KR20150127440A - Tantalum capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20150127440A
KR20150127440A KR1020140054243A KR20140054243A KR20150127440A KR 20150127440 A KR20150127440 A KR 20150127440A KR 1020140054243 A KR1020140054243 A KR 1020140054243A KR 20140054243 A KR20140054243 A KR 20140054243A KR 20150127440 A KR20150127440 A KR 20150127440A
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negative electrode
capacitor
lead frame
lead frames
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박민철
박상수
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삼성전기주식회사
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Abstract

The present invention provides a tantalum capacitor. It has a structure where the tantalum wire of a capacitor body including tantalum powder is exposed to a mounting surface. Two anode lead frames connected to the tantalum wire is provided interposing two cathode lead frames therebetween. Each of the lead frame is drawn from the same side of the capacitor body. ESL which is electric resistance characteristic, can be reduced by minimizing the length of a current loop from the anode terminal to the cathode terminal.

Description

탄탈륨 캐패시터 및 그 제조방법{TANTALUM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a tantalum capacitor,

본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a tantalum capacitor and a method of manufacturing the same.

탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
Tantalum (Ta) is a metal widely used in industries such as electricity, electronics, machinery and chemical industry as well as aerospace and military fields due to its mechanical or physical characteristics such as high melting point and excellent ductility and corrosion resistance.

이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
Such a tantalum material is widely used as a material for a small capacitor because of its ability to form a stable anodic oxide film, and recently, the IT industry such as electronic and information communication has been rapidly developed, and the usage thereof is rapidly increasing every year .

최근 마이크로 프로세서는 고기능 및 다기능화에 따라 트랜지스터의 집약도가 높아지고 소비 전류는 증가하는 경향이 있으며, 전원 전압은 소비전력 절감에 따라 저전압화되고 있다. 또한, 구동 주파수는 처리 속도 향상으로 인해 고주파수화가 진행되고 있다.
Recently, the microprocessor has a tendency to increase the intensity of the transistor and increase the consumption current according to the high function and the multifunctionality, and the power supply voltage is lowered according to the power consumption reduction. In addition, the driving frequency is becoming higher in frequency due to the improvement of the processing speed.

상기의 이유로, 마이크로 프로세서의 전원에는 di/dt의 큰 과도 전류가 흐르게 되며, 과도 전류와 디커플링 캐패시터의 ESL(Equivalent Serial Inductance; 등가직렬인덕턴스)에 따라 전원 전압 변동을 유발하게 되었다.
For this reason, a large di / dt transient current flows through the power supply of the microprocessor, causing the power supply voltage to vary according to the transient current and the ESL (Equivalent Serial Inductance) of the decoupling capacitor.

또한, 전원 전압의 저전압화에 따라 신호파의 진폭도 작아지므로, 상기 마이크로 프로세서의 경우 상기 전원 전압 변동이 신호파의 역치 전압을 넘는 경우 오동작을 일으킬 수 있다.
In addition, since the amplitude of the signal wave is reduced as the power supply voltage is lowered, malfunction may occur in the microprocessor if the power supply voltage variation exceeds the threshold voltage of the signal wave.

일반적으로 상기 전원 전압 변동은 커패시터의 ESL을 낮춤으로써 저하시킬 수 있는바, 상기 탄탈륨 소재를 이용한 소형 커패시터에서도 상기 저ESL에 대한 연구가 요구된다.
Generally, the power supply voltage fluctuation can be reduced by lowering the ESL of the capacitor. Therefore, research on the low ESL is also required in a small capacitor using the tantalum material.

국내공개특허공보 제2010-0065596호Korean Patent Publication No. 2010-0065596

본 발명의 목적은 ESL이 개선된 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
It is an object of the present invention to provide a tantalum capacitor improved in ESL and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 태양은, 탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체의 탄탈 와이어가 실장 면을 향해 노출된 구조로서, 상기 탄탈 와이어가 접속되는 양극 리드 프레임을 사이에 두고 두 개의 음극 리드 프레임을 배치하며, 각각의 리드 프레임은 상기 캐패시터 본체의 동일 측면을 통해 인출되는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
According to one aspect of the present invention, there is provided a structure in which a tantalum wire of a capacitor body including tantalum powder is exposed toward a mounting surface, wherein two negative electrode lead frames are disposed with a positive electrode lead frame to which the tantalum wire is connected, Lead frame provides a tantalum capacitor that is drawn through the same side of the capacitor body.

본 발명의 다른 태양은, 탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체의 탄탈 와이어가 실장 면을 향해 노출된 구조로서, 상기 탄탈 와이어가 접속되는 양극 리드 프레임을 사이에 두고 두 개의 음극 리드 프레임이 상기 양극 리드 프레임과 교차되는 방향으로 이격되게 배치되며, 상기 양극 리드 프레임의 양 단부는 몰딩부의 폭 방향의 양 측면을 통해 각각 인출되고, 상기 두 개의 음극 리드 프레임의 일 단부는 서로 대향되는 몰딩부의 길이 방향의 양 측면을 통해 인출되는 인출되는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a structure in which a tantalum wire of a capacitor body including tantalum powder is exposed toward a mounting surface, wherein a cathode lead frame to which the tantalum wire is connected is sandwiched between two cathode lead frames, And both end portions of the positive electrode lead frame are respectively drawn out through both side surfaces in the width direction of the molding portion, and one end portion of the two negative electrode lead frames is connected to a positive end portion And the tantalum capacitor is drawn out through the side surface.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 단자에서 음극 단자로 연결되는 전류 루프(current loop)의 길이를 최소화함으로써 탄탈륨 캐패시터의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, the length of the current loop connected from the positive terminal to the negative terminal is minimized, thereby reducing the ESL, which is the electrical resistance characteristic of the tantalum capacitor.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 나타낸 사시도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터에서 양극 단자부와 음극 단자부를 형성하는 다른 방법을 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 6의 A-A'선 단면도이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
3A to 3D are perspective views illustrating a method of manufacturing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are perspective views illustrating another method of forming the positive electrode terminal portion and the negative electrode terminal portion in the tantalum capacitor according to the embodiment of the present invention.
5 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, a positive electrode lead frame, and first and second negative electrode lead frames of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
6 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
7 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
8A to 8D are perspective views illustrating a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.In the drawings, like reference numerals are used to designate like elements that are functionally equivalent to the same reference numerals in the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
In addition, to include an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may include other elements.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 나타낸 사시도이다.
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1, Fig.

도 1 내지 도 3a를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 캐패시터 본체(10); 탄탈 와이어(11); 제1 및 제2 리드 프레임(31); 양극 리드 프레임(21); 및 몰딩부(50); 를 포함한다.
1 to 3A, the tantalum capacitor according to the present embodiment includes a capacitor body 10; A tantalum wire 11; First and second lead frames 31; A cathode lead frame 21; And a molding part (50); .

캐패시터 본체(10)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며, 음극으로서 작용한다.The capacitor body 10 is formed using a tantalum material and functions as a cathode.

캐패시터 본체(10)는 다공질의 밸브작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질 밸브작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.The capacitor body 10 is formed of a porous valve-operating metal body and can be manufactured by sequentially forming a dielectric layer, a solid electrostatic capacity layer and a negative electrode layer on the surface of the porous valve-operating metal body.

일 예로서, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.As an example, the capacitor body 10 can be manufactured by mixing and stirring the tantalum powder and the binder at a certain ratio, compacting the mixed powder into a rectangular parallelepiped body, and sintering the mixture at a high temperature and a high vibration.

보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.
More specifically, a tantalum capacitor is a structure using trenches formed when the tantalum powder is sintered and solidified. The capacitor body 10 is formed by depositing tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), forming a manganese dioxide layer (MnO 2 ) or a conductive polymer layer as an electrolyte on the tantalum oxide as a dielectric, and forming a carbon layer and a metal layer on the manganese dioxide layer or the conductive polymer layer .

이때, 캐패시터 본체(10)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.At this time, the capacitor body 10 may be coated with carbon and silver on its surface, if necessary.

상기 카본은 캐패시터 본체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 제1 및 제2 음극 단자(31, 32) 접속시 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.
The carbon is for reducing the contact resistance of the surface of the capacitor body 10 and the silver (Ag) is for improving electrical connection when the first and second negative terminal 31 and 32 are connected.

이하, 본 실시 형태에서는, 설명의 편의를 위해, 캐패시터 본체(10)의 실장 면을 하면(1)으로, 하면(2)과 두께 방향으로 서로 마주보는 면을 상면(2)으로, 캐패시터 본체(10)의 길이 방향의 양 측면을 제1 및 제2 측면(3, 4)으로, 제1 및 제2 측면(3, 4)과 수직으로 교차하며 서로 마주보는 캐패시터 본체(10)의 폭 방향의 면을 제3 및 제4 측면(5, 6)으로 정의하기로 한다.
In the present embodiment, for convenience of explanation, the mounting surface of the capacitor body 10 is referred to as the lower surface 1, the surface facing the lower surface 2 in the thickness direction is referred to as the upper surface 2, 10 of the capacitor body 10 perpendicularly intersecting the first and second side surfaces 3 and 4 with the first and second side surfaces 3 and 4 on both sides in the width direction of the capacitor body 10 facing each other Plane will be defined as the third and fourth sides (5, 6).

탄탈 와이어(11)는 양극으로 작용한다.The tantalum wire 11 acts as an anode.

탄탈 와이어(11)는 캐패시터 본체(10) 내부에 위치하는 삽입영역(11b)과, 캐패시터 본체(10)의 하면에서 하측으로 돌출되는 비삽입영역(11a)을 포함한다.The tantalum wire 11 includes an insertion region 11b located inside the capacitor body 10 and a non-insertion region 11a protruding downward from the lower surface of the capacitor body 10. [

또한, 탄탈 와이어(11)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.Also, the tantalum wire 11 may be inserted into the mixture of the tantalum powder and the binder before the powder mixed with the tantalum powder and the binder is compressed.

즉, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ?의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
That is, the capacitor body 10 is formed by forming a tantalum element of a desired size by inserting a tantalum wire 11 into a tantalum powder mixed with a binder, and then forming the tantalum element by a high vacuum (10 -5 torr Or less) in an atmosphere for about 30 minutes.

제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)는 캐패시터 본체(10)의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치되며, 그라운드 단자로 기능할 수 있다.The first and second negative electrode lead frames 31 and 32 are spaced from each other along the longitudinal direction of the capacitor body 10 and can function as a ground terminal.

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)은 캐패시터 본체(10)가 동시에 실장되는 중앙의 제1 및 제2 실장부(31c, 32c)와, 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 인출되는 제1 음극 단자부(31a, 31b)와 제2 음극 단자부(32a, 32b)를 포함한다. The first and second negative electrode lead frames 31 and 32 include first and second mounting portions 31c and 32c at the center where the capacitor body 10 is simultaneously mounted, And first and second negative electrode terminal portions 31a and 31b and second negative electrode terminal portions 32a and 32b drawn out through the second side surfaces 3 and 4, respectively.

이때, 제1 및 제2 음극 단자부(31a, 31b, 32a, 32b)는 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second negative electrode terminal portions 31a, 31b, 32a and 32b may extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50 to a portion of the lower surface 1 .

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 실장부(31c, 32c)와 캐패시터 본체(10) 사이에는 도전성 접착층(40)이 배치될 수 있다.A conductive adhesive layer 40 may be disposed between the first and second mounting portions 31c and 32c of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 and the capacitor body 10.

도전성 접착층(40)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive adhesive layer 40 may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing an epoxy-based thermosetting resin and a metal powder, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu), but the present invention is not limited thereto.

양극 리드 프레임(21)은 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32) 사이에 캐패시터 본체(10)의 폭 방향을 따라 길게 배치된다.The positive electrode lead frame 21 is disposed between the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 along the width direction of the capacitor body 10.

또한, 양극 리드 프레임(21)은 일부가 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)와, 몰딩부(50) 내에서 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)과 접속되는 와이어 접속부(21c)를 포함한다.The positive electrode lead frame 21 includes first and second positive electrode terminal portions 21a and 21b that are partially exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50, Insertion region 11a of the tantalum wire 11 in the first to tenth tantalum portions 50a and 50b.

이때, 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)는 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second anode terminal portions 21a and 21b may extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding part 50 to a portion of the lower surface 1 of the molding part 50. [

또한, 와이어 접속부(21c)에는 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)이 관통되어 끼움 결합되도록 결합홀(22)이 형성될 수 있다.In addition, a coupling hole 22 may be formed in the wire connection portion 21c so that the non-insertion region 11a of the tantalum wire 11 penetrates and is fitted.

이때, 결합홀(22)에는 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)이 접합되도록 도전성 접착층(40)이 더 형성될 수 있다.At this time, a conductive adhesive layer 40 may be further formed on the coupling hole 22 so that the non-insertion area 11a of the tantalum wire 11 is joined.

도전성 접착층(40)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive adhesive layer 40 may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing an epoxy-based thermosetting resin and a metal powder, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu), but the present invention is not limited thereto.

몰딩부(50)는 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding part 50 may be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) so as to surround the capacitor body 10.

이때, 몰딩부(50)는 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 음극 단자부(31a, 31b, 32a, 32b)와 양극 리드 프레임(21)의 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)의 일부가 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 형성된다.At this time, the molding part 50 is formed by the first and second negative electrode terminal parts 31a, 31b, 32a, and 32b of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 and the first and second positive electrode lead frames 21 and 21, A part of the two positive electrode terminal portions 21a and 21b is formed to be exposed through the first and second side surfaces 3 and 4.

이러한 몰딩부(50)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 캐패시터 본체(10)와 양극 리드 프레임(21)을 서로 절연시키는 역할을 한다.
The molding part 50 not only protects the tantalum wire 11 and the capacitor body 10 from the outside but also serves to insulate the capacitor body 10 and the cathode lead frame 21 from each other.

본 실시 형태에서는, 양극 단자와 음극 단자가 탄탈륨 캐패시터의 동일한 측면을 통해 인출되어 있으며, 두 개의 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접해서 배치되기 때문에 양극 단자에서 음극 단자 사이에 형성되는 전류 루프(CL, current loop)의 길이가 최소화되어, 탄탈 커패시터의 고주파 특성을 지배하는 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 게다가, 음극 단자 사이에 양극 단자가 근접해서 배치되므로 음극 단자와 양극 단자의 사이에 상호 인덕턴스(mutual inductance)가 작용하여 고주파 전류의 상쇄 효과에 의해 ESL을 저감할 수 있다.
In this embodiment, since the positive terminal and the negative terminal are drawn out through the same side of the tantalum capacitor and the positive terminal is disposed close to the two negative terminals, the current loops CL, the length of the current loop is minimized, and the ESL that dominates the high frequency characteristic of the tantalum capacitor can be reduced. In addition, since the positive electrode terminal is disposed close to the negative electrode terminal, a mutual inductance acts between the negative electrode terminal and the positive electrode terminal, so that the ESL can be reduced by the canceling effect of the high frequency current.

또한, 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터는, 1개의 캐패시터 소자와 1개의 양극 단자로 구성되기 때문에, 종래의 탄탈륨 캐패시터 제조공법에 적용이 용이하며, 소형화도 유리한 효과가 있다.
Further, since the tantalum capacitor of the present embodiment is composed of one capacitor element and one positive terminal, it is easy to apply to a conventional tantalum capacitor manufacturing method, and it is also advantageous in downsizing.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention will be described.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 먼저 폭 방향으로 길게 형성된 제1 및 제2 와이어 접속부(21a, 21b)를 갖는 양극 리드 프레임(21)을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)을 배치한다.
3A and 3B, a positive lead frame 21 having first and second wire connecting portions 21a and 21b formed to be elongated in the width direction is interposed between the first and second negative electrode leads 21a and 21b, The frames 31 and 32 are arranged.

다음으로, 탄탈 분말을 포함하며, 하측으로 노출된 탄탈 와이어(11)를 갖는 캐패시터 본체(10)를 마련한다.
Next, the capacitor body 10 including the tantalum powder and the tantalum wire 11 exposed downward is provided.

다음으로, 탄탈 와이어(11)를 양극 리드 프레임(21)의 와이어 접속부(21c)에 각각 접속한다.Next, the tantalum wire 11 is connected to the wire connecting portion 21c of the cathode lead frame 21, respectively.

이때, 와이어 접속부(21c)에 결합홀(22)을 형성하고, 탄탈 와이어(11)를 결합홀(22) 에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체를 이용하여 고정시킬 수 있다.At this time, a coupling hole 22 is formed in the wire connecting portion 21c, and the tantalum wire 11 is inserted into the coupling hole 22, and then the coupling hole 22 is fixed using a conductive adhesive.

그리고, 캐패시터 본체(10)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 실장부(31c, 32c) 상에 동시에 실장한다.The capacitor body 10 is mounted on the first and second mounting portions 31c and 32c of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 at the same time.

이때, 캐패시터 본체(10)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32) 상에 실장하기 이전에, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 제1 및 제2 실장부(31c, 32c) 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층(40)을 먼저 형성할 수 있다.At this time, before the capacitor body 10 is mounted on the first and second negative electrode lead frames 31 and 32, the first and second mounting portions (first and second negative electrode lead frames 31 and 32) 31c, and 32c, the conductive adhesive layer 40 may be formed first.

상기 도전성 접착제는 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 도전성 접착체를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 도전성 접착층(40)을 형성한다.The conductive adhesive may include an epoxy-based thermosetting resin and a conductive metal powder. The conductive adhesive 40 may be formed by dispensing or dot-pointing a predetermined amount of the conductive adhesive.

이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
At this time, the conductive metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu).

도 3c 및 도 3d를 참조하면, 다음으로, 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성한다.3C and 3D, a molding part 40 is formed by transfer molding resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the capacitor body 10.

이때, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 양 단부와 양극 리드 프레임(21)의 양 단부는 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다.Both end portions of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 and both ends of the positive electrode lead frame 21 are exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50 Molding operation is performed.

이때, 몰드의 온도는 170 ℃ 정도로 하며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC의 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.At this time, the temperature of the mold is about 170 DEG C, and the temperature and other conditions for EMC molding can be appropriately adjusted according to the components and shape of the EMC used.

또한, 몰딩 이후에는 필요시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화 조건에서 약 160 ℃의 온도로 30 내지 60분 간 경화를 진행할 수 있다.Further, after molding, curing can be carried out for 30 to 60 minutes at a temperature of about 160 DEG C under a closed oven or reflow curing condition, if necessary.

이후, 몰딩부(50) 형성 작업이 완료되면 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.Thereafter, when the molding operation of the molding part 50 is completed, a deflashing process for removing a flash formed in the molding process can be further performed.

그리고, 후속 공정으로서 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.As a subsequent step, an aging step can be further performed if necessary.

상기 에이징 공정은 조립 공정 중에 발생한 전기적 산포를 줄이는 작용을 한다.
The aging process acts to reduce the electrical scattering that occurs during the assembly process.

다음으로, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 양 단부를 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 음극 단자부(31a, 31b, 32a, 32b)로 형성하고, 양극 리드 프레임(21) 중 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)으로 노출된 부분을 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)를 형성한다.Both end portions of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 are bent so as to extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50 to a portion of the lower surface 1, 1 and the second negative electrode terminal portions 31a, 31b, 32a and 32b and the portions of the positive electrode lead frame 21 which are exposed to the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50, The first and second positive electrode terminal portions 21a and 21b are formed by being bent to extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the bottom surface portion 50 to a portion of the bottom surface 1.

한편, 도 4a 내지 4c에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(31, 32)의 양 단부를 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 도면상의 상면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 음극 단자부(31a, 31b, 32a, 32b)로 형성하고, 양극 리드 프레임(21) 중 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)으로 노출된 부분을 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 도면상의 상면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)를 형성할 수 있다. 이후, 몰딩부(50)를 뒤집어서 양극 및 음극 단자가 형성된 면(1)을 실장 면이 되게하여 사용하게 된다. 이 경우, 양극 및 음극 단자 중 몰딩부(40)의 폭 방향의 양 측면(3, 4)에 형성되는 부분의 높이를 길게 할 수 있다.
4A to 4C, both end portions of the first and second negative electrode lead frames 31 and 32 are formed on the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50, 31b and 32a and 32b of the positive electrode lead frame 21 and the first and second side surfaces 31a and 31b of the positive electrode lead frame 21 3 and 4 are bent so as to extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding part 50 to a part of the upper surface 1 in the drawing to form the first and second positive electrode terminal parts 21a, 21b can be formed. Thereafter, the molding part 50 is turned upside down so that the face 1 on which the positive and negative terminals are formed is used as a mounting face. In this case, the height of the portion formed on both sides 3, 4 in the width direction of the molding portion 40 of the positive electrode and the negative electrode terminal can be made longer.

도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 리드 프레임, 및 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 나타낸 분해사시도이다.5 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, a positive electrode lead frame, and first and second negative electrode lead frames of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사한 부분에 대해서는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조를 갖는 복수의 캐패시터 본체에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다. 또한, 캐패시터 본체의 방향과 각 면에 대한 정의는 앞서 도 1을 참조한다.
A detailed description of a plurality of capacitor bodies having a structure different from that of the above-described embodiment will be specifically described below in order to avoid duplication of portions similar to those of the above-described embodiment. Further, the definition of the direction and each surface of the capacitor body will be described with reference to Fig.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터는 복수의 캐패시터 본체(10, 12)가 몰딩부(50)의 폭 방향으로 소정 간격으로 이격되게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5, a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention may be arranged such that a plurality of capacitor bodies 10 and 12 are spaced apart from each other by a predetermined distance in the width direction of the molding part 50.

이 경우, 이격되게 배치된 복수의 캐패시터 본체에 전류가 분산되어 흐르기 때문에 ESR(등가직렬저항)이 저감되어 보다 큰 리플 전류(ripple current, 직류 전류에 겹친 교류 분)를 허용할 수 있다. 또, 복수의 캐패시터 본체를 배치하는 것에 의해 용량을 형성하는 영역이 되는 표면적이 커지고 보다 높은 정전 용량을 얻을 수 있다.In this case, since currents are dispersed and flowed in a plurality of capacitor bodies arranged so as to be spaced apart from each other, ESR (equivalent series resistance) is reduced and a larger ripple current (alternating current overlapping the DC current) can be allowed. Further, by disposing a plurality of capacitor bodies, the surface area that becomes a region for forming a capacitor becomes larger, and a higher capacitance can be obtained.

이때, 각각의 캐패시터 본체(10, 12)는 탄탈 와이어(11, 13)를 각각 가지며, 복수의 탄탈 와이어는 각각 삽입영역과 비삽입영역을 포함한다.
At this time, each of the capacitor bodies 10 and 12 has tantalum wires 11 and 13, respectively, and the plurality of tantalum wires include an inserting region and a non-inserting region, respectively.

이 경우, 캐패시터 전체 칩 사이즈를 동일하게 하기 위해 각각의 캐패시터 본체의 폭은 앞서 일 실시 형태에서의 캐패시터 본체의 폭의 1/2 미만일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 앞서 일 실시 형태의 캐패시터 본체와 동일한 폭의 캐패시터 본체를 사용하고 전체 칩의 폭을 늘리도록 구성할 수 있다. In this case, in order to make the overall chip size of the capacitors the same, the width of each capacitor body may be less than 1/2 of the width of the capacitor body in the embodiment, but the present invention is not limited to this, The width of the entire chip can be increased by using a capacitor body having the same width as that of the capacitor body of FIG.

또한, 각각의 캐패시터 본체(10, 12)는 동일한 용량을 구현하도록 형성되거나, 서로 다른 용량으로 형성될 수 있다.Each of the capacitor bodies 10 and 12 may be formed to have the same capacitance or may have different capacities.

또한, 본 실시 형태에서는 2개의 캐패시터 본체를 도시하여 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 필요시 3개 이상의 캐패시터 본체를 몰딩부의 폭 방향으로 서로 이격되게 배치하여 구성할 수 있다.Although two capacitor bodies are illustrated in the present embodiment, the present invention is not limited thereto. The present invention can be configured such that three or more capacitor bodies are spaced apart from each other in the width direction of the molding portion have.

도면부호 22a 및 22b는 각각의 탄탈 와이어(11, 13)의 비삽입영역이 관통 결합되는 결합홀을 나타낸다.Reference numerals 22a and 22b designate coupling holes through which the non-insertion regions of the respective tantalum wires 11 and 13 penetrate.

이때, 두 개의 캐패시터 본체(10, 12)에는 역방향 전류가 발생하기 때문에 상호 인덕턴스의 작용을 통해 ESL을 더 저감시킬 수 있다.
At this time, since reverse current is generated in the two capacitor bodies 10 and 12, the ESL can be further reduced through the mutual inductance action.

도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 7은 도 6의 A-A'선 단면도이고, 도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 나타낸 사시도이다.FIG. 6 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 6, and FIGS. 8a to 8d are views showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention. Fig.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사한 부분에 대해서는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
Here, to avoid duplication, a detailed description thereof will be omitted, and a structure different from the above-described embodiment will be specifically described.

도 6 내지 도 8a를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 캐패시터 본체(10); 탄탈 와이어(11); 제1 및 제2 리드 프레임(31); 양극 리드 프레임(21); 및 몰딩부(50); 를 포함한다.
6 to 8A, the tantalum capacitor according to the present embodiment includes a capacitor body 10; A tantalum wire 11; First and second lead frames 31; A cathode lead frame 21; And a molding part (50); .

양극 리드 프레임(21)은 캐패시터 본체(10)의 폭 방향을 따라 길게 배치된다.The positive electrode lead frame 21 is arranged long along the width direction of the capacitor body 10.

또한, 양극 리드 프레임(21)은 일부가 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 각각 노출되는 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)와, 몰딩부(50) 내에서 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)과 접속되는 와이어 접속부(21c)를 포함한다.The positive electrode lead frame 21 includes first and second positive electrode terminal portions 21a and 21b that are partially exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding portion 50, Insertion region 11a of the tantalum wire 11 in the first to tenth tantalum portions 50a and 50b.

이때, 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)는 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second anode terminal portions 21a and 21b may extend from the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding part 50 to a portion of the lower surface 1 of the molding part 50. [

또한, 와이어 접속부(21c)에는 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)이 관통되어 끼움 결합되도록 결합홀(22)이 형성될 수 있다.In addition, a coupling hole 22 may be formed in the wire connection portion 21c so that the non-insertion region 11a of the tantalum wire 11 penetrates and is fitted.

이때, 결합홀(22)에는 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)이 접합되도록 도전성 접착층(40)이 더 형성될 수 있다.
At this time, a conductive adhesive layer 40 may be further formed on the coupling hole 22 so that the non-insertion area 11a of the tantalum wire 11 is joined.

제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)은 양극 리드 프레임(21)을 사이에 두고 캐패시터 본체(10)의 길이 방향을 따라 서로 이격되며 캐패시터 본체(10)의 길이 방향을 따라 길게 배치되며, 그라운드 단자로 기능할 수 있다.The first and second negative electrode lead frames 33 and 34 are spaced from each other along the longitudinal direction of the capacitor body 10 with the positive electrode lead frame 21 interposed therebetween and are arranged long along the longitudinal direction of the capacitor body 10 , And a ground terminal.

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)은 캐패시터 본체(10)가 동시에 실장되는 제1 및 제2 실장부(33b, 34b)와, 몰딩부(50)의 길이 방향의 제3 및 제4 측면(5, 6)을 통해 각각 인출되는 제1 및 제2 음극 단자부(33a, 34a) 를 포함한다. The first and second negative electrode lead frames 33 and 34 include first and second mounting portions 33b and 34b on which the capacitor body 10 is mounted at the same time, And first and second negative electrode terminal portions 33a and 34a respectively drawn out through the first and second side surfaces 5 and 6, respectively.

이때, 제1 및 제2 음극 단자부(33a, 34a)는 몰딩부(50)의 길이 방향의 제3 및 제4 측면(5, 6)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 형성될 수 있다.The first and second negative electrode terminal portions 33a and 34a may extend from the third and fourth side surfaces 5 and 6 in the longitudinal direction of the molding portion 50 to a portion of the lower surface 1.

또한, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 제1 및 제2 실장부(33b, 34b)와 캐패시터 본체(10) 사이에는 도전성 접착층(40)이 배치될 수 있다.
A conductive adhesive layer 40 may be disposed between the first and second mounting portions 33b and 34b of the first and second negative electrode lead frames 33 and 34 and the capacitor body 10.

몰딩부(50)는 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding part 50 may be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) so as to surround the capacitor body 10.

이때, 몰딩부(50)는 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 제1 및 제2 음극 단자부(33a, 34a)가 길이 방향의 제3 및 제4 측면(5, 6)를 통해 각각 노출되도록 하고, 양극 리드 프레임(21)의 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)는 폭 방향의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 형성된다.At this time, the molding part 50 is formed so that the first and second negative electrode terminal parts 33a and 34a of the first and second negative electrode lead frames 33 and 34 are connected to the third and fourth side surfaces 5 and 6 And the first and second positive electrode terminal portions 21a and 21b of the positive electrode lead frame 21 are formed to be exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 in the width direction.

이러한 몰딩부(50)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 캐패시터 본체(10)와 양극 리드 프레임(21)을 서로 절연시키는 역할을 한다.
The molding part 50 not only protects the tantalum wire 11 and the capacitor body 10 from the outside but also serves to insulate the capacitor body 10 and the cathode lead frame 21 from each other.

본 실시 형태에서는,. 양극 단자 및 음극 단자가 1쌍씩 다른 측면으로 도출되어 형성되어 있어서 전류가 분산되어 흐르고 전류 루프(CL, current loop)의 길이가 최소화되어 탄탈 커패시터의 고주파 특성을 지배하는 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 또, 양극 단자 및 음극 단자가 각각 다른 측면에 도출되어 형성되고 있기 때문에 제품 형상의 소형화에 유리한 측면이 있다.
In the present embodiment,. The positive and negative terminals are formed by being led out to the other side by one pair so that the current is dispersed and flows and the length of the current loop CL is minimized so that the ESL that dominates the high frequency characteristic of the tantalum capacitor can be reduced have. In addition, since the positive electrode terminal and the negative electrode terminal are formed on the other side surface, they are advantageous in downsizing the product shape.

또한, 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터는, 1개의 캐패시터 소자와 1개의 양극 단자로 구성되기 때문에, 종래의 탄탈륨 캐패시터 제조공법에 적용이 용이하며, 소형화도 유리한 효과가 있다.
Further, since the tantalum capacitor of the present embodiment is composed of one capacitor element and one positive terminal, it is easy to apply to a conventional tantalum capacitor manufacturing method, and it is also advantageous in downsizing.

이하, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention will be described.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 먼저 폭 방향으로 길게 형성된 제1 및 제2 와이어 접속부(21a, 21b)를 갖는 양극 리드 프레임(21)을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)을 양극 리드 프레임(21)과 교차되는 방향을 향하도록 서로 마주보게 배치한다.
8A and 8B, first and second negative electrode leads 21a and 21b are provided on both sides of the positive electrode lead frame 21 having the first and second wire connecting portions 21a and 21b formed in a long width direction, The frames 33 and 34 are disposed facing each other so as to face the direction in which the cathode lead frame 21 intersects.

다음으로, 탄탈 분말을 포함하며, 하측으로 노출된 탄탈 와이어(11)를 갖는 캐패시터 본체(10)를 마련한다.
Next, the capacitor body 10 including the tantalum powder and the tantalum wire 11 exposed downward is provided.

다음으로, 탄탈 와이어(11)를 양극 리드 프레임(21)의 와이어 접속부(21c)에 각각 접속한다.Next, the tantalum wire 11 is connected to the wire connecting portion 21c of the cathode lead frame 21, respectively.

이때, 와이어 접속부(21c)에 결합홀(22)을 형성하고, 탄탈 와이어(11)를 결합홀(22) 에 각각 끼움 결합한 후 도전성 접착체를 이용하여 고정시킬 수 있다.At this time, a coupling hole 22 is formed in the wire connecting portion 21c, and the tantalum wire 11 is inserted into the coupling hole 22, and then the coupling hole 22 is fixed using a conductive adhesive.

그리고, 캐패시터 본체(10)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 제1 및 제2 실장부(33b, 34b) 상에 동시에 실장한다.The capacitor body 10 is mounted on the first and second mounting portions 33b and 34b of the first and second negative electrode lead frames 33 and 34 at the same time.

이때, 캐패시터 본체(10)를 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34) 상에 실장하기 이전에, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 제1 및 제2 실장부(33b, 34b) 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층(40)을 먼저 형성할 수 있다.Before the capacitor body 10 is mounted on the first and second negative electrode lead frames 33 and 34, the first and second negative electrode lead frames 33 and 34, 33b, and 34b may be coated with a conductive adhesive to form the conductive adhesive layer 40 first.

상기 도전성 접착제는 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하여 구성될 수 있으며, 이러한 도전성 접착체를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 도전성 접착층(40)을 형성한다.The conductive adhesive may include an epoxy-based thermosetting resin and a conductive metal powder. The conductive adhesive 40 may be formed by dispensing or dot-pointing a predetermined amount of the conductive adhesive.

이때, 상기 도전성 금속 분말로 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
At this time, the conductive metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu).

도 8c 및 도 8d를 참조하면, 다음으로, 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성한다.Referring to FIGS. 8C and 8D, a molding part 40 is formed by transfer molding resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the capacitor body 10.

이때, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 양 단부는 몰딩부(50의 길이 방향의 제3 및 제4 측면(5, 6)을 통해 각각 노출되도록 하고, 양극 리드 프레임(21)의 양 단부는 몰딩부(50)의 폭 방향의 제1 및 제2 측면(3, 4)을 통해 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다.Both end portions of the first and second negative electrode lead frames 33 and 34 are exposed through the third and fourth side surfaces 5 and 6 in the longitudinal direction of the molding portion 50, Are exposed through the first and second side surfaces 3 and 4 in the width direction of the molding part 50. [

이후, 몰딩부(50) 형성 작업이 완료되면 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.Thereafter, when the molding operation of the molding part 50 is completed, a deflashing process for removing a flash formed in the molding process can be further performed.

그리고, 후속 공정으로서 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.
As a subsequent step, an aging step can be further performed if necessary.

다음으로, 제1 및 제2 음극 리드 프레임(33, 34)의 양 단부를 몰딩부(50)의 길이 방향의 제3 및 제4 측면(5, 6)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 음극 단자부(33a, 34a)로 형성하고, 양극 리드 프레임(21) 중 몰딩부(50)의 폭 방향의 제1 및 제2 측면(3, 4)으로 노출된 부분을 몰딩부(50)의 제1 및 제2 측면(3, 4)에서 하면(1)의 일부까지 연장되게 절곡하여 제1 및 제2 양극 단자부(21a, 21b)를 형성한다.
Both end portions of the first and second negative electrode lead frames 33 and 34 are extended from the third and fourth side surfaces 5 and 6 in the longitudinal direction of the molding portion 50 to a portion of the lower surface 1 The first and second negative terminal portions 33a and 34a are bent so that the portions of the positive electrode lead frame 21 exposed at the first and second side surfaces 3 and 4 in the width direction of the molding portion 50 The first and second positive electrode terminal portions 21a and 21b are formed by bending the first and second side surfaces 3 and 4 of the molding part 50 to extend to a part of the lower surface 1.

이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described in detail, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the above embodiments and that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

10, 12 ; 캐패시터 본체
11, 13 ; 탄탈 와이어
21 ; 양극 리드 프레임
31, 33 ; 제1 음극 리드 프레임
32, 34 ; 제2 음극 리드 프레임
40 ; 도전성 접착층
50 ; 몰딩부10, 12; Capacitor body
11, 13; Tantalum wire
21; Anode lead frame
31, 33; The first negative electrode lead frame
32, 34; The second negative electrode lead frame
40; The conductive adhesive layer
50; Molding part

Claims (22)

탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체;
상기 캐패시터 본체 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 캐패시터 본체의 실장 면에서 외부로 돌출되는 비삽입영역을 갖는 탄탈 와이어;
상기 캐패시터 본체가 실장되며, 상기 캐패시터 본체의 길이 방향으로 서로 이격되게 배치된 제1 및 제2 음극 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 배치되며, 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역과 접속된 양극 리드 프레임; 및
상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 적어도 일 단부와 상기 양극 리드 프레임의 적어도 일 단부가 폭 방향의 양 측면을 통해 노출되도록 형성되는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
A capacitor body including tantalum powder;
A tantalum wire having an insertion region located inside the capacitor body and a non-insertion region protruding outward from a mounting surface of the capacitor body;
First and second negative electrode lead frames mounted on the capacitor main body and spaced apart from each other in the longitudinal direction of the capacitor main body;
A positive lead frame disposed between the first and second negative electrode lead frames and connected to a non-inserting region of the tantalum wire; And
Wherein at least one end of the first and second negative electrode lead frames and at least one end of the positive electrode lead frame are exposed through both side surfaces in the width direction, surrounding the capacitor body and the tantalum wire non- part; ≪ / RTI >
제1항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 배치된 도전성 접착층을 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a conductive adhesive layer disposed between the capacitor body and the first and second negative electrode lead frames.
제1항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임에 상기 탄탈 와이어가 관통 결합되도록 결합홀이 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a coupling hole is formed in the cathode lead frame so that the tantalum wire is inserted into the cathode lead frame.
제3항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임은 상기 결합홀 상에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
The method of claim 3,
And the positive electrode lead frame has a conductive adhesive layer disposed on the coupling hole.
제1항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 양극 리드 프레임은 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the capacitor body and the cathode leadframe are insulated by the molding part.
제1항에 있어서,
복수의 캐패시터 본체가 상기 몰딩부의 폭 방향을 따라 이격되게 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a plurality of capacitor bodies are disposed so as to be spaced along the width direction of the molding portion.
제6항에 있어서,
상기 복수의 캐패시터 본체가 동일한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 6,
Wherein the plurality of capacitor bodies implement the same capacitance.
제6항에 있어서,
상기 복수의 캐패시터 본체가 상이한 용량을 구현하는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 6,
Wherein the plurality of capacitor bodies implement different capacitances.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 노출된 일 단부와 상기 양극 리드 프레임의 노출된 일 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 일 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein an exposed end of the first and second negative electrode lead frames and an exposed end of the positive electrode lead frame are formed to extend from one lateral side of the molding part to a part of the mounting surface.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 양극 리드 프레임의 양 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 양 측면을 통해 노출되며,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 양 단부와 상기 양극 리드 프레임의 양 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 양 측면에서 실장 면의 일부까지 각각 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Both end portions of the first and second negative electrode lead frames and both ends of the positive electrode lead frame are exposed through both side surfaces in the width direction of the molding portion,
Wherein both end portions of the first and second negative electrode lead frames and both ends of the positive electrode lead frame extend from both sides in the width direction of the molding portion to portions of the mounting surface.
탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체;
상기 캐패시터 본체 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 캐패시터 본체의 실장 면에서 외부로 돌출되는 비삽입영역을 갖는 탄탈 와이어;
상기 캐패시터 본체 하측에서 상기 캐패시터 본체의 폭 방향을 따라 배치되며, 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역과 접속되는 양극 리드 프레임;
상기 캐패시터 본체 하측에서 상기 양극 리드 프레임을 사이에 두고 상기 캐패시터 본체의 길이 방향을 따라 서로 이격되게 배치된 제1 및 제2 음극 리드 프레임; 및
상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 단부가 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 노출되고, 상기 양극 리드 프레임의 양 단부는 폭 방향의 양 측면을 통해 노출되도록 형성되는 몰딩부; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
A capacitor body including tantalum powder;
A tantalum wire having an insertion region located inside the capacitor body and a non-insertion region protruding outward from a mounting surface of the capacitor body;
A cathode lead frame disposed on a lower side of the capacitor body along a width direction of the capacitor body and connected to a non-insertion area of the tantalum wire;
First and second negative electrode lead frames spaced apart from each other along a longitudinal direction of the capacitor body with the positive electrode lead frame interposed therebetween from below the capacitor main body; And
Wherein the end portions of the first and second negative electrode lead frames are exposed through both longitudinal sides of the capacitor main body and the tantalum wire, A molding part formed to be exposed through the side surface; ≪ / RTI >
제11항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 사이에 배치된 도전성 접착층을 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
12. The method of claim 11,
And a conductive adhesive layer disposed between the capacitor body and the first and second negative electrode lead frames.
제11항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임에 상기 탄탈 와이어가 관통 결합되도록 결합홀이 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
12. The method of claim 11,
And a coupling hole is formed in the cathode lead frame so that the tantalum wire is inserted into the cathode lead frame.
제13항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임은 상기 결합홀 상에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
14. The method of claim 13,
And the positive electrode lead frame has a conductive adhesive layer disposed on the coupling hole.
제11항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 양극 리드 프레임은 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
12. The method of claim 11,
Wherein the capacitor body and the cathode leadframe are insulated by the molding part.
제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 노출된 단부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면에서 실장 면의 일부까지 각각 연장되게 형성되며,
상기 양극 리드 프레임의 노출된 양 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 양 측면에서 실장 면의 일부까지 각각 연장되게 형성되는 탄탈륨 캐패시터.
12. The method of claim 11,
The exposed end portions of the first and second negative electrode lead frames are formed to extend from both sides in the longitudinal direction of the molding portion to a portion of the mounting surface,
And the exposed ends of the cathode lead frame are formed to extend from both sides in the width direction of the molding part to a part of the mounting surface.
양극 리드 프레임과, 상기 양극 리드 프레임을 사이에 두고 그 양 측에 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 배치하는 단계;
탄탈 분말을 포함하며, 하측으로 노출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체를 마련하는 단계;
상기 탄탈 와이어를 상기 양극 리드 프레임에 접속한 상태에서, 상기 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 동시에 실장하는 단계;
상기 캐패시터 본체를 절연성 소재로 몰딩하되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 적어도 일 단부와 상기 양극 리드 프레임의 적어도 일 단부가 상기 캐패시터 본체의 폭 방향을 따라 인출되도록 몰딩부를 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 노출된 단부와 상기 양극 리드 프레임의 노출된 단부를 상기 몰딩부의 동일 측면에서 실장 면의 일부까지 연장되게 절곡하는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
Disposing first and second negative electrode lead frames on both sides of the positive electrode lead frame and the positive electrode lead frame;
Providing a capacitor body including tantalum powder and having a tantalum wire exposed downward;
Mounting the capacitor body on the first and second negative electrode lead frames simultaneously with the tantalum wire connected to the positive electrode lead frame;
Forming a molding part such that at least one end of the first and second negative electrode lead frames and at least one end of the positive electrode lead frame are drawn out along the width direction of the capacitor body by molding the capacitor body with an insulating material; And
Bending the exposed end portions of the first and second negative electrode lead frames and the exposed end portions of the positive electrode lead frame to extend to a portion of the mounting surface on the same side of the molding portion; Gt; a < / RTI > tantalum capacitor.
제17항에 있어서,
상기 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 실장하기 이전에, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층을 형성하는 단계를 수행하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Forming a conductive adhesive layer on the first and second negative electrode lead frames by applying a conductive adhesive on the first and second negative electrode lead frames before mounting the capacitor main body on the first and second negative electrode lead frames, .
제17항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임에 상기 탄탈 와이어가 관통 결합되도록 결합홀을 형성하는, 상기 탄탈 와이어를 상기 결합홀에 끼움 결합한 후 도전성 접착체로 고정시키는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the tantalum wire is inserted into the coupling hole, and then the tantalum wire is fixed with the conductive adhesive body.
양극 리드 프레임과, 상기 양극 리드 프레임을 사이에 두고 그 양 측에 상기 양극 리드 프레임과 교차되는 방향으로 제1 및 제2 음극 리드 프레임을 배치하는 단계;
탄탈 분말을 포함하며, 하측으로 노출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체를 마련하는 단계;
상기 탄탈 와이어를 상기 양극 리드 프레임에 접속한 상태에서, 상기 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 동시에 실장하는 단계;
상기 캐패시터 본체를 절연성 소재로 몰딩하여 몰딩부를 형성하되, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 일 단부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면을 통해 각각 인출되도록 하고, 상기 양극 리드 프레임의 양 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 양 측면을 통해 각각 인출되도록 하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임의 노출된 일 단부가 상기 몰딩부의 길이 방향의 양 측면에서 각각 실장 면의 일부까지 연장되게 절곡하고, 상기 양극 리드 프레임의 노출된 양 단부가 상기 몰딩부의 폭 방향의 양 측면에서 각각 실장 면의 일부까지 연장되게 절곡하는 단계; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
Disposing first and second negative electrode lead frames on both sides of the positive electrode lead frame with the positive electrode lead frame therebetween in a direction crossing the positive electrode lead frame;
Providing a capacitor body including tantalum powder and having a tantalum wire exposed downward;
Mounting the capacitor body on the first and second negative electrode lead frames simultaneously with the tantalum wire connected to the positive electrode lead frame;
Wherein the capacitor body is molded with an insulating material to form a molding part, wherein one end of each of the first and second negative electrode lead frames is led out through both side surfaces in the longitudinal direction of the molding part, Respectively, through both sides in the width direction of the molding part; And
Wherein one end of each of the first and second negative electrode lead frames is bent so as to extend to a part of the mounting surface at both sides in the longitudinal direction of the molding part, and both exposed ends of the positive electrode lead frame are bent in the width direction Extending from both sides of the mounting surface to a part of the mounting surface; Gt; a < / RTI > tantalum capacitor.
제20항에 있어서,
상기 캐패시터 본체를 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 실장하기 이전에, 상기 제1 및 제2 음극 리드 프레임 상에 도전성 접착제를 도포하여 도전성 접착층을 형성하는 단계를 수행하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
21. The method of claim 20,
Forming a conductive adhesive layer on the first and second negative electrode lead frames by applying a conductive adhesive on the first and second negative electrode lead frames before mounting the capacitor main body on the first and second negative electrode lead frames, .
제20항에 있어서,
상기 양극 리드 프레임에 상기 탄탈 와이어가 관통 결합되도록 결합홀을 형성하는, 상기 탄탈 와이어를 상기 결합홀에 끼움 결합한 후 도전성 접착체로 고정시키는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
21. The method of claim 20,
Wherein the tantalum wire is inserted into the coupling hole, and then the tantalum wire is fixed with the conductive adhesive body.
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