KR102109635B1 - 탄탈륨 캐패시터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 탄탈 분말을 포함하며, 일 측면으로 돌출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체; 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성되되, 상기 탄탈 와이어의 단부가 일 측면을 통해 노출되도록 형성된 몰딩부; 상기 몰딩부의 일 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 탄탈 와이어의 단부와 접속된 양극 단자; 및 상기 몰딩부의 타 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 캐패시터 본체의 타 측면과 접속된 음극 단자; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.

Description

탄탈륨 캐패시터{TANTALUM CAPACITOR}
본 발명은 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해, 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있다. 상기 탄탈륨 소재는 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하는 실정이다.
캐패시터는 일반적으로 전기를 일시적으로 저장하는 축전기를 말한다. 예컨대, 상기 캐패시터는 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용될 수 있다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조이다.
예컨대, 상기 탄탈륨 캐패시터는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2 )을 형성하며, 상기 이산화망간층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 인쇄회로기판(PCB)의 실장을 위하여, 상기 본체에 양극 및 음극 단자를 전기적으로 연결하고 몰딩부를 형성하여 완성할 수 있다.
최근 스마트 폰과 같은 고부가가치의 전자 제품이 출시됨에 따라 고주파수에서 구동 가능한 캐패시터가 요구되고 있으나, 일반적인 탄탈륨 캐패시터는 이러한 조건을 충족시키지 못하고 있다.
또한, 탄탈륨 캐패시터에서 ESL(등가직렬인덕턴스: Equivalent Series Inductance)은 회로 상에 기생하는 인덕턴스를 의미하는데, 상기 탄탈륨 캐패시터의 ESL을 줄이는 것은 PCB 파워부 설계 등에서 매우 중요한 요소가 되고 있다.
국내공개특허공보 제2010-0065596호
당 기술 분야에서는, 고주파수 대역에서 탄탈륨 캐패시터의 저 ESL을 구현할 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
본 발명의 일 측면은, 탄탈 분말을 포함하며, 일 측면으로 돌출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체; 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성되되, 상기 탄탈 와이어의 단부가 일 측면을 통해 노출되도록 형성된 몰딩부; 상기 몰딩부의 일 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 탄탈 와이어의 단부와 접속된 양극 단자; 및 상기 몰딩부의 타 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 캐패시터 본체의 타 측면과 접속된 음극 단자; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자 사이의 간격은 200 내지 400㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자의 면적은 상기 몰딩부의 하면에 대해 60 내지 80%일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 탄탈륨 캐패시터는, 상기 캐패시터 본체의 타 측면과 상기 음극 단자 사이에 형성된 도전성 접착층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 도전성 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자의 선단에 홈이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 양극 단자의 선단에 형성된 홈은 반원 형상이며, 상기 반원 홈의 직경 지름(Ø)은 0.15 내지 0.40 mm일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐패시터 본체는 일 측면으로 돌출된 복수의 탄탈 와이어를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, 탄탈 분말을 포함하며, 일 측면으로 돌출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체; 상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성되되, 상기 탄탈 와이어의 단부가 일 측면을 통해 노출되도록 형성된 몰딩부; 상기 몰딩부 하면에 형성된 절연 부재; 상기 몰딩부의 일 측면에서 상기 절연 부재의 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 탄탈 와이어의 단부와 접속된 양극 단자; 및 상기 몰딩부의 타 측면에서 상기 절연 부재의 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 캐패시터 본체와 상기 절연 부재 사이로 연장 형성되어 상기 캐패시터 본체의 하면과 접속된 실장부를 포함하는 음극 단자; 를 포함하는 탄탈륨 캐패시터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자 사이의 간격은 200 내지 400㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자의 면적은 상기 절연 부재의 하면에 대해 60 내지 80%일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 탄탈륨 캐패시터는, 상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자의 실장부 사이에 형성된 도전성 접착층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 도전성 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자의 선단에 홈이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 양극 단자의 선단에 형성된 홈은 반원 형상이며, 상기 반원 홈의 직경 지름(Ø)은 0.15 내지 0.40 mm일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 캐패시터 본체는 일 측면으로 돌출된 복수의 탄탈 와이어를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 절연 부재의 두께는 40 내지 100㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 프레임이 없는 구조에서, 탄탈 와이어를 캐패시터 본체의 일 측면으로 돌출시킴으로써, 양극 단자부와 음극 단자부 간의 거리를 단축시켜 고주파수 대역에서 탄탈륨 캐패시터의 ESL을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 투명 사시도이다.
도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 측단면도이다.
도 3은 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 정면을 투시하여 나타낸 정면도이다.
도 4는 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 평면을 투시하여 나타낸 평면도이다.
도 5는 종래의 탄탈륨 캐패시터와 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 ESR(등가직렬저항: Equivalent Series Resistance)을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 6은 종래의 탄탈륨 캐패시터와 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 ESL을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 투명 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 설명의 편의를 위해 도면 상에서 W방향으로 몰딩부에서 탄탈 와이어가 돌출된 방향을 전방 측 및 일 측면으로 설정하고, L방향으로 이와 수직으로 교차되는 면을 양 단면으로 설정하고, T방향으로 캐패시터 본체의 두께 방향에 해당하는 면을 상하 면으로 설정하고, 실장시 사용되는 면을 하면으로 설정하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 투명 사시도이고, 도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 측단면도이고, 도 3은 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 정면을 투시하여 나타낸 정면도이고, 도 4는 도 1의 탄탈륨 캐패시터의 평면을 투시하여 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 커패시터(1)는, 일 측면인 전방 측으로 인출된 탄탈 와이어(11)를 갖는 캐패시터 본체(10)와, 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 형성된 몰딩부(40)와, 탄탈 와이어(11)와 전기적으로 연결된 양극 단자(20)와, 캐패시터 본체(10)와 전기적으로 연결된 음극 단자(30)를 포함한다.
캐패시터 본체(10)는 음극의 극성을 가질 수 있다. 이러한 캐패시터 본체(10)는 직육면체 형태로 구성될 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 캐패시터 본체(10)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 상기 혼합 및 교반된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후, 상기 성형체를 고온 및 고진공 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
예컨대, 캐패시터 본체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입한 후 원하는 크기의 탄탈 소자로 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
캐패시터 본체(10)의 표면에는 필요시 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.
상기 카본은 캐패시터 본체(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 음극을 인출하기 위한 것이다.
탄탈 와이어(11)는 양극의 극성을 가질 수 있다. 이때, 탄탈 와이어(11)는 상기 혼합 및 교반된 분말을 압축하기 전에 캐패시터 본체(10)의 중심으로부터 편심되도록, 즉 탄탈 와이어(11)가 캐패시터 본체(10)의 실장 면인 T방향의 하면으로 치우친 위치에 있도록 캐패시터 본체(10)에 삽입하여 장착할 수 있다.
몰딩부(40)는 탄탈 와이어(11) 및 캐패시터 본체(10)를 둘러싸도록 형성된다. 이때, 몰딩부(40)는 탄탈 와이어(11)의 일 단부가 W방향으로 몰딩부(40)의 일 측면을 통해 노출되도록 형성된다.
몰딩부(40)는 캐패시터 본체(10)와 탄탈 와이어(11)가 외부 환경으로부터 보호되도록 하며, 주로 에폭시나 실리카 계열의 EMC 등으로 구성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
양극 단자(20)는 몰딩부(40)의 일 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 양극 단자부(21)와 양극 접속부(22)를 포함할 수 있다.
양극 단자(20)는 Cr(Ti), Cu, Ni, Pd 및 Au 중 적어도 하나 이상을 건식 증착(sputter) 및 도금하는 공정에 의해 구성될 수 있다.
양극 단자부(21)는 양극 단자(20) 중에서 몰딩부(40)의 하면에 형성되는 부분이다.
또한, 양극 단자부(21)의 선단에는 홈(21a)이 형성될 수 있다. 홈(21a)은 극성을 표시하는 역할을 한다. 또한, 홈(21a)은 필요시 반원 형상으로 그 직경 지름(Ø)은 0.15 내지 0.40 mm일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
양극 단자부(21)는 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용될 수 있다.
양극 단자부(21)가 몰딩부(40)의 실장 면인 하면에 형성되므로 종래의 제품 상하부에 형성된 리드 단자가 몰딩부(40)의 양 측으로 인출되어 단자를 구성하는 구조에 비해 캐패시터 본체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 양극 단자부(21)의 면적은 몰딩부(40)의 하면에 대해 적어도 30 내지 40 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있으며, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
양극 단자부(21)의 면적이 몰딩부(40)의 하면에 대해 30% 미만인 경우, 탄탈륨 캐패시터를 제품에 실장할 때 실장 면적이 너무 작아져 제품 불량율이 증가될 수 있다. 양극 단자부(21)의 면적이 몰딩부(40)의 하면에 대해 40%를 초과하게 되면 양극 단자(20)와 음극 단자(30) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 캐패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량 발생율이 증가될 수 있다.
양극 접속부(22)는 양극 단자(20) 중에서 몰딩부(40)의 일 측면에 형성되는 부분이며, 몰딩부(40)의 일 측면으로 노출된 탄탈 와이어(11)의 단부와 접촉되어 전기적으로 연결된다.
이때, 탄탈 와이어(11)의 단부와 양극 접속부(22) 사이에 도전성 접착층(미도시)이 형성될 수 있다.
또한, 상기 도전성 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있다.
음극 단자(30)는 몰딩부(40)의 타 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 음극 단자부(31)와 음극 접속부(32)를 포함할 수 있다.
음극 단자(30)는 Cr(Ti), Cu, Ni, Pd 및 Au 중 적어도 하나 이상을 건식 증착(sputter) 및 도금하는 공정에 의해 구성될 수 있다.
음극 단자부(31)는 양극 단자(30) 중에서 몰딩부(40)의 하면에 형성되는 부분이다. 음극 단자부(31)는 양극 단자부(21)와 소정 간격 이격되게 형성된다.
음극 단자부(31)는 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 단자로 사용될 수 있다.
음극 단자부(31)가 몰딩부(40)의 실장 면인 하면에 형성되므로 종래의 제품 상하부에 형성된 리드 단자가 몰딩부(40)의 양 측으로 인출되어 단자를 구성하는 구조에 비해 캐패시터 본체(10)의 체적 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 음극 단자부(31)의 면적은 몰딩부(40)의 하면에 대해 적어도 30 내지 40 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있으며, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 단자부(31)의 면적이 몰딩부(40)의 하면에 대해 30% 미만인 경우, 탄탈륨 캐패시터를 제품에 실장할 때 실장 면적이 너무 작아져 제품 불량율이 증가될 수 있다. 음극 단자부(31)의 면적이 몰딩부(40)의 하면에 대해 40%를 초과하게 되면 양극 단자(20)와 음극 단자(30) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 캐패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량 발생율이 증가될 수 있다.
따라서, 몰딩부(40)의 하면에서, 양극 및 음극 단자부(21, 31)의 면적은 몰딩부의 하면에 대해 60 내지 80%가 될 수 있다.
이때, 몰딩부(40)의 하면에서, 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31) 사이의 간격은 200 내지 400㎛이 될 수 있다. 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31) 사이의 간격이 200㎛ 미만인 경우 양극 단자(20)와 음극 단자(30) 사이의 간격이 너무 가까워져 탄탈륨 캐패시터를 제품에 실장할 때 쇼트 불량 발생율이 증가될 수 있다. 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31) 사이의 간격이 400㎛를 초과하게 되면 ESL값이 증가되는 문제점이 발생할 수 있다.
음극 접속부(32)는 음극 단자(30) 중에서 몰딩부(40)의 타 측면에 형성되는 부분이며, 캐패시터 본체(10)의 타 측면과 전기적으로 연결된다.
이때, 캐패시터 본체(10)의 타 측면과 음극 접속부(32) 사이에 도전성 접착층(50)이 형성될 수 있다.
또한, 도전성 접착층(50)은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있다.
일반적으로 캐패시터의 ESL을 감소시키기 위해서는 전극 간 거리인 전류의 루프(loop)가 짧고 전류가 통하는 길인 전류 패스(current path)는 많을수록 유리하다. 일반적으로 단자의 수가 많으면 전류 패스는 증가하게 된다.
본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(1)는 프레임이 없는 구조로서, 양극 및 음극 단자(20, 30)의 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31) 간의 거리가 동일 크기의 칩에서 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 단면으로 노출된 구조에 비해 1/3 정도로 줄어들어, 전극 간 연결을 위한 전류 루프가 매우 짧은 구조이며, 탄탈 와이어(11)가 실장 면을 향해 편심되게 삽입됨으로써 전류 루프가 더 짧아지므로,캐패시터의 ESL을 더 감소시킬 수 있다.
예를 들어, 길이×폭이 16mm×8mm인 칩에서, 종래의 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 단면으로 노출된 구조의 경우 실장 면에서 양극 단자와 음극 단자 사이의 거리는 약 1.05mm인데 반해서, 본 실시 형태의 경우 양극 단자와 음극 단자 사이의 거리는 약 0.38mm로 크게 줄일 수 있다.
이에, +방향을 기준으로 했을 때 전류 패스(current path)의 길이는 종래의 경우 0.9mm 정도이지만, 본 실시 형태의 경우 0.68mm로 줄일 수 있다.
또한, 캐패시터의 실장 면에서 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31)의 면적을 동일 크기의 칩에서 탄탈 와이어(11)가 캐패시터 본체(10)의 일 단면으로 노출된 구조에 비해 1.8 배 이상 확장하여, 양극 단자부(21) 및 음극단자부(31)가 양극 접속부(22) 및 음극 접속부(32)와 연결되는 단면적 또한 1.8배 이상 확장된다.
이에, 음극 단자(30)를 형성하기 위해 도포되는 전도성 페이스트의 양이 종래의 캐패시터에 비해 3배 이상 증가되므로, 캐패시터의 ESR 및 ESL을 더 감소시킬 수 있다.
예를 들어, 길이×폭이 16mm×8mm인 칩에서, 종래의 탄탈 와이어(11)가 캐패시터 본체(10)의 일 단면으로 노출된 구조의 경우 실장 면에서 양극 또는 음극 단자(20, 30)의 면적은 1.28㎟인데 대해서, 실시 형태의 경우 2.23㎟로 확장 시킬 수 있다.
도 5는 종래의 탄탈륨 캐패시터와 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 저주파에서부터 1MHz까지의 ESR을 비교하여 나타낸 그래프이다.
여기서, 비교 예 1은 길이×폭이 16mm×8mm인 종래의 프레임을 갖는 탄탈륨 캐패시터이고, 비교 예 2는 길이×폭이 16mm×8mm이며, 프레임이 없는 구조로서 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 단면으로 돌출된 구조의 탄탈륨 캐패시터이고, 실시 예는 비교 예 2와는 반대로 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 측면으로 돌출되고 프레임이 없는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 구조의 탄탈륨 캐패시터이다.
일반적으로 탄탈륨 캐패시터는 공진 주파수의 전후에 따라 다른 특성에 의해 영향을 받는다. 이때, 저주파수 대역에서 공진 주파수까지의 변화는 ESR에 의해 영향을 받는 변화이며, 공진 주파수 이후부터 고주파수 대역(예를 들어, 1 내지 6 GHz)으로의 변화는 ESL에 의해 영향을 받는 변화이다. 여기서, ESL은 해당 공진 주파수부터 이후로의 측정된 고주파수 대역까지의 ESL 값을 측정한 후 그 평균값을 내어 산출한다. 즉, 공진 주파수에서 ESR을 최소화시킬 수 있으면, 공진 주파수 이후 작용하는 ESL 또한 감소시킬 수 있음을 의미한다.
도 5를 참조하면, 고주파 영역에서 실시 예의 경우 비교 예1에 비해 ESR 레벨이 약 33.7mΩ 정도 감소하는 것을 알 수 있으며, 상기 실시 예의 경우 비교 예 2와 비교해도 ESR 레벨이 현저히 낮은 것을 알 수 있다.
도 6은 종래의 탄탈륨 캐패시터와 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 ESL을 비교하여 나타낸 그래프이다.
여기서, 비교 예1은 프레임 없는 구조로서 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 단면으로 돌출된 구조의 탄탈륨 캐패시터이고, 비교 예 2는 프레임이 있는 하면 실장 구조의 탄탈륨 캐패시터이고, 비교 예 3은 프레임이 있는 측면 실장 구조의 탄탈륨 캐패시터이며, 실시 예는 본 실시 형태에 따라 프레임이 없는 구조로서 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 측면으로 돌출된 구조의 탄탈륨 캐패시터이다.
일반적으로, 탄탈륨 캐패시터의 ESL은 인접한 전극 간의 거리(전류 루프)에 의해 결정될 수 있다.
도 6의 비교 예 1 내지 3과 실시 예를 비교해 보면, 상기 전류 루프는 비교 예 2, 비교 예 1, 비교 예3과 실시 예 순으로 짧은 거리를 가진다.
본 발명의 실시 예를 제외하고 비교 예 1 내지 3을 서로 비교하면, 프레임이 있는 하면 실장 구조의 비교 예2가 가장 짧은 전류 루프를 가지며, 이후 비교 예 1, 비교 예 3의 순서로 전류 루프의 길이가 짧다.
또한, 도 6을 참조하면, 탄탈륨 캐패시터의 측정된 ESL도 비교예 2, 비교 예 1, 비교 예 3의 순서로 낮은 값을 갖는 것을 알 수 있다. 따라서, 탄탈륨 캐패시터의 ESL 값은 전류 루프의 거리와 비례하는 것을 알 수 있다.
따라서, 본 실시 예와 같이 프레임이 없는 구조로서, 탄탈 와이어가 캐패시터 본체의 일 측면으로 돌출된 구조의 경우, 비교 예 1 내지 3에 비해 상대적으로 짧은 전류 루프를 가지게 되며, 이에 도 6에 도시된 바와 같이 가장 낮은 ESL 값을 갖는 것을 확인할 수 있다.
여기서, ESL은 공진 주파수 이후에 임피던스를 지배하는 값이며, 공진 주파수에서의 임피던스 값은 해당 캐패시터의 최소 ESR을 의미한다.
본 발명의 일 실시 예 외 기존 구조를 가지고 비교하자면 프레임이 있는 하면 실장 구조가 가장 짧은 전류 루프를 가지며 이후 프레임이 없는 탄탈 와이어의 일 단면 돌출 구조, 프레임이 있는 측면 구조 순으로 나타낸다. ESL 측정시에도 도 6과 같이 가장 짧은 전류 루프를 갖는 프레임이 있는 하면 실장 구조에서 가장 낮은 ESL을 확인하였으며, 프레임이 있는 일반적인 측면 구조에서 가장 높은 ESL을 확인하였다. 이는 실험적으로 ESL이 전류 루프의 거리에 지배된다는 것을 의미한다. 따라서 프레임이 없는 구조로 탄탈와이어가 일 단면 방향이 아닌 측면으로 돌출되는 구조의 경우, 가장 짧은 전류 루프를 가지게 되며, 이로 인하여 가장 낮은 ESL값을 확인하게 되었다.
변형 예
도 7은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 투명 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 커패시터(2)는 캐패시터 본체(10)의 일 측면으로 복수의 탄탈 와이어(11a, 11b)가 돌출될 수 있다.
위와 같이 탄탈 와이어(11a, 11b)가 캐패시터 본체(10)의 일 측면에 복수 개 형성되면, 탄탈 와이어(11a, 11b)는 캐패시터 본체(10)의 일 측면에서 중앙이 아닌 L방향을 따라 양 측으로 각각 치우치게 형성될 수 있다. 이렇게 탄탈 와이어(11a, 11b)가 캐패시터 본체(10)의 일 측면에서 양 측으로 편심되게 형성되면 탄탈륨 캐패시터(2)의 ESR이 더 감소될 수 있다. 또한, 탄탈 와이어(11a, 11b)가 캐패시터 본체(10)의 일 측면에서 양극 단자(20)의 양극 단자부(21) 쪽으로 치우치게 형성되며, 전류 패스의 길이가 작아져 탄탈륨 캐패시터(2)의 ESL이 더 감소될 수 있다.
여기서, 몰딩부(40), 양극 단자(20) 및 음극 단자(30)의 구조는 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 구조를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터(3)는, 캐패시터 본체(10), 몰딩부(40), 절연 부재(70), 양극 단자(20) 및 음극 단자(30')를 포함한다.
여기서, 캐패시터 본체(10), 몰딩부(40) 및 양극 단자(20)의 구조는 앞서 설명한 일 실시 형태와 유사하므로 중복을 피하기 위하여 이에 대한 구체적인 설명을 생략하며, 앞서 설명한 실시 형태와 상이한 구조를 갖는 절연 부재(70) 및 음극 단자(30')에 대해 설명하기로 한다.
절연부재(70)는 몰딩부(40) 하면에 형성된다. 이때, 절연부재는 예컨대 높은 절연성과 낮은 수축율을 갖는 유리섬유나 폴리머 계열의 재료를 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
절연부재(70)는 캐패시터 본체(10)와 양극 및 음극 단자부(21, 31')의 거리를 조절하며 전기적인 쇼트를 방지하기 위한 역할을 수행할 수 있다. 대체로 캐패시터 본체(10)의 절연 저항은 109Ω 이상이고, 유전상수(dielectric constant)는 5.4 이하이므로, 이러한 사항을 고려하여 절연부재(70)의 두께는 40 내지 50㎛일 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
양극 단자(20)는 몰딩부(40)의 일 측면에서 절연 부재(70)의 하면의 일부까지 연장되게 형성된다. 이때, 양극 단자(20)의 양극 접속부(22)는 탄탈 와이어(11)의 단부와 접속된다.
또한, 양극 단자부(21)의 면적은 절연 부재(70)의 하면에 대해 적어도 30 내지 40 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있다.
음극 단자(30')는 몰딩부(40)의 타 측면에서 절연 부재(70)의 하면의 일부까지 연장되게 형성된다. 이때, 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31')는 서로 이격되게 형성된다.
또한, 음극 단자(30')는 음극 접속부(33')에서 캐패시터 본체(10)와 절연 부재(70) 사이로 연장 형성되는 실장부(32')를 포함한다. 실장부(32')는 캐패시터 본체(10)의 하면과 접속되어 전기적으로 연결된다.
이때, 실장부(32')의 두께는 바람직하게 10㎛ 이하일 수 있다. 실장부(32')의 두께가 10㎛를 초과하면 전기적으로 낮은 저항 면을 구현할 수 있으나, 제품의 크기가 지나치게 증가하여 생산 및 단가에 영향을 미칠 수 있기 때문이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 음극 단자부(31')의 면적은 절연 부재(70)의 하면에 대해 적어도 30 내지 40 % 이상의 면적을 덮도록 형성할 수 있다.
따라서, 몰딩부(40)의 하면에서, 양극 및 음극 단자부(21, 31')의 면적은 절연 부재(70)의 하면에 대해 60 내지 80%가 될 수 있다.
이때, 절연 부재(70)의 하면에서, 양극 단자부(21)와 음극 단자부(31') 사이의 간격은 200 내지 400㎛이 될 수 있다.
위와 같이, 본 실시 형태에서는 캐패시터 본체(10)가 하면에서 실장부(32')와 직접 접촉하여 접속되므로 캐패시터 본체(10)와 음극 단자(30') 간의 접촉 면적이 이전 실시 예의 캐패시터 본체의 측면에 음극 단자가 접촉되는 경우에 비해 더 증가되므로 ESR을 더 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 전류 패스에 있어서도, 본 실시 형태의 경우 커패시터 본체(10) 하면에 접촉된 실장부(32')를 통해 전류(CP2)가 흐를 뿐만 아니라 캐패시터 본체(10)의 탄탈 와이어(11)와 연결된 일 측면을 통해 전류(CP1)가 흐르므로 저항이 병렬 연결과 같은 형상이 되어 ESR이 더 감소될 수 있다.
또한, 캐패시터 본체(10)의 하면과 실장부(32') 사이에 도전성 접착층(80)이 형성될 수 있다.
이때, 도전성 접착층(80)은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
1, 2, 3 ; 탄탈륨 캐패시터 10 ; 캐패시터 본체
11, 11a, 11b ; 탄탈 와이어 20 ; 양극 단자
21 ; 양극 단자부 22 ; 양극 접속부
30, 30' ; 음극 단자 31, 31' ; 음극 단자부
32, 33' ; 음극 접속부 32' ; 실장부
40 ; 몰딩부 50, 80 ; 도전성 접착층
70: 절연 부재

Claims (17)

  1. 탄탈 분말을 포함하며, 서로 대향하는 상하 면과, 상하 면과 연결되고 서로 대향하는 양 단면과, 상하 면과 연결되고 양 단면과 연결되고 서로 대향하는 양 측면을 포함하고, 일 측면으로 돌출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체;
    상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성되되, 상기 탄탈 와이어의 단부가 일 측면을 통해 노출되도록 형성된 몰딩부;
    상기 몰딩부의 일 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 탄탈 와이어의 단부와 접속된 양극 단자; 및
    상기 몰딩부의 타 측면에서 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 캐패시터 본체의 타 측면과 접속된 음극 단자; 를 포함하며,
    상기 캐패시터 본체는, 상기 캐패시터 본체의 양 측면을 연결한 길이가 상기 캐패시터 본체의 양 단면을 연결한 길이 보다 짧고,
    상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자 사이의 간격이 200 내지 400㎛이고,
    상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자의 면적은 상기 몰딩부의 하면에 대해 60 내지 80%인 탄탈륨 캐패시터.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체의 타 측면과 상기 음극 단자 사이에 형성된 도전성 접착층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부의 하면에서, 상기 양극 단자의 선단에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 양극 단자의 선단에 형성된 홈은 반원 형상이며, 상기 반원 홈의 직경 지름(Ø)은 0.15 내지 0.40 mm인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체는 일 측면으로 돌출된 복수의 탄탈 와이어를 갖는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  9. 탄탈 분말을 포함하며, 서로 대향하는 상하 면과, 상하 면과 연결되고 서로 대향하는 양 단면과, 상하 면과 연결되고 양 단면과 연결되고 서로 대향하는 양 측면을 포함하고, 일 측면으로 돌출된 탄탈 와이어를 갖는 캐패시터 본체;
    상기 탄탈 와이어 및 상기 캐패시터 본체를 둘러싸도록 형성되되, 상기 탄탈 와이어의 단부가 일 측면을 통해 노출되도록 형성된 몰딩부;
    상기 몰딩부 하면에 형성된 절연 부재;
    상기 몰딩부의 일 측면에서 상기 절연 부재의 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 탄탈 와이어의 단부와 접속된 양극 단자; 및
    상기 몰딩부의 타 측면에서 상기 절연 부재의 하면의 일부까지 연장되게 형성되며, 상기 캐패시터 본체와 상기 절연 부재 사이로 연장 형성되어 상기 캐패시터 본체의 하면과 접속된 실장부를 포함하는 음극 단자; 를 포함하며,
    상기 캐패시터 본체는, 상기 캐패시터 본체의 양 측면을 연결한 길이가 상기 캐패시터 본체의 양 단면을 연결한 길이 보다 짧고,
    상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자 사이의 간격이 200 내지 400㎛이고,
    상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자와 상기 음극 단자의 면적은 상기 절연 부재의 하면에 대해 60 내지 80%인 탄탈륨 캐패시터.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체와 상기 음극 단자의 실장부 사이에 형성된 도전성 접착층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 도전성 접착층은 에폭시계의 열경화성 수지 및 도전성 금속 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 절연 부재의 하면에서, 상기 양극 단자의 선단에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  15. 제14항에 있어서,상기 양극 단자의 선단에 형성된 홈은 반원 형상이며, 상기 반원 홈의 직경 지름(Ø)은 0.15 내지 0.40 mm인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 캐패시터 본체는 일 측면으로 돌출된 복수의 탄탈 와이어를 갖는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 절연 부재의 두께는 40 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 캐패시터.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160055975A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Apple Inc. Axial lead capacitors
CN111383844B (zh) * 2018-12-26 2022-04-08 株式会社村田制作所 电解电容器
KR102333082B1 (ko) * 2020-01-07 2021-12-01 삼성전기주식회사 탄탈 커패시터
KR20220059151A (ko) * 2020-11-02 2022-05-10 삼성전기주식회사 탄탈 커패시터

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070035912A1 (en) * 2004-04-23 2007-02-15 Hahn Randy S Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US20080247122A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Vishay Sprague, Inc. Capacitor with improved volumetric efficiency and reduced cost
US20090122470A1 (en) * 2005-10-24 2009-05-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20100226071A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20110261504A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic condensers and methods for preparing the same
JP2013131739A (ja) * 2011-11-25 2013-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01175721A (ja) * 1987-12-29 1989-07-12 Hitachi Condenser Co Ltd 電解コンデンサ
US5638253A (en) * 1994-04-28 1997-06-10 Rohm Co. Ltd. Package-type solid electrolytic capacitor
JP2001006978A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Matsuo Electric Co Ltd チップコンデンサ
JP2006173383A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Rohm Co Ltd 固体電解コンデンサ及びこの固体電解コンデンサの基板への実装構造
KR100867503B1 (ko) 2007-01-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR100914890B1 (ko) * 2007-12-17 2009-08-31 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
JP5181236B2 (ja) * 2008-03-19 2013-04-10 松尾電機株式会社 チップ形コンデンサ
KR101067210B1 (ko) 2008-12-08 2011-09-22 삼성전기주식회사 고체 전해 콘덴서
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
KR102138890B1 (ko) * 2013-08-05 2020-07-28 삼성전기주식회사 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070035912A1 (en) * 2004-04-23 2007-02-15 Hahn Randy S Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US20090122470A1 (en) * 2005-10-24 2009-05-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20080247122A1 (en) * 2007-04-06 2008-10-09 Vishay Sprague, Inc. Capacitor with improved volumetric efficiency and reduced cost
US20100226071A1 (en) * 2009-03-03 2010-09-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US20110261504A1 (en) * 2010-04-21 2011-10-27 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic condensers and methods for preparing the same
JP2013131739A (ja) * 2011-11-25 2013-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法

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