KR20130060504A - 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법 - Google Patents

탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 탄탈 분말을 소결하여 형성된 칩소결체; 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극; 및 상기 칩소결체와 상기 음극이 접합하도록 상기 칩소결체와 상기 음극 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층;을 포함하는 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 상기 칩소결체와 상기 음극이 접합하도록 상기 칩소결체와 상기 음극 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 포함함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.

Description

탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법 {Tantalum capacitor and fabrication method thereof}
본 발명은 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
탄탈(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성, 내식성 등이 우수한 기계적, 물리적 특징으로 인해 전기, 전자를 비롯하여 기계, 화공, 의료뿐만 아니라 우주, 군사 등 산업전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있는 금속이다.
특히 탄탈 소재는 모든 금속 중 가장 안정한 양극 산화피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 현재 소형 캐패시터의 양극소재로 널리 이용되고 있다.
더욱이 탄탈 소재는 최근 전자, 정보통신 등 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하고 있다.
탄탈 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈틈을 이용하는 구조로 되어 있으며, 전극 금속으로서의 탄탈 표면에, 양극 산화법에 의해 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이것을 유전체로 하여, 그 위에 전해질로서 이산화망간층(MnO2)을 형성한다.
또한 음극 전극의 도출 때문에 MnO2층 위에 카본층 및 금속층으로서 은(Ag)층을 형성하게 된다.
그리고, 인쇄회로기판(PCB)에의 실장을 위하여, 양극 및 음극 리드 프레임을 형성하고, 수지 몰딩층을 형성함으로써, 상기 탄탈 캐패시터의 실장이 용이하도록 하고 있다.
이 과정에서, 탄탈 소자와 음극 리드 프레임을 접합하고, 상기 소자를 보호하기 위하여, 은(Ag)을 포함하는 에폭시 수지를 사용하고 있다.
그러나, 은(Ag)을 포함하는 에폭시 수지를 이용하여, 상기 탄탈 소자와 음극 리드 프레임을 접합할 경우, 은(Ag)으로 인해 산화 및 황 산화물의 발생을 초래하게 된다.
상기와 같이 은(Ag)으로 인해 발생하는 산화 및 황 산화물은 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성을 저하시키는 문제를 야기하였다.
본 발명은 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 탄탈 캐패시터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 탄탈 분말을 소결하여 형성된 칩소결체; 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극; 및 상기 칩소결체와 상기 음극이 접합하도록 상기 칩소결체와 상기 음극 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층;을 포함하는 탄탈 캐패시터를 제공한다.
상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선을 더 포함할 수 있다.
상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체가 실장될 수 있으며, 상기 양극 인출선과 접합하는 양극을 더 포함할 수 있다.
상기 칩소결체의 외부면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 카본층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 카본층의 상부면에는 은(Ag)을 포함하는 페이스트로 형성된 은(Ag)층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 탄탈 분말을 포함하는 혼합 파우더에 삽입영역과 비삽입 영역을 갖도록 양극 인출선을 중심에서 편심되도록 삽입하고, 소결하여 칩소결체를 마련하는 단계; 상기 칩소결체의 상기 양극 인출선이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계; 상기 칩소결체와 접합하도록 상기 에폭시 수지층 상에 음극을 형성하는 단계; 상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극을 형성하는 단계; 및 상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 수지 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 탄탈 캐패시터의 제조방법을 제공한다.
상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
상기 음극을 형성하는 단계는 스퍼터링(sputtering) 도금에 의해 수행될 수 있다.
상기 칩소결체의 상기 양극 인출선이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계는 잉크젯 방법으로 수행될 수 있다.
상기 에폭시 수지층 상에 음극을 형성하는 단계 이전에 상기 칩소결체를 다이싱(dicing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면 상기 칩소결체와 상기 음극이 접합하도록 상기 칩소결체와 상기 음극 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 포함함으로써, 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
또한, 가격이 저렴한 구리(Cu)를 포함함으로써, 탄탈 캐패시터의 제작비를 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 제조방법에 있어서, 칩소결체의 일면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계를 나타내는 개략도이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 칩소결체의 단면 개략도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 탄탈 분말을 소결하여 형성된 칩소결체(10); 상기 칩소결체(10)가 실장될 수 있는 음극(13); 및 상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13)이 접합하도록 상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13) 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11);을 포함할 수 있다.
상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13)이 접합하도록 상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13) 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11);을 포함함으로써, 도전율을 높여 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance)을 효과적으로 낮출 수 있다.
즉, 전기 전도도가 우수한 구리(Cu)를 사용함으로써, 은(Ag)을 사용할 경우 발생할 수 있는 산화 및 황 산화물로 인한 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성의 저하를 막을 수 있다.
상기 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성의 저하를 막을 수 있는 것은 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11)을 사용할 경우, 구리(Cu)가 산화 및 황 산화물을 발생시키지 않기 때문이다.
또한, 상기 은(Ag)을 사용할 경우에 비하여 그 가격이 저렴한 구리(Cu)를 사용함으로써, 캐패시터의 제작비를 절감할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지층(11)이 포함하는 구리(Cu) 분말의 함량은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 20 내지 30 중량%을 포함함으로써, 도전성이 우수하며 산화가 되지 않아 고신뢰성의 탄탈 캐패시터를 구현할 수 있다.
즉, 도전성이 우수하며 산화가 일어나지 않아 상기 탄탈 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance)을 효과적으로 낮출 수 있다.
상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체(10) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(2)을 더 포함할 수 있다.
상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체(10)가 실장될 수 있으며, 상기 양극 인출선(2)과 접합하는 양극(12)을 더 포함할 수 있다.
한편, 도 2를 참조하면, 상기 칩소결체(10)의 외부면에는 유전체 산화피막층(3), 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(4) 및 카본층(5)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층(4)은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 카본층(5)의 상부면에는 은(Ag)을 포함하는 페이스트로 형성된 은(Ag)층(6)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체(10) 및 상기 양극 인출선(2)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(14)를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 칩소결체(10)의 하부에는 액상 수지층(15)이 형성될 수 있으며, 상기 칩소결체(10)가 실장되는 상기 양극(12)면과 음극(13)면 상에는 단자 보강재(16)를 더 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 탄탈 캐패시터의 형태는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 프레임리스(Frameless) 형태일 수 있다.
상기 탄탈 캐패시터가 포함하는 각 구성요소에 대한 구체적인 설명은 후술하는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 탄탈 캐패시터의 제조방법에서 자세히 설명하도록 한다.
본 발명의 다른 실시형태에 따른 탄탈 캐패시터의 제조방법은 탄탈 분말을 포함하는 혼합 파우더에 삽입영역과 비삽입 영역을 갖도록 양극 인출선(2)을 중심에서 편심되도록 삽입하고, 소결하여 칩소결체(10)를 마련하는 단계; 상기 칩소결체(10)의 상기 양극 인출선(2)이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11)을 형성하는 단계; 상기 칩소결체(10)와 접합하도록 상기 에폭시 수지층(11) 상에 음극(13)을 형성하는 단계; 상기 양극 인출선(2)의 비삽입 영역과 연결되는 양극(12)을 형성하는 단계; 및 상기 칩소결체(10) 및 상기 양극 인출선(2)을 둘러싸도록 수지 몰딩부(14)를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 칩소결체(10)는 소결에 의해 성형될 수 있다.
즉, 상기 칩소결체(10)는 탄탈, 또는 니오브(Nb) 산화물과 같은 재질을 이용하여 소결 제작될 수 있다.
탄탈 재질을 이용하여 상기 칩소결체(10)를 제작하는 경우에 대해서 예를 들어 살펴보면, 탄탈 파우더와 바인더를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작된다.
그리고, 양극 인출선(2)은 혼합 파우더를 압축하기 전, 중심으로부터 편심되도록 삽입 장착된다.
구체적으로, 상기 칩소결체(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 양극 인출선을 삽입하고 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음 상기 탄탈 소자를 1000~2000℃의 고진공(10-5torr 이하) 분위기에서 30분 정도 소결하여 마련할 수 있다.
또한, 상기 칩소결체(10)에는 절연층으로서 유전체 산화피막층(3)이 형성될 수 있다.
즉, 상기 유전체 산화피막층(3)은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 상기 칩소결체(10)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다.
이때 상기 유전체 산화피막층(3)은 상기 칩소결체(10)를 유전체로 변화시키게 된다.
그리고, 상기 유전체 산화피막층(3) 상에 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(4)이 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층(4)은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 질산-망간 용액에 상기 유전체 산화피막층(3)으로 포밍된 상기 칩소결체(10)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 고체 전해질층(4)이 형성될 수 있다.
다음으로, 카본층(5)이 상기 고체 전해질층(4) 상에 적층되며, 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여, 카본 분말이 용해된 용액에 상기 칩소결체(11)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층된다.
또한, 상기 카본층(5)은 은(Ag) 이온이 통과되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터는 상기 카본층(5)의 상부면에 은(Ag)을 포함하는 페이스트로 형성된 은(Ag)층(6)을 포함할 수 있다.
상기 은(Ag)층(6)은 도전성이 향상되도록 카본층(5)의 외측에 적층될 수 있다.
또한, 상기 은(Ag)층(6)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.
또한, 상기 은(Ag)층(6)도 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.
다음으로, 상기 칩소결체(10)의 상기 양극 인출선(2)이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11)을 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 제조방법에 있어서, 칩소결체의 일면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계를 나타내는 개략도이다.
도 3을 참조하면, 상기 에폭시 수지층(11)의 형성 단계는 상기 칩소결체(10)지그(Jig)에 실장한 후, 상기 지그가 설치된 벨트(20)의 작동에 의해 상기 칩소결체의 일면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지를 도포하여 수행될 수 있다.
상기 칩소결체(10)의 상기 양극 인출선(2)이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11)을 형성하는 단계는 예를 들어, 잉크젯 방법으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11)은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 상기 칩소결체(10)와 접합하도록 상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11) 상에 음극(13)을 형성할 수 있다.
상기 음극(13)을 형성하는 단계는 스퍼터링(sputtering) 도금에 의해 수행 될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 상기 양극 인출선(2)의 비삽입 영역과 연결되는 양극(12)을 형성할 수 있으며, 상기 양극(12)을 형성하는 단계는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 전기 용접에 의하여 부착할 수 있으며, 특히 용접은 전기 스폿 용접 방식을 사용하여 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 칩소결체(10) 및 상기 양극 인출선(2)을 둘러싸도록 수지 몰딩부(14)를 형성할 수 있다.
상기 수지 몰딩부(14)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 상기 칩소결체(10) 및 양극 인출선(2)을 둘러싸도록 에폭시로 몰딩하여 수행될 수 있다.
상기 수지 몰딩부(14)는 상기 칩소결체(10)를 보호하고 인쇄회로기판(PCB)에 실장이 용이하도록 탄탈 캐패시터의 형상을 만드는 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈 캐패시터의 제조방법에 의해 제조된 탄탈 캐패시터는 상술한 바와 같이, 상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13)이 접합하도록 상기 칩소결체(10)와 상기 음극(13) 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층(11);을 포함함으로써, 도전율을 높여 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance)을 효과적으로 낮출 수 있다.
즉, 전기 전도도가 우수한 구리(Cu)를 사용함으로써, 은(Ag)을 사용할 경우 발생할 수 있는 산화 및 황 산화물로 인한 캐패시터의 등가직렬저항(ESR: Equivalent Series Resistance) 특성의 저하를 막을 수 있다.
또한, 상기 은(Ag)을 사용할 경우에 비하여 그 가격이 저렴한 구리(Cu)를 사용함으로써, 캐패시터의 제작비를 절감할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
2: 양극 인출선 3: 유전체 산화피막층
4: 고체 전해질층 5: 카본층
6: 은(Ag)층 10 : 칩소결체
11: 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층
12: 양극 13: 음극
14: 수지 몰딩부 15: 액상 수지층
16: 단자 보강재 20: 벨트

Claims (12)

  1. 탄탈 분말을 소결하여 형성된 칩소결체;
    상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극; 및
    상기 칩소결체와 상기 음극이 접합하도록 상기 칩소결체와 상기 음극 사이에 형성된 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층;
    을 포함하는 탄탈 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함하는 탄탈 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선을 더 포함하는 탄탈 캐패시터.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 탄탈 캐패시터는 상기 칩소결체가 실장될 수 있으며, 상기 양극 인출선과 접합하는 양극을 더 포함하는 탄탈 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 칩소결체의 외부면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 카본층이 순차적으로 도포되어 형성된 탄탈 캐패시터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 탄탈 캐패시터.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 카본층의 상부면에는 은(Ag)을 포함하는 페이스트로 형성된 은(Ag)층을 더 포함하는 탄탈 캐패시터.
  8. 탄탈 분말을 포함하는 혼합 파우더에 삽입영역과 비삽입 영역을 갖도록 양극 인출선을 중심에서 편심되도록 삽입하고, 소결하여 칩소결체를 마련하는 단계;
    상기 칩소결체의 상기 양극 인출선이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계;
    상기 칩소결체와 접합하도록 상기 에폭시 수지층 상에 음극을 형성하는 단계;
    상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극을 형성하는 단계; 및
    상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 수지 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 탄탈 캐패시터의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층은 구리(Cu) 분말 20 내지 30 중량% 및 에폭시 수지 70 내지 80 중량%를 포함하는 탄탈 캐패시터의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 음극을 형성하는 단계는 스퍼터링(sputtering) 도금에 의해 수행되는 탄탈 캐패시터의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 칩소결체의 상기 양극 인출선이 삽입된 면의 타면에 구리(Cu)를 포함하는 에폭시 수지층을 형성하는 단계는 잉크젯 방법으로 수행되는 탄탈 캐패시터의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 에폭시 수지층 상에 음극을 형성하는 단계 이전에 상기 칩소결체를 다이싱(dicing)하는 단계를 더 포함하는 탄탈 캐패시터의 제조방법.
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