JP6287778B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法に関する。

気相成長法によりエピタキシャル層を成長させるシリコン単結晶基板の表面に原料ガスを導入してエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハが知られる。このようなエピタキシャルウェーハの製造条件として、例えば、特許文献１〜４には種々の製造条件が開示される。通常のエピタキシャルウェーハでは、原料ガスの濃度を１×１０^−４〜１×１０^−２ｍоｌ／ｌにし、気相成長中の反応温度を９５０〜１１５０度にして２μｍ以上のエピタキシャル層を形成するのが一般的である。

原料ガスが上記範囲より低濃度になるとエピタキシャル層の成長速度が遅く生産性が低下し、上記範囲より高濃度になるとエピタキシャル層中の欠陥が増加する。また、気相成長中の反応温度が上記範囲より低温になるとエピタキシャル層中の欠陥が増加し、上記範囲より高温になるとスリップの発生や原料ガスの気相反応の影響が強まり、製造条件として相応しくない。よって、上記のような原料ガスの濃度、反応温度でエピタキシャル成長がなされる。

特公平０６−３８４０３号公報 特開２０００−１００７３７号公報 特開２００５−１８３５１０号公報 特開平１０−２０９０５４号公報

近年、直径３００ｍｍ以上のシリコンウェーハを用いて作製されたエピタキシャルウェーハが微細化された電子デバイスに広く使用されることにともない、エピタキシャルウェーハの平坦度の改善が求められている。

このエピタキシャルウェーハの平坦度を悪化させる要因として、ウェーハの表面上における結晶方位の違いより生じる成長速度差が注目される。例えば、主表面が（１００）のシリコンウェーハにエピタキシャル層（シリコン層）を成長させる場合を考える。このシリコンウェーハの主表面を上から見て、そのウェーハの中心から外周に向かう＜１００＞方向（結晶方位の基準）におけるウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の成長速度が遅くなる。その一方で、その結晶方位の基準（＜１００＞方向）から、そのウェーハの中心を軸に４５度ずれた＜１１０＞方向におけるウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の成長速度が大きくなる。よって、エピタキシャルウェーハの周縁部では、＜１００＞方向と＜１１０＞方向の間でエピタキシャル層の膜厚の高低差が増大し、エピタキシャルウェーハの平坦度を悪化させる。これと同様の現象は、主表面が（１１０）のシリコンウェーハでも生じる。

この結晶方位の違いにより生じるエピタキシャル層の成長速度差は、例えば直径３００ｍｍ以上のエピタキシャルウェーハでは、次のような領域で特に顕著に現れる。エピタキシャルウェーハの外周端からそのウェーハの中心に向けて内側に２ｍｍ入った幅２ｍｍの環状領域（ウェーハの周縁部）で成長速度差が顕著となり、ウェーハの平坦度（サイトフラットネス）に影響を及ぼす。また、気相成長中の反応温度や原料ガス濃度として、従来一般的とされた上述の気相成長中の温度範囲や原料ガスの濃度範囲でもエピタキシャル層の成長速度差が生じ、エピタキシャルウェーハの平坦度に影響を及ぼしている。

本発明の課題は、結晶方位の違いにより生じるエピタキシャル層の成長速度差を低減するとともに、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段及び発明の効果

本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、
主表面が（１００）又は（１１０）のシリコンウェーハに原料ガスを導入してシリコン層をエピタキシャル成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
温度を９５０〜１１５０度、原料ガスのガス濃度を１．０×１０^−４〜１．０×１０^−２ｍоｌ／ｌの範囲にするとともに、圧力を２００ｔоｒｒ以下にしてエピタキシャル成長をすることを特徴とする。

本発明者は、エピタキシャル成長時におけるウェーハ（成長用基板）の周縁部で発生するエピタキシャル層の成長速度差を低減させるため、様々な条件でエピタキシャルウェーハを作製して成長速度差を調査した。この成長速度差を調査するにあたり、主表面が（１００）のシリコンウェーハを上から見て、その外周から中心に向けて２ｍｍ内側に入った環状地点におけるエピタキシャル層（シリコン層）の膜厚の最大値をＴ１とした。また、Ｔ１の地点をウェーハの中心回りに±４５度回転した移動地点の膜厚平均値をＴ２とし、移動地点をウェーハの中心に向けて３ｍｍ移動した地点の膜厚平均値をＴ３とした。そして、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３によりエピタキシャル層の成長速度差を定義した。その結果、成長速度差が０．５％より大きくなると、エピタキシャルウェーハに求められる近年の平坦度の要求に悪影響を及ぼすことが分かった。

この成長速度差を０．５％以下に低減させるためには、一般的とされる原料ガスの濃度（１×１０^−４〜１×１０^−２ｍоｌ／ｌ）、エピタキシャル成長中の反応温度（９５０〜１１５０度）を次のように調整すればよい。具体的には、上記範囲内でガス濃度を低濃度にするとともに、反応温度を高くすることで成長速度差を０．５％以下に低減させることは可能である。しかし、単に反応温度と原料ガスのガス濃度のみを調整すると、ウェーハの周縁部の膜厚が全体的に厚くなる傾向があり、エピタキシャルウェーハにおける近年の平坦度の要求を満足するものではない。

よって、本発明者は、成長用基板の周縁部に形成されたエピタキシャル層の膜厚変動を成長速度差とともに定義し、近年における平坦度の要求を満たすエピタキシャルウェーハを調査した。このような調査にあたり、シリコンウェーハの（１００）主表面を上から見て、エピタキシャル層の外周からその中心に向けて２ｍｍ内側に入った第１環状地点のエピタキシャル層の膜厚平均値をＴ４とした。同様に、エピタキシャル層の外周からその中心に向けて５ｍｍ内側に入った第２環状地点の膜厚平均値をＴ５とした。そして、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５によりエピタキシャル層の周縁部の膜厚変動を定義した。その結果、常圧でエピタキシャル成長を行うと、成長速度差の低減と膜厚変動の低減を両立するのは困難であるとの事実に本発明者は直面した。

この事実に直面した本発明者は、エピタキシャル成長における成長条件について試行錯誤する中で、エピタキシャル成長における圧力（反応炉内の圧力）が成長速度差と膜厚変動に大きく影響を与えるとの知見を得た。そして、更に鋭意検討を重ねた結果、反応炉内を低圧にすることで成長速度差と膜厚変動の低減を両立できるとの結論に到達した。

具体的には、温度を９５０〜１１５０度、原料ガスのガス濃度を１．０×１０^−４〜１．０×１０^−２ｍоｌ／ｌの範囲にするとともに、圧力を２００ｔоｒｒ以下にしてエピタキシャル成長をすることで、成長速度差と膜厚変動の低減できる。

本発明の実施態様では、シリコンウェーハの主表面が（１００）であり、
シリコン層の外周から中心に向けて２ｍｍ内側に入った第１環状地点のシリコン層の膜厚最大値をＴ１とし、主表面を上から見てＴ１の地点を中心回りに±４５度回転した移動地点のシリコン層の膜厚平均値をＴ２とし、移動地点を中心に向けて３ｍｍ移動した地点の膜厚平均値をＴ３とし、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３で定義したシリコン層の成長速度差が０．５％以下であり、
第１環状地点の膜厚平均値をＴ４とし、第１環状地点から中心に向けて３ｍｍ内側に入った第２環状地点の膜厚平均値をＴ５とし、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５で定義したシリコン層の周縁部の膜厚変動の絶対値が１．３％以下にできる。そのため、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを提供できる（良好なフラットネス品質を達成できる）。

また、本発明の別の実施態様では、シリコンウェーハの主表面が（１１０）であり、
シリコン層の外周から中心に向けて２ｍｍ内側に入った第１環状地点のシリコン層の膜厚最大値をＴ１とし、主表面を上から見てＴ１の地点を中心回りに±９０度回転した移動地点のシリコン層の膜厚平均値をＴ２とし、移動地点を中心に向けて３ｍｍ移動した地点の膜厚平均値をＴ３とし、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３で定義したシリコン層の成長速度差が０．５％以下であり、
第１環状地点の膜厚平均値をＴ４とし、第１環状地点から中心に向けて３ｍｍ内側に入った第２環状地点の膜厚平均値をＴ５とし、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５で定義したシリコン層の周縁部の膜厚変動の絶対値が１．３％以下にできる。そのため、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを提供できる（良好なフラットネス品質を達成できる）。

更に、本発明の実施態様では、原料ガスはトリクロロシラン又はジクロロシランを有する。また、シリコンウェーハの直径が３００ｍｍ以上であると膜厚変動及び成長速度差を低減するのに効果的である。

本発明に使用する気相成長装置の一例を示す模式部分断面図。 主表面が（１００）のシリコンウェーハにおける結晶方位（＜１００＞方向と＜１１０＞方向）を示すシリコンウェーハの主表面を上から見た平面模式図。 主表面が（１１０）のシリコンウェーハにおける結晶方位（＜１００＞方向と＜１１０＞方向）を示すシリコンウェーハの主表面を上から見た平面模式図。 エピタキシャルウェーハにおけるエピタキシャル層の膜厚を測定した測定箇所を示すエピタキシャルウェーハの平面模式図。 実施例１と比較例１におけるエピタキシャル層の成長速度差とエピタキシャル層の膜厚変動を百分率（％）で示した表。 実施例２と比較例２におけるエピタキシャル層の成長速度差とエピタキシャル層の膜厚変動を百分率（％）で示した表。 実施例３と比較例３におけるエピタキシャル層の成長速度差とエピタキシャル層の膜厚変動を百分率（％）で示した表。 実施例４と比較例４におけるエピタキシャル層の成長速度差とエピタキシャル層の膜厚変動を百分率（％）で示した表。

図１は本発明で使用される一例の枚葉式の気相成長装置１を示す。気相成長装置１により、シリコン単結晶ウェーハ上にシリコン単結晶膜（エピタキシャル層）が気相成長され、シリコンエピタキシャルウェーハが製造される。シリコン単結晶基板としては、主表面が（１００）又は（１１０）のシリコンウェーハが用いられ、主表面にエピタキシャル層が形成される。

気相成長装置１は、透明石英部材やステンレス等の金属部材等から構成された反応炉２（気相成長炉）を備える。反応炉２の内部にはサセプタ３と、サセプタ３を支持する支持部４と、支持部４を通じてサセプタ３を駆動させる駆動部５を備える。

サセプタ３はエピタキシャル層を気相成長させる成長用基板Ｗ（例えばシリコン単結晶ウェーハ）を略水平に支持するように円盤状に形成され、表面には凹状に窪んだポケット部３ａが備わる。ポケット部３ａは、成長用基板Ｗの直径（例えば３００ｍｍ）より少し大きく、基板Ｗの厚みと同程度の深さにサセプタ３の上面からくり貫かれるように形成される。

支持部４はサセプタ３の裏面側からサセプタ３を略水平に支持するように配置され、鉛直方向に伸びる支柱４ａと、支柱４ａの上部から斜め上方に延びて先端がサセプタ３裏面の周縁部に接続するアーム４ｂを備える。

支柱４ａの下部には駆動部５が接続され、駆動部５は支柱４ａを上下動、軸線Ｏ（鉛直方向）回りに回転駆動させることが可能なモーター等である。駆動部５により支柱４ａが軸線Ｏ回りに回転するとサセプタ３も回転し、駆動部５により支柱４ａが上下動するとサセプタ３も上下動する。

反応炉２の水平方向における一端側には、反応炉２内に各種のガスを略水平に導入するガス導入管６が接続される。ガス導入管６は反応炉２内に通じるガス導入口６ａから反応炉２内にガスを導入する。ガス導入管６は、気相成長時にはガス導入口６ａから反応炉２内に気相成長ガスＧを導入する。気相成長ガスＧは、シリコン単結晶薄膜の原料となる原料ガスと、原料ガスを希釈するキャリアガスと、薄膜に導電型を付与するドーパントガスを含む。例えば、原料ガスとしてはトリクロロシラン（ＴＣＳ）又はジクロロシラン（ＤＣＳ）等のシラン系ガス、キャリアガスとしては水素ガス、ドーパントガスとしてはボロンやリンを含むガスが用いられる。

ガス導入管６の他端側には、反応炉２内からガス（成長用基板Ｗを通過した気相成長ガスＧ等）を排出するガス排出管７が接続される。ガス排出管７は、反応炉２内に通じるガス排出口７ａから反応炉２内に導入された気相成長ガスＧ等を反応炉２の外に排出する。

反応炉２の上下には、気相成長時に反応炉２内を加熱して反応炉２内の温度を調整できるヒーター８が備わる。

気相成長時に反応炉２内に導入する原料ガスのガス濃度、気相成長時の反応炉２内の反応温度、気相成長時の反応炉２内の圧力は図示しない制御部により制御される。気相成長時には、制御部により反応炉２内の温度（反応温度）、反応炉２内の原料ガスのガス濃度及び反応炉２内の圧力が調整される。例えば、気相成長時には、反応炉２内の反応温度が９５０〜１１５０度の範囲、原料ガスのガス濃度が１．０×１０^−４〜１．０×１０^−２ｍоｌ／ｌの範囲に調整され、反応炉２内の圧力が２００ｔоｒｒ以下に減圧される。

以上のように構成された気相成長装置１により成長用基板Ｗ（シリコンウェーハ）上にエピタキシャル層（シリコン層）を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。主表面が（１００）のシリコンウェーハにシリコン層を気相成長する場合、シリコンウェーハ上の特定の箇所でシリコン層の成長速度の差が顕著となる。図２Ａは、主表面が（１００）のシリコンウェーハを上から見た模式平面図を示し、図２Ａを用いてエピタキシャル層（シリコン層）の成長速度差を説明する。図２Ａに示すようにシリコンウェーハの中心から外周に向かう＜１００＞方向におけるウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の成長速度が遅くなる。その一方で、＜１００＞方向からウェーハの中心を軸に角度θ（４５度）ずれた＜１１０＞方向におけるウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の成長速度が大きくなる。よって、＜１１０＞方向のウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の膜厚が増大するのに対し、＜１００＞方向のウェーハの周縁部ではエピタキシャル層の膜厚が減少する。それ故、エピタキシャルウェーハの周縁部では、＜１００＞方向と＜１１０＞方向の間でエピタキシャル層の膜厚の高低差が増大し、エピタキシャルウェーハの平坦度を悪化させる。

同様の現象は主表面が（１１０）のシリコンウェーハにエピタキシャル層（シリコン層）を気相成長する場合でも生じる。但し、シリコンウェーハの主表面が（１１０）であるため、図２Ｂに示すように＜１００＞方向と＜１１０＞方向はウェーハの中心回りに角度α（９０度）ずれる。

本発明者の知見によると、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを作製するには、シリコンウェーハの周縁部におけるエピタキシャル層の成長速度差及び膜厚変動を両方とも低減させる必要がある。この成長速度差と膜厚変動は次のように定義される。

図３に示すように主表面が（１００）のシリコンウェーハの外周Ｃから中心Ｃ０に向けて２ｍｍ内側に入った環状地点Ｃ１におけるエピタキシャル層の膜厚の最大値をＴ１（Ｔ１の地点をＰ_Ｔ１）とした。また、シリコンウェーハを主表面から見てＴ１の地点Ｐ_Ｔ１をそのウェーハの中心Ｃ０回りに±４５度（シリコンウェーハの主表面が（１１０）ならば±９０度）回転した移動地点Ｐ１、Ｐ２の膜厚平均値をＴ２とした。更に、移動地点Ｐ１、Ｐ２を中心Ｃ０に向けて３ｍｍ移動した地点Ｐ３、Ｐ４の膜厚平均値をＴ３とした。そして、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３によりエピタキシャル層の成長速度差Ｄ１を定義した。なお、膜厚平均値Ｔ２、Ｔ３はいずれもエピタキシャル層（シリコン層）の膜厚の平均値である。

また、第１環状地点Ｃ１のエピタキシャル層の膜厚平均値をＴ４とし、外周Ｃから中心Ｃ０に向けて５ｍｍ（第１環状地点Ｃ１から中心Ｃ０に向けて３ｍｍ）内側に入った第２環状地点Ｃ２の膜厚平均値をＴ５とした。そして、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５によりエピタキシャル層の周縁部の膜厚変動Ｄ２を定義した。

本発明者の知見によれば、従来一般的とされたエピタキシャル成長中の原料ガスの濃度（１×１０^−４〜１×１０^−２ｍоｌ／ｌ）及び反応温度（９５０〜１１５０度）では、成長速度差Ｄ１と膜厚変動Ｄ２を低減させることが難しい。そこで、本発明者は、エピタキシャル成長時の圧力（反応炉２内の圧力）を調整することで、成長速度差Ｄ１と膜厚変動Ｄ２（膜厚変動の絶対値）をともに低減させ、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを作製できることを見出した。

本発明の効果を確認するために以下に示す実験を行った。

（実施例）
実施例では、気相成長装置１により直径３００ｍｍのＰ型シリコン単結晶ウェーハ上にシリコン層を成膜し、シリコンエピタキシャルウェーハを作製した。そして、作製したエピタキシャルウェーハの成長速度差Ｄ１と膜厚変動Ｄ２を測定し、成長速度差Ｄ１と膜厚変動Ｄ２を百分率（％）で表した。即ち、測定した成長速度差Ｄ１及び膜厚変動Ｄ２の値にそれぞれ１００を乗じた値を成長速度差の測定値、膜厚変動の測定値とした。

実施例１では、主表面が（１００）のシリコン単結晶ウェーハを用いるとともに、原料ガスにＴＣＳを用いてエピタキシャル成長を行った。また、エピタキシャル成長中の原料ガスのガス濃度を９．４×１０^−４ｍоｌ／ｌ、反応温度を１０８０度、及び反応炉２内の圧力を２００ｔоｒｒにしてエピタキシャル成長を行った。同様に反応炉２内の圧力を１００ｔоｒｒにした状態でもエピタキシャルウェーハを作製した。反応炉２内の圧力が２００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４９％、膜厚変動が−１．１８％となった。また、反応炉２内の圧力が１００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４２％、膜厚変動が−０．８０％となった。

実施例２では、実施例１の原料ガスをＴＣＳからＤＣＳに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハの作製を行った。反応炉２内の圧力が２００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４７％、膜厚変動が−１．１４％となった。また、反応炉２内の圧力が１００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４１％、膜厚変動が−０．７８％となった。

実施例３では、実施例１の主表面が（１００）のシリコン単結晶ウェーハを主表面が（１１０）のシリコン単結晶ウェーハに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハの作製を行った。反応炉２内の圧力が２００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４８％、膜厚変動が−１．２５％となった。また、反応炉内の圧力が１００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．３９％、膜厚変動が−０．８８％となった。

実施例４では、実施例３の原料ガスをＴＣＳからＤＣＳに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハの作製を行った。反応炉２内の圧力が２００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．４８％であり、膜厚変動が−１．２２％となった。また、反応炉２内の圧力が１００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．３９％、膜厚変動が−０．８５％となった。

（比較例）
比較例として、反応炉２内の圧力以外は、実施例１〜４と同様にしてシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。比較例１では、実施例１の反応炉２内の圧力２００ｔоｒｒ、１００ｔоｒｒを７６０ｔоｒｒ、４００ｔоｒｒに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハを作製した。反応炉２内の圧力が７６０ｔоｒｒでは、成長速度差が１．３２％、膜厚変動が−１．９４％となった。また、反応炉２内の圧力が４００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．６２％、膜厚変動が−１．６４％となった。

比較例２では、実施例２の反応炉２内の圧力２００ｔоｒｒ、１００ｔоｒｒを７６０ｔоｒｒ、４００ｔоｒｒに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハを作製した。反応炉２内の圧力が７６０ｔоｒｒでは、成長速度差が１．２４％、膜厚変動が−１．９５％となった。また、反応炉２内の圧力が４００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．６０％であり、膜厚変動が−１．６１％となった。

比較例３では、実施例３の反応炉２内の圧力２００ｔоｒｒ、１００ｔоｒｒを７６０ｔоｒｒ、４００ｔоｒｒに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハを作製した。反応炉２内の圧力が７６０ｔоｒｒでは、成長速度差が１．２２％、膜厚変動が−１．９８％となった。また、反応炉２内の圧力が４００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．６１％、膜厚変動が−１．７１％となった。

比較例４では、実施例４の反応炉２内の圧力２００ｔоｒｒ、１００ｔоｒｒを７６０ｔоｒｒ、４００ｔоｒｒに代える以外は同じ条件でエピタキシャルウェーハを作製した。反応炉２内の圧力が７６０ｔоｒｒでは、成長速度差が１．１８％、膜厚変動が−１．９８％となった。また、反応炉２内の圧力が４００ｔоｒｒでは、成長速度差が０．６１％、膜厚変動が−１．７０％となった。

図４Ａ〜Ｄは、実施例１〜４と比較例１〜４の成長速度差Ｄ１と膜厚変動Ｄ２を示す。図４Ａでは、実施例１と比較例１が対となったデータが示される。図４Ｂでは実施例２と比較例２、図４Ｃでは実施例３と比較例３、図４Ｄでは実施例４と比較例４が対となったデータが示される。図４Ａ〜Ｄに示すように反応炉２内の圧力を２００ｔоｒｒ以下にすることで成長速度差が０．５％以下であるとともに、膜厚変動の絶対値が１．３％以下となり、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを提供できる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１ 気相成長装置 ２ 反応炉
３ サセプタ ４ 支持部
５ 駆動部 Ｏ 軸線
Ｗ 成長用基板 Ｃ 外周
Ｃ０ 中心 Ｃ１ 第１環状地点
Ｃ２ 第２環状地点

Claims (4)

1. 主表面が（１００）のシリコンウェーハに原料ガスを導入してシリコン層をエピタキシャル成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
   温度を９５０〜１１５０度、前記原料ガスのガス濃度を１．０×１０^−４〜１．０×１０^−２ｍｏｌ／ｌの範囲にするとともに、圧力を２００ｔｏｒｒ以下にして前記エピタキシャル成長をし、
   前記シリコン層の外周から中心に向けて２ｍｍ内側に入った第１環状地点の前記シリコン層の膜厚最大値をＴ１とし、前記主表面を上から見て前記Ｔ１の地点を前記中心回りに±４５度回転した移動地点の前記シリコン層の膜厚平均値をＴ２とし、前記移動地点を前記中心に向けて３ｍｍ移動した地点の前記膜厚平均値をＴ３とし、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３で定義した前記シリコン層の成長速度差が０．５％以下であり、
   前記第１環状地点の前記膜厚平均値をＴ４とし、前記第１環状地点から前記中心に向けて３ｍｍ内側に入った第２環状地点の前記膜厚平均値をＴ５とし、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５で定義した前記シリコン層の周縁部の膜厚変動の絶対値が１．３％以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
2. 主表面が（１１０）のシリコンウェーハに原料ガスを導入してシリコン層をエピタキシャル成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
   温度を９５０〜１１５０度、前記原料ガスのガス濃度を１．０×１０ ^−４ 〜１．０×１０ ^−２ ｍｏｌ／ｌの範囲にするとともに、圧力を２００ｔｏｒｒ以下にして前記エピタキシャル成長をし、
   前記シリコン層の外周から中心に向けて２ｍｍ内側に入った第１環状地点の前記シリコン層の膜厚最大値をＴ１とし、前記主表面を上から見て前記Ｔ１の地点を前記中心回りに±９０度回転した移動地点の前記シリコン層の膜厚平均値をＴ２とし、前記移動地点を前記中心に向けて３ｍｍ移動した地点の前記膜厚平均値をＴ３とし、（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ３で定義した前記シリコン層の成長速度差が０．５％以下であり、
   前記第１環状地点の前記膜厚平均値をＴ４とし、前記第１環状地点から前記中心に向けて３ｍｍ内側に入った第２環状地点の前記膜厚平均値をＴ５とし、（Ｔ４−Ｔ５）／Ｔ５で定義した前記シリコン層の周縁部の膜厚変動の絶対値が１．３％以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
3. 前記原料ガスはトリクロロシラン又はジクロロシランを有する請求項１又は２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
4. 前記シリコンウェーハの直径が３００ｍｍ以上である請求項１ないし３のいずれか１項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。

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