KR100914890B1 - 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents
고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법Info
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Abstract
Description
Claims (21)
- 양극의 극성을 갖는 콘덴서 소자;상기 콘덴서 소자의 하부에 삽입 연결되는 양극 와이어;상기 콘덴서 소자의 표면에 형성되는 음극 인출층;상기 콘덴서 소자의 하부 일측에 상기 음극 인출층과 전기적으로 절연되도록 구비되고, 상기 양극 와이어의 돌출된 하부가 삽입되는 삽입부를 갖는 양극 리드 프레임;상기 콘덴서 소자의 하부 타측에 상기 음극 인출층과 전기적으로 연결되도록 구비되는 음극 리드 프레임;상기 콘덴서 소자를 감싸도록 형성되고, 상기 양극 와이어의 하단면과 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 음극 리드 프레임의 하면을 노출시키는 몰딩부;상기 양극 와이어의 노출된 하단면 및 상기 양극 리드 프레임의 하면과 전기적으로 연결되도록 상기 몰딩부에 제공되는 양극 리드 단자; 그리고상기 음극 리드 프레임의 하면과 전기적으로 연결되도록 상기 몰딩부에 제공되는 음극 리드 단자;를 포함하며,상기 양극 리드 프레임은 상기 콘덴서 소자에 절연성 접착제를 통해 본딩되고, 상기 음극 리드 프레임은 상기 콘덴서 소자에 전도성 접착제를 통해 본딩되는 고체 전해 콘덴서.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 양극 리드 프레임과, 상기 음극 리드 프레임은 전도성 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 양극 리드 프레임의 삽입부는, 홀 형태로 형성되거나 또는 상기 음극 리드 프레임 측으로 개구된 홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 음극 인출층은, 상기 콘덴서 소자의 표면에 순차적으로 형성되는 유전체 산화피막층, 고체 전해질층, 그리고 음극 보강층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 양극 리드 단자와 상기 음극 리드 단자는, 무전해 도금 방식으로 형성된 도금층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제6항에 있어서,상기 도금층은, 무전해 니켈 인(Ni/P) 도금으로 형성된 내부 도금층과, 상기 내부 도금층에 구리(Cu) 또는 주석(Sn) 도금으로 형성된 외부 도금층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항에 있어서,상기 양극 와이어는 상기 콘덴서 소자의 중앙에 위치되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- (a) 양극의 극성을 갖는 콘덴서 소자를 형성하는 단계;(b) 상기 콘덴서 소자의 하부에 양극 와이어를 삽입 연결하는 단계;상기 양극 와이어의 돌출된 하부가 상기 콘덴서 소자의 표면에 근접되도록 상기 양극 와이어의 하부를 절단하는 단계;(c) 상기 콘덴서 소자의 표면에 음극 인출층을 형성하는 단계;(d) 상기 양극 와이어의 돌출된 하부를 양극 리드 프레임의 삽입부에 삽입함과 아울러 상기 콘덴서 소자의 하부 일측에 상기 음극 인출층과 전기적으로 절연되도록 양극 리드 프레임을 구비하고, 상기 콘덴서 소자의 하부 타측에 상기 음극 인출층과 전기적으로 연결되도록 음극 리드 프레임을 구비하는 단계;(e) 상기 콘덴서 소자를 감싸도록 몰딩부를 형성하는 단계;(f) 상기 양극 와이어의 하단면과 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 상기 음극 리드 프레임의 하면을 노출시키는 단계; 그리고(g) 상기 양극 와이어의 하단면 및 상기 양극 리드 프레임의 하면과 전기적으로 연결되는 양극 리드 단자를 형성함과 아울러, 상기 음극 리드 프레임의 하면과 전기적으로 연결되는 음극 리드 단자를 형성하는 단계;를 포함하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 삭제
- 제9항에 있어서,상기 양극 와이어의 돌출된 하부를 절단하기 전에 수행되고, 상기 양극 와이어의 표면을 절연 코팅하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 양극 와이어의 하부는 자외선(UV) 레이저에 의해 절단되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 음극 인출층은, 상기 콘덴서 소자의 표면에 유전체 산화피막층, 고체 전해질층, 그리고 음극 보강층을 순차적으로 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 (d) 단계에서,상기 양극 리드 프레임은 상기 콘덴서 소자에 절연성 접착제를 통해 본딩되고, 상기 음극 리드 프레임은 상기 콘덴서 소자에 전도성 접착제를 통해 본딩되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 양극 리드 프레임 또는 상기 음극 리드 프레임을 상기 콘덴서 소자에 압착할 경우, 상기 양극 리드 프레임 또는 상기 음극 리드 프레임에 열을 가하여 상기 절연성 접착제 또는 상기 전도성 접착제를 반경화한 상태에서 상기 콘덴서 소자와 상기 각 리드 프레임 간의 본딩 위치를 조정한 후 상기 절연성 접착제 또는 상기 전도성 접착제를 완전 경화하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 (e) 단계에서,상기 몰딩부는 상기 양극 와이어와 상기 양극 리드 프레임 및 상기 음극 리드 프레임을 밀봉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 몰딩부는 에폭시 계열의 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 (f) 단계는, 상기 몰딩부를 다이싱하여 상기 양극 와이어의 하단면과 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 상기 음극 리드 프레임의 하면을 노출시키는 단계인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 다이싱된 부위는 그라인딩(grinding) 또는 폴리싱(polishing) 또는 샌드 블라스팅(sand blasting)되는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 (g) 단계는, 상기 양극 와이어의 노출된 하단면과 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 이에 인접된 몰딩부에 무전해 도금 방식으로 도금층을 형성하여 양극 리드 단자를 형성함과 아울러, 상기 음극 리드 프레임의 하면 및 이에 인접된 몰딩부에 무전해 도금 방식으로 도금층을 형성하여 음극 리드 단자를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
- 제20항에 있어서,상기 도금층은, 무전해 니켈 인(Ni/P) 도금으로 내부 도금층을 형성한 후 상기 내부 도금층에 구리(Cu) 또는 주석(Sn) 도금으로 외부 도금층을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
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---|---|---|---|---|
US8379369B2 (en) * | 2006-09-25 | 2013-02-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Base material for solid electrolytic capacitor, capacitor using the base material, and method for manufacturing the capacitor |
EP2212254B1 (en) * | 2007-11-13 | 2017-01-11 | Voltea Limited | Water purification device |
JP4868601B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-02-01 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5020052B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-09-05 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2009170897A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2009164412A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Kobe Steel Ltd | 多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサ |
CN100528418C (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极 |
US7929274B2 (en) * | 2008-04-03 | 2011-04-19 | Kemet Electronics Corporation | Capacitor with sacrificial lead wire configuration and improved manufacturing method thereof |
KR101009850B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2011-01-19 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
US8345406B2 (en) * | 2009-03-23 | 2013-01-01 | Avx Corporation | Electric double layer capacitor |
TWI421888B (zh) * | 2010-03-05 | 2014-01-01 | Apaq Technology Co Ltd | 具有多端產品引出腳之堆疊式固態電解電容器 |
JP5796193B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP5796194B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
EP2608231A1 (en) | 2011-12-21 | 2013-06-26 | Henkel AG & Co. KGaA | Electric component |
KR20150049920A (ko) * | 2013-10-31 | 2015-05-08 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 |
KR102109635B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2020-05-12 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
KR102089698B1 (ko) * | 2014-05-07 | 2020-03-16 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
US20160020031A1 (en) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
US20160027593A1 (en) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composite electronic component and board having the same |
KR102068807B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 캐패시터 |
US11170940B2 (en) * | 2019-05-17 | 2021-11-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Tantalum capacitor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256222A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0590095A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
KR20030069886A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 고체 전해질 캐패시터 및 그 제조방법 |
JP2005244177A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-09-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590088A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US5390074A (en) * | 1991-09-30 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
US5469324A (en) * | 1994-10-07 | 1995-11-21 | Storage Technology Corporation | Integrated decoupling capacitive core for a printed circuit board and method of making same |
JP2002025860A (ja) | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Nichicon Corp | チップ状コンデンサ |
JP4539948B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2010-09-08 | ローム株式会社 | コンデンサの製造方法 |
JP2004014639A (ja) | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US7450366B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-11-11 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
-
2007
- 2007-12-17 KR KR1020070132564A patent/KR100914890B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-01-08 US US12/007,191 patent/US7619875B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256222A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH0590095A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
KR20030069886A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤 | 고체 전해질 캐패시터 및 그 제조방법 |
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