KR101548865B1 - Tantalum capacitor - Google Patents

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박민철
박상수
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삼성전기주식회사
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Abstract

The present invention provides a tantalum capacitor, wherein two capacitor bodies including tantalum powder are disposed with tantalum wires facing each other, including two cathode lead frames connected to the tantalum wires respectively and two anode lead frames disposed with the cathode lead frames therebetween so as to have the two capacitor bodies mounted at the same time.

Description

탄탈륨 캐패시터{TANTALUM CAPACITOR}TANTALUM CAPACITOR

본 발명은 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.
The present invention relates to a tantalum capacitor.

탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
Tantalum (Ta) is a metal widely used in industries such as electricity, electronics, machinery and chemical industry as well as aerospace and military fields due to its mechanical or physical characteristics such as high melting point and excellent ductility and corrosion resistance.

이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
Such a tantalum material is widely used as a material for a small capacitor because of its ability to form a stable anodic oxide film, and recently, the IT industry such as electronic and information communication has been rapidly developed, and the usage thereof is rapidly increasing every year .

최근 마이크로 프로세서는 고기능 및 다기능화에 따라 트랜지스터의 집약도가 높아지고 소비 전류는 증가하는 경향이 있으며, 전원 전압은 소비전력 절감에 따라 저전압화되고 있다. 또한, 구동 주파수는 처리 속도 향상으로 인해 고주파수화가 진행되고 있다.
Recently, the microprocessor has a tendency to increase the intensity of the transistor and increase the consumption current according to the high function and the multifunctionality, and the power supply voltage is lowered according to the power consumption reduction. In addition, the driving frequency is becoming higher in frequency due to the improvement of the processing speed.

상기의 이유로, 마이크로 프로세서의 전원에는 di/dt의 큰 과도 전류가 흐르게 되며, 과도 전류와 디커플링 캐패시터의 ESL(Equivalent Serial Inductance; 등가직렬인덕턴스)에 따라 전원 전압 변동을 유발하게 되었다.
For this reason, a large di / dt transient current flows through the power supply of the microprocessor, causing the power supply voltage to vary according to the transient current and the ESL (Equivalent Serial Inductance) of the decoupling capacitor.

또한, 전원 전압의 저전압화에 따라 신호파의 진폭도 작아지므로, 상기 마이크로 프로세서의 경우 상기 전원 전압 변동이 신호파의 역치 전압을 넘는 경우 오동작을 일으킬 수 있다.
In addition, since the amplitude of the signal wave is reduced as the power supply voltage is lowered, malfunction may occur in the microprocessor if the power supply voltage variation exceeds the threshold voltage of the signal wave.

일반적으로 상기 전원 전압 변동은 캐패시터의 ESL을 낮춤으로써 저하시킬 수 있는바, 상기 탄탈륨 소재를 이용한 소형 캐패시터에서도 상기 저ESL에 대한 연구가 요구된다.
Generally, the power supply voltage variation can be reduced by lowering the ESL of the capacitor. Therefore, research on the low ESL is also required in a small capacitor using the tantalum material.

국내공개특허공보 제2008-0063680호Korean Patent Publication No. 2008-0063680

본 발명의 목적은 ESL이 개선된 탄탈륨 캐패시터를 제공하는 것이다.
It is an object of the present invention to provide a tantalum capacitor improved in ESL.

본 발명은 극성이 다른 전극 단자가 캐패시터의 동일 측면으로 인출되는 구조로서, 두 개의 캐패시터 본체를 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치하고, 상기 탄탈 와이어의 노출 방향과 교차되는 방향으로 상기 두 개의 캐패시터 본체가 동시에 실장되도록 두 개의 음극 리드 프레임을 배치하고, 상기 두 개의 음극 리드 프레임 사이에 각각의 탄탈 와이어와 접속되는 두 개의 양극 리드 프레임을 배치한 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
The present invention relates to a structure in which electrode terminals having different polarities are drawn out to the same side of a capacitor, wherein two capacitor bodies are arranged so that the exposed directions of the tantalum wires are opposed to each other, The present invention provides a tantalum capacitor in which two negative electrode lead frames are disposed so that two capacitor bodies are mounted at the same time and two positive electrode lead frames connected to respective tantalum wires are disposed between the two negative electrode lead frames.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 단자에서 음극 단자로 연결되는 전류 루프(current loop)의 길이를 최소화함으로써 탄탈륨 캐패시터의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, the length of the current loop connected from the positive terminal to the negative terminal is minimized, thereby reducing the ESL, which is the electrical resistance characteristic of the tantalum capacitor.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 투명사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a transparent perspective view of Fig.
3 is a cross-sectional view of a first and a second capacitor main body, first and second tantalum wires, first and second positive electrode lead frames, and first and second negative electrode lead frames of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention Fig.
FIG. 4 illustrates first and second capacitor bodies, first and second tantalum wires, first and second positive electrode lead frames, and first and second negative electrode lead frames of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention; Fig.
5A to 5D are perspective views illustrating a method of manufacturing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.In the drawings, like reference numerals are used to designate like elements that are functionally equivalent to the same reference numerals in the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
In addition, to include an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may include other elements.

본 발명의 일 태양에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 탄탈 분말을 포함하며, 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체; 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향과 교차되는 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되는 제1 및 제2 음극 리드 프레임; 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되도록 배치되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 노출되도록 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 둘러싸는 몰딩부; 를 포함한다.
A tantalum capacitor according to one aspect of the present invention includes first and second capacitor bodies including tantalum powder and disposed such that exposed directions of first and second tantalum wires are opposite to each other; First and second negative electrode lead frames disposed to be spaced apart from each other along a direction intersecting the exposed direction of the first and second tantalum wires, the first and second negative electrode lead frames being mounted on the first and second capacitor bodies simultaneously; First and second cathode lead frames arranged to be connected to the first and second tantalum wires, respectively, between the first and second cathode lead frames; And a molding unit surrounding the first and second capacitor main bodies so that the ends of the first and second negative electrode lead frames and the first and second positive electrode lead frames are exposed; .

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 투명사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제1 및 제2 캐패시터 본체, 제1 및 제2 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a transparent perspective view of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross- A main body, first and second tantalum wires, first and second cathode lead frames, and first and second cathode lead frames.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(100)는, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20); 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21); 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42); 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32); 및 몰딩부(60)를 포함한다.
1 to 3, a tantalum capacitor 100 according to the present embodiment includes first and second capacitor bodies 10 and 20; First and second tantalum wires (11, 21); First and second negative electrode lead frames 41 and 42; First and second cathode lead frames (31, 32); And a molding part 60.

이하, 본 실시 형태에서는, 설명의 편의를 위해, 몰딩부(60)의 실장 면을 하면(1)으로, 하면(1)과 두께 방향으로 서로 마주보는 면을 상면(2)으로, 몰딩부(60)의 길이 방향의 양 측면을 제1 및 제2 측면(3, 4)으로, 제1 및 제2 측면(3, 4)과 수직으로 교차하며 서로 마주보는 몰딩부(60)의 폭 방향의 양 측면을 제3 및 제4 측면(5, 6)으로 정의하기로 한다.
In the present embodiment, the mounting surface of the molding portion 60 is referred to as a lower surface 1, the surface facing the lower surface 1 in the thickness direction is referred to as an upper surface 2, 60 in the width direction of the molding part 60 which are perpendicular to the first and second side surfaces 3, 4 and face each other with the first and second side surfaces 3, Both sides will be defined as the third and fourth sides (5, 6).

제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며, 음극으로서 작용한다.The first and second capacitor bodies 10 and 20 are formed using a tantalum material and function as a cathode.

본 실시 형태의 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)가 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출될 수 있다.The first and second capacitor bodies 10 and 20 of the present embodiment are formed in such a manner that the first and second tantalum wires 11 and 21 are electrically connected through one side in the width direction of the first and second capacitor bodies 10 and 20 Respectively.

이때, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 노출되는 방향이 대향되도록 폭 방향의 타 측면이 서로 마주보게 배치된다.At this time, the first and second capacitor bodies 10 and 20 are disposed such that the opposite lateral sides of the first and second tantalum wires 11 and 21 face each other such that the exposed directions of the first and second tantalum wires 11 and 21 face each other.

또한, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 다공질의 밸브작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질 밸브작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.The first and second capacitor bodies 10 and 20 are formed of a porous valve-operating metal body and can be manufactured by sequentially forming a dielectric layer, a solid electrolytic layer, and a negative electrode layer on the surface of the porous valve-operating metal body.

일 예로서, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.For example, the first and second capacitor bodies 10 and 20 may be manufactured by mixing and stirring a tantalum powder and a binder at a predetermined ratio, compacting the mixed powder into a rectangular parallelepiped body, sintering the mixture at a high temperature and a high vibration .

보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.More specifically, a tantalum capacitor is a structure using a gap formed when the tantalum powder is sintered and solidified. The first and second capacitor bodies 10 and 20 are formed by anodic oxidation on the tantalum surface (MnO 2 ) or a conductive polymer layer, which is an electrolyte, is formed on the tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) by using the tantalum oxide as a dielectric, and a carbon layer and / or a conductive layer is formed on the manganese dioxide layer or the conductive polymer layer. A metal layer can be formed.

또한, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.Further, the first and second capacitor bodies 10 and 20 can be coated with carbon and silver (Ag), if necessary, on the surface.

상기 카본은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 상에 실장할 때 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.
The carbon is intended to reduce the contact resistance of the surface of the first and second capacitor bodies 10 and 20 and the silver Ag is used to electrically connect the first and second capacitor bodies 10 and 20 to the first and second cathodes 10 and 20, And to improve electrical connectivity when mounted on the lead frames 41 and 42. [

제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 양극으로 작용한다.The first and second tantalum wires 11 and 21 act as an anode.

제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 내부에 각각 위치하는 제1 및 제2 삽입영역(11b, 21b)과, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 포함한다.The first and second tantalum wires 11 and 21 include first and second inserting regions 11b and 21b respectively located in the first and second capacitor bodies 10 and 20, And first and second non-inserting regions (11a, 21a) exposed through one lateral side of the capacitor body (10, 20).

또한, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.Also, the first and second tantalum wires 11 and 21 may be inserted into the mixture of the tantalum powder and the binder before the powder mixed with the tantalum powder and the binder is compressed.

즉, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11, 21)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 약 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
That is, the first and second capacitor bodies 10 and 20 are formed by forming a tantalum element having a desired size by inserting tantalum wires 11 and 21 into a tantalum powder mixed with a binder, It can be manufactured by sintering in a high vacuum (10 -5 torr or less) atmosphere of 2,000 ° C for about 30 minutes.

제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 그라운드 단자로 기능할 수 있다.The first and second negative electrode lead frames 41 and 42 are spaced from each other along the longitudinal direction of the first and second capacitor bodies 10 and 20 and can function as ground terminals.

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)은 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)가 동시에 실장되는 중앙의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c)와, 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 인출되는 제1 음극 단자부(41a, 41b)와 제2 음극 단자부(42a, 42b)를 포함한다. The first and second negative electrode lead frames 41 and 42 include first and second mounting portions 41c and 42c at the center where the first and second capacitor bodies 10 and 20 are mounted at the same time, 41b and second negative electrode terminal portions 42a, 42b which are drawn out through the first and second side surfaces 3, 4 of the base member 60. The first and second cathode terminal portions 41a,

이때, 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second negative electrode terminal portions 41a, 41b, 42a and 42b may extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 60 to a portion of the lower surface 1 .

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 실장부(41c, 42c)와 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20) 사이에는 도전성 접착층(50)이 배치될 수 있다.The conductive adhesive layer 50 may be disposed between the mounting portions 41c and 42c of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 and the first and second capacitor bodies 10 and 20.

도전성 접착층(50)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive adhesive layer 50 may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing epoxy-based thermosetting resin and metal powder, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu), but the present invention is not limited thereto.

한편, 도 4를 참조하면, 몰딩부(60) 내에서 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c)를 연결하는 연결 단자(43)가 배치될 수 있다.4, a connection terminal 43 for connecting the first and second mounting portions 41c and 42c of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 in the molding portion 60 .

연결 단자(43)는 제1 및 제2 음극 리드프레임 (41, 42)의 제1 및 제2실장부 (41c, 42c)를 전기적으로 접합하여, 음극 리드프레임 전체의 전기 저항 및 인덕턴스를 저감하여 안정된 노이즈 제거 효과를 얻을 수 있도록 한다. The connection terminal 43 electrically connects the first and second mounting portions 41c and 42c of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 to reduce the electrical resistance and inductance of the entire negative electrode lead frame So that a stable noise removing effect can be obtained.

제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)은 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 사이에서 길이 방향으로 서로 이격되게 배치된다.The first and second cathode lead frames 31 and 32 are spaced apart from each other in the longitudinal direction between the first and second cathode lead frames 41 and 42.

또한, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)은 일부가 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)와, 몰딩부(60) 내에서 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)의 단부에서 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 향해 절곡 형성되어 제1 및 제2 비삽입영역과 접속되는 제1 및 제2 와이어 접속부(31b, 32b)를 각각 포함한다.The first and second positive electrode lead frames 31 and 32 are formed so that part of the first and second positive electrode lead terminals 31 and 32 are exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 60, Insertion regions 11a and 11a of the first and second tantalum wires 11 and 21 at the ends of the first and second positive electrode terminal portions 31a and 32a in the molding portion 60, 21a and connected to the first and second non-inserting regions, respectively. The first and second wire connecting portions 31b and 32b are bent toward the first and second non-inserting regions 21a and 21a, respectively.

이때, 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second positive electrode terminal portions 31a and 32a may extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 60 to a portion of the lower surface 1 of the molding portion 60.

또한, 제1 및 제2 와이어 접속부(31b 32b)의 단부에는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)이 각각 끼움 결합되도록 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)이 각각 형성될 수 있다.The first and second tantalum wires 11 and 21 are inserted into the first and second wire connecting portions 31b and 32b so that the first and second non-inserting regions 11a and 21a of the first and second tantalum wires 11 and 21 are fitted, And second grooves 31c and 32c, respectively.

이때, 제1 및 제2 요홈에는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)이 접합되도록 도전성 접착층이 더 형성될 수 있다.At this time, a conductive adhesive layer may be further formed on the first and second trenches so that the first and second non-inserting regions 11a and 21a of the first and second tantalum wires 11 and 21 are bonded.

상기 도전성 접착층은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The conductive adhesive layer may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing an epoxy-based thermosetting resin and a metal powder, but the present invention is not limited thereto.

몰딩부(60)는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 제1 및 제2 비삽입영역(11a, 21a)을 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 절연성 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding part 60 is formed by molding an epoxy resin such as EMC (epoxy molding) so as to surround the first and second capacitor bodies 10 and the first and second non-inserting areas 11a and 21a of the first and second tantalum wires 11 and 21, An epoxy molding compound, or the like, by transfer molding.

이때, 몰딩부(60)는 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)의 일부가 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 형성된다.At this time, the molding part 60 is formed on the first and second negative electrode terminal parts 41a, 41b, 42a, 42b of the first and second negative electrode lead frames 41, 42 and the first and second positive electrode lead frames 31, 32 are formed such that a part of the first and second positive electrode terminal portions 31a, 32a are exposed through the first and second side surfaces 3, 4.

이러한 몰딩부(60)는 외부로부터 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21) 및 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)를 서로 절연시키는 역할을 한다.
The molding part 60 not only protects the first and second tantalum wires 11 and 21 and the first and second capacitor bodies 10 and 20 from the outside but also protects the first and second capacitors 10 and 20, And serves to insulate the bodies 10 and 20 from the first and second cathode lead frames 31 and 32 from each other.

본 실시 형태에서는, 양극 단자와 음극 단자가 탄탈륨 캐패시터의 동일한 측면을 통해 인출되어 있으며. 두 개의 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접하여 배치되므로 양극 단자에서 음극 단자 사이에 형성되는 전류 루프(CL, current loop)의 길이가 최소화되어, 탄탈 캐패시터의 고주파 특성을 지배하는 ESL을 저감하게 할 수 있는 효과가 있다. In the present embodiment, the positive terminal and the negative terminal are drawn through the same side of the tantalum capacitor. Since the anode terminal is disposed close to the two anode terminals, the length of the current loop (CL) formed between the anode terminal and the cathode terminal is minimized, thereby reducing the ESL that dominates the high frequency characteristics of the tantalum capacitor There is an effect.

게다가, 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접하여 배치되므로 음극 단자와 양극 단자의 사이에 상호 인덕턴스(mutual inductance)가 작용하여 고주파 전류의 상쇄 효과에 의해 ESL을 더욱 저감시킬 수 있다.In addition, since the positive electrode terminal is arranged close to the negative electrode terminal, a mutual inductance acts between the negative electrode terminal and the positive electrode terminal, so that the ESL can be further reduced by the canceling effect of the high frequency current.

또한, 필요시 양극단자를 그라운드(GND) 배선에 접속하고, 양극 단자를 각각 독립된 회로에 접속함으로써,
Further, when the positive terminal is connected to the ground (GND) wiring and the positive terminal is connected to the independent circuit, respectively,

제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)는 각각의 독립된 노이즈 필터로서 기능할 수 있다. 이때, 탄탈 캐패시터는 필요에 따라 캐패시터 어레이의 형태로 구성하여 기판 등에 실장할 수 있다.The first and second capacitor bodies 10, 20 can function as respective independent noise filters. At this time, the tantalum capacitor can be formed in the form of a capacitor array as needed and mounted on a substrate or the like.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention will be described.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 먼저 상측으로 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부(31b, 32b)를 갖는 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)을 소정 간격을 두고 배치하고, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)을 배치한다.
5A and 5B, first and second positive electrode lead frames 31 and 32 having first and second wire connecting portions 31b and 32b bent upward are disposed at predetermined intervals, First and second negative electrode lead frames 41 and 42 are disposed on both sides of the first and second positive electrode lead frames 31 and 32, respectively.

다음으로, 탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향의 일 측면을 통해 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)가 노출되는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 마련한다.Next, the first and second capacitor bodies 10 and 20 including the tantalum powder and through which the first and second tantalum wires 11 and 21 are exposed are provided through one side in the width direction.

그리고, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)의 노출되는 방향이 대향되도록 서로 마주보게 배치한다.
The first and second capacitor bodies 10 and 20 are arranged so as to face each other so that the first and second tantalum wires 11 and 21 are exposed in the opposite directions.

다음으로, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)를 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)에 각각 접속한다.Next, the first and second tantalum wires 11 and 21 are connected to the first and second wire connecting portions 31a and 32a of the first and second cathode lead frames 31 and 32, respectively.

이때, 제1 및 제2 와이어 접속부(31a, 32a)에 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)을 각각 형성하고, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11, 21)를 제1 및 제2 요홈(31c, 32c)에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체를 이용하여 고정시킬 수 있다.At this time, first and second trenches 31c and 32c are formed in the first and second wire connection portions 31a and 32a, respectively, and the first and second tantalum wires 11 and 21 are connected to the first and second trenches (31c, 32c), respectively, and then fixed using a conductive adhesive.

그리고, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c) 상에 동시에 실장한다.The first and second capacitor bodies 10 and 20 are mounted on the first and second mounting portions 41c and 42c of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 at the same time.

이때, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42) 상에 실장하기 이전에, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 제1 및 제2 실장부(41c, 42c) 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층(50)을 먼저 형성할 수 있다.In this case, before the first and second capacitor bodies 10 and 20 are mounted on the first and second negative electrode lead frames 41 and 42, the first and second negative electrode lead frames 41 and 42, The conductive adhesive layer 50 may be formed first by applying a conductive adhesive agent on the first and second mounting portions 41c and 42c.

상기 도전성 접착제는 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 도전성 접착체를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 도전성 접착층(50)을 형성한다.The conductive adhesive may include an epoxy-based thermosetting resin and a conductive metal powder, and the conductive adhesive layer 50 may be formed by dispensing or dot-pointing a predetermined amount of the conductive adhesive.

이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
At this time, the conductive metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu).

도 5c 및 도 5d를 참조하면, 다음으로, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10, 20)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성한다.5C and 5D, a resin such as EMC (epoxy molding compound) is transferred by molding to surround the first and second capacitor bodies 10 and 20, (40).

이때, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 양 단부와 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32)에서 제1 및 제2 와이어 접속부(31, 32)의 단부로부터 절곡 형성되는 부분 중 일부는 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다.At this time, both end portions of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 and the end portions of the first and second wire connecting portions 31 and 32 at the first and second positive electrode lead frames 31 and 32 are bent Some of the portions are exposed through the first and second sides 3 and 4 of the molding portion 60. [

이때, 몰드의 온도는 170 ℃ 정도로 하며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC의 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.At this time, the temperature of the mold is about 170 DEG C, and the temperature and other conditions for EMC molding can be appropriately adjusted according to the components and shape of the EMC used.

또한, 몰딩 이후에는 필요시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화 조건에서 약 160 ℃의 온도로 30 내지 60분 간 경화를 진행할 수 있다.Further, after molding, curing can be carried out for 30 to 60 minutes at a temperature of about 160 DEG C under a closed oven or reflow curing condition, if necessary.

이후, 몰딩부(60) 형성 작업이 완료되면 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.Thereafter, when the forming operation of the molding part 60 is completed, a deflashing process for removing a flash formed in the molding process can be further performed.

그리고, 후속 공정으로서 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.As a subsequent step, an aging step can be further performed if necessary.

상기 에이징 공정은 조립 공정 중에 발생한 전기적 산포를 줄이는 작용을 한다.
The aging process acts to reduce the electrical scattering that occurs during the assembly process.

다음으로, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(41, 42)의 양 단부를 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 음극 단자부(41a, 41b, 42a, 42b)로 형성하고, 제1 및 제2 양극 리드 프레임(31, 32) 중 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)으로 노출된 부분을 몰딩부(60)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 양극 단자부(31a, 32a)를 형성한다.
Next, both end portions of the first and second negative electrode lead frames 41 and 42 are bent so as to extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 60 to a portion of the lower surface 1, The first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 60 of the first and second cathode lead frames 31 and 32 are formed of the first and second cathode terminal portions 41a and 41b and 42a and 42b, The first and second positive electrode terminal portions 31a and 32a are formed by bending the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding part 60 so as to extend to a part of the lower surface 1.

이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described in detail, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the above embodiments and that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

10, 20 ; 제1 및 제2 캐패시터 본체
11, 21 ; 제1 및 제2 탄탈 와이어
31, 32 ; 제1 및 제2 양극 리드 프레임
41, 42 ; 제1 및 제2 음극 리드 프레임
50 ; 도전성 접착층
60 ; 몰딩부
100 ; 탄탈륨 캐패시터10, 20; The first and second capacitor bodies
11, 21; The first and second tantalum wires
31, 32; The first and second cathode lead frames
41, 42; The first and second cathode lead frames
50; The conductive adhesive layer
60; Molding part
100; Tantalum capacitor

Claims (18)

탄탈 분말을 포함하며, 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 방향이 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향과 교차되는 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되는 제1 및 제2 음극 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 각각 접속되도록 배치되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 노출되도록 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 둘러싸는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
The first and second capacitor bodies including tantalum powder and disposed such that the exposed directions of the first and second tantalum wires are opposite to each other;
First and second negative electrode lead frames disposed to be spaced apart from each other along a direction intersecting the exposed direction of the first and second tantalum wires, the first and second negative electrode lead frames being mounted on the first and second capacitor bodies simultaneously;
First and second cathode lead frames arranged to be connected to the first and second tantalum wires, respectively, between the first and second cathode lead frames; And
A molding unit surrounding the first and second capacitor lead bodies so that the ends of the first and second cathode lead frames and the first and second cathode lead frames are exposed; ≪ / RTI >
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second tantalum wires are exposed through one side in the width direction of the first and second capacitor bodies, respectively.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the first and second capacitor bodies and the first and second negative electrode lead frames.
제1항에 있어서,
상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 연결하는 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a connection terminal for connecting the first and second negative electrode lead frames in the molding part.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임과 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부가 상기 몰딩부의 어느 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And the end portions of the first and second cathode lead frames and the first and second cathode lead frames are formed to extend from any side of the molding portion to a portion of the mounting surface.
제1항에 있어서,
상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임은 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 향해 각각 절곡 형성되며, 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 단부에는 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어가 끼움 결합되도록 요홈이 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
The first and second cathode lead frames are respectively bent toward the first and second tantalum wires in the molding part, and the first and second tantalum wires are connected to the ends of the first and second cathode lead frames, The tantalum capacitor being formed with a groove to be fitted into the tantalum capacitor.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second capacitor bodies implement the same capacitance.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체는 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second capacitor bodies implement different capacitances.
탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향의 일 측면이 서로 마주보게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향의 타 측면을 통해 노출되는 비삽입영역을 각각 갖는 제1 및 제2 탄탈 와이어;
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동시에 실장되며, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치된 제1 및 제2 음극 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 배치되며, 일 단부가 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역과 각각 접속되는 제1 및 제2 양극 리드 프레임; 및
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체 및 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 타 단부가 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 폭 방향을 따라 노출되도록 형성되는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
First and second capacitor bodies including tantalum powder and having one side in the width direction facing each other;
First and second tantalum wires each having an inserting region located inside the first and second capacitor bodies and a non-inserting region exposed through the other side in the width direction of the first and second capacitor bodies;
First and second negative electrode lead frames mounted on the first and second capacitor bodies at the same time and spaced from each other along the longitudinal direction of the first and second capacitor bodies;
First and second cathode lead frames disposed between the first and second cathode lead frames, one end of each of which is connected to a non-insertion region of the first and second tantalum wires, respectively; And
Insulated region of the first and second capacitor main bodies and the first and second tantalum wires, wherein both end portions of the first and second negative electrode lead frames and the other end portions of the first and second positive electrode lead frames A molding part formed to be exposed along the width direction of the first and second capacitor bodies; ≪ / RTI >
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the first and second capacitor bodies and the first and second negative electrode lead frames.
제9항에 있어서,
상기 몰딩부 내에서 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 연결하는 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
And a connection terminal for connecting the first and second negative electrode lead frames in the molding part.
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 타 단부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
Wherein both end portions of the first and second negative electrode lead frames and the other end portions of the first and second positive electrode lead frames are formed to extend from both sides in the longitudinal direction of the molding portion to a portion of the mounting surface.
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임은,
일부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부;
상기 몰딩부 내에서, 상기 제1 및 제2 양극 단자부의 단부에서 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역을 향해 각각 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부; 및
상기 제1 및 제2 와이어 접속부의 단부에 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역이 각각 끼움 결합되도록 형성된 제1 및 제2 요홈; 을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
The first and second cathode lead frames may be formed of a metal,
First and second positive terminal portions, each of which is partially exposed through both longitudinal sides of the molding portion;
First and second wire connecting portions formed in the molding portion and bent toward the non-inserting regions of the first and second tantalum wires at the ends of the first and second anode terminal portions, respectively; And
First and second trenches formed in the end portions of the first and second wire connection portions, respectively, so that the non-insertion regions of the first and second tantalum wires are fitted and fitted; ≪ / RTI >
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
Wherein the first and second capacitor bodies implement the same capacitance.
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체는 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
10. The method of claim 9,
Wherein the first and second capacitor bodies implement different capacitances.
상측으로 절곡 형성되는 제1 및 제2 와이어 접속부를 갖는 제1 및 제2 양극 리드 프레임을 소정 간격을 두고 배치하고, 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 배치하는 단계;
탄탈 분말을 포함하는 제1 및 제2 캐패시터 본체를 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향이 대향되도록 서로 마주보게 배치하는 단계;
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 상기 제1 및 제2 와이어 접속부에 각각 접속한 상태에서, 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 동시에 실장하는 단계;
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 절연성 소재로 몰딩하되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 리드 프레임의 제1 및 제2 양극 단자부 중 일부가 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출되는 방향을 따라 인출되도록 몰딩부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 제1 및 제2 양극 단자부 중 노출된 부분을 상기 몰딩부의 서로 마주보는 양 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 절곡하는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
The first and second positive electrode lead frames having first and second wire connecting portions bent upward are disposed at predetermined intervals, and first and second positive electrode lead frames are disposed on both sides of the first and second positive electrode lead frames, Disposing a second negative electrode lead frame;
Disposing first and second capacitor bodies including tantalum powder facing each other so that first and second tantalum wires are exposed in a direction opposite to each other;
Simultaneously mounting the first and second capacitor bodies on the first and second negative electrode lead frames with the first and second tantalum wires connected to the first and second wire connection portions, respectively;
Wherein both ends of the first and second negative electrode lead frames and a portion of the first and second positive electrode terminal portions of the first and second positive electrode lead frames are made of an insulating material, 1 and the second tantalum wire along the exposed direction of the second tantalum wire; And
Bending both ends of the first and second negative electrode lead frames and exposed portions of the first and second positive electrode terminal portions to extend from both sides of the molding part facing each other to a part of the mounting surface; Gt; a < / RTI > tantalum capacitor.
제16항에 있어서,
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 실장하기 이전에, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층을 형성하는 단계를 수행하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Performing a step of forming a conductive adhesive layer by applying a conductive adhesive agent on the first and second negative electrode lead frames before mounting the first and second capacitor bodies on the first and second negative electrode lead frames A method of manufacturing a tantalum capacitor.
제16항에 있어서,
상기 제1 및 제2 와이어 접속부에 제1 및 제2 요홈을 각각 형성하고, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어를 상기 제1 및 제2 요홈에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체로 고정시키는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.17. The method of claim 16,
The first and second tantalum wires are respectively formed in the first and second wire connection portions, and the first and second tantalum wires are fitted into the first and second trenches, respectively, and then the tantalum wire is fixed with the conductive adhesive body. Way.
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