KR20160054809A - 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 탄탈 와이어와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 양극 리드 프레임 및 상기 캐패시터 본체의 일면에 배치되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 음극 리드 프레임을 포함하고, 상기 양극 리드 프레임은 상기 탄탈 와이어와 연결되는 도금부 및 상기 도금부와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 전극판을 포함한다.

Description

탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법{TANTALUM CAPACITOR AND METHOD OF PREPARING THE SAME}
본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.
이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하는 실정이다.
캐패시터는 일반적으로 전기를 일시적으로 저장하는 축전기를 말하며, 서로 절연된 2개의 평판 전극을 접근시켜 양극 사이에 유전체를 끼워 넣고 인력에 의해 전하를 대전하여 축적하는 부품으로, 두 개의 도체로 둘러싸인 공간에 전하와 전계를 가둬 정전 용량을 얻고자 할 때 이용된다.
상기 탄탈륨 소재를 이용하는 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 및 Polymer 층을 형성하며, 상기 이산화망간층 및 Polymer 층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 본체를 형성하며, 인쇄회로기판(PCB)의 실장을 위하여, 상기 본체에 양극 및 음극 리드 프레임을 형성하고 몰딩부를 형성하여 완성하게 된다.
탄탈륨 캐패시터의 탄탈 와이어를 탄탈 캐패시터가 실장되는 기판의 전극과 연결하기 위해 상기 탄탈 와이어를 양극 리드 프레임과 연결해야한다. 이 때, 양극 리드 프레임과 탄탈 와이어가 접합하도록 도출된 부분을 입상부라고 하는 데, 이는 양극 리드 프레임에 전극을 용접하여 제작된다. 탄탈 캐패시터가 소형화됨에 따라 용접공정에 따른 불량률이 높아지고 제작 비용이 증가하는 문제가 있다.
하기 선행기술문헌은 탄탈 캐패시터의 입상부를 용접공정을 통해 제작하는 기술이 소개되어 있다.
한국공개특허공보 제2014-0021256호
본 발명은 양극 리드 프레임를 용접 공정 없이 형성할 수 있고, 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 일체로 형성할 수 있어 제조 공정이 단순하여 불량 발생을 감소할 수 있으며, 제품 특성을 향상 시킬 수 있고, 제조 비용을 줄일 수 있으며, 제품 소형화가 가능한 탄탈륨 캐패시터를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터는, 탄탈 와이어와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 양극 리드 프레임 및 상기 캐패시터 본체의 일면에 배치되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 음극 리드 프레임을 포함하고, 상기 양극 리드 프레임은 상기 탄탈 와이어와 연결되는 도금부 및 상기 도금부와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 전극판을 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법은, 도전성 박막을 절삭 및 압착하여 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 형성하는 단계 및 양극 리드 프레임의 일면에 전주 도금법을 이용하여 도금부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터는 양극 리드 프레임을 용접 공정 없이 형성할 수 있고, 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 일체로 형성할 수 있어 제조 공정이 단순하여 불량 발생을 감소할 수 있으며, 제품 특성을 향상 시킬 수 있고, 제조 비용을 줄일 수 있으며, 제품 소형화가 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터의 투명 사시도이다.
도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터를 AA'를 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법의 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
탄탈륨 캐패시터
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(100)의 투명 사시도이고, 도 2는 도 1의 탄탈륨 캐패시터(100)를 AA'를 따라 절단한 단면도이다. 도 1 및 도 2에서는 탄탈륨 캐패시터(100)의 길이 방향(L), 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)이 정의되어 있으며, 이에 따라 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(100)를 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(100)는, 캐패시터 본체(110), 상기 캐패시터 본체(110)의 일면에 배치된 탄탈 와이어(120), 상기 캐패시터 본체(110) 및 탄탈 와이어(120)를 둘러싸도록 배치된 몰딩부(150), 상기 탄탈 와이어(120)와 연결되고 상기 몰딩부(150)의 일면으로 노출되는 양극 리드 프레임(130) 및 상기 캐패시터 본체(110)의 일면에 배치되고 상기 몰딩부(150)의 일면으로 노출되는 음극 리드 프레임(140)을 포함한다. 이때, 상기 양극 리드 프레임(130)은 상기 탄탈 와이어(120)와 연결되는 도금부(131) 및 상기 도금부(131)와 연결되고 상기 몰딩부(150)의 일면으로 노출되는 전극판(132)을 포함한다.
캐패시터 본체(110)는 탄탈 재질을 이용하여 형성되며, 일 예로서 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.
캐패시터 본체(110)의 일면에는 탄탈 와이어(120)가 배치된다. 도 1 및 2를 참조하면, 탄탈 와이어(120)는 캐패시터 본체(110)의 길이 방향의 일 측면에 배치되지만, 본 발명이 여기에 한정하는 것은 아니다.
탄탈 와이어(120)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다. 즉, 캐패시터 본체(110)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(120)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.
탄탈 와이어(120)는 양극 리드 프레임(130)과 연결된다. 양극 리드 프레임(130)은 상기 탄탈 와이어(120)와 연결되는 도금부(131) 및 상기 도금부(131)와 연결되고 몰딩부(150)의 외부로 노출되는 전극판(132)으로 구성된다. 상기 전극판(132)은 외부의 전원과 연결되어 도금부(131)를 통해 상기 탄탈 와이어(120)로 전류를 통하도록 하는 역할을 한다. 즉, 양극 리드 프레임(130)은 몰딩부(150)의 일면으로 노출되며, 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용된다. 이를 위해 양극 리드 프레임(130)은 니켈/철 합금 등의 도전성 금속으로 이루어질 수 있다.
캐패시터 본체(110)는 음극 리드 프레임(140)과 연결된다. 음극 리드 프레임(140)은 양극 리드 프레임(130) 및 탄탈 와이어(120)와 이격되어 있다. 음극 리드 프레임(140)의 일부는 몰딩부(150)의 외부로 노출되어 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용된다. 음극 리드 프레임(140)은 니켈/철 합금 등의 도전성 금속으로 이루어질 수 있다. 양극 리드 프레임(130) 및 음극 리드 프레임(140)은 서로 평행하게 이격되어 배치되어 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 양극 리드 프레임(130) 및 음극 리드 프레임(140)은 캐패시터 본체(110)의 하부면에 배치되어 탄탈륨 캐패시터(100)의 하부면으로 노출되도록 배치될 수 있다.
양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 탄탈륨 캐패시터의 측면으로 노출시키는 경우에는 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 구부려 전극을 형성해야하기 때문에 몰드부 내부에서 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임이 차지하는 영역이 커서 캐패시터 본체가 차지하는 영역이 상대적으로 작아지게 된다. 이 때문에 탄탈륨 캐패시터의 용량이 작아진다.
반면, 탄탈륨 캐패시터의 하부면으로 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 배치하는 경우 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임이 몰드부 내에서 차지하는 영역이 작아지므로 캐패시터 본체가 차지하는 영역을 크게 할 수 있다. 따라서, 고용량의 탄탈륨 캐패시터를 제작할 수 있다.
양극 리드 프레임(130)은 도금부(131)를 포함한다. 탄탈 와이어(120)는 캐패시터 본체(110)의 측면에 돌출되도록 배치되기 때문에 탄탈륨 캐패시터(100)의 외부면에서 일정 거리를 이격하여 배치된다. 따라서, 양극 리드 프레임(130)은 탄탈륨 캐패시터(100)의 외부면에 노출되면서 동시에 탄탈 와이어(120)와 연결될 수 있도록 하는 역할을 하는 구성(이하, 입상부)이 필요하며, 본 발명에서는 도금부(131)가 이와 같은 역할을 한다.
본 발명의 실시 예를 따르지 않는 탄탈륨 캐패시터의 양극 리드 프레임은 일반적으로 도전성 박판을 절삭 및 압착하여 전극판을 형성하고, 상기 전극판 상부면에 별도로 제작된 입상부를 용접공정을 통해 접합하여 형성한다. 별도의 용접공정을 수행하기 때문에 제조 공정이 복잡하고 제조 비용이 많이 든다. 또한, 용접을 위해 전극판 상부면 중 특정 위치에 정확하게 입상부를 고정시키는 것이 어려운 점, 용접 재료 등이 도포됨에 따라 합선이 발생할 수 있는 점, 용접 재료 등에 의해 입상부가 기울어져 용접될 수 있는 점, 탄탈륨 캐패시터가 소형화됨에 따라 입상부도 소형화되어야 하기 때문에 용접 공정으로 소형화된 입상부를 접합하는 것이 어려운 점 등 다양한 문제점이 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(100)의 양극 리드 프레임(130)은 전주 도금법을 이용하여 도금부(131)를 형성한다. 도금부(131)는 전주 도금법에 의해 양극 리드 프레임(130)의 전극판(132)과 일체로 연결되어 형성되므로 별도의 용접 공정을 필요로 하지 않는다. 따라서, 제조 공정이 단순하고 제조 비용이 절감된다. 또한, 상기 설명한 용접 공정에 따른 불량 발생도 없으며, 소형의 탄탈륨 캐패시터(100)을 제조할 수 있다.
양극 리드 프레임(130) 및 음극 리드 프레임(140)을 형성하는 재료인 도전성 박판은 니켈/철 합금 등의 도전성 금속을 사용할 수 있다. 상기 도전성 박판을 절삭 및 압착하여 원하는 크기 및 형태의 양극 리드 프레임(130) 및 음극 리드 프레임(140)을 형성한다. 따라서, 상기 전극판(132) 및 상기 음극 리드 프레임(140)의 측면은 절삭된 면이 된다.
상기 절삭 및 압착된 양극 리드 프레임(130)의 일면에 전주 도금법을 이용하여 도금층(131)을 형성한다. 상기 도금층(131)은 니켈 또는 구리 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 양극 리드 프레임(130)의 일면에 도금층(131)을 형성하기 위한 주형을 형성하고, 도금층(131)을 형성시킬 영역에 전주 도금 시드층을 형성한다. 전주 도금 시드층은 니켈 또는 구리 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 전주 도금 시드층을 형성한 양극 리드 프레임(130)에 전주 도금법을 수행하면, 상기 전주 도금 시드층으로부터 상기 주형을 따라 도금층(131)이 형성된다.
도금층(131)의 형상 및 크기는 필요에 따라 변형될 수 있다. 도 1 및 도 2에는 도금층(131)이 사각기둥형상이지만, 여기에 한정하는 것은 아니므로 원기둥 형상일 수 있다. 또한, 도금층(131)은 전주 도금법에 의해 형성하기 때문에 전주 도금 시드층으로부터 서서히 형성되는 공정을 거치므로, 전주 도금 시드층에서부터 상부로 갈수록 단면적이 좁아지도록 형성될 수 있다. 이 경우, 도금층(131)의 측면은 상부에서 하부로 경사진 형태일 수 있고, 주형 및 전주 도금 시드층의 형상에 따라 사각뿔, 원뿔 등의 형상일 수 있다.
다시 말하면, 도금부(131)가 탄탈 와이어(120)와 연결되는 부분인 상부면의 단면적이 도금부(131)가 전극판(132)과 연결되는 부분인 하부면의 단면적 보다 넓을 수 있다. 따라서, 도금부(131)는 상부에서 하부로 내려갈수록 폭이 좁아지며, 도금부(131)의 측면은 이에 따라 경사진 형태가 될 수 있다.
양극 리드 프레임(130)의 전극판(132) 및 음극 리드 프레임(140)은 동일한 도전성 박판을 압착 및 절삭하여 형성되므로, 양극 리드 프레임(130)의 전극판(132) 및 음극 리드 프레임(140)의 두께는 동일하다. 즉, 상기 전극판(132)에서 가장 두꺼운 부분의 두께와 상기 음극 리드 프레임(140)에서 가장 두꺼운 부분의 두께가 동일할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(100)는 음극 리드 프레임(140)과 캐패시터 본체(110)를 접합하기 위해 접착제를 더 포함할 수 있다. 상기 음극 리드 프레임(140)과 캐패시터 본체(110) 사이에 배치되는 상기 접착제는 에폭시 계열의 열경화성 수지를 포함하는 접착제로 이루어질 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
캐패시터 본체(110) 및 탄탈 와이어(120)는 몰딩부(150)에 의해 둘러싸여 있다. 양극 리드 프레임(130)의 도금부(131)와 전극판(132)의 일부 영역 및 음극 리드 프레임(140)의 일부 영역도 상기 몰딩부(150) 내부에 위치한다. 양극 리드 프레임(130)의 전극판(132) 및 음극 리드 프레임(140)의 일부면이 몰딩부(150)의 외부로 노출되도록 형성된다.
몰딩부(150)는 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.
몰딩부(150)는 외부로부터 탄탈 와이어(120) 및 캐패시터 본체(110)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 캐패시터 본체(110)와 양극 리드 프레임(130)을 서로 절연시키는 역할을 한다.
탄탈륨 캐패시터의 제조 방법
도 3a 내지 도3g는 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(200)의 제조 방법을 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(200)의 제조 방법의 순서도이다.
도 3a 내지 도3g를 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(200)의 제조 방법은, 도전성 박판(201)을 준비하는 단계(S1), 상기 도전성 박판(201)을 절삭 및 압착하여 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)을 형성하는 단계(S2), 상기 양극 리드 프레임의 일면에 전주 도금법을 이용하여 도금부(231)를 형성하는 단계(S3), 상기 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)에 탄탈 와이어(220)가 일면에 배치되어 있는 캐패시터 본체(210)를 실장하는 단계(S4) 및 상기 캐패시터 본체(210) 및 탄탈 와이어(220)를 둘러싸고 상기 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 일면이 외부로 노출되도록 몰딩부(250)를 형성하는 단계(S5)를 포함한다.
도 3a는 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)을 제작하기 위한 재료인 도전성 박판(201)을 도시한다(S1). 도전성 박판(201)은 니켈/철 합금 등의 도전성 금속을 사용할 수 있다.
다음으로 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 도전성 박판(201)을 절삭 및 압착하여 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)을 형성한다(S2). 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)은 여기에 실장될 캐패시터 본체(210)의 크기 및 탄탈륨 캐패시터(200)의 크기를 고려하여 적당한 길이로 절단한다. 또한, 캐패시터 본체(210)와의 접착 강도를 증가시키기 위해 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 실장면에 특수한 형상을 압착하여 형성할 수 있고, 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 강도를 향상 시키기 위해 홈을 형성할 수 있다. 한 번의 절삭 및 압착 공정을 통해 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 공정이 간단하고 제조 비용을 줄일 수 있다.
다음으로, 전주 도금법을 이용하여 상기 양극 리드 프레임(230)의 일면에 도금부(231)를 형성한다(S3). 상기 전주 도금법은 포토리소그래피 기술을 이용하여 주형을 형성할 수 있다.
양극 리드 프레임(230)의 일면에 감광 포토레지스트를 도포하고, 형성하고자 하는 도금부(231)의 형상에 대응하는 형상을 가진 포토마스크를 상기 양극 리드 프레임(230) 상에 정렬시킨다. 노광 공정 및 현상 공정을 거치면 상기 양극 리드 프레임(230) 상에는 도금부(231)를 형성하려는 영역을 제외한 영역에 감광 포토레지스트가 남아 있게 된다. 상기 잔존하는 감광 포토레지스트는 도금부(231) 형성을 위한 주형(202)이 된다.
도 3c는 주형(202) 및 시드층(203)을 도시한다. 주형(202)이 형성된 양극 리드 프레임(230)의 도금부(231)를 형성하려는 영역에 시드층(203)을 형성한다. 그 후 상기 양극 리드 프레임(230)을 전주 도금을 위한 전해액에 침치하면 시드층(203)을 따라 도금부(231)가 형성된다. 그 후, 도금부(231)가 형성된 양극 리드 프레임(230)에서 주형(202)을 제거하면 도금부(231)를 포함하는 양극 리드 프레임(230)를 형성할 수 있다 (참조: 도 3d).
다음으로 상기 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 상부면에 탄탈 와이어(220)가 일면에 배치되어 있는 캐패시터 본체(210)를 실장한다(S4). 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)을 수평으로 서로 마주보게 나란히 배치한다. 이때, 양극 및 음극 리드 프레임(240)의 하면에 내열성 테이프를 서로 연결되게 부착할 수 있다. 내열성 테이프는 이후 진행되는 몰딩 공정에서 양극 및 음극 리드 프레임(240)의 표면이 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다.
다음으로, 음극 리드 프레임(240)의 전방측 단부의 상면에 캐패시터 본체(210)를 실장하고, 캐패시터 본체(210)의 탄탈 와이어(220)를 양극 리드 프레임(230)의 도금부(231)에 접촉되도록 한 상태에서, 탄탈 와이어(220)와 도금부(231)를 스폿 용접(spot welding) 또는 레이저 용접(laser welding)하거나 도전성 접착제를 도포하여 전기적으로 부착한다. 이때, 도 3e에 도시된 바와 같이 캐패시터 본체(210)를 실장하기 전에 음극 리드 프레임(240)의 실장부에 도전성 접착제를 미리 도포하여 소정 두께의 도전성 접착층(204)을 형성함으로써 음극 리드 프레임(240)과 캐패시터 본체(210) 간의 고착 강도를 향상시킬 수 있다. 이러한 도전성 접착층(204)의 경화를 위해 이후 약 100 내지 200 ℃의 온도로 경화하는 공정을 수행할 수 있다. 도 3f는 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)에 캐패시터 본체(210)가 실장된 형상을 도시하고 있다.
상기 도금부(231)를 상기 캐패시터 본체(210)의 일면에 배치된 탄탈 와이어(220)와 연결되도록 접합하는 단계 이전에, 상기 도금부(231)가 상기 탄탈 와이어(220)와 연결되는 부분을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
탄탈 와이어(220)를 도금부(231) 상에 안정적으로 실장하기 위해 도금부(231)의 상부면을 탄탈 와이어(220)의 형상에 대응한 형상으로 식각하여 탄탈 와이어(220)와 도금부(231)의 접합면을 증가시킬 수 있다. 이를 통하여 보다 안정적인 실장이 가능하고, 도전성이 증가함에 따라 ESR(Equivalent Series Resistance; 등가직렬저항) 및 ESL(Equivalent Serial Inductance; 등가직렬인덕턴스) 등의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
다음으로 도 3g에서 도시하는 바와 같이, 상기 캐패시터 본체(210) 및 탄탈 와이어(220)를 둘러싸고 상기 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 일면이 외부로 노출되도록 몰딩부(250)를 형성한다(S5). 몰딩부(250)는 외부로부터 탄탈 와이어(220) 및 캐패시터 본체(210)를 보호하는 역할을 수행한다.
상기 몰딩부(250) 형성이 완료되면, 양극 리드 프레임(230) 및 음극 리드 프레임(240)의 하면에 부착되어 있는 내열성 테이프를 제거한다.
상기의 공정을 통하여 본 발명의 실시 예를 따르는 탄탈륨 캐패시터(200)를 제조할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200: 탄탈륨 캐패시터
110, 210: 캐패시터 본체
120, 220: 탄탈 와이어
130, 230: 양극 리드 프레임
131, 231: 도금부
132, 232: 전극판
140, 240: 음극 리드 프레임
150, 250: 몰딩부
201: 도전성 박판
202: 전주 도금용 주형
203: 전주 도금 시드층
204: 도전성 접착층

Claims (14)

  1. 캐패시터 본체;
    상기 캐패시터 본체의 일면에 배치된 탄탈 와이어;
    상기 캐패시터 본체 및 탄탈 와이어를 둘러싸도록 배치된 몰딩부;
    상기 탄탈 와이어와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 양극 리드 프레임; 및
    상기 캐패시터 본체의 일면에 배치되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 음극 리드 프레임;을 포함하고,
    상기 양극 리드 프레임은 상기 탄탈 와이어와 연결되는 도금부 및 상기 도금부와 연결되고 상기 몰딩부의 일면으로 노출되는 전극판을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금부는 전주 도금 공정에 의해 형성된 탄탈륨 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도금부는 니켈 또는 구리 중 적어도 하나를 포함하는 탄탈륨 캐패시터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도금부는 사각기둥형상인 탄탈륨 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도금부는 측면에 경사를 포함하는 뿔형상인 탄탈륨 캐패시터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전극판 및 상기 음극 리드 프레임의 측면은 절삭된 면인 탄탈륨 캐패시터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전극판에서 가장 두꺼운 부분의 두께와 상기 음극 리드 프레임에서 가장 두꺼운 부분의 두께가 동일한 탄탈륨 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 양극 리드 프레임과 음극 리드 프레임은 상기 탄탈륨 캐패시터의 하부면으로 노출되는 탄탈륨 캐패시터.
  9. 도전성 박판을 준비하는 단계;
    상기 도전성 박판을 절삭 및 압착하여 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 형성하는 단계;
    상기 양극 리드 프레임의 일면에 전주 도금법을 이용하여 도금부를 형성하는 단계;
    상기 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임에 탄탈 와이어가 일면에 배치되어 있는 캐패시터 본체를 실장하는 단계; 및
    상기 캐패시터 본체 및 탄탈 와이어를 둘러싸고 상기 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임의 일면이 외부로 노출되도록 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도전성 박판을 절삭 및 압착하여 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 형성하는 단계는, 단일 공정을 통해 상기 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임을 동시에 형성하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 양극 리드 프레임의 일면에 전주 도금법을 이용하여 도금부를 형성하는 단계는, 전주 도금법을 수행하기 위한 주형을 제작, 전주 도금 시드층 형성 및 주형 제거하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임의 상부면에 탄탈 와이어가 일면에 배치되어 있는 캐패시터 본체를 실장하는 단계는, 상기 도금부를 상기 캐패시터 본체의 일면에 배치된 탄탈 와이어와 연결되도록 접합하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 도금부를 상기 캐패시터 본체의 일면에 배치된 탄탈 와이어와 연결되도록 접합하는 단계 이전에, 상기 도금부가 상기 탄탈 와이어와 연결되는 부분을 식각하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 양극 리드 프레임 및 음극 리드 프레임의 상부면에 탄탈 와이어가 일면에 배치되어 있는 캐패시터 본체를 실장하는 단계는, 상기 음극 리드 프레임과 상기 탄탈 캐패시터 본체를 도전성 접착제를 도포하여 상기 캐패시터 본체를 부착하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.


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