KR101548865B1 - 탄탈륨 캐패시터 - Google Patents

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KR101548865B1
KR101548865B1 KR1020140054244A KR20140054244A KR101548865B1 KR 101548865 B1 KR101548865 B1 KR 101548865B1 KR 1020140054244 A KR1020140054244 A KR 1020140054244A KR 20140054244 A KR20140054244 A KR 20140054244A KR 101548865 B1 KR101548865 B1 KR 101548865B1
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박민철
박상수
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은, 탄탈 분말을 포함하는 두 개의 캐패시터 본체를 탄탈 와이어가 서로 반대 방향을 향하게 배치하고, 각각의 탄탈 와이어와 접속되는 두 개의 양극 리드 프레임과, 상기 양극 리드 프레임을 사이에 두고 배치되어 두 개의 캐패시터 본체가 동시에 실장되는 두 개의 음극 리드 프레임을 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.

Description

탄탈륨 캐패시터{TANTALUM CAPACITOR}
본 발명은 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
최근 마이크로 프로세서는 고기능 및 다기능화에 따라 트랜지스터의 집약도가 높아지고 소비 전류는 증가하는 경향이 있으며, 전원 전압은 소비전력 절감에 따라 저전압화되고 있다. 또한, 구동 주파수는 처리 속도 향상으로 인해 고주파수화가 진행되고 있다.
상기의 이유로, 마이크로 프로세서의 전원에는 di/dt의 큰 과도 전류가 흐르게 되며, 과도 전류와 디커플링 캐패시터의 ESL(Equivalent Serial Inductance; 등가직렬인덕턴스)에 따라 전원 전압 변동을 유발하게 되었다.
또한, 전원 전압의 저전압화에 따라 신호파의 진폭도 작아지므로, 상기 마이크로 프로세서의 경우 상기 전원 전압 변동이 신호파의 역치 전압을 넘는 경우 오동작을 일으킬 수 있다.
일반적으로 상기 전원 전압 변동은 캐패시터의 ESL을 낮춤으로써 저하시킬 수 있는바, 상기 탄탈륨 소재를 이용한 소형 캐패시터에서도 상기 저ESL에 대한 연구가 요구된다.
국내공개특허공보 제2008-0063680호
본 발명의 목적은 ESL이 개선된 탄탈륨 캐패시터를 제공하는 것이다.
본 발명은 극성이 다른 전극 단자가 캐패시터의 동일 측면으로 인출되는 구조로서, 두 개의 캐패시터 본체를 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치하고, 상기 탄탈 와이어의 노출 방향과 교차되는 방향으로 상기 두 개의 캐패시터 본체가 동시에 실장되도록 두 개의 음극 리드 프레임을 배치하고, 상기 두 개의 음극 리드 프레임 사이에 각각의 탄탈 와이어와 접속되는 두 개의 양극 리드 프레임을 배치한 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 단자에서 음극 단자로 연결되는 전류 루프(current loop)의 길이를 최소화함으로써 탄탈륨 캐패시터의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 투명사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 나타낸 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.
덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
본 발명의 일 태양에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 탄탈 분말을 포함하며, 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체; 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향과 교차되는 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되는 제1 및 제2 음극 리드 프레임; 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되도록 배치되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 노출되도록 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 둘러싸는 몰딩부; 를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 투명사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(100)는, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20); 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21); 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42); 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32); 및 몰딩부(60)를 포함한다.
이하, 본 실시 형태에서는, 설명의 편의를 위해, 몰딩부(60)의 실장 면을 하면(1)으로, 하면(1)과 두께 방향으로 서로 마주보는 면을 상면(2)으로, 몰딩부(60)의 길이 방향의 양 측면을 제1 및 제2 측면(3, 4)으로, 제1 및 제2 측면(3, 4)과 수직으로 교차하며 서로 마주보는 몰딩부(60)의 폭 방향의 양 측면을 제3 및 제4 측면(5, 6)으로 정의하기로 한다.
제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며, 음극으로서 작용한다.
본 실시 형태의 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)가 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 노출되는 방향이 대향되도록 폭 방향의 타 측면이 서로 마주보게 배치된다.
또한, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 다공질의 밸브작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질 밸브작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.
일 예로서, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.
상기 카본은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 상에 실장할 때 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.
제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 양극으로 작용한다.
제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 내부에 각각 위치하는 제1 및 제2 삽입영역(11b, 21b)과, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 포함한다.
또한, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.
즉, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11, 21)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 약 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 그라운드 단자로 기능할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)가 동시에 실장되는 중앙의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c)와, 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 인출되는 제1 음극 단자부(41a, 41b)와 제2 음극 단자부(42a, 42b)를 포함한다.
이때, 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 실장부(41c, 42c)와 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20) 사이에는 도전성 접착층(50)이 배치될 수 있다.
도전성 접착층(50)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 4를 참조하면, 몰딩부(60) 내에서 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c)를 연결하는 연결 단자(43)가 배치될 수 있다.
연결 단자(43)는 제1 및 제2 음극 리드프레임 (41, 42)의 제1 및 제2실장부 (41c, 42c)를 전기적으로 접합하여, 음극 리드프레임 전체의 전기 저항 및 인덕턴스를 저감하여 안정된 노이즈 제거 효과를 얻을 수 있도록 한다.
제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)은 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 사이에서 길이 방향으로 서로 이격되게 배치된다.
또한, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)은 일부가 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)와, 몰딩부(60) 내에서 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)의 단부에서 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 향해 절곡 형성되어 제1 및 제2 비삽입영역과 접속되는 제1 및 제2 와이어 접속부(31b, 32b)를 각각 포함한다.
이때, 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 와이어 접속부(31b 32b)의 단부에는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)이 각각 끼움 결합되도록 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)이 각각 형성될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 요홈에는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)이 접합되도록 도전성 접착층이 더 형성될 수 있다.
상기 도전성 접착층은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
몰딩부(60)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 절연성 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.
이때, 몰딩부(60)는 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)의 일부가 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 형성된다.
이러한 몰딩부(60)는 외부로부터 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21) 및 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)를 서로 절연시키는 역할을 한다.
본 실시 형태에서는, 양극 단자와 음극 단자가 탄탈륨 캐패시터의 동일한 측면을 통해 인출되어 있으며. 두 개의 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접하여 배치되므로 양극 단자에서 음극 단자 사이에 형성되는 전류 루프(CL, current loop)의 길이가 최소화되어, 탄탈 캐패시터의 고주파 특성을 지배하는 ESL을 저감하게 할 수 있는 효과가 있다.
게다가, 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접하여 배치되므로 음극 단자와 양극 단자의 사이에 상호 인덕턴스(mutual inductance)가 작용하여 고주파 전류의 상쇄 효과에 의해 ESL을 더욱 저감시킬 수 있다.
또한, 필요시 양극단자를 그라운드(GND) 배선에 접속하고, 양극 단자를 각각 독립된 회로에 접속함으로써,
제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 각각의 독립된 노이즈 필터로서 기능할 수 있다. 이때, 탄탈 캐패시터는 필요에 따라 캐패시터 어레이의 형태로 구성하여 기판 등에 실장할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 설명한다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 먼저 상측으로 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부(31b, 32b)를 갖는 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)을 소정 간격을 두고 배치하고, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)을 배치한다.
다음으로, 탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향의 일 측면을 통해 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)가 노출되는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 마련한다.
그리고, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 노출되는 방향이 대향되도록 서로 마주보게 배치한다.
다음으로, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)를 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)에 각각 접속한다.
이때, 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)에 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)을 각각 형성하고, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)를 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체를 이용하여 고정시킬 수 있다.
그리고, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c) 상에 동시에 실장한다.
이때, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 상에 실장하기 이전에, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c) 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층(50)을 먼저 형성할 수 있다.
상기 도전성 접착제는 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 도전성 접착체를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 도전성 접착층(50)을 형성한다.
이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5c 및 도 5d를 참조하면, 다음으로, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성한다.
이때, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 양 단부와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)에서 제1 및 제2 와이어 접속부(31, 32)의 단부로부터 절곡 형성되는 부분 중 일부는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다.
이때, 몰드의 온도는 170 ℃ 정도로 하며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC의 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.
또한, 몰딩 이후에는 필요시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화 조건에서 약 160 ℃의 온도로 30 내지 60분 간 경화를 진행할 수 있다.
이후, 몰딩부(60) 형성 작업이 완료되면 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.
그리고, 후속 공정으로서 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.
상기 에이징 공정은 조립 공정 중에 발생한 전기적 산포를 줄이는 작용을 한다.
다음으로, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 양 단부를 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)로 형성하고, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32) 중 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)으로 노출된 부분을 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)를 형성한다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
10, 20 ; 제1 및 제2 캐패시터 본체
11, 21 ; 제1 및 제2 탄탈 와이어
31, 32 ; 제1 및 제2 양극 리드 프레임
41, 42 ; 제1 및 제2 음극 리드 프레임
50 ; 도전성 접착층
60 ; 몰딩부
100 ; 탄탈륨 캐패시터

Claims (18)

  1. 탄탈 분말을 포함하며, 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향과 교차되는 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되는 제1 및 제2 음극 리드 프레임;
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되도록 배치되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 노출되도록 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 둘러싸는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 연결하는 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 상기 몰딩부의 어느 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임은 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 향해 각각 절곡 형성되며, 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부에는 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 끼움 결합되도록 요홈이 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체는 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
  9. 탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향의 일 측면이 서로 마주보게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향의 타 측면을 통해 노출되는 비삽입영역을 각각 갖는 제1 및 제2 탄탈 와이어;
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치된 제1 및 제2 음극 리드 프레임;
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 배치되며, 일 단부가 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역과 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체 및 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 타 단부가 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향을 따라 노출되도록 형성되는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 연결하는 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 타 단부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임은,
    일부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부;
    상기 몰딩부 내에서, 상기 제1 및 제2 양극 단자부의 단부에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역을 향해 각각 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부; 및
    상기 제1 및 제2 와이어 접속부의 단부에 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역이 각각 끼움 결합되도록 형성된 제1 및 제2 요홈; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체는 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
  16. 상측으로 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부를 갖는 제1 및 제2 양극 리드 프레임을 소정 간격을 두고 배치하고, 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 배치하는 단계;
    탄탈 분말을 포함하는 제1 및 제2 캐패시터 본체를 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향이 대향되도록 서로 마주보게 배치하는 단계;
    상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 상기 제1 및 제2 와이어 접속부에 각각 접속한 상태에서, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 동시에 실장하는 단계;
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 절연성 소재로 몰딩하되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 제1 및 제2 양극 단자부 중 일부가 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향을 따라 인출되도록 몰딩부를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 단자부 중 노출된 부분을 상기 몰딩부의 서로 마주보는 양 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 절곡하는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 실장하기 이전에, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층을 형성하는 단계를 수행하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 와이어 접속부에 제1 및 제2 요홈을 각각 형성하고, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 상기 제1 및 제2 요홈에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체로 고정시키는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
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