KR20150127439A - Tantalum capacitor - Google Patents

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KR20150127439A
KR20150127439A KR1020140054242A KR20140054242A KR20150127439A KR 20150127439 A KR20150127439 A KR 20150127439A KR 1020140054242 A KR1020140054242 A KR 1020140054242A KR 20140054242 A KR20140054242 A KR 20140054242A KR 20150127439 A KR20150127439 A KR 20150127439A
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박민철
박상수
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삼성전기주식회사
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Abstract

The present invention provides a tantalum capacitor comprising: a capacitor body including tantal powder; two tantal wires having a part thereof exposed through the lower surface of the capacitor body; a molding part formed to surround the capacitor body and the tantal wires, and having ends of the tantal wires exposed; first and second positive electrode terminals arranged on the lower surface of the molding part, and respectively connected to the exposed ends of the tantal wires; a negative electrode terminal arranged between the first and second positive electrode terminals on the lower surface of the molding part; and a connection terminal arranged between the capacitor body and the negative electrode terminal.

Description

탄탈륨 캐패시터{TANTALUM CAPACITOR}TANTALUM CAPACITOR

본 발명은 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.
The present invention relates to a tantalum capacitor.

탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
Tantalum (Ta) is a metal widely used in industries such as electricity, electronics, machinery and chemical industry as well as aerospace and military fields due to its mechanical or physical characteristics such as high melting point and excellent ductility and corrosion resistance.

이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.
Such a tantalum material is widely used as a material for a small capacitor because of its ability to form a stable anodic oxide film, and recently, the IT industry such as electronic and information communication has been rapidly developed, and the usage thereof is rapidly increasing every year .

최근 마이크로 프로세서는 고기능 및 다기능화에 따라 트랜지스터의 집약도가 높아지고 소비 전류는 증가하는 경향이 있으며, 전원 전압은 소비전력 절감에 따라 저전압화되고 있다. 또한, 구동 주파수는 처리 속도 향상으로 인해 고주파수화가 진행되고 있다.
Recently, the microprocessor has a tendency to increase the intensity of the transistor and increase the consumption current according to the high function and the multifunctionality, and the power supply voltage is lowered according to the power consumption reduction. In addition, the driving frequency is becoming higher in frequency due to the improvement of the processing speed.

상기의 이유로, 마이크로 프로세서의 전원에는 di/dt의 큰 과도 전류가 흐르게 되며, 과도 전류와 디커플링 캐패시터의 ESL(Equivalent Serial Inductance; 등가직렬인덕턴스)에 따라 전원 전압 변동을 유발하게 되었다.
For this reason, a large di / dt transient current flows through the power supply of the microprocessor, causing the power supply voltage to vary according to the transient current and the ESL (Equivalent Serial Inductance) of the decoupling capacitor.

또한, 전원 전압의 저전압화에 따라 신호파의 진폭도 작아지므로, 상기 마이크로 프로세서의 경우 상기 전원 전압 변동이 신호파의 역치 전압을 넘는 경우 오동작을 일으킬 수 있다.
In addition, since the amplitude of the signal wave is reduced as the power supply voltage is lowered, malfunction may occur in the microprocessor if the power supply voltage variation exceeds the threshold voltage of the signal wave.

일반적으로 상기 전원 전압 변동은 커패시터의 ESL을 낮춤으로써 저하시킬 수 있는바, 상기 탄탈륨 소재를 이용한 소형 커패시터에서도 상기 저ESL에 대한 연구가 요구된다.
Generally, the power supply voltage fluctuation can be reduced by lowering the ESL of the capacitor. Therefore, research on the low ESL is also required in a small capacitor using the tantalum material.

국내공개특허공보 제2008-0029203호Korean Patent Publication No. 2008-0029203 일본공개특허공보 제2008-140976호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-140976

본 발명의 목적은 ESL이 개선된 탄탈륨 캐패시터를 제공하는 것이다.
It is an object of the present invention to provide a tantalum capacitor improved in ESL.

본 발명의 일 태양은, 탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체; 상기 캐패시터 본체의 하면을 통해 일부가 노출된 탄탈 와이어; 상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 탄탈 와이어의 단부가 노출되도록 형성된 몰딩부; 상기 몰딩부 하면에 배치된 제1 및 제2 음극 단자; 상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치되며, 상기 탄탈 와이어의 노출된 단부와 접속된 양극 단자; 및 상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치된 제1 및 제2 연결 단자; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
One aspect of the present invention provides a capacitor comprising: a capacitor body including tantalum powder; A tantalum wire partially exposed through the lower surface of the capacitor body; A molding part surrounding the capacitor body and the tantalum wire and configured to expose an end of the tantalum wire; First and second negative electrode terminals disposed on a lower surface of the molding part; A positive electrode terminal disposed between the first and second negative electrode terminals on the bottom surface of the molding part and connected to the exposed end of the tantalum wire; And first and second connection terminals disposed between the capacitor body and the first and second negative electrode terminals; And a tantalum capacitor.

본 발명의 다른 태양은, 탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향으로 이격되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체; 상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 하면을 통해 각각 일부가 노출되며, 길이 방향으로 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 탄탈 와이어; 상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 탄탈 와이어의 단부가 노출되도록 형성된 몰딩부; 상기 몰딩부 하면에 배치되며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 단부와 각각 접속된 제1 및 제2 양극 단자; 상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 배치된 음극 단자; 및 상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치된 연결 단자; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a capacitor comprising: first and second capacitor bodies including tantalum powder, the first and second capacitor bodies being spaced apart from each other in a width direction; First and second tantalum wires partially exposed through the lower surface of the first and second capacitor bodies and disposed to face each other in the longitudinal direction; A molding part surrounding the capacitor body and the tantalum wire and configured to expose an end of the tantalum wire; First and second positive electrode terminals disposed on a bottom surface of the molding part and respectively connected to exposed ends of the first and second tantalum wires; A negative electrode terminal disposed between the first and second positive electrode terminals on the bottom surface of the molding part; And a connection terminal disposed between the capacitor body and the negative terminal; And a tantalum capacitor.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 양극 단자에서 음극 단자로 연결되는 전류 루프(current loop)의 길이를 최소화함으로써 탄탈륨 캐패시터의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, the length of the current loop connected from the positive terminal to the negative terminal is minimized, thereby reducing the ESL, which is the electrical resistance characteristic of the tantalum capacitor.

본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
The various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and can be more easily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 단자, 및 제1 및 제2 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 단자, 및 제1 및 제2 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 B-B'선 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극, 및 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
2 is a sectional view taken along the line A-A 'in Fig.
3 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, a positive electrode terminal, and first and second negative electrode terminals of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
4 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, a positive electrode terminal, and first and second negative electrode terminals of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
5 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
6 is a sectional view taken along the line B-B 'in Fig.
7 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, first and second positive electrodes, and a negative electrode terminal of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.In the drawings, like reference numerals are used to designate like elements that are functionally equivalent to the same reference numerals in the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
In addition, to include an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may include other elements.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 단자, 및 제1 및 제2 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.
FIG. 1 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1, , A tantalum wire, a positive electrode terminal, and first and second negative electrode terminals.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(100)는, 캐패시터 본체(10); 탄탈 와이어(11); 제1 및 제2 음극 단자(31, 32); 양극 단자(21) 및 몰딩부(60);를 포함한다.
1 to 3, a tantalum capacitor 100 according to the present embodiment includes a capacitor body 10; A tantalum wire 11; First and second negative electrode terminals (31, 32); And includes a positive electrode terminal 21 and a molding part 60.

캐패시터 본체(10)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며, 음극으로서 작용한다.The capacitor body 10 is formed using a tantalum material and functions as a cathode.

캐패시터 본체(10)는 다공질의 밸브작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질 밸브작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.The capacitor body 10 is formed of a porous valve-operating metal body and can be manufactured by sequentially forming a dielectric layer, a solid electrostatic capacity layer and a negative electrode layer on the surface of the porous valve-operating metal body.

일 예로서, 캐패시터 본체(10)는 일 예로서 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.For example, the capacitor body 10 may be manufactured by mixing and stirring a tantalum powder and a binder at a predetermined ratio, compressing the mixed powder to form a rectangular parallelepiped body, and sintering the mixture at a high temperature and a high vibration.

보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.
More specifically, a tantalum capacitor is a structure using trenches formed when the tantalum powder is sintered and solidified. The capacitor body 10 is formed by depositing tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), forming a manganese dioxide layer (MnO 2 ) or a conductive polymer layer as an electrolyte on the tantalum oxide as a dielectric, and forming a carbon layer and a metal layer on the manganese dioxide layer or the conductive polymer layer .

이때, 캐패시터 본체(10)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.At this time, the capacitor body 10 may be coated with carbon and silver on its surface, if necessary.

상기 카본은 캐패시터 본체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 제1 및 제2 음극 단자(31, 32) 접속시 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.
The carbon is for reducing the contact resistance of the surface of the capacitor body 10 and the silver (Ag) is for improving electrical connection when the first and second negative terminal 31 and 32 are connected.

이하, 본 실시 형태에서는, 설명의 편의를 위해, 캐패시터 본체(10)의 실장 면을 하면(1)으로, 하면(2)과 두께 방향으로 서로 마주보는 면을 상면(2)으로, 캐패시터 본체(10)의 길이 방향의 양 측면을 제1 및 제2 측면(3, 4)으로, 제1 및 제2 측면(3, 4)과 수직으로 교차하며 서로 마주보는 캐패시터 본체(10)의 폭 방향의 면을 제3 및 제4 측면(5, 6)으로 정의하기로 한다.
In the present embodiment, for convenience of explanation, the mounting surface of the capacitor body 10 is referred to as the lower surface 1, the surface facing the lower surface 2 in the thickness direction is referred to as the upper surface 2, 10 of the capacitor body 10 perpendicularly intersecting the first and second side surfaces 3 and 4 with the first and second side surfaces 3 and 4 on both sides in the width direction of the capacitor body 10 facing each other Plane will be defined as the third and fourth sides (5, 6).

탄탈 와이어(11)는 양극으로 작용하며, 캐패시터 본체(10) 내부에 위치하는 삽입영역(11b)과, 캐패시터 본체(10)의 하면에서 하측으로 돌출되는 비삽입영역(11a)을 포함한다.
The tantalum wire 11 acts as an anode and includes an insertion region 11b located inside the capacitor body 10 and a non-insertion region 11a protruding downward from the lower surface of the capacitor body 10. [

탄탈 와이어(11)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.The tantalum wire (11) can be inserted into a mixture of the tantalum powder and the binder before the powder mixed with the tantalum powder and the binder is compressed.

즉, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ?의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
That is, the capacitor body 10 is formed by forming a tantalum element of a desired size by inserting a tantalum wire 11 into a tantalum powder mixed with a binder, and then forming the tantalum element by a high vacuum (10 -5 torr Or less) in an atmosphere for about 30 minutes.

또한, 탄탈 와이어(11)는 전류 경로를 최소화하기 위해 캐패시터 본체(10)의 하면(1)에서 수직으로 인출되는 것이 바람직하나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 필요시 탄탈 와이어(11)는 캐패시터 본체(10)의 하면에서 일정 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
The tantalum wire 11 is preferably drawn vertically from the lower surface 1 of the capacitor body 10 in order to minimize the current path. However, the present invention is not limited to this, And may be formed to be inclined at a predetermined angle from the lower surface of the capacitor body 10.

제1 및 제2 음극 단자(31, 32)는 몰딩부(60)의 하면으로 노출되도록 형성되며, 캐패시터 본체(10)의 길이 방향으로 이격되게 배치되며, 상면에는 캐패시터 본체(10)가 실장된다.The first and second negative electrode terminals 31 and 32 are formed to be exposed to the lower surface of the molding part 60 and are spaced apart from each other in the longitudinal direction of the capacitor body 10 and the capacitor body 10 is mounted on the upper surface thereof .

또한, 제1 및 제2 음극 단자(31, 32)는 그라운드 단자로 기능할 수 있다.
Also, the first and second negative terminal 31, 32 can function as a ground terminal.

이때, 제1 및 제2 음극 단자(31, 32)와 캐패시터 본체(10) 사이에는 제1 및 제2 연결 단자(51, 52)가 각각 배치될 수 있다.At this time, the first and second connection terminals 51 and 52 may be disposed between the first and second negative terminal 31 and 32 and the capacitor body 10, respectively.

탄탈 와이어(11)의 삽입영역(11a)의 길이에 의해 캐패시터 본체(10)의 하면과 제1 또는 제2 음극 단자(31, 32)의 상면 사이에 간격이 발생할 수 있는데, 제1 및 제2 연결 단자(51, 52)는 이러한 간격을 보상하는 역할을 한다.
A gap may be formed between the lower surface of the capacitor body 10 and the upper surface of the first or second negative terminal 31 or 32 by the length of the insertion region 11a of the tantalum wire 11, The connection terminals 51 and 52 serve to compensate this gap.

또한, 제1 및 제2 음극 단자(31, 32)와 제1 및 제2 연결 단자(51, 52) 사이에는 도전성 접착층(40)이 각각 배치될 수 있다.A conductive adhesive layer 40 may be disposed between the first and second negative terminal 31 and 32 and the first and second connection terminals 51 and 52, respectively.

도전성 접착층(40)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive adhesive layer 40 may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing an epoxy-based thermosetting resin and a metal powder, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu), but the present invention is not limited thereto.

양극 단자(21)는 몰딩부(60)의 하면으로 노출되도록 형성되며, 제1 및 제2 음극 단자(31, 32) 사이에 배치되며, 상면에는 탄탈와이어(11)의 비삽입영역(11a)의 노출된 단부가 각각 접속되어 전기적으로 연결된다.
The positive electrode terminal 21 is formed to be exposed to the lower surface of the molding part 60. The positive electrode terminal 21 is disposed between the first and second negative terminals 31 and 32. The non-inserting area 11a of the tantalum wire 11 is formed on the upper surface. Are connected and electrically connected to each other.

이때, 양극 단자(21)와 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a) 사이에는 도전성 접착층(40)이 배치될 수 있다.At this time, a conductive adhesive layer 40 may be disposed between the positive electrode terminal 21 and the non-insertion region 11a of the tantalum wire 11.

도전성 접착층(40)은 예컨대 에폭시 계열의 열경화성 수지 및 금속 분말을 포함하는 도전성 접착제를 일정량 디스펜싱 또는 점 돗팅하여 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive adhesive layer 40 may be formed by dispensing or dot pointing a predetermined amount of a conductive adhesive containing an epoxy-based thermosetting resin and a metal powder, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 금속 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
The metal powder may include at least one of silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), nickel (Ni), and copper (Cu), but the present invention is not limited thereto.

몰딩부(60)는 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding part 60 may be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the capacitor body 10.

이때, 몰딩부(60)는 도전성 접착층(40)의 하면 또는 탄탈 와이어(11)의 비삽입영역(11a)의 단부가 노출되도록 형성된다.At this time, the molding part 60 is formed to expose the bottom surface of the conductive adhesive layer 40 or the end of the non-insertion area 11a of the tantalum wire 11.

또한, 몰딩부(60)는 제1 및 제2 연결 단자(51, 52)의 하면이 노출되어 제1 및 제2 음극 단자(31, 32)가 접속되도록 형성된다.
The molding part 60 is formed such that the lower surfaces of the first and second connection terminals 51 and 52 are exposed and the first and second negative terminal 31 and 32 are connected.

몰딩부(60)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 캐패시터 본체(10)와 양극 단자(21)를 서로 절연시키는 역할을 한다.
The molding part 60 not only protects the tantalum wire 11 and the capacitor body 10 from the outside but also serves to insulate the capacitor body 10 and the positive electrode terminal 21 from each other.

본 실시 형태에서는, 캐패시터 본체(10)가 제1 및 제2 음극 단자(31, 32)와 직접 연결되고 제1 및 제2 음극 단자(31, 32) 사이에 양극 단자(21)가 배치되므로, 전원 인가시 양극에서 음극으로 연결되는 전류 루프(CP, current loop)의 길이를 최소화하여 탄탈륨 캐패시터(100)의 전기저항특성인 ESL을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.Since the capacitor body 10 is directly connected to the first and second negative electrode terminals 31 and 32 and the positive electrode terminal 21 is disposed between the first and second negative electrode terminals 31 and 32, The length of the current loop (CP) connected from the anode to the cathode when the power is applied is minimized, thereby reducing ESL, which is the electrical resistance characteristic of the tantalum capacitor 100.

또한, 캐패시터 본체(10)에 역방향 전류가 발생하기 때문에 상호 인덕턴스의 작용을 통해 ESL을 더 저감시킬 수 있다.
Further, since a reverse current is generated in the capacitor body 10, the ESL can be further reduced through the action of mutual inductance.

또한, 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터는, 1개의 캐패시터 소자와 1개의 양극 단자로 구성되기 때문에, 종래의 탄탈륨 캐패시터 제조공법에 적용이 용이하며, 소형화도 유리한 효과가 있다.
Further, since the tantalum capacitor of the present embodiment is composed of one capacitor element and one positive terminal, it is easy to apply to a conventional tantalum capacitor manufacturing method, and it is also advantageous in downsizing.

도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 양극 단자, 및 제1 및 제2 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.
4 is an exploded perspective view showing a capacitor body, a tantalum wire, a positive electrode terminal, and first and second negative electrode terminals of a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사한 부분에 대해서는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조를 갖는 복수의 캐패시터 본체에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다. 또한, 캐패시터 본체의 방향과 각 면에 대한 정의는 앞서 도 1을 참조한다.
A detailed description of a plurality of capacitor bodies having a structure different from that of the above-described embodiment will be specifically described below in order to avoid duplication of portions similar to those of the above-described embodiment. Further, the definition of the direction and each surface of the capacitor body will be described with reference to Fig.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터는 복수의 캐패시터 본체(10)가 몰딩부의 폭 방향으로 소정 간격으로 이격되게 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4, a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention may be arranged such that a plurality of capacitor bodies 10 are spaced apart from each other by a predetermined distance in the width direction of the molding portion.

이 경우 배치된 복수의 캐패시터 본체(10)에 분산되어 전류가 흐르기 때문에 ESR(등가직렬저항, Equivalent Series Resistance)이 저감되어, 보다 큰 리플 전류(ripple current)를 허용할 수 있다. 또, 복수의 캐패시터 본체를 배치함으로써 용량 형성 영역이 되는 표면적이 커져서 보다 높은 정전 용량을 얻을 수 있다.
In this case, ESR (Equivalent Series Resistance) is reduced because currents are dispersed in the plurality of capacitor bodies 10 arranged, and a larger ripple current can be allowed. Further, by disposing a plurality of capacitor bodies, the surface area that becomes the capacitance forming area becomes larger, and higher capacitance can be obtained.

이때, 각각의 캐패시터 본체(10)는 탄탈 와이어(11)를 각각 가지며, 복수의 탄탈 와이어는 각각 삽입영역(11b)과 비삽입영역(11a)을 포함한다.
At this time, each capacitor body 10 has a tantalum wire 11, and each of the plurality of tantalum wires includes an inserting region 11b and a non-inserting region 11a.

이 경우, 캐패시터 전체 칩 사이즈를 동일하게 하기 위해 각각의 캐패시터 본체의 폭은 앞서 일 실시 형태에서의 캐패시터 본체의 폭의 1/2 미만일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 앞서 일 실시 형태의 캐패시터 본체와 동일한 폭의 캐패시터 본체를 사용하고 전체 칩의 폭을 늘리도록 구성할 수 있다.
In this case, in order to make the overall chip size of the capacitors the same, the width of each capacitor body may be less than 1/2 of the width of the capacitor body in the embodiment, but the present invention is not limited to this, The width of the entire chip can be increased by using a capacitor body having the same width as that of the capacitor body of FIG.

또한, 본 실시 형태에서는 2개의 캐패시터 본체를 도시하여 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 필요시 3개 이상의 캐패시터 본체를 몰딩부의 폭 방향으로 서로 이격되게 배치하여 구성할 수 있다.
Although two capacitor bodies are illustrated in the present embodiment, the present invention is not limited thereto. The present invention can be configured such that three or more capacitor bodies are spaced apart from each other in the width direction of the molding portion have.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 5의 B-B'선 단면도이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 캐패시터 본체, 탄탈 와이어, 제1 및 제2 양극 단자, 및 음극 단자를 나타낸 분해사시도이다.
5 is a perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view of a tantalum capacitor according to still another embodiment of the present invention. Capacitor body, tantalum wire, first and second positive electrode terminals, and negative electrode terminal.

여기서, 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사한 부분에 대해서는 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조를 갖는 제1 및 제2 캐패시터 본체에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
Hereinafter, a detailed description will be given of the first and second capacitor bodies having structures different from those of the above-described embodiments, in order to avoid duplication of parts similar to those of the above-described embodiment.

도 5 내지 도 7를 참조하면, 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터(200)는 폭 방향으로 이격되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체(10)를 포함한다.Referring to FIGS. 5 to 7, the tantalum capacitor 200 of the present embodiment includes first and second capacitor bodies 10 arranged to be spaced apart in the width direction.

제1 및 제2 캐패시터 본체(10)는 삽입영역(11b') 및 비삽입영역(11a')를 포함하는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11')를 각각 가진다. 이때, 제1 및 제2 탄탈 와이어(11')는 캐패시터 본체(10)에 길이 방향으로 편심되게 배치되며, 제1 및 제2 캐패시터 본체(10)는 제1 및 제2 탄탈와이어(11')가 길이 방향으로 서로 대향되게 배치된다. The first and second capacitor bodies 10 have first and second tantalum wires 11 'each including an insertion region 11b' and a non-insertion region 11a '. At this time, the first and second tantalum wires 11 'are arranged eccentrically in the longitudinal direction in the capacitor body 10, and the first and second capacitor bodies 10 are connected to the first and second tantalum wires 11' Are arranged to face each other in the longitudinal direction.

본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(200)는 앞서 설명한 일 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터(100)와 단자 전극의 극성 배치가 상이한 것이다. 본 실시 형태의 탄탈륨 캐패시터(200)는 전자회로기판의 회로 설계 및 부품 배치 등에 따라 앞서 설명한 일 실시 형태와 더불어 선택적으로 활용할 수 있으며, 이에 전자부품 설계시 자유도를 높일 수 있다.
The tantalum capacitor 200 according to the present embodiment is different in the polarity arrangement of the terminal electrode from the tantalum capacitor 100 of the embodiment described above. The tantalum capacitor 200 of the present embodiment can be selectively used in addition to the above-described one embodiment in accordance with the circuit design of the electronic circuit board and the arrangement of parts, and thus the degree of freedom in designing electronic parts can be increased.

제1 및 제2 양극 단자(22, 23)는 몰딩부(60)의 하면으로 노출되도록 형성되며, 캐패시터 본체(10)의 길이 방향으로 이격되게 배치되며, 상면에는 제1 및 제2 탄탈 와이어(11')의 비삽입영역(11a')의 노출된 단부가 각각 접속되어 전기적으로 연결된다.The first and second cathode terminals 22 and 23 are formed to be exposed to the lower surface of the molding part 60 and are spaced apart from each other in the longitudinal direction of the capacitor body 10, The exposed ends of the non-insertion areas 11a 'of the respective first and second electrodes 11' are electrically connected.

이때, 제1 및 제2 양극 단자(22, 23)와 제1 및 제2 탄탈 와이어(11')의 비삽입영역(11a') 사이에는 도전성 접착층(40)이 배치될 수 있다.
At this time, the conductive adhesive layer 40 may be disposed between the first and second cathode terminals 22 and 23 and the non-insertion area 11a 'of the first and second tantalum wires 11'.

음극 단자(33)는 몰딩부(60)의 하면으로 노출되도록 형성되며, 제1 및 제2 양극 단자(22, 23) 사이에 배치되며, 상면에는 제1 및 제2 캐패시터 본체(10)가 동시에 실장된다.The anode terminal 33 is formed to be exposed to the lower surface of the molding part 60 and is disposed between the first and second anode terminals 22 and 23. The first and second capacitor bodies 10 and 10 Respectively.

이때, 음극 단자(33)와 캐패시터 본체(10) 사이에는 연결 단자(53)가 배치될 수 있다.At this time, a connection terminal 53 may be disposed between the negative terminal 33 and the capacitor body 10.

또한, 음극 단자(33)와 연결 단자(53) 사이에는 도전성 접착층(40)이 배치될 수 있다.
A conductive adhesive layer 40 may be disposed between the cathode terminal 33 and the connection terminal 53.

이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
Although the embodiments of the present invention have been described in detail, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the above embodiments and that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

10 ; 캐패시터 본체
11, 11'; 탄탈 와이어
21, 22, 23 ; 양극 단자
31, 32, 33 ; 음극 단자
40 ; 도전성 접착층
5, 52, 53 ; 연결 단자
60 ; 몰딩부
100, 200 ; 탄탈륨 캐패시터10; Capacitor body
11, 11 '; Tantalum wire
21, 22, 23; Positive terminal
31, 32, 33; Cathode terminal
40; The conductive adhesive layer
5, 52, 53; Connection terminal
60; Molding part
100, 200; Tantalum capacitor

Claims (16)

탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체;
상기 캐패시터 본체의 하면을 통해 일부가 노출된 탄탈 와이어;
상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 탄탈 와이어의 단부가 노출되도록 형성된 몰딩부;
상기 몰딩부 하면에 배치된 제1 및 제2 음극 단자;
상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치되며, 상기 탄탈 와이어의 노출된 단부와 접속된 양극 단자; 및
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치된 제1 및 제2 연결 단자;
를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
A capacitor body including tantalum powder;
A tantalum wire partially exposed through the lower surface of the capacitor body;
A molding part surrounding the capacitor body and the tantalum wire and configured to expose an end of the tantalum wire;
First and second negative electrode terminals disposed on a lower surface of the molding part;
A positive electrode terminal disposed between the first and second negative electrode terminals on the bottom surface of the molding part and connected to the exposed end of the tantalum wire; And
First and second connection terminals disposed between the capacitor body and the first and second negative terminal;
≪ / RTI >
제1항에 있어서,
상기 몰딩부의 폭 방향으로 복수의 캐패시터 본체가 이격되게 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
And a plurality of capacitor bodies are spaced apart from each other in a width direction of the molding part.
제1항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 양극 단자가 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein the capacitor body and the positive electrode terminal are insulated by the molding part.
제1항에 있어서,
상기 탄탈 와이어와 상기 양극 단자 사이, 및 상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 연결 단자 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
The method according to claim 1,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the tantalum wire and the cathode terminal, and between the capacitor body and the first and second connection terminals.
탄탈 분말을 포함하는 캐패시터 본체;
상기 캐패시터 본체 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 캐패시터 본체의 실장 면에서 외부로 돌출되는 비삽입영역을 갖는 탄탈 와이어;
상기 상기 캐패시터 본체가 실장되며, 상기 캐패시터 본체의 길이 방향으로 서로 이격되게 배치된 제1 및 제2 음극 단자;
상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치되며, 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역과 접속된 양극 단자; 및
상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 음극 단자 및 상기 양극 단자의 실장 면이 노출되도록 형성된 몰딩부;
를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
A capacitor body including tantalum powder;
A tantalum wire having an insertion region located inside the capacitor body and a non-insertion region protruding outward from a mounting surface of the capacitor body;
First and second negative electrode terminals mounted on the capacitor main body and spaced apart from each other in the longitudinal direction of the capacitor main body;
A positive electrode terminal disposed between the first and second negative terminal and connected to a non-inserting region of the tantalum wire; And
A molding part surrounding the capacitor body and the non-inserting area of the tantalum wire so that the mounting surfaces of the first and second negative terminals and the positive terminal are exposed;
≪ / RTI >
제5항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 음극 단자 사이에 배치된 제1 및 제2 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
6. The method of claim 5,
Further comprising first and second connection terminals disposed between the capacitor body and the first and second negative terminal.
제5항에 있어서,
상기 몰딩부의 폭 방향으로 복수의 캐패시터 본체가 이격되게 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
6. The method of claim 5,
And a plurality of capacitor bodies are spaced apart from each other in a width direction of the molding part.
제5항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 양극 단자가 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
6. The method of claim 5,
Wherein the capacitor body and the positive electrode terminal are insulated by the molding part.
제5항에 있어서,
상기 탄탈 와이어의 비삽입영역과 상기 양극 단자 사이, 및 상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 연결 단자 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
6. The method of claim 5,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the non-inserting region of the tantalum wire and the cathode terminal, and between the capacitor body and the first and second connection terminals.
탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향으로 이격되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체의 하면을 통해 각각 일부가 노출되며, 길이 방향으로 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 탄탈 와이어;
상기 캐패시터 본체 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 탄탈 와이어의 단부가 노출되도록 형성된 몰딩부;
상기 몰딩부 하면에 배치되며, 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 노출된 단부와 각각 접속된 제1 및 제2 양극 단자;
상기 몰딩부 하면에서 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 배치된 음극 단자; 및
상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치된 연결 단자;
를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
First and second capacitor bodies including tantalum powder and arranged to be spaced apart in the width direction;
First and second tantalum wires partially exposed through the lower surface of the first and second capacitor bodies and disposed to face each other in the longitudinal direction;
A molding part surrounding the capacitor body and the tantalum wire and configured to expose an end of the tantalum wire;
First and second positive electrode terminals disposed on a bottom surface of the molding part and respectively connected to exposed ends of the first and second tantalum wires;
A negative electrode terminal disposed between the first and second positive electrode terminals on the bottom surface of the molding part; And
A connection terminal disposed between the capacitor body and the negative terminal;
≪ / RTI >
제10항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 양극 단자가 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
11. The method of claim 10,
Wherein the capacitor body and the first and second positive electrode terminals are insulated by the molding portion.
제10항에 있어서,
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어와 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이, 및 상기 캐패시터 본체와 상기 연결 단자 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.
11. The method of claim 10,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the first and second tantalum wires and the first and second cathode terminals, and between the capacitor body and the connection terminal.
탄탈 분말을 포함하며, 폭 방향으로 이격되게 배치된 제1 및 제2 캐패시터 본체;
상기 제1 및 제2 캐패시터 본체 내부에 위치하는 삽입영역과, 상기 캐패시터 본체의 실장 면에서 외부로 돌출되는 비삽입영역을 각각 가지며, 길이 방향으로 서로 대향되게 배치된 제1 및 제2 탄탈 와이어;
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역과 각각 접속된 제1 및 제2 양극 단자;
상기 제1 및 제2 양극 단자 사이에 배치되며, 상기 캐패시터 본체가 실장되는 음극 단자; 및
상기 캐패시터 본체 및 상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역을 둘러싸며, 상기 제1 및 제2 양극 단자 및 상기 음극 단자의 실장 면이 노출되도록 형성된 몰딩부;
를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
First and second capacitor bodies including tantalum powder and arranged to be spaced apart in the width direction;
First and second tantalum wires each having an inserting region located inside the first and second capacitor bodies and a non-inserting region protruding outward from the mounting surface of the capacitor body, the first and second tantalum wires being arranged to face each other in the longitudinal direction;
First and second positive electrode terminals connected to non-insertion regions of the first and second tantalum wires, respectively;
A negative electrode terminal disposed between the first and second positive electrode terminals and on which the capacitor main body is mounted; And
A molding part surrounding the capacitor body and the non-inserting area of the first and second tantalum wires so that the mounting surfaces of the first and second positive and negative terminals are exposed;
≪ / RTI >
제13항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자 사이에 배치된 연결 단자를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
14. The method of claim 13,
And a connection terminal disposed between the capacitor body and the negative electrode terminal.
제13항에 있어서,
상기 캐패시터 본체와 상기 제1 및 제2 양극 단자가 상기 몰딩부에 의해 절연되는 탄탈륨 캐패시터.
14. The method of claim 13,
Wherein the capacitor body and the first and second positive electrode terminals are insulated by the molding portion.
제14항에 있어서,
상기 제1 및 제2 탄탈 와이어의 비삽입영역과 상기 제1 및 제2 양극 단자 사이, 및 상기 캐패시터 본체와 상기 연결 단자 사이에 도전성 접착층이 배치되는 탄탈륨 캐패시터.15. The method of claim 14,
Wherein a conductive adhesive layer is disposed between the non-insertion region of the first and second tantalum wires and the first and second anode terminals, and between the capacitor body and the connection terminal.
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