KR20090115663A - 서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 - Google Patents

서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 서셉터는 웨이퍼를 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 저면에 볼록부를 구비한 서셉터로서, 상기 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에 간극이 발생하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법{SUSCEPTER, APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 예를 들어 반도체 웨이퍼의 이면에서 가열하면서 표면에 반응 가스를 공급하여 성막을 실시하는 데 사용되고, 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 서셉터와, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에서의 에피택셜막의 형성 등에 사용되는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치에 있어서, 웨이퍼의 하방에 열원, 회전 기구를 구비하고, 상방으로부터 균일한 프로세스 가스를 공급하는 것이 가능한 이면 가열 방식이 사용되고 있다.
최근, 반도체 장치의 미세화, 고기능화에 따라 성막 공정에서의 금속 오염의 레벨에는 높은 수준이 요구되고 있다. 상술한 이면 가열 방식에 있어서는 웨이퍼의 하방에 열원, 회전 기구를 구비하고, 이들 열원, 회전 기구와 완전하게 분리되어 있지 않은 점에서 금속 원자의 확산, 이동에 의해 웨이퍼 오염이 발생하는 문제가 있다.
통상 웨이퍼는 성막장치(반응로) 내에서 서셉터에 의해 유지되고, 반송시에 는 서셉터에 설치된 핀 구멍을 관통하는 밀어 올림핀에 의해 상승 이동된다. 그 때문에, 특히 핀 구멍으로부터의 웨이퍼 오염을 차단하는 것이 곤란하다는 문제가 있다.
한편, 예를 들어 일본 공개 특허 공보 제2004-43302호 등에서 웨이퍼 온도 분포의 균일성을 도모하기 위해, 핀 구멍을 설치하지 않는 서셉터의 구조가 제안되어 있다. 그러나, 실제로 핀 구멍을 갖고 있지 않은 서셉터 구조로 하면, 웨이퍼를 설치할 때 웨이퍼 하부에 기체의 층이 형성되고 웨이퍼가 부상하므로, 안정적으로 유지하기 곤란하다. 또한, 웨이퍼를 가열하고 회전시켜 프로세스 가스를 공급함으로써 성막할 때, 이와 같은 불안정한 상태에서는 균일한 성막이 곤란하다. 그리고, 균일한 성막을 실시하기 위해서는 웨이퍼를 고속 회전시킬 필요가 있지만, 이와 같은 불안정한 상태에서는 고속 회전시에 웨이퍼가 서셉터의 설치 위치로부터 벗어날 가능성이 있고, 고속 회전에 의한 균일한 성막이 곤란해지는 문제가 있다.
상술한 바와 같이, 서셉터에 설치되는 핀 구멍으로부터의 오염을 차단하기 위해 핀 구멍을 설치하지 않는 서셉터 구조로 하면, 웨이퍼를 안정적으로 유지하고 균일하게 성막하기 곤란하다는 문제가 있다.
본 발명자들은 성막 공정에서의 금속 오염을 억제하고, 웨이퍼상에 균일하게 막을 제조할 수 있고, 수율의 저하를 억제하고 또한 반도체 장치의 신뢰성의 향상을 도모하는 것이 가능한 서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 앞서 일본에서 제안했다(일본 특허출원 제2007-235685호가 결합됨). 또한, 일본 특허출원 제2007-235685는 아직 공개되지 않았다.
상술한 미공개의 선출원(일본 특허출원 제2007-235685호)의 서셉터 구성은 웨이퍼의 직경보다 작고, 표면에 웨이퍼를 설치하기 위한 볼록부를 갖는 이너 서셉터와, 중심부에 개구부를 갖고, 이너 서셉터를 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상단에 설치되고, 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터를 구비하고 있다.
또한, 상술한 미공개의 선출원(일본 특허출원 제2007-235685호)의 반도체 제조 장치는 웨이퍼가 도입되는 반응로와, 반응로에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 기구와, 반응로로부터 프로세스 가스를 배출하기 위한 가스 배출 기구와, 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 웨이퍼를 설치하기 위한 볼록부를 갖는 이너 서셉터와, 중심부에 개구부를 갖고 이너 서셉터를 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상단에 설치되고, 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터와, 웨이퍼를 이너 서셉터 및 아우터 서셉터의 하부로부터 가열하기 위한 히터와, 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 기구와, 히터를 관통하고 이너 서셉터를 상하 구동시키기 위한 밀어 올림핀을 구비하고 있다.
상술한 미공개의 선출원(일본 특허출원 제2007-235685호)의 서셉터 및 반도체 제조 장치에 있어서, 성막 공정에서의 금속 오염을 억제할 수 있었지만, 온도 제어가 충분하지는 않고 성막되는 막두께에 편차가 발생하는 개선해야 할 점이 있었다.
본 발명은 온도 제어 가능한 서셉터 구성으로서 성막된 막두께의 편차를 매우 적게 하고, 생산성을 향상시킨 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명의 한 형태의 서셉터는 웨이퍼를 설치하기 위한 제 1 단부가 설치되고, 제 1 단부의 저면에 볼록부가 설치되어 있는 서셉터로서, 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서. 볼록부의 꼭대기면과 웨이퍼의 이면 사이에, 간극을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 서셉터는 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터와, 중심부에 개구부를 갖고 상기 이너 서셉터를 상기 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상부에 설치되고, 상기 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터를 갖는 서셉터로서, 상기 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에, 간극을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 형태의 반도체 제조 장치는 웨이퍼가 도입되는 반응로와, 상기 반응로에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 기구와, 상술한 반응로로부터 프로세스 가스를 배출하기 위한 가스 배출 기구와, 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터와, 중심부에 개구부를 갖고 상술한 이너 서셉터를 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상단에 설치되고 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터와, 웨이퍼를 상술한 이너 서셉터 및 상술한 아우터 서셉터의 하부로부터 가열하기 위한 히터와, 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 기구와, 상술한 히터를 관통하고 이너 서셉터를 상하 구동시키기 위한 밀어 올림핀을 구비하고, 상술한 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에, 간극을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 형태의 반도체 제조 방법은 반응로 내에 웨이퍼를 반입하여 반응로 내에 설치하는 단계; 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터를, 밀어 올림핀에 의해 상승시키고, 상술한 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에 간극을 갖도록 상기 이너 서셉터 상에 상기 웨이퍼를 설치하는 단계; 상기 밀어 올림핀을 하강시켜, 이너 서셉터를, 중심부에 개구부를 갖는 아우터 서셉터의 제 1 단부상에 상기 개구부를 차폐하도록 설치하는 단계; 웨이퍼를, 아우터 서셉터의 제 1 단부의 상단에 설치된 제 2 단부상에 설치하는 단계; 웨이퍼를 이너 서셉터 및 아우터 서셉터를 통하여 가열하는 단계; 웨이퍼를 회전시키는 단계; 및, 웨이퍼 상에 프로세스 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 성막된 막두께의 편차를 매우 적게 하고, 생산성을 향상시킨 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 제공한다.
이하 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 본 실시 형태의 서셉터의 단면도를 도시한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 서셉터(11)는 이너 서셉터(12,inner susceptor)와, 상기 이너 서셉터(12)와 분리 가능한 아우터 서셉터(13, outer susceptor)로 구성되어 있다.
이너 서셉터(12)는 도 2에 도시한 바와 같이 설치되는 웨이퍼(w)의 직경보다 작고 에지 부분에 단부(12a)가 설치되어 있다. 그리고, 그 상면에는 예를 들어 꼭대기면이 평탄한 원반 형상의 볼록부(12b)가 설치되어 있다. 이 원반 형상의 볼록부(12b)는 웨이퍼(w)가 설치된 상태에서, 상기 웨이퍼(w)의 이면과 볼록부(12b)의 꼭대기면(꼭대기면이 평탄부를 가짐) 사이에 간극(x)이 발생하도록 설치되어 있다. 그 간극(x)의 거리는 웨이퍼(w)의 가로 방향의 온도 분포에 따라 다르다. 도 2에서 이너 서셉터(12)의 중심이 되는 중심선을 Y-Y’로 나타내고 이너 서셉터(12)의 외주를 Z로 나타내고 있다.
또한, 서셉터(11)에서 웨이퍼(w)의 가로 방향의 온도 분포에 따라서는 고리형(링형)의 볼록부(12b)로 하고, 도 3과 같이 링 형상의 볼록부가 2중(12b-1, 12b-2), 또는 3중(도시하지 않음)으로 하여 웨이퍼(w)와의 거리를 조금씩 변화시키도록 구성해도 좋다. 또한, 도 4와 같이 볼록부(12b)의 원반 형상의 꼭대기면에 대해서, 평면이 아니라 곡률을 갖는 곡면과 같이 구성(12b-k)해도 좋고, 상기 원반 형상의 볼록부(12b)는 서셉터 본체와 일체로 형성되지 않고, 상기 원반 형상의 볼록부(12b)를 별개로 형성하는 예를 들어 도우넛과 같은 형상의 판을 형성하도록 해도 좋다. 그리고, 그 형상은 온도 분포에 따라 변화시키는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼(w)의 온도 분포에 대해서 본 발명의 경우(실선)와, 종래의 경우(점선)를 도 5에 나타낸다. 이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이 그 온도는 3℃ 이하로 제어 가능해진다. 본 발명과 같이 원반 형상의 볼록부(12b)를 설치하지 않는 소위 종래 구성의 서셉터에서는 중심부와 외주부의 온도차는 10℃ 이상 발생하고, 균일한 막두께를 얻는 것이 불가능한 경우가 많았다.
아우터 서셉터(13)는 도 6에 도시한 바와 같이, 중심부에 개구부(13a)가 설치되어 있고, 상기 개구부(13a)의 에지 부분에는 단부(13b, 13c, 13d)가 설치되어 있다. 하단의 단부(13b)에는 개구부(13a)를 차폐하도록, 이너 서셉터(12)가 설치되고 중간의 단부(13c)에 의해 웨이퍼(w)와의 사이에 예를 들어 0.2㎜ 정도의 미소 갭이 형성되고, 최상단의 단부(13d)에 웨이퍼(w)가 설치된다. 이 단부(13d)의 웨이퍼(w)의 베벨(bevel)부(wb)가 설치되는 부분에는, 예를 들어 22°의 베벨 테이퍼각과 거의 동등한 각도가 되도록 테이퍼(13e)가 형성되어 있다.
이상과 같이 서셉터 구성은 웨이퍼의 직경보다 작고, 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터와, 중심부에 개구부를 갖고 이너 서셉터를 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 제 1 단부의 상부에 설치되고 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터를 갖는 서셉터에 있어서, 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 볼록부의 꼭대기면과 웨이퍼의 이면 사이에 간극을 갖도록 구성되어 있다.
또한, 상술한 제 1 단부 또는 제 2 단부는 복수의 단부로 구성되는 것이 바람직하다.
이와 같은 서셉터(11)는 반도체 제조 장치 내에 설치되고, 이하와 같이 사용된다.
도 7에 반도체 제조 장치의 단면도를 도시한다. 도면에 도시한 바와 같이 웨이퍼(w)가 성막 처리되는 반응로(21)에는 반응로(21) 상방으로부터 프로세스 가스를 웨이퍼(w) 상에 정류판(22)을 통하여 공급하기 위한 가스 공급구(23)와, 반응로(21) 하방으로부터 프로세스 가스를 배출하기 위한 가스 배출구(24)가 설치되어 있다. 반응로(21)의 하방에는 반응로(21)의 외부에 구동 기구(도시하지 않음)를 갖고, 웨이퍼(w)를 회전시키기 위한 회전 기구(25)가 설치되어 있다. 그리고, 이 회전 기구(25)는 상술한 구성의 서셉터(11)와 아우터 서셉터(13) 외주부에서 접속되어 있다.
서셉터(11)의 하방에는 웨이퍼(w)를 가열하기 위한 인히터(26a)가 설치되고, 서셉터(11)와 인히터(26a) 사이에 웨이퍼(w)의 주연부를 가열하기 위한 아웃히터(26b)가 설치되어 있다. 이들 인히터(26a), 아웃히터(26b)는 온도 측정 기구(도시하지 않음)에 의해 측정되는 웨이퍼 온도에 기초하여 온도 제어 기구(도시하지 않음)에 의해 제어된다. 인히터(26a)의 하방에는 원반 형상의 리플렉터(27)가 설치되어 있다. 그리고, 인히터(26a), 리플렉터(27)를 관통하도록 이너 서셉터(12)를 상하로 이동시키기 위한 밀어 올림핀(28)이 설치되어 있다.
이와 같은 반도체 제조 장치를 사용하여 웨이퍼(w)상에 예를 들어 Si 에피택셜막이 형성된다. 우선, 도 8에 도시한 바와 같이 12인치의 웨이퍼(w)를, 외주 부분에서 반송암(29)에 의해 유지하여 반응로(21)에 반입한다. 그리고 밀어 올림 핀(28)에 의해 이너 서셉터(12)를 상승시킨다. 이 때, 웨이퍼(w)는 이너 서셉터(12)의 외측에서 반송암(29)에 의해 유지되어 있고, 이너 서셉터(12)를 상승시킴으로써 이너 서셉터(12) 상에 웨이퍼(w)가 설치된다. 그리고, 밀어 올림핀(28)에 의해 이너 서셉터(12)를 하강시킴으로써, 웨이퍼(w) 및 이너 서셉터(12)를 아우터 서셉터(13)에 유지시킨다.
이 때, 웨이퍼(w)는 이너 서셉터(12)의 볼록부(12b) 상에 배치되고, 웨이퍼(w) 하부와 이너 서셉터(12) 사이에는 간극이 형성된다. 이너 서셉터의 단부(12a)는 아우터 서셉터(13)의 단부(13b) 상에 설치되고, 웨이퍼(w)는 단부(13c)와의 사이에 미소 갭이 형성되고 단부(13d) 상에 설치된다.
다음에, 온도 측정 기구(도시하지 않음)에 의해 측정되는 웨이퍼(w)의 온도에 기초하여 온도 제어 기구(도시하지 않음)에 의해 인히터(26a), 아웃히터(26b)의 온도가 예를 들어 1400∼1500℃의 범위에서 적절하게 제어하고 웨이퍼(w)의 온도를 면내에서 균일하게 예를 들어 1100℃가 되도록 제어한다. 이 면내 균일성은 상술한 볼록부의 형상에 의존하지만, 도 2의 원반 형상의 볼록부에서는 ±2℃~3℃정도이다. 또한, 회전 기구(25)에 의해 웨이퍼(w)를 예를 들어 900rpm으로 회전시킨다.
그리고, 가스 공급구(23)로부터 예를 들어 캐리어 가스:H2를 20~100SLM, 성막 가스:SiHCl3를 50sccm~2SLM, 도펀트 가스:B2H6, PH3:미량으로 이루어진 프로세스 가스가, 정류판(22) 상에 도입되고, 정류 상태에서 웨이퍼(w) 상에 공급된다. 이 때, 반응로(21) 내의 압력은 가스 공급구(23), 가스 배출구(24)의 밸브를 조정함으로써, 예를 들어 1333Pa(10Torr)~상압(常壓)으로 제어된다. 이와 같이 하여 각 조건이 제어되고 웨이퍼(w) 상에 에피택셜막이 형성된다.
상술한 본 발명의 실시 형태의 서셉터, 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법을 사용함으로써 막 제조시의 온도 제어가 가능해지고, 성막된 막두께의 편차가 매우 적어지며, 더 나아가서는 생산성을 높이는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태의 서셉터 구성(이너 서셉터 자체를 밀어 올림핀으로 밀어 올리는 구성)으로 하면, 성막 공정에서의 금속 오염을 억제하는 것도 가능해진다.
또한, 상술한 바와 같이 하여 형성된 에피택셜막에서 SPV(Surface Photovoltage)법에 의해 Fe의 확산 거리를 측정했다. 측정 결과, 종래의 핀 구멍을 갖는 서셉터를 사용한 경우, 확산 거리가 불충분했던 데에 대해, 본 발명과 같이 핀 구멍을 설치하지 않는 서셉터를 사용한 경우, 확산 거리가 충분해지고(예를 들어 400㎛) 금속 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 단부(13d)는 웨이퍼(w)의 베벨 테이퍼각과 거의 동등한 테이퍼(13e)를 가지므로, 웨이퍼(w)를 베벨부(wb)에서 보다 안정시키는 것이 가능해진다. 또한, 단부(13c)에 의해 웨이퍼(w)와 아우터 서셉터(13) 사이에 미소갭을 형성할 수 있으므로 웨이퍼(w)에 휨 등이 발생한 경우에도 안정적으로 웨이퍼 외주 유지가 가능해진다. 그 결과, 웨이퍼상에 예를 들어 막두께의 편차가 0.5% 이하인 균일한 에피 택셜막을 형성하는 것이 가능해진다.
그리고, 소자 형성 공정 및 소자 분리 공정을 거쳐 반도체 장치가 형성될 때, 소자 특성의 편차를 억제하고 수율, 신뢰성의 향상을 도모하는 것이 가능해진다. 특히 N형 베이스 영역, P형 베이스 영역이나 절연 분리 영역 등에 수 10㎛~100㎛ 정도의 두꺼운 막의 성장이 필요한, 파워 MOSFET나 IGBT(절연 게이트형 바이폴라트랜지스터) 등의 파워 반도체 장치의 에피택셜 형성 공정에 적용됨으로써, 양호한 소자 특성을 얻는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에서 도 1에 도시한 바와 같이 이너 서셉터(12)와 아우터 서셉터(13)의 단부를 설치했지만 단수(段數), 단차(段差)는 적절히 설계할 수 있다. 또한, 각각 적절히 테이퍼를 갖고 있어도 좋다. 또한, 아우터 서셉터(13)만으로 구성 즉 이너 서셉터(12) 없이, 아우터 서셉터(13) 자체에 볼록부를 형성하도록 해도 상관없다.
예를 들어 서셉터(11)에서 이너 서셉터(12), 아우터 서셉터(13)의 끼워 맞춤부를 각각 2단으로 해도 좋다. 이와 같이 다단으로 함으로써 서셉터 이면측으로부터 오염 물질의 통과를 억제하고, 웨이퍼의 금속 오염을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태에서는 Si 단결정층(에피택셜 성장층) 형성의 경우를 설명했지만, 폴리 Si층 형성시에도 적용되는 것도 가능하다. 또한, 다른 화합물 반도체, 예를 들어 GaAs층, GaAlAs나 InGaAs 등에도 적용 가능하다. 또한, SiO2막이 나 Si3N4막 형성의 경우에도 적용 가능하고, SiO2막의 경우 모노실란(SiH4) 외에 N2, O2, Ar가스를, Si3N4막의 경우 모노실란(SiH4) 외에 NH3, N2, O2, Ar 가스 등이 공급된다. 그 밖에 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.
본 발명의 추가적인 이점 및 변형은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 여기에 기재된 구체적인 사항이나 대표적인 실시예에 한정되지 않는다. 따라서, 첨부된 특허청구범위와 그 균등물에 의해 정의된 본 발명의 일반적인 발명의 사상의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 형태에서의 서셉터의 단면도,
도 2는 본 발명의 한 형태에서의 이너 서셉터의 단면도,
도 3은 본 발명의 한 형태에서의 다른 이너 서셉터의 단면도,
도 4는 본 발명의 한 형태에서의 또 다른 이너 서셉터의 단면도.
도 5는 본 발명의 한 형태에서의 웨이퍼의 면내 온도 분포를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 한 형태에서의 아우터 서셉터의 단면도,
도 7은 본 발명의 한 형태에서의 반도체 제조 장치의 단면도, 및
도 8은 본 발명의 한 형태에서의 반도체 제조 장치의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11: 서셉터 12: 이너 서셉터
12a: 단부 12b: 볼록부
13: 아우터 서셉터 13a: 개구부
13b, 13c, 13d: 단부 13e: 테이퍼
21: 반응로 22: 정류판
23: 가스 공급구 24: 가스 배출구
25: 회전 기구 26a: 인히터
26b: 아웃히터 27: 리플렉터
28: 밀어 올림핀 29: 반송암

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 설치하기 위한 제 1 단부와,
    상기 제 1 단부의 저면에 볼록부를 구비한 서셉터에 있어서,
    상기 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에, 간극이 발생하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  2. 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터와,
    중심부에 개구부를 갖고 상기 이너 서셉터를 상기 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상부에 설치되고 상기 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터를 구비한 서셉터에 있어서,
    상기 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에 간극이 발생하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 이너 서셉터의 표면의 볼록부는 중앙부가 높고 주변부가 낮게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 서셉터.
  4. 웨이퍼가 도입되는 반응로,
    상기 반응로에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 기구,
    상기 반응로로부터 상기 프로세스 가스를 배출하기 위한 가스 배출 기구,
    상기 웨이퍼의 직경보다 작고 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터,
    중심부에 개구부를 갖고, 상기 이너 서셉터를 상기 개구부가 차폐되도록 설치하기 위한 제 1 단부와, 상기 제 1 단부의 상단에 설치되고, 상기 웨이퍼를 설치하기 위한 제 2 단부를 갖는 아우터 서셉터,
    상기 웨이퍼를 상기 이너 서셉터 및 상기 아우터 서셉터의 하부로부터 가열하기 위한 히터,
    상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 기구, 및
    상기 히터를 관통하고, 상기 이너 서셉터를 상하 구동시키기 위한 밀어 올림핀을 구비하고,
    상기 볼록부의 꼭대기면이 웨이퍼를 설치한 상태에서, 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에, 간극을 갖도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 반응로 내에 웨이퍼를 반입하는 단계;
    상기 반응로 내에 설치되고 상기 웨이퍼의 직경보다 작고, 표면에 볼록부를 갖는 이너 서셉터를, 밀어 올림핀에 의해 상승시키고 상기 볼록부의 꼭대기면과 상기 웨이퍼의 이면 사이에, 간극을 갖도록 상기 이너 서셉터 상에 상기 웨이퍼를 설 치하는 단계;
    상기 밀어 올림핀을 하강시키고, 상기 이너 서셉터를 중심부에 개구부를 갖는 아우터 서셉터의 제 1 단부 상에 상기 개구부를 차폐하도록 설치하고 또한 상기 웨이퍼를, 상기 아우터 서셉터의 상기 제 1 단부의 상단에 설치된 제 2 단부 상에 설치하는 단계;
    상기 웨이퍼를, 상기 이너 서셉터 및 상기 아우터 서셉터를 통하여 가열하는 단계;
    상기 웨이퍼를 회전시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼 상에 프로세스 가스를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
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