KR20090014173A - 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판 - Google Patents

수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저비용으로 저열팽창의 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판을 제공한다. 본 발명은 적층판의 제조에 이용되는 수지 조성물이며, 수지 조성물이 방향환을 갖는 절연성 수지를 포함하고, 또한 방향환을 갖는 절연성 수지의 Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구한, 절연성 수지의 가교점간 분자량이, 적층판 제조 후의 단계에서 300 내지 1000인 수지 조성물이다.
수지 조성물이며, 방향환을 갖는 절연성 수지, 전단 탄성률, 가교점간 분자량, 다환식 화합물, 결정성 에폭시 수지

Description

수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판{RESIN COMPOSITION, PREPREG, LAMINATE, AND WIRING BOARD}
본 발명은 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판에 관한 것이다.
최근의 전자 기기의 소형화·고성능화의 흐름에 따라, 인쇄 배선판에서는 배선 피치가 협소화된 고밀도의 배선이 요구되고 있다. 고밀도 배선에 대응하는 반도체의 실장 방법으로는, 종래의 와이어 본딩 방식 대신에, 플립 칩 접속 방식이 널리 이용되고 있다. 플립 칩 접속 방식은 와이어 대신에 땜납볼에 의해 배선판과 반도체를 접속시키는 방법이다. 서로 대향한 배선판과 반도체 사이에 땜납볼을 배치시키고, 전체적으로 가열하여 땜납을 리플로우(용융 접속)시켜서, 배선판과 반도체를 접속시켜 실장하고 있다. 이 방법에서는, 땜납 리플로우시 300℃ 가까운 열이 배선판 등에 가해진다. 이때, 종래의 수지 조성물을 재료로 하여 형성된 배선판에서는, 배선판이 열수축하여, 배선판과 반도체를 접속하는 땜납볼에 큰 응력이 발생하여, 배선의 접속 불량을 일으키는 경우가 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-182851호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 제2740990호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2000-243864호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2000-114727호 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
상술한 상황을 배경으로 하여, 저열팽창율의 적층판이 요구되고 있다. 종래, 적층판으로서는, 에폭시 수지를 주제로 한 수지 조성물과 유리 직포를 경화·일체 성형한 것이 일반적이다. 에폭시 수지는, 절연성이나 내열성, 비용 등의 균형이 우수하지만, 열팽창율이 크기 때문에, 실리카 등의 무기 충전재를 첨가하여 열팽창을 억제하는 것이 일반적이다(특허 문헌 1 참조). 무기 충전재를 높은 비율로 충전함으로써, 한층 더 낮은 열팽창을 도모하는 것도 가능하지만, 충전량을 늘리면 흡습에 의한 절연 신뢰성의 저하나 수지-배선층의 밀착 부족, 프레스 성형 불량을 일으키는 것이 알려져 있다. 그 때문에, 다층 배선판에 있어서의 용도로는, 무기 충전재의 고충전에는 한계가 있다.
또한, 수지의 선택 또는 개량에 의해 저열팽창을 달성하는 것이 시도되고 있다. 예를 들면, 방향환을 갖는 에폭시 수지의 공지예로서, 2관능의 나프탈렌 골격, 또는 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지를 이용한 저열팽창성 가압 성형용 수지 조성물(특허 문헌 2)이 있는데, 충전재가 80 내지 92.5 vol％ 배합되어 있다. 또한, 종래에는 배선판용의 수지 조성물의 저열팽창율화는 특허 문헌 3 및 4에 나타낸 바와 같이 가교 밀도를 높여서, 즉 본원 출원의 가교점간 분자량을 작게 하여, Tg를 높게 하여 열팽창율을 감소시키는 방법이 일반적이었다. 그러나, 가교 밀도를 높이는 것은, 즉 가교점간 분자량을 작게 하는 것은 관능기 사이의 분자쇄를 짧게 하는 것인데, 일정 이상 분자쇄를 짧게 하는 것은 반응성이나 수지 강도 등의 관점에서 불가능하다. 이 때문에, 가교 밀도를 높이는 방법에 의한 저열팽창율화는 한계가 있었다.
열팽창이 작은 수지로는 폴리이미드가 널리 알려져 있지만, 성형에 고온을 요하고, 비용이 높다는 문제가 있다. 또한, 필름상의 형태이기 때문에 연성 기판용의 재료로서 적합한 반면, 강성을 필요로 하는 다층 배선판 용도에는 적합하지 않았다.
본 발명은 저비용으로 저열팽창의 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명은 다음 양태를 갖는다.
적층판의 제조에 이용되는 수지 조성물이며, 수지 조성물이 방향환을 갖는 절연성 수지를 포함하고, 또한 방향환을 갖는 절연성 수지의 Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구한, 절연성 수지의 가교점간 분자량이, 적층판 제조 후의 단계에서 300 내지 1000인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
방향환을 갖는 절연성 수지가 다환식 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
절연성 수지가 비페닐 구조, 나프탈렌 구조, 안트라센 구조, 및 디히드로안트라센 구조 중 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
절연성 수지가 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
에폭시 수지가 결정성 에폭시 수지를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
에폭시 수지가 하기 화학식 1의 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 화학식 2의 안트라센형 에폭시 수지, 화학식 3의 디히드로안트라센형 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기에 기재된 수지 조성물.
Figure 112008080763848-PCT00001
(식 중, R1 내지 R4는 동일하거나, 서로 다른 CmH2m +1기를 나타내고, 여기서 m은 0 또는 1 이상의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄)
Figure 112008080763848-PCT00002
(식 중, R5 내지 R8은 동일하거나, 서로 다른 CpH2p +1기를 나타내고, 여기서 p는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄)
Figure 112008080763848-PCT00003
(식 중, R9는 동일하거나, 서로 다른 CtH2t +1기를 나타내고(여기서 t는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄), r은 0 내지 4의 정수를 나타내고, R10은 동일하거나, 서로 다른 CuH2u+1기를 나타내고(여기서 u는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄), s는 0 내지 6의 정수를 나타냄)
에폭시 수지의 경화제가 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A형 노볼락 수지, 아미노트리아진노볼락 수지, 비스말레이미드 함유 아미노트리아진노볼락 수지, 디시안디아미드, 벤조구아나민 중 어느 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
상술한 수지 조성물을 기재에 도포하여 함침시키고, 이어서 건조시켜 이루어지는 프리프레그.
기재가 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 부직포 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프리프레그.
본 발명의 프리프레그를 적층 성형하여 이루어지는 적층판.
본 발명의 적층판을 회로 가공하여 이루어지는 배선판.
<발명의 효과>
종래 방법과 같이 가교 밀도를 높이는 것이 아니고, 방향환을 갖는 수지 조성물의 가교점간 분자량이 300 내지 1000이 되도록 수지 조성을 조정하여, 적정한 가교 밀도로 함으로써, 저비용으로 저열팽창율의 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판을 제공하는 것이 가능해졌다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명자들이 연구한 결과, 종래와 같이 가교 밀도를 높이는, 즉 본원출원의 가교점간 분자량을 작게 하는 방법은 열팽창율의 감소에는 부적합하다는 의외의 사실을 알았다. 또한 예의 연구를 진행시킨 결과, 방향환을 갖는 수지 조성물의 가교 밀도를 가교점간 분자량으로 환산하여 300 내지 1000의 범위가 되도록 수지 조성을 적정화하는 것이, 열팽창율의 감소에 효과가 크다는 의외의 사실을 지견하기에 이르렀다. 본 발명의 수지 조성물은 적층판의 제조에 이용되고, 방향환을 갖는 절연성 수지를 포함한다. 본 발명에 이용하는 방향환을 갖는 절연성 수지는, 적층판 제조 후의 단계에서, Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구한 가교점간 분자량이 300 내지 1000이다. 절연성 수지의 가교점간 분자량을 300 내지 1000으로 함으로써 방향환끼리의 상호 작용을 강하게 발현할 수 있어서, 열팽창율이 낮은 수지 조성물과 다층 배선판 재료(프리프레그, 적층판)를 얻을 수 있다. 또한, 가교점간 분자량이 300 이하인 경우에는, 방향환을 갖는 관능기수가 적은 재료(다만, 단관능의 재료를 포함하지 않음)를 배합하여 가교점간 분자량을 300 이상으로 할 수 있다. 또한, 관능기 당량이 큰 재료의 배합도 유효하다. 이때, 방향환이 다환식 화 합물을 포함하는 것이 바람직하고, 비페닐 구조, 나프탈렌 구조, 안트라센 구조, 및 디히드로안트라센 구조 중 어느 것을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 한편, 가교점간 분자량이 1000 이상인 경우에는, 방향환을 갖는 관능기수가 많은 재료를 배합하여 가교점 분자량을 1000 이하로 할 수 있다. 또한, 관능기 당량이 적은 재료의 배합도 유효하다. 이 경우에도 방향환이 상기 다환식 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한 적층판 제조 후의 단계란, 예를 들면, 적층판 제조 시, 또는 적층판을 이용하여 다층 배선판 등을 제조한 때, 열이력 공정이 실시된 후이다. 또한 절연성 수지의 전단 탄성률은 일반적으로 동적 점탄성 장치로 측정된다.
여기서, 동적 점탄성 장치로 측정하고, Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구해진가교점간 분자량이란, 예를 들면, (주)가가꾸 도우닌사 발행의 고분자와 복합 재료의 역학적 성질(저자: L.E.Nielsen, 역자: 오노끼 시게하루)에 기재되고, 그 본문 중의 기재로부터 가교점간 분자량이 구해진다. 즉, 하기 수학식 1은 실험 결과와 잘 일치하는 경험식을 이용하여 계산된 것이다. 본 수학식에 있어서, 전단 탄성률의 단위는 dyn을 이용한다.
Figure 112008080763848-PCT00004
또한, 수학식 1 내의 G(전단 탄성률)는, 일반적으로 동적 점탄성 장치로부터 산출된 저장 탄성률 E의 Tg 이상의 값을 하기 수학식 2의 변환식으로부터 구할 수 있다.
Figure 112008080763848-PCT00005
동적 점탄성 측정 장치란, 일반적으로 시료에 강제 진동 비공진법에 의해 인장, 압축, 구부림 또는 전단 방향으로 정현파 진동 또는 합성파 진동을 가하여 동적 점탄성을 측정하는 것이다. 시판되고 있는 것으로서, (주)UBM사 제조의 Rheosol-E-4000이 있다. 측정 방법은 항온조 내의 시료에 정현파 또는 합성파 진동을 설정된 주파수와 진폭으로 가하고, 그 때에 발생되는 응력 레스폰스를 검출기로 포착하고, 저장 탄성률 등으로 측정 연산식으로부터 산출하여 구할 수 있다.
상기 측정 장치에 의해 방향환을 갖는 절연성 수지가, Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구한 가교점간 분자량은, 300 내지 1000이고, 310 내지 900인 것이 바람직하고, 310 내지 800이면 더욱 바람직하다. 가교점간 분자량이 300 미만이면, 방향환의 상호 작용이 약하여 열팽창율의 감소 효과가 작다. 한편, 가교점간 분자량이 1000보다 큰 경우, 방향환의 상호 작용은 발현할 수 있지만, 가교 밀도가 저하되어 열팽창율의 감소 효과가 작아진다.
본 발명에서 이용하는 절연성 수지는 방향환을 갖고 있으면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 다층 배선판 용도로서는 절연성이나 흡습성의 면에서 우수한 에폭시 수지가 바람직하게 이용된다. 이용되는 에폭시 수지는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이면 한정되지 않는다. 예를 들면, 나프탈렌형 에폭시 수지(특히 2관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 안트라센형 에폭시 수지, 디히드로안트라센형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등이 예시된다. 이들 중에서, 결정성 에폭시 수지란, 결정성이 강한 에폭시 수지이고, 융점 이하의 온도에서는, 고분자쇄가 규칙적으로 배열되는 성질이 있고, 고형 수지이면서도, 용융 시에는 액상 수지 수준의 저점도가 되는 열경화성의 에폭시 수지이다. 결정성 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 디히드로안트라센형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들은 방향환의 상호 작용을 강화하는 데에 있어서 바람직하게 이용된다. 이들 화합물의 분자량은 어떠한 것이어도 되고, 몇 종류를 병용할 수도 있다.
본 발명의 수지 조성물에 있어서 에폭시 수지를 이용하는 경우에는, 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화제는 에폭시 수지의 경화 작용이 있으면 특별히 한정되는 것이 아니지만, 각종 아민류, 산무수물류, 노볼락 수지류 등을 들 수 있다. 이 중에서도 특히, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A형 노볼락 수지, 아미노트리아진노볼락 수지, 비스말레이미드 함유 아미노트리아진노볼락 수지, 디시안디아미드, 벤조구아나민이 바람직하고, 단독 또는 2종 이상으로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 수지 조성물은 경화 촉진제를 포함할 수 있고, 경화 촉진제는 경화 촉진 작용이 있으면 특별히 한정되는 것이 아니지만, 에폭시 수지를 이용하는 경우에는, 잠재성이 있는 각종 이미다졸이나 이미다졸 유도체, BF3 아민 착체, 트리페닐포스핀, 1,8-디아자비시클로-(5.4.0)운데센-7, 에틸트리페닐포스포늄 브로마이드, 테트라메틸암모늄클로라이드 등을 들 수 있으며, 특히 이미다졸이나 이미다졸 유도체가 바람직하다.
또한, 본 발명의 수지 조성물을 혼합하기 위해서 용제를 가하는 것이 바람직하다. 용제는, 절연성 수지와, 이것을 경화 반응시키는 경화제 등을 용해·혼합시키는 성질을 갖는 것이면 한정되지 않는다. 용제로서, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸부틸케톤, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 에탄올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논, 시클로펜타논 등은 수지 조성물의 용해성이 우수하고, 비교적 비점이 낮기 때문에 바람직하다. 이들 용제의 배합량은 절연성 수지가 용해될 수 있으면 어떠한 양일 수도 있지만, 절연성 수지와 경화제의 총량 100 중량부에 대하여, 20 내지 300 중량부의 범위가 바람직하고, 30 내지 200 중량부의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 용제는 조합하여 이용하더라도 상관없다.
수지 조성물에 무기 충전재를 배합할 수 있다. 무기 충전재로서는 실리카, 알루미나, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 클레이, 탈크, 질화규소, 질화붕소, 산화티탄, 티탄산바륨, 티탄산납, 티탄산스트론튬 등을 사용할 수 있다. 이 무기 충전재의 배합량으로서, 본 발명의 수지 조성물의 절연성 수지와 경화제의 총량 100 중량부에 대하여, 300 중량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 또한 250 중량부 이하로 하는 것이 본 발명의 다층 배선판용 재료(프리프레그, 적층판)가 균일하고 또한 양호한 취급성을 얻기 위해서 바람직하다. 무기 충전재를 배합하는 경우에는, 균일 하게 분산시키기 위해서, 분쇄기, 균질기 등을 이용하는 것이 유효하다.
본 발명의 수지 조성물에는, 본 발명의 목적의 범위 내에서 추가로 첨가제를 포함할 수 있다. 첨가제로서는 각종 실란 커플링제, 소포제 등을 사용할 수 있다. 이 배합량으로서는 절연성 수지와 경화제의 총량 100 중량부에 대하여 5 중량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 또한 3 중량부 이하로 하는 것이 수지 조성물의 특성을 유지하는 데에 있어서 바람직하다.
또한, 일반적으로 절연성 수지에 무기 충전재를 배합한 경우의 가교점간 분자량은 무기 충전재의 탄성률의 영향으로 수지 조성물의 탄성률이 커져 절연성 수지 단독의 가교점간 분자량의 값보다도 외관상 작아진다. 이 때문에, 무기 충전재를 제거한 상태에서 탄성률을 측정하여 가교점간 분자량을 계산하는 것이 바람직하지만 무기 충전재를 제거할 수 없는 경우, 수학식 3을 이용하여 탄성률의 수정을 행하고, 상기 수학식 1 및 수학식 2를 이용하여 계산된 가교점간 분자량을 본 발명의 가교점간 분자량으로서 적용할 수 있다. 단, 수학식 3을 이용한 탄성률의 수정은 탄성률의 단위로서 Pa를 이용하여 행하고, 수학식 1로 dyn으로 수정하고, 수학식 2의 포아송비 및 비중은 수지만의 값을 이용할 필요가 있다. 실제로 측정할 수 없는 경우에는, 포아송비 0.5, 비중 1.2를 대입하여 산출한다.
Figure 112008080763848-PCT00006
(Vf: 무기 충전재의 체적분률, Ea: 무기 충전재를 배합한 상태의 저장 탄성 률, Eb: 수정한 저장 탄성률, Ef: 무기 충전재의 탄성률)
본 발명의 프리프레그는 상술한 수지 조성물을 기재에 도포하고 건조시켜 얻어진다. 또한 본 발명의 적층판은 프리프레그를 적층 성형하여 얻어진다. 적층 성형 조건은 특별히 한정되지 않으며, 또한, 적층 성형 시에 금속박을 배치하여 금속장 적층판으로 할 수도 있다. 또한 본 발명의 배선판은 상술한 적층판에 일반적인 회로 가공을 실시하여 얻어진다.
기재는 수지 조성물을 함침시키고, 열경화·일체화할 수 있는 것이면 되고, 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 부직포가 바람직하게 이용된다. 예를 들면, 합성 섬유의 부직포, 또는 직포, 종이 등을 사용할 수 있다. 또한, 수지 조성물과 기재를 열경화·일체화시킨 경우, 기재의 탄성률의 영향으로, 수지 조성물의 탄성률이 커져, 절연성 수지 단독의 가교점간 분자량의 값보다도 외관상 작아진다. 이 때문에, 기재로부터 분리시킨 수지 단독의 탄성률로부터 가교점간 분자량을 계산하는 것이 바람직하지만, 기재와 분리할 수 없는 경우, 수학식 4를 이용하여 기재와 일체화한 상태로 측정한 탄성률의 수정을 행할 수 있다. 수정된 저장 탄성률을 이용하고, 수학식 1, 수학식 2를 이용하여 산출한 가교점간 분자량을 본 발명의 가교점간 분자량으로서 적용할 수가 있고, 수학식 2의 포아송비 및 비중은 수지만의 값을 이용할 필요가 있다. 실제로 측정할 수 없는 경우에는, 포아송비 0.5, 비중 1.2를 대입하여 산출한다.
Figure 112008080763848-PCT00007
(Ea: 수정 후의 저장 탄성률, Eb: 기재와 일체화된 상태의 저장 탄성률)
또한 무기 충전재가 배합되어 있는 경우에는, 수학식 4로 계산된 탄성률을 상기 수학식 3으로 추가로 탄성률의 수정을 행할 필요가 있다.
이하에, 본 발명을 실시예에 기초하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 실시예에 기술되는 양태에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
하기 조성의 절연성 수지 바니시를 제조하였다. 이때의 에폭시에 대한 열경화제의 당량은 1.0 당량으로 하였다. 이 절연성 수지 바니시를 PET 필름 상에 도공하고, 120℃에서 10분간 건조시켜 반경화 상태로 하여, 막두께 70±5 ㎛의 절연성 수지 부착 필름을 제조하였다. 절연성 수지 부착 필름으로부터 반경화된 수지를 채취하여 분말로 만들었다. 반경화 수지의 분말로부터, 다음 수순으로 수지판을 제조하였다. 스페이서 및 이형 시트로서, 수지판의 형으로서 50 mm 각(角)으로 천공을 한 불소 수지 시트를 배치하고, 그 속에 수지 분말을 넣고, 그 상하에 동박을 배치하고, 175℃, 90분, 2.5 MPa의 프레스 조건으로 경화시켰다. 그 후 동박을 에칭 제거하고, 수지판은 불소 수지 시트로부터 박리하여, 두께 0.2 mm의 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 제조하였다.
·2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D: 100 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·아미노트리아진노볼락 수지: LA-3018: 52.9 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸: 2PZ-CN: 0.5 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·용제: 메틸에틸케톤: 250 g
실시예 2
에폭시 수지를 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조) 100 g으로 대신하고, 경화제인 아미노트리아진노볼락 수지 LA-3018을 52.9 g에서 39.8 g으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 3
에폭시 수지를 비페닐노볼락형 에폭시 수지: NC-3000-H(상품명, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조) 100 g으로 대신하고, 경화제인 아미노트리아진노볼락 수지 LA-3018을 24.9 g으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 4
실시예 1의 조성에, 실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스사 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을 187.5 g 가한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 5
(1) 유리 직포 함침용 수지의 제조
이하에 나타내는 조성의 유리 직포 함침용 수지 바니시를 제조하였다.
·2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D: 100 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·아미노트리아진노볼락 수지: LA-3018: 52.9 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 2PZ-CN: 0.5 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·실리카: SO-G1: 187.5 g(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)
·용제: 메틸에틸케톤: 400 g
(2) 열팽창율 측정 기판의 제조
(1)에서 제조된 유리 직포 함침용 수지 바니시를 두께가 0.2 mm인 유리 직포(평량 210 g/㎡)에 함침하고, 160℃에서 3분간 가열하여 반경화(B 스테이지 상태)의 프리프레그를 얻었다. 이 프리프레그를 4매 중첩하고, 그 양측에 금속박으로서 두께 18 ㎛의 상품명 F2-WS 동박(Rz: 2.0 ㎛, Ra: 0.3 ㎛)을 중첩하고, 175℃, 90분, 2.5MPa의 프레스 조건으로 양면 동장적층판을 제조하였다. 이 동장적층판을 과황산암모늄 150 g/l의 수용액에 40℃-20분간 침지하여 동박을 에칭 제거하 여 열팽창율·탄성률 측정용 기판을 얻었다.
실시예 6
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 비페닐노볼락형 에폭시 수지: NC-3000-H(상품명, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조) 65.8 g, 크레졸노볼락 수지: KA-1165(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)를 84.5 g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 2 중량％ 용해시킨 디시안디아미드(간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)를 디시안디아미드 환산으로 1.66 g으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 7
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 비페닐노볼락형 에폭시 수지: NC-3000-H(상품명, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조) 65.8 g, 크레졸노볼락 수지: KA-1165(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)를 75.1 g, 벤조구아나민(간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조) 9.9 g으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 8
에폭시 수지로서 2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)를 100 g, 비스말레이미드 함유 아미노트리아진노볼락 수지: IZ-9872(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제 조)를 478 g으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 9
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 페놀노볼락형 에폭시 수지: N-770(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 44.8 g, LA-3018을 59.6 g으로 대신하고, 추가로, 실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을 249.8 g 가한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 10
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 페놀노볼락형 에폭시 수지: N-740(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 42.6 g, 경화제로서의 LA-3018을 59.6 g으로 대신하고, 추가로, 실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을 247.1 g 가한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 11
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 비스페놀 A형 에폭시 수지: N-865(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 49.5 g, 경화제로서 LA-3018 을 59.6 g으로 대신하고, 추가로, 실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을 255.6 g 가한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
실시예 12
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 및 비페닐노볼락형 에폭시 수지: NC-3000-H(상품명, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조) 65.8 g, 경화제로서의 크레졸노볼락 수지: KA-1165(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)를 84.5 g, 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르에 2 중량％ 용해시킨 디시안디아미드(간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)를 디시안디아미드 환산으로 1.66 g으로 하고, 실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을, 308.0 g으로 한 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 기판을 얻었다.
비교예 1
하기 조성의 절연성 수지 바니시를 제조하였다. 이때의 에폭시에 대한 열경화제의 당량은 1.0 당량으로 하였다. 이 절연성 수지 바니시를 PET 필름 상에 도공하고, 120℃-10분 건조시켜, 막두께 70±5 ㎛의 절연성 수지부 필름을 제조하였다. 절연성 수지부 필름으로부터 반경화 수지를 채취하여 분말로 하였다. 반경화 수지의 분말로부터, 다음 수순으로 수지판을 제조하였다. 스페이서 및 이형 시트로서, 수지판의 형으로서 50 mm 각으로 천공을 한 불소 수지 시트를 배치하고, 그 안에 수지 분말을 넣고, 그 상하에 동박을 배치하고, 175℃, 90분, 2.5MPa의 프레스 조건으로 경화시켰다. 그 후 동박을 에칭 제거하고, 수지판은 불소 수지 시트로부터 박리하여, 두께 0.2 mm의 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 제조하였다.
·페놀노볼락형 에폭시 수지: N-770: 100 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·페놀노볼락 수지: HP-850: 53.3 g(상품명, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·디시안디아미드: 0.13 g(상품명, 간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 2PZ-CN: 0.5 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·용제: 메틸에틸케톤: 250 g
비교예 2
에폭시 수지로서 4관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4700(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 경화제로서 아미노트리아진노볼락 수지: LA-3018(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)을 43.4 g으로 한 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
비교예 3
(HP-4032 반응물의 제조)
온도계, 냉각관, 교반 장치를 구비한 1 리터의 4구 세퍼러블 플라스크에, 하 기의 조성 1을 투입하고, 100℃에서 2시간 반응시켰다. 실온(25℃)까지 냉각하고, 하기의 조성 2를 투입하여 절연성 수지 바니시를 제조하였다. 이 절연성 수지 바니시를 PET 필름 상에 도공하고, 160℃-10분 건조시켜, 막두께 70±5 ㎛의 절연성 수지부 필름을 제조하였다. 절연성 수지부 필름으로부터 반경화 수지를 채취하여 분말로 만들었다. 반경화 수지의 분말로부터, 다음 수순으로 수지판을 제조하였다. 스페이서 및 이형 시트로서, 수지판의 형으로서 50 mm 각으로 천공을 한 불소 수지 시트를 배치하고, 그 안에 수지 분말을 넣고, 그 상하에 동박을 배치하고, 175℃, 90분, 2.5MPa의 프레스 조건으로 경화시켰다. 그 후 동박을 에칭 제거하고, 수지판은 불소 수지 시트로부터 박리하여, 두께 0.2 mm의 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 제조하였다.
「조성 1」
·2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D: 83.2 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·비스페놀 A: 69.8 g(시약, 간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 2PZ-CN: 0.4 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
「조성 2」
·2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D: 100 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·아미노트리아진노볼락 수지: LA-3018: 52.9 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가 꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 2PZ-CN: 0.5 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·용제: 시클로헥사논: 250 g
비교예 4
실리카: SO-G1(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)을 188.2 g 가한 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
비교예 5
(1) 유리 직포 함침용 수지의 제조
이하에 나타내는 조성의 유리 직포 함침용 수지 바니시를 제조하였다.
·페놀노볼락형 에폭시 수지: N-770: 100 g(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
·페놀노볼락 수지: HP-850: 53.3 g(상품명, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·디시안디아미드: 0.13 g(상품명, 간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
·경화 촉진제: 2PZ-CN: 0.5 g(상품명, 시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)
·실리카: SO-G1: 188.2 g(상품명, 가부시끼가이샤 애드마텍스 제조, 평균 입경 0.2 내지 0.4 ㎛)
·용제: 메틸에틸케톤: 400 g
(2) 열팽창율 측정 기판의 제조
(1)에서 제조된 유리 직포 함침용 수지 바니시를 두께가 0.2 mm인 유리 직포(평량 210 g/㎡)에 함침하고, 160℃에서 3분간 가열하여 반경화(B 스테이지 상태)의 프리프레그를 얻었다. 이 프리프레그를 4매 중첩하고, 그 양측에 18 ㎛의 상품명 F2-WS 동박(Rz: 2.0 ㎛, Ra: 0.3 ㎛)을 중첩하고, 175℃, 90분, 2.5MPa의 프레스 조건으로 양면 동장적층판을 제조하였다. 이 동장적층판을 과황산암모늄 150 g/l의 수용액에 40℃-20분간 침지하여 동박을 에칭 제거하여, 열팽창율·탄성률 측정용 기판을 얻었다.
비교예 6
실리카 SO-G1 배합량을 282.3 g으로 한 이외에는 비교예 5와 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 기판을 얻었다.
비교예 7
실리카 SO-G1 배합량을 422.0 g으로 한 이외에는 비교예 5와 동일하게 하여 샘플 제조를 행했지만, 프레스 성형성이 나빠서 샘플을 제조할 수 없었다.
비교예 8
에폭시 수지로서 2관능 나프탈렌형 에폭시 수지: HP-4032D(상품명, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)를 100 g, 경화제로서 비스페놀 A(간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)를 83.8 g으로 하고, 디시안디아미드를 첨가하지 않은 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 샘플 제조를 행했지만, Tg 이상에서는 측정 장치의 하중으로 샘플이 신장하게 되어, Tg 이상에서의 저장 탄성률을 측정할 수 없었다.
비교예 9
경화제로서 트리페놀메탄: MEH-7500(상품명, 메이와 가세이 가부시끼가이샤 제조)을 58.6 g으로 한 이외에는, 비교예 2와 동일하게 하여, 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
비교예 10
에폭시 수지로서 디히드로안트라센형 에폭시 수지: YX-8800(상품명, 재팬 에폭시레진 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 경화제로서 비스페놀 A(간토 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)를 63.0 g으로 한 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 샘플 제조를 행했지만, Tg 이상에서는 측정 장치의 하중으로 샘플이 신장하게 되어, Tg 이상에서의 저장 탄성률을 측정할 수 없었다.
비교예 11
에폭시 수지로서 나프탈렌노볼락형 에폭시 수지: NC-7000L(상품명, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조)을 100 g, 경화제로서 페놀노볼락 수지: HP-850(상품명, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조)을 45.5 g으로 한 이외에는, 비교예 1과 동일하게 하여 열팽창율·탄성률 측정용 수지판을 얻었다.
[열팽창율의 측정]
실시예 1 내지 4, 6 내지 11, 비교예 1 내지 4, 8 내지 11의 동박을 제거한 열팽창율·탄성률 측정용 수지판으로부터 4×20 mm의 시험편을 추출하고, TA 인스 트루먼트 가부시끼가이샤 제조 TMA 시험 장치(TMA-2940)를 이용하여, 승온 10℃/분, 인장법으로 Tg 미만의 열팽창율을 측정하였다. 실시예 5, 12, 비교예 5 내지 7의 동박을 제거한 열팽창율·탄성률 측정용 기판으로부터 5 mm 각의 시험편을 추출하고, TA 인스트루먼트 가부시끼가이샤 제조 TMA 시험 장치(TMA-2940)를 이용하여, 승온 10℃/분, 압축법으로 Tg 미만의 열팽창율을 측정하였다.
[저장 탄성률의 측정]
동박을 제거한 열팽창율·탄성률 측정용 수지판, 열팽창율·탄성률 측정용 기판으로부터 5×30 mm의 시험편을 추출하고, 동적 점탄성 측정 장치(가부시끼가이샤 UBM 제조의 E-4000)를 이용하여 승온; 5℃/분, 자동정하중의 조건으로 저장 탄성률을 측정하였다.
[유리 섬유 함침 시의 취급성(가루 떨어짐)]
제조된 프리프레그를 커터로 절단하고, 그 가루 떨어짐 상태를 육안으로 관찰하였다.
실시예에서 제조된 열팽창율·탄성률 측정용의 수지판(수지를 포함하고, 무기 충전제, 유리 섬유를 포함하지 않음)의 길이 방향의 저장 탄성률, Tg 미만의 열팽창율의 측정 결과를 표 1 및 표 3에 나타내었다.
또한, 실시예에서 제조된 열팽창율·탄성률 측정용의 기판(수지, 무기 충전제 및/또는 유리 섬유를 포함함)의 면 방향의 저장 탄성률, Tg 미만의 열팽창율 측정 결과도 표 1 및 표 3에 더불어 나타낸다.
한편, 비교예에서 제조된 열팽창율·탄성률 측정용의 수지판의 길이 방향의 저장 탄성률, Tg 미만의 열팽창율의 측정 결과를 표 2 및 표 4에 나타내었다.
또한, 비교예에서 제조된 열팽창율·탄성률 측정용의 기판의 면 방향의 저장 탄성률, Tg 미만의 열팽창율 측정 결과도 표 2 및 표 4에 더불어 나타낸다.
재료의 비중은, 실시예 1 내지 3, 6 내지 8, 비교예 1 내지 3, 8 내지 11에서는 1.2로 하였다. 실시예 4, 9 내지 11, 비교예 4는 재료의 비중을 1.6으로 하였다. 실시예 5, 12, 비교예 5, 6은 재료의 비중을 2.0으로 하였다. 비교예 7은 재료의 비중을 2.2로 하였다. 가교점간 분자량의 수정은 실리카의 저장 탄성률은 80 GPa로서 저장 탄성률의 수정을 행하고, 재료의 비중은 1.2로 하여 가교점간 분자량을 산출하였다. 또한, 포아송비는 전부 0.5로 하였다.
수지판인 실시예 1 내지 3 및 6 내지 8의 Tg 미만의 열팽창율이 55 내지 64 ppm/℃인 데 비하여, 비교예 1 내지 3 및 8 내지 11의 Tg 미만의 열팽창율은 68 내지 87 ppm/℃로서, 최소로 4 ppm/℃ 최대로 32 ppm/℃, 낮은 Tg 미만의 열팽창율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 여기서, 비교예 8 및 10은 Tg 이상에서는 측정 장치의 하중으로 샘플이 신장되게 되어, Tg 이상에서의 저장 탄성률의 측정을 할 수 없었다. 이때, 실시예 1 내지 3 및 6 내지 8의 가교점간 분자량은 청구 범위의 300 내지 1000의 범위이지만, 비교예 1 내지 3 및 9, 11의 가교점간 분자량은 250 이하를 나타내고, 가교 밀도가 높아, 방향환의 상호 작용을 충분히 발현할 수 없어, 열팽창율이 낮아지지 않았다.
또한, 실시예 1에 실시예 1과 동일한 에폭시 수지를 이용한 반응물을 배합하고, 가교점간 분자량을 3860으로 한 비교예 3의 Tg 미만의 열팽창율은 68 ppm/℃였 다. 이로부터, 방향환을 갖는 절연성 수지를 배합하는 것만으로는 방향환끼리의 상호 작용에 의해서, Tg 미만의 열팽창율을 낮추는 것은 불가능하고, 본 발명의 가교점간 분자량을 300 내지 1000의 범위로 수지 조성을 설정하는 것이 방향환끼리의 상호 작용에 의한 저열팽창율화에 중요한 것을 알 수 있다.
실시예 4, 9 내지 11과 비교예 4는 무기의 충전제로서 실리카를 배합한 것이다. 실시예 4, 9 내지 11의 Tg 미만의 열팽창율은, 34 내지 36 ppm/℃ 이지만, 비교예 4는 40 ppm/℃ 였다. 이때의 수정 후의 가교점간 분자량은 실시예 4가 458, 실시예 9가 320, 실시예 10이 564, 실시예 11이 365인 데 비하여, 비교예 4가 235였다. 실시예 1 내지 3의 절연성 수지와 마찬가지로 실시예 4, 9 내지 11는 방향환끼리의 상호 작용에 의해 저열팽창율화가 발현되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 절연성 수지의 가교점간 분자량을 본원 특허의 범위로 함으로써, 충전제를 배합한 경우에도 종래 재료에 비하여 낮은 Tg 미만의 열팽창율을 나타내는 것을 알 수 있다.
실시예 5와 비교예 5는, 실시예 4와 비교예 4를 유리 섬유에 함침시킨 것이다. 실시예 5의 Tg 미만의 열팽창율은 13.5 ppm/℃이지만, 비교예 5는 15 ppm/℃ 였다. 이때의 저장 탄성률의 수정을 행한 가교점간 분자량은 실시예 5가 458, 비교예 5가 233이었다.
또한, 실시예 12는 실시예 6에 실리카를 배합하고 유리 섬유에 함침시킨 것이다. 실시예 12의 Tg 미만의 열팽창율은 12.5 ppm/℃이다. 이때의 저장 탄성률의 수정을 행한 가교점간 분자량은 314였다.
또한, 비교예 6, 7은 비교예 5에 실리카 배합량을 늘린 것이다. 비교예 6의 Tg 미만의 열팽창율은 13.5 ppm/℃이지만, 유리 섬유 함침시의 취급성은 가루 떨어짐이 많아 바람직하지 않다. 비교예 7은 프레스 성형성에 문제가 있어 샘플을 제조할 수 없었다. 이때의 저장 탄성률의 수정을 행한 가교점간 분자량은 비교예 6이 218이었다. 절연성 수지의 가교점간 분자량을 300 내지 1000의 범위로 수지 조성을 설정하는 것이 방향환끼리의 상호 작용을 발현하여 저열팽창율화하는 데에 있어서 중요한 것을 알 수 있다.
종래의 충전제를 늘리는 방법의 저열팽창율화에서는, 프레스 성형 불량을 일으키는 Tg 미만의 열팽창율에서도 실시예 12에서는 달성되고 있어, 본원 특허의 유효성을 나타내는 것이다.
이하의 표에서, 배합의 단위는 그램이다.
Figure 112008080763848-PCT00008
Figure 112008080763848-PCT00009
Figure 112008080763848-PCT00010
Figure 112008080763848-PCT00011
본 발명의 예 등에서 이용된 수지의 구조를 이하에 나타내었다.
Figure 112008080763848-PCT00012
Figure 112008080763848-PCT00013
Figure 112008080763848-PCT00014
본 발명에 따르면, 가교점간 분자량이 300 내지 1000의 범위에 들어가도록 방향환을 갖는 절연성 수지의 수지 조성을 제어함으로써 저열팽창율의 수지 조성물을 얻을 수 있다.
저비용으로 가교 밀도를 높이지 않고, 저열팽창의 수지 조성물, 프리프레그, 적층판 및 배선판을 제공하는 것이 가능해졌다.

Claims (11)

  1. 적층판의 제조에 이용되는 수지 조성물이며, 수지 조성물이 방향환을 갖는 절연성 수지를 포함하고, 또한 방향환을 갖는 절연성 수지의 Tg 이상의 전단 탄성률로부터 구한, 상기 절연성 수지의 가교점간 분자량이, 적층판 제조 후의 단계에서 300 내지 1000인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방향환을 갖는 절연성 수지가 다환식 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연성 수지가 비페닐 구조, 나프탈렌 구조, 안트라센 구조, 및 디히드로안트라센 구조 중의 어느 것을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 수지가 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 결정성 에폭시 수지를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 하기 화학식 1의 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 화학식 2의 안트라센형 에폭시 수지, 화학식 3의 디히드로안트라센형 에폭시 수지 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112008080763848-PCT00015
    (식 중, R1 내지 R4는 동일하거나, 서로 다른 CmH2m +1기를 나타내고, 여기서 m은 0 또는 1 이상의 정수를 나타내고, n은 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄)
    <화학식 2>
    Figure 112008080763848-PCT00016
    (식 중, R5 내지 R8은 동일하거나, 서로 다른 CpH2p +1기를 나타내고, 여기서 p는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄)
    <화학식 3>
    Figure 112008080763848-PCT00017
    (식 중, R9는 동일하거나, 서로 다른 CtH2t +1기를 나타내고(여기서 t는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄), r은 0 내지 4의 정수를 나타내고, R10은 동일하거나, 서로 다른 CuH2u+1기를 나타내고(여기서 u는 0 또는 1 이상의 정수를 나타냄), s는 0 내지 6의 정수를 나타냄)
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에폭시 수지의 경화제가 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 비스페놀 A형 노볼락 수지, 아미노트리아진노볼락 수지, 비스말레이미드 함유 아미노트리아진노볼락 수지, 디시안디아미드, 벤조구아나민 중 어느 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기재에 도포하여 함침시키고, 이어서 건조시켜 이루어지는 프리프레그.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기재가 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 부직포 중 어느 것인 것을 특징으로 하는 프리프레그.
  10. 적층 성형된 제8항 또는 제9항에 기재된 프리프레그로 이루어진 적층판.
  11. 제10항에 기재된 적층판의 편면 또는 양면에 배치된 금속박을 회로 가공하여 이루어지는 배선판.
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