KR20090027579A - 열처리장치 - Google Patents

열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090027579A
KR20090027579A KR1020080088072A KR20080088072A KR20090027579A KR 20090027579 A KR20090027579 A KR 20090027579A KR 1020080088072 A KR1020080088072 A KR 1020080088072A KR 20080088072 A KR20080088072 A KR 20080088072A KR 20090027579 A KR20090027579 A KR 20090027579A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pulse signal
waveform
flash lamp
semiconductor wafer
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020080088072A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101013234B1 (ko
Inventor
타츠후미 쿠스다
Original Assignee
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Publication of KR20090027579A publication Critical patent/KR20090027579A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101013234B1 publication Critical patent/KR101013234B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

[과제]아닐시의 아닐시간 및 온도 프로파일을 자유롭게 설정할 수 있는 열처리장치를 제공한다.
[해결 수단]콘덴서(93)와, 코일(94)과, 플래시램프(FL)와, IGBT등의 스위칭소자(96)가 직렬로 접속되어 있다.
스위칭소자(96)의 게이트에는 제어부(3)로부터 펄스신호를 출력할 수 있다.
펄스신호의 파형은, 입력부(33)로부터의 입력내용을 따라서 파형설정부(32)가 설정한다.
콘덴서(93)에 전하가 축적된 상태에서 스위칭소자(96)의 게이트에 펄스신호를 출력함으로써 플래시램프(FL)를 간헐적으로 발광시킨다.
스위칭소자(96)에 인가하는 펄스신호의 파형을 변경함으로써, 플래시램프(FL)에 흐르는 전류의 파형이 변화되어서 발광태양도 변화되고, 반도체 웨이퍼의 온도 프로파일도 변화되는 것이 된다.
Figure P1020080088072
열처리장치, 온도프로파일

Description

열처리장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 액정표시장치용 유리기판 등(이하, 간단히 「기판」이라고 칭한다)에 대하여 광을 조사함으로써 상기 기판을 가열하는 열처리장치에 관한 것이다.
종래부터, 단시간아닐이 가능한 장치로서, 할로겐램프로부터 조사되는 광의 에너지를 이용해서 매초 수백도 정도의 속도로 반도체 웨이퍼를 승온하는 고속램프아닐장치가 사용되었다(예를 들면, 특허문헌1). 단시간아닐이라고는 해도, 칸탈히터 등을 사용한 저항가열방식의 열처리장치와 비교했을 때의 이야기이며, 그 아닐시간은 대략 수초 정도였다.
한편, 보다 단시간의 아닐이 가능한 장치로서, 크세논 플래시램프를 사용해서 반도체 웨이퍼의 표면에 플래시광(섬광)을 조사하는 플래쉬램프아닐장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌2). 크세논 플래시램프의 플래시광 조사시간은 10밀리초 이하의 극히 단시간이다.
또한, 크세논 플래시램프의 방사분광분포(放射分光分布)는 자외역(紫外域)에서 근적외역(近赤外域)이며, 종래의 할로겐램프보다도 파장이 짧고, 실리콘의 반도 체 웨이퍼의 기초흡수대와 거의 일치하고 있다. 따라서, 크세논 플래시램프로부터 반도체 웨이퍼에 플래시광을 조사했을 때에는, 투과광이 적어서 반도체 웨이퍼를 급속히 승온하는 것이 가능하다. 또한, 10밀리초이하의 극히 단시간의 플래시광 조사이면, 반도체 웨이퍼의 표면근방만을 선택적으로 승온할 수 있음도 밝혀지고 있다.
이 때문에, 플래쉬램프아닐장치는, 이온주입 후의 반도체 웨이퍼의 이온활성화처리에 적합하여, 이온의 열확산을 발생시키지 않고 이온활성화만을 행하여 얕은 접합을 형성할 수 있다.
또한, 플래쉬램프아닐장치보다 더 단시간의 아닐이 가능한 장치로서는 레이저아닐장치가 있다. 레이저아닐장치는, 수십 나노 초의 펄스 레이저를 X-Y 양방향으로 스캔시켜서 아닐하는 장치이다.
[특허문헌1] 일본 특허공개 2000-199688호 공보
[특허문헌2] 일본 특허공개 2004-055821호 공보
그렇지만, 종래에 있어서는, 할로겐램프를 사용한 고속램프 아닐장치와 플래쉬램프 아닐장치와의 중간역의 아닐시간을 실현할 수 있는 기술이 존재하지 않았다. 즉, 반도체 웨이퍼의 주면 각 위치에 있어서의 아닐시간이 10밀리초∼1초정도가 되는 열처리장치가 존재하지 않았다. 최근, 이러한 중간역의 아닐시간에서의 열처리가 트랜지스터 제작에 있어서의 활성화처리나 금속처리, 또한 배선처리공정 등의 각종 공정에서 필요해지고 있다.
할로겐램프에 의해 상기 중간역의 아닐시간을 실현하려고 하면, 보다 큰 출력이 필요하기 때문에 필라멘트를 굵게 하지 않으면 안되고, 그렇게 하면 열량량이 커져서 도리어 승온강온속도가 늦어진다고 하는 문제가 생긴다.
또한, 레이저아닐장치에 있어서는, 펄스 레이저가 반도체 웨이퍼 상의 각 위치에 머무르는 시간을 길게 하면, 이론상으로는 상기 중간역의 아닐시간을 달성하는 것도 가능하다. 그런데, 펄스 레이저가 특정 위치에 머무르는 시간이 길어지면, 노광되지 않은 영역까지 승온되어, 승온의 겹침부분에 생기는 스위칭이라고 하는 현상이 현저해진다. 보다 큰 문제로서, 펄스 레이저가 각 위치에 머무르는 시간이 길어진 결과, 1매의 반도체 웨이퍼를 처리하는데 1시간 정도를 필요로 하게 되고, 현실성이 없는 처리효율이 된다.
또한, 단지 급속히 승온해서 급속히 강온할 뿐만이 아니라, 아닐시의 온도 프로파일을 자유롭게 변경하고 싶다고 하는 요망도 있다.
본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것이며, 아닐시의 아닐시간 및 온도 프로파일을 자유롭게 설정할 수 있는 열처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항1의 발명은, 기판에 대하여 광을 조사함으로써 상기 기판을 가열하는 열처리장치에 있어서, 기판을 파지하는 파지수단과, 상기 파지수단에 파지된 기판에 광을 조사하는 플래시램프와, 상기 플래시램프, 콘덴서 및 코일과 직렬로 접속된 스위칭소자와, 하나 이상의 펄스를 포함하는 펄스신호를 발생해서 상기 스위칭소자에 출력함으로써 상기 스위칭소자의 구동을 제어하는 펄스신호 발생수단을 구비한다.
또한, 청구항2의 발명은, 청구항1의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 펄스신호 발생수단이 발생하는 펄스신호의 파형(波形)을 설정하는 파형설정수단(波形設定手段)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항3의 발명은, 청구항2의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 파형설정수단으로의 펄스신호의 파형의 입력을 접수하는 파형입력부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항4의 발명은, 청구항1의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 펄스신호 발생수단이 상기 스위칭소자에 펄스신호를 출력함으로써 상기 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어해서 상기 플래시램프의 발광시간을 1밀리초이상 1초미만으로 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항5의 발명은, 청구항1 내지 청구항4 중 어느 한 항의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 스위칭소자는 트랜지스터이며, 상기 펄스신호 발생수단은, 상기 트랜지스터의 게이트에 펄스신호를 출력함을 특징으로 한다.
또한, 청구항6의 발명은, 청구항5의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 트랜지스터는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항7의 발명은, 청구항1 내지 청구항4 중 어느 한 항의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 스위칭소자는 GTO다이리스터(thyristor)인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항8의 발명은, 청구항1의 발명에 의한 열처리장치에 있어서, 상기 콘덴서에 전하를 축적하는 전원부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항9의 발명은, 기판에 대하여 광을 조사함으로써 상기 기판을 가열하는 열처리장치에 있어서, 기판을 파지하는 파지수단과, 상기 파지수단에 파지된 기판에 광을 조사하는 플래시램프와, 상기 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어해서 발광시간을 1밀리초이상 1초미만으로 하는 쵸퍼제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항1 내지 청구항8의 발명에 의하면, 콘덴서와, 코일과, 플래시램프와, 스위칭소자를 직렬로 접속하여, 스위칭소자에 펄스신호를 출력함으로써 스위칭소자의 구동을 제어하기 때문에, 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어할 수 있고, 펄스신호의 파형을 설정하는 것만으로 아닐시의 아닐시간 및 온도 프로파일을 자유롭게 설정할 수 있다.
특히, 청구항6의 발명에 의하면, 스위칭소자를 절연게이트 바이폴라 트랜지스터로 하고 있기 때문에, 대전력(大電力)을 필요로 하는 플래시램프의 발광에 적절하다.
또한, 청구항9의 발명에 의하면, 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어해서 발광시간을 1밀리초이상 1초미만으로 하기 때문에, 아닐시의 아닐시간 및 온도 프로파일을 자유롭게 설정할 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시의 형태에 대해서 상세하게 설명한다.
우선, 본 발명에 의한 열처리장치의 전체구성에 대해서 개설한다. 도 1은, 본 발명에 의한 열처리장치(1)의 구성을 나타내는 측단면도이다. 열처리장치(1)는 기판으로서 거의 원형의 반도체 웨이퍼(W)에 광을 조사해서 그 반도체 웨이퍼(W)를 가열하는 램프아닐장치이다.
열처리장치(1)는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 대략 원통형상의 챔버(6)와, 복수의 플래시램프(FL)를 내장하는 램프하우스(5)를 구비한다. 또한, 열처리장치(1)는, 챔버(6) 및 램프하우스(5)에 설치된 각 동작기구를 제어해서 반도체 웨이퍼(W)의 열처리를 실행시키는 제어부(3)를 구비한다.
챔버(6)는, 램프하우스(5)의 아래쪽으로 설치되어 있으며, 대략 원통형상의 내벽을 갖는 챔버측부(63), 및, 챔버측부(63)의 하부를 덮는 챔버저부(62)에 의해 구성된다. 또한, 챔버측부(63) 및 챔버저부(62)에 의해 둘러싸이는 공간이 열처리공간(65)으로서 규정된다. 열처리공간(65)의 윗쪽은 상부개구(60)로 되어 있으며, 상부개구(60)에는 챔버창(61)이 장착되어서 폐색되어 있다.
챔버(6)의 천장부를 구성하는 챔버창(61)은, 석영에 의해 형성된 원판형상부재이며, 램프하우스(5)에서 출사된 광을 열처리공간(65)에 투과하는 석영창으로서 기능한다. 챔버(6)의 본체를 구성하는 챔버저부(62) 및 챔버측부(63)는, 예를 들면, 스테인리스스틸 등의 강도와 내열성이 뛰어난 금속재료로 형성되고 있으며, 챔버측부(63)의 안쪽면의 상부의 링(631)은, 광조사에 의한 열화에 대하여 스테인리스스틸보다 뛰어난 내구성을 갖는 알루미늄(A1)합금 등으로 형성되어 있다.
챔버저부(62)에는, 파지부(7)를 관통해서 반도체 웨이퍼(W)를 그 하면(램프하우스(5)로부터의 광이 조사되는 쪽과는 반대측의 면)으로부터 지지하기 위한 복수(본 실시의 형태에서는 3개)의 지지 핀(70)이 입설되어 있다. 지지 핀(70)은, 예를 들면 석영에 의해 형성되고 있으며, 챔버(6)의 외부에서 고정되어 있기 때문에, 용이하게 바꿀 수 있다.
챔버측부(63)는, 반도체 웨이퍼(W)의 반입 및 반출을 행하기 위한 반송개구부(66)를 가지고, 반송개구부(66)는, 축(662)을 중심으로 회동하는 게이트 밸브(185)에 의해 개폐 가능하게 된다. 챔버측부(63)에 있어서의 반송개구부(66)와는 반대측의 부위에는 열처리공간(65)에 처리가스(예를 들면, 질소(N2)가스나 헬륨(He)가스, 아르곤(Ar)가스 등의 불활성가스, 혹은, 산소(02)가스 등)을 도입하는 도입 로(81)가 형성되고, 그 일단은 밸브(82)를 통하여 도시되지 않은 급기기구에 접속되고, 타단은 챔버측부(63)의 내부에 형성되는 가스도입버퍼(83)에 접속된다. 또한, 반송개구부(66)에는 열처리공간(65) 내의 기체를 배출하는 배출로(86)가 형성되어, 밸브(87)를 통하여 도시되지 않은 배기기구에 접속된다.
도 2는, 챔버(6)를 가스도입버퍼(83)의 위치에서 수평면으로 절단한 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 가스도입버퍼(83)는, 도 1에 나타내는 반송개구부(66)의 반대측에 있어서 챔버측부(63)의 안둘레의 약 1/3에 걸쳐서 형성되고 있으며, 도입로(81)를 통하여 가스도입버퍼(83)에 인도된 처리가스는, 복수의 가스 공급공(84)으로부터 열처리공간(65) 내에 공급된다.
또한, 열처리장치(1)는, 챔버(6)의 내부에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 수평자세로 파지하면서 광조사전에 그 파지하는 반도체 웨이퍼(W)의 예비가열을 행하는 대략 원판형상의 파지부(7)와, 파지부(7)를 챔버(6)의 저면인 챔버저부(62)에 대하여 승강시키는 파지부 승강기구(4)를 구비한다. 도 1에 나타내는 파지부 승강기구(4)는, 거의 원통형상의 샤프트(41), 이동판(42), 가이드부재(43)(본 실시의 형태에서는 샤프트(41)의 둘레에 3개 배치된다), 고정판(44), 볼 나사(45), 넛(46) 및 모터(40)를 갖는다. 챔버(6)의 하부인 챔버저부(62)에는 파지부(7)보다도 작은 지름을 갖는 대략 원형의 하부개구(64)가 형성되고 있으며, 스테인리스스틸제의 샤프트(41)는, 하부개구(64)을 삽통하여, 파지부(7)(엄밀하게는 파지부(7)의 핫플레이트(71))의 하면에 접속되어서 파지부(7)를 지지한다.
이동판(42)에는 볼 나사(45)와 나사결합되는 넛(46)이 고정되어 있다. 또한, 이동판(42)은, 챔버저부(62)에 고정되어서 아랫쪽으로 뻗는 가이드부재(43)에 의해 슬라이딩할 수 있게 안내되어서 상하 방향으로 이동 가능하게 된다. 또한, 이동판(42)은, 샤프트(41)를 통하여 파지부(7)에 연결된다.
모터(40)는, 가이드부재(43)의 하단부에 설치된 고정판(44)에 설치되어, 타이밍 벨트(401)를 통하여 볼 나사(45)에 접속된다. 파지부 승강기구(4)에 의해 파지부(7)가 승강할 때에는, 구동부인 모터(40)가 제어부(3)의 제어에 의해 볼 나사(45)를 회전하여, 넛(46)이 고정된 이동판(42)이 가이드부재(43)에 따라 연직방향으로 이동한다. 이 결과, 이동판(42)에 고정된 샤프트(41)가 연직방향에 따라 이동하고, 샤프트(41)에 접속된 파지부(7)가 도 1에 나타내는 반도체 웨이퍼(W)의 주고받기위치와 도 5에 나타내는 반도체 웨이퍼(W)의 처리위치와의 사이에서 매끄럽게 승강한다.
이동판(42)의 상면에는 거의 반원통형상(원통을 길이방향을 따라 반으로 절단한 형상)의 메카스토퍼(451)가 볼 나사(45)에 따르도록 입설되어 있으며, 만일 어떠한 이상에 의해 이동판(42)이 소정의 상승 한계를 넘어 상승하려고 해도, 메카스토퍼(451)의 상단이 볼 나사(45)의 단부에 설치된 단판(452)에 맞부딪침에 의해 이동판(42)의 이상상승이 방지된다. 이에 의해, 파지부(7)가 챔버창(61)의 아래쪽의 소정 위치 이상으로 상승하지 않아서, 파지부(7)와 챔버창(61)과의 충돌이 방지된다.
또한, 파지부 승강기구(4)는, 챔버(6)의 내부의 메인터넌스를 행할 때에 파지부(7)를 수동으로 승강시키는 수동승강부(49)를 갖는다. 수동승강부(49)는 핸 들(491) 및 회전축(492)을 갖고, 핸들(491)을 통하여 회전축(492)을 회전함으로써, 타이밍 벨트(495)를 통하여 회전축(492)에 접속된 볼 나사(45)를 회전해서 파지부(7)의 승강을 행할 수 있다.
챔버저부(62)의 아래쪽에는, 샤프트(41)의 주위를 둘러싸 아랫쪽으로 뻗는 신축가능한 베로즈(47)가 설치되어, 그 상단은 챔버저부(62)의 하면에 접속된다. 한편, 베로즈(47)의 하단은 베로즈 하단판(471)에 부착되어 있다. 베로즈 하단판(471)은, 플랜지형상부재(411)에 의해 샤프트(41)에 나사고정되어서 부착되어 있다. 파지부 승강기구(4)에 의해 파지부(7)가 챔버저부(62)에 대하여 상승할 때에는 베로즈(47)가 수축되고, 하강하는 때에는 베로즈(47)가 신장된다. 그리고, 파지부(7)가 승강할 때에도, 베로즈(47)가 신축함으로써 열처리공간(65)안의 기밀상태(氣密狀態)가 유지된다.
도 3은, 파지부(7)의 구성을 나타내는 단면도이다. 파지부(7)는, 반도체 웨이퍼(W)를 예비가열(소위 어시스트가열)하는 핫플레이트(가열 플레이트)(71), 및, 핫플레이트(71)의 상면(파지부(7)가 반도체 웨이퍼(W)를 파지하는 쪽의 면)에 설치되는 서셉터(72)를 갖는다. 파지부(7)의 하면에는, 기술과 같이 파지부(7)를 승강하는 샤프트(41)가 접속된다.
서셉터(72)는 석영(혹은, 질화 알루미늄(AlN) 등이라도 좋다)에 의해 형성되고, 그 상면에는 반도체 웨이퍼(W)의 위치어긋남을 방지하는 핀(75)이 설치된다. 서셉터(72)는, 그 하면을 핫플레이트(71)의 표면에 면접촉시켜서 핫플레이트(71)위에 설치된다. 이에 의해, 서셉터(72)는, 핫플레이트(71)로부터의 열 에네르기를 확 산하여 서셉터(72) 상면에 재치된 반도체 웨이퍼(W)에 전달하는 동시에, 메인터넌스시에는 핫플레이트(71)로부터 떼어내어 세정 가능하게 된다.
핫플레이트(71)는, 스테인리스스틸제의 상부 플레이트(73) 및 하부 플레이트(74)로 구성된다. 상부 플레이트(73)와 하부 플레이트(74)의 사이에는, 핫플레이트(71)를 가열하는 니크롬선 등의 저항가열선(76)이 배설되고, 도전성의 니켈납이 충전되어서 봉지(封止)되어 있다. 또한, 상부 플레이트(73) 및 하부 플레이트(74)의 단부는 납땜에 의해 접착되어 있다. 도 4는, 핫플레이트(71)를 나타내는 평면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 핫플레이트(71)는, 파지된 반도체 웨이퍼(W)와 대향하는 영역의 중앙부에 동심원형상으로 배치된 원판형상의 존(711) 및 원환(圓環)형상의 존(712), 및, 존(712)의 주위의 대략 원환상의 영역을 둘레방향으로 4등분할한 4개의 존(713∼716)을 갖추고, 각 존 간에는 약간의 간극이 형성되어 있다. 또한, 핫플레이트(71)에는, 지지 핀(70)이 삽통되는 3개의 관통공(貫通孔)(77)이, 존(711)과 존(712)과의 간극의 둘레상에 120도마다 설치된다.
6개의 존(711∼716)의 각각은, 서로 독립한 저항가열선(76)이 주회(周回)하도록 배설되어서 히터가 개별로 형성되어 있으며, 각 존에 내장된 히터에 의해 각 존이 개별로 가열된다. 파지부(7)에 파지된 반도체 웨이퍼(W)는, 6개의 존(711∼716)에 내장된 히터에 의해 가열된다. 또한, 존(711∼716)의 각각은, 열전대(熱電對)를 써서 각 존의 온도를 측량하는 센서(710)가 설치되어 있다. 각 센서(710)는 거의 원통형상의 샤프트(41)의 내부를 통과하여 제어부(3)에 접속된다.
핫플레이트(71)가 가열되는 때에는, 센서(710)에 의해 측량되는 6개의 존(711∼716)의 각각의 온도가 미리 설정된 소정의 온도가 되도록, 각 존에 배설된 저항가열선(76)으로의 전력공급량이 제어부(3)에 의해 제어된다. 제어부(3)에 의한 각 존의 온도제어는 PID(Proportional, Integral, Derivative)제어에 의해 행하여진다.
핫플레이트(71)에서는, 반도체 웨이퍼(W)의 열처리(복수의 반도체 웨이퍼(W)를 연속적으로 처리할 경우에는, 모든 반도체 웨이퍼(W)의 열처리)가 종료할 때까지 존(711∼716)의 각각의 온도가 계속적으로 측량되어, 각 존에 배설된 저항가열선(76)으로의 전력공급량이 개별로 제어되어서, 즉, 각 존에 내장된 히터의 온도가 개별로 제어되어서 각 존의 온도가 설정온도로 유지된다. 또한, 각 존의 설정온도는, 기준이 되는 온도로부터 개별로 설정된 오프셋 값만 변경하는 것이 가능하게 된다.
6개의 존(711∼716)에 각각 배설된 저항가열선(76)은, 샤프트(41)의 내부를 지나가는 전력선을 통하여 전력공급원(도시 생략)에 접속되어 있다. 전력공급원으로부터 각 존에 이르는 경로 도중에 있어서, 전력공급원으로부터의 전력선은, 마그네시아(마그네슘 산화물) 등의 절연체를 충전한 스테인레스 튜브의 내부에 서로 전기적으로 절연상태가 되도록 배치된다. 또한, 샤프트(41)의 내부는 대기개방되어 있다.
다음으로, 램프하우스(5)는, 하우징(51)의 안쪽에, 복수개(본 실시형태에서는 30개)의 크세논 플래시램프(FL)로 이루어진 광원과, 그 광원의 윗쪽을 덮도록 설치된 리플렉터(52)를 구비해서 구성된다. 또한, 램프하우스(5)의 하우징(51)의 저부에는 램프광방사창(53)이 장착되어 있다. 램프하우스(5)의 바닥부를 구성하는 램프광방사창(53)은, 석영에 의해 형성된 판형상부재이다. 램프하우스(5)가 챔버(6)의 윗쪽에 설치됨에 의해, 램프광방사창(53)이 챔버창(61)과 상대향(相對向)하게 된다. 램프하우스(5)는, 챔버(6)안에서 파지부(7)에 파지되는 반도체 웨이퍼(W)에 램프광방사창(53) 및 챔버창(61)을 통하여 플래시램프(FL)로부터 광을 조사하는 것에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 가열한다.
복수의 플래시램프(FL)는, 각각이 긴 원통형상을 갖는 봉형상 램프이며, 각각의 길이방향이 파지부(7)에 파지되는 반도체 웨이퍼(W)의 주면에 따라(즉, 수평방향에 따라) 서로 평행이 되도록 평면형상으로 배열되어 있다. 따라서, 플래시램프(FL)의 배열에 의해 형성되는 평면도 수평면이다.
도 6은, 플래시램프(FL)의 구동회로를 나타내는 도면이다. 동 도면에 나타낸 바와 같이, 콘덴서(93)와, 코일(94)과, 플래시램프(FL)와, 스위칭소자(96)가 직렬로 접속되어 있다. 플래시램프(FL)는, 그 내부에 크세논 가스가 봉입되어 그 양단부에 양극 및 음극이 배설된 봉형상의 유리관(방전관)(92)과, 그 유리관(92)의 바깥둘레면 위에 부설된 트리거전극(91)을 구비한다. 콘덴서(93)에는, 전원유닛(95)에 의해 소정의 전압이 인가되어, 그 인가전압에 따른 전하가 충전된다. 또한, 트리거전극(91)에는 트리거회로(97)로부터 전압을 인가할 수 있다. 트리거회로(97)가 트리거전극(91)에 전압을 인가하는 타이밍은 제어부(3)에 의해 제어된다.
본 실시의 형태에서는, 스위칭소자(96)로서 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT;Insulated gate bipolar transistor)를 이용하고 있다. IGBT은, 게이트부 에 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field effect transistor)을 조립한 바이폴라 트랜지스터이며, 대전력을 취급하는데 알맞은 스위칭소자이다. 스위칭소자(96)의 게이트에는 제어부(3)의 펄스발생기(31)로부터 펄스신호가 인가된다.
콘덴서(93)가 충전된 상태에서 스위칭소자(96)의 게이트에 펄스가 출력되어 유리관(92)의 양단전극에 고전압이 인가되었다고 해도, 크세논 가스는 전기적으로는 절연체인 것이므로, 통상의 상태에서는 유리관(92) 안에 전기는 흐르지 않는다. 그렇지만, 트리거회로(97)가 트리거전극(91)에 전압을 인가해서 절연을 파괴했을 경우에는 유리관(92) 안의 양단전극 간에서 전류가 순식간에 흘러, 그때의 쥴열로 크세논 가스가 가열되어서 광이 방출된다.
또한, 도 1의 리플렉터(52)는, 복수의 플래시램프(FL)의 윗쪽에 그것들 전체를 덮도록 설치되어 있다. 리플렉터(52)의 기본적인 기능은, 복수의 플래시램프(FL)에서 출사된 광을 파지부(7)의 측으로 반사한다는 것이다. 리플렉터(52)는 알루미늄 합금판으로 형성되고 있으며, 그 표면(플래시램프(FL)에 마주보는 측의 면)은 블래스트 처리에 의해 조면화가공(粗面化加工)이 시행되어서 배표피모양을 나타낸다. 이러한 조면화가공을 행하고 있는 것은, 리플렉터(52)의 표면이 완전한 경면이라면, 복수의 플래시램프(FL)로부터의 반사광의 강도에 규칙패턴이 생겨서 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도분포의 균일성이 저하하기 때문이다.
제어부(3)는, 열처리장치(1)에 설치된 상기의 여러가지 동작기구를 제어한다. 제어부(3)의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 같다. 즉, 제어부(3)는, 각종 연산처리를 행하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용의 메모리인 ROM, 각종정보를 기억하는 읽고 쓸 수 있는 메모리인 RAM 및 제어용 소프트웨어나 데이타 등을 기억해 두는 자기디스크를 구비해서 구성된다. 또한, 제어부(3)는, 펄스발생기(31) 및 파형설정부(32)을 구비하는 동시에, 입력부(33)에 접속되어 있다. 입력부(33)로서는, 키보드, 마우스, 터치패널 등의 여러가지 공지의 입력기기를 채용할 수 있다. 입력부(33)로부터의 입력내용에 의거해서 파형설정부(32)가 펄스신호의 파형을 설정하여, 그 파형을 따라서 펄스발생기(31)가 펄스신호를 발생한다.
상기의 구성 이외에도 열처리장치(1)는, 반도체 웨이퍼(W)의 열처리시에 플래시램프(FL) 및 핫플레이트(71)로부터 발생하는 열 에네르기에 의한 챔버(6) 및 램프하우스(5)의 과잉한 온도상승을 방지하기 위해서, 여러가지 냉각용의 구조를 구비하고 있다. 예를 들면, 챔버(6)의 챔버측부(63) 및 챔버저부(62)에는 수냉관(水冷管)(도시 생략)이 설치되어 있다. 또한, 램프하우스(5)는, 내부에 기체류를 형성해서 배열(排熱)하기 위한 기체공급관(55) 및 배기관(56)이 설치되어 공냉구조로 하고 있다(도 1, 5참조). 또한, 챔버창(61)과 램프광방사창(53)의 간극에도 공기가 공급되어, 램프하우스(5) 및 챔버창(61)을 냉각한다.
다음으로, 열처리장치(1)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 처리순서에 대해서 설명한다. 우선, 파지부(7)가 도 5에 나타내는 처리위치부터 도 1에 나타내는 주고받기위치로 하강한다. 「처리위치」란, 플래시램프(FL)로부터 반도체 웨이퍼(W)에 광조사가 행하여질 때의 파지부(7)의 위치이며, 도 5에 나타내는 파지부(7)의 챔버(6)안에 있어서의 위치이다. 또한, 「주고받기위치」란, 챔버(6)에 반도체 웨이퍼(W)의 반출입이 행하여질 때의 파지부(7)의 위치이며, 도 1에 나타내는 파지 부(7)의 챔버(6)안에 있어서의 위치이다. 열처리장치(1)에 있어서의 파지부(7)의 기준위치는 처리위치이며, 처리전에 있어서는 파지부(7)는 처리위치에 위치하고 있으며, 이것이 처리 시작할 때에 주고받기위치로 하강하는 것이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 파지부(7)가 주고받기위치로까지 하강하면 챔버저부(62)에 근접하여, 지지 핀(70)의 선단이 파지부(7)를 관통해서 파지부(7)의 윗쪽에 돌출한다.
다음으로, 파지부(7)가 주고받기위치로 하강했을 때에, 밸브(82) 및 밸브(87)가 열려서 챔버(6)의 열처리공간(65)안에 상온의 질소가스가 도입된다. 이어서, 게이트밸브(185)가 열려서 반송개구부(66)가 해방되어, 장치외부의 반송로봇에 의해 반송개구부(66)를 통하여 반도체 웨이퍼(W)가 챔버(6)안에 반입되어, 복수의 지지 핀(70)위에 재치된다.
반도체 웨이퍼(W)의 반입시에 있어서의 챔버(6)로의 질소가스의 퍼지량은 약40리터/분으로 되어 있고, 공급된 질소가스는 챔버(6) 내에 있어서 가스도입버퍼(83)로부터 도 2 중에 나타내는 화살표AR4의 방향으로 흘러, 도 1에 나타내는 배출로(86) 및 밸브(87)를 통하여 유틸리티 배기에 의해 배기된다. 또한, 챔버(6)에 공급된 질소가스의 일부는, 베로즈(47)의 안쪽에 설치되는 배출구(도시 생략)로부터도 배출된다. 한편, 이하에서 설명하는 각 스텝에 있어서, 챔버(6)에는 항상 질소가스가 계속 공급 및 배기되고 있으며, 질소가스의 공급량은 반도체 웨이퍼(W)의 처리공정에 맞춰서 다양하게 변경된다.
반도체 웨이퍼(W)가 챔버(6)안에 반입되면, 게이트 밸브(185)에 의해 반송개구부(66)가 폐색된다. 그리고, 파지부 승강기구(4)에 의해 파지부(7)가 주고받기위 치로부터 챔버창(61)에 근접한 처리위치에까지 상승한다. 파지부(7)가 주고받기위치부터 상승하는 과정에 있어서, 반도체 웨이퍼(W)는 지지 핀(70)으로부터 파지부(7)의 서셉터(72)로 건네져서, 서셉터(72)의 표면에 재치·파지된다. 파지부(7)가 처리위치로까지 상승하면 서셉터(72)에 파지된 반도체 웨이퍼(W)도 처리위치에 파지되게 된다.
핫플레이트(71)의 6개의 존(711∼716)의 각각은, 각 존의 내부(상부 플레이트(73)와 하부 플레이트(74)의 사이)에 개별로 내장된 히터(저항가열선(76))에 의해 소정의 온도까지 가열되어 있다. 파지부(7)가 처리위치까지 상승해서 반도체 웨이퍼(W)가 파지부(7)와 접촉함에 의해, 그 반도체 웨이퍼(W)는 핫플레이트(71)에 내장된 히터에 의해 예비 가열되어서 온도가 점차 상승한다.
이 처리위치에서 약 60초간의 예비가열이 행해져, 반도체 웨이퍼(W)의 온도가 미리 설정된 예비가열온도(T1)까지 상승한다. 예비가열온도(T1)는, 반도체 웨이퍼(W)에 첨가된 불순물이 열에 의해 확산할 우려가 없는, 200℃ 내지 800℃정도, 바람직하게는 350℃ 내지 550℃정도로 한다. 또한, 파지부(7)와 챔버창(61) 사이의 거리는, 파지부 승강기구(4)의 모터(40)의 회전량을 제어함에 의해 임의로 조정하는 것이 가능하게 되어 있다.
약 60초간의 예비가열 시간이 경과한 후, 플래시램프(FL)에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 광조사가열(아닐)이 개시된다. 플래시램프(FL)로부터의 광조사를 행할 때에는, 미리 전원유닛(95)에 의해 콘덴서(93)에 전하를 축적해 둔다. 그리고, 콘덴서(93)에 전하가 축적된 상태에서, 제어부(3)의 펄스발생기(31)로부터 스위칭소 자(96)에 펄스신호를 출력한다.
도 7은, 펄스신호의 파형과 회로에 흐르는 전류 및 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도와의 상관관계의 일례를 나타낸 도면이다. 여기에서는, 도 7(a)에 나타내는 바와 같은 파형의 펄스신호가 펄스발생기(31)로부터 출력된다. 펄스신호의 파형은, 입력부(33)로부터 다음 표1에 나타내는 바와 같은 파라미터를 입력함으로써 규정할 수 있다.
Figure 112008063504886-PAT00001
표1에 있어서, Pn , Sn은 각각 펄스폭과 스페이스폭의 길이이며, 단위는 마이크로초이다. 펄스폭이란, 펄스가 상승하고 있는 시간이며, 스페이스폭이란 펄스 간의 시간이다. 표1에 나타내는 펄스폭, 스페이스폭 및 펄스수의 각 파라미터를 오퍼레이터가 입력부(33)로부터 제어부(3)에 입력하면, 제어부(3)의 파형설정부(32)는 도 7(a)에 나타내는 바와 같은 펄스폭의 다른 6개의 펄스로 이루어지는 펄스파형을 설정한다. 그리고, 파형설정부(32)에 의해 설정된 펄스파형을 따라서 펄스발생기(31)가 펄스신호를 출력한다. 그 결과, 스위칭소자(96)의 게이트에는 도 7(a)과 같은 파형의 펄스신호가 인가되어, 스위칭소자(96)의 구동이 제어되게 된다.
또한, 펄스발생기(31)로부터 출력하는 펄스신호가 ON이 되는 타이밍과 동기(同期)하여 제어부(3)가 트리거회로(97)를 제어해서 트리거전극(91)에 전압을 인가한다. 이에 의해, 스위칭소자(96)의 게이트에 입력되는 펄스신호가 ON인 때에는 유리관(92)안의 양단전극 간에서 전류가 흘러, 그 때의 쥴열로 크세논 가스가 가열되어서 광이 방출된다. 제어부(3)로부터 스위칭소자(96)의 게이트에 도 7(a)의 파형의 펄스신호를 출력하는 동시에, 상기 펄스신호가 ON이 되는 타이밍과 동기해서 트리거전극(91)에 전압을 인가함으로써, 플래시램프(FL)를 포함하는 회로 중에 도 7(b)에 나타내는 것 같은 전류가 흐른다. 즉, 스위칭소자(96)의 게이트에 입력되는 펄스신호가 ON인 때에만 플래시램프(FL)의 유리관(92)안에 전류가 흘러서 발광하게 된다. 또한, 각 펄스에 대응하는 개개의 전류파형은 코일(94)의 정수(定數)에 의해 규정된다.
도 7(b)와 같은 전류가 흘러서 플래시램프(FL)가 발광함으로써, 처리위치의 파지부(7)에 파지된 반도체 웨이퍼(W)의 광조사가열이 행해지고, 그 표면온도는 도 7(c)에 나타낸 바와 같이 변화된다.
종래와 같이, 스위칭소자(96)를 사용하지 않고 플래쉬램프(FL)를 발광시켰을 경우에는, 그 광이 조사시간 0.1밀리초 또는 10밀리초 정도의 지극히 짧고 강한 섬광이 되고, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도도 몇밀리초 정도로 최고온도에 도달하는 것이 된다. 이에 대하여, 본 실시의 형태와 같이, 회로 중에 스위칭소자(96)를 접속해서 그 게이트에 도 7(a)과 같은 펄스신호를 출력함에 의해, 이른바 플래시램프(FL)의 발광이 쵸퍼제어되게 되어, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 종래의 플래시가열에 비교하면 장시간(10밀리초∼15밀리초)에 걸쳐서 최고온도에 도달하는 것이 된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 도달하는 최고온도는 종래의 플래시 가열과 거의 같은 정도의 1000℃ 내지 1100℃정도의 처리온도(T2)이다.
광조사가열이 종료하여, 처리위치에 있어서의 약 10초간의 대기 후, 파지부(7)가 파지부 승강기구(4)에 의해 다시 도 1에 나타내는 주고받기위치까지 하강하여, 반도체 웨이퍼(W)가 파지부(7)로부터 지지 핀(70)에 건네진다. 계속해서, 게이트 밸브(185)에 의해 폐쇄되어 있었던 반송개구부(66)가 해방되어, 지지 핀(70)위에 재치된 반도체 웨이퍼(W)는 장치 외부의 반송로봇에 의해 반출되어, 열처리장치(1)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 광조사아닐처리가 완료한다.
이미 기술한 바와 같이, 열처리장치(1)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 열처리시에는 질소가스가 챔버(6)에 계속적으로 공급되고 있으며, 그 공급량은, 파지부(7)가 처리위치에 위치할 때에는 약30리터/분으로 되고, 파지부(7)가 처리위치 이외의 위치에 위치할 때에는 약 40리터/분으로 된다.
그런데, 상기의 예에서는, 도 7(a)과 같은 펄스신호를 스위칭소자(96)의 게이트에 출력함으로써, 플래시램프(FL)에 도 7(b)과 같은 전류를 흘려보내서 발광시켜, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도를 비교적 장시간에 걸쳐서 승온하고 있었다. 플래시램프(FL)의 발광 타이밍은 도 7의 예에 한정되는 것이 아니며, 스위칭소자(96)의 게이트에 출력하는 펄스신호의 파형을 변경함으로써 자유롭게 제어하는 것이 가능하다. 그리고, 펄스신호의 파형의 변경은, 입력부(33)에서 용이하게 행할 수 있다.
예를 들면, 입력부(33)에서 이하의 표2에 나타내는 바와 같은 파라미터를 입력하면, 상기와 마찬가지로, 제어부(3)의 파형설정부(32)가 도 8(a)에 나타내는 바와 같은 펄스파형을 설정한다. 그리고, 파형설정부(32)에 의해 설정된 펄스파형을 따라서 펄스발생기(31)가 도 8(a)의 펄스신호를 스위칭소자(96)의 게이트에 출력한다.
Figure 112008063504886-PAT00002
또한, 미리 콘덴서(93)에는 전하가 축적되고 있으며, 펄스발생기(31)로부터 출력하는 펄스신호가 ON이 되는 타이밍과 동기해서 제어부(3)가 트리거회로(97)를 제어해서 트리거전극(91)에 전압을 인가한다. 이에 의해, 플래시램프(FL)에 도 8(b)에 나타내는 것과 같은 전류가 흘러서 발광하고, 파지부(7)에 파지된 반도체 웨이퍼(W)의 광조사가열이 행해져서, 그 표면온도는 도 8(c)에 나타낸 바와 같이 변화된다. 도 8(c)의 온도프로파일에서는, 비교적 단시간 안에 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 최고온도에 도달하고, 그 후 일정시간동안 그 온도를 유지하고 있다. 즉, 도 8(a)과 같이, 최초의 펄스의 폭을 비교적 길게 하고, 그 후 비교적 짧은 폭의 펄스를 되풀이하는 파형을 설정하고, 그 파형을 따른 펄스신호를 스위칭소자(96)의 게이트에 출력함으로써, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 승온 후에 일정 온도를 유지하는 것 같은 온도 프로파일을 나타낼 수 있는 것이다.
또한, 입력부(33)에서 표3에 나타내는 바와 같은 파라미터를 입력하면, 상기와 같이, 제어부(3)의 파형설정부(32)가 도 9(a)에 나타내는 바와 같은 펄스파형을 설정한다. 그리고, 파형설정부(32)에 의해 설정된 펄스파형을 따라서 펄스발생기(31)가 도 9(a)의 펄스신호를 스위칭소자(96)의 게이트에 출력한다.
Figure 112008063504886-PAT00003
또한, 상기와 같이, 미리 콘덴서(93)에는 전하가 축적되어 있으며, 펄스발생기(31)로부터 출력하는 펄스신호가 ON이 되는 타이밍과 동기해서 제어부(3)가 트리거회로(97)을 제어해서 트리거전극(91)에 전압을 인가한다. 이에 의해, 플래시램프(FL)에 도 9(b)에 나타내는 것과 같은 전류가 흘러서 발광하고, 파지부(7)에 파지된 반도체 웨이퍼(W)의 광조사가열이 행하여져, 그 표면온도는 도 9(c)에 나타낸 바와 같이 변화된다. 도 9(c)의 온도 프로파일에서는, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 강온와 승온을 되풀이한다.
이상과 같이, 본 실시형태에 있어서는, 플래시램프(FL)의 구동회로에 IGBT의 스위칭소자(96)를 직렬로 접속하여, 그 스위칭소자(96)의 게이트에 펄스신호를 출력함으로써 플래시램프(FL)의 발광을 쵸퍼제어(온오프 제어)하고 있다. 스위칭소자(96)의 게이트에 인가하는 펄스신호의 파형은, 입력부(33)에서 펄스폭, 스페이스폭 및 펄스수를 입력함으로써 자유롭게 설정하는 것이 가능하다. 그리고, 스위칭소자(96)의 게이트에 출력하는 펄스신호의 파형을 변경함에 의해, 플래시램프(FL)에 흐르는 전류의 파형이 변화되어 발광태양도 변화하게 된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도가 나타내는 온도 프로파일도 변화되게 된다. 즉, 스위칭소자(96)의 게이트에 출력하는 펄스신호의 파형을 변경함으로써, 플래시램프(FL)의 광조사아닐시간(발광시간)을 1밀리초이상 1초미만의 범위에서 자유롭게 변경할 수 있고, 그 결과 반도체 웨이퍼(W)의 표면온도의 온도 프로파일을 자유롭게 설정할 수 있는 것이다.
이상, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 설명했지만, 이 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외로 여러가지 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에 있어서는, 스위칭소자(96)의 게이트에 출력하는 펄스신호의 파형을 3패턴 예시하고 있었지만, 펄스신호의 파형은 도 7로부터 도 9의 3패턴에 한정되는 것이 아니라, 임의의 파형으로 하는 것이 가능하다. 구체적으로는, 입력부(33)에서 펄스폭, 스페이스폭 및 펄스수 등의 파라미터를 입력하여, 그에 따라서 파형설정부(32)가 펄스신호의 파형을 설정한다.
따라서, 예를 들면, 펄스수가 1개만의 펄스신호를 펄스발생기(31)로부터 출력함도 가능하다. 즉, 스위칭소자(96)의 게이트에 출력하는 펄스신호는 하나 이상의 펄스를 포함하는 것이면 임의인 파형을 설정하는 것이 가능하다.
또한, 펄스신호의 파형의 설정은, 입력부(33)에서 차례대로 펄스폭 등의 파라미터를 입력하는 것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 오퍼레이터가 입력부(33)에서 파형을 직접 그래피컬하게 입력하도록 해도 좋고, 이전에 설정되어 자기디스크 등의 기억부에 기억되어 있었던 파형을 판독하도록 해도 좋고, 또는 열처리장치(1)의 외부에서 다운로드하도록 해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 스위칭소자(96)로서 IGBT를 사용하고 있었지만, 이에 한정되는 것은 아니고, IGBT 이외의 다른 트랜지스터라도 좋고, 입력된 펄스신호의 파형에 따라서 회로를 온오프할 수 있는 소자이면 좋다. 단, 플래시램프(FL)의 발광에는 상당히 큰 전력이 소비되기 때문에, 대전력의 취급에 알맞은 IGBT나 GTO(Gate Turn Off) 다이리스터를 스위칭소자(96)로서 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 펄스신호가 ON이 되는 타이밍과 동기해서 트리거전극(91)에 전압을 인가하도록 하고 있었지만, 트리거전압을 인가하는 타이밍은 이것에 한정되는 것이 아니고, 펄스신호의 파형과는 무관계하게 일정 간격으로 인가하도록 해도 좋다. 또한, 펄스신호의 스페이스폭이 좁고, 어떤 펄스에 의해 플래시램프(FL)를 흐른 전류의 전류값이 소정값 이상 남아있는 상태에서 다음 펄스에 의해 통전이 개시되는 것과 같은 경우이면, 그대로 플래시램프(FL)에 전류가 계속해서 흐르기 때문에, 펄스마다에 트리거전압을 인가할 필요는 없다. 상기 실시형태의 도 8과 같이, 펄스신호의 모든 스페이스폭이 좁을 경우에는, 최초의 펄스가 인가되었을 때에만 트리거전압을 인가하도록 해도 좋고, 그 후에는 트리거전압을 인가하지 않더라도 스위칭소자(96)의 게이트에 도 8(a)의 펄스신호를 출력하는 것만으로 도 8(b)과 같은 전류파형을 형성할 수 있다. 즉, 펄스신호가 ON이 될 때에, 플래시램프(FL)에 전류가 흐르는 타이밍이면, 트리거전압의 인가타이밍은 임의적이다.
또한, 상기 실시형태에 있어서는, 램프하우스(5)에 30개의 플래시램프(FL)를 구비하도록 하고 있었지만, 이에 한정되는 것이 아니고, 플래시램프(FL)의 개수는 임의의 수로 할 수 있다. 또한, 플래시램프(FL)는 크세논 플래시램프에 한정되는 것이 아니라, 크립톤 플래시램프라도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 열처리장치에 의해 처리대상이 되는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니고, 액정표시장치 등에 쓰는 유리기판이라도 좋다.
도 1은 본 발명에 의한 열처리장치의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 2는 도 1의 열처리장치 가스로를 나타내는 단면도이다.
도 3은 파지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 핫플레이트를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 열처리장치의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 6은 플래시램프의 구동회로를 나타내는 도면이다.
도 7은 펄스신호의 파형과 회로에 흐르는 전류 및 반도체 웨이퍼의 표면온도와의 상관관계의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 펄스신호의 파형과 회로에 흐르는 전류 및 반도체 웨이퍼의 표면온도와의 상관관계의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 펄스신호의 파형과 회로에 흐르는 전류 및 반도체 웨이퍼의 표면온도와의 상관관계의 다른 예를 나타낸 도면이다.
[부호의 설명]
1 열처리장치 3 제어부
4 파지부 승강기구 5 램프하우스
6 챔버 7 파지부
31 펄스 발생기 32 파형설정부
33 입력부 60 상부개구
61 챔버창 65 열처리 공간
71 핫플레이트 72 서셉터
91 트리거전극 92 유리관
93 콘덴서 94 코일
96 스위칭소자 97 트리거회로
FL 플래시램프 W 반도체 웨이퍼

Claims (9)

  1. 기판에 대하여 광을 조사함으로써 상기 기판을 가열하는 열처리장치로서,
    기판을 파지하는 파지수단과,
    상기 파지수단에 파지된 기판에 광을 조사하는 플래시램프와,
    상기 플래시램프, 콘덴서 및 코일과 직렬로 접속된 스위칭소자와,
    하나 이상의 펄스를 포함한 펄스신호를 발생해서 상기 스위칭소자에 출력함으로써 상기 스위칭소자의 구동을 제어하는 펄스신호 발생수단,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 펄스신호 발생수단이 발생하는 펄스신호의 파형을 설정하는 파형설정수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 파형설정수단으로의 펄스신호의 파형의 입력을 접수하는 파형입력부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 펄스신호 발생수단이 상기 스위칭소자에 펄스신호를 출력함으로써 상기 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어해서 상기 플래시램프의 발광시간을 1밀리초이상 1초미만으로 하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭소자는 트랜지스터이며,
    상기 펄스신호 발생수단은, 상기 트랜지스터의 게이트에 펄스신호를 출력함을 특징으로 하는 열처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭소자는 GTO다이리스터(thyristor)인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 콘덴서에 전하를 축적하는 전원부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  9. 기판에 대하여 광을 조사함으로써 상기 기판을 가열하는 열처리장치로서,
    기판을 파지하는 파지수단과,
    상기 파지수단에 파지된 기판에 광을 조사하는 플래시램프와,
    상기 플래시램프의 발광을 쵸퍼제어해서 발광시간을 1밀리초이상 1초미만으로 하는 쵸퍼제어수단,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
KR1020080088072A 2007-09-12 2008-09-08 열처리장치 KR101013234B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007236249A JP5465373B2 (ja) 2007-09-12 2007-09-12 熱処理装置
JPJP-P-2007-00236249 2007-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090027579A true KR20090027579A (ko) 2009-03-17
KR101013234B1 KR101013234B1 (ko) 2011-02-08

Family

ID=40431925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080088072A KR101013234B1 (ko) 2007-09-12 2008-09-08 열처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (4) US8050546B2 (ko)
JP (1) JP5465373B2 (ko)
KR (1) KR101013234B1 (ko)
CN (1) CN101388334B (ko)
TW (1) TWI369740B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101324860B1 (ko) * 2011-03-23 2013-11-01 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 열처리 방법 및 열처리 장치
US8623750B2 (en) 2011-09-26 2014-01-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment method for promoting crystallization of high dielectric constant film
KR101413394B1 (ko) * 2011-03-14 2014-06-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 열처리 방법 및 열처리 장치

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482468B2 (en) * 2005-09-14 2016-11-01 Mattson Technology, Inc. Repeatable heat-treating methods and apparatus
WO2008131513A1 (en) 2007-05-01 2008-11-06 Mattson Technology Canada, Inc. Irradiance pulse heat-treating methods and apparatus
JP5465373B2 (ja) * 2007-09-12 2014-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP5221099B2 (ja) * 2007-10-17 2013-06-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus
US9498845B2 (en) 2007-11-08 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
US7800081B2 (en) * 2007-11-08 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
JP5642359B2 (ja) * 2009-06-04 2014-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP5828997B2 (ja) * 2009-01-13 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP5828998B2 (ja) * 2009-02-18 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 半導体素子の製造方法
US8461033B2 (en) 2009-01-13 2013-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light-irradiation
JP5378817B2 (ja) * 2009-01-30 2013-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
JP5813291B2 (ja) * 2010-03-24 2015-11-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
US8907258B2 (en) * 2010-04-08 2014-12-09 Ncc Nano, Llc Apparatus for providing transient thermal profile processing on a moving substrate
JP5606852B2 (ja) * 2010-09-27 2014-10-15 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
KR101733179B1 (ko) 2010-10-15 2017-05-08 맛선 테크놀러지, 인코포레이티드 워크피스를 노출할 조사 펄스의 형상을 결정하는 방법, 장치 및 매체
CN203205393U (zh) 2011-03-01 2013-09-18 应用材料公司 用于转移基板及限制自由基的箍组件
JP6114698B2 (ja) * 2011-03-01 2017-04-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
JP5698040B2 (ja) * 2011-03-14 2015-04-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP5701651B2 (ja) * 2011-03-14 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP5801575B2 (ja) * 2011-03-14 2015-10-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP5801574B2 (ja) * 2011-03-14 2015-10-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP2012199470A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP5797916B2 (ja) * 2011-03-23 2015-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR20120119781A (ko) * 2011-04-22 2012-10-31 삼성전자주식회사 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP2013084902A (ja) * 2011-09-26 2013-05-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP5951209B2 (ja) * 2011-09-26 2016-07-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法
FR2981346B1 (fr) * 2011-10-18 2014-01-24 Saint Gobain Procede de traitement thermique de couches d'argent
JP5951241B2 (ja) * 2011-12-07 2016-07-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR102068186B1 (ko) 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
JP5955658B2 (ja) * 2012-06-15 2016-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP6184697B2 (ja) 2013-01-24 2017-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
JP2014175638A (ja) * 2013-03-13 2014-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
CN104064460B (zh) * 2013-03-20 2017-02-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 适用于igbt薄型硅片的背面杂质激活方法
CN103337457B (zh) * 2013-05-29 2016-05-25 京东方科技集团股份有限公司 退火装置和退火工艺
WO2015119744A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Chucking capability for bowed wafers on dsa
DE102014105300A1 (de) * 2014-03-12 2015-09-17 Von Ardenne Gmbh Prozessieranordnung und Verfahren zum Betreiben einer Prozessieranordnung
CN105467874A (zh) * 2015-11-30 2016-04-06 小米科技有限责任公司 智能插座上电子设备类别的识别方法及装置
JP7166759B2 (ja) * 2015-12-04 2022-11-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｈｄｐ－ｃｖｄチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料
JP6391558B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2018029043A (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 岩崎電気株式会社 フラッシュランプ装置及びフラッシュランプユニット
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP6810578B2 (ja) * 2016-11-18 2021-01-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ドーパント導入方法および熱処理方法
JP2018181586A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 日本発條株式会社 シースヒータ
JP6902382B2 (ja) * 2017-04-12 2021-07-14 日本発條株式会社 ヒータユニット
US11220455B2 (en) 2017-08-04 2022-01-11 Vitro Flat Glass Llc Flash annealing of silver coatings
JP7315331B2 (ja) * 2019-01-28 2023-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7307563B2 (ja) 2019-03-18 2023-07-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR102280033B1 (ko) * 2019-05-29 2021-07-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023131292A (ja) 2022-03-09 2023-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5796497A (en) 1980-12-09 1982-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Flash discharger
JPH01223789A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ励起用ランプの電源装置
JPH02283036A (ja) 1989-04-25 1990-11-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPH03156433A (ja) * 1989-11-15 1991-07-04 Konica Corp 閃光制御回路
JP3163267B2 (ja) 1991-03-20 2001-05-08 株式会社日立国際電気 気相成長方法
JPH05152653A (ja) * 1991-11-26 1993-06-18 Hoya Corp レーザ励起用ランプの電源装置
JPH0722497A (ja) 1993-06-17 1995-01-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体製造装置
JP2916741B2 (ja) 1993-08-30 1999-07-05 株式会社三社電機製作所 高輝度放電灯点灯用電源装置
JP2821844B2 (ja) 1993-09-09 1998-11-05 株式会社三社電機製作所 交流アーク放電灯点灯用電源装置及び点灯方法
EP0841692A3 (en) * 1996-11-08 1998-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for optical evaluation of a semiconductor device
US6193711B1 (en) * 1997-12-12 2001-02-27 Coherent, Inc. Rapid pulsed Er:YAG laser
JP2000199688A (ja) 1998-12-28 2000-07-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP3659863B2 (ja) * 2000-04-06 2005-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US6376806B2 (en) * 2000-05-09 2002-04-23 Woo Sik Yoo Flash anneal
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
JP4092541B2 (ja) * 2000-12-08 2008-05-28 ソニー株式会社 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
TWI313059B (ko) 2000-12-08 2009-08-01 Sony Corporatio
JP3925301B2 (ja) 2001-07-12 2007-06-06 コニカミノルタセンシング株式会社 分光特性測定装置および同装置の分光感度の波長シフト補正方法
JP2003273103A (ja) 2002-03-15 2003-09-26 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体の製造方法および製造装置
US6998580B2 (en) * 2002-03-28 2006-02-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method
JP4236881B2 (ja) 2002-07-19 2009-03-11 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US6849831B2 (en) * 2002-03-29 2005-02-01 Mattson Technology, Inc. Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources
JP2003332024A (ja) 2002-05-08 2003-11-21 Ushio Inc 光加熱装置の電源装置
JP2004020263A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Minolta Co Ltd 光輝感評価装置及び光輝感評価方法
JP4429609B2 (ja) * 2002-06-25 2010-03-10 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7223660B2 (en) * 2002-07-31 2007-05-29 Intel Corporation Flash assisted annealing
KR100549452B1 (ko) * 2002-12-05 2006-02-06 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광조사형 열처리장치 및 방법
KR100544473B1 (ko) * 2003-09-23 2006-01-24 삼성전자주식회사 램프의 제어방법 및 그를 이용한 화상형성장치의 정착기제어방법
WO2005059991A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Mattson Technology Canada Inc. Apparatuses and methods for suppressing thermally induced motion of a workpiece
JP4396276B2 (ja) * 2004-01-05 2010-01-13 ウシオ電機株式会社 フラッシュランプ発光装置
TW200605229A (en) 2004-07-28 2006-02-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2006294750A (ja) 2005-04-07 2006-10-26 Toshiba Corp 薄膜堆積装置及び方法
US9482468B2 (en) * 2005-09-14 2016-11-01 Mattson Technology, Inc. Repeatable heat-treating methods and apparatus
TWI288246B (en) * 2005-12-19 2007-10-11 Compal Electronics Inc A portable device and method for providing navigation data
JP4617438B2 (ja) * 2006-01-20 2011-01-26 コニカミノルタセンシング株式会社 分光特性測定装置
JP5214153B2 (ja) * 2007-02-09 2013-06-19 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP5465373B2 (ja) * 2007-09-12 2014-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP5221099B2 (ja) * 2007-10-17 2013-06-26 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101413394B1 (ko) * 2011-03-14 2014-06-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 열처리 방법 및 열처리 장치
US8859443B2 (en) 2011-03-14 2014-10-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light
KR101324860B1 (ko) * 2011-03-23 2013-11-01 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 열처리 방법 및 열처리 장치
US9343313B2 (en) 2011-03-23 2016-05-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with light
US9805932B2 (en) 2011-03-23 2017-10-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with light
US10276385B2 (en) 2011-03-23 2019-04-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with light
US10879072B2 (en) 2011-03-23 2020-12-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with light
US8623750B2 (en) 2011-09-26 2014-01-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment method for promoting crystallization of high dielectric constant film
KR101380436B1 (ko) * 2011-09-26 2014-04-01 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 열처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101388334A (zh) 2009-03-18
US20120008926A1 (en) 2012-01-12
JP5465373B2 (ja) 2014-04-09
US8050546B2 (en) 2011-11-01
US8447177B2 (en) 2013-05-21
TWI369740B (en) 2012-08-01
CN101388334B (zh) 2011-10-19
KR101013234B1 (ko) 2011-02-08
US20130224967A1 (en) 2013-08-29
US20090067823A1 (en) 2009-03-12
US20140212117A1 (en) 2014-07-31
US9295107B2 (en) 2016-03-22
JP2009070948A (ja) 2009-04-02
US8781309B2 (en) 2014-07-15
TW200926302A (en) 2009-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101013234B1 (ko) 열처리장치
JP5221099B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP5356725B2 (ja) 熱処理装置
JP5346484B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP5642359B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP5238729B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP5465416B2 (ja) 熱処理方法
JP5828997B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2010045106A (ja) 熱処理装置
JP5813291B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP6087874B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP5998191B2 (ja) 熱処理方法
JP5718975B2 (ja) 熱処理方法
JP5847905B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2013201453A (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2011082439A (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2011204741A (ja) 印加電圧設定方法、熱処理方法および熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180104

Year of fee payment: 8