CN111066138A - 基板放置单元及基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板支撑装置及基板处理设备。该基板支撑装置，即基板处理设备的基板支撑装置可以包括：圆盘；以及从圆盘的中心径向布置的多个基板支撑部，基板由多个基板支撑部中的每个基板支撑部支撑。多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面可以比圆盘的上表面更向上突出。

Description

基板放置单元及基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种基板处理设备，该基板处理设备在基板上执行包括沉积工艺、蚀刻工艺等的处理工艺。
背景技术
通常，应该在用于制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等的基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案。为此，在基板上执行处理工艺，该处理工艺的示例包括在基板上沉积包括特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺、通过使用光敏材料选择性地暴露一部分薄膜的光学工艺、去除薄膜的选择性暴露的部分以形成图案的蚀刻工艺等。通过基板处理设备在基板上执行该处理工艺。
图1是示意性示出现有技术的基板处理设备的一部分的、侧视剖视图。
参照图1，在现有技术的基板处理设备10中安装有腔室11、圆盘12以及分配单元(未示出)，腔室11提供装载并处理基板S的空间，多个基板S安装在圆盘12上并由圆盘12支撑，分配单元将气体朝向圆盘12分配。圆盘12安装在腔室11中。分配单元将气体分配到基板S，因此，在由圆盘12支撑的基板S上执行处理工艺。
这里，在现有技术的基板处理设备10中，基板S的上表面S1被设置在与圆盘12的上表面121相同的平面上。也就是说，基板S的上表面S1和圆盘12的上表面121被设置在相同的高度。因此，在现有技术的基板处理设备10中，气体不能经由圆盘12与腔室11之间的空间顺畅地排出，从而导致已经进行包括沉积工艺、蚀刻工艺等的处理工艺的薄膜的质量的降低。
发明内容
技术问题
为了实现上述目的，本发明可以包括下述元件。
根据本发明的基板支撑装置，基板处理设备的基板支撑装置可以包括：圆盘；以及多个基板支撑部，所述多个基板支撑部从圆盘的中心径向布置，基板通过所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部支撑。多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面可以比圆盘的上表面更向上突出。
根据本发明的基板处理设备可以包括：腔室；气体分配单元，所述气体分配单元将处理气体供应到腔室的内部；以及基板支撑装置，多个基板由所述基板支撑装置支撑。基板支撑装置可以包括圆盘和从圆盘的中心径向布置的多个基板支撑部。多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面可以比圆盘的上表面更向上突出。
技术方案
本发明旨在解决上述问题，并提供一种基板支撑装置和基板处理设备，该基板支撑装置和基板处理设备能够顺畅地排出供应到腔室内部的气体。
有益效果
根据本发明，可以获得如下效果。
本发明被实现为顺畅地排出处理气体，因此，能够减少在用于在基板上执行的处理工艺之后残留的处理气体的量，从而提高已经进行了包括沉积工艺、蚀刻工艺等的处理工艺的薄膜的质量。
附图说明
图1是示意性示出现有技术的基板处理设备的一部分的侧视剖视图。
图2是根据本发明的基板处理设备的示意性分解立体图。
图3是根据本发明的基板处理设备的示意性侧视剖视图。
图4是示意性示出根据本发明的基板处理设备的一部分的、侧视剖视图。
图5是根据本发明的基板处理设备中的圆盘和基板支撑部中的每一者的概念俯视图。
图6是根据本发明的基板处理设备中的基板支撑部和圆盘中的每一者的示意性分解侧视剖视图。
图7和图8是示出图6的放大部分A的用于描述定心功能的示意性侧视剖视图。
图9和图10是用于描述根据本发明的基板处理设备中的对准部的概念俯视图。
图11和图12是示意性示出根据本发明的变型实施例的基板处理设备的一部分的、侧视剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的基板处理设备的实施例。根据本发明的基板支撑装置可以被包括在根据本发明的基板处理设备中，因此，将在描述根据本发明的基板处理设备的实施例的同时一起描述基板支撑装置。
参照图2至图4，根据本发明的基板处理设备1在基板S上执行处理工艺。例如，根据本发明的基板处理设备1可以执行在基板S上沉积薄膜的沉积工艺以及去除在基板S上沉积的薄膜的一部分的蚀刻工艺中的至少一个。例如，根据本发明的基板处理设备1可以执行诸如化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺的沉积工艺。根据本发明的基板处理设备1包括腔室2、气体分配单元3和基板支撑装置4。
参照图2和图3，腔室2提供执行处理工艺的处理空间。气体分配单元3可以耦接到腔室2。
腔室2可以包括上表面开放的主体21和耦接到该主体21的开放的上端面的盖22。主体21和盖22可以彼此耦接并且可以分别设置在相对较下部(DD箭头方向)和相对较上部(UD箭头方向)。因此，腔室2的下部可以对应于主体21，并且腔室2的上部可以对应于盖22。盖22可以耦接到主体21并且可以密封处理空间。盖22和腔室2可以各自设置为如图2所示的圆柱形结构，但不限于此，盖22和腔室2可以各自设置为椭圆结构、多边形结构等。
可以在腔室2中安装用于排出残留在处理空间中的气体等的排出口23。排出口23可以安装在腔室2的主体21中。
可以在腔室2中设置基板入口24。基板入口24是基板S移入/移出的路径。基板S可以经由基板入口24被装载到腔室2中并且可以被卸载到腔室2的外部。基板入口24可以通过打开/关闭单元(未示出)来打开或关闭。基板入口24可以设置在腔室2的主体21中。
参照图2至图4，气体分配单元3分配处理气体。气体分配单元3可以耦接到盖22并且可以朝向圆盘5和基板支撑部6分配处理气体。因此，气体分配单元3可以朝向由基板支撑部6支撑的基板S分配处理气体。气体分配单元3可以耦接到盖22，以被基板支撑部6支撑(UD箭头方向)。气体分配单元3可以包括多个气体分配模块。气体分配模块中的至少一个可以分配源气体。气体分配模块中的至少一个可以分配反应气体。气体分配模块中的至少一个可以分配清除气体(purge gas)。气体分配模块可以在彼此间隔开的位置处耦接到盖22。因此，气体分配模块可以将处理气体分配到不同的空间。由气体分配单元3分配的处理气体可以用于处理工艺，可以随后移动到圆盘5与腔室2之间的空间，并且可以经由安装在腔室2中的排出口排放到腔室2的外部。
参照图2至图4，基板支撑装置4支撑基板S。多个基板S可以由基板支撑装置4支撑。基板支撑装置4可以设置在腔室2中。基板支撑装置4可以耦接到腔室2使得被放置在气体分配单元3的下部(DD箭头方向)。
基板支撑装置4可以被实现为根据本发明的基板支撑装置。基板支撑装置4可以包括圆盘5和多个基板支撑部6。
参照图2至图4，圆盘5支撑基板支撑部6。圆盘5可以支撑基板支撑部6以支撑基板S，基板S分别由基板支撑部6支撑。圆盘5可以耦接到腔室2以便被放置在腔室2中。
圆盘5可以可旋转地耦接到腔室2。圆盘5可以围绕与旋转轴相对应的中心5a旋转。圆盘5的中心5a是与圆盘5的外周面分隔开相同距离的点。旋转单元20(在图3中示出)或旋转圆盘5可以耦接到腔室2。
当圆盘5围绕与旋转轴相对应的中心5a旋转时，基板支撑部6和由基板支撑部6支撑的基板S可以围绕圆盘5的与旋转轴相对应的中心5a旋转。圆盘5可以设置在气体分配单元3的下方(DD箭头方向)。因此，当圆盘5围绕与旋转轴相对应的中心5a旋转时，由基板支撑部6支撑的基板S可以依次通过气体分配单元3的气体分配模块的下部(DD箭头方向)。
圆盘5的上表面51可以比基板支撑部6的上表面61更向下设置(DD箭头方向)。在这种情况下，基板支撑部6的上表面61可以比圆盘5的上表面51更向上突出(UD箭头方向)。因此，与基板的上表面和圆盘的上表面设置在同一平面上的现有技术相比，根据本发明的基板处理设备1可以确保在圆盘5上设置(UD箭头方向)的更宽的排放空间ES。因此，根据本发明的基板处理设备1可以顺畅地排出由气体分配单元3分配的处理气体，从而减少在用于在基板S上执行的处理工艺之后残留的处理气体的量。因此，根据本发明的基板处理设备1可以提高已经进行了包括沉积工艺、蚀刻工艺等的处理工艺的薄膜的质量。由气体分配单元3分配的处理气体可以用于处理工艺，可以随后经由排放空间ES通过圆盘5与腔室2之间的空间，并且可以被排放到腔室2的外部。在这种情况下，排放空间ES可以设置在圆盘5中的布置有每个基板支撑部6的部分的外侧。
圆盘5的除设置有基板支撑部6的部分以外的部分的上表面51可以比基板支撑部6的上表面61更向下设置(DD箭头方向)。在这种情况下，排放空间ES可以从圆盘5中的设置有每个基板支撑部6的部分向内设置，并且可以从圆盘5中的设置有每个基板支撑部6的部分向外设置。用于排出处理气体的排出口(未示出)可以从圆盘5中的设置有每个基板支撑部6的部分向内安装。排出口可以安装成与圆盘5的中心5a连接。
圆盘5的上表面51与基板支撑部6的上表面61之间的高度差H可以大于3mm且小于30mm。当高度差H为3mm以下时，排放空间ES的尺寸减小，并由此难以顺畅地排出处理气体。当高度差H为30mm以上时，排放空间S的尺寸增大，并由此，未用于处理工艺而排出的处理气体的量增加，导致处理气体的浪费。由于根据本发明的基板处理设备1被实现为使得高度差H大于3mm且小于30mm，因此基板处理设备1可以顺畅地排出处理气体，同时可以减少浪费的处理气体的量。
参照图2至图5，基板支撑部6分别支撑基板S。基板S可以由基板支撑部6支撑，并且可以分别由基板支撑部6支撑。基板支撑部6可以从圆盘5的中心5a径向布置。在这种情况下，基板支撑部6可以相对于圆盘5的中心5a以相同的角度彼此间隔开。当如图5所示六个基板支撑部6设置在圆盘5上时，基板支撑部6可以设置成相对于圆盘5的中心5a以60度彼此间隔开。
基板支撑部6的中心6a(如图5所示)可以设置在以圆盘5的中心5a为中心的同心圆CC上。因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实现为对分别由基板支撑部6支撑的基板S提供相同的处理环境。基板支撑部6的中心6a是与基板支撑部6的外周面分隔开相同距离的点。
基板支撑部6的上表面6a可以比圆盘5的上表面5a更向上突出(UD箭头方向)。因此，根据本发明的基板处理设备1被实现为使得排放空间ES的尺寸增加，因此，处理气体被顺畅地排出。基板支撑部6和圆盘5可以被设置成一体。
参照图2至图9，每个基板支撑部6可以被实现为可从圆盘5拆卸。在图9中，每个基板支撑部6以虚线示出，但这是为了便于描述。因此，根据本发明的基板处理设备1可以具有如下效果。
首先，根据本发明的基板处理设备1可以被实施，以便仅对基板支撑部6中的损坏或故障的基板支撑部6单独进行诸如更换或修理的维护处理。因此，根据本发明的基板处理设备1可以减少在维护处理中花费的成本，并且可以减少在维护处理中花费的时间，从而提高操作速率。
其次，如图9所示，根据本发明的基板处理设备1可以独立于圆盘5使基板支撑部6旋转，从而改变基板支撑部6面对的方向。当基板支撑部6相对于基板支撑部6的中心6a旋转并且因此由基板支撑部6支撑的基板S一起旋转时，由基板支撑部6支撑的基板S的面对圆盘5的中心5a的部分可以改变。因此，根据本发明的基板处理设备1可以提高设置在基板S上的薄膜的厚度的均匀性。
例如，在基板S被基板支撑部6支撑的状态下，圆盘5可以围绕与旋转轴相对应的中心5a旋转，以在第一循环执行处理工艺，然后，基板支撑部6可以使与旋转轴相对应的中心6a旋转180度。随后，圆盘5可以围绕与旋转轴相对应的中心5a旋转，以在第二循环执行处理工艺。当在第一循环中执行处理工艺时面对圆盘5的中心5a的部分可以被设置为当在第二循环中执行处理工艺时面对圆盘5的外部。因此，根据本发明的基板处理设备1可以在执行处理工艺的过程中改变由基板支撑部6支撑的基板S的面对圆盘5的中心5a的部分，从而补偿对于基板S部分地发生的处理环境差异。
尽管未示出，但是根据本发明的基板处理设备1可以包括使基板支撑部6升高和旋转的方向改变单元。方向改变单元可以使基板支撑部6升高以使基板支撑部6与圆盘5分开，然后，可以使基板支撑部6旋转以改变基板S的方向。随后，方向改变单元可以降低基板支撑部6以将基板S放置在圆盘5上。方向改变单元可以耦接到腔室2使得被放置在基板支撑部6的下方(DD箭头方向)。当基板支撑部6设置为多个时，根据本发明的基板处理设备1可以包括与基板支撑部6的数量相等的多个方向改变单元。
基板支撑部6可以被实现为可通过设置在圆盘5中的多个插入部52从圆盘5拆卸。
插入部52可以从圆盘5的中心5a径向布置。在这种情况下，插入部52可以被设置为相对于圆盘5的中心5a以相同的角度彼此分隔开。插入部52可以设置为穿过圆盘5。可以通过在圆盘5中加工凹槽到一定深度来形成插入部52。根据本发明的基板处理设备1可以包括相同数量的插入部52和基板支撑部6。
插入部52中的一个可以与基板支撑部6中的一个连接或从基板支撑部6中的一个分离。因此，每个基板支撑部6可以被实现为可从圆盘5拆卸。基板支撑部6中的一个可以被分配给每个插入部52。在这种情况下，基板支撑部6的一部分可以插入到插入部52中。因此，基板支撑部6可以由圆盘5的支撑表面53支撑，并因此，可以通过插入到插入部52中来保持。支撑表面53是被设置成当插入部52设置在圆盘5中时面对插入部52的表面。支撑表面53可以设置为圆环形状。
每个插入部52可以被设置成在圆盘5的上表面51中具有第一内径521(图6中所示)，并且在圆盘5的下表面51中具有第二内径522(图6中所示)。第一内径521可以被设置为大于第二内径522。因此，支撑表面53可以被设置为相对于圆盘5的上表面51倾斜。支撑表面53可以倾斜地设置成当支撑表面53逐渐延伸到下部(DD箭头方向)时其更靠近基板支撑部6的中心6a。因此，如图7所示，即使当基板支撑部6设置成与插入部52偏离时，基板支撑部6也可以通过自重被引导，使得基板支撑部6沿着支撑表面53的斜面移动并且被放置在正确位置。也就是说，插入部52和支撑表面53可以具有使基板支撑部6被放置在正确位置上的定心功能。因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实现为，通过引导每个基板支撑部6被放置在正确位置，从而对由基板支撑部6支撑的基板S提供相同的处理环境。在这种情况下，插入部52和支撑表面53可以引导基板支撑部6，以使基板支撑部6的中心6a设置在圆盘5的中心5a的同心圆CC中(如图5所示)。至少一个支撑表面53可以设置为相对于圆盘5的上表面51倾斜。
每个基板支撑部6可以包括从其下表面向下部(DD箭头方向)突出的定心构件62。定心构件62可以被设置为具有随着定心构件62逐渐突出到下部(DD箭头方向)而减小的直径。定心构件62可以分别插入到插入部52中并且可以由支撑表面53分别支撑。在这种情况下，每个支撑表面53可以倾斜地设置成具有随着相应的支撑表面53逐渐延伸到下部(DD箭头方向)而减小的直径。因此，如图7所示，当基板支撑部6被设置成与插入部52偏离时，根据本发明的基板处理设备1可以通过使用定心构件62和支撑表面53来引导基板支撑部6移动到正确位置。也就是说，根据本发明的基板处理设备1可以通过使用定心构件62和支撑表面53中的每一者的斜面来进一步增强定心功能。
基板支撑部6可以各自包括倾斜表面621。倾斜表面621分别接触支撑表面53。倾斜表面621可以分别对应于定心构件62的外周面。倾斜表面621和支撑表面53中的至少一个可以设置成相对于圆盘5的上表面51倾斜。当倾斜表面621设置成相对于圆盘5的上表面51倾斜时，可以通过倾斜表面621实现定心功能。当支撑表面53设置成相对于圆盘5的上表面51倾斜时，定心功能可以通过支撑表面53实现。当倾斜表面621和支撑表面53全部设置成相对于圆盘5的上表面51倾斜时，定心功能可以通过倾斜表面621和支撑表面53实现。在这种情况下，倾斜表面621和支撑表面53可以设置成以彼此对应的角度倾斜。
在倾斜表面621和支撑表面53均设置成相对于圆盘5的上表面51倾斜的情况下，当倾斜表面621接触支撑表面53时，根据本发明的基板处理设备1可以增加气体经过圆盘5与基板支撑部6之间的间隙应该移动的长度。因此，根据本发明的基板处理设备1可以被实现为，使得由气体分配单元3分配的处理气体难以通过圆盘5与基板支撑部6之间的间隙。也就是说，根据本发明的基板处理设备1可以增强对处理气体执行的密封功能。因此，根据本发明的基板处理设备1可以进一步减少浪费的处理气体的量。另外，在执行沉积工艺的情况下，根据本发明的基板处理设备1可以减少由对非期望的部分执行的沉积导致的污染的程度。
此外，根据本发明的基板处理设备1可以被实现为从基板支撑部6下方的部分(DD箭头方向)分配保护气体。保护气体防止处理气体穿过圆盘5与基板支撑部6之间的间隙。然而，当保护气体的分配力过强时，保护气体可能穿过圆盘5与基板支撑部6之间的间隙并且可能影响处理工艺。在这种情况下，根据本发明的基板处理设备1可以被实现为使得倾斜表面621和支撑表面53都被设置为相对于圆盘5的上表面51倾斜并且彼此接触，因此，保护气体难以穿过圆盘5与基板支撑部6之间的间隙。也就是说，根据本发明的基板处理设备1可以增强对保护气体执行的密封功能。
参照图2至图10，根据本发明的基板处理设备1可以包括对准部7(图6中所示)。在图10中，基板支撑部6以虚线示出，但这是为了便于描述。
对准部7使基板支撑部6能够在规定方向上耦接到圆盘5。当基板支撑部6旋转从而面对基板支撑部6的方向如图9和图10所示改变时，对准部7可以使基板支撑部6对准以保持在规定方向的一个方向上。例如，对准部7可以使基板支撑部6对准，使得基板支撑部6旋转180度以便在两个方向上改变。因此，在执行处理工艺的过程中，根据本发明的基板处理设备1可以基于基板支撑部6的旋转和由基板支撑部6支撑的基板S的旋转，来补偿对于基板S部分地发生的处理环境差异。根据本发明的基板处理设备1可以包括多个对准部7。
每个对准部7可以包括对准突起71和对准凹槽72。
对准突起71可以分别从基板支撑部6的下表面突出。当定心构件62被包括在每个基板支撑部6中时，对准突起71可以设置在定心构件62的外侧。因此，对准突起71可以被设置为不干扰定心构件62向插入部52中的插入。每个对准突起71可以设置为圆柱形，但是不限于此，每个对准突起71可以设置为能够插入对准凹槽72中的诸如多边形的其他形状。每个对准突起71可以设置成具有随着相应的对准突起71逐渐延伸到下部(DD箭头方向)而减小的尺寸。
每个对准凹槽72可以设置在圆盘5中。对准凹槽72可以分别设置在插入部52的外侧。根据对准突起分别插入到对准凹槽72中，基板支撑部6可以可拆卸地耦接到圆盘5。对准突起71可以分别插入到对准凹槽72中并且可以由圆盘5支撑，因此，基板支撑部6可以被保持为在特定方向上耦接到圆盘5。
这里，可以在每个基板支撑部6中设置N个(其中N是大于1的整数)个对准突起71。对准突起71可以被设置成相对于每个基板支撑部6的中心6a以相同的角度彼此分隔开。在这种情况下，可以在圆盘5中的每个插入部52的外侧设置N个或2N个对准凹槽72。因此，基于相对于每个基板支撑部6的中心6a执行的旋转角度，可以将对准突起71插入到不同的对准凹槽72中。
例如，当针对一个基板支撑部6设置两个对准突起71时，两个对准凹槽72可以如图9所示设置在圆盘5中的每个插入部52的外侧。在这种情况下，当基板支撑部6围绕与旋转轴相对应的中心6a旋转180度时，对准突起71可以分别插入到对准凹槽72中。因此，由基板支撑部6支撑的基板S可以围绕与旋转轴相对应的基板支撑部6的中心6a旋转180度，因此，基板S的面对圆盘5的中心5a的部分可以改变。对准凹槽72可以设置在插入部52的外侧，以便相对于基板支撑部6的中心6a彼此分隔开180度。对准突起71可以设置成相对于基板支撑部6的中心6a彼此分隔开180度。
例如，当针对一个基板支撑部6设置两个对准突起71时，如图10所示，可以在圆盘5中的每个插入部52的外侧设置四个对准凹槽72。在这种情况下，当基板支撑部6围绕与旋转轴相对应的中心6a旋转90度时，对准突起71可以分别插入到对准凹槽72中。因此，由基板支撑部6支撑的基板S可以围绕与旋转轴相对应的基板支撑部6的中心6a旋转90度，因此，基板S的面对圆盘5的中心5a的部分可以改变。对准凹槽72可以设置在插入部52的外侧以便相对于基板支撑部6的中心6a彼此分隔开90度。对准突起71可以设置成相对于基板支撑部6的中心6a彼此分隔开90度。
尽管未示出，但是对准突起71可以设置在圆盘5中以分别从插入部52的外部向上部(UD箭头方向)突出。在这种情况下，对准凹槽72可以分别设置在基板支撑部6的下表面中。
参照图11和图12，在根据本发明的变型实施例的基板处理设备1中，基板支撑部6可以各自包括中心部分63和外部台阶部分64。在图11和图12中，示出了基板支撑部6和圆盘5被实现为一体的实施例，但是不限于此，基板支撑部6和圆盘5也可以应用于以分体类型实现的实施例。
中心部分63支撑基板S的下表面。中心部分63可以从外部台阶部分64向内布置。中心部分63的上表面可以比圆盘5的上表面51更向上突出。中心部分63可以设置为与基板S相对应的形状。
外部台阶部分64支撑基板S的侧表面。中心部分63和由中心部分63支撑的基板S可以从外部台阶部分64向内布置。外部台阶部分64可以设置成包围中心部分63和由中心部分63支撑的基板S。例如，外部台阶部分64可以设置为圆环形。外部台阶部分64可以比中心部分63的上表面51更向上突出。因此，外部台阶部分64可以支撑由中心部分63支撑的基板S的侧表面，从而防止由中心部分63支撑的基板S的移动。外部台阶部分64可以设置成具有比基板S的直径大的直径。在这种情况下，外部台阶部分64可以支撑由中心部分63支撑的基板S的侧表面，从而限制由中心部分63支撑的基板S能够移动的距离。
可以在外部台阶部分64中设置气体流路65。气体流路65可以设置为与外部台阶部分64的内部和圆盘5的上表面51中的每一个连通。因此，在用于处理工艺之后残留在外部台阶部分64内的处理气体可以经由气体流路65通过外部台阶部分64。随后，处理气体可以经由排放空间ES排出。因此，根据本发明的变型实施例的基板处理设备1可以被实现为，即使设置外部台阶部分64时，处理气体也经由气体流路65顺畅地排出。气体流路65可以设置成穿过外部台阶部分64。气体流路65可以在外部台阶部分64中设置多个。在这种情况下，气体流路65可以设置在彼此间隔开的位置处。
气体流路65可以设置在同心圆CC的外侧(图5中所示)。因此，根据本发明的变型实施例的基板处理设备1可以被实现为，使得处理气体经由气体流路65移动到圆盘5的外部而不移动到圆盘5的中心5a(图5中所示)。
基板支撑部6可以各自包括边缘凹槽66(在图12中示出)。
边缘凹槽66可以设置在中心部分63中。边缘凹槽66可以沿着中心部分63与外部台阶部分64之间的边界线设置。边缘凹槽66可以容纳处理气体。因此，根据本发明的变型实施例的基板处理设备1可以被实现为使得处理气体通过边缘凹槽66停留在由中心部分63支撑的基板S的外部中，从而提高了对基板S的外部执行的处理工艺的效率。在根据本发明的变型实施例的基板处理设备1执行沉积工艺的情况下，沉积在基板S的外部上的薄膜的厚度可以进一步加厚。在根据本发明的变型实施例的基板处理设备1执行蚀刻工艺的情况下，设置在基板S的外部中的薄膜的蚀刻速率可以进一步提高。边缘凹槽66可以设置成圆环形状。
在中心部分63中设置有边缘凹槽66的底表面的高度可以被实现为等于圆盘5的上表面51的高度。在中心部分63中设置有边缘凹槽66的底表面的高度可以被实现为低于圆盘5的上表面51的高度。在这种情况下，容纳在边缘凹槽66中的处理气体的量可以增加，因此，对基板S的外部执行的处理工艺的效率可以进一步提高。如上所述，根据本发明的变型实施例的基板处理设备1可以被实现为使得基于边缘凹槽66的深度来调节对基板S的外部执行的处理工艺的效率。
可以在圆盘5中设置凹槽54。凹槽54可以设置在圆盘5的上表面51中。因此，根据本发明的变型实施例的基板处理设备1可以通过使用凹槽54进一步增加排放空间ES的尺寸，从而更顺畅地排出处理气体。可以通过在圆盘5的上表面51中加工凹槽到一定深度来形成凹槽54。凹槽54可以在圆盘5的上表面51中从基板支撑部6向外设置。基板支撑部6可以从凹槽54向内设置。凹槽54可以设置成圆环形状。
以上描述的本发明不限于上述实施例和附图，并且本领域技术人员将清楚地意识到，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、变形和替换。

Claims (20)

1.一种基板处理设备的基板支撑装置，所述基板支撑装置包括：
圆盘；以及
多个基板支撑部，所述多个基板支撑部从所述圆盘的中心径向布置，基板由所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部支撑，
其中，所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面比所述圆盘的上表面更向上突出。
2.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，所述圆盘的上表面与所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面之间的高度差大于3mm且小于30mm。
3.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，所述多个基板支撑部从所述圆盘可拆卸。
4.根据权利要求1所述的基板支撑装置，包括从所述圆盘的所述中心径向布置的多个插入部，
其中，所述多个插入部中的一个插入部被可拆卸地连接到所述多个基板支撑部中的一个基板支撑部。
5.根据权利要求1所述的基板支撑装置，包括从所述圆盘的所述中心径向布置的多个插入部，
其中，所述多个基板支撑部中的一个基板支撑部被分配给所述多个插入部中的每个插入部，并且所述一个基板支撑部的一部分被插入到相应的插入部中。
6.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的中心设置在所述圆盘的所述中心的同心圆中。
7.根据权利要求4或5所述的基板支撑装置，其中，
所述多个插入部中的每个插入部设置成在所述圆盘的上表面具有第一内径并且在所述圆盘的下表面具有第二内径，并且
所述第一内径大于所述第二内径。
8.根据权利要求4或5所述的基板支撑装置，其中，
所述圆盘包括多个支撑表面，所述多个支撑表面支撑所述多个基板支撑部，并且
所述多个支撑表面中的至少一个支撑表面相对于所述圆盘的所述上表面倾斜。
9.根据权利要求3所述的基板支撑装置，其中，
所述圆盘包括支撑表面，所述支撑表面支撑所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括与所述支撑表面接触的倾斜表面，并且
所述支撑表面和所述倾斜表面中的至少一者相对于所述圆盘的所述上表面倾斜。
10.根据权利要求3所述的基板支撑装置，包括对准部，所述对准部使所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部能够在规定方向上耦接到所述圆盘。
11.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，
所述圆盘包括：多个插入部，所述多个基板支撑部分别被插入到所述多个插入部中；以及多个对准凹槽，所述多个对准凹槽设置在所述多个插入部中的每个插入部的外侧，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括从每个基板支撑部的下表面突出的多个对准突起，并且
当所述多个对准突起分别被插入到所述多个对准凹槽中时，所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部被可拆卸地耦接到所述圆盘。
12.根据权利要求11所述的基板支撑装置，其中，
N个对准突起被设置在所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部中，其中N是大于1的整数，
N个或2N个对准凹槽被设置在所述圆盘中的所述多个插入部中的每个插入部的外侧，并且
所述多个对准突起设置成相对于所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的中心以相同的角度彼此间隔开，并且所述多个对准突起基于相对于所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的中心执行的旋转的角度，被插入到不同的对准凹槽中。
13.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括从每个基板支撑部的下表面向每个基板支撑部下方的下部突出的定心构件，
所述定心构件中的每个定心构件被设置为具有随着相应的定心构件逐渐向所述下部突出而减小的直径，
所述圆盘包括：多个插入部，所述定心构件分别插入到所述多个插入部中；以及多个支撑表面，所述多个支撑表面支撑分别插入到所述多个插入部中的所述定心构件，并且
所述多个支撑表面中的每个支撑表面被倾斜地设置为具有随着相应的支撑表面逐渐延伸到所述下部而减小的直径。
14.根据权利要求1所述的基板支撑装置，其中，所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括：中心部分，所述中心部分支撑所述基板的下表面；以及外部台阶部分，所述外部台阶部分支撑所述基板的侧表面。
15.根据权利要求14所述的基板支撑装置，其中，
至少一个气体流路设置在所述外部台阶部分中，并且
所述气体流路与所述外部台阶部分的内部和所述圆盘的所述上表面中的每一者连通。
16.根据权利要求15所述的基板支撑装置，其中，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的中心设置在所述圆盘的所述中心的同心圆中，并且
所述气体流路设置在所述同心圆的外侧。
17.一种基板处理设备，包括：
腔室；
气体分配单元，所述气体分配单元将处理气体供应到所述腔室的内部；以及
基板支撑装置，多个基板由所述基板支撑装置支撑，
其中，
所述基板支撑装置包括圆盘和从所述圆盘的中心径向布置的多个基板支撑部，并且
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的上表面比所述圆盘的上表面更向上突出。
18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中，
所述圆盘包括：多个插入部，所述多个基板支撑部分别插入到所述多个插入部中；以及多个对准凹槽，所述多个对准凹槽设置在所述多个插入部中的每个插入部的外侧，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括从每个基板支撑部的下表面突出的多个对准突起，并且
当所述多个对准突起分别被插入到所述多个对准凹槽中时，所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部被可拆卸地耦接到所述圆盘。
19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其中，
N个对准突起设置在所述多个基板支撑部的每个基板支撑部中，其中N是大于1的整数，
N个或2N个对准凹槽设置在所述圆盘中的所述多个插入部中的每个插入部的外侧，并且
所述多个对准突起设置成相对于所述多个基板支撑部的每个基板支撑部的中心以相同的角度彼此间隔开，并且所述多个对准突起基于相对于所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部的中心执行的旋转的角度，被插入到不同的对准凹槽中。
20.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中，
所述多个基板支撑部中的每个基板支撑部包括从每个基板支撑部的下表面向每个基板支撑部下方的下部突出的定心构件，
所述定心构件中的每个定心构件被设置为具有随着相应的定心构件逐渐向所述下部突出而减小的直径，
所述圆盘包括：多个插入部，所述定心构件分别被插入到所述多个插入部中；以及多个支撑表面，所述多个支撑表面支撑分别被插入到所述多个插入部中的所述定心构件，并且
所述多个支撑表面中的每个支撑表面被倾斜地设置为具有随着相应的支撑表面逐渐延伸到所述下部而减小的直径。
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