前記結着材が、熱硬化性樹脂もしくは紫外線硬化性樹脂である請求項1から請求項2のいずれか一項に記載の配線基板。
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