JP2015216346A - タンタルキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
タンタルキャパシタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015216346A JP2015216346A JP2014218098A JP2014218098A JP2015216346A JP 2015216346 A JP2015216346 A JP 2015216346A JP 2014218098 A JP2014218098 A JP 2014218098A JP 2014218098 A JP2014218098 A JP 2014218098A JP 2015216346 A JP2015216346 A JP 2015216346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- lead frame
- capacitor
- electrode lead
- capacitor body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/26—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices with each other
Abstract
【課題】本発明は、タンタルキャパシタ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、上記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、上記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、上記キャパシタ本体が実装され、上記キャパシタ本体の長さ方向に相互離隔して配置された第1及び第2負極リードフレームと、上記第1負極リードフレームと第2負極リードフレームとの間に配置され、上記タンタルワイヤの非挿入領域と接続された正極リードフレームと、上記キャパシタ本体及び上記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、上記第1及び第2負極リードフレームの少なくとも一端部と上記正極リードフレームの少なくとも一端部が幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタを提供する。
【選択図】図2
【解決手段】本発明は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、上記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、上記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、上記キャパシタ本体が実装され、上記キャパシタ本体の長さ方向に相互離隔して配置された第1及び第2負極リードフレームと、上記第1負極リードフレームと第2負極リードフレームとの間に配置され、上記タンタルワイヤの非挿入領域と接続された正極リードフレームと、上記キャパシタ本体及び上記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、上記第1及び第2負極リードフレームの少なくとも一端部と上記正極リードフレームの少なくとも一端部が幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタを提供する。
【選択図】図2
Description
本発明は、タンタルキャパシタ及びその製造方法に関する。
タンタル(tantalum:Ta)素材は、融点が高く、延性及び耐腐食性などに優れるという機械的または物理的特徴により、電気、電子、機械及び化学工業をはじめ、宇宙及び軍事分野など産業全般にわたって広範囲に用いられる金属である。
このようなタンタル素材は、安定した陽極酸化皮膜を形成させることができるという特性により、小型キャパシタの素材として広く用いられており、最近では、電子及び情報通信などのIT産業の急激な発展により、毎年、その使用量が急増している。
最近、マイクロプロセッサは、高機能及び多機能化によりトランジスタの集約度が高くなり、消費電流は増加する傾向にあり、電源電圧は消費電力の節減により低電圧化している。また、駆動周波数は、処理速度の向上により高周波数化が進んでいる。
このことから、マイクロプロセッサの電源には、di/dtの大きい過渡電流が流れ、過渡電流とデカップリングキャパシタのESL(Equivalent Serial Inductance;等価直列インダクタンス)によって、電源電圧の変動を誘発するようになった。
また、電源電圧の低電圧化によって信号波の振幅も小さくなるため、上記マイクロプロセッサの場合、上記電源電圧の変動が信号波の閾値電圧を超えると、誤動作を起こす恐れがある。
通常、上記電源電圧の変動は、キャパシタのESLを下げることで低下させることができ、上記タンタル素材を用いた小型キャパシタにおいても、上記低ESLに対する研究が必要である。
本発明の目的は、ESLが改善されたタンタルキャパシタ及びその製造方法を提供することである。
本発明の一実施形態は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体のタンタルワイヤが実装面に露出した構造であって、上記タンタルワイヤが接続される正極リードフレームを介して2つの負極リードフレームを配置し、それぞれのリードフレームは、上記キャパシタ本体の同じ側面を通じて引き出されるタンタルキャパシタを提供する。
本発明の他の実施形態は、タンタル粉末を含むキャパシタ本体のタンタルワイヤが実装面に露出した構造であって、上記タンタルワイヤが接続される正極リードフレームを介して、2つの負極リードフレームが上記正極リードフレームと交差する方向に離隔して配置され、上記正極リードフレームの両端部は、モールディング部の幅方向の両側面を通じてそれぞれ引き出され、上記2つの負極リードフレームの一端部は、対向するモールディング部の長さ方向の両側面を通じて引き出されるタンタルキャパシタを提供する。
本発明の一実施形態によると、正極リードフレームから負極リードフレームに連結される電流ループ(current loop)の長さを最小化することにより、タンタルキャパシタの電気抵抗特性であるESLを低減させることができる。
本発明の多様、且つ有益な長所及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解できるであろう。
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
図1は本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図2は図1のA−A’線の断面図であり、図3a〜図3dは本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
図1〜図3aを参照すると、本実施形態によるタンタルキャパシタは、キャパシタ本体10と、タンタルワイヤ11と、第1及び第2負極リードフレーム31、32と、正極リードフレーム21と、モールディング部50と、を含む。
キャパシタ本体10はタンタル材質を用いて形成され、負極として作用する。
キャパシタ本体10は、多孔質のバルブ金属体からなり、上記多孔質のバルブ金属体の表面に誘電体層、固体電場質層及び負電極層を順次形成して作製することができる。
例えば、キャパシタ本体10は、タンタル粉末とバインダーを一定比率で混合して攪拌し、このように混合した粉末を圧縮して直方体に成形した後、高温及び高振動下で焼結させて作製することができる。
より具体的には、タンタルキャパシタ(Tantalum Capacitor)は、タンタル粉末(Tantalum Powder)を焼結して固めたときに生じる隙間を利用する構造であって、キャパシタ本体10は、タンタルの表面に正極酸化法を用いて、酸化タンタル(Ta2O5)を形成し、この酸化タンタルを誘電体としてその上に電解質である二酸化マンガン層(MnO2)または導電性高分子層を形成し、上記二酸化マンガン層または導電性高分子層上にカーボン層及び金属層を形成して作製することができる。
このとき、キャパシタ本体10は、必要に応じて、表面にカーボン及び銀(Ag)が塗布されてもよい。
上記カーボンは、キャパシタ本体10の表面の接触抵抗を低減させるためのもので、上記銀(Ag)は、第1及び第2負極リードフレーム31、32の接続時の電気連結性を向上させるためのものである。
以下、本実施形態では、説明の便宜のために、キャパシタ本体10の実装面を下面1、下面1と厚さ方向に対向する面を上面2、キャパシタ本体10の長さ方向両端の両側面を第1及び第2側面3、4、第1及び第2側面3、4と垂直に交差し、対向するキャパシタ本体10の幅方向両端の面を第3及び第4側面5、6と定義する。
タンタルワイヤ11は正極として作用する。
タンタルワイヤ11は、キャパシタ本体10の内部に位置する挿入領域11bと、キャパシタ本体10の下面から下側に突出する非挿入領域11aと、を含む。
また、タンタルワイヤ11は、上記タンタル粉末とバインダーを混合した粉末を圧縮する前に、上記タンタル粉末とバインダーの混合物に挿入して装着することができる。
即ち、キャパシタ本体10は、バインダーを混合したタンタル粉末にタンタルワイヤ11を挿入装着して、所望するサイズのタンタル素子を成形した後、上記タンタル素子を約1000〜2000℃の高真空(10−5torr以下)雰囲気で、30分程度焼結させて作製することができる。
第1及び第2負極リードフレーム31、32は、キャパシタ本体10の長さ方向に沿って離隔して配置され、グラウンド端子として機能することができる。
また、第1及び第2負極リードフレーム31、32は、キャパシタ本体10が同時に実装される中央の第1及び第2実装部31c、32cと、モールディング部50の第3及び第4側面5、6を通じて引き出される第1負極端子部31a、31b及び第2負極端子部32a、32bを含む。
このとき、第1及び第2負極端子部31a、31b、32a、32bは、モールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長形成されてもよい。
また、第1及び第2負極リードフレーム31、32の第1及び第2実装部31c、32cとキャパシタ本体10との間には、導電性接着層40が配置されれもよい。
導電性接着層40は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして形成することができ、本発明はこれに限定されない。
また、上記金属粉末は、銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)の少なくとも1つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
正極リードフレーム21は、第1負極リードフレーム31と第2負極リードフレーム32との間にキャパシタ本体10の幅方向に沿って長く配置される。
また、正極リードフレーム21は、一部がモールディング部50の第3及び第4側面5、6を通じてそれぞれ露出する第1及び第2正極端子部21a、21bと、モールディング部50内でタンタルワイヤ11の非挿入領域11aと接続されるワイヤ接続部21cと、を含む。
このとき、第1及び第2正極端子部21a、21bは、モールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長形成されてもよい。
また、ワイヤ接続部21cには、タンタルワイヤ11の非挿入領域11aが貫通して嵌合されるように結合孔22が形成されてもよい。
このとき、結合孔22には、タンタルワイヤ11の非挿入領域11aが接合されるように導電性接着層40がさらに形成されてもよい。
導電性接着層40は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂及び金属粉末を含む導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして形成してもよいが、本発明はこれに限定されない。
また、上記金属粉末は、銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)の少なくとも1つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
モールディング部50は、キャパシタ本体10を囲むようにEMC(エポキシモールディングコンパウンド;epoxy molding compound)などの樹脂をトランスファーモールディング(transfer molding)して形成することができる。
この時、モールディング部50は、第1及び第2負極リードフレーム31、32の第1及び第2負極端子部31a、31b、32a、32bと正極リードフレーム21の第1及び第2正極端子部21a、21bの一部が、第3及び第4側面5、6を通じて露出するように形成される。
このようなモールディング部50は、タンタルワイヤ11及びキャパシタ本体10を外部から保護する役割を担うだけでなく、キャパシタ本体10と正極リードフレーム21を互いに絶縁させる役割も担う。
本実施形態では、正極リードフレームと負極リードフレームがタンタルキャパシタの同じ側面を通じて引き出されており、2つの負極リードフレームの間に正極リードフレームが近接して配置されるため、正極リードフレームから負極リードフレームに形成される電流ループ(CL、current loop)の長さが最小化され、タンタルキャパシタの高周波特性を支配するESLを低減させることができる効果がある。さらに、負極リードフレームの間に正極リードフレームが近接して配置されるため、負極リードフレームと正極リードフレームの間に相互インダクタンス(mutual inductance)が作用し高周波電流の相殺効果によりESLを低減させることができる。
また、本実施形態のタンタルキャパシタは、1つのキャパシタ素子と1つの正極リードフレームからなるため、従来のタンタルキャパシタの製造工法への適用が容易で、小型化にも有利である。
以下、本発明の一実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を説明する。
図3a及び図3bを参照すると、まず、幅方向に長く形成された第1及び第2ワイヤ接続部21a、21bを有する正極リードフレーム21を介して、その両側に第1及び第2負極リードフレーム31、32を配置する。
次いで、タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤ11を有するキャパシタ本体10を用意する。
その後、タンタルワイヤ11を正極リードフレーム21のワイヤ接続部21cに接続させる。
このとき、ワイヤ接続部21cに結合孔22を形成し、タンタルワイヤ11を結合孔22に嵌合した後、導電性接着剤を利用して固定させることができる。
そして、キャパシタ本体10を第1及び第2負極リードフレーム31、32の第1及び第2実装部31c、32c上に同時に実装する。
このとき、キャパシタ本体10を第1及び第2負極リードフレーム31、32上に実装する前に、第1及び第2負極リードフレーム31、32の第1及び第2実装部31c、32c上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層40を形成してもよい。
上記導電性接着剤はエポキシ系の熱硬化性樹脂及び導電性金属粉末を含んで構成されてもよく、当該導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして導電性接着層40を形成する。
このとき、上記導電性金属粉末としては、銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)の少なくとも1つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
次に、図3c及び図3dを参照すると、キャパシタ本体10を囲むようにEMC(エポキシモールディングコンパウンド;epoxy molding compound)などの樹脂をトランスファーモールディング(transfer molding)してモールディング部50を形成する。
このとき、第1及び第2負極リードフレーム31、32の両端部と正極リードフレーム21の両端部がモールディング部50の第3及び第4側面5、6を通じて露出するようにモールディング作業を行う。
ここで、モールドの温度は170℃程度にし、EMCモールディングのための上記温度及びその他の条件は、使用されるEMCの成分と形状に応じて適宜調節できる。
また、モールディング後には、必要に応じて、密閉されたオーブンやリフロー硬化条件で、約160℃の温度で、30〜60分間硬化を行うことができる。
モールディング部50を形成する作業が完了すると、モールディング過程で発生したフラッシュ(flash)を除去するためのデフラッシュ工程をさらに行ってもよい。
そして、後続工程として、必要に応じて、エージング工程をさらに行ってもよい。
上記エージング工程は、組立工程中に発生する電気的なバラツキを低減する作用をする。
次いで、第1及び第2負極リードフレーム31、32の両端部をモールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2負極端子部31a、31b、32a、32bを形成し、正極リードフレーム21のうちモールディング部50の第3及び第4側面5、6に露出した部分をモールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2正極端子部21a、21bを形成する。
一方、図4a〜4cに示されたように、第1及び第2負極リードフレーム31、32の両端部をモールディング部50の第3及び第4側面5、6から図面上の上面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2負極端子部31a、31b、32a、32bを形成し、正極リードフレーム21のうちモールディング部50の第3及び第4側面5、6に露出した部分をモールディング部50の第3及び第4側面5、6の図面上の上面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2正極端子部21a、21bを形成することができる。その後、モールディング部50を逆転させて正極リードフレーム及び負極リードフレームが形成された面1が実装面となるようにして使用する。この場合、正極リードフレーム及び負極リードフレームのうちモールディング部50の幅方向両端の両側面5、6に形成される部分の高さを高くすることができる。
図5は、本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシタのキャパシタ本体、タンタルワイヤ、正極リードフレーム、及び第1及び第2負極リードフレームを示した分解斜視図である。
ここで、上述した一実施形態と類似する部分については、重複を避けるために、その具体的な説明を省略し、上述した実施形態と異なる構造を有する複数のキャパシタ本体について具体的に説明する。また、キャパシタ本体の方向と各面に対する定義は、上述の図1を参照する。
図5を参照すると、本発明の他の実施形態のタンタルキャパシタは、複数のキャパシタ本体10、12がモールディング部50の幅方向に所定の間隔離隔して配置されてもよい。
この場合、離隔配置された複数のキャパシタ本体に電流が分散されて流れるため、ESR(等価直列抵抗)が低減し、より大きいリップル電流(ripple current、直流の電流に重なった交流分)を許容することができる。また、複数のキャパシタ本体を配置することにより、容量を形成する領域となる表面積が大きくなり、より高い静電容量を得ることができる。
このとき、それぞれのキャパシタ本体10、12は、タンタルワイヤ11、13をそれぞれ有し、複数のタンタルワイヤは、それぞれ挿入領域と非挿入領域を含む。
ここで、キャパシタ全体のチップサイズを等しくするために、それぞれのキャパシタ本体の幅は、上述の一実施形態におけるキャパシタ本体の幅の1/2未満であってもよいが、本発明はこれに限定されず、上述の一実施形態のキャパシタ本体と同じ幅のキャパシタ本体を使用し、全体チップの幅が増加するように構成することもできる。
また、それぞれのキャパシタ本体10、12は、同じ容量または異なる容量を具現するように形成されてもよい。
また、本実施形態では、2つのキャパシタ本体を図示し説明しているが、本発明はこれに限定されず、必要に応じて、3つ以上のキャパシタ本体をモールディング部の幅方向に離隔配置して構成することもできる。
図面符号22a及び22bは、それぞれのタンタルワイヤ11、13の非挿入領域が貫通結合される結合孔である。
このとき、2つのキャパシタ本体10、12には、逆方向の電流が発生するため、相互インダクタンスの作用を通じてESLをさらに低減させることができる。
図6は本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図7は図6のA−A’線の断面図であり、図8a〜図8dは本発明のさらに他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を示した斜視図である。
ここで、上述した一実施形態と類似する部分については、重複を避けるために、その具体的な説明を省略し、上述した実施形態と異なる構造について具体的に説明する。
図6〜図8aを参照すると、本実施形態によるタンタルキャパシタは、キャパシタ本体10と、タンタルワイヤ11と、第1及び第2負極リードフレーム33、34と、正極リードフレーム21と、モールディング部50と、を含む。
正極リードフレーム21は、キャパシタ本体10の幅方向に沿って長く配置される。
また、正極リードフレーム21は、一部がモールディング部50の第3及び第4側面5、6を通じてそれぞれ露出する第1及び第2正極端子部21a、21bと、モールディング部50内でタンタルワイヤ11の非挿入領域11aと接続されるワイヤ接続部21cと、を含む。
このとき、第1及び第2正極端子部21a、21bは、モールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長形成されてもよい。
また、ワイヤ接続部21cには、タンタルワイヤ11の非挿入領域11aが貫通して嵌合されるように結合孔22が形成されてもよい。
この際、結合孔22には、タンタルワイヤ11の非挿入領域11aが接合されるように導電性接着層40がさらに形成されてもよい。
第1及び第2負極リードフレーム33、34は、正極リードフレーム21を介してキャパシタ本体10の長さ方向に沿って相互離隔され、キャパシタ本体10の長さ方向に沿って長く配置され、グランド端子として機能することができる。
また、第1及び第2負極リードフレーム33、34は、キャパシタ本体10が同時に実装される第1及び第2実装部33b、34bと、モールディング部50の長さ方向両端の第1及び第2側面3、4を通じてそれぞれ引き出される第1及び第2負極端子部33a、34aと、を含む。
このとき、第1及び第2負極端子部33a、34aは、モールディング部50の長さ方向両端の第1及び第2側面3、4から下面1の一部まで延長形成されてもよい。
また、第1及び第2負極リードフレーム33、34の第1及び第2実装部33b、34bとキャパシタ本体10との間には、導電性接着層40が配置されてもよい。
モールディング部50は、キャパシタ本体10を囲むようにEMC(エポキシモールディングコンパウンド;epoxy molding compound)などの樹脂をトランスファーモールディング(transfer molding)して形成することができる。
このとき、モールディング部50は、第1及び第2負極リードフレーム33、34の第1及び第2負極端子部33a、34aは長さ方向両端の第1及び第2側面3、4を通じてそれぞれ露出するようにし、正極リードフレーム21の第1及び第2正極端子部21a、21bは幅方向両端の第3及び第4側面5、6を通じて露出するように形成される。
このようなモールディング部50は、タンタルワイヤ11及びキャパシタ本体10を外部から保護する役割を担うだけでなく、キャパシタ本体10と正極リードフレーム21を絶縁させる役割も担う。
本実施形態では、正極リードフレーム及び負極リードフレームがそれぞれ異なる側面に導出されて形成されるため、電流が分散されて流れ、電流ループ(CL、current loop)の長さが最小化されてタンタルキャパシタの高周波特性を支配するESLを低減させることができるという効果があり、また、製品の小型化にも有利である。
また、本実施形態のタンタルキャパシタは、1つのキャパシタ素子と1つの正極リードフレームからなるため、従来のタンタルキャパシタの製造工法への適用が容易で、小型化にも有利である。
以下、本発明の他の実施形態によるタンタルキャパシタの製造方法を説明する。
図8a及び図8bを参照すると、まず、幅方向に長く形成された第1及び第2正極端子部21a、21bを有する正極リードフレーム21を介して、その両側に第1及び第2負極リードフレーム33、34を正極リードフレーム21と交差する方向に対向配置する。
次いで、タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤ11を有するキャパシタ本体10を用意する。
それから、タンタルワイヤ11を正極リードフレーム21のワイヤ接続部21cに接続させる。
このとき、ワイヤ接続部21cに結合孔22を形成し、タンタルワイヤ11を結合孔22に嵌合した後、導電性接着剤を利用して固定させることができる。
そして、キャパシタ本体10を第1及び第2負極リードフレーム33、34の第1及び第2実装部33b、34b上に同時に実装する。
このとき、キャパシタ本体10を第1及び第2負極リードフレーム33、34上に実装する前に、第1及び第2負極リードフレーム33、34の第1及び第2実装部33b、34b上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層40を形成してもよい。
上記導電性接着剤はエポキシ系の熱硬化性樹脂及び導電性金属粉末を含んで構成されてもよく、当該導電性接着剤を一定量ディスペンシングまたはドッティングして導電性接着層40を形成する。
また、上記導電性金属粉末としては、銀(Ag)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)及び銅(Cu)の少なくとも1つを含んでもよいが、本発明はこれに限定されない。
次に、図8c及び図8dを参照すると、キャパシタ本体10を囲むようにEMC(エポキシモールディングコンパウンド;epoxy molding compound)などの樹脂をトランスファーモールディング(transfer molding)してモールディング部50を形成する。
このとき、第1及び第2負極リードフレーム33、34の両端部は、モールディング部50の長さ方向両端の第1及び第2側面3、4を通じてそれぞれ露出するようにし、正極リードフレーム21の両端部は、モールディング部50の幅方向両端の第3及び第4側面5、6を通じて露出するようにモールディング作業を行う。
その後、モールディング部50を形成する作業が完了すると、モールディング過程で発生したフラッシュ(flash)を除去するためのデフラッシュ工程をさらに行ってもよい。
そして、後続工程として、必要に応じて、エージング工程をさらに行ってもよい。
次いで、第1及び第2負極リードフレーム33、34の両端部をモールディング部50の長さ方向両端の第1及び第2側面3、4から下面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2負極端子部33a、34aを形成し、正極リードフレーム21のうちモールディング部50の幅方向両端の第3及び第4側面5、6に露出した部分をモールディング部50の第3及び第4側面5、6から下面1の一部まで延長されるように曲げて、第1及び第2正極端子部21a、21bを形成する。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
10、12 キャパシタ本体
11、13 タンタルワイヤ
21 正極リードフレーム
31、33 第1負極リードフレーム
32、34 第2負極リードフレーム
40 導電性接着層
50 モールディング部
11、13 タンタルワイヤ
21 正極リードフレーム
31、33 第1負極リードフレーム
32、34 第2負極リードフレーム
40 導電性接着層
50 モールディング部
Claims (22)
- タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、前記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、
前記キャパシタ本体が実装され、前記キャパシタ本体の長さ方向に相互離隔して配置された第1及び第2負極リードフレームと、
前記第1負極リードフレームと第2負極リードフレームとの間に配置され、前記タンタルワイヤの非挿入領域と接続された正極リードフレームと、
前記キャパシタ本体及び前記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、前記第1及び第2負極リードフレームの少なくとも一端部と前記正極リードフレームの少なくとも一端部が幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタ。 - 前記キャパシタ本体と前記第1及び第2負極リードフレームとの間に配置された導電性接着層をさらに含む、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記正極リードフレームに、前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔が形成される、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記正極リードフレームの前記結合孔上に導電性接着層が配置される、請求項3に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記キャパシタ本体と前記正極リードフレームは、前記モールディング部によって絶縁される、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。
- 複数のキャパシタ本体が前記モールディング部の幅方向に沿って離隔して配置される、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記複数のキャパシタ本体が同じ容量を具現する、請求項6に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記複数のキャパシタ本体が異なる容量を具現する、請求項6に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記第1及び第2負極リードフレームの露出した一端部と、前記正極リードフレームの露出した一端部が前記モールディング部の幅方向の一側面から実装面の一部まで延長形成される、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記第1及び第2負極リードフレームの両端部と前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面を通じて露出し、
前記第1及び第2負極リードフレームの両端部と前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成される、請求項1に記載のタンタルキャパシタ。 - タンタル粉末を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の内部に位置する挿入領域と、前記キャパシタ本体の実装面から外部に突出する非挿入領域を有するタンタルワイヤと、
前記キャパシタ本体の下側において前記キャパシタ本体の幅方向に沿って配置され、前記タンタルワイヤの非挿入領域と接続される正極リードフレームと、
前記キャパシタ本体の下側において前記正極リードフレームを介して前記キャパシタ本体の長さ方向に沿って相互離隔して配置された第1及び第2負極リードフレームと、
前記キャパシタ本体及び前記タンタルワイヤの非挿入領域を囲み、前記第1及び第2負極リードフレームの端部が長さ方向の両側面を通じてそれぞれ露出し、前記正極リードフレームの両端部は幅方向の両側面を通じて露出するように形成されるモールディング部と、を含むタンタルキャパシタ。 - 前記キャパシタ本体と前記第1及び第2負極リードフレームとの間に配置された導電性接着層をさらに含む、請求項11に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記正極リードフレームに、前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔が形成される、請求項11に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記正極リードフレームの前記結合孔上に導電性接着層が配置される、請求項13に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記キャパシタ本体と前記正極リードフレームは、前記モールディング部によって絶縁される、請求項11に記載のタンタルキャパシタ。
- 前記第1及び第2負極リードフレームの露出した端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成され、
前記正極リードフレームの露出した両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面から実装面の一部までそれぞれ延長形成される、請求項11に記載のタンタルキャパシタ。 - 正極リードフレームを配置し、前記正極リードフレームを介してその両側に第1及び第2負極リードフレームを配置する段階と、
タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤを有するキャパシタ本体を用意する段階と、
前記タンタルワイヤを前記正極リードフレームに接続させた状態で、前記キャパシタ本体を前記第1及び第2負極リードフレーム上に同時に実装する段階と、
前記キャパシタ本体を絶縁性素材でモールディングするが、前記第1及び第2負極リードフレームの少なくとも一端部と前記正極リードフレームの少なくとも一端部が前記キャパシタ本体の幅方向の両側面を通じて引き出されるようにモールディング部を形成する段階と、
前記第1及び第2負極リードフレームの露出した端部と、前記正極リードフレームの露出した端部を前記モールディング部の同じ側面から実装面の一部まで延長されるように曲げる段階と、を含むタンタルキャパシタの製造方法。 - 前記キャパシタ本体を前記第1及び第2負極リードフレーム上に実装する前に、前記第1及び第2負極リードフレーム上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層を形成する段階を行う、請求項17に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
- 前記正極リードフレームに前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔を形成し、前記タンタルワイヤを前記結合孔に嵌合した後、導電性接着剤で固定させる、請求項17に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
- 正極リードフレームを配置し、前記正極リードフレームを介してその両側に前記正極リードフレームと交差する方向に第1及び第2負極リードフレームを配置する段階と、
タンタル粉末を含み、下側に露出したタンタルワイヤを有するキャパシタ本体を用意する段階と、
前記タンタルワイヤを前記正極リードフレームに接続させた状態で、前記キャパシタ本体を前記第1及び第2負極リードフレーム上に同時に実装する段階と、
前記キャパシタ本体を絶縁性素材でモールディングしてモールディング部を形成するが、前記第1及び第2負極リードフレームの一端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面をそれぞれ引き出されるようにし、前記正極リードフレームの両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面を通じてそれぞれ引き出されるようにする段階と、
前記第1及び第2負極リードフレームの露出した一端部が前記モールディング部の長さ方向の両側面からそれぞれ実装面の一部まで延長されるように曲げ、前記正極リードフレームの露出した両端部が前記モールディング部の幅方向の両側面からそれぞれ実装面の一部まで延長されるように曲げる段階と、を含むタンタルキャパシタの製造方法。 - 前記キャパシタ本体を前記第1及び第2負極リードフレーム上に実装する前に、前記第1及び第2負極リードフレーム上に導電性接着剤を塗布して導電性接着層を形成する段階を行う、請求項20に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
- 前記正極リードフレームに前記タンタルワイヤが貫通結合されるように結合孔を形成し、前記タンタルワイヤを前記結合孔に嵌合した後、導電性接着剤で固定させる、請求項20に記載のタンタルキャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140054243A KR20150127440A (ko) | 2014-05-07 | 2014-05-07 | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조방법 |
KR10-2014-0054243 | 2014-05-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216346A true JP2015216346A (ja) | 2015-12-03 |
Family
ID=54752939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014218098A Abandoned JP2015216346A (ja) | 2014-05-07 | 2014-10-27 | タンタルキャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015216346A (ja) |
KR (1) | KR20150127440A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115346799A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-15 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种防反接贴片钽电解电容器 |
-
2014
- 2014-05-07 KR KR1020140054243A patent/KR20150127440A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-10-27 JP JP2014218098A patent/JP2015216346A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115346799A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-15 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种防反接贴片钽电解电容器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150127440A (ko) | 2015-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7320924B2 (en) | Method of producing a chip-type solid electrolytic capacitor | |
US7359181B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
US9653205B2 (en) | Electrode structure and the corresponding electrical component using the same and the fabrication method thereof | |
US10475589B2 (en) | Tantalum capacitor including an anode lead frame having a bent portion and method of manufacturing the same | |
JP2010135715A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US20160020031A1 (en) | Composite electronic component and board having the same | |
US9953769B2 (en) | Composite electronic component and board having the same | |
US20170196092A1 (en) | Composite electronic component and board having the same | |
US20160027593A1 (en) | Composite electronic component and board having the same | |
US9576740B2 (en) | Tantalum capacitor | |
KR20150031759A (ko) | 고체 전해 캐패시터 | |
KR101761941B1 (ko) | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
US9837218B2 (en) | Composite electronic component and manufacturing method thereof | |
KR101548865B1 (ko) | 탄탈륨 캐패시터 | |
US9330852B2 (en) | Tantalum capacitor and method of manufacturing the same | |
JP2015216346A (ja) | タンタルキャパシタ及びその製造方法 | |
US9336956B2 (en) | Tantalum capacitor and method of manufacturing the same | |
KR102064017B1 (ko) | 고체 전해 캐패시터 | |
KR20150053425A (ko) | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
US10199174B2 (en) | Tantalum capacitor | |
JP2015216347A (ja) | タンタルキャパシタ | |
KR102089698B1 (ko) | 탄탈륨 캐패시터 | |
KR20160002624A (ko) | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR20160035513A (ko) | 탄탈륨 커패시터 | |
JP2006024967A (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151214 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20160926 |