KR101067210B1 - 고체 전해 콘덴서 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정전 용량이 확대된 고체 전해 콘덴서에 관한 것이다.
본 발명의 고체 전해 콘덴서는, 내부가 양극을 갖고, 외표면이 음극층으로 둘러싸여 일단부측에 양극 와이어가 삽입된 콘덴서소자; 상기 콘덴서소자의 하부 일측에 배치되어 상기 콘덴서소자와 전기적으로 연결된 음극 단자; 상기 콘덴서소자의 하부 타측에 배치되어 상면에 몰딩 주입 공간이 구비되고 상기 양극 와이어와 전기적으로 연결되는 양극 단자; 및 상기 콘덴서소자의 외부를 감싸며 상기 양극 단자와 음극 단자의 하면이 노출되게 형성된 몰딩부;를 포함한다.
콘덴서소자, 양극 단자, 음극 단자, 전도성 페이스트, 몰딩부, 보강재, 몰딩 주입 공간
Description
본 발명은 고체 전해 콘덴서에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 몰딩부 하면 일측에 배치되는 양극 단자 상에 몰딩재가 주입되어 콘덴서소자와 양극 단자가 절연되도록 함으로써, 소형의 콘덴서 제작을 추구하면서도 콘덴서소자의 용적률을 극대화하여 정전 용량이 향상된 고체 전해 콘덴서에 관한 것이다.
일반적으로, 고체 전해 콘덴서는 전기를 축적하는 기능 이외에 직류 전류를 차단하고 교류 전류를 통과시키려는 목적으로 사용되는 전자부품 중의 하나로서, 이러한 고체 전해 콘덴서 중 대표적으로 탄탈륨 콘덴서가 제작되고 있다.
상기 탄탈륨 콘덴서는 일반 산업기기용은 물론 정격전압 사용 범위가 낮은 응용회로에 사용되며, 특히 주파수 특성이 문제되는 회로나 휴대 통신기기의 노이즈 감소를 위하여 많이 사용된다.
이와 같은 콘덴서는 기본적으로 탄탈 소자 중앙부 또는 중앙부를 제외한 부위에 리드 와이어를 삽입하거나 삽입된 리드 와이어를 탄탈 소자의 외부에서 밴딩 하여 제작한다.
또한, 탄탈 소자에 리드 프레임을 조립하는 방법으로, 양극(+) 리드 와이어와 양극(+) 리드 프레임을 스폿(spot) 용접에 의해서 양극 단자를 인출하고, 몰드 패키지 후 양극과 음극 리드 포밍(forming)에 의해 전극 단자를 인출하는 방법이 사용된다.
도 1과 도 2는 종래 고체 전해 콘덴서에 관한 도면으로서, 도 1은 종래 고체 전해 콘덴서의 사시도이고, 도 2는 종래 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래의 고체 전해 콘덴서(10)는 콘덴서의 용량 및 특성을 결정하는 유전체분말 소재로 루어진 콘덴서 소자(11)와, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 용이하게 장착하도록 상기 콘덴서 소자(11)에 연결되는 양극 및 음극 리드프레임(13)(14)과, 상기 콘덴서소자(11)를 외부환경으로부터 보호하고 콘덴서소자의 형상을 만들기 위해 에폭시(Epoxy)로 몰딩한 에폭시케이스(15)로 구성된다.
이때, 상기 콘덴서 소자(11)는 일측에 봉상의 양극 와이어(12)가 일정 길이로 돌출 형성되어 있다.
그리고, 상기 양극 와이어(12)에는 양극 리드프레임(13)과의 접촉율을 높이고 용접시 좌우 흔들림을 방지하기 위해 외부면이 평평한 압공면(12a)을 구비하고 있다.
여기서, 상기 콘덴서 소자(11)를 제조하는 공정은 프레스 공정에서 유전체분말을 직육면체 상으로 성형하여 소결하고, 화성 공정을 거치면서 외부면에 유전체 산화피막을 형성한 다음, 질산망간수용액에 함침하여 그 외부면에 고체 전해질로 된 이산화 망간층을 열분해하여 형성한다.
상기와 같이 제조된 콘덴서 소자(11)에 상기 양극 및 음극 리드프레임(13)(14)을 연결하는 공정은, 상기 콘덴서 소자(11)의 일측면에 일정 길이로 돌출된 봉 상의 양극 와이어(12)의 압공면(12a)에 판 상의 양극 리드프레임(13)을 용접하여 양극 단자를 인출하는 단계와, 상기 콘덴서 소자(11)의 외부 표면이나 음극 리드프레임(14)에 도포된 도전성 접합제를 매개로 하여 상기 음극단자를 인출하는 단계로 이루어진다.
그리고, 상기 양극 및 음극 리드프레임(13)(14)에 각각 전기적으로 연결된 상기 콘덴서 소자(11)는 외장 공정에서 에폭시로 몰딩하여 에폭시 케이스(15)를 형성한 후, 최종적으로 마킹 공정을 거쳐 콘덴서의 제작이 완료된다.
이와 같이 제작되는 종래 고체 전해 콘덴서(10)는 에폭시 케이스(15)를 포함한 전체 부피에서 콘덴서소자(11)가 차지하고 있는 체적 효율이 현저히 저하됨에 따라 정전 용량이 작아지고 임피던스의 값이 커지는 문제점이 지적되고 있다.
따라서, 본 발명은 종래 고체 전해 콘덴서에서 제기되고 있는 상기 제반 단점과 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 양극 단자 상에 형성된 몰딩 주입 공간에 의해 콘덴서소자와 양극 단자가 절연됨에 따라 콘덴서소자의 용적률이 최대로 확보될 수 있도록 한 고체 전해 콘덴서가 제공됨에 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은, 내부가 양극을 갖고 외표면이 음극층으로 둘러싸여 일단부측에 양극 와이어가 삽입된 콘덴서소자와, 상기 콘덴서소자의 하부 일측에 배치되어 상기 콘덴서소자와 전기적으로 연결된 음극 단자와, 상기 콘덴서소자의 하부 타측에 배치되어 상면에 몰딩 주입 공간이 구비되고 상기 양극 와이어와 전기적으로 연결되는 양극 단자와, 상기 콘덴서소자의 외부를 감싸며 상기 양극 단자와 음극 단자의 하면이 노출되게 형성된 몰딩부를 포함하는 고체 전해 콘덴서가 제공됨에 의해서 달성된다.
상기 콘덴서소자의 하면에는 주로 전도성 에폭시 등으로 구성된 필름 형태의 고정 부재가 밀착 결합되며, 상기 고정 부재 상, 하면에 각각 콘덴서소자와 음극 단자가 밀착되어 상기 몰딩부가 고정 부재를 포함한 콘덴서소자를 감싸며 형성된다.
또한, 상기 콘덴서소자에 일단부가 결합되어 타단부가 콘덴서소자 외측으로 노출된 양극 와이어는 양극 단자와 전기적으로 연결된 보강재와 전기적으로 접합된다.
상기 양극 와이어와 보강재는 레이져 용접을 통해 접합 가능하다.
상기 몰딩부는 에폭시 등의 몰딩재를 통해 상기 콘덴서소자의 외주면을 감싸며 몰딩될 때, 상기 양극 단자 상부의 몰딩 주입 공간으로 주입됨에 따라 콘덴서소자와 양극 단자의 절연이 이루어지도록 한다.
상기 콘덴서소자는 외주면에 음극층과 음극 보강층이 형성되며, 상기 음극층은 콘덴서 소자의 표면에 탄탈산화물(Ta2O5)의 산화피막으로 구성된 절연층, 이산화망간(MnO2)으로 구성된 고체 전해질층으로 이루어지며, 그 외주면에 카본과 실버(Ag) 페이스트 등이 순차적으로 도포되어 음극 보강층이 더 형성된다.
또한, 상기 콘덴서소자는 음극 단자와 전도성 페이스트를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 전도성 페이스트는 주로 은(Ag) 페이스트로 구성된다.
한편, 본 발명의 다른 목적은 내부가 양극을 갖고 외표면이 음극층으로 둘러싸여 일단부측에 양극 와이어가 삽입된 콘덴서소자와, 상기 콘덴서소자의 하부 일측에 배치되어 상기 콘덴서소자의 내측으로 갈수록 두껍게 도포되는 전도성 페이스트에 의해 상기 콘덴서소자와 전기적으로 연결되는 음극 단자와, 상기 콘덴서소자의 하부 타측에 배치되어 상기 콘덴서소자의 일단부에 삽입된 상기 양극 와이어와 전기적으로 연결되는 양극 단자와, 상기 콘덴서소자의 외부를 감싸며 상기 양극 단 자와 음극 단자의 하면이 노출되게 형성된 몰딩부를 포함하는 고체 전해 콘덴서가 제공됨에 의해서 달성된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 고체 전해 콘덴서는 양극 단자와 콘덴서소자의 하면 사이에 몰딩 주입 공간이 형성되어 전기적 절연이 이루어짐으로써, 양극 단자의 상부 지점까지 콘덴서소자의 용적을 증가시킬 수 있기 때문에 체적 효율을 극대화시킬 수 있는 장점이 있으며, 콘덴서의 크기를 최소화하면서도 정전 용량을 향상시킬 수 있는 작용효과가 발휘될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법에 의하면, 고체 전해 콘덴서의 낮은 ESR(Equivalent Series Resistance) 특성을 구현할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 고체 전해 콘덴서의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
먼저, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서(100)는, 일측 단부면에 양극 와이어(111)가 결합된 콘덴서소자(110)와, 상기 콘덴서소자(110)를 감싸는 몰딩부(150)와, 상기 몰딩부(150) 하부 양측부에 하면이 노출되게 형성된 양극 단자(120)와 음극 단자(130)로 구성된다.
상기 콘덴서소자(110)는 양극 와이어(111)의 일단부가 노출되게 결합된 직육면체 형태로 구성되며, 양극의 극성을 가지는 탄탈 펠렛의 외표면에 음극층(도면 미도시)이 형성된다.
이때, 상기 콘덴서소자(110)는 탈탄 파우더와 바인더가 혼합되어 직육면체로 압축 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작되는 탄탈 펠렛 외표면에 유전체 산화피막(Ta2O5)층이 형성된 유전체 소자로 구성된다.
상기 콘덴서소자(110)는 탄탈(Ta) 외에도 니비오(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다.
상기 콘덴서소자(110)의 외표면에 형성된 음극층은 양극의 탄탈 펠렛을 음극화하기 위한 것으로, 질산-망간 용액에 절연층인 유전체 산화피막층으로 포밍된 탄탈 펠렛을 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층의 음극층이 형성되도록 한다.
그리고, 상기 음극층의 외부에는 카본과 실버 페이스트가 순차적으로 도포되는 음극 보강층이 더 구비될 수 있는 바, 상기 음극 보강층은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 하여 상기 음극층에 접촉되는 음극 단자(130)와 극성 전달을 위한 전기적 연결이 용이하게 하기 위한 것이다.
여기서, 상기 콘덴서소자(110)는 음극층 및 음극 보강층에 대한 도면 표시와 도면 부호 기재에 있어 본 발명이 채택하고 있는 고체 전해 콘덴서의 콘덴서소자 제작시 당업자가 도면 표시 없이도 충분히 이해될 수 있는 공지 기술에 해당된다고 판단되어 생략하였다.
한편, 상기 콘덴서소자(110)의 하면에는 음극 단자(130)가 밀착 결합되는 데, 상기 음극 단자(130)는 주로 은(Ag) 페이스트 등의 전도성 페이스트(140)를 통해 콘덴서소자(110)와 전기적으로 연결된다.
상기 전도성 페이스트(140)는 은(Ag) 외에도 Au, Pd, Ag, Ni, Cu 등의 점성이 있는 전도성 페이스트로 구성될 수 있으며, 상기 콘덴서소자()의 하면 일부분에 도포되어 건조, 경화, 소성 등의 가공을 통해 충분한 경도와 접합 경도를 가지도록 한다.
이때, 상기 전도성 페이스트(140)는 대략 30 내지 300℃ 사이의 온도에서 경화될 수 있다.
또한, 상기 콘덴서소자(110)와 음극 단자(130) 사이에는 전도성 재질의 고정 부재(160)가 개재된다. 상기 고정 부재(160)는 필름 형태로 구성되어 전도성 페이스트(140)가 도포된 콘덴서소자(110)의 하면에 음극 단자(130)의 접착력이 강화되도록 한 것으로, 상기 전도성 페이스트(140)와 거의 동일한 면적에 형성될 수 있다.
상기 고정 부재(160)는 화학적, 기계적 친화력이 우수한 전도성 에폭시 계열이 주로 사용될 수 있으며, 이 외에도 스틸 또는 페이스트 재질로 형성될 수 있다.
또한, 본 실시예의 고체 전해 콘덴서(100)에 적용되는 양극 단자(120)는 상기 콘덴서소자(110)에 일단부가 돌출되게 결합된 양극 와이어(111)와 전기적으로 결합된다.
상기 양극 단자(120)와 양극 와이어(111)는 양극 단자(120) 상에 수직 결합된 보강재(170)를 통해 결합되며, 상기 보강재(170) 선단에 양극 와이어(111)의 돌출 단부가 접촉되어 용접, 특히 레이져 용접 등에 의해 접합된다.
이때, 상기 양극 와이어(111)의 돌출 단부가 접합되는 보강재(170)의 선단부에는 양극 와이어(111)가 용이하게 보강재(170)에 접촉될 수 있도록 오목한 홈(도면 미도시)이 형성될 수도 있다.
상기 양극 단자(120)는 보강재(170)가 수직 결합된 부위의 내측으로 몰딩 주입 공간(180), 즉 콘덴서소자(110)의 내측으로 에칭이나 프레싱을 통한 단턱부가 형성된다.
상기 몰딩 주입 공간(180)은 콘덴서소자(110)의 하면과 양극 단자(120)의 상면 사이에 이격 공간을 형성하여 그 이격 공간으로 콘덴서소자(110)의 외부를 감싸는 몰딩재가 주입됨으로써, 외표면이 음극의 극성을 갖는 콘덴서소자(110)와 양극 단자(120)의 접촉에 따른 쇼트(short)가 방지될 수 있도록 한다.
즉, 상기 몰딩 주입 공간(180)에 의해 콘덴서소자(110)와 양극 단자(120)의 쇼트가 방지될 수 있기 때문에 상기 콘덴서소자(110)의 양극 와이어(111) 결합측 단부가 양극 와이어(111)와 보강재(170) 결합을 위한 최소 부위만을 제외하고 양극 단자(120)의 상부 지점까지 확대되어 연장 형성됨에 따라 상기 콘덴서소자(110)의 체적 효율을 확장시킬 수 있다.
따라서, 앞서 설명된 종래 고체 전해 콘덴서에 비해 약 20% 이상의 정전 용량이 향상된 콘덴서 제작이 가능하다.
상기 콘덴서소자(110)의 하면에 양극 단자(120)와 음극 단자(130)가 각각 결합되면 상기 양극 단자(120)와 음극 단자(130)의 하면이 노출되게 콘덴서소자(110)의 외주면을 감싸는 몰딩부(150)가 형성된다.
상기 몰딩부(150)는 콘덴서소자(110)의 외주면과 콘덴서소자(110)에 결합된 양극 와이어(111) 및 외부로 노출되는 양극 단자(120)와 음극 단자(130)의 하면을 제외한 부분을 감싸도록 하여 콘덴서소자(110)가 외부 환경으로부터 보호되도록 하며, 주로 에폭시 재질로 구성된다.
상기 콘덴서소자(110)의 외주면에 몰딩부(150)를 형성할 때, 단위 콘덴서소자(110) 별로 에폭시를 이용하여 몰딩부(150)가 형성될 수 있으며, 콘덴서소자(110)를 등간격으로 배열한 후 일괄적으로 몰딩부(150)가 형성되도록 할 수 있다.
다음, 도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예의 고체 전해 콘덴서 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서는 앞서 설명된 실시예와 마찬가지로 일측 단부면에 양극 와이어(111)가 결합된 콘덴서소자(110)와, 상기 콘덴서소자(110)를 감싸는 몰딩부(150)와, 상기 몰딩부(150) 하부 양측부에 하면이 노출되게 형성된 양극 단자(120)와 음극 단자(130)로 구성된다.
이때, 상기 콘덴서소자(110)와 음극 단자(130)를 전기적으로 연결하기 위하여 그 사이에 전도성 페이스트(140)가 개재될 때, 상기 전도성 페이스트(140)가 콘덴서소자(110)의 외측에서 내측으로 갈수록 두껍게 도포되도록 한다.
즉, 상기 전도성 페이스트(140)의 도포 두께 조절에 의해 상기 콘덴서소자(110)의 양극 와이어(111) 결합 단부측이 상향되게 기울어짐에 따라 상기 콘덴서소자(110)와 양극 단자(120) 사이에 몰딩 주입 공간(180)이 형성된다.
따라서, 본 실시예의 고체 전해 콘덴서는 앞서 설명한 실시예의 고체 전해 콘덴서와 마찬가지로 콘덴서소자(110)의 하면과 양극 단자(120)의 상면 사이에 이격 공간을 형성하여 그 이격 공간으로 콘덴서소자(110)의 외부를 감싸는 몰딩재가 주입됨으로써, 외표면이 음극의 극성을 갖는 콘덴서소자(110)와 양극 단자(120)의 접촉에 따른 쇼트(short)가 방지될 수 있도록 할 수 있다.
즉, 상기 몰딩 주입 공간(180)에 의해 콘덴서소자(110)와 양극 단자(120)의 쇼트가 방지될 수 있기 때문에 상기 콘덴서소자(110)의 양극 와이어(111) 결합측 단부가 양극 와이어(111)와 보강재(170) 결합을 위한 최소 부위만을 제외하고 양극 단자(120)의 상부 지점까지 확대되어 연장 형성됨에 따라 상기 콘덴서소자(110)의 체적 효율과 정전 용량을 앞선 실시예와 같이 확장시킬 수 있다.
여기서, 상기 콘덴서소자(110)의 하면에 도포되는 전도성 페이스트(140)의 구성을 제외한 본 실시예의 고체 전해 콘덴서에 대한 기술적 구성은 앞서 설명된 실시예의 고체 전해 콘덴서의 기술적 구성과 동일함에 따라 중복되는 기술적 구성의 구체적인 설명은 생략하였다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 종래 고체 전해 콘덴서의 사시도.
도 2는 종래 고체 전해 콘덴서의 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고체 전해 콘덴서의 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예의 고체 전해 콘덴서 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110. 콘덴서소자 120. 양극 단자
130. 음극 단자 140. 전도성 페이스트
150. 몰딩부 170. 보강재
180. 몰딩 주입 공간
Claims (11)
- 내부가 양극을 갖고, 외표면이 음극층으로 둘러싸여 일단부측에 양극 와이어가 삽입되며, 외주면에 음극층과 음극 보강층이 형성된 콘덴서소자;상기 콘덴서소자의 하부 일측에 배치되어 상기 콘덴서소자와 전기적으로 연결된 음극 단자;상기 콘덴서소자의 하부 타측에 배치되어 상면에 단턱부에 의한 몰딩 주입 공간이 구비되고 상기 양극 와이어와 전기적으로 연결되는 양극 단자; 및상기 콘덴서소자의 외부를 감싸며 상기 양극 단자와 음극 단자의 하면이 노출되게 형성된 몰딩부;를 포함하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 콘덴서소자의 하면에는 전도성 에폭시로 구성된 필름 형태의 고정 부재가 밀착 결합되며, 상기 고정 부재 상, 하면에 각각 상기 콘덴서소자와 음극 단자가 밀착된 상태에서 상기 몰딩부가 상기 고정 부재를 포함한 상기 콘덴서소자를 감싸도록 형성된 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 콘덴서소자는. 전도성 페이스트를 통해 음극 단자와 전기적으로 연결되며, 상기 전도성 페이스트는, Ag, Au, Pd, Ag, Ni, Cu 등의 점성이 있는 전도성 페이스트 중 어느 하나인 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 양극 와이어는 상기 양극 단자와 수직 결합된 보강재와 전기적으로 접합되는 고체 전해 콘덴서.
- 제4항에 있어서,상기 양극 와이어와 보강재는, 레이져 용접을 통해 접합되는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 콘덴서소자와 양극 단자는, 상기 몰딩 주입 공간에 주입된 상기 몰딩부에 의해 절연되는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 단턱부는 에칭 또는 프레싱에 의해 형성되는 고체 전해 콘덴서.
- 삭제
- 내부가 양극을 갖고 외표면이 음극층으로 둘러싸여 일단부측에 양극 와이어가 삽입되며, 외주면에 음극층과 음극 보강층이 형성된 콘덴서소자;상기 콘덴서소자의 하부 일측에 배치되고, 상기 콘덴서소자의 내측으로 갈수록 두껍게 도포되는 전도성 페이스트에 의해 상기 콘덴서소자와 전기적으로 연결되는 음극 단자;상기 콘덴서소자의 하부 타측에 배치되어 상기 콘덴서소자의 일단부에 삽입된 상기 양극 와이어와 보강재를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 콘덴서소자의 내측으로 갈수록 두껍게 도포되는 상기 전도성 페이스트에 의해 상부에 몰딩 주입 공간이 구비된 양극 단자; 및상기 콘덴서소자의 외부를 감싸며 상기 양극 단자와 음극 단자의 하면이 노출되게 형성된 몰딩부;를 포함하는 고체 전해 콘덴서.
- 제9항에 있어서,상기 몰딩부는, 상기 콘덴서소자 하면에 내측으로 갈수록 두껍게 도포된 상기 전도성 페이스트에 의해 상기 양극 와이어 결합 단부측에 형성된 몰딩 주입 공간에 주입되어 상기 콘덴서소자와 양극 단자를 절연하는 고체 전해 콘덴서.
- 제10항에 있어서,상기 전도성 페이스트는, Ag, Au, Pd, Ag, Ni, Cu 등의 점성이 있는 전도성 페이스트 중 어느 하나인 고체 전해 콘덴서.
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| KR20150095426A (ko) * | 2014-02-13 | 2015-08-21 | 삼성전기주식회사 | 탄탈 커패시터 |
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| KR102048095B1 (ko) * | 2014-07-18 | 2019-11-22 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품, 그 실장 기판 및 이를 포함하는 전원 안정화 유닛 |
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| WO2022116931A1 (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种表面封装电容器及表面封装电容器的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126958A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Aic Inc | チップ形固体電解コンデンサ |
| JP2002110458A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nichicon Corp | チップ状固体電解コンデンサ |
| JP2007142161A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120323U (ko) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | ||
| US5198968A (en) * | 1992-07-23 | 1993-03-30 | Avx Corporation | Compact surface mount solid state capacitor and method of making same |
| JP2000030978A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Rohm Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| US6421227B2 (en) * | 1999-12-10 | 2002-07-16 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic multilayer capacitor |
| US6625009B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-09-23 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of making the same |
| JP2003234251A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Nec Tokin Corp | チップ型電解コンデンサ |
| JP4201721B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-12-24 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP4583132B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-11-17 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2008117793A (ja) * | 2005-01-21 | 2008-05-22 | Rohm Co Ltd | パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法 |
| JP4183091B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2008-11-19 | ローム株式会社 | 面実装型固体電解コンデンサとその製造方法 |
| JP5029937B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-09-19 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| KR100755655B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 칩 형 콘덴서 |
| KR100826391B1 (ko) | 2006-07-18 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 칩형 고체 전해콘덴서 |
| JP4812118B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-11-09 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
2008
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-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001126958A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Aic Inc | チップ形固体電解コンデンサ |
| JP2002110458A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Nichicon Corp | チップ状固体電解コンデンサ |
| JP2007142161A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Nec Tokin Corp | 下面電極型固体電解コンデンサ |
Also Published As
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