KR20080086812A - 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

양극 리드(1)가 도출된 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체(2)의 표면에 순차적으로 형성된 양극 산화 피막, 고체 전해질층(4), 그래파이트층(5), 은(銀) 페이스트층(6)과, 양극부가 되는 양극 리드(1)와 음극부가 되는 다공질 양극체(2)를 분리하는 레지스트층(3)과, 양극부에 양극 리드(1)에 접속된 양극 리드체(7)를 갖는 고체 전해 콘덴서 소자를, 절연부(21c)를 개재하여 양극 단자(21a)와 음극 단자(21b)를 갖는 실장 기판(21)의 절연부(21c)상에 형성한 반(半)경화성 절연성 접착제(9)와 양극 단자상 및 음극 단자상에 형성한 반경화성 도전성 접착제(8)에 의해 실장 기판(21)상에 접속하여 외장 수지(10)로 밀봉한다.
고체 전해 콘덴서, 밸브작용금속, 반경화성 절연성 접착제, 양극 단자, 음극 단자

Description

고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법{SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND A METHOD OF PRODUCING THE SAME}
본 발명은, 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 양음극간 거리를 좁힌 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, CPU의 고속화에 의해, 그 전원 전압의 안정화와 고주파 노이즈의 저감을 위해, 디커플링(decoupling)에 사용되는 콘덴서에도 수MHz∼수GHz의 고주파 영역에 있어서 저(低)임피던스를 가지는 전기 특성이 요구되고 있다. 또한, 배선의 잡아돌림(引回)에 의한 인덕턴스를 줄이기 위해, CPU 바로 아래 또는 근방에 디커플링 콘덴서를 배치하는 것이 주류로 되어 오고 있다. 또한, CPU 부근에 실장(實裝)해도 CPU의 구동 시, 정지 시의 열 스트레스에 견딜 수 있는 신뢰성도 요구되고 있다.
이 때문에, 디커플링 콘덴서에는 저임피던스화, 소형화, 박형화, 고(高)신뢰성이 요구되고 있지만, 현재는 적층 세라믹 콘덴서를 다수 병렬로 사용함으로써, 이 요구에 응하고 있다.
그러나, 적층 세라믹 콘덴서는 용량이 작고, 또한 용량 증가를 위해서는 적 층 매수를 증가하지 않으면 안 되기 때문에, 높이 방향의 제한이라는 트레이드 오프(trade off)가 있다. 이 때문에, 수십 개의 적층 세라믹 콘덴서를 CPU 부근에 실장할 필요가 있어, 실장 공수(工數)가 증가했었다.
그래서, 적층 세라믹 콘덴서 수십 개를 하나로 채울 수 있는 대용량, 저임피던스를 실현하기 위해, 고체 전해 콘덴서의 소형화, 박형화, 대용량화, 저임피던스화가 진행되고 있다. 또한, CPU의 클럭 주파수가 수백MHz에서 수GHz로 고주파로 되어 오고 있는 점에서, 저임피던스화를 실현하려면 등가 직렬 저항(이후 ESR로 기재함)의 저감과 함께, 등가 직렬 인덕턴스(이후 ESL로 기재함)의 저감이 요구되고 있다.
일본공개특허공보 2006-190929호에는 콘덴서 소자로부터 단자까지의 극 인출 전극 거리를 짧게 하고, 전류 루프를 짧게 함으로써 저ESL화를 도모한 고체 전해 콘덴서가 기재되어 있다. 또한, 일본공개특허공보 2002-367862호에는 양음극에 도전성 접착제를 형성하여, 양음극간의 거리를 좁게 하여 전류 루프를 짧게 하고, 저ESL화를 도모한 칩(chip)형 고체 전해 콘덴서가 기재되어 있다.
그러나, 일본공개특허공보 2006-190929호의 고체 전해 콘덴서에서는 음극 단자와 소자 음극부의 접속 시, 도전성 페이스트를 이용하지만, 양음극간의 거리를 좁게 하여 저ESL을 도모하려면 종래의 액상 도전성 페이스트로는 양극측으로 스며나옴이 발생해 버리기 때문에, 스며나옴을 고려한 양음극간 거리를 형성할 필요가 있고, 전류 루프를 짧게 하여 저ESL화를 도모하기에는 한계가 있다. 또한, 일본공개특허공보 2002-367862호에서도 마찬가지로 양음극간 거리를 좁게 하면 스며나옴 이 발생함과 함께, 양극측에 사용하고 있는 도전성 접착제에 접속 저항을 내리기 위해 은(銀) 페이스트를 이용하면 내습(耐濕) 부하 시험 등에서의 은의 마이그레이션(migration)에 의한 쇼트가 발생해 버린다. 또한, 외장 시의 몰드를 할 때에, 소자 와이어 주변 등 좁은 개소로 트랜스퍼 몰드(transfer mold)가 흘러들어가기 어렵고, 또한, 접착성도 나쁜 점에서 계면(界面) 또는 공간이 발생하여, 상기 마이그레이션을 억제할 수 없었다.
상기의 상황을 감안하여, 본 발명의 과제는, 양음극간 거리를 좁게 해도 은의 마이그레이션을 억제할 수 있고, 저ESL 특성을 실현할 수 있는 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 의하면, 양극 리드가 도출된 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체의 표면에 순차적으로 형성된 양극 산화 피막, 고체 전해질층, 그래파이트층, 은 페이스트층과, 양극부가 되는 상기 양극 리드와 음극부가 되는 상기 다공질 양극체를 분리하는 레지스트층과, 상기 양극부에는 상기 양극 리드에 접속된 양극 리드체를 갖는 고체 전해 콘덴서 소자를, 절연부를 개재하여 양극 단자와 음극 단자를 갖는 실장 기판의 상기 절연부상에 형성한 반(半)경화성 절연성 접착제와 상기 양극 단자상 및 상기 음극 단자상에 형성한 반경화성 도전성 접착제에 의해 상기 실장 기판상에 접속하여 외장 수지로 밀봉(sealing)한 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서가 얻어진다.
또한, 상기 반경화성 절연성 접착제가 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리 아미드 이미드 수지, 폴리 이미드 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지로부터 선택되는 적어도 1종류 이상으로 이루어지는 것이 바람직하고, 상기 고체 전해 콘덴서 소자의 양극부와 음극부와의 최단 거리가 0.1∼0.7㎜인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의하면, 양극 리드가 도출된 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체의 표면에 순차적으로 양극 산화 피막, 고체 전해질층, 그래파이트층, 은 페이스트층을 형성하는 공정과, 양극부가 되는 상기 양극 리드와 음극부가 되는 상기 다공질 양극체를 분리하는 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 양극 리드에 양극 리드체를 접속하여 고체 전해 콘덴서 소자를 형성하는 공정과, 절연부를 개재하여 양극 단자와 음극 단자를 갖는 실장 기판의 상기 절연부상에 반경화성 절연성 접착제를 도포하여 반경화시키는 공정과, 상기 양극 단자상 및 상기 음극 단자상에 반경화성 도전성 접착제를 도포하여 반경화시키는 공정과, 상기 고체 전해 콘덴서 소자의 상기 양극 리드체를 상기 양극 단자상의 도전성 접착제와, 상기 은 페이스트층을 상기 음극 단자상의 도전성 접착제와 접속하는 공정과, 상기 고체 전해 콘덴서 소자를 외장 수지로 밀봉하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법이 얻어진다.
본 발명에 의하면 실장 기판상의 양음극 단자상에 반경화성 도전성 접착제를 형성하고, 양음극 단자를 분리하는 절연부상에는 반경화성 절연성 접착제를 형성하고, 반경화 상태에서 고체 전해 콘덴서 소자와 실장 기판을 접속함으로써, 절연성 접착제와 도전성 접착제가 스며나오는 일이 없이 접착할 수 있기 때문에 양음극 단자간 거리를 짧게 하는 것이 가능해지는 결과, 저ESL이고, 은의 마이그레이션을 억제한 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도1 은 본 발명의 실시 형태에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.
본 실시 형태의 고체 전해 콘덴서에 이용하는 고체 전해 콘덴서 소자는 알루미늄, 니오브, 탄탈 등의 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체(2)상에 형성된 양극 산화 피막(도시 생략)과 양극 산화 피막상에 순차적으로 형성된 고체 전해질층(4), 그래파이트층(5), 은 페이스트층(6)과, 다공질 양극체(2)로부터 도출된 양극 리드(1)와, 양극 리드에 접속된 양극 리드체(7)로 구성되어 있다.
양극 리드(1)가 도출된 다공질 양극체(2)는, 예를 들면 조면화(粗面化)된 평판 형상의 알루미늄박(箔)이나, 탄탈이나 니오브 분말에 탄탈 선이나 니오브 선을 매입하여, 프레스 성형, 소성(燒成)한 소결체 등을 이용할 수 있다. 양극부가 되는 양극 리드(1)와 음극부가 되는 다공질 양극체(2)를 분리하기 위해서 양극 산화 피막 형성 전 또는 양극 산화 피막 형성 후 예를 들면 실리카 필러를 포함하는 에폭시계 수지로 이루어지는 레지스트층(3)을 도포, 건조하는 등 하여 형성한다. 그 후, 양극 산화 피막상에 예를 들면 도전성 고분자층으로 이루어지는 고체 전해질층(4)을 형성한 후, 그래파이트층(5), 은 페이스트층(6)을 도포, 건조하는 등 하여 형성한다. 그 후, 양극 리드(1)에는 예를 들면 동재(銅材)에 Ni, Cu, Ag 도금을 순차 도금 처리한 리드 프레임 등의 금속재로 이루어지는 양극 리드체(7)를 저항 용접, 초음파 용접 등에 의해 접속하고, 고체 전해 콘덴서 소자로 한다.
본 실시 형태의 고체 전해 콘덴서에 이용하는 실장 기판(21)은 소자 접속면과 실장면에 절연부(21c)를 개재하여 분리된 양음극 단자(21a, 21b)를 갖고 각각이 소자 접속면과 실장면으로 접속된 구조로 되어 있다. 예를 들면 양면의 동박(銅箔)에 의한 양음극 단자를 스루홀(through-hole)로 접속한 프린트판 등을 사용할 수도 있다. 또한, 실장 기판의 양음극 단자에 관해서는 소자 접속면, 실장면 양쪽이 소자의 양음극수와 동일한 것이어도 좋고, 양음극의 수를 늘려, 소자측에 흘러들어가는 전류와 흘러나오는 전류의 자계(磁界)의 캔슬에 의한 저ESL화를 도모할 수 있는 것이나, CPU 주변의 다단자(多端子) 랜드 실장을 하기에 적합한 점에서 실장측이 양음극의 지그재그 형상 다단자로 되어 있는 변환 기판을 사용해도 좋다.
다음으로, 고체 전해 콘덴서 소자와 실장 기판의 접속에 대해서 설명한다. 실장 기판의 절연부(21c)상에 스크린 인쇄 등에 의해 반경화성 절연성 접착제(9)를 도포하고, 단시간 건조하는 등 하여 반경화 상태로 한다. 그 후, 실장 기판의 양음극 단자(21a, 21b)상에 반경화성 도전성 접착제(8)를 도포, 건조하여 반경화 상태로 한다. 고체 전해 콘덴서 소자의 양극 리드체(7)를 양극 단자(21a)상의 반경화성 도전성 접착제(8)상에, 은 페이스트층(6)을 음극 단자(21b)상의 반경화성 도전성 접착제(8)상에, 레지스트층(3)을 반경화성 절연성 접착제(9)상에 배치하고 열압착 등에 의해 고체 전해 콘덴서 소자와 실장 기판(21)을 접속하여 고착한다. 그 후 트랜스퍼 몰드 등에 의해 외장 수지(10)로 밀봉하여 고체 전해 콘덴서로 한다.
여기서, 반경화성 도전성 접착제 및 반경화성 절연성 접착제란, 도포한 후, 단시간 건조 또는 가열함으로써 젖는 성질이나 스며나옴을 억제한 후, 소정의 온도와 압력에 의해 열압착함으로써 재차 접착할 수 있는 접착제를 가리킨다. 예를 들면 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리 아미드 이미드 수지, 폴리 이미드 수지, 우레 탄 수지, 페놀 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, 고체 전해 콘덴서 소자의 양극부와 음극부와의 거리가 0.1∼0.7㎜이면 바람직하다. 즉, 콘덴서 소자의 실장 기판으로의 마운트(mount) 정밀도를 고려하여, 양음극 거리는 0.1㎜ 이하로 하는 것은 곤란하다. 또한 0.7㎜ 이상이 되면 실험 결과로부터 본 발명의 반경화성 도전성 접착제를 이용하지 않아도 소자와 실장 기판의 접착 시의 은의 스며나옴에 의한 쇼트 불량은 거의 동등하게 되는 점에서, 본 발명에 의한 저ESL 및 저불량율을 실현하기에는 0.1∼0.7㎜이 최적이다.
(실시예 1)
이하, 본 발명의 실시예 1에 대해서, 도1 의 본 발명의 실시 형태에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도를 참조하여 상세를 기재한다. 우선 조면화된 평판 형상의 알루미늄박으로 이루어지는 다공질 양극체(2)를 양극 산화하여 산화 피막을 형성한 후, 양음극부의 분단(分斷)을 위해, 실리카 필러를 포함하는 에폭시 수지계의 레지스트층(3)을 형성했다. 이때, 양극 산화 피막 형성을 위한 화성(化成) 조건은, 제품으로 10V 내습 부하 시험을 행할 때, 산화 피막의 파괴가 일어나지 않도록, 25V로 행했다. 그 후, 양극 산화 피막상에 고체 전해질층(4)이 되는 도전성 고분자를 형성하고, 음극 인출을 위해 그래파이트층(5), 은 페이스트층(6)을 형성하여 음극층으로 했다. 그렇게 한 후에 레지스트층(3)으로 구분된 양극부가 되는 알루미늄박으로 이루어지는 양극 리드(1)에 Cu 모재(母材)에 Ni, Cu, Ag 도금을 순차 도금 처리한 리드 프레임으로 이루어지는 양극 리드체(7)를 초음파 용접으로 용접하고, 알루미늄 고체 전해 콘덴서 소자로 했다. 여기서는 양음극간 거리는 0.3 ㎜로 했다.
그 후, 유리에폭시 기판으로 이루어지는 실장 기판(21)상의 양음극 분리부로 되는 절연부(21c)상에 실리카 필러를 포함하는 에폭시 수지계의 반경화성 절연성 접착제(9)를 스크린 인쇄로 도포한 후 단시간 건조(105℃ 15분)하여, 반경화 상태로 하고, 계속해서 양음극 전극이 되는 부분인 양음극 단자(21a, 21b)상에 에폭시 수지계의 반경화성 도전성 접착제(8)를 스크린 인쇄로 도포하고, 상기와 동일하게 반경화 상태로 했다. 그렇게 한 후에 알루미늄 고체 전해 콘덴서 소자를 열압착으로 접착하고, 실장 기판(21)과 접착시킨 후, 트랜스퍼 몰드에서 에폭시 수지로 이루어지는 외장 수지(10)로 밀봉했다.
(비교예 1)
반경화성 절연성 접착제를 사용하지 않는 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
실시예 1, 비교예 1에서 제작한 고체 전해 콘덴서 각각 20개를 Ag의 마이그레이션 평가로서 85℃, 85% RH 중에서 10V 전압 인가하고, 2000h 후의 쇼트 발생 개수를 조사했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
밸브작용금속 실시예 1 비교예 1
알루미늄 0 3
표 1로부터, 실시예 1에서 제작한 알루미늄 고체 전해 콘덴서는 마이그레이션이 억제되어, 종래의 양음극 단자간상에 절연성 접착제를 도포하지 않은 것에 비해, 신뢰성이 개선될 수 있음을 알 수 있다.
(실시예 2)
다음으로, 본 발명의 실시예 2에 대해서, 도1 의 본 발명의 실시 형태에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도를 이용하여 상세를 기재한다. 미립자화한 탄탈 분말에 양극 리드(1)가 되는 탄탈 와이어를 매설하고, 탄탈 분말을 프레스, 소성하여 펠릿(Pellet)을 제작하고, 그 후, 양극 산화를 행하여, 산화 피막을 형성하고, 이것을 음극부로 하고, 추가로 양음극부의 분리를 위해, 레지스트층(3)을 양극 리드(1)의 근원에 형성한다. 이때, 실시예 1과는 달리, 화성(化成) 전압은 40V로 한다. 계속해서 음극부에 고체 전해질층(4)으로 되는 도전성 고분자층을 형성하고, 음극 인출을 위해서 그래파이트층(5), 은 페이스트층(6)을 형성하고, 그 후, 레지스트층(3)으로 구분된 탄탈 와이어로 이루어지는 양극 리드(1)에 Cu 모재에 Ni, Cu, Ag 도금을 순차 도금 처리한 리드 프레임으로 이루어지는 양극 리드체(7)를 저항 용접으로 용접하고, 탄탈 고체 전해 콘덴서 소자를 제작했다. 그 후, 실시예 1과 동일한 실장 기판, 반경화성 절연성 접착제, 반경화성 도전성 접착제를 이용하여 실시예 1과 동일하게 외장, 밀봉하여 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
(실시예 3)
탄탈 분말을 대신해 니오브 분말, 탄탈 와이어를 대신해 니오브 와이어를 이용한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
(비교예 2)
반경화성 절연성 접착제를 사용하지 않은 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
(비교예 3)
반경화성 절연성 접착제를 사용하지 않은 것 외에는 실시예 3과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
실시예 2, 3 및 비교예 2, 3의 고체 전해 콘덴서 각각 20개를 Ag의 마이그레이션 평가로서 85℃, 85% RH 중에서 10V 전압 인가하고, 2000h 후의 쇼트 불량수를 조사했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
쇼트 발생 개수
실시예 2 0
실시예 3 0
비교예 2 3
비교예 3 4
표 2로부터, 실시예 2, 3에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 마이그레이션이 억제되어, 종래의 양음극 반경화성 단자간상에 절연성 접착제를 도포하지 않은 것에 비해, 신뢰성이 개선될 수 있음을 알 수 있다.
(실시예 4∼7)
실시예 1의 알루미늄 고체 전해 콘덴서 소자를 형성할 때, 양극부와 음극부간의 거리를 0.1, 0.3, 0.5, 0.7㎜로 한 것 각각의 양극 리드에 양극 리드체로 되는 리드 프레임을 초음파 용접으로 용접하여, 고체 전해 콘덴서 소자를 형성한다. 그 후, 고체 전해 콘덴서 소자와 동일한 양극 단자와 음극 단자간 거리를 가진 실장 기판에 실시예 1과 동일하게 반경화성 절연성 접착제와 반경화성 도전성 접착제로 접착, 외장하여 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
(비교예 4∼7)
종래의 고체 전해 콘덴서 소자와 실장 기판과의 접속에 은을 필러로서 이용한 에폭시 수지계 도전성 접착제를 사용하고, 절연성 접착제는 사용하지 않은 것 외에는 실시예 4∼7과 동일하게 고체 전해 콘덴서를 제작했다.
실시예 4∼7 및 비교예 4∼7의 고체 전해 콘덴서를 각각 20개씩 제작하고, ESL(100㎒)을 측정하여, 고체 전해 콘덴서 소자와 실장 기판의 접착 시에 은의 스며나옴에 의한 쇼트 불량 발생수를 조사했다. 그 결과를 양음극간 거리와 외장 방법에 따른 ESL, 공정 불량수로서 표 3에 나타낸다.
외장 방법 양음극간 거리 (㎜) ESL (100㎒) 공정 불량수 (개)
실시예 4 실시예 1에 기재된 콘덴서 0.1 40pH 0
실시예 5 0.3 70pH 0
실시예 6 0.5 100pH 0
실시예 7 0.7 130pH 0
비교예 4 반경화할 수 없는 도전성 접착제 및 절연성 접착제가없는 콘덴서 0.1 40pH 20
비교예 5 0.3 70pH 10
비교예 6 0.5 100pH 4
비교예 7 0.7 130pH 0
이 결과로부터 저ESL 특성을 가지고, 공정 불량률을 저감하려면 본 발명의 공법으로 양음극간을 줄여도 도전성 접착제가 스며나오지 않도록 하는 것이 유효한 것을 알 수 있다.
도1 은 본 발명의 실시 형태에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.

Claims (4)

  1. 양극 리드가 도출된 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체의 표면에 순차적으로 형성된 양극 산화 피막, 고체 전해질층, 그래파이트층, 은(銀) 페이스트층과,
    양극부가 되는 상기 양극 리드와 음극부가 되는 상기 다공질 양극체를 분리하는 레지스트층과,
    상기 양극 리드에 접속된 양극 리드체를 갖는 고체 전해 콘덴서 소자를,
    절연부를 개재하여 양극 단자와 음극 단자를 갖는 실장 기판의 상기 절연부상에 형성한 반(半)경화성 절연성 접착제와, 상기 양극 단자상 및 상기 음극 단자상에 형성한 반경화성 도전성 접착제에 의해 상기 실장 기판상에 접속하여 외장 수지로 밀봉한 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반경화성 절연성 접착제가 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리 아미드 이미드 수지, 폴리 이미드 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지로부터 선택되는 적어도 1종류 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고체 전해 콘덴서 소자의 양극부와 음극부와의 최단 거리가 0.1∼0.7㎜ 인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
  4. 양극 리드가 도출된 밸브작용금속으로 이루어지는 다공질 양극체의 표면에 순차적으로 양극 산화 피막, 고체 전해질층, 그래파이트층, 은 페이스트층을 형성하는 공정과,
    양극부가 되는 상기 양극 리드와 음극부가 되는 상기 다공질 양극체를 분리하는 레지스트층을 형성하는 공정과,
    상기 양극 리드에 양극 리드체를 접속하여 고체 전해 콘덴서 소자를 형성하는 공정과,
    절연부를 개재하여 양극 단자와 음극 단자를 갖는 실장 기판의 상기 절연부상에 반경화성 절연성 접착제를 도포하여 반경화시키는 공정과,
    상기 양극 단자상 및 상기 음극 단자상에 반경화성 도전성 접착제를 도포하여 반경화시키는 공정과,
    상기 고체 전해 콘덴서 소자의 상기 양극 리드체를 상기 양극 단자상의 도전성 접착제와, 상기 은 페이스트를 상기 음극 단자상의 도전성 접착제와 접속하는 공정과,
    상기 고체 전해 콘덴서 소자를 외장 수지로 밀봉하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
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