KR20100041889A - 효과적인 열 방출을 위한 선이 없는 반도체 패키지 - Google Patents

효과적인 열 방출을 위한 선이 없는 반도체 패키지 Download PDF

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KR20100041889A
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폴 아만드 에이. 칼로
마지 티. 리오스
티버시오 에이. 말도
손준서
어윈 이안 브이. 알마그로
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페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

이 명세서에는 둘 이상의 다이들이 선이 없이 열적으로 및 전기적으로 전도성의 히트싱크에 부착되는 다수의 다이들을 구비한 선이 없는 반도체 패키지가 개시된다. 이 패키지는 효과적인 열 방출 수단을 제공한다.

Description

효과적인 열 방출을 위한 선이 없는 반도체 패키지{WIRELESS SEMICONDUCTOR PACKAGE FOR EFFICIENT HEAT DISSIPATION}
본 출원은 2007. 10. 9일자로 미국 출원된 미국 실용특허출원 제11/869,307호에 대한 우선권 주장출원이다.
본 발명은 일 실시예로서, 두 개 이상의 반도체 다이들을 구비한 선이 없는 (wireless) 반도체 패키지에 대한 것이다. 두 개의 다이들은 열이 효과적으로 방출되도록 구성된다.
반도체 장치는 열 방출(dissipation) 문제로 자주 곤란을 겪는다. 예컨대, 간단한 다이오드들이 사용 중에 열을 발생하며 과열은 반도체 장치를 손상시키거나 파손할 수 있다. 다른 반도체 장치들도 유사한 결점들이 있다. 과열 외에, 반복된 가열 밀 냉각 사이클에 의하면 장치 부품들이 파손된다. 또한, 부착을 위해서는 특수한 기구들 및 별도의 제조 공정들이 필요하므로, 반도체 다이에 선들을 부착하는 것은 어렵고 비용이 든다. 이러한 결점들을 해결하기 위하여 많은 연구들이 이루어졌으나 완전히 만족스러운 것으로 입증된 것은 없다.
보처(Boucher) 등에게 허여된 미국 특허 제4,990,987호 (반도체 장치용 과열기 및 보호기)에는 반도체의 열 감지 작용을 수행하는 서미스터(thermister)를 구비한 반도체 장치가 개시되었다. 장치의 온도가 일정 경계값을 넘어 상승함에 따라 서미스터의 저항이 증가한다. 이와 같이, 장치의 과열이 방지될 수 있다.
에스테스(Estes) 등에게 허여된 미국 특허 제5,714,789호 (회로 보드 장착의 IC 패키지 냉각장치)에는 열 방출을 보조하는 열전도성 액체가 채워진 반도체 패키지가 개시된다. 만족스럽지 않게도, 이러한 액체 시스템을 사용하는 것은 문제를 포함한다.
따라서, 반도체 장치에 의해 생성된 열을 보다 효과적으로 방출하는 방법이 소망된다.
또한 다이를 리드 프레임에 연결하는 선의 필요성이 없는 반도체장치를 제공하는 것이 필요하다.
본 발명의 일 실시예는, 다이오드들과 같은 복수의 반도체 장치들을 구비한다. 일 실시예에서 이러한 다이들은 선이 없이 직렬로 연결된다. 이러한 구조에 의하면 반도체 장치로부터의 열 방출이 증대되며 튼튼한 선이 없는 구조가 달성된다.
본 발명에 따르면, 둘 이상의 다이들을 셋의 외부 리드들에 선이 없이 연결하기 위한 멀티칩 모듈로서: 제1 및 제2 표면들을 가지고 열적으로 및 전기적으로 전도성있는 소재로 이루어진 히트싱크; 각 다이는 상 면 위에 하나 이상의 단자와 하면에 하나의 단자를 가지며 단자들과 상기 히트싱크 사이에 전기적인 연결을 형성하기 위하여 상기 히트싱크의 표면의 하나에 부착된 제1 및 제2의 다이들; 세 개의 길다란 리드들을 포함하는 리드 프레임으로서, 각 리드는 패키징 소ㅈ재 내부에 배치된 일 단부와 상기 패키징 소재로부터 연장하는 다른 단부에서 다이이부착 패드를 가지는 리드 프레임을 구비하며; 제1 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제1 다이에 연결시키며; 제2 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제2 다이에 연결시키며; 제3 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제3 다이에 연결시켜서 상기 제1 리드는 상기 제1 다이로의 외부 연결을 제공하고, 상기 제2 리드는 상기 제2 다이로의 외부 연결을 제공하며, 상기 제3 리드는 상기 다이들의 하부면 위에 단자들의 전기적인 연결부로 외부 연결을 제공하며; 및 상기 패키징 소재는 리드들, 다이들 및 상기 히트싱크의 일부를 예워싸며 상기 다이들로부터 주위 사물들로 열을 전달하도록 상기 히트싱크의 다른 면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈이 제공된다.
본 발명의 하나의 이점은 열이 더욱 넓은 면적에 분배되므로 더욱 효과적으로 방출되는 것이다. 본 발명의 또 다른 이점은 반도체 다이들을 리드 프레임에 연결하기 위하여 선들이 필요하지 않은 점이다. 이러한 구조에 의하면 종래의 반도체보다 상당히 강건하며 장치의 제조 동안 배선 단계를 제거할 수 있다. 또한, 선이 없는 부착은 열 컨더터로서 기능하며 열을 방출한다.
본 발명은 첨부 도면들과 관련하여 개시되는 데, 여기에서:
도 1은 하우징의 내부 부품들을 도시하는 패키지화된 반도체 조립체의 도면이며;
도 2는 도 1의 패키지의 측면도이며;
도 3은 도 1의 패키지의 부품들의 분리도이며;
도 4는 본 발명의 일 공정의 플로우 다이아그램이며;
도 5는 본 발명의 일 실시예의 내부 부품의 개략적인 도면이며;
도 6은 배선된 패키지의 내부 부품의 개략적인 형상을 도시한 도면이며;
도 7은 본 발명의 다른 실시예의 형상을 도시한 도면이다.
이하에서 본 발명이 첨부도면들과 관련하여 도시된다. 대응하는 참조 부호들은 전체 도면에 걸쳐 대응하는 부품들을 지시한다. 여기 설명되는 예들은 본 발명의 여러 예들을 예시하나 어떠한 방식으로든 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
도 1은 패키지화된 반도체 패키지(100)를 도시한 도면이다. 반도체 패키지(100)는 각각 에폭시 몰딩 합성체(epoxy molding compound)(104)로부터 외부로 연장하는 복수의 리드들(106, 108, 및 110)을 구비한다. 에폭시 몰딩 합성체(104)는 패키지(100)의 내부 부품을 보다 잘 설명하기 위하여 이점 쇄선으로 도시하였다. 에폭시 몰딩 합성체(104)의 바닥면에는 히트싱크(heat sink)(102)가 설치된다. 일 실시예에서, 히트 싱크(102)는 예컨대 구리와 같이 전기적으로 및 열적으로 전도성의 소재이다. 다이들(112, 114)은 에폭시 몰딩 합성체(104) 내에 배치된다.
도 1 도시 실시예에서, 이러한 다이들은 선이 없이 직렬로 연결된다. 도시없는 다른 실시예에서, 다이들은 선이 없이 병렬로 연결된다. 이 명세서의 다른 부분에서 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이, 이러한 선이 없는 구조에 의해 다이들(112, 114)은 모두 열적으로 및 전기적으로 전도성인 히트싱크(102)와 다이 부착패드(210) 사이에 배치될 수 있다(도 2 참조). 이러한 선이 없는 구조에 의해 두 개의 다이들은 공통 리드(리드 (110))를 공유할 수 있을 뿐더러 효과적인 열 방출 수단을 제공할 수 있다.
통상적인 종래기술의 반도체 장치는 장치 위에 각 단자에 대해 하나의 리드를 가진다. 여기 개시된 선이 없는 구조는 단자들보다 더 적은 수의 리드들을 포함한다. 선이 없는 구조는 또한 히트싱크와 리드의 두 개의 열적으로 전도성의 부재들에 인접한 위치에 다이를 배치한다. 이러한 시스템에서, 히트싱크와 리드는 열 e도체 및 전기 도체의 이중 목적으로 작용한다. 도 2는 이러한 신규 구조의 일부를 도시한다.
도 2는 에폭시 몰딩 합성체(104)의 내부 부품들의 일부를 도시하는 도 1의 패키지(100)의 측면도이다. 도 2 도시 실시예에서, 에폭시 몰딩 합성체(104)의 일 측면은 매립된 히트싱크(102)를 유지한다. 패키지(100)는 장착홀(208)을 관통하여 나사를 통과시켜 표면(도시 없음)에 장착된다. 다이(112)의 일 단자(terminal)(예컨대, 캐소드)는 히트 싱크(102)와 전기적으로 연결되며 전도성 접착제(202)에 의하여 거기에 부착된다. 전도성 접착제(202)는 예컨대 납 함유 땜납(solder) 혹은 무연 땜납과 같은 땜납 소재나 전도성 에폭시일 수 있다. 다이(112)의 타 단부(예컨대, 아노드)는 리드(106)의 다이부착 패드(210)에 전기적으로 연통된다. 이러한 연결은 전도성 접착제(206)에 의하여 이루어진다.
일 실시예에서, 전도성 접착제(202)는 고온 용융 땜납이며 전도성 접착제(206)는 저온 용융 땜납이다. 이러한 땜납들의 조성은 이 명세서의 다른 부분에서 설명된다. 효과적이게도, 이러한 구조를 통해 컨덕터를 용융(접합 분리)시키지 않고 접착제(206)를 용융시킬 수 있다. 리드(106)는 에폭시 몰딩 합성체(104) 내에서 연장하며 에폭시 몰딩 합성체(104) 내에 배치되지 않는 단부(212)에서 종결한다.
도 2는 또한 리드(110) 및 히트싱크(102)에의 연결을 도시한다. 리드(110)(도 1 참조)는 전도성 접착제(206)를 통해 히트싱크(102)에 연결된다. 리드(110)는 또한 에폭시 몰딩 합성체(104)로부터 외부로 연장하며 리드(106)에 평행으로 연장한다( 도 1 참조). 도 1의 다이(114)는 이 명세서의 다른 부분에서 그러한 연결의 상세한 내용이 설명되지만 유사한 방식으로 리드(108)에 연결될 수 있다.
도 3은 도 1의 패키지(100)의 분리 도면인 데, 본 발명의 일 실시예에 따라 에폭시 몰딩 합성체(104)의 내부 부품들의 층들을 도시한다. 에폭시 몰딩 합성체(104)는 일반적으로 몰딩 합성체과 같은 에폭시 몰딩 합성체로 제조된다. 몰딩 합성체은 통상 폴리머 수지이나, 다른 적절한 패키징 소재가 또한 사용될 수 있다. 다이들(112, 114)의 바닥 측면들은 고온 용융 전도성 접착제(202)에 의하여 히트싱크(102)에 연결된다. 다이들(112, 114)은 예컨대 간단한 실리콘 다이오드들이다. 다른 실시예에서, 보다 복잡한 반도체 다이가 사용될 수 있다. 예컨대, 플립-칩 다이가 사용될 수 있다. 히트싱크(102)는 열적으로 및 전기적으로 전도성인 특정 소재일 수 있다. 예컨대, 히트싱크(102)는 구리를 포함할 수 있다. 전도성 접착제(202)는 예컨대 95.5%의 납(lead)과 2%의 주석(tin) 및 2.5%의 은(silver)으로 이루어진 납 기반의 땜납이거나 에폭시와 같이 납을 함유하지 않은 소재일 수 있다. 다이들(112, 114)의 상부 측면들은 리드들(106, 108, 및 110)을 포함하는 리드 프레임(300)의 다이부착 패드에 전도성 접착제(206)를 통해 연결된다. 접착제(206)는 일 실시예에서, 접착제(202)의 용융점 아래의 융점을 가지는 땜납 소재이다. 예컨대, 접착제(202)가 95.5% Pb, 2% Sn, 및 2.5% Ag로 구성되면, 접착제(202)는 88% Pb, 10% Sn, 2% Ag로 구성된다. 바람직하게도, 땜납 조성의 이러한 차이는 고융점 땜납을 분리시킴 없이 저융점 땜납을 활성화시키는 데 이용될 수 있다.
일 실시예에서, 땜납들은 적어도 약 10℃의 융점 차이를 가진다. 리드 프레임(30)과 리드들(106, 108, 및 110)은 열적으로 및 전기적으로 전도성이며 구리와 같은 전기적으로 전도성인 금속을 포함하는 전도성 기판으로 형성될 수 있다. 기판은 니켈, 팔라듐, 등의 금속 합금들 및 다른 전도성 금속들의 하나 이상의 층으로서 도금될 수 있다. 리드 프레임 소재의 일 예는 TAMAC 4(Fe 0.07, P0.03, Zn 0.05, 및 잔여분의 Cu)이다. 다른 적절한 리드 프레임 소재들이 이 기술 분야의 당업자들에게 잘 알려져 있다. 에폭시 몰딩 합성체(104)는 조립체의 내부 부품 위로 배치된다.
도 4는 선이 없는 반도체 패키지(100)의 제조 공정(400)을 도시한다. 도 4 도시 예에서, 패키지(100)(도 1 참조)가 제조된다. 이 기술분야의 당업자는 이 명세서를 읽고 지식을 얻은 후에 이 명세서의 다른 부분들에서 언급된 다른 조립체들을 제조하기 위한 대체적인 공정들을 용이하게 이해할 것이다. 종래기술의 선으로 연결된 공정들과 비교하여 본 발명의 선이 없는 공정(400)의 장점의 하나는 배선 공정의 제거이다. 이러한 별도의 공정이 생략될 수 있으므로 달성되는 공정은 더욱 효과적이며 비용상 효과적이다. 달성되는 제품의 선이 없는 구조는 또한 이 명세서의 이하의 부분에서 설명되는 특정의 열적 이점들을 가진다.
공정(400)의 단계(402)에서, 전도성 접착제(202)는 히트싱크(102)에 장착된다. 예컨대, 95.%Pb, 2%Sn, 및 2.5%Ag로 형성된 땜납을, 히트싱크(102)를 땜납 코팅하기 위하여 사용할 수 있다. 히트싱크(102)는 전기적으로 및 열적으로 전도성인 특정의 적절한 소재일 수 있다.
단계(404)에서 다이들(112, 114)은 접착제(202)를 사용하여 히트싱크(102)에 장착될 수 있다. 다이들(112, 114)이 확실하게 장착되면, 단계(406)에서 이러한 다이들의 상면을 코팅하기 위하여 전도성 접착제(202)가 사용될 수 있다. 특정 실시예들에서는 전도성 접착제(206)는 접착제(202)보다 낮은 융점을 가지도록 선택될 수 있다. 예컨대, 88%Pb, 10%Sn, 및 2%Ag 조성으로부터 전도성 접착제가 형성될 수 있다. 단계(408)에서, 리드 프레임(300)이 부착되면, 접착제(202)를 용융시킴 없이 접착제(206)를 용융시키기 위하여 적당한 온도가 사용될 수 있다. 리드 프레임(300)은 구리와 같은 전도성 소재로 형성될 수 있으며, 다양한 금속 혹은 금속 합금들로 일반적으로 도금된다. 이러한 리드 프레임(300)은 리드들(106, 108, 및 110) 및 타이 바(409)들을 제조하기 위하여 금속 블랭크들을 스탬핑(stamp) 혹은 에칭하여 형성된다. 공정(400)의 단계(410)에서, 에폭시 몰딩 합성체(104)이 가해져서 중간 조립체(411)를 제조한다. 리드 프레임의 바라지 않은 타이 바(409)들은 이어서 단계(412)에서 절단되어 패키지(100)를 형성한다.
도 5는 패키지(100)의 전기 연결부들의 개략적인 도면이다. 간단하게 설명하기 위하여 접착제들이 생략되었다. 도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 다이(112)는 캐소드 측을 아래로 해서 전도성 히트싱크(102) 위에 배치된다. 반대로, 다이(114)는 아노드 측을 아래로 해서 히트 싱크(102) 위에 배치된다. 이와 같이, 두 개의 다이들(112, 114)은 직렬로 연결된다. 다이들(112, 114)을 통해 전기가 흐르면 열이 발생된다. 패키지(100)는 적어도 직렬로 연결된 두 개의 반도체 다이들을 사용한다. 다이들이 서로 멀리 이격되어 있으므로 다이들은 주변에 의해 더욱 용이하게 냉각되며, 열은 보다 효과적으로 방출된다. 이러한 구조는 열 방출 효율을 증대시키며 종래기술의 반도체 장치에 대해 상당한 이점을 제공한다.
다시 도 5를 참조하면, 리드들(106, 108)이 각 길다란 리드의 일 단부에서 다이부착 패드들을 가짐을 알 수 있다. 예컨대, 리드(108)는 다이부착 패드(502)에서 종료한다. 다이부착 패드(502)는 두 부품들의 표면 영역들이 각각의 영역의 상당한 부분에 걸쳐 유사하도록 다이(114) 면적 위로 배치된다. 일 실시예에서, 다이(114)의 표면 영역의 반 이상이 다이부착 패드(502)에 의해 덮혀진다. 이러한 구조에 의해서 선이 없는 전기 접속이 이루어지며, 이는 패키지(100)의 수명을 연장시킨다. 다이부착 패드(502)와 다이(114)의 표면들의 유사한 중첩에 의해 다이부착 패드(502)는 열적 및 전기적인 도체로서 작용한다. 이러한 구조에 의하여 리드들(106, 108)은 열을 방출할 수 있고 열 방출의 효과를 크게 증대시킬 수 있다. 도면들에는 단지 두 개의 다이들만이 도시되었지만, 어떠한 숫자의 다이들도 사용될 수 있다. 부가적으로, 다른 다이 구조 모드들이 가능하며 이러한 모드들이 이 발명에 대해 사용이 고려되었다.
도 6은 패키지(100)의 구조와 다른 전기 구조를 가지는 패키지(600)를 개략적으로 도시한다. 패키지(600)에서, 다이(304)는 연결부(606)를 통해 리드(108)와 전기적으로 연통하도록 배치된 도체(604)에 연결된다. 예컨대, 연결부(606)는 금배선이나 전도성 리본과 같은 배선 연결이다. 도체(604)는 예컨대, 구리판일 수 있다. 도체(604)는 절연체(602)에 의해 히트싱크(102)로부터 전기적으로 절연되므로 다이(304)의 일 단자는 확실히 히트싱크(102)에 전기적으로 연결되지 않는다. 절연체(602)는 예컨대 알루미나층일 수 있다. 다이(304)의 다른 단자는 도체(608)에 의하여 히트싱크(102)에 연결된다. 다이(204)는 히트싱크(102)에 전기적으로 연결되고 도체(610)를 통해 리드(106)에 또한 연결된다. 패키지(600)의 전기적 연결의 보다 상세한 사항은 도 7에 도시된다.
패키지(100)와 패키지(600)의 열 방출 성능을 비교하기 위하여 비교 컴퓨터 모델이 사용되었다. 이 모델에서, 컴퓨터 시물레이션이 패키지(100)의 다이들(112, 113)과 패키지(600)의 다이들(204, 304)의 온도를 에측하기 위하여 사용되었다. 이러한 시물레이션들에서 조립체들은 모두 히트싱크(102)가 블럭에 인접하도록 25℃ 온도의 알루미늄으로 된 큰 냉각 블럭 위에 배치되었다. 이러한 시물레이션들에서 저융점 다이 접착제는 88%Pb, 10%Sn, 및 2%Ag로 구성되고, 고융점 다이 접착제는 95.5%Pb, 2%Sn, 및 2.5% Ag로 구성되며, 다이들은 실리콘 다이들이며 절연체는 알루미나이고 히트싱크는 순수 구리이다. 파워 입력은 칩당 100W이다. 각 다이들의 온도는 이하의 표 1에 표시된다.
선이 있는 패키지(600) 선이 없는 패키지(100) 차이
다이 304/112 161℃ 81℃ 80℃
다이 204/114 88℃ 81℃ 7℃
히트싱크(102)와 열적으로 접촉하지 않는 다이(304)는 선이 없는 패키지(100)에서의 대응하는 다이의 거의 두 배의 온도인 161℃의 온도에 도달한다.열 도체로서 작용하는 다이부착 패드의 효과는 다이(204)(배선 장착)와 다이(114)(열적으로 전도성인 다이부착 패드를 통한 선이 없는 부착)의 온도들을 비교함으로써 알 수 있다. 패키지(100)의 선이 없는 구조는 대응하는 배선된 구조에 대해 7℃의 온도 이점을 제공한다.
도 7은 제1 다이(702)와 제2 다이(704)를 구비한 패키지(700)를 도시한 도면이다. 도 7 도시의 실시예에서 다이들(702, 704)은 MOSFET 다이들이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 리드(110)는 드레인(706a, 706b)과 같은 히트싱크(102)에 부착된다. 소스들(708a, 708b)은 리드(106)에 전기적으로 연결되며 게이트들(710a, 710b)은 리드(108)에 전기적으로 연결된다. 다이들(702, 704)은 히트싱크(102)를 통해 공통리드(110)에 연결된다.
이 기술 분야의 당업자들은 히트싱크(102)가 간단한 금속 클립이거나 보다 복잡할 수 있음을 알 것이다. 예컨대, 히트싱크(102)는 절연면에 컨택(contact)들 및/또는 전도성 트레이스(trace)들을 구비한 절연면을 가진 금속 클립일 수 있다. 이와 같이, 다이의 하나 이상의 단자들은 선들의 필요없이 다른 다이의 단자들에 연결될 수 있다.
본 발명이 양호한 실시예와 관련하여 설명되었으나 당업자들에 의해 다양한 변경들이 이루어질 수 있으며 본 발명의 사상에서 벗어남이 없이 특정 상황에 적응하도록 구성요소들이 균등 요소들로 대체될 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명을 실시하기 위하여 고안된 가장 양호한 모드들로 개시된 특정 실시예들에 본 발명이 한정되지 않으며, 본 발명은 첨부의 특허청구범위의 범위 및 사상 내에 속하는 모든 실시예들을 포함하도록 의도된다.
100: 반도체 패키지
102:히트싱크
104: 에폭시 몰딩 합성체
106, 108, 110: 리드
112, 114: 다이
202: 전도성 접착제
206: 전도성 접착제
208: 장착홀
210: 다이부착 패드
212: 단부
300: 리드 프레임
단부

Claims (14)

  1. 둘 이상의 다이들을 셋의 외부 리드들에 선이 없이 연결하기 위한 멀티칩 모듈로서:
    제1 및 제2 표면들을 가지고 열적으로 및 전기적으로 전도성있는 소재로 이루어진 히트싱크;
    각 다이는 상 면 위에 하나 이상의 단자와 하면에 하나의 단자를 가지며 단자들과 상기 히트싱크 사이에 전기적인 연결을 형성하기 위하여 상기 히트싱크의 표면의 하나에 부착된 제1 및 제2의 다이들;
    세 개의 길다란 리드들을 포함하는 리드 프레임으로서, 각 리드는 패키징 소ㅈ재 내부에 배치된 일 단부와 상기 패키징 소재로부터 연장하는 다른 단부에서 다이이부착 패드를 가지는 리드 프레임을 구비하며;
    제1 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제1 다이에 연결시키며;
    제2 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제2 다이에 연결시키며;
    제3 리드는 그 다이부착 패드를 상기 제3 다이에 연결시켜서 상기 제1 리드는 상기 제1 다이로의 외부 연결을 제공하고, 상기 제2 리드는 상기 제2 다이로의 외부 연결을 제공하며, 상기 제3 리드는 상기 다이들의 하부면 위에 단자들의 전기적인 연결부로 외부 연결을 제공하며; 및
    상기 패키징 소재는 리드들, 다이들 및 상기 히트싱크의 일부를 예워싸며 상기 다이들로부터 주위 사물들로 열을 전달하도록 상기 히트싱크의 다른 면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 모듈은 장착홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 다이들은 다이오드들인 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 다이들은 MOSFET 다이들인 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈.
  5. 패키지화된 반도체 조립체로서:
    하나 이상의 측면이 전기적으로 전도성이며 열적으로 전도성 있는 히트싱크를 포함하는 패키징 소재;
    각 리드가 상기 패키징 소재의 내부에 배치된 일 단부와 상기 패키징 소재로부터 연장하는 다른 단부에서 다이부착 패드를 가지는 제1, 제2 및 제3의 길다란 리드;
    모두 상기 패키징 소재 내부에 배치되며, 그 상면에 하나 이상의 단자를 가지고 하면에 하나의 단자를 각각 가지며, 상기 단자들과 상기 히트싱크 사이에 전기적인 연결을 형성하기 위하여 상기 히트싱크의 표면들의 하나에 선이 없이 부착되는 제1 및 제2 다이오드들을 구비하며;
    상기 제1 다이오드는 상기 제1 리드의 다이부착 패드에 선이 없이 연결되며;
    상기 제2 다이오드는 상기 제2 리드의 다이부착 패드에 선이 없이 연결되며; 및
    상기 히트싱크는 상기 제3 리드에 선이 없이 연결되는 것을 특징으로 하는 패키지화된 반도체 조립체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드의 표면 영역의 적어도 반이 상기 제1 리드의 다이부착 패드에 의해 덮이도록 상기 제1 다이오드의 표면 영역은 상기 제1 리드의 다이부착 패드와 유사한 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 다이오드의 표면 영역의 적어도 반이 상기 제1 리드의 다이부착 패드에 의해 덮이도록 상기 제2 다이오드의 표면 영역은 상기 제2 리드의 다이부착 패드와 유사한 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드와 상기 제2 다이오드는 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 다이오드들은 제1의 땜납으로 상기 히트싱크의 표면들의 하나에 선이 없이 연결되며, 제2의 땜납을 사용하여 각각 제1 및 제2 리드들의 다이부착 패드들에 연결되며, 상기 제1 및 제2의 땜납은 10℃ 이상의 융점 차이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 조립체.
  10. 둘 이상의 다이들을 셋의 외부 리드들에 선이 없이 연결하기 위한 멀티칩 모듈로서:
    1 및 제2 표면들을 가지고 열적으로 및 전기적으로 전도성 있는 소재로 이루어진 히트싱크;
    각 다이는 상면에 하나 이상의 단자와 하면에 하나의 단자를 가지며 단자들과 상기 히트싱크 사이에 전기적인 연결을 형성하기 위하여 상기 히트싱크의 표면의 하나에 부착된 직렬로 연결된 제1 및 제2의 다이들;
    각 리드는 패키징 소재 내부에 배치된 일 단부와 상기 패키징 소재로부터 연장하는 다른 단부에서 다이 부착 패드를 가지는 세 개의 길다란 리드들을 구비하며;
    제1 리드는 상기 제1 다이로부터 그 다이부착 패드로 열이 전달되도록 상기 다이부착 패드를 상기 제1 다이에 연결시키며;
    제2 리드는 상기 제2 다이로부터 그 다이부착 패드로 열이 전달되도록 상기 다이부착 패드를 상기 제2 다이에 연결시키며;
    제3 리드는 그 다이부착 패드를 상기 히트싱크에 연결시켜서 상기 제1 리드는 상기 제1 다이로의 외부 연결을 제공하고, 상기 제2 리드는 상기 제2 다이로의 외부 연결을 제공하며, 상기 제3 리드는 상기 다이들의 하부면들 위에 단자들의 전기적인 연결부로 외부 연결을 제공하며; 및
    상기 패키징 소재는 리드들, 다이들 및 상기 히트싱크의 일 표면의 일부를 에워싸며 상기 다이들로부터 주위 사물들로 열을 전달하도록 상기 히트싱크의 다른 면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 히트싱크는 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 조립체.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이와 상기 제2 반도체 다이는 선이 없이 직렬로 부착되는 것을 특징으로 하는 조립체.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반도체 다이들은 다이오드들인 것을 특징으로 하는 조립체.
  14. 패키지화된 반도체 조립체의 형성방법으로서:
    제1 및 제2 표면들을 가지며 열적으로 및 전기적으로 전도성 소 소재를 포함하는 히트싱크 위에 제1의 전도성 접착제를 배치하는 단계;
    상면에 하나 이상의 단자와 하면에 하나의 단자를 가지며 단자들과 상기 히트싱크 사이에 전기적인 연결을 형성하기 위하여 제1의 전도성 접착제로 상기 히트싱크의 표면들의 하나에 부착되는 제1 및 제2 다이를 제1의 전도성 접착제로 상기 히트싱크에 장착하는 단계;
    상기 제1 및 제2의 다이들의 다른 표면 위에 제2의 전도성 접착제를 배치하는 단계;
    상기 제1 다이에 부착된 제1의 리드와, 상기 제2의 다이에 부착된 제2의 다이, 및 상기 히트싱크에 부착된 제3 리드를 포함하는 세 개의 길다란 리드들을 가진 리드 프레임을 상기 제2의 전도성 접착제로 상기 제1 및 제2의 다이들의 다른 표면에 장착하는 단계; 및
    상기 길다란 리드들이 상기 제1 다이, 제2 다이, 및 히트싱크에의 외부 연결을 제공하도록 에폭시 몰딩 합성체 내에 상기 제1 및 제2 다이들과 상기 길다란 리드들의 일부를 내장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지화된 반도체 조립체의 형성방법.
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