KR20120085660A - 발광장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광면적이 작고, 빛의 취출효율이 높으며, 색얼룩이 적은 발광장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은 기판 위에 발광소자를 탑재하고, 발광소자 위에 형광체 함유 수지층과 판형상 광학층을 탑재한다. 판형상 광학층은 발광소자의 윗면보다 크고, 형광체 함유 수지층은 발광소자의 측면으로부터 판형상 광학층의 단부를 향하는 경사면을 가지고 있다. 형광체 함유 수지층의 형광체 농도는, 발광소자의 주위영역이 발광소자의 바로 위 영역보다 낮다. 발광소자의 측면에서 출사된 빛은, 형광체 함유 수지층에서 형광을 발하면서, 경사면에서 반사되어서 위쪽을 향해서 출사된다. 이때의 발광소자의 측면으로부터 출사된 빛의 거리는 윗면으로부터 출사된 빛의 거리보다 길어지는데, 형광체 농도가 주위영역이 낮으므로, 색얼룩을 억제할 수 있다.

Description

발광장치 및 그 제조방법{A light emitting device and the manufacturing method}
본 발명은 발광소자로부터의 빛을 파장변환층에서 변환하는 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자로부터의 빛의 일부를 형광체로 다른 파장의 빛으로 변환하고, 발광소자로부터의 빛과 혼합하여 출사하는 발광장치가 알려져 있다. 예를 들어, 컵 안에 발광소자를 배치하고, 컵 안을 형광체 함유 수지로 충전하는 구조나, 컵의 개구부만을 형광체 함유 수지층으로 덮는 구조가 알려져 있다. 또한, 발광소자의 주위를 형광체 함유 수지층으로 피복하는 구조도 알려져 있다.
한편, 발광장치(광원)로부터의 출사광을 렌즈나 리플렉터 등의 광학계로 제어하는 광학장치에서는, 소형 광학계에서 유효하게 빛을 이용하기 위해서, 발광면적이 작은 발광장치(광원)를 사용하는 것이 바람직하다.
일본공개특허공보 2004-040099호에는, 캐비티 안의 바닥부를 광반사성 충전물질로 채움으로써, 개구가 작은 캐비티 안에 충전물질의 윗면에서 완곡한 반사면을 형성하는 구성이 개시되어 있다.
일본공개특허공보 2009-218274호에는, 발광소자의 윗면에 파장변환층을 탑재하고, 발광소자 및 파장변환층의 측면을 반사부재로 덮는 구조가 개시되어 있다. 발광소자 및 파장변환층의 측면을 반사부재로 덮음으로써, 발광소자 및 파장변환층의 측면방향으로 방사하고자 하는 빛을 측면에서 반사하여, 윗면으로 출사시킬 수 있으므로, 발광면적을 작게 할 수 있어, 정면방향의 휘도를 향상시킬 수 있다.
일본공개특허공보 2008-507850호의 도 15에는, 개구를 가지는 케이싱 본체 안에 복수의 발광소자를 소정의 간격으로 배치하고, 발광소자 윗면에 파장변환재를 탑재하며, 개구를 확산층으로 덮는 구성이 개시되어 있다. 또한, 일본공개특허공보 2008-507850호의 도 16에는, 개구를 파장변환층으로 덮는 구성이 개시되어 있다.
한편, 일본공개특허공보 2008-103688호 및 일본공개특허공보 2009-135136호에는, 발광소자의 윗면 혹은 발광소자의 윗면 및 측면을 형광체 함유 수지로 덮고, 형광체 함유 수지 내부의 형광체 입자를 발광소자의 윗면 혹은 발광소자의 주위의 기판 위로 침강시킨 구조가 개시되어 있다.
일본공개특허공보 2004-040099호 및 일본공개특허공보 2008-507850호(도 15, 도 16 참조)와 같이, 발광소자를 캐비티나 케이싱 본체의 개구 안에 배치하는 구성은, 캐비티의 개구부가 발광면이 된다. 이 때문에, 발광면의 크기는 가공 가능한 캐비티의 크기에 따라 결정되는데, 작은 캐비티를 만드는 것은 쉽지 않다.
한편, 일본공개특허공보 2009-218274호에 기재된 발광소자 및 파장변환층의 측면에 반사부재가 수직인 벽이 되도록 배치한 구성은, 소자 또는 파장변환층의 측면에서 출사되는 빛을 반사부재에 의해 반사함으로써, 발광면을 작게 하고, 정면 휘도를 향상시키고 있다. 하지만, 발광소자의 측면에 있어서 반사부재에서 반사된 빛은 발광소자의 내부로 되돌아가서 발광소자의 반도체층에 의해 흡수된다. 이 때문에, 발광되는 전체 광속량이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 발광면적이 작고, 빛의 취출효율이 높으며, 색얼룩이 적은 발광장치를 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 실시형태에 따르면, 다음과 같은 발광장치가 제공된다. 즉, 기판과, 상기 기판 위에 탑재된 발광소자와, 발광소자 위에 배치된 형광체 함유 수지층과, 형광체 함유 수지층 위에 탑재된 판형상 광학층을 가지는 발광장치로서, 판형상 광학층은 발광소자의 윗면보다 크고, 형광체 함유 수지층은 발광소자의 측면에서 판형상 광학층의 단부를 향하는 경사면을 가진다. 형광체 함유 수지층의 형광체 농도는 발광소자의 주위영역 쪽이 발광소자의 바로 위 영역보다 낮다.
상기 발광소자의 바로 위 영역의 형광체 함유 수지층에 함유되는 형광체 농도는 발광소자의 윗면에 접하는 하층부 쪽이 판형상 광학층에 접하는 상층부보다 높은 구성으로 할 수 있다.
상기 판형상 광학층은 형광체 함유 수지층에 접하는 면의 조도가, 발광소자의 바로 위 영역보다 발광소자의 주위영역이 거친 구성으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시형태에 따르면, 다음과 같은 발광장치의 제조방법이 제공된다. 즉, 기판 위에 배치된 발광소자 위에, 미경화 수지에 형광체를 분산시킨 것을 도포하는 공정과, 수지 안의 형광체를 침강시키는 공정과, 발광소자의 윗면보다 큰 판형상 광학층을 수지 위에 탑재함으로써, 수지를 발광소자의 주위로 확산시켜, 발광소자의 측면과 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 발광장치의 제조방법이다.
본 발명의 제 3 실시형태에 따르면, 다음과 같은 발광장치의 제조방법이 제공된다. 즉, 미경화 수지에 형광체를 다른 농도로 분산시킨 2종류의 형광체 분산수지를 준비하고, 기판 위에 배치된 발광소자 위에 2종류의 형광체 분산수지 중 형광체 농도가 높은 것을 도포한 뒤, 그 위에 형광체 농도가 낮은 것을 도포하는 공정과, 발광소자의 윗면보다 큰 판형상 광학층을 수지 위에 탑재함으로써, 수지를 발광소자의 주위로 확산시켜, 발광소자의 측면과 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 발광장치의 제조방법이다.
본 발명의 제 4 실시형태에 따르면, 다음과 같은 발광장치의 제조방법이 제공된다. 즉, 기판 위에 배치된 발광소자 위에, 미경화 수지에 형광체를 분산시킨 것을 도포하는 공정과, 외형이 발광소자의 윗면보다 크고, 아랫면의 외주영역이 중앙영역보다 조도가 거친 판형상 광학층을 수지 위에 탑재함으로써, 수지를 조도가 거친 외주영역에 확산시켜, 발광소자의 측면과 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 발광장치의 제조방법이다.
본 발명에 따르면, 발광소자의 측면에서 출사된 빛을 발광소자의 내부로 되돌려보내지 않고, 형광체 함유 수지층의 경사면에서 반사할 수 있으므로, 빛의 취출효율이 향상된다. 발광면은 판형상 광학층의 윗면이므로 소형화할 수 있다. 더욱이, 발광소자의 측면에 접하는 형광체 함유 수지층의 형광체 입자의 밀도를 발광소자의 바로 윗 부분의 형광체 함유 수지층의 형광체 입자의 밀도보다 작게 하고 있으므로, 발광되는 빛의 색얼룩을 저감시킬 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태의 발광장치의 단면도이다.
도 2의 (a)는 도 1의 발광장치의 형광체 함유 수지층(13)의 형광체(133)의 분포를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (b)는 비교예의 형광체 함유 수지층의 형광체의 같은 분포를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3의 (a) 내지 (f)는 제 1 실시형태의 발광장치의 제조공정을 도시하는 설명도이다.
도 4는 제 3 실시형태의 판형상 광학층(14)의 거친면 영역을 도시하는 저면도이다.
다음에 본 발명의 일 실시형태의 발광장치에 대해서 설명한다.
(제 1 실시형태)
도 1에 제 1 실시형태의 발광장치의 단면도를 도시한다. 이 발광장치는, 발광소자(11) 측면에 가까운 위치에 빛의 취출을 위한 반사면을 구비하는 동시에, 형광체 함유 수지층(13)에 함유되는 형광체 농도를 발광소자(11) 바로 윗 부분과 발광소자(11) 주위에서 서로 다르게 한 것이다. 다음에 구체적으로 설명한다.
도 1과 같이, 윗면에 배선이 형성된 서브 마운트 기판(10) 위에는, 플립 칩 타입의 발광소자(11)가 탑재되어 있다. 본 실시형태에서는, 발광소자(11)가 복수 개인 경우에 대해서 설명하는데, 발광소자(11)가 1개라도 상관없다. 발광소자(11)가 복수 개인 경우에는, 소정의 간격으로 탑재되어 있다. 도 1에는 사정상 발광소자(11)가 2개인 경우를 도시하고 있는데, 3개 이상의 발광소자(11)를 배치하는 것도 가능하다.
발광소자(11)는 복수 개의 범프(12)에 의해 서브 마운트 기판(10)에 실장되어 있다. 발광소자(11)의 윗면에는 형광체 함유 수지층(13)이 배치되어 있다. 또한, 형광체 함유 수지층(13)은 발광소자(11)의 측면의 적어도 일부를 덮고 있다.
형광체 함유 수지층(13) 위에는 발광소자(11)의 윗면보다 약간 큰 판형상 광학층(14)이 탑재되어 있다. 발광소자(11)가 복수 개인 경우에는, 복수 개의 발광소자(1)의 전체를 덮는 크기의 판형상 광학층(14)을 사용한다.
형광체 함유 수지층(13)은, 발광소자(11)가 발하는 빛에 의해 여기되어 소정 파장의 형광을 발하는 형광체(예를 들어, YAG 형광체)를 발광소자(11)의 발광 및 형광에 대해서 투명한 수지(예를 들어, 실리콘 수지)에 분산시킨 것이다. 형광체 함유 수지층(13)에는 형광체 이외에 소정의 입자직경의 비즈나 확산재 등을 함유시킬 수도 있다. 예를 들어, 형광체의 최대 입자직경보다 입자직경이 큰 비즈를 함유시킴으로써, 비즈는 발광소자(11)의 윗면과 판형상 광학층(14) 사이에 끼여서 스페이서의 역할을 해서, 형광체 함유 수지층(13)의 막두께를 결정한다.
판형상 광학층(14)은 발광소자(11)의 발광 및 형광에 대해서 투명한 재료를 사용한다. 또는, 판형상 광학층(14)으로서 발광소자(11)의 발광에 의해 여기되어 소정 파장의 형광을 발하는 형광체 플레이트, 형광 세라믹 및 형광 글라스를 사용할 수도 있다.
발광소자(11)의 바깥측에는 외틀(16)이 배치되고, 발광소자(11)와 외틀(16) 사이의 공간은 반사재료층(15)에 의해 충전되어 있다. 반사재료층(15)은 발광소자(11)와 형광체 함유 수지층(13)과 판형상 광학층(14)의 외주측면을 덮고 있다. 또한, 반사재료층(15)은 범프(12) 사이를 메우도록 발광소자(11)의 바닥면과 기판(10)의 윗면 사이의 공간도 충전하고 있다.
반사재료층(15)은 비도전성이고 반사율이 높은 재료, 예를 들어 산화티탄이나 산화아연 등의 반사성 필러를 분산시킨 수지에 의해 형성된다. 외틀(16)은, 예를 들어 세라믹링을 사용한다.
서브 마운트 기판(10)은, 예를 들어 Au 등의 배선 패턴이 형성된 AlN 세라믹제의 기판을 사용한다. 범프(12)로는, 예를 들어 Au 범프를 사용한다. 발광소자(11)로는, 원하는 파장광을 출사하는 것을 준비한다. 예를 들어, 청색광을 발하는 것을 사용한다.
형광체 함유 수지층(13)의 형상은, 발광소자(11)의 측면과 판형상 광학층(14)의 단부를 연결하는 경사진 측면(경사면(130))을 가진다. 또한, 발광소자(11)가 복수 개인 경우에는, 인접하는 발광소자(11) 사이의 영역에서는 완곡면(131)을 형성하고 있다. 이러한 경사면(130) 및 완곡면(131)은 발광소자(11)의 측면에 근접하고 있어, 도 1에 도시한 바와 같이, 발광소자(11)로부터 측면방향으로 출사되는 빛의 일부를 위쪽을 향해서 반사한다.
또한, 도 2의 (a)와 같이, 형광체 함유 수지층(13)은 함유하는 형광체(133)의 농도가 주평면 방향으로 균일하지 않고, 발광소자(11)의 주위영역(B)의 형광체(133)의 농도가 발광소자(11)의 바로 위 영역(A)의 형광체 농도보다 낮아지도록 구성되어 있다. 그리고, 발광소자(11)의 바로 위 영역(A)의 형광체(133)는 침강하여 발광소자(11)의 윗면 근방에 위치하고 있다.
본 발광장치의 각 부분의 작용에 대해서 설명한다. 도 1과 같이 발광소자(11)의 윗면에서 위쪽으로 출사되는 빛은 형광체 함유 수지층(13)을 투과한다. 그 때, 일부의 빛은 형광체에 흡수되어 형광을 발하게 된다. 발광소자(11)의 출사광과 형광은 판형상 광학층(14)을 투과해서 판형상 광학층(14)의 윗면(발광면)으로 출사된다.
발광소자(11)의 측면으로부터 출사되는 빛은, 도 1과 같이 형광체 함유 수지층(13)에 입사되고, 반사재료층(15)과 형광체 함유 수지층(13)의 경계의 경사면(130) 및 완곡면(131)에 의해 위쪽으로 반사되어, 판형상 광학층(14)을 통과해서 윗면으로부터 출사된다. 이에 의해, 발광소자(11)의 측면으로부터 출사되는 빛의 대부분은 발광소자(11)의 내부로 되돌아가지 않으므로, 발광소자(11)에 의해 흡수되지 않는다. 또한, 발광소자(11)의 측면과 반사재료층(15)까지의 거리가 짧으므로 형광체 함유 수지층(13)에 의한 흡수의 영향도 거의 받지 않는다.
발광소자(11)의 아랫면으로부터 출사되는 빛은, 발광소자(11)의 바닥면에서 반사재료층(15)에 의해 반사되어 위쪽을 향하고, 형광체 함유 수지층(13) 및 판형상 광학층(14)을 통과해서 윗면으로부터 출사된다.
이와 같이, 도 1의 발광장치는 발광소자(11)로부터 출사된 빛을 각 발광소자(11)의 측면 주위에 근접하게 형성된 경사면(130) 및 완곡면(131)에 의해 반사해서 위쪽으로 출사할 수 있다. 즉, 발광소자(11) 주위에 경사면(130)에 의해 캐비티를 형성하고 있으므로, 위쪽으로부터의 빛의 취출효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 발광소자(11)의 측면에서 출사된 빛의 대부분은 발광소자(11)의 내부로 되돌아가지 않고, 형광체 함유 수지층(13)을 짧은 거리만큼 통과한 후, 반사재료층(13)에 의해 반사되어 위쪽을 향하므로, 빛의 취출효율이 향상된다.
이때, 도 1에서도 명확하듯이, 발광소자(11)의 측면에서 출사되는 빛이 형광체 함유 수지층(13)을 통과해서 윗면으로 출사되기까지의 빛의 거리는, 발광소자(11)의 윗면에서 출사되는 빛이 형광체 함유 수지층(13)을 통과해서 윗면에서 출사되는 빛의 거리보다 길어지게 된다. 이 때문에, 비교예로서 도시하는 도 2의 (b)와 같이, 형광체 함유 수지층(13)에 함유되는 형광체 농도가 균일한 경우에는, 발광소자(11)의 바로 위 영역(A)보다 주위영역(B)이 여기되는 형광체가 많아져서, 주위영역(B)에서 발하는 형광강도가 바로 위 영역(A)보다 커지게 된다. 이에 의해, 주위영역(B)과 바로 위 영역(A)에서 색도의 차이(색얼룩)가 발생한다. 한편, 본 실시형태에서는, 도 2의 (a)를 이용해서 상술한 바와 같이, 발광소자(11)의 주위영역(B)의 형광체 농도를 바로 위 영역(A)의 형광체 농도보다 낮게 하고 있으므로, 주위영역(B)에서 발하는 형광강도를 저감할 수 있다. 이에 의해, 주위영역(B)과 바로 위 영역(A)의 색도의 차이(색얼룩)를 저감할 수 있으므로, 판형상 광학층(14)의 윗면에서 같은 색도의 빛을 출사할 수 있다.
한편, 주위영역(B)의 형광체 농도와 바로 위 영역(A)의 형광체 농도의 비는, 발광하는 빛의 색얼룩을 확인해서 허용할 수 있는 범위로 결정한다.
또한, 경사면(130)에 의해 형성되는 캐비티는 직경이 작으므로, 발광면적을 작게 할 수 있어서, 소형의 발광장치가 제공된다. 따라서, 렌즈 등의 다른 광학소자와의 결합 효율이 높아진다.
본 실시형태의 발광장치에서는, 형광체(133)가 발광소자(11)의 윗면으로 침강하고 있으므로, 발광소자(11)의 윗면에서의 형광체(133)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 발광소자(11)의 바로 윗 부분에서의 발광의 색얼룩을 저감할 수 있다.
그리고, 형광체(133)가 침강에 의해 발광소자(11)의 윗면에 접하고 있으므로, 형광체(133)가 발하는 열을 발광소자(11)에 효율적으로 전도할 수 있다. 따라서, 형광체(133)의 온도 소광(消光)을 방지할 수 있는 효과도 얻어진다.
본 실시형태의 발광장치에서는, 발광소자(11)의 바닥면측에도 반사재료층(15)으로 충전함으로써, 발광소자(11)의 바닥면과 기판(10)의 윗면 사이에서 빛이 반복 반사되어서 감쇠하는 것을 방지할 수 있으므로, 위쪽으로의 빛의 취출효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 경사면(130)의 형상은, 도 1과 같이 평면의 경사면으로 한정되는 것은 아니며, 발광소자의 안쪽을 향해서 볼록한 곡면으로 형성할 수도 있다. 경사면(130)을 볼록한 곡면으로 형성하는 경우, 그 곡률이 5 이하인 것이 바람직하다.
경사면(130)의 하단은, 반드시 도 1 및 도 2와 같이 발광소자(11)의 바닥면과 같은 높이에 있을 필요는 없고, 적어도 발광소자(11)의 측면에 있으면 된다. 또한, 발광소자(11)는 기판(10)에 플립 칩 실장되는 것이 바람직하다. 플립 칩 실장되는 경우, 발광면이 발광소자의 바닥면에 가까운 위치에 있으므로, 경사면(130)에 따른 반사를 가장 잘 이용할 수 있기 때문이다.
다음으로, 본 실시형태의 발광장치의 제조방법에 대해서 도 3의 (a) 내지 (f)를 이용해서 설명한다. 우선, 도 3의 (a)와 같이, 서브 마운트 기판(10)의 윗면의 배선 패턴에 복수 개의 플립 칩 타입의 발광소자(1)를 소정의 간격으로 탑재하고, 범프(12)를 사용해서 실장한다.
도 3의 (b)와 같이, 발광소자(11)의 윗면에 형광체를 분산시킨 수지(미경화)(13')를 디스펜서 등으로 적당량만큼 포팅(적하)한다. 이러한 상태에서 미경화의 형광체 분산 수지(13')를 수지의 점도가 저하되는 온도이면서 경화되지 않는 온도까지 가열함으로써, 도 3의 (c)와 같이 형광체(133)를 침강시킨다. 예를 들어, 50~80℃까지 핫 플레이트나 고온조에서 가열한다. 또는, 온도를 상승시키지 않고, 소정의 시간 동안 방치(예를 들어, 150분 이상)함으로써, 형광체(133)를 침강시킬 수도 있다.
다음으로, 도 3의 (d)와 같이, 미경화의 형광체 분산수지(13')에 큰 충격을 주지 않도록, 콜릿 척(collet chuck)(135) 등을 이용해서 판형상 광학층(14)을 천천히 접근시켜서 형광체 분산 수지(13') 위에 탑재하고, 판형상 광학층(14)의 무게에 의해 형광체 분산 수지(13')의 상층부의 형광체 농도가 낮은 수지를 가압 확산한다. 이에 의해, 판형상 광학층(14)의 아랫면 전체에 수지가 확산되는 동시에, 발광소자(11)의 측면에도 수지가 확산되어, 발광소자(11)의 측면과 판형상 광학층(14)의 아랫면을 연결하는 경사면(130)이 표면장력에 의해 형성된다. 또한, 이웃하는 발광소자(11)의 틈에서도 메니스커스(meniscus) 형상의 완곡면(131)이 형성된다.
이렇게 해서 형성된 형광체 분산 수지(13')는, 형광체를 침강시킨 후, 형광체 농도가 낮은 상층부의 수지를 주위로 가압 확산시키고 있기 때문에, 발광소자(11)의 주위영역(B)의 형광체 농도가 발광소자(11)의 바로 위 영역(A)의 형광체 농도보다 낮아져 있다. 더욱이, 형광체의 침강 정도를 제어함으로써, 주위영역(B)으로 압출되는 형광체(133)의 양을 제어할 수 있기 때문에, 주위영역(B)의 형광체 농도를 제어할 수 있다.
그 후, 형광체 분산 수지(13')를 소정의 경화처리에 의해 경화시켜서 형광체 함유 수지층(13)을 형성한다. 한편, 그 후의 공정에서 형광체 함유 수지층(13)의 형상이 변하지 않는다면, 완전히 경화시키지 않고 반경화되는 조건으로 경화시켜도 좋다.
다음으로, 도 3의 (e)와 같이, 기판(10)의 윗면에 외틀(16)을 수지 등으로 접착한다. 도 3의 (f)와 같이, 발광소자(11), 형광체 함유 수지층(13) 및 판형상 광학층(14)과 외틀(16) 사이에 디스펜서 등으로 반사재료(미경화)를 주입한다. 이때, 발광소자(11)의 하부의 범프(12) 주위에도 반사재료가 충분히 충전되도록 주입한다. 형광체 함유 수지층(13)의 경사면(130) 및 완곡면(131)에도 반사재료(미경화)가 빈틈없이 밀착하도록 충전된다. 마지막으로, 반사재료를 소정의 경화처리에 의해 경화시켜서 반사재료층(15)을 형성한다. 이상에 따라 본 실시형태의 발광장치가 제조된다.
이와 같이 본 실시형태의 제조방법에 따르면, 형광체의 침강현상을 이용함으로써, 발광소자(11)의 주위영역(B)의 형광체 농도가 발광소자(11) 바로 위 영역(A)의 형광체 농도보다 낮아지도록 형광체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 이에 의해, 비교적 쉽게 발광소자의 주위 및 틈에서 색얼룩이 적은 발광장치를 제조할 수 있다.
또한, 형광체 함유 수지층의 표면장력을 이용해서 경사면(130) 및 완곡면(131)을 형성할 수 있다.
한편, 판형상 광학층(14)은 윗면 및 아랫면 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 거친면을 설치할 수도 있다. 거친면에서 광산란을 발생시킴으로써 색얼룩을 더욱 저감시킬 수 있다. 단, 판형상 광학층(14)의 윗면을 거친면으로 할 때에는, 거친면을 설치하는 영역의 크기, 거친면의 조도, 거친면을 구성하는 요철의 형상?밀도 등을 조정해서, 형광체 함유 수지층(13)이나 반사재료층(15)을 형성하는 공정에서 미경화 수지가 판형상 광학층(14)의 윗면으로 올라오지 않도록 하는 것이 바람직하다.
(제 2 실시형태)
제 2 실시형태에서는, 침강과는 별도의 수법을 사용해서 미경화의 형광체 함유 수지의 상층에 형광체 농도가 낮은 수지를 형성한다.
구체적으로는, 도 3의 (b)의 공정에 있어서, 형광체 함유 농도가 높은 미경화 수지와 형광체 함유 농도가 낮은 미경화 수지의 2종류를 준비한다. 우선, 형광체 함유 농도가 높은 미경화 수지를 발광소자(11)의 윗면에 디스펜스 등에 의해 도포하고, 그 위에 형광체 함유 농도가 낮은 미경화 수지를 다시 도포한다. 이에 의해, 도 3의 (c)와 같이, 상층부의 형광체 함유 농도가 낮은 형광체 함유 수지(13')를 형성할 수 있다.
이러한 수법은, 형광체 농도가 다른 형광체 함유 수지를 2종류 준비할 필요가 있지만, 침강을 위해 가열하거나 장시간 방치할 필요가 없어서, 제조시간을 단축할 수 있다는 장점이 있다.
다른 제조공정 및 완성 후의 발광장치의 구조, 작용효과에 대해서는 제 1 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
(제 3 실시형태)
제 3 실시형태에서는, 도 3의 (c)의 공정에서, 미경화 형광체 함유 수지의 형광체 농도를 층두께 방향으로 분포시키지 않고, 발광소자(11)의 주위영역(B)의 형광체 농도를 바로 위 영역(A)보다 저하시킨다.
즉, 본 실시형태에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 판형상 광학층(14)으로서 아랫면의 외주영역(14b)을 거친면으로 한 것을 사용한다. 외주영역(14b)은 도 2의 형광체 함유 수지층(13)의 주위영역(B)에 접하는 영역이다.
판형상 광학층(14)의 외주영역(14b)을 거친면으로 함으로써, 도 3의 (b)의 공정에서 형광체가 분산된 미경화 수지(13')를 도포한 후, 도 3의 (c)의 침강공정을 행하지 않고, 도 3의 (d)의 공정에서 판형상 광학층(14)을 탑재하는 것을 통해, 외주영역(14b)의 거친면에 미경화 수지가 확산되어, 형광체 농도가 낮은 주위영역(B)을 형성할 수 있다. 이것은 거친면에 수지가 확산될 때, 모세관 현상에 의해 미경화 수지만이 확산되기 쉬어, 형광체(133)의 확산이 억제되기 때문이다. 판형상 광학층(14)의 외주영역(14b)의 거친면의 조도를 조절함으로써, 형광체(133)의 주위로의 확산의 용이함을 제어할 수 있으므로, 형광체 함유 수지층(13)의 주위영역(B)의 형광체 농도를 제어할 수 있다.
한편, 판형상 광학층(14)의 중앙영역(14a)(소자(11)의 바로 위 영역(A)에 대응)도 거친면으로 할 수 있다. 이러한 경우, 중앙영역(14a)의 조도보다 외주영역(14b)의 조도를 거칠게 함으로써, 상기와 마찬가지의 효과에 의해 형광체 농도가 낮은 주위영역(B)을 형성할 수 있다.
판형상 광학층(14)의 거친면을 중앙영역(14a)과 외주영역(14b)에서 다르게 한 구성은, 제 1 및 제 2 실시형태와 같이 형광체 함유 수지의 형광체 농도를 층두께 방향으로 분포시키는 구성과 병용하여도 상관없다.
10 서브 마운트 기판
11 발광소자
12 범프
13 형광체 함유 수지층
14 판형상 광학층
15 반사재료층
16 외틀
130 경사면
131 완곡면
133 형광체

Claims (6)

  1. 기판과, 상기 기판 위에 탑재된 발광소자와, 상기 발광소자 위에 배치된 형광체 함유 수지층과, 상기 형광체 함유 수지층 위에 탑재된 판형상 광학층을 가지고,
    상기 판형상 광학층은 상기 발광소자의 윗면보다 크며, 상기 형광체 함유 수지층은 상기 발광소자의 측면으로부터 상기 판형상 광학층의 단부를 향하는 경사면을 가지고,
    상기 형광체 함유 수지층의 형광체 농도는, 상기 발광소자의 주위영역이 상기 발광소자의 바로 위 영역보다 낮은 것을 특징으로 하는 발광장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 바로 위 영역의 상기 형광체 함유 수지층에 함유되는 형광체 농도는, 상기 발광소자의 윗면에 접하는 하층부가 상기 판형상 광학층에 접하는 상층부보다 높은 것을 특징으로 하는 발광장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 판형상 광학층은, 상기 형광체 함유 수지층에 접하는 면의 조도가, 상기 발광소자의 바로 위 영역보다 상기 발광소자의 주위영역이 거친 것을 특징으로 하는 발광장치.
  4. 기판 위에 배치된 발광소자의 위에, 미경화 수지에 형광체를 분산시킨 것을 도포하는 공정과,
    상기 수지 안의 형광체를 침강시키는 공정과,
    상기 발광소자의 윗면보다 큰 판형상 광학층을 상기 수지 위에 탑재함으로써, 상기 수지를 상기 발광소자의 주위로 확산시켜, 상기 발광소자의 측면과 상기 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 상기 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  5. 미경화 수지에 형광체를 다른 농도로 분산시킨 2종류의 형광체 분산 수지를 준비하고, 기판 위에 배치된 발광소자 위에 상기 2종류의 형광체 분산수지 중 형광체 농도가 높은 것을 도포하며, 그 위에 형광체 농도가 낮은 것을 도포하는 공정과,
    상기 발광소자의 윗면보다 큰 판형상 광학층을 상기 수지의 위에 탑재함으로써, 상기 수지를 상기 발광소자의 주위로 확산시켜, 상기 발광소자의 측면과 상기 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 상기 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  6. 기판 위에 배치된 발광소자 위에, 미경화 수지에 형광체를 분산시킨 것을 도포하는 공정과,
    외형이 상기 발광소자의 윗면보다 크고, 아랫면의 외주영역이 중앙영역보다 조도가 거친 판형상 광학층을 상기 수지 위에 탑재함으로써, 상기 수지를 상기 조도가 거친 외주영역에 확산시켜, 상기 발광소자의 측면과 상기 판형상 광학층의 단면을 연결하는 경사진 측면을 가지는 형광체 함유 수지층을 상기 미경화 수지의 표면장력에 의해 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140043870A (ko) * 2012-10-03 2014-04-11 닛토덴코 가부시키가이샤 봉지 시트 피복 반도체 소자, 그의 제조방법, 반도체 장치 및 그의 제조방법
WO2015030481A1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR20170043312A (ko) * 2015-10-13 2017-04-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20180070392A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20210101175A (ko) * 2014-11-18 2021-08-18 서울반도체 주식회사 발광 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101941450B1 (ko) * 2012-08-02 2019-01-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP2014053506A (ja) 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
JP6097084B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6221668B2 (ja) * 2013-11-18 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 配光部材の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6323020B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
KR20150129356A (ko) * 2014-05-12 2015-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP6484982B2 (ja) 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102346798B1 (ko) * 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
DE102015206972A1 (de) * 2015-04-17 2016-10-20 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul zur Abgabe von Weißlicht
JP6265227B2 (ja) * 2015-05-15 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置
US10415795B2 (en) 2015-05-15 2019-09-17 Nichia Corporation Method of manufacturing light distribution member with shielded individual transmissive pieces and light-shielding frame, method of manufacturing light emitting device having light distribution member, light distribution member, and light emitting device
CN106206912B (zh) * 2015-05-29 2020-08-07 日亚化学工业株式会社 发光装置、覆盖部件的制造方法及发光装置的制造方法
JP6812657B2 (ja) * 2015-07-13 2021-01-13 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP6387954B2 (ja) * 2015-12-24 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
DE102016112275B4 (de) 2016-07-05 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen leuchtvorrichtung und optoelektronische leuchtvorrichtung
JP6934712B2 (ja) * 2016-09-20 2021-09-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び車両用灯具
JP6597657B2 (ja) 2017-01-24 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017104479B4 (de) 2017-03-03 2022-03-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
JP6512258B2 (ja) * 2017-10-23 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3608959B1 (en) 2018-08-06 2023-11-15 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
JP6989782B2 (ja) * 2018-08-06 2022-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7295437B2 (ja) * 2019-11-29 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI720785B (zh) * 2020-01-15 2021-03-01 東貝光電科技股份有限公司 微型led發光裝置及其製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042687A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3992770B2 (ja) * 1996-11-22 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその形成方法
JP2001077430A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2004111882A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4620939B2 (ja) * 2003-06-25 2011-01-26 株式会社リコー 複合素子の製造方法
JP4821087B2 (ja) * 2003-11-28 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4389126B2 (ja) * 2004-10-04 2009-12-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2007035748A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子搭載用の支持体および半導体装置
JP2007095807A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
JP5013905B2 (ja) * 2007-02-28 2012-08-29 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
EP2031657A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-04 ILED Photoelectronics, Inc. Package structure for a high-luminance light source
JP2009129785A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光ダイオード照明器具
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
JP5278023B2 (ja) * 2009-02-18 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP5572013B2 (ja) * 2010-06-16 2014-08-13 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US8455907B2 (en) * 2010-06-16 2013-06-04 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having an optical plate including a meniscus control structure and method of manufacturing

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042687A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP2010219324A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nichia Corp 発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140043870A (ko) * 2012-10-03 2014-04-11 닛토덴코 가부시키가이샤 봉지 시트 피복 반도체 소자, 그의 제조방법, 반도체 장치 및 그의 제조방법
WO2015030481A1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR20210101175A (ko) * 2014-11-18 2021-08-18 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR20170043312A (ko) * 2015-10-13 2017-04-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20180070392A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광소자

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