KR20150095426A - 탄탈 커패시터 - Google Patents

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KR20150095426A
KR20150095426A KR1020140016707A KR20140016707A KR20150095426A KR 20150095426 A KR20150095426 A KR 20150095426A KR 1020140016707 A KR1020140016707 A KR 1020140016707A KR 20140016707 A KR20140016707 A KR 20140016707A KR 20150095426 A KR20150095426 A KR 20150095426A
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layer
spherical
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filler
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KR1020140016707A
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최희성
김경환
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시형태는 최외층이 음극층으로 형성된 본체부; 일부 영역이 상기 본체부의 일면으로 노출되도록 상기 본체부에 매설되는 양극 와이어; 및 상기 본체부 및 상기 양극 와이어를 외장하는 몰딩부; 를 포함하며, 상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께는 10μm 내지 50μm인 탄탈 커패시터를 제공할 수 있다.

Description

탄탈 커패시터{Tantalum capacitor}
본 발명은 탄탈 커패시터에 관한 것이다.
탄탈럼(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
일반적으로 캐패시터는 전기를 일시적으로 저장하는 축전기를 말하며, 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용된다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2 )을 형성하며, 상기 이산화망간층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 상기 본체에 회로 기판의 실장을 위하여 양극 및 음극을 형성하고 몰딩부를 형성하여 제조될 수 있다.
대한민국 공개 특허공보 제2004-0011364호
본 발명은 탄탈 커패시터를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시형태는 최외층이 음극층으로 형성된 본체부; 일부 영역이 상기 본체부의 일면으로 노출되도록 상기 본체부에 매설되는 양극 와이어; 및 상기 본체부 및 상기 양극 와이어를 외장하는 몰딩부; 를 포함하며, 상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께는 10μm 내지 50μm인 탄탈 커패시터를 제공할 수 있다.
상기 음극층의 표면 조도는 100nm 내지 500nm일 수 있다.
상기 음극층은 구형의 도전성 입자 및 플레이크형의 도전성 입자를 포함할 수 있다.
상기 음극층에 포함된 구형의 도전성 입자와 플레이크형의 도전성 입자의 중량비는 5 : 95 내지 50 : 30 을 만족할 수 있다.
상기 구형의 도전성 입자의 입경은 0.1μm 내지 0.5μm일 수 있다.
상기 플레이크형의 도전성 입자의 입경은 3μm 내지 10μm일 수 있다.
상기 몰딩부는 구상 필러 및 각상 필러를 포함할 수 있다.
상기 몰딩부에 포함된 구상 필러와 각상 필러의 중량비는 10 : 90 내지 90 : 10 을 만족할 수 있다.
상기 구상 필러와 각상 필러의 평균 입경은 3 내지 20μm일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 최외층이 음극층으로 형성된 본체부; 일부 영역이 상기 본체부의 일면으로 노출되도록 상기 본체부에 매설되는 양극 와이어; 및 상기 본체부 및 상기 양극 와이어를 외장하는 몰딩부; 를 포함하며, 상기 음극층의 표면 조도는 100nm 내지 500nm인 탄탈 커패시터를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 내습 신뢰성 및 충격 신뢰성이 우수하고, 용량 효율이 높은 탄탈 커패시터를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 도 2의 Q 영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 4는 도 2의 P 영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 탄탈 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 B-B' 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면 탄탈 커패시터(200)는 본체부(110)와 양극 와이어(120)를 포함하는 커패시터부(100); 및 몰딩부(140);를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 본체부(110)는 양극체(111), 유전체층(112), 고체 전해질층(113), 카본층(114) 및 음극층(115)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 탄탈 커패시터는 리드부(131, 132)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 설명의 편의를 위해 양극체(111)에서 양극 와이어(120)가 노출되는 방향을 전방으로 설정하고, 상기 전방과 대향하는 방향을 후방으로 설정하며 상기 전방 및 후방과 평행한 방향을 길이(L) 방향, 상기 길이 방향과 수직한 일 방향을 두께(T) 방향, 상기 길이 방향 및 두께 방향과 수직한 일 방향을 폭(W) 방향으로 설정하고, 상기 길이 방향으로 대향하는 면 중 양극 와이어(120)가 인출되는 면을 전면, 전면과 대향하는 면을 후면으로, 두께 방향과 수직한 양면을 상면 및 하면(또는 실장면)으로, 폭 방향과 수직한 양면을 양 측면으로 설정하여 설명하기로 한다.
상기 양극체(111)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며 탄탈 분말의 다공질 소결체로 이루어질 수 있다. 일 예로서 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
또한, 상기 양극 와이어(120)는 탄탈 금속으로 형성될 수 있으며, 단면이 원형 또는 다각형인 기둥 형상을 가질 수 있다. 양극 와이어의 단면은 원형으로 형성될 수 있으며, 양극 와이어의 단면은 정사각형 또는 직사각형으로 형성될 수 있다.
상기 양극체(111)는 전방으로 상기 양극 와이어(120)의 일부가 노출되도록 상기 양극 와이어의 길이 방향 일부를 매설할 수 있다.
예를 들어, 양극체(111) 형성을 위해 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 그 중심에 양극 와이어(120)의 일부가 묻힐 수 있도록 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.
예를 들어, 상기 양극체(111)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 양극 와이어(120)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
상기 양극체(111)의 표면에는 유전체층(112)이 형성될 수 있다. 상기 유전체층(112)은 상기 양극체(111)의 표면이 산화되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유전체층(112)은 상기 양극체를 이루는 탄탈의 산화물인 산화탄탈륨(Ta2O5)로 이루어진 유전체로 구성되며 상기 양극체(111)의 표면 상에 소정의 두께로 형성될 수 있다.
본체부 표면의 음극화를 위해 상기 유전체층의 표면상에는 고체 전해질층(113)이 형성될 수 있다. 상기 고체 전해질층(113)은 도전성 고분자 또는 이산화망간(MnO2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(113)이 도전성 고분자로 형성되는 경우 화학 중합법 또는 전해 중합법에 의해 상기 유전체층(112)의 표면에 형성될 수 있다. 상기 도전성 고분자 재료로는 도전성을 갖는 고분자 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리피롤, 폴리 티오펜, 폴리 아닐린, 폴리 피롤 등을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(113)이 이산화망간(MnO2)으로 형성되는 경우, 표면에 유전체층이 형성된 양극체를 질산망간과 같은 망간 수용액 중에 침적시킨 후 망간 수용액을 가열분해하여 유전체층의 표면에 전도성의 이산화망간을 형성할 수 있다.
표면의 접촉 저항을 감소시키기 위하여 상기 고체 전해질층(113) 상에는 탄소를 포함하는 카본층(114)이 배치될 수 있다.
상기 카본층(114)은 카본 페이스트로 형성될 수 있으며, 천연 흑연이나 카본 블랙등의 도전성 탄소재료 분말을 바인더나 분산제등과 혼합한 상태로, 수중 또는 유기용제중에 분산시킨 카본 페이스트를 상기 고체 전해질층(113) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 카본층(114) 상에는 음극 리드와의 전기 연결성을 향상시키기 위하여 도전성 입자를 포함하는 음극층(115)이 배치될 수 있으며, 상기 음극층(115)에 포함된 도전성 입자는 은(Ag) 입자일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 음극층(115)의 표면 조도는 100nm 내지 500nm 일 수 있다.
표면 조도란 금속표면을 가공할 때에 표면에 생기는 미세한 요철의 정도를 일컫는 것으로서, 표면 거칠기라고도 한다.
표면 조도는 표면 거칠기의 정도를 나타내는 것으로, 상기 음극층의 표면을 그것과 직각인 평면으로 절단하고 그 단면을 보면 음극층의 표면이 어떤 곡선을 이루는데 본 발명에서 표면 조도는 이 곡선의 가장 낮은 곳에서 가장 높은 곳까지의 높이 차로 정의될 수 있다.
상기 음극층(115)의 표면 조도가 100nm 미만인 경우 음극층 상에 형성되는 몰딩부와의 밀착력 저하로 인하여 내습 신뢰성 및 충격 신뢰성이 저하될 수 있으며, 상기 음극층의 표면 조도가 500nm를 초과하는 경우 몰딩부 형성 시 몰딩부 형성을 위한 수지 페이스트의 흐름성 저하로 인하여 수지 페이스트에 공동(void)이 형성되는 문제가 발생할 수 있다. 몰딩부 형성을 위한 수지 페이스트에 공동이 형성되는 경우 몰딩부에 공동이 형성될 수 있으며, 이 경우 내습 신뢰성 및 충격 신뢰성이 저하될 수 있다.
도 3은 상기 도 2의 Q영역에 대한 확대도이다. Q영역은 상기 음극층(115) 단면의 일부 영역을 의미한다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 음극층(115)은 구형의 도전성 입자(52) 및 플레이크형의 도전성 입자(51)를 포함할 수 있으며, 상기 도전성 입자의 결합을 위한 유기 고분자(53)를 더 포함할 수 있다.
상기 음극층은 구형의 도전성 입자, 플레이크형의 도전성 입자 및 유기 고분자를 포함하는 도전성 페이스트를 상기 카본층 상에 도포하고 건조 또는 경화하여 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 음극층이 구형의 도전성 입자 및 플레이크형의 도전성 입자를 혼합하여 포함함으로써 음극층 형성을 위한 페이스트의 흐름성 및 음극층의 막밀도가 증가할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 구형의 도전성 입자의 입경은 0.1μm 내지 0.5μm일 수 있다. 상기 구형의 도전성 입자의 입경이 0.1μm 미만인 경우 접촉저항 증가에 의해 등가직렬저항(ESR) 증가의 문제가 발생할 수 있으며, 상기 구형의 도전성 입자의 입경이 0.5μm를 초과하는 경우 음극층의 막밀도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 플레이크형의 도전성 입자의 입경은 3μm 내지 10μm일 수 있다. 상기 플레이크형의 도전성 입자의 입경이 3μm 미만인 경우 접촉저항 증가에 의해 등가직렬저항(ESR) 증가의 문제가 발생할 수 있으며, 상기 플레이크형의 도전성 입자의 입경이 0.5μm를 초과하는 경우 음극층 형성을 위한 페이스트의 흐름성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 음극층에 포함된 구형의 도전성 입자 와 플레이크형의 도전성 입자의 중량 비(구형의 도전성 입자 : 플레이크형의 도전성 입자)는 5 : 95 내지 50 : 30일 수 있다.
예를 들어, 상기 구형의 도전성 입자와 플레이크형의 도전성 입자의 중량 비는 구형의 도전성 입자 : 플레이크형의 도전성 입자 = 5 ~ 50 : 30 ~ 95의 비율 범위로 상기 음극층에 포함될 수 있다.
구형의 도전성 입자가 상기 수치범위를 벗어나도록 많이 포함되는 경우, 접촉저항 증가에 따른 등가직렬저항(ESR)이 상승하는 문제가 있을 수 있으며, 상기 구형의 도전성 입자가 상기 수치범위를 벗어나도록 적게 포함되는 경우 음극층의 막밀도가 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한 플레이크형의 도전성 입자가 상기 수치범위를 벗어나도록 많이 포함되는 경우, 음극층 형성을 위한 페이스트의 흐름성이 나빠지는 문제가 있을 수 있으며, 상기 플레이크형의 도전성 입자가 상기 수치범위를 벗어나도록 적게 포함되는 경우 접촉저항 증가에 의해 등가직렬저항(ESR)이 상승하는 문제가 있을 수 있다.
상기 몰딩부(140)는 상기 본체부(110)와 상기 양극 와이어(120)로 이루어진 커패시터부(100)를 외장할 수 있다.
상기 몰딩부(140)에 둘러싸인 커패시터부(100)가 외부와 전기적으로 연결되기 위하여 상기 커패시터부와 연결되도록 리드부(131, 132)를 배치할 수 있으며, 상기 리드부는 양극 리드(131) 및 음극 리드(132)를 포함할 수 있다. 상기 양극 리드는 양극 연결부와 양극 단자부를 포함할 수 있으며, 상기 음극 리드는 음극 연결부와 음극 단자부를 포함할 수 있다.
상기 양극 연결부는 양극 와이어의 양극체로부터 노출된 영역과 접속되어 전기적으로 연결되며, 상기 양극 단자부는 상기 몰딩부의 외부로 인출되어 외부로부터 전압이 인가되거나 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 기능할 수 있다. 또한 상기 음극 연결부는 상기 음극층과 전기적으로 연결되며, 상기 음극 단자부는 상기 몰딩부의 외부로 인출되어 외부로부터 전압이 인가되거나 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 기능할 수 있다.
상기 양극 와이어(120)와 상기 양극 연결부는 양극 와이어를 양극 리드(131)의 양극 연결부에 접속되도록 한 상태에서, 스폿 용접(spot welding) 또는 레이저 용접(laser welding)하거나 도전성 접착제를 도포하여 전기적으로 부착하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 음극층(115)과 상기 음극 연결부는 도전성 접착제로 형성된 도전성 접착층(150)에 의해 연결될 수 있다. 상기 도전성 접착제는 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 도전성 접착체를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 도전성 접착층(150)을 형성하여 커패시터 본체(110)와 음극 리드(132)의 음극 연결부를 부착시키고, 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화 조건에서 150 내지 170℃의 온도로 40 내지 60 분간 경화하여 수지 몰딩 시 커패시터 본체(110)가 움직이지 않도록 하는 역할을 할 수 있다.
이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag)을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 리드와 음극 리드는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 몰딩부의 서로 마주보는 양 단면으로 각각 인출되어 몰딩부의 실장면으로 구부러지는 형상을 가질 수 있다.
몰딩부(140)는 커패시터부(100)를 둘러싸도록 수지 페이스트를 몰딩하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 몰딩부는 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.
몰딩부(140)는 외부로부터 고체 전해 커패시터를 보호하는 역할을 수행한다.
이때, 몰딩부(140)는 양극 리드의 양극 단자부와 음극 리드의 음극 단자부가 노출도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 몰드의 온도는 170℃ 정도로 할 수 있으며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC의 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.
몰딩 이후에는 필요 시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화 조건에서 약 160℃의 온도로 30 내지 60분 동안 경화를 진행할 수 있다.
이때, 음극 리드의 음극 단자부와 양극 리드의 양극 단자부가 외부로 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 음극층 상에 형성된 상기 몰딩부(140)의 두께(D)는 10μm 내지 50μm 일 수 있다.
예를 들어, 상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께는 10μm 내지 50μm 일 수 있다.
상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께가 10μm 미만인 경우 내습 및 강도 신뢰성이 미확보되는 문제가 있으며, 상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께가 50μm를 초과하는 경우 전체 탄탈 커패시터내 본체부 부피 분율 감소로 인해 제품 용량이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
다만, 도 2에 도시된 바와 같이 양극 리드 및 음극 리드가 배치된 면과 양극 와이어가 인출된 면의 경우 양극 리드 및 음극 리드의 두께 또는 양극 와이어의 인출 길이로 인하여 음극층 상에 형성된 몰딩부의 두께가 상기 수치범위와 다를 수 있다.
도 4는 도 2의 P영역에 대한 확대도이다. 상기 P영역은 몰딩부의 단면의 일부영역을 의미할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 몰딩부는 구상 필러(41), 각상 필러(42) 및 에폭시 수지(43)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 몰딩부는 구상 필러, 각상 필러 및 에폭시 수지를 포함하는 EMC의 몰딩에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 몰딩부가 구상 필러 및 각상 필러를 혼합하여 포함하는 경우 몰딩부 형성을 위한 EMC 충진 시 EMC의 흐름성을 향상시킬 수 있으며, 몰딩부의 내습특성이 우수할 수 있다.
상기 구상 필러 및 각상 필러는 실리카를 포함할 수 있다.
상기 각상 필러는 파쇄에 의한 부정형의 형상을 가지는 필러일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 몰딩부에 포함된 구상 필러(41)와 각상 필러(42)의 평균 입경은 3μm 내지 20μm 일 수 있다.
상기 구상 필러와 각상 필러의 평균 입경이 3μm 미만인 경우 몰딩부 형성을 위한 페이스트의 흐름성이 저하될 수 있으며, 20μm를 초과하는 경우 필러의 충진율 감소에 따른 내습특성의 저하가 발생할 수 있다.
예를 들어, 상기 구상 필러와 각상 필러의 평균 입경이 20μm를 초과하고, 상기 구상 필러 및 각상필러가 실리카를 포함하는 경우 실리카 충진율 감소에 따른 내습 특성 저하가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 상기 구상 필러와 각상 필러의 중량 비(구형의 도전성 입자 : 플레이크형의 도전성 입자)는 10 : 90 내지 90 : 10 일 수 있다.
예를 들어, 상기 구상 필러와 각상 필러는 중량 비가 10 ~ 90 : 90 ~ 10 을 만족하는 범위로 상기 음극층에 포함될 수 있다.
구상 필러 및 각상필러가 상기 수치범위를 벗어나도록 많이 포함되거나 적게 포함되는 경우, 필러의 충진밀도가 저하되는 문제가 있으며, 구상 필러 및 각상 필러가 실리카를 포함하는 경우 실리카의 충진밀도 저하의 문제가 있을 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 탄탈 커패시터(200')를 나타내는 사시도이고, 도 6은 도 5의 B-B' 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 실시형태에서 양극 리드 및 음극 리드는 도 1 및 도 2의 실시형태와 다르게 형성될 수 있다.
본 실시형태에 의하면 상기 양극 리드(131')와 음극 리드(132')는 상기 몰딩부의 동일한 일면으로 인출될 수 있다. 예를 들면, 상기 양극 리드의 양극 단자부는 일면이 몰딩부의 실장면으로 노출되고 양극 단자부와 연결된 양극 연결부는 몰딩부 내에서 양극 단자부와 수직하도록 구부러져 양극 와이어(120)와 연결될 수 있다. 상기 양극 연결부는 양극 와이어와의 연결을 위해 홈이 형성될 수 있다.
상기 음극 리드는 도 6에 도시된 바와 같이 평판 형상을 가질 수 있으며, 일면은 몰딩부의 실장면으로 노출되고, 노출된 일면과 대향하는 타면은 몰딩부 내에 배치될 수 있다. 도시되지 않았으나, 상기 음극 리드는 상기 본체부를 배치하기 위한 홈부를 가질 수 있다.
상기 양극 리드와 음극 리드를 제외한 구성은 상술한 실시 형태와 동일하므로 여기서는 설명을 생략하도록 한다.
나아가 상술한 형태 외에도 양극 리드와 음극 리드의 형상의 다양한 변형이 가능할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100 : 커패시터부
110 : 본체부
111 : 양극체
112 : 유전체층
113 : 고체 전해질층
114 : 카본층
115 : 음극층
120 : 양극 와이어
131 : 양극 리드
132 : 음극 리드
140 : 몰딩부
150 : 도전성 접착층

Claims (10)

  1. 최외층이 음극층으로 형성된 본체부;
    일부 영역이 상기 본체부의 일면으로 노출되도록 상기 본체부에 매설되는 양극 와이어; 및
    상기 본체부 및 상기 양극 와이어를 외장하는 몰딩부; 를 포함하며,
    상기 음극층의 적어도 일면 상에 형성된 상기 몰딩부의 두께는 10μm 내지 50μm인 탄탈 커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음극층의 표면 조도는 100nm 내지 500nm인 탄탈 커패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 음극층은 구형의 도전성 입자 및 플레이크형의 도전성 입자를 포함하는 탄탈 커패시터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 음극층에 포함된 구형의 도전성 입자와 플레이크형의 도전성 입자의 중량비는 5 : 95 내지 50 : 30 을 만족하는 탄탈 커패시터.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 구형의 도전성 입자의 입경은 0.1μm 내지 0.5μm인 탄탈 커패시터.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 플레이크형의 도전성 입자의 입경은 3μm 내지 10μm인 탄탈 커패시터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 구상 필러 및 각상 필러를 포함하는 탄탈 커패시터.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩부에 포함된 구상 필러와 각상 필러의 중량비는 10 : 90 내지 90 : 10 을 만족하는 탄탈 커패시터.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 구상 필러와 각상 필러의 평균 입경은 3 내지 20μm인 탄탈 커패시터.
  10. 최외층이 음극층으로 형성된 본체부;
    일부 영역이 상기 본체부의 일면으로 노출되도록 상기 본체부에 매설되는 양극 와이어; 및
    상기 본체부 및 상기 양극 와이어를 외장하는 몰딩부; 를 포함하며,
    상기 음극층의 표면 조도는 100nm 내지 500nm인 탄탈 커패시터.


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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111613444B (zh) * 2019-02-26 2021-07-30 苏州市朴力冭材料科技有限公司 铝电容器及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3070408B2 (ja) * 1993-12-28 2000-07-31 日本電気株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2001126958A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Aic Inc チップ形固体電解コンデンサ
JP2001148326A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd タンタル固体電解コンデンサの製造方法および製造装置
JP2002299165A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Nippon Chemicon Corp チップ型固体電解コンデンサ
JP2003332178A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Rohm Co Ltd コンデンサ素子、これの製造方法およびコンデンサ
JP4019902B2 (ja) * 2002-11-13 2007-12-12 松下電器産業株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
CN1697103B (zh) * 2004-05-13 2012-09-05 三洋电机株式会社 固体电解电容器
CN1329926C (zh) * 2005-05-13 2007-08-01 范琳 一种无铅银电极浆料及其制造方法
CN101317241B (zh) * 2005-12-15 2012-12-05 株式会社村田制作所 电容器芯片及其制造方法
US7957120B2 (en) * 2005-12-15 2011-06-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Capacitor chip and method for manufacturing same
JP4879048B2 (ja) * 2006-05-31 2012-02-15 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2008109007A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Nec Tokin Corp 下面電極型固体電解コンデンサの製造方法およびそれに用いるリードフレーム
KR101067210B1 (ko) * 2008-12-08 2011-09-22 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서
WO2012001885A1 (ja) * 2010-06-29 2012-01-05 パナソニック株式会社 薄型フレキシブル電池
US8767378B2 (en) * 2012-11-02 2014-07-01 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive paste composition

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