KR102149799B1 - 탄탈륨 커패시터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄탈륨 커패시터에 관한 것으로, 본 발명의 탄탈륨 커패시터는 나란하게 배치된 복수의 탄탈륨 소결체, 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된 복수의 양극 리드선, 몰딩부, 복수의 양극 리드선과 접속하는 양극 단자 및 양극 단자와 이격된 음극 단자를 포함한다. 이때, 하나의 예에서, 양극 단자는 복수의 양극 리드선과 접속되며 제1 측면을 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 제1 측면 커버부 및 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비하고, 음극 단자는 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되게 제1 측면의 반대면을 커버하는 반대면 커버부 및 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비한다.

Description

탄탈륨 커패시터{TANTALUM CAPACITOR}
본 발명은 탄탈륨 커패시터에 관한 것이다. 구체적으로는 복수의 탄탈륨 소결체를 구비한 탄탈륨 커패시터에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 커패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있다. 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 커패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조이다.
일반적인 탄탈륨 캐피시터는 DC-바이어스 방향이 없으며, 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)에 영향을 받지 않는다. 탄탈륨 커패시터에서 ESL(등가직렬인덕턴스: Equivalent Series Inductance)은 회로 상에 기생하는 인덕턴스를 의미하는데, 탄탈륨 커패시터의 ESL을 줄이는 것은 PCB 파워부 설계 등에서 매우 중요한 요소가 되고 있다.
하지만, 최근 스마트 폰과 같은 고부가가치의 전자제품의 출시에 따라 고주파수에서 구동 가능한 캐피시터가 요구되고 있으나, 일반적인 탄탈륨 캐패시터는 이를 충족하지 못하고 있다.
국내공개특허공보 제2010-0065596호
전술한 문제를 해결하고자, 고주파수 대역에서 탄탈륨 커패시터의 저 ESL을 구현할 수 있는 새로운 방안을 제안하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는, 나란하게 배치된 복수의 탄탈륨 소결체, 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된 복수의 양극 리드선, 몰딩부, 복수의 양극 리드선과 접속하는 양극 단자 및 양극 단자와 이격된 음극 단자를 포함하는 탄탈륨 커패시터가 제안된다. 이때, 양극 단자는 복수의 양극 리드선과 접속되며 제1 측면을 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 제1 측면 커버부 및 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비한다.
이때, 본 발명의 제1 모습에 따르면, 음극 단자는 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되게 제1 측면의 반대면을 커버하는 반대면 커버부 및 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비한다.
하나의 예에서, 복수의 탄탈륨 소결체의 반대면에 도전층이 도포될 수 있다. 또한, 음극 단자는 복수의 탄탈륨 소결체의 반대면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 모습에 따르면, 음극 단자는 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 반대면 커버부, 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부 및 외부 단자부의 반대측에서 복수의 탄탈륨 소결체의 하면 또는 상면에 전기적으로 접속되는 음극 접속부를 구비한다.
이때, 하나의 예에서, 음극 접속부에 의해 전기적 접속되는 복수의 탄탈륨 소결체의 하면 또는 상면에 도전층이 도포될 수 있다. 또한, 음극 접속부는 복수의 탄탈륨 소결체의 하면 또는 상면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제3 모습에 따르면, 음극 단자는 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 반대면 커버부 및 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 커버하되 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면에 전기적으로 접속되는 외부 단자부를 구비한다.
이때, 하나의 예에서, 음극 단자의 외부 단자부에 의해 전기적 접속되는 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면에 도전층이 도포될 수 있다. 또한, 음극 단자의 외부 단자부는 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
또한, 전술한 모습들의 실시 예에서, 복수의 양극 리드선은 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 2개 이상씩 인출될 수 있다.
또한, 양극 단자의 외부 단자부의 돌출 선단에 홈이 형성될 수 있다.
또 하나의 예에서, 양극 단자 및 음극 단자의 각 외부 단자부 사이의 최소 이격거리는 200 내지 400㎛일 수 있다. 또한, 각 외부 단자부의 면적 합은 몰딩부의 상부면 또는 하부면에 대해 60 내지 80%일 수 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따라, 복수의 탄탈륨 소결체를 병렬구조로 배치하고 전극 단자의 면적으로 증가시킴으로써 고주파수 대역에서 탄탈륨 커패시터의 ESL을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 다양한 효과들이 직접적으로 언급되지 않더라도 각 실시예의 구성들의 조합으로부터 당해 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자에 의해 이해되고 도출될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a 내지 2c는 각각 본 발명의 제1 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 하나의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 측면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 5a 내지 5c는 각각 본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a 내지 6c는 각각 본 발명의 제3 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
전술한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명될 것이다. 본 설명에 있어서, 동일부호는 동일한 구성을 의미하고, 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 이해를 도모하기 위하여 부차적인 설명은 생략될 수도 있다.
본 명세서에서 하나의 구성요소가 다른 구성요소와 연결, 접속 또는 배치 관계에서 '직접'이라는 한정이 없는 경우, '직접 연결, 접속 또는 배치'되는 형태뿐만 아니라 그들 사이에 또 다른 구성요소가 개재됨으로써 연결, 접속 또는 배치되는 형태로도 존재할 수 있다.
본 명세서에 비록 단수적 표현이 기재되어 있을지라도, 발명의 개념에 반하거나 명백히 다르거나 모순되게 해석되지 않는 이상 복수의 구성 전체를 대표하는 개념으로 사용될 수 있음에 유의하여야 한다. 본 명세서에서 '포함하는', '구비하는', '포함하여 이루어지는' 등의 기재는 하나 또는 그 이상의 다른 구성요소 또는 그들의 조합의 존재 또는 부가 가능성이 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 참조되는 도면들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 예시로써, 모양, 크기, 두께 등은 기술적 특징의 효과적인 설명을 위해 과장되게 표현된 것일 수 있다.
본 발명의 제1 모습에 따른 탄탈륨 커패시터는 도 1 내지 3을 참조하여 설명될 것이다. 이때, 참조되는 도면에 기재되지 않은 도면부호는 동일한 구성을 나타내는 다른 도면에서의 도면부호일 수 있다. 도 1은 본 발명의 제1 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2a 내지 2c는 각각 본 발명의 제1 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 하나의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 측면도이다.
다음으로, 본 발명의 제2 모습에 따른 탄탈륨 커패시터는 도 4 내지 5c를 참조하여 설명될 것이다. 도 4는 본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 5a 내지 5c는 각각 본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
다음으로, 본 발명의 제3 모습에 따른 탄탈륨 커패시터는 도 6a 내지 6c를 참조하여 설명될 것이다. 도 6a 내지 6c는 각각 본 발명의 제3 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이때, 도 1에 도시된 탄탈륨 커패시터의 사시도는 본 발명의 제3 모습에서도 마찬가지로 적용될 수 있다.
<본 발명의 제1 내지 제3 모습에 따른 공통 구성의 설명>
본 발명의 예에 따른 탄탈륨 커패시터는 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20), 몰딩부(50), 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)를 포함하여 이루어진다. 이때, 도 1 내지 3은 본 발명의 제1 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 도시하고, 도 4 내지 5c는 본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 도시하고, 도 6a 내지 6c는 본 발명의 제3 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터를 도시하고 있다.
본 발명의 제1 내지 제3 모습에 따른 탄탈륨 커패시터의 공통된 구성을 먼저 설명하고 차별적인 제1 모습의 예를 후술하여 살펴본다.
도 1 내지 6c를 참조하면, 본 발명의 하나의 예에 따른 탄탈륨 커패시터는 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20), 몰딩부(50), 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)를 포함하여 이루어진다. 본 발명의 제1 내지 제3 모습의 예에서 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20) 및 양극 단자(30)는 공통으로 동일한 구성을 갖는다. 각각의 모습에서 몰딩부(50)는 복수의 탄달륨 소결체(10) 및 복수의 양극 리드선(20)을 둘러싸는 점에서 공통이나, 세부적으로 둘러싸는 부분이 다를 수 있다. 또한, 각각의 모습에서 음극 단자(40)의 구조 또는 결합구조가 일부 차이가 있다.
도 1 내지 6c를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)는 나란하게 배치되며 탄탈륨 분말을 소결시켜 형성된다. 예컨대, 탄탈륨 소결체(10)는 탄탈륨 분말과 바인더 수지를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 혼합 및 교반된 분말을 압축하여 성형한 후, 성형체를 소결시켜 제작할 수 있다. 예컨대, 탄탈륨 소결체(10)는 바인더 수지를 혼합하여 교반한 분말에 양극 리드선(20)을 삽입한 후 원하는 크기의 탄탈륨 소자로 성형한 다음, 탄탈륨 소자를 약 1,000 내지 2,000℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 대략 30분 정도 소결시켜 제작할 수 있다. 예컨대, 각 탄탈륨 소결체(10)(10)는 직육면체 형태로 구성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
하나의 예에서, 탄탈륨 소결체(10)의 적어도 제1 측면을 제외한 표면에는 필요시 도전층(11)이 도포될 수 있다. 예컨대, 음극 단자(40)와 전기적으로 접속되는 면에 도전층(11)이 도포될 수 있다. 이때, 도전층(11)은 음극을 인출하기 위한 것이다. 예컨대, 도전층(11)으로 예컨대 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있고, 이에 한정되지 않는다. 이때, 카본은 탄탈륨 소결체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이고, 은(Ag)은 음극을 인출하기 위한 것이다.
또한, 하나의 예에서, 음극 인출을 위해, 탄탈륨 소결체(10)의 음극 단자(40)와 전기적 접속 면에 도전성 접착층(15)이 형성될 수 있다. 도전성 접착층(15)은 탄탈륨 소결체(10)의 음극 단자(40)와 전기적 접속 면에 직접 형성되거나 또는 탄탈륨 소결체(10)의 전기적 접속 면 상에 도포된 도전층(11) 상에 형성될 수도 있다. 예컨대, 도전성 접착층(15)은 에폭시계 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
다음, 도 1 내지 6c를 참조하면, 복수의 양극 리드선(20)은 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된다. 양극 리드선(20)은 양극의 극성을 갖는다. 예컨대, 양극 리드선(20)은 탄탈륨 소결체(10) 제작 시 혼합 및 교반된 분말을 압축하기 전에 성형체의 제1 측면에 삽입하여 양극 리드선(20) 결합된 성형체를 소결시켜 형성될 수 있다. 예컨대, 양극 리드선(20)은 성형체의 제1 측면의 중심에 편심되게, 예컨대 중심에서 양극 단자(30)의 외부 단자부 쪽으로 치우친 위치에 삽입시켜 장착될 수 있다. 양극 리드선(20)이 각 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면에서 양극 단자(30)의 외부 단자부 쪽으로 치우치게 형성되면, 전류 패스의 길이가 작아져 탄탈륨 커패시터의 ESL이 더 감소될 수 있다.
예컨대, 양극 리드선(20)은 도전성 금속재질일 수 있다. 예컨대, 탄탈륨 소결체와 동일한 탄탈륨 재질의 와이어를 사용할 수 있고, 이에 한정되지 않는다.
도시되지 않았으나, 본 발명의 제1 내지 제3 모습의 하나의 실시 예에서, 복수의 양극 리드선(20)은 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 2개 이상씩 인출될 수 있다. 도 1 내지 6c에서 각 탄탈륨 소결체(10) 마다 1개의 양극 리드선(20)이 인출되는 것이 도시되고 있으나, 본 실시예에서는 각 탄탈륨 소결체(10)마다 2개 이상씩 양극 리드선(20)이 인출될 수 있다. 양극 리드선(20)이 각 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면에서 복수 개 인출되면, 각 탄탈륨 소결체(10) 내의 전류 경로도 병렬 구조를 형성할 수 있어 ESR을 감소시킬 수 있다. 또한, 병렬구조로 임피던스가 낮아져 ESL 감소에 영향을 미친다. 이때, 각 탄탈륨 소결체(10) 별로 인출된 복수의 양극 리드선(20)은 각 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면에서 중앙이 아닌 양 측으로 치우치게 형성되고, 이에 따라 각 탄탈륨 커패시터의 ESL이 더 감소될 수 있다.
다음으로, 도 1 내지 6c를 참조하면, 몰딩부(50)는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 및 복수의 양극 리드선(20)을 둘러싸고 있다. 예컨대, 몰딩부(50)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 음극 단자(40)와의 접속 부위를 제외한 나머지 부분을 둘러싼다. 또한, 양극 리드선(20)에 접속되는 양극 단자(30)가 몰딩부(50)에 의해 탄탈륨 소결체(10)와 이격되도록, 몰딩부(50)는 양극 리드선(20)을 둘러싼다. 이때, 몰딩부(50)는 양극 리드선(20)의 단부가 몰딩부(50)를 관통하며 노출되도록 형성되고, 노출된 양극 리드선(20)과 양극 단자(30)가 접속된다. 몰딩부(50)는 탄탈륨 소결체(10)와 양극 리드선(20)을 외부 환경으로부터 보호하며, 예컨대 에폭시나 실리카 계열의 EMC 등의 수지 재질이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 내지 제3 모습의 예에서, 탄탈륨 소결체(10)와 음극 단자(40)와의 접속 부위에서 세부적인 차이가 있으므로, 본 발명의 제1 내지 제3 모습의 예에 따른 몰딩부(50)의 구체적인 설명은 후술하는 발명의 각 모습의 예에서 살펴본다.
다음으로, 도 1 내지 6c를 참조하면, 양극 단자(30)는 제1 측면 커버부(31)와 외부 단자부(33)를 구비하고 있다. 예컨대, 양극 단자(30)는 Cr(Ti), Cu, Ni, Pd 및 Au 중 적어도 하나 이상을 스퍼터링 또는 도금 공정에 의해 구성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
양극 단자(30)의 제1 측면 커버부(31)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면을 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다. 이때, 제1 측면 커버부(31)는 몰딩부(50)를 관통해 노출되는 복수의 양극 리드선(20)과 접속된다. 예컨대, 도 1 내지 6c를 참조하면, 복수의 양극 리드선(20)이 제1 측면 커버부(31)를 관통하며 접속되는 것이 도시되고 있다. 도시되지 않았으나, 하나의 예에서, 복수의 양극 리드선(20)이 제1 측면 커버부(31)를 관통하지 않고 제1 측면 커버부(31)에 접속될 수도 있다.
양극 단자(30)의 외부 단자부(33)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다. 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)는 제1 측면 커버부(31)가 연장되고 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면의 일부를 덮도록 절곡되어 형성될 수 있다.
예컨대, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)는 다른 전자 부품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용될 수 있다. 외부 단자부(33)가 커패시터 소자의 실장면을 형성하게 되므로 종래의 제품 상하부에 형성된 리드 단자가 몰딩부(50)의 양 측으로 인출되어 단자를 구성하는 구조에 비해 탄탈륨 소결체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 하나의 예에서, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)의 면적은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에 대해 30 내지 40% 정도의 면적을 덮도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)의 면적이 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면 면적에 대해 30% 미만인 경우, 탄탈륨 커패시터를 제품에 실장할 때 실장 면적이 너무 작아져 제품 불량율이 증가될 수 있고, 반면에, 면적이 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면 면적에 대해 40%를 초과하게 되면 양극 단자(30)와 음극 단자(40) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 커패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량 발생이 증가될 수 있다.
예컨대, 하나의 예에서, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)의 선단에는 홈(33a)이 형성될 수 있다. 홈(21a)은 극성을 표시하는 역할을 한다.
계속하여, 도 1 내지 6c를 참조하면, 음극 단자(40)는 양극 단자(30)와 이격되게 형성된다. 예컨대, 음극 단자(40)는 Cr(Ti), Cu, Ni, Pd 및 Au 중 적어도 하나 이상을 스퍼터링 또는 도금 공정에 의해 구성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 반대면 커버부(41)로부터 연장되며 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면을 커버하도록 절곡되어 형성될 수 있다. 이때, 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면을 커버하는 부분이다. 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에서 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)와 소정 간격 이격되게 형성된다.
예컨대, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 다른 전자 부품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용된다. 예컨대, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)가 탄탈륨 커패시터의 실장 면에 형성되므로 종래의 제품 상하부에 형성된 리드 단자가 몰딩부(50)의 양 측으로 인출되어 단자를 구성하는 구조에 비해 탄탈륨 소결체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
하나의 예에서, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 면적은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에 대해 30 내지 40% 정도의 면적을 덮도록 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 면적이 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면 면적에 대해 30% 미만인 경우, 탄탈륨 커패시터를 제품에 실장할 때 실장 면적이 너무 작아져 제품 불량율이 증가될 수 있는 반면, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 면적이 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면 면적에 대해 40%를 초과하게 되면 양극 단자(30)와 음극 단자(40) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 커패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량이 발생할 수 있다.
음극 단자(40)의 구조 또는 결합 구조는 본 발명의 제1 내지 제3 모습에 따라 차이가 있으므로, 후술하는 각 모습의 예에서 음극 단자(40)를 보다 구체적으로 살펴본다.
다음으로, 도 1 내지 6c를 참조하면, 본 발명의 각 모습의 하나예에서, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)의 돌출 선단에 홈(33a)이 형성될 수 있다. 이때, 홈(33a)은 전극 극성을 구분하는 역할을 한다.
또한, 도 1 및/또는 4를 참조하면, 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 외부 단자부(33, 43) 각각은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에서 서로 마주하도록 돌출된 구조로 형성될 수 있다. 이때, 도 1은 본 발명의 제1 모습의 예를 도시하고, 도 4는 본 발명의 제2 모습의 예를 도시한다. 또한, 본 발명의 제3 모습의 예에서는 도 1에 도시된 바와 유사한 사시도 구조로 형성될 수 있다.
또한, 도 2a 내지 2c, 5a 내지 5c, 6a 내지 6c를 참조하면, 본 발명의 각 모습의 하나의 예에서, 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 각 외부 단자부(33, 43) 사이의 최소 이격거리는 200 내지 400㎛일 수 있다. 예컨대, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)와 음극 단자(40)의 외부 단자부(43) 사이의 간격이 200㎛ 미만인 경우 양극 단자(30)와 음극 단자(40) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 커패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량이 증가될 수 있고, 반면에, 사이 간격이 400㎛를 초과하게 되면 ESL 값이 증가될 수 있다.
또한, 도 1 및/또는 4를 참조하면, 본 발명의 각 모습의 하나에서, 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 외부 단자부(33, 43)의 면적 합은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에 대해 60 내지 80%일 수 있다. 이때, 도 1은 본 발명의 제1 모습의 예를 도시하고, 도 4는 본 발명의 제2 모습의 예를 도시한다. 또한, 본 발명의 제3 모습의 예는 도 1에 도시된 바와 마찬가지로 도시될 수 있다. 예컨대, 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에서, 양극 단자(30)의 외부 단자부(33)의 면적이 30 내지 40% 정도이고, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 면적이 30% 내지 40% 정도로 함으로써, 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 외부 단자부(33, 43)의 면적 합은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면의 면적에 대해 60 내지 80%가 될 수 있다.
전술한 실시예들에서, 복수의 탄탈륨 소결체(10)를 나란하게 배치시켜 제1 측면과 반대면 각각에 양극 단자(30)의 제1 측면 커버부(31)와 음극 단자(40)의 반대면 커버부(41)를 형성하고, 또한, 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 각 외부 단자부(33, 43) 사이의 최소 이격거리는 200 내지 400㎛ 정도로 하거나 또는/및 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)의 외부 단자부(33, 43)의 면적 합은 몰딩부(50)의 상부면 또는 하부면에 대해 60 내지 80% 정도로 형성함으로써, 종래의 탄탈륨 커패시터 구조에 비해 전극 면적이 대폭 확대되고, 이에 따라, 커패시터의 ESR 및 ESL을 더 감소시킬 수 있다.
<본 발명의 제1 모습에 따른 구체적 구성의 설명>
본 발명의 제1 모습의 예에 따르면, 음극 단자(40)의 구성에서 다른 모습들과 차이가 있다.
본 발명의 제1 모습의 예에서, 음극 단자(40)는 반대면 커버부(41) 및 외부 단자부(43)를 구비하고 있다. 이때, 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되게 제1 측면의 반대면을 커버한다. 여기서, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면은 복수의 양극 리드선(20)이 나란하게 인출된 면이다. 하나의 예에서, 반대면 커버부(41)는 직접 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 접속될 수 있고, 또는 도 2a에 도시된 바와 같이 도전층(11)을 매개하거나, 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 도전성 접착층(15)을 매개하거나, 또는 도 2c에 도시된 바와 같이 도전층(11) 및 도전성 접착층(15)을 매개하여 접속될 수 있다.
또한, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다.
도 2a를 참조하면, 하나의 예에서, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 도전층(11)이 도포될 수 있다. 이때, 음극 단자(40)는 도전층(11)에 전기적으로 접속된다. 이때, 도전층(11)으로 예컨대 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있고, 이에 한정되지 않는다. 도 2a에서 도전층(11)이 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에만 도포된 것으로 도시되고 있으나, 예컨대 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면을 제외한 면에 도포될 수도 있다.
또한, 도 2b 및 2c를 참조하면, 하나의 예에서, 음극 단자(40)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 형성된 도전성 접착층(15)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 예컨대, 도 2b를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 도전성 접착층(15)이 형성되고 음극 단자(40)는 도전성 접착층(15)에 접속될 수 있다. 또는, 도 2c를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 도전층(11)이 도포되고, 도전층(11) 상에 도전성 접착층(15)이 형성되고, 음극 단자(40)는 도전성 접착층(15)에 접속될 수 있다. 예컨대, 도전성 접착층(15)은 에폭시계 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
또한, 본 발명의 제1 모습의 예에서, 음극 단자(40)와의 전기적 접속 부위가 각 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면에 형성되므로, 몰딩부(50)의 세부적인 구성도 제2 내지 제3 모습의 예들과 차이가 있다. 도 1 내지 2c를 참조하면, 예컨대, 몰딩부(50)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면의 반대면을 제외한 나머지 면들을 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 도 2b 및/또는 2c에서 도시된 바와 같이 음극 단자(40)와 접속하는 면에 도전성 접착층(15)이 형성되는 경우, 도 2b 및/또는 2c와 달리 도전성 접착층(15)이 접속 면 전체에 형성되지 않고 일부만 형성되고 나머지 영역은 몰딩부(50)에 의해 커버될 수도 있다.
<본 발명의 제2 모습에 따른 구체적 구성의 설명>
본 발명의 제2 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터는 전술한 바와 마찬가지로 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20), 몰딩부(50), 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)를 포함하여 이루어진다. 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20) 및 양극 단자(30)의 구성은 본 발명의 제1 내지 제3 모습의 예에서 공통되므로, 전술한 설명을 참조한다.
몰딩부(50)는 복수의 탄달륨 소결체(10) 및 복수의 양극 리드선(20)을 둘러싸는 점에서 전술한 모습의 예와 공통된다. 다만, 도 4 내지 5c를 참조하여 구체적으로 살펴보면, 일부 차이가 있다. 본 발명의 제2 모습에 따라 도 4 내지 5c를 참조하면, 예컨대, 몰딩부(50)는 음극 단자(40)의 음극 접속부(45)와 접속되는 탄탈륨 소결체(10)의 면을 제외한 탄탈륨 소결체(10)의 나머지 면들을 둘러쌀 수 있다. 또한, 몰딩부(50)는 음극 접속부(45)와 접속되는 탄탈륨 소결체(10)의 면에서 접속 부위를 제외한 나머지 영역도 커버할 수 있다.
다음으로, 도 4 내지 5c를 참조하면, 음극 단자(40)는 양극 단자(30)와 이격되게 형성되며, 반대면 커버부(41), 외부 단자부(43) 및 음극 접속부(45)를 구비하고 있다. 음극 단자(40)의 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다. 제1 모습의 예에서, 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되는 반면, 본 제2 모습의 예에서는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다.
또한, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면의 일부를 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다.
계속하여, 음극 단자(40)의 음극 접속부(45)는 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 반대측에서 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 전기적으로 접속된다. 이러한 음극 접속부(45)의 추가 구성은 전술한 제1 모습의 예들 및 후술하는 제3 모습의 예들과의 차이를 형성한다. 즉, 전술한 제1 모습의 예들에서는 본 음극 접속부(45)의 기능을 반대면 커버부(41)에서 수행하고, 후술하는 제3 모습의 예들에서는 음극 접속부(45)의 기능이 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)에서 수행되는 점에서 차이가 있다. 하나의 예에서, 음극 접속부(45)는 직접 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)의 반대측인 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 접속될 수 있고, 또는 도 5a에 도시된 바와 같이 도전층(11)을 매개하거나, 또는 도 5b에 도시된 바와 같이 도전성 접착층(15)을 매개하거나, 또는 도 5c에 도시된 바와 같이 도전층(11) 및 도전성 접착층(15)을 매개하여 접속될 수 있다.
또한, 도 5a를 참조하면, 하나의 예에서, 음극 접속부(45)에 의해 전기적 접속되는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 도전층(11)이 도포될 수 있다. 도 5a에서 도전층(11)이 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면에만 도포된 것으로 도시되고 있으나, 예컨대 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면을 제외한 면에 도포될 수도 있다.
도 5b 및/또는 5c를 참조하면, 하나의 예에서, 음극 접속부(45)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 형성된 도전성 접착층(15)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 예컨대, 도 5b를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 도전성 접착층(15)이 형성되고, 도전성 접착층(15) 상에 음극 접속부(45)가 접속될 수 있다. 또는 도 5c를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 하면 또는 상면에 도전층(11)이 도포되고, 도전층(11) 상에 도전성 접착층(15)이 형성되고 도전성 접착층(15) 상에 음극 접속부(45)가 접속될 수 있다.
<본 발명의 제3 모습에 따른 구체적 구성의 설명>
본 발명의 제3 모습의 예에 따른 탄탈륨 커패시터는 전술한 바와 마찬가지로 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20), 몰딩부(50), 양극 단자(30) 및 음극 단자(40)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 탄탈륨 소결체(10), 복수의 양극 리드선(20) 및 양극 단자(30)의 구성은 본 발명의 제1 내지 제3 모습의 예에서 공통되므로, 전술한 설명을 참조한다.
몰딩부(50)는 복수의 탄달륨 소결체(10) 및 복수의 양극 리드선(20)을 둘러싸는 점에서 전술한 모습의 예와 공통된다. 다만, 도 6a 내지 6c를 참조하여 구체적으로 살펴보면, 일부 차이가 있다. 본 발명의 제3 모습에 따라 도 6a 내지 6c를 참조하면, 예컨대, 몰딩부(50)는 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)와 접속되는 탄탈륨 소결체(10)의 면을 제외한 탄탈륨 소결체(10)의 나머지 면들을 커버할 수 있다. 또한, 몰딩부(50)는 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)와 접속되는 탄탈륨 소결체(10)의 면, 즉 상면 또는 하면에서 접속 부위를 제외한 나머지 영역도 커버할 수 있다.
다음으로, 도 6a 내지 6c를 참조하면, 음극 단자(40)는 양극 단자(30)와 이격되게 형성되며, 반대면 커버부(41)와 외부 단자부(43)를 구비하고 있다. 이때, 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다. 제1 모습의 예에서, 반대면 커버부(41)는 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되는 반면, 본 제3 모습의 예에서는 전술한 제2 모습의 예에서와 같이 복수의 탄탈륨 소결체(10) 각각의 제1 측면의 반대면을 몰딩부(50)에 의해 이격되게 커버한다.
또한, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면의 일부를 커버하는 점에서 전술한 제1 및 제2 모습의 예들에서 설명된 바와 같다. 하지만, 본 제3 모습의 예에서, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 전기적으로 접속되는 점에서 전술한 제1 및 제2 모습의 예들에서 설명된 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)와 차이가 있다. 하나의 예에서, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 직접 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 접속될 수 있고, 또는 도 6a에 도시된 바와 같이 도전층(11)을 매개하거나, 또는 도 6b에 도시된 바와 같이 도전성 접착층(15)을 매개하거나, 또는 도 6c에 도시된 바와 같이 도전층(11) 및 도전성 접착층(15)을 매개하여 접속될 수 있다.
또한, 도 6a를 참조하면, 하나의 예에서, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)에 의해 전기적 접속되는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 도전층(11)이 도포될 수 있다. 도 6a에서 도전층(11)이 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면에만 도포된 것으로 도시되고 있으나, 예컨대 탄탈륨 소결체(10)의 제1 측면을 제외한 면에 도포될 수도 있다.
또한, 도 6b 및/또는 6c를 참조하면, 하나의 예에서, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 형성된 도전성 접착층(15)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다. 예컨대, 도 6b를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 도전성 접착층(15)이 형성되고, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 도전성 접착층(15)에 접속될 수 있다. 또는 도 6c를 참조하면, 복수의 탄탈륨 소결체(10)의 상면 또는 하면에 도전층(11)이 도포되고, 도전층(11) 상에 도전성 접착층(15)이 형성되고, 음극 단자(40)의 외부 단자부(43)는 도전성 접착층(15)에 접속될 수 있다.
<본 발명의 실시 예에 따른 커패시터의 ESL 감소>
본 발명의 실시 예에서는 전극간 거리를 짧게 하고 전류 통로를 병렬로 다수 형성함으로써 커패시터의 ESL을 감소시키고 있다. 일반적으로 커패시터의 ESL을 감소시키기 위해서는 전극 간 거리가 짧고 전류가 통하는 길인 전류 패스(current path)는 많을수록 유리하다. 본 발명의 예에서는, 복수의 탄탈륨 소결체(10)를 나란하게 배치하고 각각에서 양극 리드선(20)을 인출시켜 양극 단자(30)에 접속시킴으로써 전극 간 거리를 짧게 하고 전극 단자의 면적은 넓게 하면서 동시에 전류 패스를 증가시켜 ESL을 감소시키고 있다.
복수의 탄탈륨 소결체(10)를 나란하게 배치시켜 커패시터의 장방향으로 전극을 형성하지 않고 단방향으로 전극이 배치되어 단자 간격이 단축되고, 또한, 탄탈륨 캐패시터 내부를 구성하는 복수의 탄탈륨 소결체(10)가 병렬 구조로 연결되므로 커패시터의 ESR이 감소하게 되어 ESL이 감소된다. 복수의 탄탈륨 소결체(10)로부터 각각 나란하게 양극 리드선(20)을 인출시켜 양극 리드선(20)의 수가 증가하면서 커패시터 내부의 저항 구조가 병렬구조가 되므로, ESL을 지배하는 임피던스(Impedance)에 영향을 주어 ESL을 감소시킨다. 예컨대, 병렬 연결된 2개의 탄탈륨 소결체(10)에 의한 ESR 값은 단일 탄탈륨 소결체(10)보다 이론적으로 1/2배의 ESR 값을 가지게 되며, 이는 ESL을 지배하는 임피던스에 영향을 주어 ESL을 감소시키는 역할을 한다. 즉, 전극과 전극간의 거리가 최소화됨과 동시에 내부 저항 요소를 최소화함으로써 ESL을 감소시킬 수 있다.
일반적으로 탄탈륨 커패시터는 공진 주파수의 전후에 따라 다른 특성에 의해 영향을 받는다. 이때, 저주파수 대역에서 공진 주파수까지의 변화는 ESR에 의해 영향을 받는 변화이며, 공진 주파수 이후부터 고주파수 대역(예를 들어, 1 내지 6 GHz)으로의 변화는 ESL에 의해 영향을 받는 변화이다. 공진 주파수에서 ESR을 최소화시킬 수 있으면, 공진 주파수 이후 작용하는 ESL 또한 감소시킬 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 전극과 전극간의 거리가 최소화됨과 동시에 내부 저항 요소를 최소화함으로써 공진 주파수에서 ESR을 최소화시키고 그에 따라 공진 주파수 이후 작용하는 ESL 또한 감소시킬 수 있다.
이상에서, 전술한 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 범주를 제한하는 것이 아니라 본 발명에 대한 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 이해를 돕기 위해 예시적으로 설명된 것이다. 또한, 전술한 구성들의 다양한 조합에 따른 실시예들이 앞선 구체적인 설명들로부터 당업자에게 자명하게 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다양한 실시예는 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 기재된 발명에 따라 해석되어야 하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 다양한 변경, 대안, 균등물들을 포함하고 있다.
10: 탄탈륨 소결체 11: 도전층
15: 도전성 접착층 20: 양극 리드선
30: 양극 단자 31: 제1 측면 커버부
33: 외부 단자부 40: 음극 단자
41: 반대면 커버부 43: 외부 단자부
45: 음극 접속부 50: 몰딩부

Claims (13)

  1. 나란하게 배치되며 탄탈륨 분말을 소결시켜 형성된 복수의 탄탈륨 소결체;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된 복수의 양극 리드선;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 및 상기 복수의 양극 리드선을 둘러싸는 몰딩부;
    상기 복수의 양극 리드선과 접속되며 상기 제1 측면을 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 제1 측면 커버부 및 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비하는 양극 단자; 및
    상기 제1 측면의 반대면에 전기적으로 접속되게 상기 반대면을 커버하는 반대면 커버부 및 상기 상면 또는 하면의 일부를 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비하되, 상기 양극 단자와 이격된 음극 단자;를 포함하며,
    상기 제1 측면 커버부는 일체로 형성되어 상기 복수의 양극 리드선과 접속되며,
    상기 몰딩부는 밑면의 가로와 세로 길이가 서로 상이한 직육면체 형상이며,
    상기 복수의 탄탈륨 소결체는 상기 몰딩부의 장방향으로 배열된 탄탈륨 커패시터.
  2. 청구항 1에서,
    상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 반대면에 도전층이 도포되고,
    상기 음극 단자는 상기 도전층에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  3. 청구항 1에서,
    상기 음극 단자는 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 반대면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  4. 나란하게 배치되며 탄탈륨 분말을 소결시켜 형성된 복수의 탄탈륨 소결체;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된 복수의 양극 리드선;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 및 상기 복수의 양극 리드선을 둘러싸는 몰딩부;
    상기 복수의 양극 리드선과 접속되며 상기 제1 측면을 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 제1 측면 커버부, 및 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비하는 양극 단자; 및
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 상기 제1 측면의 반대면을 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 반대면 커버부, 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 상면 또는 하면의 일부를 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부 및 상기 외부 단자부의 반대측에서 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 하면 또는 상면에 전기적으로 접속되는 음극 접속부를 구비하되, 상기 양극 단자에 이격된 음극 단자;를 포함하며,
    상기 제1 측면 커버부는 일체로 형성되어 상기 복수의 양극 리드선과 접속되며,
    상기 몰딩부는 밑면의 가로와 세로 길이가 서로 상이한 직육면체 형상이며,
    상기 복수의 탄탈륨 소결체는 상기 몰딩부의 장방향으로 배열된 탄탈륨 커패시터.
  5. 청구항 4에서,
    상기 음극 접속부에 의해 전기적 접속되는 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 하면 또는 상면에 도전층이 도포된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  6. 청구항 4에서,
    상기 음극 접속부는 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 하면 또는 상면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  7. 나란하게 배치되며 탄탈륨 분말을 소결시켜 형성된 복수의 탄탈륨 소결체;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 인출된 복수의 양극 리드선;
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 및 상기 복수의 양극 리드선을 둘러싸는 몰딩부;
    상기 복수의 양극 리드선과 접속되며 상기 제1 측면을 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 제1 측면 커버부, 및 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상면 또는 하면의 일부를 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 외부 단자부를 구비하는 양극 단자; 및
    상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 상기 제1 측면의 반대면을 상기 몰딩부에 의해 이격되게 커버하는 반대면 커버부 및 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 상면 또는 하면의 일부를 커버하되 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 상면 또는 하면에 전기적으로 접속되는 외부 단자부를 구비하되, 상기 양극 단자에 이격된 음극 단자;를 포함하며,
    상기 제1 측면 커버부는 일체로 형성되어 상기 복수의 양극 리드선과 접속되며,
    상기 몰딩부는 밑면의 가로와 세로 길이가 서로 상이한 직육면체 형상이며,
    상기 복수의 탄탈륨 소결체는 상기 몰딩부의 장방향으로 배열된 탄탈륨 커패시터.
  8. 청구항 7에서,
    상기 음극 단자의 상기 외부 단자부에 의해 전기적 접속되는 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 상면 또는 하면에 도전층이 도포된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  9. 청구항 7에서,
    상기 음극 단자의 상기 외부 단자부는 상기 복수의 탄탈륨 소결체의 상기 상면 또는 하면에 형성된 도전성 접착층에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  10. 청구항 1 내지 9 중의 어느 하나에서,
    상기 복수의 양극 리드선은 상기 복수의 탄탈륨 소결체 각각의 동일방향 제1 측면에서 나란하게 2개 이상씩 인출되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  11. 청구항 1 내지 9 중의 어느 하나에서,
    상기 양극 단자의 상기 외부 단자부의 돌출 선단에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  12. 청구항 1 내지 9 중의 어느 하나에서,
    상기 양극 단자 및 음극 단자의 각 외부 단자부 사이의 최소 이격거리는 200 내지 400㎛인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
  13. 청구항 1 내지 9 중의 어느 하나에서,
    상기 양극 단자 및 음극 단자의 상기 외부 단자부의 면적 합은 상기 몰딩부의 상부면 또는 하부면에 대해 60 내지 80%인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 커패시터.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050117280A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20070253147A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US20080247122A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Vishay Sprague, Inc. Capacitor with improved volumetric efficiency and reduced cost
US20090122470A1 (en) * 2005-10-24 2009-05-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341752A (en) * 1965-02-24 1967-09-12 Sprague Electric Co Spring clamp connector mounted capacitor
US3686535A (en) * 1971-07-02 1972-08-22 Union Carbide Corp Electrolytic capacitor with separate interconnected anode bodies
US4417298A (en) * 1980-05-16 1983-11-22 Koreaki Nakata Chip type tantalum capacitor
JPS57139917A (en) * 1981-02-23 1982-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chip type solid electrolytic condenser and method of producing same
FR2542923B1 (fr) * 1983-03-18 1986-08-29 Componentes Electronicos Sa Cs Composant electronique polarise et son procede de fabrication
US4660127A (en) * 1985-12-17 1987-04-21 North American Philips Corporation Fail-safe lead configuration for polar SMD components
JPH05315201A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサの製造方法
JP3506733B2 (ja) * 1993-07-09 2004-03-15 ローム株式会社 安全ヒューズ付き面実装型電子部品の構造
JP3238803B2 (ja) * 1993-08-24 2001-12-17 ローム株式会社 面実装型有極性電子部品の基板実装構造
US5638253A (en) * 1994-04-28 1997-06-10 Rohm Co. Ltd. Package-type solid electrolytic capacitor
JP3451574B2 (ja) * 1995-05-19 2003-09-29 ローム株式会社 安全ヒューズ付き固体電解コンデンサの製造方法
JP3447443B2 (ja) * 1995-10-02 2003-09-16 ローム株式会社 安全ヒューズ付き面実装型固体電解コンデンサの構造
JP2000049048A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Elna Co Ltd チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法
GB9824442D0 (en) * 1998-11-06 1999-01-06 Avx Ltd Manufacture of solid state capacitors
JP3942000B2 (ja) * 1999-06-01 2007-07-11 ローム株式会社 パッケージ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法
US6563693B2 (en) * 2001-07-02 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US6678149B2 (en) * 2002-03-28 2004-01-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor
TWI316260B (en) * 2002-11-08 2009-10-21 Nippon Chemicon Electrolytic condenser
KR100859910B1 (ko) * 2004-03-30 2008-09-23 로무 가부시키가이샤 고체 전해 콘덴서
US7161797B2 (en) * 2005-05-17 2007-01-09 Vishay Sprague, Inc. Surface mount capacitor and method of making same
JP4256404B2 (ja) * 2006-05-24 2009-04-22 Ｔｄｋ株式会社 固体電解コンデンサ
KR100939765B1 (ko) * 2007-12-17 2010-01-29 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
KR101067210B1 (ko) 2008-12-08 2011-09-22 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서
US8259436B2 (en) * 2010-08-03 2012-09-04 Avx Corporation Mechanically robust solid electrolytic capacitor assembly
KR101412827B1 (ko) * 2010-11-12 2014-06-30 삼성전기주식회사 콘덴서 소자, 고체 전해 콘덴서, 및 그 제조방법
US9916935B2 (en) * 2014-11-07 2018-03-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050117280A1 (en) * 2003-12-01 2005-06-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20090122470A1 (en) * 2005-10-24 2009-05-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20070253147A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
US20080247122A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Vishay Sprague, Inc. Capacitor with improved volumetric efficiency and reduced cost

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